Amplificadores de RF de Potencia Final PDF

AMPLIFICADORES DE ALTA
POTENCIA DE RF
CON VALVULAS ELECTRONICAS
Constantino Prez Vega

Departamento de Ingeniera de Comunicaciones
2008
Universidad de Cantabria 1
Dpto. de Ingeniera de Comunicaciones
Amplificacin de Alta Potencia de RF con Vlvulas
Constantino Prez Vega - 2006
INCE DE CONTENIDOS
I. Generalidades
Introduccin. 1
1. Consideraciones preliminares: Combinacin de potencia. 2
2. Conceptos fsicos relacionados con las vlvulas electrnicas. 5
3. Algunas consideraciones en el diseo de las vlvulas de vaco. 15
4. Diodos. 16
II. Tubos de Rejilla. 17
5. Triodos. 17
6. Trodos planos. 26
7. Tetrodos. 27
8. Diacrodos. 32
9. Pentodos. 36
III.Tubos de haz electrnico. 36
10. Klystron. 36
11. Klystron de colector escalonado. 41
12. Figura de Mrito. 43
13. Tubos de salida inductiva (IOT). 43
14. Principio de funcionamiento del IOT. 45
15. Circuito de entrada del IOT. 49
16. Consideraciones sobre el funcionamiento del ctodo. 50
17. IOT de colector escalonado. 53
18. Empleo de klystrons e IOTs en transmisin analgica y digital. 55
19. Tubos de onda progresiva (TWT). 55
20. TWT de cavidades acopladas. 60
IV. Tubos de Campo Cruzado. 62
21. Magnetrn. 63
22. Magnetrn coaxial. 66
23. Amplificadores de Campo Cruzado (CFA). 67
V. Consideraciones Trmicas. 70
24. Mtodos de enfriamiento. 71

AMPLIFICACION DE ALTA
POTENCIA DE RF CON
VALVULAS ELECTRONICAS
I. GENERALIDADES
Introduccin
Trataremos aqu algunos temas relacionados con los amplificadores de potencia empleados
en aplicaciones de RF, en particular, transmisores de alta potencia, tales como los utilizados
en sistemas de radiodifusin tanto sonora como de televisin, sistemas de comunicaciones
por satlite y algunas otras aplicaciones como radar, medicina y calentamiento industrial por
mencionar slo algunas.
El tratamiento aqu se centra principalmente en las aplicaciones de las vlvulas de vaco1 a

los amplificadores de alta potencia y conviene aqu intentar definir lo que entenderemos por
alta potencia ya que trminos alta y baja potencia son ambiguos si no se especifican va-
lores numricos. Aqu consideraremos como alta potencia a aqulla superior a unos 100 w.
Actualmente parece abundar la opinin de que las vlvulas o tubos electrnicos son ya pie-
zas de museo y no se utilizan. Efectivamente, los tipos de vlvulas para manejo de seales a
potencias pequeas que se utilizaron extensamente en todos los circuitos electrnicos hasta
el advenimiento de los transistores y otros dispositivos de estado slido, han dejado de usar-
se por completo y, aunque vuelven a utilizarse en algunos casos aislados como ciertos ampli-
ficadores de sonido, puede afirmarse que efectivamente no encuentran aplicacin en casi
ningn equipo profesional o de consumo. Sin embargo, hay numerosas aplicaciones en la
vida cotidiana que pasan desapercibidas y en que las vlvulas electrnicas continan des-
empeando un papel muy importante. Baste mencionar nicamente dos aplicaciones: los
tubos de rayos catdicos que constituyen la pantalla de televisores y monitores de computa-
dora y los hornos de microondas.
En sistemas de comunicaciones, cierto tipo de vlvulas continan emplendose ampliamen-

te, sin que se vislumbre un futuro cercano en que puedan ser substituidas por componentes
de estado slido. Entre ellas, los tubos de onda progresiva (TWT) en los amplificadores de
los transpondedores de la mayora de los satlites, los magnetrones utilizados extensamente
en radares y los diversos tipos de tubos amplificadores de potencia en los transmisores de
radio y televisin. En los terrenos cientfico, industrial y mdico las vlvulas electrnicas se
emplean, por ejemplo, en aceleradores de partculas, sistemas de calentamiento industrial y
aparatos de rayos X.
1 Los trminos vlvula de vaco y tubo de vaco se emplean aqu indistintamente

El estudio de los dispositivos electrnicos al vaco, salvo casos aislados, ha sido prcticamen-
te eliminado de la mayora de los planes de estudio actuales y la mayor parte de los estu-
diantes desconocen por completo tanto los principios fsicos como las aplicaciones actuales
de estos dispositivos. Por ello, es conveniente dedicar, aunque slo sea de forma descriptiva
y relativamente superficial, un breve tiempo al estudio de las vlvulas amplificadoras de
potencia.
1. Consideraciones preliminares: Combinacin de potencia
Factores muy importantes a considerar en el diseo de amplificadores de potencia son, ade-

ms de la potencia de salida propiamente dicha, la ganancia y el ancho de banda en que debe
funcionar. Supngase, por ejemplo, que la potencia de salida deseada es de 400 w y que la
potencia de entrada es de 20 w. La ganancia del amplificador debe ser de 20 (13 dB) El pro-
ducto de la ganancia por el ancho de banda es constante para un amplificador dado. Si con-
sideramos el ancho de banda de una seal de voz modulada en amplitud, el ancho de banda
total es cuando ms, de unos 10 kHz, el producto GBW es igual a 2105. Si ese amplificador
se quisiera usar para seales de televisin moduladas con vestigio de banda lateral y con un
ancho de banda total de 8 MHz, la mxima ganancia que se obtendra sera de 0.025 (-16 dB).
Supongamos ahora un amplificador como el ilustrado en la figura 1, constituido por cuatro
amplificadores, cada uno de 13 dB ganancia conectados en la forma mostrada y que el divi-
sor y los combinadores son ideales y, adems que todas las seales se suman en fase.
5W 100 W
Amp.
Combinador 200 W
2x1
5W 100 W
Amp.
20 W
Divisor Combinador 400 W
1x4 2x1
100 W
Amp.
5W
Combinador
2x1 200 W
100 W
Amp.
5W
Fig. 1. Combinacin de potencia.
Si quisiramos utilizar el mismo esquema para la seal de televisin la ganancia total del
bloque anterior sera nicamente de 0.025, con lo que la potencia de salida sera slo de 0.5 w
y seran necesarios una gran cantidad de bloques iguales al de la figura 1 para conseguir 400
w de salida.
Podra pensarse que no es necesario utilizar cuatro amplificadores y tres combinadores para
conseguir 400 W de salida, cuando bastara un solo amplificador de 13 dB para obtener esa
potencia con la misma entrada de 20 W. Esto puede hacerse si se emplea un amplificador con
una vlvula de vaco, ya que una sola vlvula es capaz de suministrar esa potencia y ms,
pero en general no puede hacerse con transistores, ya que en la prctica, los transistores ms
utilizados como amplificadores de potencia no suelen producir potencias superiores a unos
100 W y por ello es necesario combinar sus salidas en forma similar a la de la figura anterior.
Este es un aspecto que debe tenerse en cuenta al utilizar dispositivos de estado slido como
amplificadores de potencia.
En el caso del ejemplo anterior, las seales de los cuatro amplificadores se combinan en para-
lelo. Esa combinacin debe hacerse de modo tal que las seales sean exactamente de la mis-
ma frecuencia y fase. En otras palabras, todas las seales a combinar deben ser coherentes.
Aunque las seales a la salida de los amplificadores sean exactamente de la misma frecuen-
cia, si entre ellas hay diferencias de fase la potencia de la combinacin resultante ser menor,
dependiendo de la magnitud del defasamiento. Esto se ilustra en la figura 2 y es un aspecto
muy importante en el diseo de estos sistemas, en que lo que se pretende es conseguir la
mxima potencia posible.
Seales en fase
Seales con distinta fase
Fig. 2. Efecto del defasamiento entre seales combinadas,

cada una con amplitud de 2 V.
Supngase el combinador de la figura 3, al que se aplican dos seales cuyas potencias son,
respectivamente 10 dBm y 7 dBm y se desea conocer el voltaje y potencia a la salida del com-
binador, (a) si las seales son coherentes y (b) si no lo son. Las impedancias, tanto para las
dos entradas como para la salida, son de 50 .
10 dBm
W0
V0
50 50
7 dBm
Fig. 3. Combinador de dos entradas.

a) Seales coherentes (suma de voltajes)
W1 = 10 dBm 10 mw = 0.01 w.
V1 = W1 Z = 0.01 50 = 0.707 V
W2 = 7 dBm 5 mw = 0.005 w.
V2 = W2 Z = 0.005 50 = 0.5V
V0 = V1 + V2 = 1.207 V
V02
W0 = = 0.0291 w 14.64 dBm
Z
b) Seales no coherentes (suma de potencias2).
W1 = 10 dBm 10 mw = 0.01 w.
W2 = 7 dBm 5 mw = 0.005 w.
W0 = W1 + W2 = 15 mw 11.76 dBm
La diferencia entre un caso y otro es evidente.
Ahora bien, qu pasa cundo se tienen seales incoherentes?. Un ejemplo sencillo es el de

una antena de televisin por la que se transmiten simultneamente dos canales o programas
diferentes, por ejemplo uno ocupando un ancho de banda de 600 a 608 MHz y otro de 620 a
628 MHz. Evidentemente estas seales no tienen las mismas frecuencias ni fases y son, por
consecuencia, no coherentes. La potencia entregada a la antena es la suma de las potencias de
cada una y la potencia radiada por la antena ser igual a la potencia recibida por la antena,
multiplicada por la ganancia de sta.
Otro aspecto importante, sobre todo en transmisores de alta potencia, particularmente de

radiodifusin sonora y televisin en las diferentes bandas de frecuencias, desde MF (300 a
3000 kHz), onda corta o HF (3 a 30 MHz), VHF y UHF, es la eficiencia de los amplificadores y
de los transmisores en su totalidad. En el caso de un amplificador la eficiencia es la relacin
entre la potencia til de seal a la salida y la potencia de c.c. suministrada por la fuente de
alimentacin. La eficiencia total del transmisor est dada por la relacin entre la potencia til
de seal entregada a la antena y la potencia suministrada por la red de energa elctrica a la
entrada de la subestacin3. De manera similar, la eficiencia es un factor muy importante en
2 Es muy importante recordar que la suma de potencias se realiza en unidades fundamentales, watts o miliwatts y no en unidades
logartmicas que equivale a la multiplicacin en unidades fundamentales.
3 Una definicin alternativa puede tomar la potencia radiada por la antena en lugar de la potencia entregada a sta por la lnea
de transmisin. Aqu hemos preferido la potencia entregada a la antena, porque incluye todas las prdidas reales por calenta-
miento, desacoplamientos, etc. que inciden directamente en el costo del consumo de energa elctrica.
los amplificadores a bordo de satlites u otros vehculos espaciales y an en la duracin de

las bateras de los telfonos mviles.
La lgica convencional indica que un sistema digital es, por definicin, de estado slido y
excluye a las vlvulas de vaco. Con respecto a los circuitos lgicos, de control, generacin y
procesado de seal, la lgica convencional es correcta. Con relacin a los circuitos de alta
potencia la situacin es discutible. Los MOSFETs pueden considerarse como interruptores
proporcionales, lo mismo que los tetrodos, klystrons y otras vlvulas de desarrollo reciente
como los diacrodos y los IOTs. No hay nada intrnsecamente digital en un dispositivo ampli-
ficador de estado slido. Los MOSFET han sido utilizados en transmisores analgicos mucho
antes de que fuera factible el desarrollo de equipos de transmisin digital, y es conveniente
enfatizar algunas de las caractersticas ms importantes de los semiconductores, que los
hacen atractivos en los equipos de transmisin. Entre ellas pueden mencionarse:
Funcionamiento a voltajes bajos que reduce el riesgo de arcos elctricos y ofre-

ce ciertas ventajas desde el punto de vista de diseo de las fuentes de alimen-
tacin.
Degradacin suave de la potencia en caso de fallos, gracias a la aplicacin de
redundancia en el diseo de los circuitos.
Sistemas de refrigeracin ms simples, basados siempre en aire forzado, que
evitan la necesidad de utilizar condensadores de vapor u otros dispositivos de
diseo y mantenimiento relativamente ms complejo.
Configuraciones de circuito ms eficientes, a pesar de su mayor complejidad.
Por otra parte, entre los incovenientes pueden mencionarse:
Necesidad de combinar las salidas de numerosos amplificadores para conseguir po-

tencias elevadas.
Necesidad de proteger los circuitos contra relaciones de onda estacionaria elevadas.
Los transistores se daan fcilmente si la potencia reflejada es significativa, no as las
vlvulas.
2. Conceptos fsicos relacionados con las vlvulas electrnicas.
Una vlvula o tubo electrnico es un dispositivo compuesto por un cierto nmero de elec-
trodos contenidos en un recipiente al vaco. Aunque tambin existen vlvulas electrnicas de
atmsfera gaseosa, como vapor de mercurio, nen, etc., aqu trataremos nicamente las de
vaco. La utilidad de las vlvulas de vaco radica en su capacidad para conducir corriente
elctrica, cuya magnitud puede controlarse por los voltajes aplicados a sus electrodos. La
operacin de todos los tipos de tubos electrnicos, como su nombre lo indica, depende del
movimiento de electrones en su interior. Repasaremos a continuacin algunas definiciones
por si acaso se han olvidado.
Electrn volt (eV). Es la energa ganada por un electrn acelerado a travs de un potencial de
1 volt y equivale a 1.6 10-19 J.
Potencial de excitacin. Es la energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un to-

mo o molcula para producir una transicin de un estado dado a otro de mayor energa in-
terna.
Potencial de ionizacin. Es la menor energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a

un tomo o molcula bien sea en estado normal o excitado, para liberar un electrn. Como
todos lo tomos, excepto el de hidrgeno, tienen ms de un electrn, un tomo o molcula
puede tener, en general, ms de un potencial de ionizacin. El primer potencial de ionizacin
se refiere a la liberacin de un electrn de un tomo o molcula en estado normal. El segun-
do potencial de ionizacin se aplica al caso de liberar un electrn de un tomo o molcula
que ya ha perdido un electrn, etc. La ionizacin puede tambin producirse por la liberacin
de dos o ms electrones simultneamente. Cuando los potenciales de ionizacin o excitacin
se expresan en electrn volts, indican el voltaje mnimo que debe aplicarse entre dos electro-
dos para causar la ionizacin como resultado de la aceleracin de los electrones u otras part-
culas cargadas, debido al campo producido entre los electrodos.
Ionizacin. En general, un ion es una partcula elemental, o un grupo de partculas, con car-
ga elctrica total positiva o negativa. Los tomos o molculas que han perdido o capturado
uno o ms electrones adquieren una carga neta positiva o negativa, segn el caso y constitu-
yen iones. El caso ms simple es un ion negativo, formado por un electrn libre. El proceso
de ionizacin puede ocurrir en gases, slidos o lquidos y puede ocurrir por diversas causas
entre las que se encuentran:
a) Colisin de tomos o molculas con electrones, tomos o molculas excitadas u

otros iones.
b) Colisin de tomos o molculas con fotones (efecto fotoelctrico).
c) Radiacin csmica.
d) Altas temperaturas en gases o vapores.
e) Accin qumica.
Una de las causas ms importantes de ionizacin en los tubos electrnicos es la colisin de

electrones rpidos con tomos o molculas. Para que un electrn pueda ionizar a un tomo o
molcula, su energa cintica debe ser por lo menos, igual al primer potencial de ionizacin
del tomo o molcula con la que choca. En gases o vapores tambin se produce ionizacin
cuando se bombardean con electrones cuya energa corresponde al primer potencial de exci-
tacin.
Carga de espacio. Un grupo de cargas libre en el espacio constituye una carga de espacio o
carga espacial. Si la carga es nicamente de un signo (+ o -), o si un signo predomina sobre el
otro, la carga produce un campo electrosttico y la relacin entre la carga neta contenida en
un cierto volumen y la intensidad del campo elctrico producido est dada por la ley de
Gauss.
El movimiento de una carga espacial da lugar a una corriente espacial, cuya densidad es
igual al producto de la densidad volumtrica de carga por la velocidad normal al rea. Con-
vencionalmente se toma como direccin de la corriente elctrica la de las cargas positivas.
Electrones libres en metales. En los metales, los electrones estn, por lo general, dbilmente
ligados a los tomos y, en slidos o lquidos, pueden pasar fcilmente de un tomo a otro.
Estos electrones libres estn en continuo movimiento en la masa metlica y, an cuando en
un instante determinado puedan estar ligados dbilmente a un tomo particular, en prome-
dio no experimentan ninguna fuerza en alguna direccin especfica. Son estos electrones li-
bres quienes hacen posible la conduccin elctrica en los metales y desempean un papel
fundamental en la emisin termoinica.
Cuando, como consecuencia de su movimiento aleatorio, un electrn se escapa de la superfi-

cie metlica, induce en sta una carga imagen positiva que tiende a atraerlo de nuevo al in-
terior. Para que un electrn pueda efectivamente escapar del metal debe ceder una parte de
su energa cintica para vencer esa fuerza. Esta energa cintica que pierde el electrn para
alejarse lo suficiente de los efectos de la fuerza imagen se designa como funcin de trabajo y es
distinta para diferentes materiales. De hecho la funcin de trabajo se define como la energa
mnima necesaria para liberar a un electrn del nivel de Fermi4 de la superficie de un metal
hasta el infinito y se expresa en electrn volts. En la tabla I se dan algunos valores represen-
tativos de la funcin de trabajo en eV para varios metales.
Tabla I. Funcin de trabajo en electrn volts para diversos metales
Tungsteno 4.52
Platino 5.0
Tantalio 4.1
Molibdeno 4.3
Plata 4.1
Bismuto 3.7
Hierro 3.7
Zinc 3.4
Aluminio 3.0
Calcio 3.4
Litio 2.35
Titanio 2.4
Carbn 4.5
Cobre 4.0
Torio 3.0
Magnesio 2.7
Nquel 2.8
Sodio 1.82
4 El nivel de Fermi es el nivel de energa al que la funcin de distribucin estadstica de Fermi-Dirac, para un conjunto de part-
culas es igual a . Tambin se designa como energa de Fermi.
Mercurio 4.4
Calcio 2.5
Bario 2.0
Tungsteno toriado 2.63
Oxido de nquel 0.5a 1.5
Potencial de contacto. Es la diferencia de potencial que se produce entre las superficies de

dos metales, bien sea en contacto o conectados a travs de un circuito externo y es conse-
cuencia de las diferentes funciones de trabajo de los metales. Es aproximadamente igual a la
diferencia entre las funciones de trabajo, dividida por la carga electrnica. Como puede apre-
ciarse de la tabla I, los potenciales de contacto pueden ser del orden de 1 a 4 volts y es nece-
sario tenerlas en cuenta cuando los voltajes aplicados son pequeos o cuando se requiere
gran precisin en el anlisis del comportamiento de un dispositivo.
Emisin de electrones u otros iones en slidos. Los slidos, y tambin los lquidos, pueden
emitir electrones o iones en alguna de las formas siguientes:
a) Emisin termoinica.
b) Emisin fotoelctrica.
c) Emisin secundaria.
d) Emisin por campo.
e) Desintegracin radioactiva.
Emisin termoinica. Es el proceso fundamental en las vlvulas electrnicas y la teora de la

