Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2- 1

CAPTULO 2

INTRODUCCIN A LOS DIODOS

2.1 EL DIODO

El diodo es un dispositivo bsico pero muy importante- de dos terminales, el ANODO y el

CATODO. El smbolo circuital para el diodo aparece en la figura 2.1a, y una caracterstica
volt-ampere tpica se muestra en la figura 2.1b.
id
iD
Anodo Ctodo
+ vD -
a) smbolo circuital

hoyos electrones vd

+ + - - Zona de Zona de Zona de

- ruptura polarizacin polarizacin
Anodo + tipo
+
p tipo n
Ctodo inversa inversa directa
- -

Barrera de campo elctrico

c) estructura fsica simplificada b) caracterstica volt-ampere (CPM)

Figura 2.1: Diodo semiconductor

Como se muestra en la figura 2.1a, el voltaje vD aplicado a un diodo tiene referencia

positiva en el nodo y negativa en el ctodo; similarmente, la corriente iD en el diodo tiene
referencia positiva de nodo a ctodo.

Ntese en la caracterstica de la figura 2.1b que si el voltaje vD aplicado es positivo, se

establece una corriente relativamente grande para voltajes pequeos. Esta condicin se
denomina de POLARIZACIN DIRECTA. As, la corriente fluye con facilidad por el
diodo en la direccin indicada por la punta de la flecha del smbolo.

A la inversa, para valores negativos (moderados) de vD, la corriente iD es pequea.

Corresponde esta situacin a la regin de POLARIZACIN INVERSA. Para voltajes
negativos suficientemente grandes se alcanza la zona inversa de ruptura (breakdown),
donde la corriente alcanza rpidamente magnitud despreciable.

La operacin en zona inversa de ruptura, caracterizada por voltaje y corriente

suficientemente grandes, involucra una fuerte potencia a disipar, normalmente una
elevacin de temperatura que puede conducir al dao irreversible del dispositivo (por
sobredisipacin, calentamiento excesivo).
2- 2 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

En las aplicaciones en las que deliberadamente se trabaja el dispositivo en la zona inversa

de ruptura, deben tomarse las precauciones para evitar sobrecalentamiento. Un ejemplo de
estas aplicaciones corresponde a los diodos Zener (a revisar ms adelante).

BREVE DESCRIPCIN DE LA FSICA DEL DIODO.

(Una descripcin muy utilitaria)

Los diodos semiconductores consisten en la unin (juntura) de dos tipos de material

semiconductor (usualmente Silicio dopado con impurezas cuidadosamente seleccionadas).
En un lado de la juntura, las impurezas crean un material tipo-n, caracterizado por un gran
nmero de electrones libres. En el otro lado de la juntura se emplea un tipo distinto de
impurezas para crear (en su efecto) partculas de carga positiva denominadas huecos (u
hoyos), material tipo-p.

Como se muestra en 2.1c, un diodo se forma con la unin de un material tipo-p (nodo) con
un material tipo-n (ctodo). An sin voltaje aplicado se establece una barrera de campo
elctrico en la juntura, la que previene la recombinacin de electrones y hoyos,
mantenindolos confinados en sus lados.

Si se aplica externamente un voltaje con polaridad positiva en el lado-n (ctodo), la barrera

es reforzada y los portadores de carga no pueden atravesar la juntura. El campo elctrico
positivo atrae a los electrones, as como el terminal negativo atrae a los hoyos (positivos).
Se produce un desplazamiento transitorio de los portadores hasta que las atracciones
descritas se equilibran con aquellas debidas al diferente signo de los portadores.
Virtualmente no hay flujo de portadores, es decir, no se establece corriente.

En sentido opuesto, esto es aplicando un voltaje positivo al lado-p (nodo), la barrera se

debilita y los portadores la cruzan, estableciendo una corriente. El campo positivo repele a
los hoyos, as como el campo negativo repele a los electrones; la fuerza de atraccin entre
cargas opuestas contribuye en igual sentido.

As, en definitiva, la juntura no conduce a una polaridad del voltaje aplicado (positivo en el
ctodo, tipo-n), y conduce fuertemente para la otra polaridad (positivo en el nodo, tipo-p).

DIODOS PARA PEQUEA SEAL

Diversos materiales (en trminos de cantidad o densidad de impurezas agregadas) y

estructuras (dimensiones de la juntura) permiten lograr dispositivos adecuados a
aplicaciones de muy diferentes rangos de trabajo.

