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1.1 DIODOS

ELECTRONICA DE POTENCIA.
2015
DIODOS:
Introduccin:
Las caractersticas deseables en los diodos de potencia son principalmente las siguientes:
Capacidad para soportar gran intensidad de corriente con pequea cada de tensin en el
estado de conduccin. Esto implica perdidas en conduccin bajas.
Capacidad para soportar elevada tensin con pequea corriente de fugas en el estado de
polarizacin inversa.
Existe una variedad de diodos que se disean especficamente para manejar las demandas de
alta potencia y altas temperaturas en algunas aplicaciones. La utilizacin ms frecuente de los
diodos de potencia se presenta en los procesos de rectificacin, en los cuales las seales de CA (que
tienen valores promedios iguales a cero) se convierten en seales que tienen un promedio o un nivel
de CC. Cuando estos diodos se emplean de este modo, reciben por lo general el nombre de
rectificadores.
La mayor parte de los diodos de potencia se construyen utilizando silicio debido a sus ms
altos valores nominales de corriente, temperatura y VRRM (tensin de pico inverso). Las demandas
de corrientes ms elevada requieren que el rea de unin sea ms grande, para asegurar que exista
una baja resistencia directa del diodo. Si la resistencia directa fuera demasiado grande, las prdidas
I2R resultaran excesivas. La capacidad de corriente de los diodos puede incrementarse disponiendo
de dos o ms diodos en paralelo, y es posible aumentar el valor nominal del VRRM colocando diodos
en serie.
Las temperaturas altas, resultado de altas corrientes, requieren, en muchos casos, que se
empleen disipadores de calor para extraer el calor del elemento. Existen tambin para potencias
medias altas, diodos de perno para unirse al disipador o directamente al chasis. Para muy altas
potencias existen los diodos de encapsulado tipo disco, con disipadores tipo intercambiador.
Histricamente los primeros rectificadores de gas y selenio han sido totalmente desplazados
debido, entre otros tems, a la gran cada de tensin directa en conduccin (unos 18 volt para el
primero) y la elevada corriente de fuga y baja tensin inversa en el segundo. La siguiente tabla nos
da un pantallazo de rectificadores en la industria (muchos de ellos totalmente obsoletos).

Cada de Temperatura Tensin Corriente Densidad de

Corriente de
Tipo tensin interna Inversa max directa max corriente
fuga
directa (V) mxima VRRM (V) IF (A) (A/cm2)
4000 en la
Mercurio 15 a 19 Baja 400 C 20.000 5000
mancha
Selenio 1 Alta 150 C 50 50 1

Germanio 0,5 Baja 120 C 800 200 100

Oxido de cobre 0,6 Alta 70 C 50 10 1

Silicio 0,7 a 1,2 Muy baja 200 C 6000 8500 120

Arseniuro de
0,8 Media 150C 250 15 100
Galio (Schottky)

Carburo de Silicio
2,5 Baja 175C 1200 30 300
(Schootky)
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Antiguo Rectificador de Mercurio

Antiguo Rectificador Mecnico

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Tipos de estructuras:
a) Estructura de dos capas:
Esta estructura es bien conocida por todos.

Figura 1.1

b) Estructura de tres capas:

En los rectificadores de potencia, una regin con pocas impurezas tipo n, se situa entre las
regiones tipo n y p, proporciona la alta capacidad de bloqueo de tensin que se requiere del
rectificador.
Debido a esta regin poco contaminada, la regin ms contaminada con impurezas tipo n
contigua al contacto metlico se conoce como regin n+, por lo tanto el rectificador se transforma
en una estructura de tipo p-n-n+.