emisin de electrones por cuerpos calientes se debe en buena parte a Richardson en 1901 y se
basa, en muchos aspectos, en la termodinmica y la teora cintica de los gases. El calor que
posee un metal, se supone consecuencia del movimiento aleatorio de molculas, tomos y
electrones. Como resultado de las colisiones entre electrones, y entre stos y tomos o mol-
culas, la velocidad y direccin de los electrones cambia continuamente y hace que algunos de
ellos incidan sobre la superficie interior del metal. Si la magnitud y direccin de la velocidad
de algunos electrones es tal que su energa cintica sea igual o mayor que la funcin de traba-
jo, estos electrones escaparn del metal. El nmero de electrones que alcanzan la superficie
por unidad de tiempo, con una componente de velocidad normal a aqulla y con energa
igual o mayor a la funcin de trabajo, es proporcional a la porcin de todos los electrones
libres en el metal con tales velocidades. A temperatura ambiente el nmero de electrones que
escapan de un metal es sumamente bajo y no es posible detectar ninguna emisin significati-
va.
Si aumenta la temperatura del metal, aumenta tambin el nmero de electrones libres, su

velocidad media y por tanto, su energa cintica. La posibilidad de escapar de la superficie
metlica aumenta en consecuencia y es posible observar fenmenos de emisin termoinica a
temperaturas del orden de 1000 K. Si en una ampolla al vaco se coloca un segundo electrodo
que acte como colector o nodo a temperatura ambiente y, entre ste y el emisor o ctodo
se conecta externamente un galvanmetro, en la forma que se muestra en la figura 4, se pue-
de medir una pequea corriente entre los dos electrodos, como consecuencia de la difusin
de electrones trmicos en el interior de la ampolla. En el circuito de la figura 4 el ctodo es
calentado por un filamento alimentado por una fuente externa y entre el nodo y el ctodo
no se aplica ningn voltaje.
Emisor
termoinico
(ctodo)
Colector
(nodo)
Ampolla al
Calefactor vaco
Galvanmetro
Fig. 4. Deteccin de la emisin termoinica sin aplicacin

de voltaje al nodo (colector).
Los electrones que llegan al nodo vuelven al ctodo por el circuito externo y evitan que se
cargue positivamente. Estos electrones son solamente una pequea fraccin de los emitidos
por el ctodo, que se mantienen en su cercana formando una nube electrnica. Este fenme-
no fue observado inicialmente por Edison y se le designa como efecto Edison.
Si se aplica un voltaje positivo al nodo insertando una fuente en el circuito externo en serie
con el galvanmetro, se producir en el interior del tubo un campo elctrico que atraer ms
electrones de la cercana del ctodo y, por consecuencia, la corriente que registrar el galva-
nmetro ser mayor. Tal es el principio del diodo en el que se tienen solamente dos electro-
dos. Si se aumenta gradualmente el voltaje positivo del nodo, la corriente aumentar hasta
un punto en que prcticamente todos los electrones emitidos por el ctodo emigran de ste y
son capturados por el nodo. Esta corriente se designa como corriente de saturacin y el voltaje
de nodo necesario para alcanzarla, como voltaje de saturacin. La corriente de saturacin de-
pende de la temperatura del ctodo y de su funcin de trabajo.
Solamente los electrones con suficiente energa cintica pueden escapar del metal del ctodo,
por lo que la emisin termoinica da lugar a que se reduzca la energa cintica de los restan-
tes tomos en el metal y, por consecuencia, disminuye su temperatura. Por ello, el calenta-
miento del ctodo debe mantenerse de forma continua para evitar que se reduzca la tempe-
ratura como resultado de la emisin.
Un ctodo, utilizado como emisor termoinico debe satisfacer dos requisitos: alta eficiencia
de emisin y vida til larga. La eficiencia alta de emisin se consigue con metales de baja
funcin de trabajo y la vida til, manteniendo la temperatura del ctodo suficientemente
alejada del punto de fusin o de evaporacin del metal.
Efectos de la carga de espacio. La teora desarrollada por Richardson y Dusham proporciona

la densidad de corriente electrnica debida a la emisin termoinica como
W

2 kT
J s = AT e (1)
donde: Js = Corriente de emisin en A/cm2.

A = Constante que depende del material emisor, cuyo valor es del orden de 2.
T = Temperatura en kelvins.
k = Constante de Boltzmann (1.3810-23 J/K).
W = Funcin de trabajo.
b1 = Constante que depende de la naturaleza de la superficie emisora y que da una
medida del trabajo que debe realizar un electrn para escapar de la superficie
emisora.
La ecuacin anterior asume que la intensidad de campo elctrico es cero en la superficie del
ctodo y, si se supone un metal para el que A = 2 y W = 1 eV (1.6 10-19 J) se tiene la curva
mostrada en la figura 5.
Fig. 5. Densidad de corriente debida a la emisin termoinica

en funcin de la temperatura del emisor
Conviene notar que la emisin termoinica no es significativa para temperaturas inferiores a

unos 1000 K. Si la funcin de trabajo del metal es mayor a 1 eV la curva se desplaza a la dere-
cha.
La ecuacin de Richardson-Dusham asume que la intensidad de campo elctrico en la super-

ficie del ctodo emisor es cero. Si los electrones se acumulan en el exterior del ctodo y cerca
de su superficie, forman una nube de carga negativa que puede desplazarse hacia un segun-
do electrodo positivo. Como consecuencia de ese desplazamiento, las condiciones del campo
elctrico en la superficie del ctodo cambian. Langmuir encontr que si el voltaje aplicado al
nodo no es suficientemente alto, el aumento indefinido de la temperatura del ctodo no
produce un aumento indefinido de corriente, sino que para cada voltaje particular del nodo
se alcanza una regin de saturacin, como se ilustra en la figura 6.
Corriente de nodo
Richardson-Dusham
V2 > V1
Voltaje de nodo, V1
Temperatura
Fig. 6. Saturacin de la corriente de nodo debida al efecto de la carga de espacio.
Se obtienen curvas similares para la corriente de nodo en funcin del voltaje de nodo a
temperatura constante
Emisin secundaria. Adems de la emisin termoinica hay dos tipos de emisin que inter-
vienen de manera importante en el funcionamiento de los tubos electrnicos, con frecuencia
con efectos indeseables: la emisin secundaria y la emisin por campo. En algunos tubos,
como los multiplicadores electrnicos se aprovecha la emisin secundaria, pero en el caso de
las vlvulas de transmisin, es generalmente indeseable.
La emisin secundaria se produce cuando un ion o un tomo excitado chocan contra la su-
perficie de un slido y causan la expulsin de algunos electrones secundarios. El nmero de
electrones secundarios emitidos por cada electrn primario es funcin no slo de la energa
cintica del electrn incidente y de la funcin de trabajo del emisor secundario, sino tambin
de la energa trmica interna de ste. La cantidad de electrones secundarios aumenta con la
velocidad de los electrones primarios. La emisin secundaria puede tener efectos apreciables
en el funcionamiento de los tubos electrnicos a voltajes de aceleracin incluso muy peque-
os, del orden de 10 volts. A voltajes ms altos la emisin secundaria tiende a disminuir,
posiblemente porque los electrones incidentes penetran ms en el slido y transfieren la ma-
yor parte de su energa a electrones alejados de la superficie. Los electrones primarios pue-
den ser absorbidos, reflejados o dispersados por la superficie y el nmero de electrones se-
cundarios emitidos es menor si el bombardeo es con iones positivos en lugar de electrones.
Uno de los mejores emisores secundarios es el xido de cesio, parcialmente reducido sobre
una base de plata. Para energas de electrones primarios comprendidas entre unos 400 y 700
eV, la superficie de este material tiene una relacin de emisin secundaria de 10, es decir,
emite diez electrones por cada electrn primario.
El bombardeo con iones positivos tambin puede producir emisin secundaria, pero con
mucho menor eficiencia que si el bombardeo es con electrones. Esto se debe a que en el pro-
ceso de colisin entre un ion pesado y un electrn, slo puede impartirse al electrn una pe-
quea fraccin de la energa del ion, an en un choque frontal. Finalmente hay que mencio-
nar que tambin los aisladores pueden emitir electrones secundarios.
Emisin por campo. Los campos elctricos sobre las superficies emisoras de electrones tam-
bin tienen influencia en la emisin. En este caso el campo elctrico, si es del signo adecuado,
ejerce una influencia extractora sobre los electrones cercanos a la superficie que tiende a
arrancarlos de ella, independientemente de la temperatura a la que se encuentre dicha super-
ficie. En el caso de la emisin termoinica, los campos sobre la superficie del ctodo tienden
a aumentar la emisin de electrones por ste, mediante dos mecanismos principales. Si el
campo aplicado es dbil o moderado, se reduce la barrera de potencial en la superficie del
ctodo, lo que resulta en una reduccin de la funcin de trabajo efectiva. Este fenmeno se
conoce como efecto Schottky.
Si la intensidad del campo aplicado al emisor es elevada, la barrera de potencial se reduce lo

suficiente como para producir un efecto de tnel. Este fenmeno es muy importante en las
vlvulas de transmisin que funcionan con potenciales elevados y recibe el nombre de emi-
sin por campo y tambin emisin de ctodo fro. En este tipo de emisin por campo intenso,
los electrones no necesariamente deben tener la energa necesaria para cruzar la barrera de
potencial determinada por la funcin de trabajo. Cualquier electrn puede participar en el
mecanismo de tnel relacionado con la emisin de campo intenso y, puesto que en un metal
hay una gran cantidad de electrones disponibles para este proceso, an cuando la probabili-
dad de escape sea muy pequea, pueden alcanzarse densidades de corriente de emisin ele-
vadas.
An cuando en algunos dispositivos como el microscopio electrnico de emisin por campo

este efecto constituye una fuente til de produccin de electrones, en general es un efecto
indeseable que resulta destructivo en el caso de las vlvulas electrnicas, ya que al arrancar
literalmente los electrones del ctodo, incluso a bajas temperaturas, provoca su destruccin
como fuente de emisin termoinica.
Tipos de ctodos. La emisin termoinica puede conseguirse ya sea directamente por un

filamento calentado por la accin de una fuente externa o, como se indica en la figura 5.1, con
un filamento separado del ctodo que acta como fuente de calor para ste. En el primer caso
en que el propio filamento acta como ctodo se dice que el tubo es de caldeo directo. En el
segundo, donde el filamento y el ctodo son dos elementos diferentes, la vlvula se designa
como de caldeo indirecto. la mayor parte de las vlvulas utilizadas en transmisin, excepto a
bajas potencias, son de caldeo directo.
Los metales puros con baja funcin de trabajo, tales como los metales alcalinos o el calcio no
pueden utilizarse como emisores ya que se evaporan a temperaturas a las que empieza a
obtenerse emisin apreciable. Solamente dos metales en estado puro, el tungsteno y el tanta-
lio son adecuados para utilizarse como emisores, si bien el tantalio no se utiliza ya que es
ms sensible a la accin de los gases residuales que se producen en el interior del tubo a con-
secuencia de la elevada temperatura y tambin su temperatura de evaporacin es inferior a
la del tungsteno.
Segn se mencion, las vlvulas electrnicas para potencias pequeas suelen ser de caldeo
indirecto, en que el ctodo consiste de un cilindro o manguito metlico, generalmente de
nquel o aleaciones de este metal con otros y un revestimiento de una o varias capas de una
mezcla de carbonatos de bario y estroncio. Esto permite alcanzar funciones de trabajo muy
bajas, del orden de 0.5 a 1.5 eV con lo que se consiguen elevadas eficiencias de emisin a
temperaturas del orden de 1000 K. En el interior del ctodo, y sin contacto con l, se encuen-
tra un filamento calefactor que le proporciona la temperatura necesaria de emisin. Las tem-
peraturas de funcionamiento de los ctodos van desde alrededor de 1000 K para ctodos de
xido cuya funcin de trabajo es del orden de 1 eV, hasta 2500 para los de tungsteno puro, de
caldeo directo, con funcin de trabajo de 4.5 eV. En la figura 7 se ilustran tres tipos de fila-
mentos.
(a) (b) (c)
Fig 7. Tipos de filamentos
El filamento mostrado en (a) suele utilizarse en vlvulas de caldeo indirecto. El ctodo en

este caso es un manguito cilndrico que rodea al filamento sin hacer contacto con l, recubier-
to con metales de baja funcin de trabajo. Los mostrados en las figuras (b) y (c) pueden utili-
zarse en tubos de caldeo indirecto, pero ms en los de caldo directo en el el ctodo es el pro-
pio filamento, generalmente de tungsteno toriado. Prcticamente todas las vlvulas de po-
tencia son de caldeo directo.
An cuando el recipiente de la vlvula est al alto vaco, nunca es posible lograr un vaco
total de aire u otros gases, por lo que algunos residuos gaseosos suelen quedar ocluidos en
los materiales de los electrodos. La presencia de cantidades significativas de gas en el interior
de un tubo electrnico lo hace intil. As, la presencia de oxgeno reduce o anula la emisin
electrnica en los ctodos de xido, al dar lugar a oxidacin del metal activo o producir de-
psitos de iones positivos sobre la superficie del ctodo. El desarrollo de "puntos calientes"
en el ctodo, debido a inhomogeneidades del material o a calentamiento no uniforme es,
tambin, una causa de deterioro del ctodo. En estos puntos calientes la temperatura aumen-
ta y tambin la emisin, pudiendo dar lugar a efectos acumulativos que traen como conse-
cuencia la destruccin del ctodo.
En las vlvulas de caldeo directo, para potencias superiores a unos 100 w, se prefieren los
ctodos (filamentos) de tungsteno o de una aleacin de tungsteno con pequeas cantidades
de torio, designada como tungsteno toriado, con menor funcin de trabajo que el tungsteno o
el torio puros.
Los ctodos5 de caldeo directo (filamento), generalmente se alimentan con corriente alterna,
lo que da lugar a que el potencial en su superficie no sea uniforme y la diferencia de poten-
cial entre reja y ctodo no es la misma en todos los puntos de la reja y vara segn la frecuen-
cia del voltaje de alimentacin del filamento. Este problema no ocurre en los ctodos de cal-
deo indirecto ya que en stos el potencial es uniforme en toda su superficie. Esa variacin la
distribucin del potencial en el ctodo, en las vlvulas de caldeo indirecto, introduce una
componente indeseable en la corriente de placa, designada como zumbido. Para reducir este
problema se emplea un transformador de filamento con derivacin central a tierra en el se-
cundario, o bien un circuito como el de la figura 8, con lo que el filamento se divide virtual-
mente en dos partes, de las que el punto central mantiene un potencial constante respecto a
la reja de control. Los voltajes de las dos mitades, al estar en fases opuestas producen un
efecto global que resulta en una distribucin de potencial prcticamente uniforme en el cto-
do. La geometra del filamento contribuye tambin a reducir el zumbido.
Fig. 8. Circuito de alimentacin del filamento
El voltaje de alimentacin del filamento es un factor muy importante para todas las vlvulas
de vaco, particularmente las de potencia. Un aumento del 5% en el valor de voltaje respecto
al voltaje nominal especificado por el fabricante, puede resultar en una reduccin de la vida
de la vlvula hasta del 50%, por lo que en la prctica el voltaje aplicado al filamento suele ser
un poco menor que el voltaje nominal, del orden de 3% a 5%.
Un aspecto importante en el diseo y construccin de las vlvulas de vaco lo constituyen los

sellos entre el metal de las conexiones de los electrodos y el vidrio o cermica de la ampolla
envolvente. Todas las vlvulas de potencia funcionan a temperaturas elevadas y los coefi-
cientes de dilatacin de los diversos materiales que la componen son diferentes, de modo
que las variaciones de temperatura producen esfuerzos mecnicos que eventualmente pue-
den destruir el sello o unin entre ellos o causando fracturas, haciendo que la vlvula pierda
el vaco y, por consecuencia quede intil. En la figura 9 puede apreciarse la estructura de la
unin vidrio-metal en trodos antiguos.
5 Para las vlvulas de caldeo directo es frecuente utilizar indistintamente los trminos filamento o ctodo.
Fig. 9. Estructura de los sellos vidrio-metal
En la figura 10, por otra parte, puede apreciarse una vlvula con cuerpo de cermica con uno
de los sellos daado.
Fig. 10. Vlvula con el sello metal-cermica daado
3. Algunas consideraciones en el diseo de las vlvulas de vaco
La construccin fsica y la geometra de los tubos de vaco da lugar a que la potencia de sali-
da y la ganancia efectiva disminuyan al aumentar la frecuencia. Las principales limitaciones
de los tubos de rejilla (trodos, tetrodos y pentodos) se deben a los siguientes factores:
Tamao. En condiciones ideales, los voltajes de RF entre los electrodos deben ser uniformes.
Sin embargo esta condicin es difcil de satisfacer a menos que las dimensiones mximas de
los electrodos sean significativamente menores que /4 a la frecuencia de funcionamiento.
Esta condicin no presenta problemas en las bandas de MF, HF y VHF, pero segn aumenta
la frecuencia a frecuencias en la bandas V de UHF y de UHF, se imponen restricciones seve-
ras en las dimensiones fsicas de los elementos individuales del tubo.
Tiempo de trnsito. Los electrones que viajan entre el ctodo y el nodo invierten un tiempo
de recorrido, designado como tiempo de trnsito. La separacin interelectrdica, principal-
mente entre ctodo y reja debe dimensionarse en proporcin inversa a la frecuencia de fun-
cionamiento para evitar los problemas asociados al tiempo de trnsito que incluyen reduc-
cin de la ganancia de potencia, carga excesiva sobre la fuente de excitacin del tubo, retroca-
lentamiento del ctodo a consecuencia del bombardeo electrnico por los electrones retorna-
dos por la regin de la reja y reduccin de la eficiencia de conversin.
Voltaje de funcionamiento. Los tubos de alta potencia funcionan con altos voltajes, tpica-
mente de varios kv. En los tubos de microondas esto plantea problemas significativos por la
cercana entre los electrodos que puede resultar en arcos elctricos. Por ejemplo, a 1 GHz, la
separacin entre reja y ctodo no debe exceder de unas pocas centsimas de milmetro. Por
consecuencia, los voltajes aplicados deben ser inferiores al voltaje de ruptura, determinado
por el aislamiento, en este caso el vaco, y la separacin interelectrdica. estos problemas
son particularmente importantes en tubos como el klystron y otros tubos de ltima genera-
cin.
Corriente a travs del tubo. Como resultado de las capacidades interelectrdicas y de las ca-
pacidades e inductancias parsitas en el tubo, pueden desarrollarse corrientes substanciales
de RF, que dan como resultado calentamiento excesivo de la reja, terminales de conexin y
de los sellos de vaco vidrio-metal o cermica-metal.
Disipacin trmica. Los tubos de alta potencia deben ser capaces de soportar los considera-
bles esfuerzos mecnicos causados por las elevadas temperaturas, por ello es necesario con-
tar con sistemas de enfriamiento capaces de mantenerlos a temperaturas de funcionamiento
adecuadas.
4. Diodos
Los diodos al vaco, empleados principalmente como rectificadores en fuentes de alimenta-