La denominacin de pequea seal corresponde a aplicaciones en circuitera electrnica

de baja y media potencia, tpicamente hasta centenas de [Watt] en la carga y para ella es til
la descripcin que sigue.
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2- 3

iD

10 mA

-100 V
vD
-1 nA 0.6 V

Figura 2.2: Caracterstica Volt-ampere tpica

@300K (ntese las escalas diferentes)

La figura 2.2 muestra la caracterstica tpica de un diodo de Silicio de pequea seal a

300K. Las escalas diferentes permiten un mejor detalle en la representacin.

En la zona de polarizacin directa la corriente es muy pequea (mucho menor que 1 [mA])
mientras el voltaje directo aplicado sea menor que 0.6 [V]. Al alcanzar los 0.6[V] la
corriente crece rpidamente a medida que supera dicho umbral. Se dice que la caracterstica
presenta una rodilla en aproximadamente 0.6[V].A medida que la temperatura crece, el
voltaje de rodilla (knee) decrece a razn de 2 [mV/K].

En la zona de polarizacin inversa las corrientes estn tpicamente en el orden de 1[nA], a

temperatura ambiente. Dicha corriente crece junto con la temperatura; una buena
estimacin se logra suponiendo que la corriente se duplica cada vez que la temperatura sube
10K.

Al alcanzar el voltaje inverso de ruptura, la corriente crece rpidamente, como se muestra

en la figura para vD = -100[V]. Este valor de voltaje de ruptura vara, para diferentes tipos
de diodos, entre unidades y varias centenas de [Volt].

Las especificaciones que permiten determinar la utilidad de un dispositivo para una

aplicacin dada son, entre otras:

- Corriente mxima que soporta en conduccin (polarizacin directa).

- Tensin inversa mxima (antes de ruptura).

Para la corriente los lmites se informan en trminos de su valor continuo (o valor medio),
de su valor mximo (de cresta o peak, en forma repetitiva y no-repetitiva) y de su valor
efectivo (valor r.m.s.) La relevancia de cada uno depende de la aplicacin.

Las aplicaciones ms relevantes (y comunes) para este tipo de diodos se refieren a:

2- 4 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

- Rectificacin y deteccin,
- Recorte (clipping) de seales alternas,
- Enclavamiento (camping) de seales alternas,

las que sern revisadas ms adelante.

DIODOS ZENER

La denominacin Zener se aplica a diodos fabricados explcitamente para trabajar en la

zona inversa de ruptura. An cuando la ruptura puede deberse a dos mecanismos diferentes,
estos son funcionalmente indistinguibles, siendo vlida entonces una descripcin genrica.

Las aplicaciones de los diodos Zener se pueden definir como de referencia o comparacin,
requirindose un voltaje de ruptura constante; consecuentemente se busca la mayor
verticalidad de la caracterstica V-A en la zona de ruptura.

Se utiliza, para distinguirlos en los diagramas, una simbologa modificada, la que se indica
en la figura 2.3.

iD - + i2 El voltaje de ruptura de un Zener es dependiente de la temperatura;

para voltajes de ruptura menores que 6[V] la deriva es negativa, esto
vD v2 es, el voltaje de ruptura disminuye al aumentar la temperatura.
Inversamente, diodos Zener con voltajes de ruptura mayores que 6[V]
+ - muestran deriva positiva, dicho voltaje aumenta al aumentar la
temperatura.

Fig.3: Smbolo de un
diodo Zener

Diodos Zener con voltajes de ruptura de aproximadamente 6[V] tienden a ser

independientes de la temperatura en dicha caracterstica; adems, para dichos valores se
observa la mayor verticalidad. As los Zener de 6[V] (ms exactamente 6.3[V])
proporcionan el mejor comportamiento como referencias estables de voltaje.

OTROS TIPOS DE DIODOS

Existe una gran variedad de otros tipos de diodos con aplicaciones menos comunes; en pro
de la generalidad slo se mencionan:

- Diodos de capacidad variable (Varactor, Varicap)

- Diodos emisores de luz (LED)
- Diodos detectores de luz (PIN, APD)
- Diodos lser (emisores)
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2- 5

2.2 ANLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS MEDIANTE RECTA DE CARGA.

Dado el carcter eminentemente no-lineal de la caracterstica V-A de un diodo, no es

posible utilizar las tcnicas de circuitos lineales; lo mismo es vlido para la mayora de los
dispositivos electrnicos.

Un mtodo til para el anlisis de circuitos que incluyen elementos no-lineales es de tipo
grfico, pudiendo aplicarse tambin en circuitos lineales.

En un elemento lineal las relaciones entre las variables de inters pueden ser descritas
mediante expresiones simples, como tambin explicadas grficamente. La figura 2.4
presenta un resistor (lineal).