Figura 1.2

En la condicin de equilibrio cada regin del cristal contiene aproximadamente el mismo

nmero de electrones libres o de lagunas libres que de impurezas dadoras o aceptoras,
respectivamente.
En condiciones de polarizacin inversa se produce una distribucin desequilibrada de
lagunas y electrones debido a que la regin que rodea a la juntura p-n se vaca de portadores de
carga. Esta redistribucin se produce debido a que los electrones son atrados por la tensin
positiva aplicada a la regin tipo n y las lagunas son atradas por la tensin negativa aplicada la
regin tipo p, de manera que son desplazados de sus posiciones de equilibrio. El resultado es que
los portadores se alejan de ambos lados de la juntura para crear una regin de desercin o regin de
carga espacial, que puede soportar la tensin aplicada sin que aumente la circulacin de corriente.
Slo circula una pequea corriente de fuga pudiendo esta atribuirse a la generacin trmica de
pares electrn laguna dentro de la capa de desercin.
En condiciones de polarizacin directa las lagunas y los electrones se mueven hacia la
juntura y la atraviesan, en consecuencia la concentracin de portadores de carga libre en la regin
central de la juntura aumenta considerablemente.
El efecto del agregado de la capa n entre p y n+ es el de aumentar la barrera de potencial que
se forma en el rectificador en el estado de bloqueo.

Bordes biselados, diodos de avalancha controlada

Los bordes del disco o pastilla semiconductora suelen contener muchas imperfecciones en la red
cristalina e impurezas depositadas a lo largo del proceso de fabricacin que daran origen a zonas
dbiles para soportar la tensin inversa. Por ello el borde es desbastado y biselado como indica la
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figura 1-2bis, obtenindose tambin

de esta forma un menor gradiente de
potencial en el mismo y mayor
tensin inversa soportada. As se
asegura que la entrada en avalancha
con tensin inversa alta se produzca
en el interior de la pastilla y en la
mayor parte del rea
simultneamente, aumentando
considerablemente la capacidad para
absorber puntas de energa en estado de bloqueo. Los diodos de avalancha controlada son aquellos
que presentan esta caracterstica en alto grado.

El encapsulado del diodo debe resolver tres problemas:

Aislamiento de la pastilla con respecto a la atmsfera para evitar su deterioro qumico.
Conexin elctrica al circuito.
Disipacin trmica del calor generado por las perdidas.
Las figuras 1- a y 1 - b, nos muestran cortes de dos encapsulados tpicos de diodos de potencia.
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Curva caracterstica del diodo:

Figura 1.3
qV 1
El diodo responde a la ecuacin: I Is. e KT


La curva caracterstica ser la que se puede ver en la figura 1.3, donde:
VAK: Tensin nodo Ctodo
IA: Corriente de nodo
VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.

Caractersticas y Propiedades trmicas:

A continuacin veremos las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos
agrupar de la siguiente forma:
Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin inverso (trr).
Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
Potencia mxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobre intensidades.

Las hojas de datos tcnicos de los diodos de potencia suelen incluir curvas de corriente en
funcin de la tensin, tanto en sentido directo como en sentido inverso, y tambin curvas de
disipacin de potencia en funcin de la corriente directa media. Todas estas curvas, junto con los
valores lmite no repetitivos, indican las condiciones ptimas de funcionamiento de los dispositivos,
y la observancia de las mismas garantiza una mayor seguridad de uso. En el caso de
funcionamiento continuo, los factores que limitan las posibilidades del diodo son la mxima
corriente directa media y la tensin de pico. Con sinusoides de frecuencia comprendida entre 50 y
400 Hz, las prdidas directas e inversas deben determinarse, pues aumentan la temperatura del
semiconductor y al aumentar esta puede provocar un funcionamiento inestable (embalamiento
trmico de la unin). A ms de 400 Hz la disipacin transitoria de la conmutacin puede alcanzar
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niveles notables debido a la recuperacin inversa (para frecuencias superiores deben utilizarse
diodos de recuperacin rpida o ultra-rpida).
Los valores no repetitivos determinan la aptitud del diodo para absorber los transitorios de la
alimentacin y pueden ser decisivos en la eleccin del tipo de diodo.