cin, prcticamente han dejado de utilizarse en los transmisores de radio y televisin y han
sido reemplazados completamente por diodos de estado slido, rectificadores controlados de
silicio o tiristores y triacs. Los principios de funcionamiento de los diodos al vaco se han
descrito en las secciones anteriores y su inters aqu, es nicamente esbozar los principios
fundamentales de las vlvulas de vaco. An cuando desde el punto de vista terico el estu-
dio de los diodos al vaco es interesante, omitiremos aqu un tratamiento ms amplio.
II. TUBOS DE REJILLA
5. Trodos
Los trodos siguen utilizndose extensamente, sobre todo en las bandas de LF (30 a 300
KHz), MF (300 KHz a 3 MHz) y HF u onda corta (3 a 30 MHz). En radiodifusin sonora en
FM y televisin se prefieren los tetrodos u otros tipos de tubos como el klystron y el IOT que
se tratarn ms adelante. Sin embargo, el estudio de los trodos es importante para compren-
der el funcionamiento de otros tipos de vlvulas ms complejas y por ello, se resumirn a
continuacin algunas de sus propiedades y caractersticas ms importantes. El trodo es una
vlvula de vaco de tres electrodos y fue inventada por Lee de Forest en los Estados Unidos
en la segunda dcada del siglo XX.
En el trodo, adems del ctodo y la placa se tiene un tercer electrodo constituido por una
rejilla de alambre muy fino, intercalada entre la placa y el ctodo y fsicamente cercana a ste.
Esta reja de control puede tener diversas configuraciones; puede ser una hlice de alambre o
un cilindro de malla de alambre y an un cilindro slido con una perforacin para permitir
el paso de los electrones hacia la placa. El smbolo habitual para el trodo y su estructura b-
sica muestran en la figura 11.
Placa
Reja de
control
Filamento
Ctodo
Figura 11. Trodo
Si a la reja de control no se le aplica ningn voltaje o si se la conecta directamente al ctodo,

la vlvula se comporta igual que un diodo. Sin embargo si se le aplica un voltaje negativo
respecto al ctodo, se producir un campo elctrico entre reja y ctodo de signo opuesto al
campo entre placa y ctodo, que se opondr al paso de los electrones por la regin cercana a
la reja y reducir la corriente total de placa respecto a la que se tendra si la reja no estuviera
polarizada. Si, por el contrario, la reja se polariza positivamente respecto al ctodo, atraer
ms electrones de la regin de carga de espacio cercana al ctodo y aumentar la corriente de
placa. Adems, al ser la reja positiva, atraer una parte de los electrones que viajan hacia la
placa y se establecer una corriente elctrica en el circuito externo entre reja y ctodo. En la
prctica, con excepcin de los amplificadores que funcionan en clase C, el voltaje de reja no
alcanza valores positivos y la corriente de reja es cero. En estas condiciones la impedancia
entre reja y ctodo es prcticamente infinita.
Curvas de placa. Si el voltaje de reja se mantiene constante, la corriente de placa, al variar el

voltaje de placa, sigue una variacin similar a la que se tiene en un diodo. La diferencia en el
trodo es que, dependiendo de la magnitud del voltaje de reja, ser necesario mayor voltaje
de placa para conseguir la misma corriente de placa cuando el voltaje de reja se hace ms
negativo. En la figura 12 se muestra un circuito con el que puede obtenerse la familia de cur-
vas para un trodo. En estas curvas se trazan los valores de corriente de placa para diferentes
voltajes de placa, manteniendo constante el voltaje de reja.
VG
VG
VBB
Fig. 12 Circuito para determinar las curvas caractersticas de un trodo.
Si se mantiene el voltaje de rejilla constante y se vara el voltaje de placa, se obtienen curvas

como las mostradas en la figura 13. Estas curvas corresponden a un trodo de los utilizados
actualmente en amplificadores de audio y se designan como curvas de voltaje de reja constante.
Fig. 13. Curvas caractersticas de un trodo 6N1P
Si se mantiene constante el voltaje de placa y se vara el voltaje de reja, se obtienen curvas

como las mostradas en la figura 14.
Fig. 14. Curvas de voltaje de placa constante.
En el diseo de amplificadores de potencia es ms comn utilizar las curvas de corriente de

placa constante como las de la figura 15 y que son funcin de los voltajes de reja y placa. Se
observa, adems de las curvas de corriente de placa trazadas con lneas continuas, se las de
corriente de reja con lneas punteadas. La corriente de reja circula cuando su voltaje es posi-
tivo con respecto al ctodo, lo que ocurre en amplificadores clase C durante cortos intervalos
del ciclo de la seal.
Fig. 14. Curvas de corriente constante

El trodo de la figura 16 es un 3CX400A7, capaz de funcionar en la banda de 30 a 500 MHz a

una potencia de salida de hasta 500 W. El voltaje tpico de funcionamiento de placa es de 2
KV. y la potencia requerida a la entrada es de unos 20 W, por lo que su ganancia de potencia
es de 25 (14 dB).
Figura 16. Caractersticas de un trodo de potencia 3CX400A7
A causa de la cercana de la reja con el ctodo, cualquier variacin en el voltaje de reja tiene
un efecto considerablemente mayor sobre la corriente de placa que una variacin igual en el
voltaje de placa, lo que hace posible la amplificacin del voltaje de las seales aplicadas en la
reja. Se define un factor de amplificacin de un trodo y, en general de otros tubos de vaco,
como la relacin de cambio del voltaje de placa, vp, respecto al voltaje de reja, vg.
v p
= (2)
vg
Otros parmetros de los trodos son la resistencia de placa (rp) y la transconductancia (gm). La
resistencia de placa representa la variacin del voltaje de placa respecto a la corriente de pla-
ca, ip, manteniendo constantes los restantes voltajes de tubo y se define como:
v p
rp = (3)
i p
La transconductancia, o conductancia mutua, expresa la variacin de la corriente de placa

respecto al voltaje de reja, manteniendo constantes los dems voltajes. Se expresa como:
i p
gm = (4)
v g
De las expresiones anteriores puede obtenerse la relacin siguiente:
= g m rp (5)
Neutralizacin. En los tubos de vaco estn presentes capacidades interelectrdicas e induc-

tancias de terminal que constituyen elementos designados como parsitos y que actan, en-
tre otras cosas, como elementos de realimentacin que dan lugar a oscilaciones parsitas. En
los trodos es particularmente importante la capacidad interna entre reja y placa, ya que
constituye un elemento de acoplamiento entre la salida y la entrada que, en las condiciones
adecuadas de fase, es capaz de hacer que el amplificador entre en oscilacin. Este efecto es
indeseable en un amplificador y es necesario eliminarlo. Para ello, una tcnica habitual es
utilizar una red de desacoplamiento entre la entrada y la salida que, con frecuencia, se redu-
ce a un condensador externo conectado entre placa y reja. Algunos de estos circuitos se ilus-
tran en la figura 16.
Fig. 16. Circuitos tpicos de neutralizacin.
Aplicaciones de los trodos. En los sistemas industriales los trodos siguen utilizndose prin-
cipalmente como osciladores de alta potencia, en circuitos de configuracin similar a los ilus-
trados en la figura 17.
Fig. 17. Osciladores Hartley y Colpitts con trodo.

Es evidente que la estabilidad de este tipo de osciladores es pobre, por lo que estos circuitos
se utilizan principalmente en aplicaciones en que no es necesaria una gran estabilidad y que
no se radia energa.
Una aplicacin interesante fue en osciladores empleados para diatermia, es decir, calenta-
miento de tejidos con fines teraputicos. En la figura 18 se ilustra un circuito antiguo para
este fin que incluye el oscilador con trodo y la fuente de alimentacin, en este caso con recti-
ficadores de vapor de mercurio.
Fig. 18. Oscilador para diatermia
Una aplicacin industrial importante de los trodos es en el calentamiento por induccin.

Este es un mtodo para calentar materiales conductivos somentindolos a un campo elec-
tromagntico, a frecuencias por lo general entre 100 y 500 kHz.
Fig. 19. Calentamiento por induccin

Una bobina, como se muestra en la figura 19 acta como el primario de un transformador y

rodea al material a calentar, que acta como secundario. En la bobina se hace circular la co-
rriente de radiofrecuencia, la cual genera corrientes de Foucault (eddy) en el secundario ca-
lentndolo. La profundidad de penetracin de estas corrientes est determinada por la fre-
cuecia, la permeabilidad del material y su resistividad. Como generadores de RF por lo gene-
ral se usan osciladores con trodos como los mostrados en las figura 20 y 21.
Fig. 20. Trodo de 3 kw para calentamiento industrial

(Thales, antes Thomson CSF)
Fig. 21. Trodo de 100 kw para aplicaciones

industriales y de comunicaciones
Otro tipo de aplicacin industrial en que tambin se utilizan trodos como osciladores es el
calentamiento dielctrico tambin designado como calentamiento capacitivo utilizado para ca-
lentar materiales no conductores. El material a calentar se coloca entre dos electrodos a tra-
vs de los cuales se conecta una fuente de alta frecuencia. El campo oscilatorio atraviesa el
material y al cambiar la direccin del campo, invierte la polarizacin de las molculas cau-
sando rozamiento y, por consecuencia calor. Cuanto mayor sea la frecuencia, mayor ser el
movimiento de las molculas. Las frecuencias tpicas utilizadas en estas aplicaciones suelen
estar entre 5 y 80 MHz. Algunas otras aplicaciones incluyen la soldadura de tuberas y de
plsticos, pegamento de madera, deshidratacin de alimentos para su preservacin, excita-
cin de lseres de CO2, etc.
En aplicaciones de calentamiento industrial, tanto inductivo como dielctrico, generalmente

se prefieren trodos con factores de amplificacin () o medios. Ello es debido a que cuando
se emplean como osciladores, la corriente de reja vara menos con las variaciones de la carga.
La corriente de reja aumenta cuando la carga disminuye. Los tubos diseados especficamen-
te para calentamiento industrial deben funcionar en condiciones adversas, por lo que su reja
es ms robusta y debe tener mayor capacidad de disipacin de potencia que en los de RF.
En los sistemas actuales de comunicaciones los trodos se emplean casi nicamente en ampli-
ficadores de alta potencia de RF, entendindose aqu, un tanto ambiguamente el trmino de
alta potencia, como aqullas potencias superiores a unos 500 w. principalmente. En los
ltimos aos han vuelto a encontrar aplicacin en amplificadores de audio, ya que los audi-
filos encuentran ms agradable el sonido obtenido con amplificadores a vlvulas que con los
de estado slido. En la figura 11 se muestran algunos de los trodos de alta potencia de dise-
o y manufactura reciente. En general este tipo de tubos se emplea en radiodifusin sonora
en las bandas de frecuencias medias (540-1650 KHz) y altas (3-30 MHz). En las bandas de
VHF y UHF por lo general se emplean tetrodos.
En la figura 22 se ilustran tres tipos de trodos de potencia, a la izquierda un trodo antiguo

de los aos veinte-treinta. Al centro, trodo utilizado en transmisores de AM en los aos cin-
cuenta, enfriado por aire forzado y, a la derecha, un trodo moderno de 50 kw, enfriado por
agua y utilizado en transmisores de AM.
Fig. 22. Tres tipos de trodos

Aplicaciones en RF. Los trodos se emplean en amplificadores de RF, generalmente en clase

B o C, con carga sintonizada. El circuito bsico de un amplificador con trodo se ilustra en la
figura 23.
Fig. 23. Circuito amplificador bsico con trodo
La ganancia de voltaje de un amplificador con trodo est dada por:
RL
AV = (6)
rp + RL
Donde RL es la resistencia de carga o la impedancia a resonancia del circuito sintonizado.
Una de las aplicaciones ms comunes es como amplificador clase C modulado en placa. Un

circuito tpico se ilustra en la figura 24.
Fig. 24. Amplificador clase C modulado en placa.

6. Trodos planos
Se han desarrollado algunos tubos de rejilla para aplicaciones a frecuencias de microondas,

de los que los ms importantes los trodos planos o planares, designados as por la geometra
plana de sus electrodos y capaces de funcionar a frecuencias de varios gigahertz con poten-
cias de salida hasta de unos 2 kw en funcionamiento pulsante y con eficiencias de 30% a 60%
dependiendo de la frecuencia.
Fig. 25. Estructura de un trodo plano
En la figura 25 se muestra la estructura de un trodo plano y su apariencia y tamao. La am-

polla que contiene los electrodos es de cermica, con elementos metlicos a travs de ella
para proporcionar las conexiones necesarias. Los elementos metlicos tienen forma de discos
o de discos con proyecciones cilndricas.
El ctodo es, tpicamente, de recubrimiento de xidos metlicos y de caldeo indirecto. La

razn para ello es conseguir elevada emisin electrnica y vida til larga. Suelen preferirse
emisores termoinicos de baja temperatura, ya que las temperaturas elevadas producen ms
evaporacin y reducen la vida del tubo.
La reja es, quiz, el elemento que representa el mayor reto en el diseo del tubo, ya que es
necesario que se coloque a muy corta distancia del ctodo y con gran precisin. Tambin es
necesario que la reja tenga buena estabilidad trmica ya que est sujeta a calentamiento y
bombardeo electrnico por la proximidad al ctodo y por las corrientes que circulan por ella.
El nodo generalmente es de cobre y conduce el calor generado por el bombardeo electrnico
a una radiador externo que se aprecia en la parte superior de la fotografa anterior y que, a su
vez, es enfriado por aire forzado.
Los trodos planos pueden funcionar a frecuencias superiores a 1 GHz y se emplean en una
variedad de circuitos, comnmente en configuracin de reja comn. El circuito resonante de
placa est basado en una cavidad, utilizando una gua de onda, o bien una lnea coaxial o de
microcinta. Desde el punto de vista elctrico, el funcionamiento del trodo plano es mucho
ms complicado a frecuencias de microondas que a bajas frecuencias, ya que intervienen de
manera importante las capacidades e inductancias parsitas de lo elementos del tubo, los
efectos de los anillos y elementos de conexin, la reactancia distribuida de la cavidad reso-
nante y del propio dispositivo y, finalmente, los efectos del tiempo de trnsito electrnico
que dan como resultado cargas resistivas y defasamientos.
Las ganancias que pueden conseguirse con estos trodos son del orden de 5 a 10 dB o supe-
riores si se conectan varias etapas en cascada. El acoplamiento entre etapas se puede realizar
con guas de onda o con lneas coaxiales y la sintona se consigue variando la inductancia o la
capacidad de la cavidad. Es posible aumentar el ancho de banda empleando varias etapas
sintonizadas de manera escalonada.
Como un detalle interesante, la sonda espacial Pioneer utiliz como amplificador un trodo
plano como el que se muestra en la figura 26.
Fig. 26. Trodo plano del tipo utilizado en la sonda espacial Pioneer
El primero de los dos vehculo Pioneer tena como misin la exploracin del sistema planeta-
rio, en particular Jpiter y fue lanzado el de marzo de 1972. Su fuente de energa eran cuatro
pilas atmicas, cada una capaz de proporcionar 400 watts y su transmisor inclua un trodo
plano. La antena tena 2.7 metros de dimetro. El Pioneer 1 continu funcionando durante 30
aos; sus ltimas transmisiones se recibieron el 23 de ero de 2003, aunque muy dbiles pues
su distancia actual a la tierra es de ms de ciento diez mil millones de kilmetros. Se desco-
noce si sigue transmitiendo, aunque es posible. El hecho de que su transmisor utilizara una
pequea vlvula de vaco (un humilde triodito) que funcion sin problemas durante treinta
aos es, sin duda, una prueba de la bondad de estos dispositivos.
8. Tetrodos
Un tetrodo es una vlvula de vaco de cuatro electrodos que, adems del ctodo, la reja de
control y la placa incluye una reja adicional entre la placa y la reja de control, a la que se de-
signa como reja pantalla y habitualmente se abrevia como SG (screen grid). La forma de esta
reja es similar a la de la reja de control, es decir, una hlice o una malla metlica fina. El sm-
bolo utilizado para el tetrodo se muestra y su estructura en la figura 27.
Placa
Reja pantalla
Reja de control
Ctodo
Filamento
Fig. 27. Smbolo y estructura del tetrodo
La reja pantalla o simplemente, pantalla, se introdujo originalmente para eliminar algunos de

los inconvenientes inherentes a los trodos, causados principalmente por la relativamente
elevada capacidad entre reja y placa. Tales efectos son, primero, el efecto Miller, que hace
que la capacidad de entrada de un trodo aumente con su ganancia y, segundo, la necesidad
de neutralizar un trodo sintonizado para evitar la realimentacin a travs de la capacidad
reja-placa, que produce oscilaciones indeseables. Puesto que la reja pantalla forma un blinda-
je electrosttico entre la reja de control y la placa, la capacidad entre estos dos electrodos se
reduce considerablemente, minimizando as el efecto Miller y eliminando la necesidad de
neutralizacin de los amplificadores con tetrodos sintonizados a frecuencias bajas o modera-
das.
Puesto que la pantalla constituye un blindaje electrosttico entre el ctodo y la placa, el volta-
je de placa tiene muy poco efecto sobre el gradiente de potencial en la superficie del ctodo y,
por consecuencia, muy poco efecto sobre la corriente en la vlvula. La pantalla por lo general
funciona con voltajes positivos que se sitan entre 0.25 y 1.0 del voltaje de placa.
Curvas caractersticas de los tetrodos. Las curvas caractersticas de la corriente de placa res-
pecto al voltaje de placa se muestran en la figura 5.10. Segn aumenta el voltaje de placa
desde 0 V, la corriente de placa aumenta inicialmente, pero luego empieza a disminuir en la
zona en que el voltaje de placa es ligeramente inferior al de pantalla. Esta caracterstica de
resistencia negativa es debida a la emisin secundaria en la placa. Es decir, los electrones que
chocan con la placa provocan desprendimiento de electrones secundarios de sta, que son
atrados por la pantalla cuando su voltaje es superior al de placa. A voltajes de placa superio-
res a unos 25 V la velocidad adquirida por los electrones es suficiente para producir emisin
secundaria en la placa. As, para un voltaje constante de la reja de control, la corriente de
placa disminuye al aumentar el voltaje de placa y la resistencia dinmica de la placa es nega-
tiva, hasta que el voltaje de placa es mayor que el de pantalla. Esto se ilustra en la grfica de
la figura 5.11, en que se muestra la corriente de pantalla respecto al voltaje de pantalla, para
un voltaje de pantalla constante, de 65 V y con la reja de control a 3 V.
Tan pronto el voltaje de placa aumenta sobre el de pantalla, los electrones secundarios emiti-
dos por la placa que regresan a ella aumentan considerablemente y, a voltajes de placa lige-
ramente superiores al de pantalla, la corriente de pantalla disminuye considerablemente,
como se puede apreciar en la figura 28.
Fig. 28. Curvas caractersticas de un tetrodo
A su vez, la reja pantalla tambin emite electrones secundarios, como consecuencia de los
electrones que llegan a ella de la regin del ctodo y la reja de control. Sin embargo, estos
electrones secundarios contribuyen muy poco a la corriente total de placa ya que su nmero
es proporcionalmente menor y, adems, porque en general se emiten del lado de la reja de
control y no del de la placa, de modo que no se ven afectados directamente por el voltaje de
placa. De las figuras 28 y 29 puede inferirse que las corrientes de placa y pantalla son prcti-
camente constantes para un voltaje de pantalla dado, igual o menor que el voltaje de placa,
independientemente del valor de ste.
Fig. 29. Caracterstica de la corriente de pantalla respecto al voltaje de placa.