R i

i = v/R
+ v -
v

Fig. 2.4: Resistor

Considrese un circuito muy simple que incluye un diodo, como el de la figura 2.5:

R
+

Vs i vD

-
Fig. 2.5: Circuito sencillo con un diodo.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff, se puede escribir:

VS = iR + vD (2.2.1)

Suponiendo que VS y R son conocidos, se desea conocer la corriente i y la tensin en el

diodo vD.
2- 6 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

La ecuacin (2.2.1) muestra dos incgnitas de inters; para encontrar las soluciones se
requiere una segunda ecuacin, sta corresponde o est presente en la caracterstica V-A
(grfica) del diodo.
Se obtiene la solucin graficando la ecuacin (2.2.1) sobre el mismo sistema de
coordenadas (eje) de la curva V-A del diodo. Dado que la ecuacin (2.2.1) es lineal, su
grfico corresponde a una recta trazable identificando dos puntos de ella. Dos puntos
(pares) simples de graficar (evaluar) se encuentran anulando, una a la vez, una y otra
variable. As, si iD = 0 se tendr vD = VS y, si vD = 0, se tendr i=VS/R.

La figura 2.6 resume lo anterior:

iD (= i)

VS /R
Caracterstica V-A del diodo
Punto de Operacin
Q
VD recta de carga

vD
ID VS

Fig. 2.6: Solucin grfica del circuito de la figura 2.5

La solucin obtenida, punto Q (quiescent), satisface tanto la caracterstica V-A del diodo,
como la ec. (2.2.1), representada por la recta. Desde el punto Q se obtienen los valores de i
(ID) y vD (VD).

El mtodo provee adems fcil visualizacin del efecto de variaciones, tanto de VS

(desplazamientos paralelos de la recta), como de R (pivoteo de la recta manteniendo fijo el
punto de interseccin con el eje de abcisas, v).

2.3 REGULADOR DE VOLTAJE CON DIODO ZENER.

En la figura 2.7 se presenta un circuito de aplicacin de diodo Zener como regulador de

voltaje (de tipo paralelo).

R iL

+
Vs v2 iZ RL
-

Fig. 2.7: Regulador con diodo Zener (vZ = -vD; iZ = -iD)

La situacin a resolver corresponde a necesidades de proporcionar una tensin estable

(constante) a una carga, representada por RL. La estabilidad de dicha tensin debe
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2- 7

mantenerse ante variaciones de la propia carga RL, o de la fuente VS, o de su resistencia

interna R (pudiendo estas variaciones coexistir).

La figura 2.8 muestra la caracterstica V-A en operacin Zener, as como la hiprbola de

mxima disipacin (o lmite de potencia).

iZ

A Lmite de potencia
VS/R

I ZQ Q
recta de carga
vD B vZ
VZQ VT
iD
Fig. 2.8: Solucin grfica

Para trazar la recta de carga es necesario o conveniente reducir la circuitera externa al

diodo, esto es, obtener el equivalente Thvenin visto por los terminales del zener; tal
equivalente se indica en la figura 2.9.

RT =R//RL
iZ

+
V=VS RL/(R+RL )
vZ
-

Fig. 2.9: Circuito simplificado

Para trazar la recta de carga se procede:

a) haciendo vZ = 0, se obtiene
VT
iZ =
RT

VS RL RRL
donde VT = , y RT = = R // RL
R + RL R + RL

VT V R R + RL VS
As, iZ = = S L =
vZ =0
RT R + RL RRL R

b) haciendo iZ = 0, se obtiene:
2- 8 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

VS RL
vZ = VT =
iZ =0
R + RL

la recta aparece trazada en la misma figura 2.8 anterior.

ANLISIS DE VARIACIONES

a) Variaciones de Vs (puede ejemplificar caso como el de un generador-rotatorio- de C.C.

que vara su velocidad).

Si Vs crece, el punto A se desplazar hacia la derecha, esto es, la recta se alejar del origen
del sistema y el punto Q subir por la caracterstica V-A; dada la verticalidad de la
caracterstica, la variacin experimentada por VZQ ser pequea. Para disminucin de Vs
los desplazamientos sern todos- en sentido opuesto.

El grfico permite tambin estimar (y calcular) lmites mximos para variaciones de Vs,
manteniendo estable la tensin en la carga y no excediendo la disipacin o corriente
mxima en el zener.

b) Variaciones de R (puede ejemplificar casos como el de una pila que se agota o batera
que se descarga).