Caractersticas directas:
El funcionamiento de un diodo de tres capas polarizado en sentido directo, las siguientes
figuras muestran de forma esquemtica las caractersticas directas de un diodo de esta clase en
condiciones de carga estable y transitoria. Con niveles bajos de potencia, en que la corriente que
circula, est limitada principalmente por la inyeccin, el diodo funciona como un dispositivo de una
sola unin. Al aumentar la polarizacin directa (nivel de inyeccin elevado), mejora la
conductividad de la capa central y empieza a comportase de modo parecido a un diodo PIN (Dentro
de la zona de carga permanente y hasta unos 100 A/cm, la pendiente de la curva log IF en funcin
de VF , puede expresarse como q/akt. Con "a" comprendida entre 1 y 2 (valor medio = 1,6). En la
zona que comprende los valores de pico repetitivo y que se extiende hasta los lmites superiores de
los transitorios, las concentraciones de portadores en la capa central se aproximan a las de las capas
P+ y N +(nivel de inyeccin elevado) y resulta cada vez ms difcil extraer portadores de las capas
exteriores a travs de la capa central. Con estos niveles la circulacin de la corriente queda limitada
por la carga de espacio. Ms all de esta
regin el diodo parece comportarse como
un componente hmico, de modo que los
resultados medidos carecen de importancia
debido a que dependen mucho de las
condiciones.
La Figura 1.4 muestra la
caracterstica directa del diodo D251N -
EUPEC- de 250 A, para dos temperaturas
distintas de la unin. Como puede verse,
un aumento de la temperatura de
funcionamiento reduce la cada de tensin
directa para corrientes dentro del margen
de carga permanente (hasta 250 A de
corriente media). La caracterstica directa
es independiente del tiempo en el sentido
de que las caractersticas dinmica y
esttica coinciden. Ello no es
absolutamente cierto en aplicaciones de
conmutacin en las que pueden
presentarse efectos de recuperacin.
La corriente directa y la cada de tensin directa ocasionan una prdida de potencia en el
interior del diodo, que es una causa de un aumento de la temperatura de la unin. La mxima
temperatura permisible en la unin determina la disipacin de potencia directa mxima (las
prdidas inversas son prcticamente despreciables), y sta a su vez, fija el valor lmite de la
corriente directa media, aunque el diodo pueda conducir corrientes muy superiores a este valor. La
prdida de potencia directa puede determinarse mediante la frmula:

PFav = VC IFav + I F(rms) rdif

Donde:
PFav = Disipacin de potencia directa media.
IFav = Corriente directa media.
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IF(rms) = Corriente eficaz

rdif = Resistencia diferencia (c.a.), determinada por el nivel de la corriente directa media.

En la Figura 1-5 se indica la conveccin de nomenclatura regida por la norma IEC148.

Es interesante destacar que usualmente los valores en tensin directa son de corriente y en inversa
de tensin.

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo VRWM: es la que puede ser soportada por el dispositivo de
forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo VRRM : es la que puede ser soportada una vez por ciclo, su
duracin y amplitud es determinada por el I2t del dispositivo.
Tensin inversa de pico no repetitiva VRSM : es aquella que puede ser soportada una sola vez
y solamente puede ser reaplicada cuando el dispositivo vuelve a la condiciones trmicas
iniciales.
Tensin de ruptura VBR: si se alcanza, aunque sea una sola vez, el diodo puede destruirse o
degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa continua VR: es la tensin continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.

Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal IFAV: es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo IFRM : es la que puede ser soportada una vez por ciclo, su
duracin y amplitud es determinada por la IMAX del dispositivo.
Intensidad directa de pico no repetitiva IFSM: es aquella que puede ser soportada una sola vez
y solamente puede ser reaplicada cuando el dispositivo vuelve a la condiciones trmicas
iniciales.
Intensidad directa IF: es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conduccin.
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Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura
1.6. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.