Aunque en la regin de resistencia negativa el tetrodo puede funcionar como oscilador, por
lo general no se utiliza para esta funcin. En las aplicaciones como amplificador, la regin de
resistencia negativa constituye una desventaja importante del tetrodo que, si bien puede eli-
minarse aadiendo una tercera rejilla entre la pantalla y la placa6, tambin puede eliminarse
mediante un diseo especial del tetrodo en que en el interior del tubo se conforman haces
electrnicos de alta densidad entre el ctodo y la placa y utiliza los efectos de la carga de es-
pacio en la regin entre la pantalla y la placa para eliminar los efectos de la emisin secunda-
ria. Las vlvulas de este tipo se designan como tetrodos de haz de potencia. La estructura
interna de un tubo de este tipo se muestra en la figura 30.
Fig. 30. Estructura interna de un tetrodo de haz de potencia.
La superficie del ctodo es plana y los hilos de las hlices de la reja de control y la pantalla
estn alineados, de modo que la primera constituye un blindaje elctrico entre la pantalla y el
ctodo. Las placas conformadoras del haz electrnico se localizan a los lados del ctodo y
estn conectadas internamente a ste. Estas placas hacen que la corriente en la vlvula forme
haces electrnicos estrechos y con densidad relativamente alta. La distancia entre la pantalla
y la placa es mayor que en los tetrodos convencionales de modo que la mayor parte de los
electrones que constituyen la corriente del tubo se encuentran entre la pantalla y la placa en
cualquier instante. Estos electrones forman una carga de espacio en la regin pantalla-placa y
producen campos electrostticos en el plano de la pantalla y en la superficie de la placa. La
densidad de esta carga de espacio es inversamente proporcional al voltaje de placa y direc-
tamente proporcional a la corriente en la vlvula. El efecto de esta carga de espacio es doble:
por una parte hace que los electrones secundarios emitidos por la placa regresen a ella y, por
otra desacelera a los electrones que penetran en la regin entre la pantalla y la placa, lo que a
su vez, hace que aumente la carga de espacio. El resultado de estos efectos produce curvas
caractersticas del tipo que se muestra en la figura 31, en este caso para un tetrodo antiguo,
del tipo GU-13. Este tetrodo, utilizado para comunicaciones en la banda de HF (3-30 MHz),
6A esta tercera rejilla se la designa como supresora y la vlvula con tres rejas se llama pentodo. Los pentodos no suelen utilizarse
en amplificadores de potencia de RF.
puede entregar en condiciones tpicas, 220 W a 15 MHz a voltajes de funcionamiento, UA = 2

KV, USG = 400 V, UG1 = -35 V, con una corriente de placa del orden de 50 mA.
Fig. 31. Curvas caractersticas de placa de un tetrodo

de haz de potencia tipo GU-13
En la regin de voltaje de placa bajo y de corriente inyectada constante y de alta densidad, la

carga de espacio entre la pantalla y la placa es suficientemente grande como para reducir el
potencial a cero en un plano entre la pantalla y la placa, formando un ctodo virtual en dicho
plano. En esas condiciones, el gradiente de potencial en el plano de la pantalla es tal que solo
los electrones inyectados con suficiente velocidad para vencer la fuerza del campo negativo,
llegarn a la placa y todos los dems electrones regresarn hacia la pantalla y sern, o bien
capturados por ella, o pasarn a la regin de carga de espacio entre la pantalla y el ctodo.
Un aumento relativamente pequeo del voltaje de placa produce, en la regin de la izquierda
de las curvas de la figura 14, un aumento considerable de la corriente de placa, ya que el c-
todo virtual se desplaza hacia la placa segn aumenta el voltaje de placa.
Cuando el voltaje de placa aumenta hasta un valor en que la corriente de placa es igual a la
corriente inyectada, la corriente de placa ya no aumenta, puesto que toda la corriente inyec-
tada a la regin pantalla-placa va a parar a esta ltima. En estas condiciones, el aumento en
el voltaje de placa ya no produce aumento de la corriente de placa ya que la accin de blinda-
je de la pantalla impide que el potencial de la placa altere la corriente de ctodo y el ctodo
virtual prcticamente ha desaparecido.
Debido a que la pantalla est bien aislada del ctodo a causa de su alineamiento con la reja
de control, el nmero de electrones interceptados por la pantalla es bajo y la corriente de
pantalla es pequea respecto a la corriente de placa, de modo que la linealidad de las curvas
de la figura 14 permite excursiones grandes de seal con poca distorsin y esto, aunado a la
baja relacin entre las corrientes de pantalla y placa, permite obtener altas eficiencias en los
tetrodos de haz.
En la figura 32 se muestra un tetrodo de haz del tipo 4X250, capaz de entregar una potencia
de salida del orden de 350 W. Este tipo de vlvula se ha usado, y an se emplea ampliamente
en aplicaciones de RF. La placa en la parte superior contiene numerosas aletas entre las que
circula aire forzado, suministrado generalmente por la parte inferior a travs de conductos
adecuados. La finalidad de las aletas es aumentar la superficie de radiacin de calor. La au-
sencia de ventilacin forzada en este tipo de tubos, da lugar a la fusin de la placa y la consi-
guiente destruccin del tubo en pocos minutos.
Fig. 32. Tetrodo de potencia 4CX250
Durante dcadas, los tetrodos fueron mejorndose y se consiguieron tubos capaces de entre-
gar potencias superiores a 20 KW en UHF y aunque su ganancia es relativamente baja y su
vida media til del orden de 15000 a 20000 horas, continan utilizndose, ya que su eficien-
cia es buena
9. Diacrodos
El diacrodo es un tubo desarrollado en los ltimos aos, que comenz a utilizarse en trans-
misores de televisin en la banda de UHF, en radares y aceleradores de partculas alrededor
de 1994. Su principio de funcionamiento es, bsicamente, el mismo que el de un tetrodo de
haz de potencia en que la corriente de nodo es modulada por un voltaje de RF aplicado en-
tre el ctodo y la reja de control. En la figura 5.16 se muestra un diacrodo usado en amplifi-
cadores potencia de transmisores de televisin en UHF. En la figura 33(a) se trata de un tubo
enfriado por aire y en la 33(b) de uno enfriado por agua o vapor.
Fotografa cortesa de Thomson Tubes Electroniques
(a) (b)
Fig.33. Diacrodos. (a) Enfriado por aire. (b) Enfriado por vapor.
La principal diferencia entre el diacrodo y el tetrodo es la posicin de las zonas activas en el

tubo, es decir, sus electrodos: ctodo, reja de control, reja pantalla y placa en los circuitos
coaxiales resonantes, lo que da como resultado una mejora en la distribucin de la corriente
reactiva en los electrodos del tubo. El circuito del tetrodo se realiza de modo que quede un
nodo de corriente al final de un circuito de un cuarto de longitud de onda (/4). El tetrodo,
en un amplificador, es parte del circuito resonante de un cuarto o tres cuartos de longitud de
onda. Asimismo, sus dimensiones geomtricas juegan un papel importante y condicionan los
voltajes y corrientes de RF. La potencia que entrega un tetrodo es el producto del voltaje de
RF de placa y la corriente de nodo a la frecuencia fundamental. El voltaje de nodo se limita
a un mximo del orden de 30 KV y, por consecuencia, para conseguir un rendimiento eleva-
do es necesario que el ctodo tenga un rea grande7.
El aumento del rea del ctodo puede conseguirse de dos formas: aumentando el dimetro
del ctodo o su altura. El aumento del dimetro del ctodo tiene dos efectos sobre sus par-
metros elctricos:
a) Disminucin de la frecuencia de resonancia en el modo TE11. Si esta frecuencia es

muy cercana a la frecuencia nominal o a su primer armnico, es muy difcil, sino
imposible, amortiguar las oscilaciones parsitas.
b) Aumento de las capacidades parsitas del tubo.
7 G. Clerc, J.P. Ichac and C. Robert. A New Generation of Grided Tubes for Higher Power and Higher Frequen-
cies. IEEE, 1998.
Altura del ctodo. La regla que, de acuerdo a la experiencia, ha sido adoptada por los fabri-
cantes de tubos, es no exceder nunca 1/16 para la altura del ctodo a la mxima frecuencia
de funcionamiento cuando el tubo opera con un elevado ciclo de trabajo. Por ejemplo, a 80
MHz, la mxima altura del ctodo sera de 234 mm. Esta regla debe interpretarse, y es dicta-
da, por las prdidas a RF generadas en los electrodos del tubo, en particular, la reja pantalla.
En el circuito de salida, en el espacio entre la reja pantalla y el ctodo, los voltajes y corrientes
de RF pueden expresarse mediante las siguientes ecuaciones:
V ( x) = Vmax cos x = Psal RL cos x (7)
Vmax
I ( x) = J sen x (8)
Zc
Donde, = 2/
x = Distancia desde el extremo superior del tubo.
RL= Impedancia de carga a la que est conectado el tubo.
Vmax = Voltaje sobre el eje del tubo en x = 0.
ZC = Impedancia caractersitca del espacio entre el nodo y la reja pantalla.
J = Constante que depende de la geometra del tubo y del tipo de ctodo.
Las ecuaciones anteriores muestran que las distribuciones de corriente y voltaje en el espacio
entre el nodo y la reja pantalla no son uniformes y, por consecuencia, la distribucin de po-
tencia tampoco es uniforme, tenindose la potencia mxima en la parte superior. De hecho, el
diseo del diacrodo combina en un tetrodo las capacidades y ventajas de una tecnologa
avanzada con el concepto desarrollado por la empresa RCA hace muchos aos, en sus tro-
dos de doble terminacin y muy alta potencia.
El diacrodo es, en realidad, un tetrodo de doble terminacin, en el que las variaciones en las
prdidas son proporcionales al cuadrado de la altura del ctodo. Por tanto, la idea es obtener
la misma altura equivalente del ctodo, poniendo en paralelo dos medios tetrodos. En tales
condiciones, las conexiones se duplican y, con un circuito adecuado de salida, el dispositivo
puede sintonizarse en un circuito de /2 con el mximo voltaje de nodo situado a la mitad
de la parte activa, de modo que las prdidas son mnimas. En la figura 34 se muestra la es-
tructura interna de un diacrodo y, en la 35, las distribuciones de corriente y voltaje en un
tetrodo y un diacrodo.
Fig. 34. Estructura interna de un diacrodo

Imagen cortesa de Thomson Tubes Electroniques
Como consecuencia de lo anterior, con este tipo de tubo, la longitud mxima aceptable para
el ctodo no es de 1/16, sino de 1/8 y la potencia puede duplicarse, asumiendo que el pun-
to de funcionamiento se elige cuidadosamente.
Fig. 35. Distribucin de corriente y voltaje en un tetrodo y un diacrodo
Por ejemplo, en transmisin de televisin, el tetrodo con mayor capacidad de potencia, fue el
TH563 fabricado por Thomson, que poda entregar 30 KW en amplificacin comn de vdeo
y audio. El diacrodo TH680, con un ctodo de doble altura, es capaz de entregar 60 KW en
amplificacin comn. En otras aplicaciones en operacin pulsada, tal como se requiere en
radares y aceleradores de partculas, el diacrodo TH526 puede entregar una potencia pico de
1600 KW y el TH628, hasta 3000 KW, con potencias efectivas de 240 y 600 KW respectiva-
mente. La corriente de placa en estos tubos, alcanza los 124 A en el TH526 y 164 A en el
TH628. La ganancia tpica de estos tubos es del orden de 14 dB.
9. Pentodos
Las desventajas de los tetrodos convencionales se superan con los tetrodos de haz y, tambin,
agregando una tercera reja entre la pantalla y la placa, que se designa como reja supresora.
La vlvula contiene ahora cinco electrodos y de ah su nombre: pentodo. La reja supresora va
generalmente conectada al ctodo o a tierra y su funcin es la de producir una regin de bajo
potencial entre la pantalla, de manera anloga a la que se consigue con las placas formadoras
del haz en los tetrodos. En otras palabras, la reja supresora da lugar a un ctodo virtual re-
tornando a la placa los electrones secundarios emitidos por ella y eliminando la regin de
resistencia negativa. Adems, la reja supresora acta como un blindaje electrosttico adicio-
nal entre la placa y el ctodo, reduciendo el efecto del voltaje de placa sobre la corriente de
ctodo. Las curvas caractersticas de un pentodo son muy similares a las de un tetrodo de
haz en que, en la regin lineal, la corriente de placa es prcticamente independiente del vol-
taje de sta. En la actualidad los pentodos ya prcticamente no se utilizan en aplicaciones de
RF. Sin embargo, vuelven a emplearse en amplificadores de audio. En la figura 36 se muestra
una vlvula de este tipo, en que la conexin de la placa se realiza mediante el capuchn en la
parte superior y las rejas y ctodo se conectan a travs de las patas en la parte inferior.
Fig. 36. Pentodo
III. TUBOS DE HAZ ELECTRONICO
10. Klystron
Los trodos y tetrodos convencionales, utilizados extensamente en amplificadores de poten-

cia en los transmisores de radio y televisin tienen limitaciones de funcionamiento a frecuen-
cias superiores a unos 500 MHz, a causa de los efectos de las capacidades interelectrdicas y
a las inductancias parsitas intrnsecas de sus terminales, as como del tiempo de trnsito de
los electrones entre ctodo y nodo. Estas limitaciones dieron lugar al desarrollo de tubos
planos o planares, en que los electrodos se conectan al exterior mediante discos a fin de reducir
los efectos de las inductancias y capacidades parsitas, con lo que fue posible su empleo has-
ta frecuencias cercanas a 1 GHz. An as, las limitaciones inherentes a la geometra de este
tipo de tubos hacen que sean poco adecuados a frecuencias superiores. Esto motiv el desa-
rrollo de otros dispositivos de vaco para amplificacin a frecuencias de microondas, en los

que es posible reducir el tiempo de trnsito y los efectos de los elementos parsitos. Entre
ellos se encuentran el magnetrn, el klystron y el tubo de onda progresiva (TOP o TWT). Los dos
ltimos se designan como de haz lineal y se basan en la interaccin de un haz electrnico con
campos elctricos, en tanto que el magnetrn emplea otro principio. En particular, los klys-
trons han encontrado amplia aplicacin a frecuencias a partir de unos 500 MHz, como ampli-
ficadores de potencia en transmisores de televisin, transmisores de microondas, radares y
aceleradores de partculas. En la dcada de 1990 se desarrollaron dos tipos de vlvulas con-
siderablemente ms eficientes que los tetrodos y que los klystrons. El diacrodo, que es una
variante del tetrodo segn se mencion en la seccin 4 y el tubo de salida inductiva o IOT, que
puede considerarse como una variante del klystron. Estos tubos estn reemplazando el em-
pleo de tetrodos y klystrons en los transmisores de alta potencia de diseo reciente. Resea-
remos aqu algunas de las principales caractersticas del klystron.
El klystron es un tubo o vlvula al vaco, utilizado en la generacin y amplificacin de sea-

les de muy altas frecuencias, inventado por R. H. Varian en 1937. El funcionamiento del klys-
tron, tanto como oscilador o como amplificador se basa en la modulacin de velocidad de los
electrones de un haz, sometidos a aceleraciones y frenados como consecuencia de la aplica-
cin de una seal variable en el tiempo. En la aplicacin como amplificador, la versin ms
simple del klystron es la de un tubo electrnico con varias cavidades, como se ilustra en la
figura 37 y en el que se definen tres regiones: ctodo, nodo y regiones o tubos de arrastre,
deriva8 o de interaccin de RF, a las porciones intermedias entre las cavidades.
La porcin principal del tubo la constituye un cierto nmero de cavidades resonantes, tres en
la figura, de las que una es la cavidad de entrada a la que se aplica la seal de RF y otra, la de
salida, de la que se extrae la seal amplificada. Entre stas pueden localizarse una o ms ca-
vidades intermedias, todas ellas interconectadas por secciones de tubo metlico designadas
como tubos de arrastre. Las cavidades resonantes se disean de forma que no propaguen
energa electromagntica a la frecuencia de funcionamiento del tubo, con lo que se consigue
un gran aislamiento entre las cavidades de entrada y salida sin recurrir al empleo de atenua-
dores en el interior del klystron, caracterstica muy importante y deseable en los amplifica-
dores de alta potencia.
En el can electrnico se origina un haz de electrones, que es acelerado a travs de un alto

voltaje aplicado al nodo y que luego pasa a travs de los tubos de arrastre, frente a las cavi-
dades, hasta impactar en el colector. El cuerpo principal del tubo, incluyendo el colector, se
mantiene generalmente a potencial de tierra, en tanto que al ctodo y electrodos de enfoque
del haz que constituyen el can electrnico, se les aplica un potencial negativo elevado, del
orden de -20 a -30 KV.
8 Drift
Cavidad Imanes de
intermedi confinamiento del
Cavidad de entrada a hazelectrnico
Cavidad
de
Can electrnico salida
Colector
Haz Electrnico Tubo de arrastre
Ctodo Anodo
+ Seal
de Seal
entrada de
salida
Fig. 37. Esquema de un klystron de tres cavidades
En la cercana del ctodo, un sistema de enfoque electrosttico confina el haz y lo dirige hacia
el interior del primer tubo de arrastre. Para mantener el confinamiento del haz en el interior
del tubo de arrastre y evitar que se disperse hacia las paredes, se aplica un campo magntico
axial. En un procedimiento de colimacin, designado como enfoque de Brillouin, el confi-
namiento del haz se consigue hacindolo pasar a travs de una placa magntica, que acta
como pantalla de blindaje contra el campo magntico externo y evita sus efectos en la regin
del can electrnico. La componente del campo magntico transversal en la abertura de la
placa de Brillouin proporciona al haz electrnico un movimiento de rotacin sobre su eje,
que al interactuar con el campo magntico longitudinal (axial) a lo largo deltubo de arrastre,
produce una fuerza centrpeta sobre los electrones del haz, en direccin al eje del tubo que,
mediante el ajuste adecuado de la intensidad del campo magntico axial, acta anulando a la
fuerza centrfuga debida a la repulsin producida por la carga de espacio en el haz electrni-
co. Con este mtodo, empleado tambin en aceleradores de partculas, es posible confinar el
haz electrnico a lo largo de trayectos grandes con mnima intercepcin de los electrones del
haz por las paredes del tubo. En los klystrons prcticos esta intercepcin representa menos
del 1% del haz electrnico. El nodo colector tiene, por lo general, forma escalonada o denta-
da, para aumentar el rea de disipacin trmica y reducir, adems, la posibilidad de que los
electrones secundarios producidos por el impacto del haz electrnico sobre el nodo, regre-
sen al interior del tubo de arrastre. La alimentacin y extraccin de las seales en las cavida-
des puede hacerse mediante lneas coaxiales terminadas en lazos acoplados o bien con guas
de onda. En la figura 18 se ilustra, con algo ms de detalle la estructura interna de un klys-
tron de tres cavidades.
En los klystrons de cavidades mltiples o multicavidad, el haz electrnico es largo y requiere

ser enfocado o confinado para que mantenga una seccin transversal pequea a lo largo del
tubo. En tubos pequeos, o en los que es importante la influencia de campos magnticos pa-
rsitos o en que se requiere bajo peso, se utilizan lentes electrostticas, pero en la mayora de
los klystrons se emplea un campo magntico uniforme, paralelo al haz electrnico. En tubos
de alta potencia (>5 KW), los tubos se insertan en el interior de electroimanes toroidales para
confinar el haz electrnico en el centro del tubo. En la figura 38(a) se muestra un klystron de
cuatro cavidades. Las cavidades en este tipo de tubo no son internas, sino que se acoplan
externamente, como puede apreciarse en la figura 38(b). Las zonas de acoplamiento de las
cavidades corresponden a las porciones blancas del tubo, en tanto que las secciones metlicas
entre las cavidades corresponden a los tubos de arrastre.
(a) (b)
Fig. 38. (a) Klystron de cuatro cavidades. La parte inferior corresponde al ctodo y lasuperior al colec-
tor. (b) Klystron de cuatro cavidades, montado en el carro para su instalacin en el transmisor.
Se aprecian las cavidades externas y las bobinas de confinamiento del haz, localizadas entre las cavi-
dades. En la parte superior se tiene el colector y el boiler o caldera para el enfriamiento del tubo.
(Fotografas cortesa de English Electric Valve Co. Ltd.)
Con el fin de dar una idea de las dimensiones de los klystrons, en la figura 39 se muestra un
klystron del tipo utilizado en aceleradores de partculas, capaz de entregar potencias pulsan-
tes del orden de megawatts. El cilindro metlico en la parte superior es el caldern para en-
friar el colector con vapor.
Fig. 39. Klystron utilizado en aceleradores de partculas

