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Ejemplo
Estructura BCC
Cada tomo en las esquinas toca el tomo central. Una linea que sea dibujada desde una
esquina del cubo a travs del centro hacia la otra esquina pasa a lo largo de 4r, donde r es el
radio de un tomo. Por geometra, la longitud de la diagonal es a3. Por lo tanto, la
longitud de cada lado de la estructura BCC puede ser relacionada al radio de cada tomo
mediante
Conociendo esto y la formula para el volumen de una esfera((4 / 3)pi r3), es posible calcular
el FEA de la siguiente manera:
a = 2r
Entonces es posible calcular el FEA como sigue:
Ejemplo
En esta celda unidad las esferas slidas representan los centros donde los tomos
estn localizados e indican sus posiciones relativas. En esta celda unidad el
tomo central esta rodeado de 8 vecinos ms cercanos y se dice que tiene por lo
tanto un nmero de coordinacin de 8. Cada una de estas celdas unidad tiene el
equivalente de 2 tomos por celda unidad. Un tomo completo esta localizado en
el centro de la celda unidad, y un octavo de esfera esta localizado en cada vrtice
de la celda unidad, haciendo el equivalente de otro tomo. De este modo, hay un
total de 1 (en el centro) + 8 x 1/8 (en los vrtices) = 2 tomos por celda unidad.
Los tomos en este tipo de celdas contactan entre s a travs de la diagonal del
cubo, y la relacin entre la longitud de la cara del cubo a y el radio atmico R es:
El APF de esta celda es 0.68, es decir, el 68% del volumen de la celda esta
ocupado por tomos y el 32% restante en espacio vaco. El cristal BCC no es una
estructura totalmente compacta, ya que los tomos an podran situarse ms
juntos. Muchos metales como el Cromo, Hierro, Wolframio, Molibdeno y
Vanadio tienen estructura cristalina BCC.
Estructura Cristalina Cbica Centrada en las Caras FCC. En esta celda hay
un punto reticular en cada vrtice del cubo y otro en el centro de cada cara del
cubo. El modelo de esferas slidas indica que los tomos de esta estructura estn
unidos del modo ms compacto posible. El APF de esta estructura de
empaquetamiento compacto es 0.74.
Esta celda tiene el equivalente a cuatro tomos por celda unidad. Un octavo de
tomo en cada vrtice (8 x 1/8=1) y seis medios tomos en el medio (1/2 x 6= 3).
Los tomos en la celda FCC contactan entre s a lo largo de la diagonal de la cara
del cubo, de tal forma que la relacin entre la longitud de la cara del cubo y el
radio atmico es:
Ejemplo
1/8 * 8= 1 tomo
* 6= 3 tomo
figura 5
Parmetro de Red:
Volumen de la celda:
La relacin c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1.633 que indica
esferas uniformes tan prximas como sea posible. Los metales Cinc, Cadmio
poseen una relacin c/a ms alta que la ideal, lo que indica que los tomos en
estas estructuras estn ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celda
unidad HCP. Los metales como el Titanio, Berilio, Magnesio Y Circonio entre
otros tienen relaciones c/a menores que la ideal. Por tanto en estos metales los
tomos estn comprimidos a lo largo de la direccin del eje c.
NDICES DE MILLER
Ejemplos
figura 6
Las intersecciones del primer plano son 1, 1, y los recprocos de estos nmeros
son 1, 1, 0 no involucran fracciones, siendo los ndices de Miller (1 1 0).
Finalmente, el tercer plano, tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos dan un ndice
de Miller (1 1 1).
Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno
ms cortes se hacen cero, el plano ha de ser desplazado a una posicin
equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo
al original. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son
indicados con los mismos ndices de Miller.
Una importante relacin slo para el sistema cbico es que los ndices de una
direccin perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los ndices
de Miller para ese plano. Por ejemplo, la direccin [100] es perpendicular al
plano cristalino (100).
figura 7
Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta
celdilla, el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a1,a2,a3 , las
intersecciones de este plano con estos ejes sern todas de valor infinito. As, a1 =
a2= a3 = . El eje c, sin embargo, es nico puesto que el plano basal superior
intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Tomando los recprocos de
estas intersecciones tenemos los ndices de Miller-Bravais para el plano basal
HCP. As, h=0, K=0, i=0, l=1. El plano basal es, por tanto, un plano (0001).
Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican por cuatro ndices
[u,v,t,w]. Son vectores reticulares en las direcciones a1,a2,a3 respectivamente y el
ndice w es un vector reticular en la direccin c.
SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO
Junio 99.- El molibdeno posee una estructura cbica centrada en el cuerpo y una densidad
de 10.2 gr/cm3. Se pide:
a) a) Calcular el nmero de coordinacin y el nmero de tomos de cada celdilla
elemental
b) b) Su radio atmico.
c) c) Su factor de empaquetamiento atmico.
El peso atmico del molibdeno es de 95.94.
