1er CURSO I. T.

TELECOMUNICACIN CURSO 2009-2010 6) Dados los transistores NPN de la figura a temperatura ambiente,
a) Suponiendo los tres transistores en la zona activa, y con iguales tensiones de
TECNOLOGIA Y COMPONENTES ELECTRONICOS Y FOTONICOS polarizacin, ordenar (en orden decreciente) para los tres transistores los valores
del parmetro F.
PROBLEMAS DE TRANSISTORES BIPOLARES b) Si se intercambian Emisor y Colector en el transistor T1, representar las
principales componentes de las corrientes cuando el nuevo transistor se polariza
1) Sea un transistor bipolar NPN en el que IEp = 0.15 mA, IEn = 3 mA, ICp = 0.5 A, e en la zona activa.
ICn = 2.9 mA. Calcula los siguientes parmetros e intensidades: , T, F, F, IB, ICO.
(Suponer que el colector est mucho menos impurificado que la base)
E B C E B C
2) Supongamos un transistor bipolar PNP de silicio en equilibrio trmico a temperatura
10 cm-3
17
17
10 cm
-3 15
10 cm
-3 14
10 cm
-3
1015cm-3 1014cm-3
ambiente, con los siguientes dopados en cada zona:
NAE=51017 cm-3, NDB=1015 cm-3, NAC=1014 cm-3. T1 WBB0 T2 2WBB0
a) Representar el diagrama de bandas indicando en cada una de las zonas neutras la
distancia entre EF y Ei. Indicar tambin la anchura de las zonas de carga espacial de
cada unin. E B C
1017cm-3 1014cm-3 1014cm-3
b) Dibujar el campo elctrico a lo largo del transistor, indicando valores numricos.
c) Calcular la diferencia de potencial total entre el emisor y el colector.
T3 WBB0
d) Si a la unin EB de este transistor se le aplica un voltaje externo V1 = 0.3V, que
polariza dicha unin en directa, y se polariza la unin CB en inversa aplicando un 10 V
voltaje externo V2=2V, dibujar el diagrama de bandas resultante, y las
distribuciones de portadores minoritarios en todo el transistor. 7) En la figura siguiente se muestra el circuito de polarizacin de
un transistor bipolar. Las caractersticas de salida estn 310 K 2 K

3) Si aumentamos la anchura de la base de un transistor bipolar NPN, cmo se representadas en la figura adjunta.
modifican los siguientes parmetros? (aumentan, disminuyen o casi no varan): a) Determina los valores de VCE, IC, e IB en continua
T, , dc, efecto Early b) Calcula los valores de , r y r0.

4) Supongamos un transistor bipolar NPN de silicio en equilibrio trmico a temperatura

ambiente, con los siguientes dopados en cada zona:
NDE=1017 cm-3, NAB=1016 cm-3, NDC=1015 cm-3.
a) Representar el diagrama de bandas indicando en cada una de las zonas neutras la
distancia entre EF y Ei. Indicar tambin la anchura de las zonas de carga espacial de
cada unin.
b) Dibujar la densidad de carga y el campo elctrico a lo largo del transistor,
indicando valores numricos.
c) Calcular la diferencia de potencial total entre el emisor y el colector.

5) Se tienen los tres transistores bipolares NPN de la figura. Decir en cul(es) de ellos:
a) es menor la alfa de continua, F
b) el efecto Early ser ms apreciable

NDE=11019 cm-3 NDE=11019 cm-3 NDE=51017 cm-3

NAB=11017 cm-3 NAB=11017 cm-3 NAB=11017 cm-3
NDC=11015 cm-3 NDC=11015 cm-3 NDC=11015 cm-3
WBB= 0,4 m WBB= 1 m WBB= 1 m

T1 T2 T3
8) Se tiene un transistor N+PN. Si el dopado NA de la base aumenta, cmo se modifican
los siguientes parmetros?
a) Ganancia de corriente en emisor comn 13) Para el circuito de la figura:
b) Resistencia de salida en pequea seal rO a) Para cada uno de los siguientes casos (i)-(iii):
RE=2 K RC
- Calcular el punto de trabajo del transistor e
indicar si se encuentra en saturacin,
9) Suponer un transistor bipolar P++N+P. Cmo se modifican los siguientes parmetros si activa o corte.
se aumenta la anchura de la base? (razonar muy brevemente) - Representar grficamente en el plano de las VEE VCC = 4 V
a) T caractersticas IC(VCB) el punto de trabajo
b) y la recta de carga.
c) dc (i) VEE = 20 V, RC = 0,5 K
d) efecto Early (ii) VEE = 10 V, RC = 0,5 K
(iii) VEE = 3 V, RC = 0,5 K
b) Calcular el punto de trabajo del transistor, y representarlo grficamente, as como
10) Por un fallo en el proceso de fabricacin de un transistor PNP, el dopado del emisor tambin la recta de carga para los siguientes casos:
ha quedado igual que el dopado de la base: NA1, E = ND1, B >> NA1, C (T1), cuando se (i) VEE = 4 V, RC = 2 K
pretenda que NA2, E >> ND1, B (T2). El resto de los parmetros ha quedado como se (ii) VEE = 4 V, RC = 0,5 K
esperaba. Este fallo afecta a las caractersticas elctricas del transistor. (iii) VEE = 4 V, RC = 0,1 K
a) Cmo sern los valores de la ganancia de corriente en
IC (mA)
continua en emisor comn F para el transistor T1
IE
comparados con el T2? IC2

b) La curva caracterstica IC(VCB) esperada para el 14) En el circuito de la figura: VEE= -12 V VCC= +18
transistor T2 para una corriente de base IE es la a) Calcular IE, IC, IB, VCB y VCE si RE RC
representada en la figura (base comn). Cmo ser la RE = 4 K y RC = 2 K.
VCB (Volts)
correspondiente al transistor T1 para la misma IE? b) Calcular los valores que deben tener RE
+1 -1 -2 -3 -4
y RC para que IC=3.5mA y VCE=6V.