Foto cortesa de Marconi Applied Technologies
El haz electrnico que emerge del can, alcanza una gran velocidad como consecuencia de
la elevada diferencia de potencial entre ctodo y nodo. En la primera regin del tubo de
arrastre, entre el ctodo y la primera cavidad, slo acta el campo elctrico uniforme debido
a esta diferencia de potencial, por lo que los electrones en esa regin tienen la misma veloci-
dad. En la regin del tubo de arrastre frente a la cavidad de entrada, a la que se aplica la se-
al de RF, el campo elctrico es variable e interacciona con el haz electrnico, acelerando o
frenando a los electrones que entran a esa regin con densidad y velocidad uniformes. Por
consecuencia, los electrones que emergen de esa regin tendrn diferentes velocidades y
formarn grupos. Este proceso, que se repite en la regin de la cavidad intermedia de la figu-
ra 5.20, se designa como modulacin de velocidad. La modulacin de velocidad en las cavida-
des da lugar, despus de un recorrido suficiente por las secciones del tubo de arrastre libres
de campo variable, a modulacin de densidad del haz.
Un aspecto importante de este proceso es que, si el voltaje de excitacin es suficientemente

grande como para superar las fuerzas debidas a la carga de espacio, los electrones acelerados
pueden adelantar a los retrasados a lo largo de las secciones del tubo de arrastre, a una dis-
tancia que se designa como distancia de cruce. Cuando esto ocurre, la corriente comienza a
tener un contenido apreciable de armnicos y se ha encontrado9 que el valor ptimo de la
componente fundamental ocurre a 1.84 veces la distancia de cruce.
Los armnicos de la corriente son sorprendentemente grandes y alcanzan valores mximos a

distancias ligeramente inferiores del parmetro de agrupamiento, que corresponden a dis-
9 Davis, D.C. Vacuum Tubes. Cap. 9 de Electronics Designers Handbook. Ed. L. J. Giacoletto. McGraw Hill Book Co. 1977
tancias de arrastre ms cortas, o a valores de excitacin menores que los de la distancia pti-
ma de la fundamental.
Extraccin de la energa. La energa se extrae en el espacio (gap) de la ltima cavidad y pue-

de explicarse por el hecho de que en el klystron, el campo elctrico axial de la cavidad de
salida est sometido a la accin de una serie de grupos de electrones que llegan con una fre-
cuencia exactamente igual que la frecuencia de resonancia de la cavidad. Adems, la fase del
voltaje variable de salida es tal que se opone al movimiento de los electrones a travs del gap,
lo que significa que el campo es desacelerador, alcanzando un valor mximo cuando un gru-
po de electrones pasa a travs del gap. Medio ciclo despus, el campo proporciona mxima
aceleracin a los electrones, pero puesto que el haz est formado por grupos peridicos, se
aceleran menos electrones de los que son frenados y, por consecuencia, hay un flujo neto de
potencia del haz hacia el campo de la cavidad. Esta energa, que puede extraerse mediante
un lazo o espira acoplada, o bien a travs de una abertura (iris) seguida de una gua de onda,
constituye la potencia til de salida del tubo. La corriente efectiva inducida en la cavidad de
salida es casi igual a la componente de la fundamental de la corriente del haz.
En klystrons de dos cavidades, en que a la primera se aplica la seal de entrada y se extrae en

la segunda, la ganancia de potencia producida por la interaccin entre el haz electrnico y las
cavidades es de aproximadamente 10 dB. Cada cavidad intermedia adicional sintonizada a la
frecuencia de la seal, aumenta la ganancia del klystron del orden de 20 dB10. Estas cavida-
des intermedias no estn acopladas externamente entre s y son excitadas por el haz de co-
rriente de RF que, a su vez, remodula la velocidad del haz. En klystrons de cuatro cavidades
pueden conseguirse ganancias de potencia hasta de 60 dB. Para lograr anchos de banda
grandes, como en el caso de televisin, algunas de las cavidades estn desintonizadas lige-
ramente en forma escalonada. En estas condiciones, el aumento en la ganancia se logra a ex-
pensas de reducir la ganancia.
Para aumentar la eficiencia de funcionamiento del klystron de dos cavidades, es necesario

agregar ms cavidades y, adems, desintonizar la penltima cavidad, de modo que su fre-
cuencia de resonancia sea mayor que la de funcionamiento, es decir, sintonizar la cavidad del
lado alto de la banda.. Esto tiene como consecuencia una moderada reduccin en la ganancia,
pero mejora considerablemente la eficiencia.
11. Klystron de colector escalonado11
Una de las desventajas del klystron convencional es que el haz electrnico de alta veloci-
dad, al impactar en el colector disipa una gran cantidad de energa que se pierde en forma de
calor. Esto da como resultado una eficiencia relativamente baja y, por otra parte, obliga a
extraer rpidamente el calor generado en el colector. Con el fin de reducir este problema y
aumentar la eficiencia del tubo, se desarroll el klystron de colector escalonado, en que el
colector en lugar de formar un cuerpo nico, se constituye por varias estructuras anulares,
10 Nelson, Richard, B. Klystrons. en Electronics Engineers Handbook. D. G. Fink y D. Christiansen, Editores. McGraw Hill Book
Co. 1982.
11 El trmino en ingls es depressed collector klystron
aisladas entre s, a las que se aplican voltajes escalonados crecientes negativamente, como se
ilustra en la figura 40.
Fig. 40. Klystron de colector escalonado.

(Fuente: M. Skolnik. Radar Handbook, 2nd Ed. McGraw-Hill, 1990)
Los electrones ms lentos son capturados por el anillo colector ms cercano al cuerpo del
tubo, cuyo potencial es mximo respecto al ctodo, en tanto que los electrones ms rpidos
son frenados por los voltajes escalonados de los anillos colectores siguientes e impactan en
estos, de modo que los que llegan a la porcin final del colector lo hacen con, relativamente,
baja velocidad. Como resultado de esta accin, la energa disipada en el colector es menor
que en un klystron convencional y, por consecuencia, la eficiencia es mayor. Sin embargo
una desventaja de los klystrons de colector escalonado es la posibilidad de que ocurran arcos
entre los anillos del colector, que deben estar aislados entre s, a poca distancia entre ellos y
con diferencias de potencial muy grandes. Esta situacin puede darse tambin en la regin
entre el nodo y el ctodo no slo en este tipo de klystrons, sino tambin en los klystrons
convencionales. La consecuencia de estos arcos puede dar lugar a la destruccin del tubo, en
el sentido de que quede intil para su funcin. La destruccin no tiene que ser necesariamen-
te por implosin o fusin de los materiales del tubo, ya que basta nicamente que ocurra una
pequea perforacin en el metal o la cermica del cuerpo del tubo para que ste pierda el
vaco y quede intil.
Dado que el costo de los klystrons y otros tubos de potencia como los diacrodos y los IOTs es
elevado, los fabricantes suelen garantizarlas por un mnimo de horas de funcionamiento,
generalmente superior a 20,000, siempre que la manipulacin de la vlvula y sus parmetros
de funcionamiento cumplan con las normas y valores especificados por el fabricante que en
tales condiciones, suele garantizar la reposicin del tubo. La destruccin de un tubo por per-
foracin del cuerpo cermico o deterioro de los sellos cermica-metal, en general no sera
imputable a un posible mal ajuste de los parmetros de funcionamiento (corrientes y voltajes
de los electrodos), sino que muy probablemente sera causada por deficiencias estructurales
en el propio tubo, bien sea por pequeos defectos en el material cermico o en los sellos ce-
rmica metal durante el proceso de fabricacin. En cualquier caso la probabilidad de ocu-
rrencia de este tipo de problemas es muy baja.
12. Figura de Mrito12
El concepto de figura de mrito se usa principalmente en las vlvulas de haz electrnico como
el klystron y el IOT y no debe confundirse con el eficiencia, aplicable con mayor frecuencia a
las vlvulas de rejilla (trodos y tetrodos). La eficiencia de un amplificador se define como la
relacin entre la potencia til de RF a la salida del amplificador, entre la potencia suminis-
trada por la fuente de alimentacin. Definida en esta forma, la eficiencia siempre es menor
que 1, ya que no toda la energa de c.c. suministrada por la fuente se convierte en energa til
de seal. Siempre hay prdidas por calentamiento. Por potencia til de seal se puede en-
tender la potencia pico o la potencia efectiva o potencia promedio. Por lo general, se define en tr-
minos de la potencia promedio.
En los tubos de haz electrnico, como los klystrons y los IOTs, se prefiere definir una figura
de mrito como :
PPK
FOM = 100% (9)
PAV
Donde PPK es la potencia pico de la seal entregada a la salida y PAV es la potencia promedio
del haz electrnico. De acuerdo a esta definicin no es extrao obtener figuras de mrito su-
periores al 100%, lo que no significa que el amplificador est generando ms potencia que la
que le suministra la fuente de alimentacin. Podra decirse que la figura de mrito da una
medida de la bondad del amplificador para generar potencia til de seal, en tanto que la
eficiencia da una medida de la energa que se pierde en el amplificador en forma de calor.
13. Tubos de salida inductiva (IOT)
En el tubo de salida inductiva se combinan caractersticas de los tubos de rejilla como el tro-
do o el tetrodo y de los tubos de haz electrnico modulado como el klystron. El IOT fue con-
cebido por Andrew Haeff13 en 1939 para aplicaciones en radar, poco despus de la invencin
del klystron. La RCA fabric alguno en 1940 pero no tuvo mayor aplicacin ni desarrollo. En
la poca de la Segunda Guerra Mundial y aos posteriores los esfuerzos encaminados al de-
sarrollo de dispositivos electrnicos de alta frecuencia se centraron casi exclusivamente hacia
los tubos de haces electrnicos modulados en velocidad como el klystron y el tubo de onda
12 El trmino correcto en espaol es cifra de mrito, sin embargo, el uso comn ha hecho que se traduzca el trmino en ingls
figure, que siginifica tanto cifra como figura, aqu hemos preferido seguir el uso comn.
13 Haeff, A. V. "A UHF power amplifier of novel design. Electronics. p. 30-32, February 1939
progresiva14 (TWT). La idea concebida por Haeff qued prcticamente olvidada hasta finales
de la dcada de 1980.
Hasta mediados de la dcada de 1960 en los amplificadores de potencia de los transmisores

de televisin, prcticamente slo se empleaban tetrodos capaces de entregar potencias hasta
de algo ms de 10 KW. Los tetrodos son eficientes y fiables, aunque su vida til no suele ex-
ceder las 20000 horas. Los klystrons, por otra parte, se venan utilizando en radares, acelera-
dores de partculas y sistemas de comunicaciones troposfricas en la banda de UHF (0.3 a 3
GHz) y SHF (3 a 30 GHz). A finales de los sesentas, con el aumento de las transmisiones de
televisin en la banda de UHF, comenzaron a utilizarse klystrons como amplificadores de
potencia, con resultados bastante satisfactorios. La ganancia de un klystron es superior a la
de un tetrodo y su vida til, mayor. En esa poca la eficiencia, aunque un factor importante,
no lo era tanto como ahora, ya que el costo de la energa elctrica, aunque nada despreciable,
era bastante inferior al actual.
La escalada de los conflictos blicos en Oriente Medio a lo largo de la dcada 1970-80 dio
lugar a un considerable aumento de los precios del combustible y, por consecuencia, de la
energa elctrica, de modo que el costo por el consumo de sta en los transmisores de alta
potencia aument tambin y, en buena medida, fue la causa de acelerar la bsqueda de me-
joras en los dispositivos amplificadores de potencia para aumentar su eficiencia y su vida
media til. Los klystrons haban demostrado ser dispositivos fiables y muy estables en su
funcionamiento, pero su eficiencia es relativamente baja, por lo general inferior al 40%, de
modo que se trabaj intensamente en desarrollar klystrons ms eficientes, dando lugar a dos
tendencias principales: el desarrollo del klystron de colector escalonado, ya mencionado en
la seccin 5.7 y el funcionamiento pulsante.
La causa principal de la, relativamente baja eficiencia del klystron, es que el haz electrnico,
acelerado a gran velocidad a lo largo de la regin de arrastre del tubo, se estrella ntegramen-
te en el colector, perdiendo por completo su energa en forma de calor. Si el haz electrnico
puede reducirse durante ciertos intervalos de la seal, o bien frenarse, de modo que se re-
duzca la energa cintica del haz electrnico, se perder menos energa en el impacto y, por
consecuencia se conseguir aumentar la eficiencia. Durante bastantes aos los klystrons se
hacan funcionar al mximo de la corriente del haz, es decir, a saturacin. En modo pulsante,
la corriente del haz es mxima en el pico de los pulsos de sincronismo y se reduce durante la
seal de vdeo, con lo que se llegan a obtener cifras de mrito del orden de 77%15. Esta forma
de funcionamiento pulsado se consigue agregando un electrodo de control del haz en la re-
gin del can electrnico, de modo que la corriente del haz puede pulsarse entre dos valo-
res, uno mximo en los picos de sincronismo y otro menor, durante el perodo de la lnea de
vdeo. Este modo de funcionamiento introdujo complejidades adicionales en el diseo de los
transmisores que, si bien ms eficientes, resultaron ms caros y, adems, requeran de ajustes
ms complicados para lograr el mximo rendimiento y un funcionamiento estable a largo
plazo.
14 Pierce, J.R. and Field, L.M. Traveling-wave tubes. Proc. IRE, vol. 35, p. 108. Feb. 1947.
15 Engineering Handbook. 8th Ed. National Association of Broadcasters. Washington, 1992.
Tambin en esa poca creci la fabricacin de transmisores con amplificadores de potencia

de estado slido. Sin embargo, en tanto que los amplificadores de estado slido cumplen las
necesidades de los transmisores para potencias hasta de unos 30 KW en el modo analgico y
unos 4 KW promedio en digital, no pueden utilizarse a potencias mayores ya que su eficien-
cia es menor y su costo mayor que el de los dispositivos de vaco16.
Otro tubo que se desarroll en esa poca fue el klystrodo, nombre registrado por la empresa
Eimac que, de manera similar al IOT combina tecnoclogas del klystron y del tetrodo, de ah
su nombre, por lo que hablar de klystrodo o de IOT tiene prcticamente el mismo significa-
do. En la figura 41 se muestran un IOT fabricado por English Electric Valve y un klystrodo
de Eimac Division, CPI Inc.
(a) IOT (b) Klystrodo
Fig. 41. IOT y Klystrodo.
14. Principio de funcionamiento del IOT17.
Como ya se mencion, el IOT combina varios aspectos de la tecnologa del tetrodo y del klys-
tron para dar lugar a un amplificador de alta eficiencia, compacto y con un rango de frecuen-
cias que cubre prcticamente en su totalidad la banda de UHF. La principal diferencia entre
el funcionamiento de un klystron y un IOT es el mtodo utilizado para conseguir los agru-
pamientos de los electrones del haz. En un klystron el haz electrnico se modula en veloci-
dad a partir de la cavidad de entrada de RF y se tiene despus un espacio de arrastre en el
que los electrones ms rpidos alcanzan a los ms lentos formando grupos, con lo que el haz
resulta modulado en densidad. En el IOT el proceso es diferente. La seal de entrada de RF
se aplica entre una reja cercana al ctodo y ste, con lo que se produce un haz electrnico
16 Bel, C. UHF TV transmission using IOT amplifiers. Broadcast Engineering, 18 January 2005.
17 Heppinstall, R. and Cayworth, G. T. "The Inductive Output Tube - a Modern UHF Amplifier for Terrestrial Television Trans-
mitter. GEC Review. Vol. 13, N 2. pp. 76-85, 1998.
modulado directamente en densidad en la regin del propio can electrnico, como se ve

en el esquema de la figura 42.
Filamento calefactor
Entrada de RF
del excitador
Choke de RF
Ctodo (-30 KV)
Placa para ajuste Placa para ajuste

de sintona de Reja de control de sintona de la
la cavidad (-30 KV) cavidad
Cavidad de entrada
Cavidad de entrada
Choke de RF Anodo
(conectado a tierra)
Haz electrnico
hacia el colector
Fig. 42. Esquema de la regin del can electrnico de un IOT
El tubo de salida inductiva est formado por un can electrnico que contiene un ctodo
emisor de electrones y una reja de control, ambos de forma semiesfrica. Esta geometra pro-
picia la conformacin de los electrones emitidos en un haz incipiente que se ve modulado en
densidad por el voltaje de RF inducido entre la reja y el ctodo mediante una cavidad de
entrada externa al tubo. El haz as producido se enfoca y confina mediante un campo magn-
tico generado por bobinas de enfoque, tambin externas al tubo. El haz modulado por la se-
al de RF es acelerado hacia el colector del tubo y, a su paso por la cavidad resonante de sa-
lida, cede a sta parte de su energa que pasa de la cavidad al circuito de salida del transmi-
sor. El IOT combina la elevada eficiencia del tetrodo con la elevada capacidad de potencia,
larga vida til y fiabilidad del klystron.
Se aplica un voltaje fijo del orden de -80 V a la reja con respecto al ctodo, de modo que en
ausencia de seal fluye una corriente hacia el nodo de alrededor de 500 mA. El ctodo, de
manera semejante al klystron, se mantiene a un potencial negativo del orden de -30 KV, con
lo que el haz electrnico modulado en densidad es acelerado a travs de una abertura en un
nodo situado en el propio can electrnico y conectado a potencial de tierra, hacia la sec-
cin de salida en que se extrae la potencia mediante una cavidad resonante externa, similar a
la usada en el klystron, excepto que en el IOT se utiliza una cavidad de doble sintona para
conseguir el ancho de banda requerido por un canal de televisin. Finalmente, la energa
restante en el haz electrnico se disipa en un colector de cobre de diseo tradicional, que
puede ser enfriado por aire o agua, dependiendo del nivel de potencia de que se trate. La
estructura interna del IOT se aprecia mejor en la figura 43.
Circuito de
enfriamiento
del colector
Colector
Espacio al vaco
en el interior del
colector
Circuito de
enfriamiento
del cuerpo
del tubo
Tubo de arrastre
Anodo
Can electrnico
Fig. 43. Estructura interna del IOT.
Can electrnico.
Estructuralmente, el can electrnico del IOT es similar al del klystron y continene un cto-
do cncavo, semiesfrico de tungsteno como se muestra en la figura 44. Este tipo ctodo se
designa como dispensador o distribuidor en el sentido de que, por su geometra, la emi-
sin electrnica se orienta hacia el centro del tubo, facilitando as la conformacin del haz
electrnico.
Fig. 44. Estructura del ctodo de un IOT.
La reja de control es de grafito piroltico, una forma de carbn fabricada por descomposicin
de un hidrocarburo gaseoso a muy alta temperatura en un horno al vaco lo que da lugar a
un producto muy puro con un coeficiente de expansin trmica prcticamente nulo18,19 de

elevada conductividad y gran resistencia mecnica, lo que lo hace ideal para esta aplicacin.
La reja es de la misma geometra que el ctodo, es decir, semiesfrica y muy cercana a ste,
situada con gran precisin a una distancia del orden de unas milsimas de pulgada y sopor-
tada por una estructura cilndrica metlica, aislada del ctodo por un aislador de cermica
que tambin forma parte del cuerpo del tubo. La estructura de la reja se ilustra en la figura
45.
Fig. 45, Estructura de la reja de control de un IOT.
Es a travs de la cermica aislante entre reja y ctodo por donde se acopla al tubo la energa
de RF del circuito de entrada para aplicar el voltaje de RF a la reja. Este voltaje inducido entre
reja y ctodo modula la densidad del haz electrnico, cuya seccin transversal es de pequeo
dimetro a consecuencia del campo magntico de confinamiento producido por las bobinas
externas. El haz as formado es relativamente hueco ya que los electrones se concentran ms
en la periferia que en el centro, como resultado natural de los campos electrostticos que con-
forman el haz. Esto se ilustra en la figura 46.
Trayectoria helicoidal
de los electrones
Lneas de flujo
La fuerza sobre los

electrones se dirige
radialmente hacia el
centro
Fig. 46. Conformacin del haz electrnico.
Un segundo aislador de cermica soporta todo el can electrnico a la distancia correcta del
nodo aterrizado. La diferencia de potencial entre el nodo y el ctodo es del orden de 30 KV
o superior. El espacio entre reja y ctodo del can electrnico forma la parte final de una
18 http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005).