RECUPERACION INVERSA
La corriente de un diodo de unin con polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores
mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se
reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo a la aplicacin de un voltaje
inverso), el diodo contina conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen
almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores
minoritarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuesta y neutralizarse.
Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En las figuras 1-7, se
muestran dos caractersticas de recuperacin inversa (standart y rpida) de diodos de unin. El ms
comn es el tipo de recuperacin suave.

El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr y se mide a partir del cruce del cero inicial de la
corriente con el 25 % de la corriente inversa mxima (o de pico), IRR. trr est formado por dos
componentes ta y tb. ta est generado por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento
de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, IRR. El tiempo
tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La relacin
tb/ta se conoce como factor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse por el
tiempo total de recuperacin trr y por el pico de la corriente inversa IRR. trr = ta + tb
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La corriente inversa pico puede expresar en di/dt inversa como:

IRR = ta di/dt
El tiempo de recuperacin inversa trr , puede definirse tambin como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20% de su
valor inverso pico iRR . El tiempo tRR depende de la temperatura de la unin, de la velocidad de cada
de la corriente directa y de la corriente directa (IF) antes de la conmutacin.
La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a
travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin de
bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la corriente
de recuperacin inversa. (figura 1.7c)

La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de

recuperacin, es aproximadamente:

QRR = IRR ta + IRR tb (1-7)

O bien:

IRR = 2 QRR /tRR (1-8)

Igualando la ecuacin anterior con la ante ante anterior

tRR ta = 2 QRR / di/dt (1-9)

Si tb es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es el caso, trr aproximadamente igual
a ta y la ecuacin (1-9) se convierte en:
trr = 2QRR (1-10)
di/dt
y

IRR = 2Q di/dt (1-11)

Se puede notar, de las ecuaciones (1-10) y (1-11), que el tiempo de recuperacin inversa trr y
la corriente de recuperacin inversa pico IRR dependen de la carga de almacenamiento QRR y de
di/dt inversa (o re-aplicado). La carga de almacenamiento depende de la corriente directa del diodo
IF. La corriente de recuperacin inversa pico IRR, la carga inversa QRR y el factor de suavidad son
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todos de inters para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en
las hojas de datos de los diodos.
Si un diodo est en una condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga
debido a los portadores minoritarios. En este caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al
diodo a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo
conocido como el tiempo de recuperacin directa (o de activacin), antes de que los portadores
mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin
de la corriente directa es alta, y la corriente directa est concentrada en una pequea superficie de la
unin, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la velocidad de
elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin.

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :

A mayor IRRM mayor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.
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Tiempo de recuperacin directo

Figura 1.10

En la Figura 1.10:
tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin
nodo - ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de
potencia apreciables.

DIODOS SCHOTTKY
En un diodo Schottky se puede minimizar el problema de
almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo
estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un
semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n se deposita una capa de metal.
La barrera de potencial simula en comportamiento de una unin pn. La accin rectificadora slo
depende de los portadores mayoritarios y como resultado no existen portadores minoritarios en
exceso para recombinar. El efecto de recuperacin se debe nicamente a la capacitan ca de la
unin semiconductora.
La carga almacenada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente
de unin p-n, dado que se debe solo a la capacitancia de la unin, bsicamente es independiente de
la di/dt inversa.
Un diodo Schottky tiene una cada de tensin directa relativamente baja.
La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unin pn. Un
diodo Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene corriente de fuga
relativamente alta. Como resultado, su voltaje mximo esta limitado a unos 100 V. Las
especificaciones de corriente de los diodos Schottky varan de 1 a 300 A. Estos diodos son ideales
para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de baja tensin en corriente directa. Sin
embargo tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor.
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Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa.