Si R crece el punto A se desplazar hacia abajo y el punto B hacia la izquierda (VT

disminuye), la recta se acerca al origen y Q baja por la caracterstica del zener.
Nuevamente, dada la verticalidad de la curva V-A, la variacin de VZQ ser pequea.

c) Variaciones de RL (una gran variedad de cargas presenta este tipo de comportamiento).

Si RL disminuye el punto A se mantiene esttico, pero el punto B se desplaza hacia la

izquierda (VT disminuye). Como antes, la verticalidad de la curva V-A del zener resulta en
que la variacin de VZQ sea pequea.

2.4 EXPRESIONES ANALTICAS SIMPLIFICADAS.

LA ECUACIN DE SHOCKLEY

Asumiendo algunas simplificaciones, la relacin entre voltaje y corriente en un diodo de

silicio de pequea seal se expresa por:

vD
iD = I S e nVT 1 (2.4.1)

conocida por como la ec. de Shockley.

Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2- 9

Is se llama corriente de saturacin y su valor es del orden de 1 10 14 [A] a 300K (se

duplica por cada aumento de 5K en el silicio).

n es el coeficiente de emisin, con valores entre 1 y 2; asumir la unidad produce buenas

aproximaciones a los valores reales.

VT es el voltaje trmico, determinado por:

kT
VT = (2.4.2)
q
con

T : temperatura [K]
k : constante de Boltzmann = 1.38 10 23 [J/K]
q : carga del electrn = 1.6 10 19 [C]

As, a 300K, VT = 0.026[V]

Debido a las aproximaciones simplificatorias implcitas, la expresin de (2.4.1) produce

resultados aceptables para corrientes iD entre 0.01[A] y 10[nA].

Para valores de vD de algunas dcimas de Volt, la exponencial de la ecuacin (2.4.1) es

mucho mayor que 1, y se puede entonces aproximar:
vD
iD = I S e 0.026 (2.4.3)

Para corrientes grandes debe incluirse el efecto resistivo (hmico) del material
semiconductor en cada lado de la juntura, aumentando la complejidad de las expresiones (y
su resolucin).

Si bien el tratamiento analtico puede lograr en algunas ocasiones- resultados tiles, la

gran mayora de las aplicaciones puede ser tratada con mtodos ms simples, basados en
modelos simplificados.

2.5 EL MODELO IDEAL DEL DIODO.

Un modelo til para una gran variedad de instancias de anlisis es el ideal, que describe
al diodo como una vlvula unidireccional, esto es, como un conductor perfecto cuando es
polarizado directamente (positivo en el nodo, negativo en el ctodo), y como un aislador
perfecto cuando es polarizado negativamente.

La figura 2.10 grafica el modelo ideal

2 - 10 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

iD

vD

Fig. 2.10: Curva V-A del modelo ideal.

Si iD es positiva, vD es cero, y se dice que el diodo est en estado On (encendido).

Si vD es negativo, iD es cero, y se dice que el diodo est en estado Off (apagado).

El modelo ideal se puede utilizar si el contexto del circuito se puede presumir que los
voltajes sern de magnitud suficiente para asegurar uno u otro estado de operacin de los
diodos, y si, frente a esos niveles de voltaje y corriente, los voltajes de conduccin (rodilla)
y las corrientes inversas resultan despreciables. Tambin resulta muy til el modelo ideal si
lo que se requiere es la comprensin del funcionamiento de un circuito (cualitativo) ms
que un anlisis exacto (cuantitativo).

Cuando se analiza un circuito con diodos modelados como ideales, no se puede conocer
anticipadamente en qu estado se encontrar cada uno. La experiencia ayuda a acertar en
las obligadas suposiciones. El mtodo consiste en suponer una cierta combinacin de
estadios de los diferentes diodos involucrados; con dichos estados supuestos se reemplazan
los diodos por cortocircuitos (los supuestos en estado On) y por circuitos abiertos (los
supuestos en estado Off). El circuito se ve as significativamente simplificado permitiendo
una fcil evaluacin de tensiones y corrientes.

Obteniendo corrientes y tensiones en los puntos (nodos) donde estaban los diodos, stas se
comparan con las condiciones necesarias para los estados supuestos; si hay concordancia
significa que la combinacin de estados supuesta es correcta; obviamente, si no hay
concordancia debe intentarse otra combinacin de estados.

Mayor claridad puede lograrse aplicando el procedimiento descrito en un ejercicio simple,

como sigue.

Ejemplo: Analizar el circuito de la figura 2.11 usando modelo ideal para los diodos D1 y D2

D1 D2
4 [ K ]

10 [V] 6[K ] 3 [V]

Figura 2.11: Circuito con dos diodos.

Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -11

Dado que hay dos diodos, existen 4 alternativas:

D2
ON OFF
ON a b
D1
OFF c d

Suponiendo la alternativa a (ambos diodos en estado ON), el circuito se simplifica hasta:

iD1 iD2
4 [ K ]

10 [V] 6 [ K ] 3 [V]

Evaluando las corrientes, se obtiene:

iD1 = (10 3) 4 = 1.75 [ mA]

iD 2 = iR 6 K iD1
3
iD 2 = 1.75 = 1.25 [ mA]
6

El valor negativo obtenido para iD 2 implica que D2 no est en estado ON y, por lo tanto, la
alternativa no es la correcta.

Si se analiza la alternativa b (D1 en ON y D2 en OFF), el circuito queda como:

iD1
4 [ K ] - vD2 +

10 [V] 6 [ K ] 3 [V]

Evaluando,

iD1 = 10 ( 4 + 6 ) = 1[ mA]
6
vD 2 = 3 10 = 3[V ]
4+6
2 - 12 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

Efectivamente, entonces, iD1 positiva confirma el estado ON de D1, y vD2 negativo confirma
el estado OFF de D2.

Para circuitos con N diodos las alternativas a analizar seran 2N, lo que puede resultar muy
extenso; un buen nmero de estas 2N alternativas son fcilmente descartables,
particularmente teniendo algo de prctica; slo unas pocas alternativas merecern atencin.

2.6 MODELO CON LINEALIDAD A TRAZOS.

Algunas aplicaciones cuyas solucin requiere de mayor precisin obligan a mejorar

(complicando) el modelo anterior, haciendo consideracin tanto del voltaje de rodilla
(diferente de 0[V]) como del carcter finito de la pendiente de la curva V-A.

iD

1/Rs

ideal Rs vD
vD VD

(a) (b)

Figura 2.12: Modelo con linealidad por trazos

(a) Representacin del modelo.
(b) Curva V-A aproximada mediante trozos de rectas.

APLICACIONES CORRIENTES.
2.7 CIRCUITOS DE RECTIFICACIN.

La funcin bsica de un circuito de rectificador es convertir potencia disponible desde una

fuente de corriente alterna en potencia de tensin continua.

Las aplicaciones ms comunes en que es requerida esta conversin son en fuentes de poder
(para alimentacin de circuitera, o polarizacin) y en cargadores de bateras.

Otras aplicaciones son la demodulacin (deteccin) de seales de radio AM y la

conversin en voltmetros basados en galvanmetros (C.C) para medir tensiones de C.A.
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -13

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.

El circuito de la figura 2.13 constituye un rectificador bsico de media onda, con fuente de
alimentacin alterna sinusoidal y carga resistiva.

v (t)
+vm s

D
+ +
RL v0(t) -vm
vs(t)
-
-

v0 (t)
+vm
(a)

(b)

Figura 2.13: Rectificador bsico de media onda.

(a) Esquemtico del rectificador.
(b) Seales de entrada y salida del rectificador.

Utilizando el modelo ideal para el diodo, es fcil describir el funcionamiento:

- Cuando la seal de entrada vs ( t ) tiene valores positivos, esto es durante todo un

semiciclo o media onda, el diodo se polariza directo, asume estado ON y se comporta
como cortocircuito; as la tensin vs ( t ) es aplicada directamente a RL, como aparece en
v0(t).

- Cuando vs ( t ) tiene valores negativos esto es, durante el otro semiciclo- el diodo
queda con polarizacin inversa (estado OFF) y se comporta como circuito abierto; no
hay circulacin de corriente y la tensin v0 ( t ) es nula.
2 - 14 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

En resumen, la carga recibe tensin slo durante los semiciclos positivos de vs ( t ) , tal
como lo indica la grfica de v0 ( t ) . La curva slida corresponde a la utilizacin del modelo
ideal del diodo; la curva segmentada considera la (pequea) reduccin debida al voltaje de
rodilla finito del diodo.

La seal v0 ( t ) tiene valor medio finito, lo que corresponde al voltaje continuo; superpuesto
a dicho valor existe adems un voltaje alterno (constituido por una sumatoria de
sinusoidales de frecuencias armnicas de la frecuencia original de vs ( t ) ).

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON FILTRO CAPACITIVO (Figura 2.14)

Cuando se requiere aumentar el valor medio o continuo, y reducir las componentes

alternas, en la tensin proporcionada por un circuito rectificador, el mtodo ms popular
consiste en la utilizacin de un condensador (de gran valor) en paralelo con los terminales
de salida, esto es, con carga.

v
+vm v0 (t)
vr
iD(t) iL (t)
vs(t)

D
t
+ +
v (t) C RL v0 (t) OFF
s - ON ON
-
i iD(t)

iL(t)
(a)

(b)
Figura 2.14: Rectificador de media onda con filtro capacitivo.
(a) Esquemtico del rectificador
(b)Seales de inters.