Solucin Junio 99.-
a) a) Por ser una estructura cbica centrada en el cuerpo el nmero de coordinacin
es 8 y el nmero de tomos por celdilla es 2 (el central ms 1/8 en cada esquina del
cubo).
b) b) n tomos/cm3 = densidad/ peso molecular
n tomos/cm3 = 10.2 gr/cm3 / 95.94 * 10-23 gr/tomo =
R = sqr3*a/4 =
Junio 01.- Calcula el cambio terico de volumen asociado a una transformacin alotrpica en un
metal puro desde una red FCC a una red BCC.
Por cada celdilla FCC se formarn 2 celdillas BCC, ya que el n de tomos se conserva.
(Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * volumen celdilla BCC / volumen celdilla FCC
Luego cuando cristaliza en BCC es un 8.8% mayor que cuando lo hace en FCC, a pesar de que la
celdilla BCC es ms pequea.
Septiembre 02.- Un metal cristaliza en la red cbica centrada en el cuerpo. Si su radio atmico es
1.24 nanometros. Cuntos tomos existirn en 1 cm3?
Los tomos en un slido estn empaquetados, con lo que existe un cierto grado de orden:
- de corto alcance (slidos moleculares, con enlaces fuertes- covalentes- entre tomos y ms
dbiles van der Waals- entre molculas ).
- de largo alcance (slidos cristalinos)
En el interior de un slido cristalino existe una estructura cristalina formada por una red espacial,
en cada punto de la cual se sitan grupos de tomos idnticos en composicin y orientacin
(base).
La geometra de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de tomos sin dejar
huecos, caracterstica que hace que slo existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais),
caracterizadas por una celda unitaria cada una, que, a su vez viene definida por una serie de
parmetros (a,b,c y , , ).
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los ndices de Miller (para
planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando como el plano
corta a los ejes cristalogrficos principales del slido. La aplicacin de un conjunto de reglas
conduce a la asignacin de los ndices de Miller (hkl); un conjunto de nmeros que cuantifican los
cortes y que slo puede usarse para identificar un plano o una superficie.
El siguiente procedimiento que permite asignar ndices de Miller est simplificado y slo sirve para
el sistema cbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ).
Otros ejemplos:
1- La superficie (110)
2- La superficie (111)
cortes: a,a,a ; cortes fraccionarios: 1,1,1 ; ndices de Miller: (1,1,1)
Las superficies consideradas hasta ahora (100), (110) y (111) son las llamadas superfcies de ndice
bajo de un cristal cbico (el termino bajo hace referencia a que los ndices son 0 o 1). Estas
superficies tienen especial importancia, pero hay un nmero infinito de otros planos que pueden
definirse usando los ndices de Miller.
Notas adicionales:
(i) en algunos casos los ndices de Miller se multiplican o dividen por algn factor comn para
simplificarlos. Esta operacin simplemente genera un plano paralelo que est a distancia diferente
del origen de la celda particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al dividir por
dos)
(ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes, el signo negativo debe aparecer en el
ndice de Miller (ejemplo (00-1) se escribe (001)
(iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes pricipales, por tanto deben usarse
cuatro ndices de Miller (ejemplo (0001))
En el dibujo las tres superficies estn relacionadas por los elementos de simetra del cristal cbico
y son totalmente equivalentes. De hecho hay un total de 6 caras relacionadas por elementos de
simetra y equivalentes a la superficie (100), cualquier superficie que pertenezca a este conjunto
de superficies de simetra equivalente puede ser descrita por la notacin {100}, en la que los
ndices de Miller de una de las superficies estn representados entre llaves.
En el sistema cbico el plano (hkl) y el vector [hkl], definido con respecto al origen, son
perpendiculares. Esta caracterstica es nica del sistema cbico y no se puede aplicar a sistemas de
simetra inferior.
Ejemplo MIL1
Determinar los valores de la interseccin con los ejes x, y, z de un plano cuyos ndices de Miller son
(362). Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura cristalina cbica de parmetro de
red igual a 3.5 A, calcular la distancia interplanar.
A partir de los ndices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3, 1/6, 1/2 y se reducen
a fracciones equivalentes con los nmeros enteros menores posibles (aplicando el mcm= 6),
obtenindose 1/2,1,1/3. Los cortes con los ejes sern, por tanto x=2, y=1, z=3.
Fila reticular
Se trata de una fila de nudos obtenida por aplicacin sucesiva de una traslacin
definida.
El smbolo de las filas reticulares se denomina como los ndices [uvw] que son los
componentes del vector traslacin que une dos nudos adyacentes de la fila
considerada expresados en funcin de un par primitivo cuyo origen se sita sobre
uno de estos dos nudos.
ndices de Miller
Se obtienen calculando las intersecciones (H, K, L), o nmero de traslaciones, con
los tres ejes fundamentales del cristal. Posteriormente se invierten y se eliminan
denominadores, o bien, se calculan los cocientes entre el producto de las tres
intersecciones dividido entre cada una de las intersecciones: (H*K*L= N, N/H= h,
N/K=k, N/L=l)
Intersecciones: H=, K=, L=1,
* Este smbolo entre parntesis (hkl) nombra el plano dado, mientras que entre
corchetes {hkl} indica todos los planos homlogos que resultan de aplicar los
elementos de simetra del cristal al plano (hkl).