11) Un grupo de investigadores estn diseando un transistor bipolar para ciertas

aplicaciones concretas. La estructura sobre la que trabajan es de tipo P/N+/P
(NE << NB >> NC). 15)
a) Comparar la eficiencia de inyeccin del emisor , y la ganancia de corriente en (a) Para el circuito de la figura, calcular el punto de
emisor comn F de este transistor con los correspondientes a uno con los dopados trabajo del transistor indicando si se encuentra en
VCC=10 V
habituales P++/N+/P. saturacin, activa o corte, y representar
b) Hacer un esquema con las componentes de la corriente que entran o salen de cada grficamente el punto de trabajo y la recta de
terminal del transistor en saturacin directa. carga en el plano de las caractersticas IC(VCE) RC=1 K
c) Representar de forma cualitativa las densidades de portadores minoritarios en el para los siguientes valores de RB:
emisor npE(x), en la base pnB(x), y en el colector npC(x), cuando el transistor se (i) RB = 100 K VBB=4 V =100
encuentre polarizado en activa. (ii) RB = 50 K VCE(sat) = 0
RB
(ii) RB = 20 K
(b) Razonar hacia qu zona se mueve el punto de
12) Se tienen dos transistores bipolares T1 y T2. Son P++N+P, y se sabe que los dopados trabajo al disminuir la resistencia de base RB.
de emisor, base y colector son iguales para ambos y que F1 > F2. (c) Razonar hacia qu zona se mueve el punto de
a) En cul de ellos la anchura de la base WBB ser mayor? trabajo si se aumenta la resistencia de colector RC.
b) Cul tendr mayor factor de transporte en la base T?
c) Cul tendr mayor eficiencia de inyeccin del emisor ?
d) En cul ser ms importante el efecto Early?
 16) Suponer un transistor bipolar N++P+N cuyas caractersticas de salida ideales en c) Ordena (en orden creciente) los tres transistores para los valores de: (NE/NB), WB
emisor comn se representan en la figura 16.1. y NC .
a) Representar en un esquema todas las componentes de la corriente de electrones y d) Considerar el transistor T2. Cul de las dos grficas representa mejor la
huecos en la zona activa, indicando brevemente cules son importantes. distribucin de portadores minoritarios en la base en funcin de la posicin? Por
b) De los siguientes parmetros, cules afectan a la ganancia en emisor comn F y en qu?
qu forma?:
Dopado del emisor NE, de la base NB y del colector NC; anchura del emisor 3) Se han fabricado tres transistores PNP que tienen el mismo T ICn
WEE, de la base WBB y del colector WCC; densidad de centros profundos en la factor de ganancia en emisor comn, =24. Sin embargo, se T1 0,98 0,032 A
base NT. ha observado que la estructura interna de los mismos no es T2 0,965 0,01 A
c) La fig. 16.2 representa las caractersticas de salida en emisor comn de un transistor igual. Todos tienen el mismo dopado en el emisor NE, pero T3 0,99 0,030 A
comercial. Comentar la(s) diferencia(s) ms importante(s) que se aprecia(n) con las diferentes dopados en la base NB y en el colector NC, as
ideales y qu efecto(s) la(s) produce(n). como diferente anchura de la base WB. Se ha encontrado que para un cierto valor
d) Para el circuito de la figura, calcular el punto de trabajo (VCE, IC) y representarlo de los voltajes aplicados en activa, la corriente de colector de huecos es
grficamente junto con la recta de carga. Usar para ello las caractersticas de la ICp = 2,9 mA (igual en los tres transistores). Para estas condiciones, en la tabla se
figura 16.1. Si es necesario, interpolar las caractersticas. indican los valores de T e ICn de cada transistor.
e) Si disminuye el voltaje de la fuente VBB, razonar hacia qu zona de polarizacin se a) Para el transistor T1, indicar los valores de las componentes de la corriente
desplazar el punto de trabajo. de base IB, su sentido y origen.
b) Ordena (en orden creciente) los tres transistores para los valores de: NB,
WB, NC.
10
IC (mA) IB = 30 A IC (mA)
c) Dibujar el diagrama de bandas de los transistores T2 y T3 mostrando las
VCC=18 V diferencias entre los dos de forma cualitativa.
IB = 24 A
8
RC=2,5 K
IB = 18 A
6
VBB=4 V

IB = 12 A RB=550K
4

IB = 6 A
2
Fig. 16.3

0 4 8 12 16 20
VCE (Volts) VCE (Volts)
Fig. 16.1 Fig. 16.2

17) Se tienen tres transistores PNP

IEp IEn ICp ICn
polarizados en activa. Todos tienen el
T1 8,0 mA 0,06 mA 7,97 mA 0,2 A
mismo dopado en la base NB, y tambin
igual tiempo de vida media de los T2 7,8 mA 0,26 mA 7,74 mA 0,8 A
portadores minoritarios, pero diferentes T3 7,2 mA 0,86 mA 7,19 mA 0,3 A
dopados en el emisor NE y en el colector NC,
as como diferente anchura de la base WB. En (1) (2)

la tabla se indican las corrientes de los tres p (x) nB

pnB(x)
transistores.
a) Para el transistor T1, indicar los valores
de las componentes de la corriente de base Zona neutra Zona neutra
IB, su sentido y origen. de la base de la base

b) Calcula los parmetros , T, F y F para cada transistor