19 http://www-edd.tw.1-3com.com/edd/html/news/news_pyrolytyc.htm. (31 enero 2005).
lnea de transmisin compleja desde el conector de entrada de RF al sistema de la cavidad de

entrada. La estructura del can electrnico se ilustra esquemticamente en la figura 46.
15. Circuito de entrada del IOT.
El circuito de entrada del IOT consiste de la cavidad de entrada, externa al cuerpo del tubo y
del can electrnico, en el interior del tubo. La seal de RF se aplica a la cavidad de entrada
mediante una espira abierta, como se aprecia en la figura 41. En el interior de la cavidad de
entrada se encuentra una paleta mvil y, en su parte superior un stub en corto circuito para
ajustar la impedancia de entrada a resonancia a la frecuencia deseada. El campo generado
por la seal en la cavidad de entrada induce un voltaje entre la reja y el ctodo del tubo, que
causa la modulacin en densidad del haz electrnico. La principal diferencia entre el IOT y el
klystron reside en que en este timo no hay reja de control, de modo que el campo generado
en la cavidad de entrada modula al haz en velocidad, no en densidad. La reja de control es la
caracterstica comn entre el IOT y el tetrodo.
Piezas polares
Electrodos de enfoque
Lneas del campo

magntico
Ctodo
Haz electrnico
Reja Tubo de arrastre
Anodo
Bobina magntica
Fig. 46. Estructura esquemtica del can electrnico de un IOT.
En los klystrons generalmente se utilizan cavidades resonantes externas al cuerpo del tubo,
por lo general, partidas para permitir su colocacin alrededor de ste y atornillarse luego
para formar un solo cuerpo. La cavidad ms cercana al ctodo es la cavidad de entrada. Cada
una de las mitades de la cavidad tiene en su interior placas o puertas deslizantes a fin de
ajustarlas para conseguir la sintona deseada. En el IOT se emplea una estructura similar, con
una diferencia, ya que la pared interior de la cavidad tiene que conectarse entre el ctodo y la
reja, dos electrodos que se mantienen a un potencial altamente negativo, en tanto que la pa-
red exterior de la cavidad debe conectarse a tierra. Por esta razn en la cavidad es necesario
incorporar chokes de RF entre sus partes externa e interna, como se ve en la figura 5.25, con
el fin de por una parte, proporcionar el aislamiento necesario entre las dos partes y, por otra
impedir fugas de corriente de RF manteniendo al mismo tiempo todo el voltaje del haz elec-
trnico. Esta condicin impone requisitos muy severos para la eleccin de los materiales ais-
lantes de los chokes, que deben proporcionar un aislamiento total a la corriente continua en
las condiciones de humedad y temperatura que prevalecen en el ambiente del transmisor.
16. Consideraciones sobre el funcionamiento del ctodo.
A fin de conseguir la mxima emisin termoinica del ctodo, a una temperatura de aproxi-
madamente 1100C, el ctodo del IOT est constituido por una base de tungsteno puro, relle-
no de xidos de bario, calcio y aluminio, reforzado por una fina pelcula de unos centenares
de angstroms (10-10m) de espesor, que contiene osmio, iridio y renio, lo que da como resulta-
do una funcin de trabajo muy pequea. La emisividad trmica del ctodo es, por conse-
cuencia, muy elevada.
Para cualquier tubo termoinico, la vida til depende principalmente de la capacidad de

emisin del ctodo. Si la temperatura de funcionamiento del ctodo es muy elevada, se pro-
duce evaporacin de los materiales emisores de su superficie, con abundante produccin de
iones que deterioran el funcionamiento y reducen considerablemente su vida til. Si hay
evaporacin, parte del material evaporado se puede depositar en la reja, dando lugar a emi-
sin secundaria y a emisin por campo que puede causar el desbocamiento incontrolado de
la corriente del haz. Los vapores tambin pueden depositarse en la pared interior de cermi-
ca que asla al can electrnico del nodo, reduciendo el voltaje de ruptura, con el riesgo
potencial de la formacin de arcos internos entre reja y nodo que pueden inutilizar el tubo.
En el aire, o en un vaco pobre, los electrones slo pueden viajar distancias muy cortas antes
de recombinarse o chocar con otras partculas en el medio. En los tubos de vaco y, en parti-
cular en klystrons e IOTs, los electrones deben viajar distancias considerables sin que ocu-
rran colisiones significativas con otras partculas, por lo que se requiere un alto vaco en el
interior del tubo. Si el vaco es pobre, o si se produce un arco, se producen tambin iones que
por la polarizacin del ctodo, impactan en ste, reduciendo su capacidad de emisin o da-
ndolo definitivamente. Para evitar o reducir al mximo esta situacin, se utilizan circuitos
de proteccin que cortan el funcionamiento del IOT para evitar daos mayores. Una de las
rutinas importantes en el mantenimiento preventivo de los amplificadores de potencia con
IOTs y klystrons es la comprobacin y calibracin peridica de estos circuitos de proteccin.
Papel del nodo.
En los tubos de haz como el klystron y el IOT el nodo no tiene la misma funcin que la pla-
ca en los tubos de rejilla, en la que acaban todos los electrones procedentes del ctodo. En
estos tubos de haz, el nodo acta slo como un acelerador de los electrones emitidos por el
ctodo, confinado en un haz de pequea seccin transversal, en parte por la geometra del
ctodo o del can electrnico y principalmente por el campo magntico producido exter-
namente por las bobinas de enfoque. El nodo, bien sea de forma cilndrica o cnica, hueco
en el centro, acelera a los electrones prcticamente sin atraerlos ni dispersar el haz.
La corriente del haz modulado en densidad se acelera, en la regin entre el can electrnico
y el nodo, desde una energa de unos pocos electrn-volts hasta una energa total de dece-
nas de miles de eV, alcanzando una velocidad de alrededor de 1/3 de la velocidad de la luz
en el corto espacio entre reja y nodo. En estas condiciones la energa del haz es considera-
blemente mayor que la energa requerida para modular el haz en la reja de control,del orden
de 26 dB o ms. La energa cintica y la velocidad de cada electrn en el haz es bsicamente
la misma mientras el haz est en la zona de arrastre del nodo, pero la densidad del haz va-
ra segn la modulacin a que fue sometido por la reja de control. El haz, acelerado a gran
velocidad pasa a travs del interior hueco del nodo hacia el tubo de arrastre a la salida, en
direccin al colector. La resistencia efectiva del haz, o perveancia20 cambia con la modulacin
y durante el ciclo de RF, ya que el haz siempre est acelerado al mismo potencia de c.c.
Cavidad de salida.
La energa del haz se extrae en la abertura o ventana (gap) de salida, que es donde los elec-
trones agrupados del haz salen del tubo de arrastre hacia el colector. La ventana de salida se
localiza cerca de la parte superior central de la cavidad primaria de salida. El haz electrnico
transfiera una parte considerable de su energa a esta cavidad resonante, en forma de campo
electromagntico. El trabajo realizado en esta transferencia de energa reduce la energa cin-
tica del haz y el voltaje presente en el espacio de la ventana de salida es funcin de la poten-
cia almacenada en la cavidad y de la resistencia relativa de la ventana que, a su vez de-
pende de la sintona de la vidad y de la potencia del haz. A potencias elevadas, la resistencia
de la ventana es menor y tambin disminuye con el ancho de banda.
Un requisito importante en los tubos que emplean cavidades resonantes es conseguir en ellas
el ancho de banda necesario, en este caso de 8 MHz para la seal analgica PAL o la digital
DVB-T o bien de 6 MHz para seales NTSC o DTV. En el klystron, las cavidades se sintoni-
zan de forma escalonada cuyo principio se ilustra en la figura 47.
Respuesta del conjunto

de cavidades
Respuesta individual
de cada cavidad
f1 f2 f3 Frecuencia
Ancho de banda
del conjunto
Fig. 47. Principio de la sintona escalonada
Cada cavidad se sintoniza a una frecuencia ligeramente distinta a la otras cavidades, con lo
que se consigue una respuesta prcticamente plana en la banda de paso. En el klystron esto
es relativamente simple, ya que se tienen tres o cuatro cavidades, pero no lo es en el IOT en
que no hay cavidades intermedias entre la de entrada y la de salida. Para evitar este proble-
ma en el IOT se utiliza una cavidad de salida doblemente sintonizada. Esta cavidad est for-
20La perveancia se define como la corriente de ctodo, limitada por la carga de espacio, dividida por el voltaje del
nodo elevado a la potencia 3/2.
mada, de hecho, por dos cavidades convencionales, dispuestas ortogonalmente, como se

puede apreciar en la figura 48. La primera de estas dos cavidades se designa como cavidad
primaria y est fija alrededor del cuerpo del tubo. Contiene una espira mediante la que se
puede ajustar el acoplamiento de RF a la segunda cavidad mediante una lnea de transmisin
corta a travs de un iris y una paleta. La segunda cavidad contiene una estructura en forma
de domo cuyas dimensiones son tales que permite cubrir la banda de frecuencias requerida.
Un acoplador de salida, similar al utilizado en los klystrons conecta la cavidad al circuito de
salida. Las paredes, tanto de la cavidad primaria como de la secundaria, son mviles para
permitir su ajuste a resonancia a la frecuencia deseada en la banda de UHF. El ancho de ban-
da del sistema se ajusta mediante la posicin de la paleta en el iris, que puede moverse de 0 a
180 grados, correspondientes a los anchos de banda mnimo y mximo. La energa de salida
se extrae mediante una sonda coaxial localizada a la salida de la cavidad secundaria. Me-
diante el ajuste de la sonda se controla el acoplamiento a la carga de la cavidad de salida
Lazo de acoplamiento
de salida
Manivela para
ajuste de sintona
de la cavidad
de salida
Bobina de enfoque Cavidad primaria
de salida
Circuito de enfriamiento
Acoplamiento
para la cavidad de salida
de banda ancha
y el can electrnico
Cavidad secundaria
Cavidad de entrada de salida
Parte de la cavidad
de entrada de pequeo
dimetro
Stub de ajuste para
Excitador de la seal de entrada
estado slido
Carro de
soporte
Fig. 48. Montaje completo del IOT en carro transportable

para facilitar su montaje en el transmisor.
Sintona.
La sintona es el proceso de ajuste de las cavidades de entrada y salida para conseguir la co-
rrecta respuesta en frecuencia en el ancho de banda del canal. En la cavidad de entrada no se
puede ajustar la sintona, que se consigue simplemente buscando la mxima corriente del
haz y la mnima potencia reflejada a la salida del excitador. Para obtener el mejor rendimien-
to a una potencia de salida, eficiencia y condiciones de linealidad dadas, deben ajustarse ade-
cuadamente la sintona de la cavidad de salida, el punto de funcionamiento (voltaje de pola-
rizacin de la reja) y el voltaje del haz.
El ancho de banda de salida controla la impedancia que presenta la cavidad de salida al haz
electrnico. Bsicamente, la reduccin del ancho de banda aumenta la impedancia. La mejor
eficiencia a cualquier nivel de potencia se consigue cuando la impedancia presentada por la

cavidad al haz est acoplada a la impedancia del haz. Sin embargo, el ajuste ideal a potencias
bajas, no es bueno a potencias altas. Cuando se cambia el ajuste potencia es necesario retocar
el ajuste de los circuitos tanto de entrada como de salida. A plena potencia, los mejores resul-
tados por lo general se obtienen cuando el ancho de banda se ajusta a 8 MHz a -0.5 dB del
mximo con un rizado no superior a 0.25 dB. El funcionamiento a potencias bajas puede re-
querir la disminucin de la corriente de ctodo, reduccin del alto voltaje del haz, reduccin
del ancho de banda de salida y ajuste de la corriente de polarizacin de reja, para conseguir
la linealidad necesaria.
17. IOT de colector escalonado
Con el fin de aumentar an ms la eficiencia de los IOTs, en los ltimos aos se han desarro-
llado tubos de salida inductiva de colector escalonado, con la misma filosofa ya utilizada en
klystrons de este tipo (seccin 12), de la forma que se ilustra en la figura 49. Este tipo de IOT
se designa como MSDC IOT (Multiple Stage Depressed Collector IOT).
Colector 1 Colector 3
Tubo de
Anodo arrastre Tubo de salida
Ctodo
Electrodo de Ventana
enfoque cermica
Piezas polares
Fundas de Colector 2
refrigeracin
Fig. 49. IOT de colector escalonado en que se muestran las trayectorias electrnicas
En un IOT de un solo colector, la energa cedida por el haz a la cavidad de salida se sita
entre un 30 y un 50% de la energa total del haz. Por consecuencia la energa perdida en for-
ma de calor en el colector puede llegar a un 70% o ms de la energa total del haz. Esta situa-
cin, aunque considerablemente mejor que en el caso de los klystrons, representa una parte
importante de la energa suministrada al transmisor, que no slo no se aprovecha, sino que
es necesario disiparla mediante un sistema de enfriamiento e incide tambin en el costo total
del sistema transmisor.
El empleo de un colector escalonado, en lugar de un colector nico permite mejorar la efi-

ciencia del transmisor reduciendo el costo de operacin. Por otra parte, el costo de un MSDC
IOT es mayor que el de un IOT de colector simple. An as, la reduccin en el costo de ope-
racin en transmisores de alta potencia hace atractivo el empleo de este tipo de IOT, que se
encuentra an en su etapa inicial.
Al igual que en el klystron de colector escalonado, tratado en la seccin 5.8, en el MSDC IOT,
los electrones del haz son frenados antes de impactar en el colector, permitiendo as recupe-
rar parte de la energa elctrica del haz, en lugar de perderla en forma de calor. El colector se
divide en dos o ms secciones, aisladas entre s, como se aprecia en la figura 5.29, que se po-
larizan a voltajes crecientes, inferiores al voltaje entre ctodo y nodo. Estos voltajes dan lu-
gar a campos equipotenciales en el colector que frenan a los electrones del haz residual. En el
caso ideal, los electrones llegaran con velocidad nula a las secciones respectivas del colector.
El nmero de etapas escalonadas del colector y sus voltajes dependen de la distribucin de
las velocidades electrnicas en el haz. En el IOT, la distribucin de energa de los electrones
en el haz residual es bastante uniforme, principalmente debido a la modulacin en densidad
del haz, en lugar de los agrupamientos a que da la lugar la modulacin de velocidad en el
klystron. El resultado es que la recuperacin de energa resulta algo ms sencilla que en el
klystron y con menos nmero de etapas escalonadas. En estos ltimos aos se han probado
MSDC IOTs con tres a cinco etapas. Un mayor nmero de etapas no produce mejoras apre-
ciables en la eficiencia. Con los IOTs de colector escalonado se han conseguido eficiencias
hasta de un 20% que con los IOTs de colector simple. Una designacin actual para los ampli-
ficadores que emplean MSDC IOTs es la de amplificadores de eficiencia constante o CEA (Cons-
tant Efficiency Amplifier)21, una de cuyas versiones, de colector de cuatro escalones o etapas se
ilustra en la figura 50.
Fig. 50. MSDC IOT de cuatro etapas.
Una de las consecuencias del empleo de IOTs de colector escalonado es una mayor compleji-
dad del sistema de enfriamiento del colector. En los IOTs de colector simple, ste se polariza
al potencial de tierra y puede ser enfriado directamente por agua o una mezcla de agua y
glicol. Los diferentes voltajes aplicados a las diferentes etapas del colector, hacen necesario el
empleo de un material dielctrico para echar fuera el calor generado en ellas, por lo que en
su enfriamiento se emplea aire, agua deionizada o aceite dielctrico.
21 http://www-edd.tw.l-3com.com/sbe.htm
18. Empleo de klystrons e IOTs en transmisin analgica y digital
En televisin digital la seal de entrada al transmisor es nica: un flujo binario continuo que
contiene la informacin de vdeo, audio y datos. En el caso analgico la situacin es diferen-
te, ya que se tienen dos seales distintas, una de vdeo y otra de audio, con diferente tipo de
modulacin y distinto ancho de banda y entre las que la relacin de potencias entregadas a la
salida es de 10:1; es decir, la potencia de audio es la dcima parte de la de vdeo. En el Cap-
tulo 1 se trat de la arquitectura de los transmisores y, en el modo analgico, puede ser de
dos tipos, el primero, de amplificacin separada en que las seales de audio y vdeo utilizan
amplificadores distintos y slo se combinan al final para proporcionar una seal compuesta
y nica, a la antena.
El segundo modo de funcionamiento es en amplificacin comn, en que las seales de audio

y vdeo se combinan a baja potencia a la salida de los respectivos moduladores y luego se
amplifican ambas conjuntamente por los mismos amplificadores hasta la salida del transmi-
sor. En este modo de funcionamiento la linealidad de los amplificadores es de importancia
primordial ya que cualquier no linealidad generar productos indeseables de intermodula-
cin con el consecuente deterioro de la seal, si estos productos ocurren dentro de la banda
de paso, o bien la produccin de seales interferentes sobre otros servicios de comunicacio-
nes si ocurren fuera de la banda de paso y no son filtradas adecuadamente a la salida del
transmisor. El mximo nivel de los productos de intermodulacin no debe ser superior a
unos -55 dB en condiciones de buen funcionamiento. Niveles superiores dan lugar al deterio-
ro inaceptable tanto del audio como del vdeo transmitidos. Por esta razn, en los transmiso-
res es necesario realizar una precorreccin o predistorsin de la seal a la entrada del trans-
misor o a la salida del modulador a fin de compensar y corregir las no linealidades introdu-
cidas en las etapas de amplificacin de potencia. En estas condiciones, las prestaciones de los
klystrons y de los IOTs son diferentes. En los klystrons que funcionen en modo comn es
necesario reducir la potencia unos 4 dB para evitar las no linealidades, lo que reduce su efi-
ciencia y en este modo, no pueden funcionar en modo pulsante.
Los IOT, por otra parte, ofrecen muy buenas caractersticas de linealidad an a niveles altos
de potencia en modo comn, con niveles de intermodulacin que pueden precorregirse con
relativa facilidad. Esta caracterstica de los IOTs ha hecho que en la ltima dcada se hayan
convertido en el dispositivo amplificador preferido en los transmisores de televisin tanto
analgica como digital.
19. Tubos de onda progresiva (TWT22)
El tubo de onda progresiva es, de manera similar al klystron, un tubo de haz lineal que basa
su funcionamiento en la interaccin de un haz electrnico con una onda electromagntica
que viaja a lo largo del tubo. Su estructura se ilustra en la figura 51 y est formado por un
ctodo que produce un haz electrnico que es enfocado por el campo magntico producido
por bobinas externas y que viaja hacia el colector, movidose en el interior de una hlice me-
tlica que se extiende a lo largo del tubo.
22 Traveling Wave Tube.