Cuando vs ( t ) alcanza su peak positivo carga al condensador C hasta dicho peak +vm. Al
comenzar a disminuir vS, la tensin en el capacitor, aplicado al ctodo, lleva al diodo a
estado OFF.

El capacitor se descarga a travs de RL disminuyendo su tensin; al semiciclo siguiente, el

diodo conducir nuevamente cuando vs ( t ) alcance y supere la tensin en el condensador.
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -15

Para un anlisis cualitativo del comportamiento de este tipo rectificador (con filtro)puden
utilizarse mtodos computacionales mejorando previamente el modelo (incluyendo p.ej.
resistencia interna de la fuente vs ( t ) )- o bien, utilizar algunos nomogramas disponibles
(Ref: DAYAL, Power rectification using silicon dioses. Curvas de Schade).
Comparando v0 ( t ) de la figura 2.13 con la de la figura 2.14 se aprecia que esta ltima ha
aumentado el nivel medio, disminuyendo la magnitud de las componentes alternas, esto es,
ha mejorado el proceso de rectificacin.

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

En referencia al circuito anterior (figura 2.14) es calo que la magnitud total de las
componentes alternas (VR) podra ser reducida, con el consecuente aumento del valor
medio por medio de aumentar el tamao del condensador; tal procedimiento puede resultar
poco prctico por diversas razones. Otra opcin para el propsito anterior puede
encontrarse reduciendo el tiempo durante el cual el condensador se descarga a travs de RL;
tal solucin es la que se logra con un rectificador de onda completa, ya sea en versin
puente de diodos o de punto medio.

+ D1
Vm sen ( t ) +

RL v0(t)
+ -
Vm sen ( t )

D2
Figura 2.15: Rectificador de onda completa de punto medio

Cuando Vm sen ( mt ) est en semiciclo positivo la conduccin es a travs de D1. D2 se

mantiene en estado OFF. Para el sentido negativo de Vm sen ( mt ) , la conduccin es por D2.
RL recibe ambos semiciclos con igual polaridad.

D2 D1
+
Vm sen ( t ) D4 D3
+
RL v0 (t)
-
Figura 2.16: Rectificador de onda completa de puente de diodos.
2 - 16 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

Cuando Vm sen ( mt ) est en sus semiciclos positivos, se establece la conduccin por D1, RL
y D4; D2 y D3 permanecen OFF. Para los semiciclos negativos de Vm sen ( mt ) la
conduccin es a travs de D3, RL y D2; D1 y D4 permanecen OFF.

Tanto en los semiciclos positivos como en los negativos, la corriente circula por RL
entrando por el terminal positivo (v0(t) positivo).

2.8 CIRCUITOS MODIFICADORES DE FORMA DE ONDA

Tal como existe una amplia variedad de circuitos cuyo propsito es modificar una forma de
onda aplicada en su entrada, para proporcionar otra diferente pero relacionada- en su
salida, tambin son variadas las tcnicas ms adecuadas para su tratamiento. Algunos de
estos circuitos son realizados en base a diodos, destacndose los recortadores y los
enclavadores.

CIRCUITOS RECORTADORES (CLIPPER CIRCUITS)

Son empleados principalmente como etapas de proteccin, esto es, para impedir que la
tensin en la entrada de una etapa exceda cierto nivel (recortando cualquier exceso
eventual). Una configuracin simple se muestra en la figura 2.17.

+vm

V v (t)
o

-vm

Figura 2.17: Recortador de un nivel (positivo).

Mientras la seal de entrada se mantiene en valores inferiores a V, el diodo D permanece en

estado OFF (equivalente a circuito abierto), no hay circulacin de corriente y la tensin se
replica en la salida.

Cuando Vm sen ( mt ) supera la tensin de la batera V, el diodo adopta estado ON, se

comporta como cortocircuito y la tensin observable en la salida no supera el valor V.

La diferencia entre la curva slida y la curva segmentada corresponde a la cada de tensin

en R.
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -17

Es posible construir recortadores para 2 niveles (positivos, negativos o en combinacin), en

los que la salida es rplica de la entrada mientras sta se mantenga entre los 2 niveles.