La importancia de estos parmetros se
puede explicar con la figura 1-11a. Si el
interruptor, SW se cierra en t = 0 y se mantiene
cerrado el tiempo suficiente, una corriente en
rgimen permanente, Io = Vs/R fluir a travs de la
carga y el diodo de efecto volante Dm quedar con
polarizacin inversa. Si el interruptor se
desconecta en t = t1 el diodo Dm conducir y la
corriente de carga circular a travs de Dm.
Ahora, si el interruptor se vuelve a conectar en el
tiempo t = t2, el diodo Dm, se comportar como s
estuviera en corto circuito. La velocidad de
elevacin de la corriente directa del interruptor (y
del diodo D1), y la velocidad de reduccin de la
corriente directa en el diodo Dm seran muy altas,
tendiendo al infinito. De acuerdo con la ecuacin
(1-11), la corriente de pico inversa del diodo Dm
sera muy alta, y los diodos D1 y Dm podran
daarse. En la figura 1-11b se muestras diversas
formas de ondas para las corrientes de diodos.
Este problema por lo general se resuelve
conectando un inductor limitante de la di/dt, Ls, tal
como muestra aparece e la figura 1-12a. Los
diodos reales o prcticos requieren de un cierto
tiempo de activacin, antes que toda la superficie
de la unin se haga conductora, di/dt debe
mantenerse baja para alcanzar el lmite de tiempo
de activacin. Este tiempo a veces se conoce como
tiempo de recuperacin directa trf.
La velocidad de elevacin de la corriente a
travs del diodo D1, que debera ser la misma que
la velocidad de reduccin de la corriente a travs
del diodo D2 es:
di/dt = Vs /Ls (1-12)
Si trr es el tiempo de recuperacin inversa de Dm, la
corriente de pico inversa de Dm es:
IRR = trr di/dt = trr Vs / Ls

Y la corriente de pico a travs del inductor Ls,

sera:
Ip = Io + IRR = Io + trr vs/ Ls
Cuando la corriente del inductor se
convierte en Ip, el diodo Dm se desconecta o
desactiva repentinamente (suponiendo una
recuperacin abrupta) y rompe la trayectoria del
flujo de corriente. En razn de una carga
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altamente inductiva, la corriente de carga no puede cambiar rpidamente de Io a Ip.

La energa almacenada excedente resultante de un tiempo de recuperacin inverso se calcula

a partir de
WR = Ls ((Io + IRR)2 I2o) (1-15)

WR = Ls ((Io + trr Vs)2 - I2o) (1-16)

Las formas de onda de las varias corrientes se muestran en la figura 1-12b. Esta energa
excedente se puede transferir del inductor Ls, a un capacitor Cs, que se conecta a travs del diodo
Dm. El valor de Cs, se puede determinar a partir de:
Cs V2c = WR (1-17)

o bien

Cs = 2 WR / V2c

Donde Vc es el voltaje inverso permisible del diodo.

Una resistencia Rs, que se muestra en la figura 1-12a con lneas punteadas, se conecta
en serie con el capacitor, para amortiguar cualquier oscilacin transitoria. La ecuacin (1-17) es
aproximada y no toma en consideracin los efectos de Ls y de Rs durante los transitorios de la
transferencia de energa. El diseo de Cs y Rs se analiza mas adelante.

Disipacin de potencia:
Potencia mxima disipable (Pmx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la
potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)

Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin,
si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

1 T
PT ( AV )
T 0
U .i A .dt

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

1 T 1 T 1 T
PT ( AV ) ( U 0 i A .R ).i A .dt U 0 .i A .dt i A2 .R .dt
T 0 T 0 T 0

y como :
1 T
i A .dt
T 0
es la intensidad media nominal
1 T 2
i A .dt
T 0
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es la intensidad eficaz al cuadrado y como :

1 T
i A .dt
T 0
es la intensidad media nominal
1 T 2
i A .dt
T 0

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :

PT ( AV ) U 0 .I m I ef2 .R

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la

potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la
intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida
entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

DIODOS CONECTADOS EN SERIE

En muchas aplicaciones de alto voltaje (es decir, en lneas de transmisin de HVDC), un
diodo comercialmente disponible puede no dar la especificacin de voltaje requerido, por lo que los
diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.