La hlice acta como una lnea de retardo en que la seal de RF viaja a lo largo del tubo a la
misma velocidad que el haz electrnico como una onda lenta. El campo electromagntico
debido a la corriente en la hlice interacta con el haz electrnico, modulando en velocidad a
los electrones y causando agrupamientos de stos a lo largo del tubo, de manera similar al
klystron. El campo electromagntico debido a la corriente del haz induce a su vez ms co-
rriente en la hlice, de modo que el efecto neto es la amplificacin de sta. La corriente as
amplificada es colectada mediante un acoplador direccional cercano al colector, en el que se
estrella el haz electrnico. Un atenuador, el n 4 en la figura impide que cualquier onda refle-
jada llegue al ctodo.
Los tubos de onda progresiva pueden funcionar en rangos de frecuencia desde unos 300
MHz hasta 50 GHz y manejar anchos de banda hasta de una octava, considerablemente ms
que los klystrons. Su ganancia puede ser hasta del orden de 30 dB hasta 60 dB.
Fig. 51. Tubo de onda progresiva (TWT)

1. Can electrnico. 2. Entrada de RF. 3. Imanes externos. 4. Atenuador.
5. Hlice. 6. Salida de RF. 7. Envolvente del tubo de vaco. 8. Colector
La seal de entrada se aplica mediante un acoplador direccional, que puede ser una gua de
onda o una bobina situada cerca del emisor y que induce corriente en la hlice, como se ilus-
tra en la figura 52, en la que se aprecian tambin el ctodo, el filamento calefactor, la hlice y
los imanes o bobinas para el confinamiento del haz electrnico.
Fig. 52. Seccin del can electrnico y entrada de RF

de un tubo de onda progresiva.
EL circuito de la hlice es de, relativamente, baja impedancia comparado con una cavidad
resonante como las utilizadas en los klystrons. De ah que se puedan conseguir anchos de
banda considerables con este tipo de tubos.
El sistema de enfoque magntico es similar al del klystron, mediante bobinas o imanes exter-
nos al cuerpo del tubo y es sumamente importante en el diseo de ste, ya que debe confinar
el haz electrnico cuya seccin transversal debe tener un dimetro reducido y situarse preci-
samente en el centro de la hlice con un mnimo de intercepcin con ella. La estructura de la
hlice en algunas de sus formas se ilustra en la figura 53.
Lazo de anillos
Barra de anillos
Hlice convencional
Fig. 53. Estructura de la hlice de un TWT.
El colector puede ser de una pieza, si bien actualmente se prefieren colectores escalonados
para frenar paulatinamente los electrones del haz y aumentar la eficiencia del tubo, como se
ilustra en la figura 54. La salida de RF se realiza mediante un acoplador direccional, gene-
ralmente una gua de onda, en el extremo de la hlice cercano al colector.
Fig. 54. Colector y salida de RF en un TWT.
Para conseguir un buen enfoque del haz, el ctodo debe estar alineado con precisin respecto
a los dems electrodos y para reducir el bombardeo del ctodo por iones positivos que se
forman en la regin de la hlice cercana al colector y aumentar la vida til del tubo, el perfil
de los voltajes de c.c. en el tubo, se dispone de forma que los iones sean drenados hacia el
colector. Casi todos los electrones secundarios generados en el colector pueden atraparse
mediante configuraciones adecuadas de ste y de la configuracin del campo magntico al-
rededor del colector. Al igual que en el klystron, la considerable energa cintica de los elec-
trones que inciden sobre el colector, es causa de considerable disipacin trmica y reduccin
de la eficiencia. Para facilitar la disipacin y extraccin de calor la configuracin externa del
colector puede ser en forma de aletas como se muestra en la figura 55. La eficiencia se au-
menta haciendo el colector escalonado.
Fig. 55. Estructura externa del colector de un TWT
En los TWT se utilizan diversas estructuras para el colector, ste puede ser una placa, un co-
no, un cono curvado, colector cilndrico, colector cilndrico de potencial escalonado y colec-
tor de dos o tres etapas. Este ltimo tipo se aprecia en la figura 54.
Cuando un tubo de onda progresiva se integra junto con una fuente de alimentacin regula-
da y los correspondientes circuitos de proteccin, el conjunto se designa como amplificador de
onda progresiva o TWTA23. En la figura 56 se ilustra un conjunto amplificador de onda progre-

siva de 350 w utilizado en radar, que incluye el TWT, la fuente de alimentacin y los circui-
tos de control.
Fig. 56. TWTA de 350 w.
Principio de funcionamiento. La hlice del TWT constituye una estructura peridica desig-
nada como de onda lenta, ya que la onda viaja a lo largo de la hlice y no en el espacio libre
hasta el colector, de modo que aunque la onda viaje sobre la hlice a velocidad cercana a la
de la luz, su velocidad media a lo largo del tubo es menor y aproximadamente igual a la ve-
locidad con que viajan los electrones en el haz entre ctodo y colector, en el centro de la hli-
ce, del orden de 1/10 de la velocidad de la luz. La interaccin entre la onda en la hlice y los
electrones del haz es continua y da lugar a agrupamientos electrnicos a lo largo del tubo, de
forma similar a lo que ocurre en un klystron. Es decir el haz electrnico resulta modulado en
densidad como se ilustra en la figura 57.
Fig. 57. Principio de funcionamiento del TWT.
Al avanzar hacia el colector, los grupos de electrones se van haciendo ms densos y su inter-
accin con la hlice da lugar a que la onda progresiva aumente de amplitud, es decir, ampli-
ficndola hasta ser extrada hacia el circuito de salida.
El lmite de amplificacin en baja frecuencia se debe a la prdida de sincronizacin entre la

velocidad de la onda en la hlice y la velocidad del haz, cuando la de aqulla es mayor que la
del haz. En alta frecuencia, el lmite se produce a causa del desacoplamiento entre la hlice y
el haz, que ocurre porque la amplitud de la onda vara apreciablemente cuando la longitud
23 Traveling Wave Tube Amplifier.

de onda se aproxima al dimetro de la hlice. La principal ventaja del TWT sobre el klystron
es su considerable ancho de banda de funcionamiento.
Los tubos de onda progresiva, al igual que los klystrons, se disean para funcionamiento
tanto en onda continua (CW) como pulsante y pueden tener ganacias de 30 a 60 dB en todo el
ancho de banda. Su capacidad de potencia, dependiendo de la aplicacin va desde miliwatts
hasta decenas de kilowatts. En la figura 58 se ilustra un tubo de onda progresiva de 200 w.
Fig. 58. TWT de 200 w.
20. TWT de cavidades acopladas
Los tubos de onda progresiva se clasifican en dos tipos principales: de hlice, como los discu-
tidos en las secciones anteriores y de cavidades acopladas. Los de hlice estn limitados en la
potencia de pico de RF que pueden manejar a causa de la corriente que puede circular por
ellos y, por consecuencia el dimetro del alambre de la hlice. Al aumentar la potencia, la
hlice puede sobrecalentarse y deformarse. El dimetro del alambre puede aumentarse, pero
si es muy grueso, no es posible mantener el paso de la hlice, es decir la distancia entre espi-
ras sucesivas. Tpicamente los TWT de hlice proporcionan una potencia mxima del orden
de 2.5 kw.
Esta limitacin se supera si se reemplaza la hlice por una serie de cavidades resonantes aco-
pladas, dispuestas axialmente a lo largo del haz, en la forma que se ilustra en forma esque-
mtica en la figura 59.
Fig. 59. Estructura esquemtica de las cavidades acopladas.

Conceptualmente, esta estructura puede considerarse como una gua de onda helicoidal y
permite tambin conseguir amplificacin por modulacin en velocidad del haz electrnico.
Las guas de onda helicoidales tienen alta dispersin no lineal y son, por consecuencia es-
tructuras de banda estrecha, si bien ms ancha que las cavidesde de un klystron. Un TWT de
cavidades acopladas puede proporcionar potencias superiores a 15 kw. Su funcionamiento es
similar al del klystron, excepto que los TWT de cavidades acopladas se disean con atenua-
cin en la propia estructura de onda lenta en lugar del atenuador que se emplea en los TWT
de hlice.
Fig. 60. TWT de cavidades acopladas y 50 kw de potencia pulsante.

(Imgenes cortesa de L3 Communications Electron Devices)
Los TWT, tanto de hlice como de cavidades acopladas se utilizan extensamente en aplica-
ciones de comunicaciones, industriales y mdicas. La mayora de los transpondedores de los
satlites y vehculos espaciales utilizan este tipo de tubos, as como numerosos tipos de rada-
res. En la figura 60 se muestra un TWT de cavidades acopladas, capaz de proporcionar una
potencia pulsante de salida mnima de 50 kw en un ancho de banda de 9.2 a 10 GHz. La ga-
nancia tpica a saturacin es de 55 dB y la potencia de RF de entrada necesaria en esas condi-

ciones es de solamente 20 dBm (100 mw).
El tubo mostrado es de colector escalonado de dos etapas, con un voltaje tpico del colector 1
de 15.5 kV y de 21.6 kV el colector 2. El voltaje de ctodo es de -34 kV a una corriente pico de
7 A. En condiciones tpicas de funcionamiento en forma pulsante, el ciclo de trabajo es de 1%,
para una potencia promedio mnima de 500 w. El enfriamiento es por aire forzado.
Enfriamiento. En los TWT de baja potencia, el enfriamiento se realiza fijando el tubo a una
placa metlica, montada a su vez en un disipador enfriado por aire o por lquido refrigeran-
te. Los tubos de cavidad acoplada de potencia promedio inferior a 1 kw se enfran por aire,
hacindolo circular por todo el cuerpo del tubo. Los de alta potencia, suelen enfriarse por
lquido circulante sobre el cuerpo del tubo y el colector.
IV. TUBOS DE CAMPO CRUZADO
Los dispositivos de campo cruzado convierten energa de c.c. en energa de RF por un proce-
so de conversin electrnica de energa. Difieren de los dispositivos de haz lineal en que son
conversores de energa potencial y no energa cintica, como es el caso de los tubos de haz. El
trmino campo cruzado se deriva de las caractersticas ortogonales del campo elctrico produ-
cido por la fuente de alimentacin y el campo magntico requerido para enfocar el haz elec-
trnico en la regin de interaccin. El campo magntico por lo general es suministrado por
una estructura de imanes permanentes. Estos dispositivos tambin reciben el nombre de tu-
bos-M ya que basan su funcionamiento en la propagacin de ondas en un campo magntico.
Los dispositivos prcticos basados en los principios del campo cruzado pueden clasificarse
en dos amplias categoras24:
Tubos de campo cruzado de inyeccin de haz. En stos, la corriente electrnica es

producida por un can electrnico externo a la regin de interaccin25, de manera
similar a los tubos de onda progresiva.
Tubos slo de emisin. En ellos la corriente de electrones se produce directamente en el
interior de la regin de interaccin por emisin de electrones secundarios que son el
resultado de que algunos electrones se llevan al electrodo negativo y chocan contra l.
El electrodo negativo est constituido por material capaz de producir emisin
secundaria significativa.
Otra clasificacin, quiz ms adecuada desde el punto de vista de sus aplicaciones es:
24Whitaker, J.C. The RF Transmission Handbook. CRC Press. 2002.

25La regin de interaccin es aquella en que tiene lugar la interaccin de los campos elctrico y magntico sobre el
haz o corriente de electrones.
Tubos resonantes. Son, bsicamente, osciladores de RF, de los que el ms comn es el

magnetrn, utilizado en radares, hornos de microondas y otras aplicaciones idustriales
y mdicas.
Tubo no resonantes. Son, por lo general, amplificadores de RF que, a su vez se
clasifican en dos clases segn utilicen la onda hacia adelante (forward wave) o
hacia atrs (backward wave) y si son reentrantes, en el sentido de que la carga que
retorna al ctodo puede reentrar en la carga que viaja hacia el nodo o bien se pierde.
Solamente un tipo de tubo no resonante ha encontrado gran aplicacin en radar, el
amplificador de campo cruzado o CFA26 que, adems de no ser resonante es de onda
hacia atrs y reentrante.
21. Magnetrn
El magnetrn es el tubo de campo cruzado ms utilizado. Aunque hay versiones lineales del
magnetrn, cuyo funcionamiento se asemeja al del klystron, aqu nos limitaremos a tratar la
versin ms utilizada, de geometra circular cilndrica.
Bsicamente el magnetrn es un diodo con un ctodo y un nodo, sin reja de control. El no-
do no tiene la misma configuracin que en los tubos ordinarios, sino que es una estructura
cilndrica con una serie de cavidades resonantes como se muestra en la figura 61.
Fig. 61. Magnetrn de geometra cilndrica
La estructura del ctodo y del filamento es cilndrica y localizada rgidamente en el centro

del tubo. La placa o nodo es un bloque cilndrico slido con una serie de cavidades que
pueden ser cilndricas o en forma de sol naciente como se ilustra en la figura 62. Externa-
mente se aplica un intenso campo magntico mediante imanes permanentes y es la interac-
cin entre este campo magntico y el campo elctrico producido en el interior del tubo, la
que da lugar a las caractersticas de funcionamiento del magnetrn.
26 Crossed Field Amplifier.

Fig. 62. Anodo con cavidades en forma de

sol naciente.
Las cavidades estn comunicadas con la parte central del tubo mediante ranuras estrechas,
de modo que el la regin interna o de interaccin se divide en tantos segmentos como cavi-
dades haya. Las cavidades alternas estn unidas mediante cintas o bandas metlicas circula-
res, colocadas en la parte superior del bloque y a la entrada de las cavidades. El ctodo es de
caldeo indirecto, debe funcionar a elevada temperatura y tener buenas caractersticas de emi-
sin, particularmente bajo el bombardeo a que se ve sometido, ya que buena parte de la po-
tencia de salida se deriva de la gran cantidad de electrones secundarios emitidos por el no-
do al ser, a su vez, bombardeado por electrones de alta energa procedentes del ctodo.
El espacio entre el ctodo y el nodo es la regin de interaccin en la que se combinan las
fuerzas ejercidas por los campos elctrico y magntico sobre los electrones. Las lneas del
campo magntico son paralelas al eje del tubo y la direccin del campo elctrico es radial, del
ctodo al nodo. Los electrones emitidos por el ctodo, generalmente no siguen trayectorias
perpendiculares a ste, sino oblicuas al azar, de modo que los electrones tienden a seguir las
lneas de fuerza hacia el nodo, pero al estar sumergidos en el campo magntico sus trayec-
torias son helicoidales como se ilustra en la figura 59. La direccin de la fuerza es tal que las
trayectorias electrnicas son en sentido de las manecillas del reloj cuando se ven en la direc-
cin de las lneas del campo magntico.
Los magnetrones de simetra radial son esencialmente osciladores, en tanto que los magne-
trones lineales son, inherentemente, amplificadores. Los magnetrones osciladores se pueden
dividir en dos clases: de resistencia negativa y de resonancia electrnica.
Magnetrones de resistencia negativa. Si el nodo de un magnetrn se separa en dos mitades

y el voltaje de una de ellas se hace mayor que el de la otra, bajo ciertas condiciones la mayo-
ra de los electrones irn a la porcin de menor voltaje. En estas condiciones se tiene una ca-
racterstica de resistencia negativa entre las dos mitades del nodo y podrn mantenerse os-
cilaciones en un circuito tanque conectado entre ellas. Este tipo de magnetrn puede funcio-
nar a mayor frecuencia y proporcionar ms potencia que un magnetrn convencional.
Magnetrones de resonancia electrnica. En este caso, el principio de funcionamiento se basa

en el tiempo de trnsito de los electrones. Un magnetrn es, si no se le aplica campo magn-
tico, simplemente un diodo de vaco. Si se aplica voltaje al nodo, fluye una corriente entre el
ctodo y ste. Si se aplica el campo magntico transversal, la corriente de nodo sigue flu-
yendo, aproximadamente con la misma magnitud inicial mientras el voltaje de nodo se
mantenga constante. Los electrones siguen una trayectoria semejante a la de la figura 63(a). A
un cierto valor de densidad de flujo magntico B, la corriente de nodo se reducir a un valor
muy pequeo, lo que indica que la intensidad del campo magntico es suficientemente gran-
de como para hacer que la trayectoria de los electrones se curve excesivamente, como se ilus-
tra en la figura 63 (b).
(a) (b)
Fig. 63. Trayectorias electrnicas en el magnetrn.
En estas condiciones, los electrones no pueden alcanzar el nodo y a ese valor de la densidad
de flujo magntico se le designa como densidad de flujo de corte. La oscilacin del magnetrn
generalmente se tiene cerca de la densidad de flujo de corte. La relacin entre el voltaje de
nodo Va, la densidad de flujo de corte, B y los radios del ctodo rc y del nodo ra est dada
por27:
ra
Bc = 45, 5 Va
ra2 rc2
Los electrones, al pasar frente a las cavidades, excitan la oscilacin. Las cavidades, junto con
el bloque del nodo forman el sistema resonante que determina la frecuencia de oscilacin.
La forma de la cavidad no es particularmente importante y se emplean varios tipos como se
muestra en la figura 64.
Fig. 64. Tipos de cavidades resonantes

(a) Cilndricas con ranura; (b) Ranuras; (c) Aletas.
27Ishii, T.K. Other Microwave Vacuum Devices. Seccin 6.4 en The Electronics Handbook, 2nd Ed. J.C. Whitaker, Editor-
in Chief. Taylor and Francis Group, 2005.
Las oscilaciones asociadas con las cavidades son de naturaleza tal que las lneas de flujo
magntico alterno pasan a travs de las cavidades paralelas al eje del ctodo, en tanto que los
campos elctricos alternos estn confiados principalmente a la regin en que las cavidades se
comunican con el espacio de interaccin. Los factores ms importantes que determinan la
frecuencia de resonancia son las dimensiones y forma de las cavidades en el plano perpendi-
cular al eje del ctodo.
Los osciladores con magnetrones en modo pulsante son capaces de generar potencias de pico
muy elevadas, tales como 40 Mw a 10 GHz, con voltaje de c.c. de 50 kV. La eficiencia de con-
versin de c.c. a RF se sita entre 40% y 70%. En hornos domsticos de microondas la poten-
cia tpica es del orden de 1 kw a 2.4 GHz.
22. Magnetrn coaxial
La estabilidad en frecuencia de los magnetrones convencionales se ve afectada por variacio-

nes en la impedancia de carga y las fluctuaciones de la corriente de ctodo. Dependiendo de
la magnitud de stas, el magnetrn puede fallar ocasionalmente. En el magnetrn coaxial
estos efectos se reducen considerablemente, utilizando la geometra ilustrada en la figura 64.
Las cavidades del nodo se acoplan con una segunda cavidad alrededor de ste y conectada
con las cavidades interiores por ranuras de acoplamiento.
La frecuencia de oscilacin se controla por la combinacin del sistema de cavidades de aletas

y la cavidad ajustable externa.
Fig. 64. Magnetrn coaxial

23. Amplificadores de campo cruzado (CFA28)
Un amplificador de campo cruzado es un dispositivo electrnico de vaco que puede descri-

birse en parte como magnetrn y, en parte, como tubo de onda progresiva. Es semejante al
magnetrn en el sentido de que utiliza el mismo tipo de interaccin electrnica que ste, es
decir, campos elctrico y magntico cruzados y, por consecuencia sus caractersticas son si-
milares y puede generar potencia con alta eficiencia a niveles semejantes a los de un magne-
trn. Sin embargo es diferente al magnetrn ya que en tanto ste slo tiene circuito de salida,
el CFA tiene circuitos de entrada y salida, semejante a un TWT y, adems, la interaccin elec-
trnica es con una onda progresiva, a diferencia del magnetrn en que la interaccin es con
una onda estacionaria.
Al nombre de amplificador de campo cruzado se deriva del hecho de que la interaccin elec-
trnica ocurre en una regin de campos elctrico y magntico cruzados, a diferencia del TWT
convencional. Por otra parte el CFA contiene los mismos elementos bsicos que el tubo de
onda progresiva: sistema de entrada y salida, circuito de onda lenta y sistema electrnico.
Algunos otros nombres con que se ha designado este dispositivo desde su invencin en 1953
son29: amplificador de campo cruzado de haz reentrante, platinotrn y Amplitrn, este ltimo, mar-
ca registrada de la empresa Raytheon.
Una necesidad comn para el funcionamiento, tanto del CFA como del magnetrn es el
campo magntico axial. La funcin de este campo es hacer que los electrones emitidos por el
ctodo giren alrededor de ste en crculos concntricos. Los electrones se mueven en respues-
ta al voltaje aplicado entre el nodo y el ctodo del tubo. Segn este voltaje aumenta lo elec-
trones se mueven en crculos concntricos cada vez ms grandes aumentando su velocidad
angular, hasta que sta alcanza un valor en que las microondas empiezan a propagarse en la
regin del nodo nodo. En este punto se se forman haces o rayos que inducen potencia en el
circuito del nodo. El magnetrn y el CFA obedecen las mismas relaciones de escala entre la
frecuencia de funcionamiento, el campo magntico aplicado, el voltaje, las dimensiones fsi-
cas del rea de interaccin y el nmero de haces de carga espacial30.
El circuito de onda lenta o lnea de retardo es una estructura peridica con caractersticas de
filtro de paso de banda, que debe ser capaz de propagar la energa de RF en el rango de fre-
cuencias de inters y, al mismo tiempo debe estar rodeado de lneas de fuerza del campo
elctrico con el que puedan interactuar los electrones. Estos campos tienen una velocidad de
fase aproximadamente igual a la velocidad del haz electrnico. El sistema de entrada y salida
proporciona el acoplamiento de impedancia entre la lnea de transmisin o gua de onda
externa al amplificador y el circuito interno de onda lenta. Finalmente, el sistema electrnico
genera un haz de electrones y lo confina al rea de interaccin. Los CFA de haz inyectado
tienen un can electrnico que inyecta el haz en la regin de interaccin. Otros CFA tienen
un ctodo emisor relativamente largo que se extiende a toda la longitud del circuito de onda
lenta. Este tipo de amplificadores se designan como de emisin distribuida y al ctodo se le
28 Crossed Field Amplifier.