CIRCUITOS DE ENCLAVAMIENTO (CLAMP CIRCUITS)

En ciertas aplicaciones se requiere que la seal, sin perder su forma de onda original, se
mantenga confinada sobre o bajo un voltaje especificado de umbral; para el propsito se
agrega a la seal un nivel continuo tal que impida que sus peaks excedan el umbral
especificado. La funcin es normalmente realizada en base a diodos.

El circuito de la figura 2.18 enclava los peaks positivos de la seal de entrada en -5V
(tensin de batera).

Considerando el diodo como ideal y el condensador muy grande, las excursiones positivas
de vS(t) cargan el condensador al valor peak

+10
vS(t)
V

+ -
0 t
VC
+ D +
vs(t) v0 (t)
- - -5
5[V]

-10 v (t)
o

-25

Figura 2.18: Enclavador

Considerando el diodo como ideal y el condensador muy grande, las excursiones positivas
de vs(t) cargan el condensador al valor peak, a travs de la conduccin del diodo. Al
disminuir la tensin de entrada el diodo asume estado OFF (circuito abierto) y la salida
estar dada por:

v0 ( t ) = vs ( t ) Vc (2.8.1)

Las curvas de la figura 2.18 suponen vs ( t ) = 10 sen ( t ) .

2 - 18 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

Es posible naturalmente producir el enclavamiento en diferentes combinaciones de peak

enclavado (positivo o negativo) y el voltaje al cual se enclava (positivo o negativo), por
medio de diferentes polaridad de la batera y orientacin (sentido) del diodo.

Como criterio de diseo inicial se elige el producto RC (constante de tiempo) un orden de

magnitud mayor que el perodo de la seal de entrada ( T = 2 ).

2.9 CIRCUITOS LGICOS ELEMENTALES

Algunas funciones bsicas de decisin pueden ser efectuadas mediante circuitos simples
basados en diodos, suponiendo que las variables (seales) de entrada son de tipo discreto
binario, esto es, que pueden asumir slo uno de dos posibles niveles.

Tpicamente se utiliza +5V como nivel alto (1 lgico) y 0V como nivel bajo (0 lgico).

La figura 2.19 muestra la realizacin de la funcin lgica OR de tres seales binarias:

v1

+
v2
v0(t)
R
v3 -

Figura 2.19: Funcin OR

Considerando los diodos como ideales, es claro que v0 ser igual a +5[V] si cualquiera de
las entradas v1 a v3 es igual a dicho valor. Si las tres entradas son simultneamente-
iguales a 0[V], la salida v0 tambin ser 0[V].

As,

v0 = v1 or v2 or v3
(2.8.2)
v0 = v1 + v2 + v3 binario
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -19

+5[V]

v1

v2 +

v0(t)
v3
-

Figura 2.20: Funcin AND

Las figura 2.20 muestra la funcin AND. Si cualquiera de las seales v1 a v3 asume el
estado 0[V], forzar la conduccin del diodo correspondiente, llevando v0 a 0[V]. Slo si
las tres entradas son simultneamente- iguales a +5[V], ningn diodo conducir, no habr
circulacin de corriente y la salida v0 ser igual al valor de la fuente, esto es, +5[V].

As,

v0 = v1 and v2 and v3
(2.8.3)
v0 = v1 i v2 i v3 binario

Si se considera el carcter no-ideal de los diodos, esto es, el voltaje de rodilla finito, se
puede deducir que no es posible conectar varias de estas configuraciones en cascada (serie),
pues la acumulacin de cadas de tensin provocar un significativo alejamiento de los dos
valores predefinidos. Esta limitacin restringe el campo de aplicacin de la lgica basada
en diodos a slo funciones elementales simples, sin embargo, capaces de satisfacer en
forma sencilla algunos requerimientos.
2 - 20 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

2.10 CONMUTADOR (SWITCH) ANLOGO

Una funcin requerida con relativa frecuencia es la de controlar (conmutar) una seal
anloga mediante seales de control discretas, en reemplazo de un interruptor de tipo
mecnico. Un esquema simple de realizacin se indica en la figura 2.21:

Vc1

+ +
v s(t) R L v 0(t)
- -
R

Vc2
Figura 2.21: Switch anlogo

Las seales de control Vc1 y Vc2 deben asumir slo uno de dos valores posibles (+V y V)
y, adems, hacerlo en forma complementaria.

Si Vc1 = +V ( y Vc2 = -V), todos los diodos asumen estado ON; suponiendo el modelo
ideal, la salida v0 queda conectada a la entrada vs.

Si Vc1 = -V (y Vc2 = +V), los diodos asumen estado OFF (circuito abierto) y la salida
queda flotante.

