Preparacin del sustrato: al ser una tcnica de alta resolucin todo tipo de polvo o

suciedad deber ser removido. Primero se lava con acetona para remover cualquier tipo
de grasa y se lava con isopropanol o metanol. Luego se vierte agua desionizada y se seca
en una plancha durante 7 minutos a 100C.

Aplicacin del fotoresistor: Con ayuda de la tcnica de "spin coating" se aplica el material
fotoresistor de acuerdo a ciertos parmetros, en este caso se usa a 5000 rpm durante 1
minuto. El fotoresistor es un material sensible a la luz que se divide en positivo o negativo.
El fotoresistor positivo es aquel que se vuelve soluble al revelador despus de ser
expuesto a luz UV. El fotoresistor negativo es aquel se vuelve insoluble al revelador luego
de ser expuesto a luz UV. Para este proyecto se uso el fotoresistor SC 1827 el cual es
positivo. Luego deber ser colocado en una plancha aproximadamente por 1 minuto a
100C

Mscara: El sustrato y la mascara sern alineados para luego ser expuestos a luz UV
durante 1 minuto. Seguido se le aplica el liquido revelador, el MF319. El sustrato es
sumergido por 1 minuto, seguido de una agitacin manual por 1 minuto. Luego, se lav
con agua desionizada para luego ser secado con aire.

Aplicacin del material: en este paso se procede a aplicar el material a conveniencia como
cobre, plata, oro o cromo. La tcnica usada en este paso depender del experimento a
realizar, por ejemplo en este proyecto se uso la evaporacin de can de electrones para
crear una capa de 20 nm de cromo y una capa de 80 nm de cobre.

Remocin de excesos: En este ultimo paso se remueve toda la resina o fotoresistor que
haya quedado en el sustrato con ayuda del MF319 y as que quede expuesto el diseo
original.