29 El CFA fue inventado por William C. Brown (1916-1999)
30 Brown, William, C. The History of the Reentrant Beam Crossed Field Amplifier with Emphasis on Noise Comparison with the Magne-
tron. www-ners.engin.umich.edu/labs/ plasma/research/magnetron/brown9.pdf

designa tambin como suela31. En la actualidad, los CFA de haz inyectado son poco utili-
zados. En la figura 65 se ilustra esquemticamente un CFA de haz reentrante.
Fig. 65. CFA (Amplitrn)

1. Ctodo. 2. Anodo con cavidades resonantes. 3. Nube electrnica.
4. Anillos que constituyen la lnea de retardo.
El ancho de banda de un CFA es, aproximadamente 5% de la frecuencia central nominal.

Cualquier seal en este ancho de banda es amplificada y, las potencias pico en funcionamien-
to pulsante pueden alcanzar valores de decenas de megawatts, con potencias promedio de
algunas decenas de kw. En la figura 66 se ilustran algunos tipos de amplificadores de campo
cruzado. Los de mayor tamao, capaces de entregar potencias pico hasta de 6 Mw con efi-
ciencias de ms de 70%.
Fig. 66. Algunos tipos de CFA.
Como una curiosidad, en la figura 67 se ilustra un amplificador de campo cruzado como el

utilizado para las comunicaciones de datos de alta velocidad de la luna a la tierra durante el
proyecto Apolo, hace ya algo ms de treinta aos. Este CFA proporcionaba 25 w en onda
continua (CW) y se aprecian claramente los puertos de entrada y salida. Este tubo se us sa-
tisfactoriamente durante toda la duracin del proyecto Apolo, sin embargo el CFA no consi-
gui ser utilizado para comunicaciones, principalmente a causa de la reducida vida del cto-
do, causada por el bombardeo de electrones sobre ste, que motivaba la destruccin del re-
cubrimiento de xido de bario. En esa poca, hace cerca de cuarenta aos, no se haba reco-
nocido plenamente que el empleo de carburo de tungsteno toriado podra haber evitado ese
problema y el CFA habra tenido una extensa aplicacin en comunicaciones32.
31 En ingls, literalmente sole.

32 Brown, William, C. The History of the Reentrant Beam Crossed Field Amplifier with Emphasis on Noise Comparison with the Magne-
tron. www-ners.engin.umich.edu/labs/ plasma/research/magnetron/brown9.pdf
Fig. 67. CFA (Amplitrn) de 25 w onda continua utilizado en

la misin Apolo para comunicaciones luna-tierra.
Una aplicacin adicional de los CFA es en aceleradores de partculas como el ilustrado en la

figura 68 del CERN (Organizacin Europea para Investigaciones Nucleares), con sede en la
cercana de Ginebra, Suiza. En este caso se trata de un LHC (Large Hadron Collider), un ace-
lerador de partculas que entrar en funcionamiento en 2007 y est formado por cuatro CFA
de gran potencia.
Fig. 68. LHC del CERN, con amplificadores de campo cruzado.
El LHC permitir colisionar haces de protones a una energa de 14 TeV (1 TeV = 1012 eV), as
como ncleos de plomo con una energa de colisin de 1150 TeV.
V. CONSIDERACIONES TRMICAS
En el terreno de las comunicaciones, casi todos los transmisores actuales suelen ser de estado
slido hasta potencias del orden de 10 kw, en los que se combinan las salidas de mltiples
mdulos amplificadores enchufables, lo que da una considerable flexibilidad para su opera-
cin y mantenimiento. Algunos transmisores de estado slido se fabrican para potencias an
mayores, con mdulos de mayor potencia y con un aumento importante en su complejidad.
Sin embargo, al aumentar la potencia de los mdulos de estado slido, se cae en los mismos
viejos problemas, de los que el principal es la dispacin trmica, en otras palabras, el calen-
tamiento. Cuanto menor sea el mdulo ms difcil se hace su enfriamiento. En algunos casos
se resuelve este problema enfriando cada mdulo con refrigerante lquido. La potencia disi-
pada en forma de calor por un equipo, un circuito o un dispositivo puede calcularse como:
1
PD = P0 1 (1.2)

Donde P0 es la potencia til de salida y es la eficiencia, dada por la relacin de la potencia

til de salida entre la potencia de c.c. suministrada.
Independientemente de que se trate de amplificadores de estado slido o de vlvulas, su

enfriamiento adecuado es un aspecto crtico en el diseo. En el caso de circuitos que funcio-
nan con altos voltajes, el enfriamiento suele ser necesario a nivel de los componentes indivi-
duales. Por ejemplo, en el caso de vlvulas, tanto las de rejilla como los klystron, TWT, IOT,
magnetrones y CFA, el haz electrnico interacta con campos electromagnticos, cediendo
parte importante de su energa, pero conservando una cantidad significativa de energa cin-
tica que se pierde en forma de calor al estrellarse contra el nodo y disiparse en forma de
calor, que es necesario extraer con eficiencia para mantener la temperatura de funcionamien-
to en niveles que no causen dao a los dispositivos. Cabe decir que las vlvulas de vaco, en
general, ofrecen considerablemente mayor robustez ante los efectos trmicos que los transis-
tores y otros dispositivos de estado slido, por lo que el diseo trmico de circuitos con estos
dispositivos es an ms crtico.
Mecanismos de transferencia de calor. La energa trmica se transfiere de los objetos ms

calientes a los ms fros por tres mecanismos fundamentales:
Radiacin: Es la transferencia de de energa entre masas a diferentes temperaturas,

predominantemente a longitudes de onda infrarrojas.
Conveccin: Transferencia de energa trmica a travs de medios lquidos o gaseosos.
Conduccin: Transferencia de energa trmica a travs de medios slidos.
Si bien los tres mecanismos anteriores estn presentes en todas las aplicaciones, el de convec-
cin es el predominante.
24. Mtodos de enfriamiento.
En las vlvulas de vaco, una vez que el haz electrnico ha cedido su componente de energa
como seal til, la energa restante se disipa en forma de calor en una porcin adecuada del
tubo. Para remover el calor, se utiliza generalmente uno de los cinco procesos siguientes:
radiacin, enfriamiento por aire forzado, enfriamiento por agua, enfriamiento por vapor y
conduccin.
Enfriamiento por radiacin.
En este tipo de enfriamiento la porcin del tubo en que se disipa la potencia alcanza una
temperatura tal que el calor se radia a los alrededores. La cantidad de calor que puede remo-
verse por este procedimiento est dada, bsicamente por la ley de Stefan-Boltzmann:
P = t (T 4 T04 ) (1.3)
Donde:
P = Potencia radiada en w/cm2.
t = Emisividad trmica total de la superficie radiante.
= Constante de Stefan-Boltzmann (5.6710-12 w cm-2 K-4).
T = Temperatura de la superficie radiante en kevins.
T0 = Temperatura de los alrededores en kelvins.
Las emisividades trmicas de algunos materiales se dan en la tabla siguiente.
Material t
Aluminio 0.1
Grafito de nodos 0.9
Cobre 0.07
Molibdeno 0.13 a 0.5
Nquel 0.5
Tantalio 0.18
Tungsteno 0.3
Porcelana vtrea 0.91 a 0.94
Agua o hielo 0.95 a 0.99
Enfriamiento por aire forzado
En el enfriamiento por este mtodo, se hace circular un chorro de aire sobre los dispositivos a
enfriar como se ilustra en la figura 69.
Flujo de aire
Fig. 69. Enfriamiento por aire forzado.
El calor que se puede extraer mediante este proceso se calcula como:
T
P = 4.785QA 2 1 (1.4)
T1
Donde:
QA = Flujo de aire en m3/min.
T2 = Temperatura del aire extrado.
T1 = Temperatura del aire suministrado.
Un sistema completo de enfriamiento por aire en un transmisor de 2 kw, se ilustra en la figu-

ra 70.
Fig. 70. Sistema de enfriamiento por aire forzado.

En los equipos enfriados por aire forzado que utilizan vlvulas de vaco, el sistema de en-
friamiento debe funcionar antes de que se apliquen a las vlvulas los voltajes de funciona-
miento, en particular los de alta tensin y deben mantenerse funcionando durante unos mi-
nutos despus de apagar el equipo. La temperatura, flujo y presin del aire deben mantener-
se correctamente, para lo que se utilizan sensores trmicos y de flujo, estos ltimos en forma
de simples interruptores de paleta en los conductos de aire y activados por la presin de ste.
Si la temperatura aumenta ms all del valor establecido por el fabricante o se reduce el flujo
de aire, se corta automticamente el alto voltaje. Tambin en la secuencia de encendido, el
alto voltaje no se aplica hasta que el sistema de enfriamiento est funcionando.
Enfriamiento por agua
En los tubos enfriados por agua, el nodo est embutido en una funda refrigerante que, a su
vez, puede tener doble pared, en cuyo caso el agua fra entra entre el nodo y la cara interior
de la funda y de salida, fluye entre las paredes interior y exterior. En vlvulas de alta disipa-
cin, la turbulencia del agua y, por tanto, la velocidad con puede extraerse el calor, se au-
menta mediante un devanado en hlice soldado en el interior de la funda, como se aprecia en
la figura 71.
Fig. 71. Trodo enfriado por agua
Los factores fundamentales que intervienen en el intercambio de calor entre un cuerpo y el

medio lquido refrigerante son: el calor especfico, la temperatura de ebullicin, la viscosidad
y la velocidad del lquido refrigerante. Un aspecto importante es que no debe la temperatura
mxima permisible del tubo de vaco. En tubos que utilizan cobre, esta temperatura no debe
exceder los 300C.
Debido a los elevados voltajes de funcionamiento, el agua refrigerante debe estar deioniza-
da33, doblemente destilada y debe introducirse de forma tal que la resistencia de aislamiento
entre nodo y tierra no se vea reducida. Si es necesario reducir el punto de congelamiento,
puede utilizarse un anticongelante tal como una solucin de agua y glicol etlico en un siste-
ma completo de circuito cerrado, con circuito de purificacin. En estos casos es necesario un
flujo mayor, ya que las mezclas anticongelenates por lo general no enfran tan bien como el
agua.
33 El agua demonizada es qumicamente estable y tiene elevada capacidad de transferencia de calor.

Los materiales de fontanera, as como las bombas y otros materiales que conforman el sis-
tema refrigerante deben ser de cobre, nquel, bronce, Monel34, Inconel35 o acero inoxidable
347 y, de ste ltimo para las partes que requieran soldadura a fin de minimizar la accin
galvnica. En contacto directo con el refrigerante no deben usarse acero, hierro, ni acero o
hierro galvanizados, aluminio y magnesio. El latn debe utilizarse en la menor cantidad po-
sible.
El calor que se puede extraer mediante el enfriamiento por agua puede calcularse como:
P = QW (T2 T1 ) (1.5)
Donde QW es el caudal de agua en m3/min y T2 y T1 las temperatura del agua a la salida y

entrada del sistema, respectivamente.
Especificaciones de la pureza del agua
El agua utilizada en los sistemas de enfriamiento por agua o vapor debe cumplir las siguien-
tes especificaciones36:
1. La resistividad del agua 30C debe mantenerse a un nivel de 100 k-cm o superior.
2. El oxgeno en disolucin no debe exceder 0.5 partes por milln.
3. El facto pH debe mantenerse en un rango de 6 a 8.
4. El tamao de las partculas materiales disueltas no debe ser superior a 50 micras.
5. La temperatura del agua de entrada no debe exceder los 60C y se recomienda que es-
t regulada en 5%.
Enfriamiento por vapor
Prcticamente todo lo mencionado en la seccin anterior es aplicable al enfriamiento por va-

por. En este caso el agua al entrar en contacto con el tubo se convierte en vapor y ste es ex-
trado hacia un circuito externo en que nuevamente se condensa, se enfra en intercambiado-
res de calor y se recicla de nuevo hacia el tubo. Conceptualmente el sistema de enfriamiento
es similar al de enfriamiento por agua y, en la figura 72 se muestra esquemticamente un
sistema de este tipo.
34 El Monel es una aleacin de nquel y cobre en proporcio de 2:1. Es ms duro que el cobre y extremadamente resistente a la
corrosin.
35 Aleacin de nquel/cromo/molibdeno que ofrece una excelente combinacin de resistencia a la oxidacin, resistencia a las
temperaturas elevadas y fabricacin snecilla. Su capacidad de resistencia a las grietas debidas a la corrosin bajo carga es exce-
lente.
36 Water Purity Requurements in Water and Vapor Cooling Systems. CPI Application Note AEB-31, Pub. 2696, Rev. A 4/28/03.
Fig. 72 Sistema de enfriamiento por vapor.
Al caldern (boiler) que encierra al nodo o al colector del amplificador de potencia, se le su-
ministra agua mediante una tubera de material aislante, que al penetrar en el caldern se
evapora de inmediato. Mediante otro tubo, tambin aislante, el vapor generado se extrae y es
conducido a un condensador en donde vuelve de nuevo al estado lquido. Este condensador
est enfriado por un ventilador de la capacidad suficiente y el agua resultante vuelve a circu-
lar de nuevo hacia el amplificador, constituyendo as un circuito cerrado de enfriamiento. El
sistema cuenta con elementos de deteccin, tanto de la presin del vapor generado, como del
nivel de agua. Si ste disminuye, se alimenta agua de un tanque de reserva mediante una
vlvula solenidal.
Bibliografa general.
1. Heppinstall, R. and Clayworth, G.T. The Inductive Output Tube. EBU Technical Re-
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AMPLIFICADORES DE ALTA

Constantino Prez Vega

II. Tubos de Rejilla. 17

III.Tubos de haz electrnico. 36

IV. Tubos de Campo Cruzado. 62

24. Mtodos de enfriamiento. 71

El tratamiento aqu se centra principalmente en las aplicaciones de las vlvulas de vaco1 a

En sistemas de comunicaciones, cierto tipo de vlvulas continan emplendose ampliamen-

1 Los trminos vlvula de vaco y tubo de vaco se emplean aqu indistintamente

1. Consideraciones preliminares: Combinacin de potencia

Factores muy importantes a considerar en el diseo de amplificadores de potencia son, ade-

Fig. 1. Combinacin de potencia.

Fig. 2. Efecto del defasamiento entre seales combinadas,

Fig. 3. Combinador de dos entradas.

a) Seales coherentes (suma de voltajes)

b) Seales no coherentes (suma de potencias2).

La diferencia entre un caso y otro es evidente.

Ahora bien, qu pasa cundo se tienen seales incoherentes?. Un ejemplo sencillo es el de

Otro aspecto importante, sobre todo en transmisores de alta potencia, particularmente de

los amplificadores a bordo de satlites u otros vehculos espaciales y an en la duracin de

Funcionamiento a voltajes bajos que reduce el riesgo de arcos elctricos y ofre-

Por otra parte, entre los incovenientes pueden mencionarse:

Necesidad de combinar las salidas de numerosos amplificadores para conseguir po-

2. Conceptos fsicos relacionados con las vlvulas electrnicas.

Potencial de excitacin. Es la energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un to-

Potencial de ionizacin. Es la menor energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a

a) Colisin de tomos o molculas con electrones, tomos o molculas excitadas u

Una de las causas ms importantes de ionizacin en los tubos electrnicos es la colisin de

Cuando, como consecuencia de su movimiento aleatorio, un electrn se escapa de la superfi-

Tabla I. Funcin de trabajo en electrn volts para diversos metales

Potencial de contacto. Es la diferencia de potencial que se produce entre las superficies de

Emisin termoinica. Es el proceso fundamental en las vlvulas electrnicas y la teora de la

Si aumenta la temperatura del metal, aumenta tambin el nmero de electrones libres, su

Fig. 4. Deteccin de la emisin termoinica sin aplicacin

Efectos de la carga de espacio. La teora desarrollada por Richardson y Dusham proporciona

donde: Js = Corriente de emisin en A/cm2.

Fig. 5. Densidad de corriente debida a la emisin termoinica

Conviene notar que la emisin termoinica no es significativa para temperaturas inferiores a

La ecuacin de Richardson-Dusham asume que la intensidad de campo elctrico en la super-

Fig. 6. Saturacin de la corriente de nodo debida al efecto de la carga de espacio.

Si la intensidad del campo aplicado al emisor es elevada, la barrera de potencial se reduce lo

An cuando en algunos dispositivos como el microscopio electrnico de emisin por campo

Tipos de ctodos. La emisin termoinica puede conseguirse ya sea directamente por un

(a) (b) (c)

Fig 7. Tipos de filamentos

El filamento mostrado en (a) suele utilizarse en vlvulas de caldeo indirecto. El ctodo en

Fig. 8. Circuito de alimentacin del filamento

Un aspecto importante en el diseo y construccin de las vlvulas de vaco lo constituyen los

Fig. 9. Estructura de los sellos vidrio-metal

Fig. 10. Vlvula con el sello metal-cermica daado

3. Algunas consideraciones en el diseo de las vlvulas de vaco

Los diodos al vaco, empleados principalmente como rectificadores en fuentes de alimenta-

II. TUBOS DE REJILLA

Figura 11. Trodo

Si a la reja de control no se le aplica ningn voltaje o si se la conecta directamente al ctodo,

Curvas de placa. Si el voltaje de reja se mantiene constante, la corriente de placa, al variar el

Fig. 12 Circuito para determinar las curvas caractersticas de un trodo.

Si se mantiene el voltaje de rejilla constante y se vara el voltaje de placa, se obtienen curvas

Fig. 13. Curvas caractersticas de un trodo 6N1P

Si se mantiene constante el voltaje de placa y se vara el voltaje de reja, se obtienen curvas

Fig. 14. Curvas de voltaje de placa constante.

En el diseo de amplificadores de potencia es ms comn utilizar las curvas de corriente de

Fig. 14. Curvas de corriente constante