Consideremos dos diodos conectados en serie, tal y como se muestran en la figura 1-13 a. En
la prctica, las caractersticas v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a tolerancias en su

proceso de fabricacin. En la figura 1-13b se muestran dos caractersticas v-i para tales diodos. En
condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y la
cada de voltaje directa de cada diodo debera ser prcticamente la misma. Sin embargo, en la
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condicin de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como
resultado, los voltajes de bloqueo variarn en forma significativa.

Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en la figura 1-14a, es obligar a que se
comparta el mismo voltaje conectando una resistencia a travs de cada diodo. Debido a esta
distribucin de voltajes iguales, la corriente de fuga de cada diodo sera diferente, mostrndose esto
en la figura 1-14b. En vista de que la corriente de fuga total debe ser compartida por un diodo y su
resistencia,
Is = Is1 + IR1 = Is2 + IR2 (1-18)

Pero IR1 = VD1 / R1 e IR2 = VD2 / R2 La ecuacin 1-18 proporciona la relacin entre R1 y R2 para
una distribucin armoniosas del voltaje aplicado a los diodos.

Is1 + VD1 / R1 = Is2 + VD2 / R2

Si las resistencias son iguales R = R1 = R2 y los voltajes del diodo seran ligeramente distintos,
dependiendo de las similitudes entre las dos caractersticas. v i.

Los valores de VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (1-20) y (1-21)

Is1 + VD1 / R = Is2 + VD2 / R (1-20)

VD1 + VD2 = Vs (1-21)

IR1 e IR2 deben ser >10 veces la Ifuga de los

diodos, esto es debido a que si no puede
ocurrir que no sean ecualizadas las
tensiones.
La distribucin del voltaje bajo condiciones
transitorias (es decir, debido a cargas en
conmutacin, aplicaciones iniciales de un
voltaje de entrada), se lleva a cabo
conectando capacitores a travs de cada
diodo, lo que se muestra en la figura 1-15.
Rs limita la velocidad de elevacin del
voltaje de bloqueo.
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1.1 DIODOS

Figura 1-15 Diodos en serie con redes de distribucin de voltaje bajo y condiciones de rgimen
permanente y transitorio.

DIODOS CONECTADOS EN PARALELO

En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de
conduccin de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin
de corriente de los diodos estara dada de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas. Se
puede obtener una distribucin uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales (por
ejemplo en las terminales), o conectando resistencias de distribucin de corriente (esto ltimo no es
practico debido a las perdidas de energa que ocasiona); lo anterior se muestra en la figura 1-16. Es
posible minimizar este problema seleccionando diodos con cadas de tensin directa iguales o
diodos del mismo tipo. Dado que los diodos estn conectados en paralelo. Los voltajes de bloqueo
inverso de cada diodo seran los mismos.
Las resistencias de la figura 1-16a,
ayudarn a la reparticin de corriente en
condiciones de rgimen permanente. La
reparticin de la corriente bajo condiciones
dinmicas se puede llevar a cabo mediante la
conexin de inductores acoplados, tal y como se
muestra en la figura 1-16b.

Si se eleva la corriente a travs de D1, el L di/dt

a travs de L1 aumenta, y se induce un voltaje
correspondiente de polaridad opuesta a travs
del inductor L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia a travs del diodo D2 y la
corriente se transfiere a D2. Los inductores generaran picos de voltaje y podran resultar costosos y
voluminosos, especialmente en corrientes altas.

Rectificadores de Avalancha controlada:

Los rectificadores de avalancha controlada se recomiendan para las aplicaciones en que la
capacidad para soportar elevados transitorios de tensin constituye un factor importante de diseo.
En este tipo de rectificadores, la tensin a la que se produce la avalancha es predeterminada durante
la fabricacin mediante un control preciso de las resistividades (es decir, de las concentraciones de
impurezas) en las zonas de la juntura y mediante una cuidadosa atencin de geometra de la pastilla
de silicio. En la fabricacin de los rectificadores de avalancha controlada, se debe tener especial
cuidado para asegurar una gran regularidad de la pastilla de silicio y una distribucin pareja de
impurezas, en las regiones n y p, de la juntura del semiconductor. Adems, los bordes de la juntura
p-n de silicio deben tener una forma tal que reduzcan la intensidad de los campos elctricos
localizados en la superficie de la juntura. Estas condiciones aseguran que la ruptura sea uniforme a
travs de toda la zona de la juntura, en lugar de concentrarse en puntos dbiles cercanos a la
superficie de la juntura. Esta avalancha uniforme, si se mantiene dentro de lmites aceptables, no es
destructiva.
Sometiendo a numerosas pruebas a los rectificadores de avalancha controlada es posible
predecir con exactitud el comportamiento de estos dispositivos en condiciones de tensin inversa
elevada. Los rectificadores son probados para determinar su capacidad para funcionar largos
perodos en la regin de avalancha. La pendiente de la curva corriente - tensin en la regin de
avalancha define el nivel de disipacin al comienzo de la ruptura por avalancha y tambin el nivel
mximo de disipacin que los rectificadores pueden soportar en condiciones de polarizacin
inversa.
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Dentro de los regmenes especificados, los rectificadores de avalancha controlada pueden absorber
sin riesgos grandes aumentos bruscos de energa, como los que se producen como consecuencia de
la conmutacin rpida de circuitos inductivos.

CARACTERSTICAS TRMICAS

Temperatura de la unin (Tjmx)

Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature
range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado
para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro
mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Resistencia trmica unin-carcaza (Rjc)

Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no
dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:

Rjc
Tj max Tc
P max

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.

Resistencia trmica carcaza-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio
(como mica aislante, mylar, etc).

Proteccin contra sobre intensidades

La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en
la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso
de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es
incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de
cortocircuito (avalancha trmica).

Dispositivos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultra-
rpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por
esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y
su tensin.
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Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se
indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se
destruya y no el diodo.

Consideraciones trmicas

a) Propiedades trmicas bsicas de los semiconductores:

Hay tres procesos bsicos, que intervienen en la transferencia del calor generado desde la
juntura hacia el ambiente: 1) Conduccin (el calor viaja a travs del material), 2) Conveccin (el
calor viaja por medio de la masa que se desplaza) y, 3) radiacin (el calor es emitido). El calor fluye
por conduccin desde la juntura a la carcasa, y el intercambio calrico desde la carcasa al medio
ambiente, es debido principalmente a los procesos de conveccin y radiacin. En el caso de utilizar
el dispositivo montado en un disipador, el calor tambin ser eliminado principalmente por
conveccin y radiacin.

b) Resistencia trmica:

En funcin de simplificar el anlisis, del flujo de calor, se utiliza el concepto de resistencia

trmica. Como un material ofrece una resistencia al paso del flujo de corriente elctrica, del mismo
modo un material ofrece resistencia al paso del flujo de calor. La resistencia al paso del flujo de
calor es llamada resistencia trmica, y para condiciones de estado estables est dada por:

R = T/P o T = RxP

Donde: R = resistencia trmica (expresada en C/W).

T = diferencia de temperatura entre dos puntos (expresada en C).
P = Potencia (expresada en Watts).

Modelos trmicos:

La resistencia trmica puede ser usada, de manera anloga a los modelos elctricos, para
realizar clculos referidos a la elevacin de temperatura en un sistema. La resistencia trmica no es
constante ya que cambios en el montaje, en la temperatura o en los niveles de potencia provocan
modificaciones de su valor. Sin embargo, el concepto es una muy buena herramienta para manejar
problemas de ndole trmico.

Con el uso del modelo trmico, la resolucin de complejos sistemas puede ser sencilla
usando los teoremas anlogos a las redes elctricas. A continuacin, a modo de ejemplos, se
describe el modelo trmico de un dispositivo encapsulado y el modelo del dispositivo montado
sobre un disipador.

b.1) Modelos trmicos para rectificadores encapsulados:

La resistencia trmica total, unin a carcasa, est compuesta por varias pequeas resistencias
trmicas. La resistencia trmica de la banda muerta es generalmente la de mayor valor. El valor
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trmico resistivo total est determinado por el diseo del dispositivo: el tamao del chip, el tipo de
vnculo con el encapsulado y por el tipo de material del encapsulado.