La magnitud de V debe ser significativamente mayor que el valor peak de la seal de

entrada.
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -21

2.11 APLICACIONES LINEALES

La utilizacin de dispositivos no-lineales en aplicaciones lineales se basa en conceptos y

tcnicas de POLARIZACIN y PEQUEA SEAL.

iD

Q
IDQ

vD
VDQ
Figura 2.22: Caracterstica V-A de un diodo de silicio.

Revisando nuevamente la caracterstica V-A de un diodo de silicio en la zona de

conduccin, lo que se repite en la figura 2.22, el punto identificado Q (quiescent,
estacionario) es alcanzado polarizando el diodo mediante fuente de tensin C.C y
resistencia.

Considrese ahora que, debido a algn tipo de excitacin, el punto Q es forzado a

desplazarse pequeas variaciones respecto de su posicin original. Mientras esas
variaciones (tanto de la corriente como de la tensin) sean pequeas respecto de los valores
de polarizacin (IDQ; VDQ), el comportamiento del diodo podr ser modelado como una
resistencia, cuyo valor corresponde al recproco de la pendiente alrededor del punto Q.

El concepto de pequea seal es vlido mientras las excursiones del punto Q no lo lleven
a zonas de valor de pendiente significativamente diferente.

Controlando la posicin del punto Q se tendr control sobre el valor resistivo que modela el
comportamiento del diodo, esto es, se dispondr de un resistor controlado por voltaje
(voltaje que polariza al diodo).
2 - 22 Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos

C1 C2

R
+ RC +
v (t) D RL v0 (t)
s -
-
VC

Figura 2.23: Atenuador controlado

El circuito de la figura 2.23 presenta un ejemplo de utilizacin que aplica los conceptos
anteriores.

El circuito es un reemplazo electrnico de un potencimetro de accin (mecnica) rotatoria

o deslizante.

Los condensadores C1 y C2 son de valor suficientemente grande como para ser

considerados cortocircuito a la frecuencia de la seal; para C.C. se comportan como
circuito abierto.

La fuente de tensin continua VC y la resistencia RC determinan la polarizacin del diodo,

p.ej. el punto Q de la figura 2.22.

Para pequea seal, esto es, magnitudes de vs que provoquen slo pequeos
desplazamientos del punto Q, el circuito se modela como se indica en la figura 2.24.

R
+ +
vs(t) RC rd RL v0 (t)
- -

Figura 2.24: Modelo de pequea seal

Los condensadores han sido reemplazados por cortocircuitos, al igual que la fuente VC. El
diodo es reemplazado por su RESISTENCIA DINMICA rd, esto es, el recproco de la
pendiente de su caracterstica en el entorno (inmediato) del punto Q.

La salida v0(t) es producto de una divisin de la tensin de entrada vs(t). El divisor de

tensin consta de una fraccin formada por R y otra fraccin constituida por las resistencia
RC, rd y RL en paralelo.
Fundamentos de Electrnica Introduccin a los diodos 2 -23

En resumen,

R // r // RL
v0 ( t ) = vs ( t ) C d = vs ( t ) K (2.11.1)
R + RC // rd // RL

de donde se aprecia la razn de atenuacin (entre [ ]), la cual se puede variar por medio de
rd .

Si VC se aumenta, el punto Q se desplazar alejndose del origen hacia una zona de mayor
pendiente de curva, esto es, de menor resistencia dinmica, y K disminuye. Si, a la inversa,
VC disminuye, el punto Q se acerca al origen, hacia una zona de menor pendiente o mayor
resistencia dinmica y K aumenta.

Si vs(t) es de amplitud constante, v0(t) variar su amplitud proporcionalmente a K.

Un ejemplo de aplicacin prctica se encuentra en grabadoras con control automtico del

nivel de grabacin, aplicndose un esquema de realimentacin como el del diagrama de
bloques de la figura 2.25:

Filtro RC
Rectificador
(pasabajos)

Atenuador
Cabezal de
Controlado por Amplificador
Grabacin
Voltaje

Figura 2.25: Control automtico de nivel de seal

El filtro (RC) pasabajos extrae el valor medio o continuo de la seal rectificada. Si la seal
de entrada aumenta su valor, el nivel continuo crece, disminuyendo la razn en el atenuador
controlado.

El propsito de un sistema de este tipo es poder proporcionar un alto grado de

amplificacin a las seales dbiles, pero previniendo que cuando stas seales de entrada
sean fuertes, puedan provocar saturaciones (con la siguiente distorsin).

De los conceptos y tcnicas revisadas hasta ahora es posible extraer los elementos de
anlisis e incluso algunos de diseo- para dos de los bloques del esquema. Captulos
siguientes abordarn temas relativos a otros bloques funcionales.