Aunque existe un gran nmero de factores que determinan la resistencia trmica, se

establece como regla general, que la resistencia trmica es funcin del vnculo al encapsulado para
diodos comunes.

La resistencia trmica tiene una ecuacin anloga a su contraparte elctrica:

.l
R
A
En donde:
= resistividad trmica.
l = longitud del camino trmico.
A = seccin del camino trmico.

b.2) Modelo trmico para un dispositivo montado sobre disipador:

Para obtener una relacin cuantitativa, que nos permita calcular los distintos valores (por ejemplo:
el tamao del disipador), para resolver un problema trmico que involucre un dispositivo montado
en un disipador se aplica, por ejemplo, el siguiente modelo.

Tj: temperatura de la juntura (C).

Ta: temperatura ambiente (C).
Tc: temperatura de la carcasa (C).
Td: temperatura del disipador (C).
jc: resistencia trmica juntura- carcasa (C/W).
cd: resistencia trmica carcasa- disipador (C/W).
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da: resistencia trmica disipador- ambiente (C/W).

Pc: potencia disipada por dispositivo (W).

Del anlisis del circuito tenemos que:

Tj-Ta = Pc x (jc+cd+da)

Si ja=jc+cd+da

Entonces tenemos que: Tj-Ta=Pc x ja

c) Estabilidad trmica:

En un sistema trmico, la condicin de estabilidad trmica se logra cuando el sistema es

capaz de disipar con eficiencia el calor que se genera en la juntura. En otras palabras la rapidez con
la que se genera calor en el semiconductor debe ser mucho menor que la conductividad trmica
entre la juntura y el medio ambiente. Matemticamente, la condicin para la estabilidad es:

dPd 1

dTj Rja
Escape trmico:

En circuitos rectificadores, en los que NO es posible el fenmeno de escape trmico, el

resultado final puede ser la destruccin del diodo. El problema se plantea porque la corriente
inversa es funcin de la temperatura. Al aplicar una potencia, la temperatura de la juntura se
incrementa, causando que la potencia inversa se incremente, cuando el diodo est bloqueado. A su
vez, la potencia inversa se suma a la potencia directa causando un fuerte incremento de la
temperatura. Este proceso es regenerativo.

d) Impedancia trmica transitoria:

Cada componente trmico resistivo en un semiconductor tambin tiene una capacidad

asociada (entindase capacidad trmica), la cual est relacionada a la masa del material. Una
respuesta trmica lenta es altamente deseable para mejorar el transitorio trmico y a la vez el
desempeo del dispositivo.

Un anlisis en una sola dimensin del flujo de calor indica que la respuesta trmica depende
de la relacin Tj t (siendo t el tiempo). Sin embargo, las varias constantes de tiempo asociadas
con un semiconductor encapsulado, y el hecho de que el flujo de calor no es usualmente
unidireccional, hace que la respuesta sea extremadamente difcil de calcular. El mtodo ms
prctico para resolver el problema del transitorio trmico es medir la respuesta trmica del
semiconductor a un escaln de potencia de entrada y presentar el dato en un grfico.

La resistencia trmica como una funcin del tiempo puede ser calculada por la siguiente
ecuacin:

ZJR(t) = r(t) RJR

En donde: r(t) = fraccin de valor estable a un determinado tiempo.

RJR = resistencia trmica, de la unin a un punto de referencia.
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El cambio de punto de referencia depende del caso que se trate. Para un dispositivo
montado a travs del encapsulado, la referencia es la carcasa. Para el dispositivo montado a travs
de sus terminales, el punto de referencia cambia, pero generalmente es el medio ambiente.