Celda unidad
En una red cristalina existen siempre tres traslaciones no coplanarias que tienen las
dimensiones mnimas entre todas las traslaciones posibles de la red: son las
traslaciones fundamentales o constantes reticulares, de dimensiones
submicroscpicas. La porcin del espacio cristalino limitado por estas traslaciones
constituye la celda fundamental del cristal y es caracterstica del mismo.
Las redes de bravais son una disposicin infinita de puntos conformando una estructura
bajo cierto grupo de traslaciones, en la mayora de casos no se dan cambios bajo rotaciones
o simetra rotacional. Estas hacen que desde todos los nodos de una red de bravais tengan
la misma perspectiva de red, por esto se dice que los puntos de una red son equivalentes.
Estructura algebraica conocida por grupos que tiene una secuencia ordenada, sus objetivos
son entre otros la clasificacin de los grupos, sus propiedades y sus aplicaciones.
Por la teora de grupos se ha demostrado que solo existe una nica red de bravais
unidimensional (simple secuencia de nodos equidistantes entre s), 5 redes
bidimensionales paralelogramos (2D) y 14 modelos distintos de redes tridimensionales
paraleleppedo (3D).
http://elcrisoluspt.files.wordpress.com/2008/09/estructura11.pdf
http://www.qi.fcen.uba.ar/materias/qi2/_teoricas/solidos_primera_parte.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Redes_de_Bravais
INTRODUCCIN
El estudio de las siguientes estructuras cristalinas las cuales pertenecen en gran proporcin
a los metales puros solidifican en tres estructuras cristalinas compactas BCC, FCC y
HCP, stas estructuras son estudiadas a partir de una pequea porcin que contenga el
patrn de ordenamiento, las cuales tienen un arreglo asignado debido a
su distribucin atmica y que tienen un gran uso en la actualidad para semiconductores,
circuitos integrados y otros sistemas modernos; a continuacin se estudiarn dichas
estructuras.
ESTRUCTURA CBICA DE CUERPO CENTRADO
Se denomina estructura de cuerpo centrado (body centred cubic) porque uno de los
tomos se encuentra contenido justo en el centro del cubo o celda unitaria, y es
equidistante de los ocho tomos de las esquinas, se dice por lo tanto que tiene un nmero
de coordinacion (NC) de 8, es decir que 8 es el indice de la eficiencia de la condensacin
tomica . en la figura 4.2-1 se puede observar dicha estructura; Ahora , cuantos tomos
contiene la estructura cristalina BCC en cada celda unitaria?
(a) (b)
figura 3.2-1, modelos esquemticos de la estructura BCC: (a)arreglo abierto; (b) tomos
que se aproxman entre s
McMaster_BCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
De la estructura cristalina BCC los tomos que cortan las esquinas son octavos de dichos
vecinos prximos, adems est contenido un tomo en su totalidad en el centro, por lo
tanto tenemos :
Se puede afirmar esto sin temor a alguna equivocacin? la respuesta es acertada pues se
debe recordar que cada tomo de cristal est rodeado por un arreglo idntico de tomos en
el ltice espacial repetitivo, lo que significa que el ltice que conforma el conjunto
parcialmente ordenado que consta de dos elementos (en este caso tomos) tiene una
mnima cota superior y una mxima cota inferior, donde los elementos cumplen
las operaciones de simetra de una estructura, y est dotado de una ley de composicin
interna de aplicacin sucesiva que se puede modelar matemticamente.
En la celda unidad BCC los tomos de cada vrtice contactan entre s a travs de la
diagonal del cubo, como se muestra en la figura 4.2-2, por que la relacipon entre la arista
del cubo a y el radio atmico R es
Generalmente se acepta que la naturaleza favorece los arreglos y estados de la materia que
tienden a minimizar los niveles de energa (energa potencial). por ello podemos
preguntarnos qu tan eficiente es en verdad el arreglo de un cristal y si es razonable asumir
un empaquetamiento denso; para este ultimo se realiza la convencin de:
Generalmente slo est presente un elemento, por lo que todos los radios atmicos son
iguales.
El enlace metlico no es direccional.
La distancia a los primeros vecinos tienden a ser cortas para disminuir la energa de
enlace.
la nube electrnica cubre a los ncleos.
APF= volmen de tomos en una celda unidad/ volmen de la celda unidad (3.2).
Ejemplo 3.2 a
Calcule el factor de empaquetamiento atmico para la celda unidad BCC, considerando los
tomos como esferas rgidas
solucin:
APF=Volumen de los tomos en la celda unidad BCC / Volumen de la celda unidad BCC
Puesto que tenemos dos tomos por celda unidad BCC, el volumen de los tomos de radio
R en una celda unidad es,
3 a=4R
As,
Ahora, se establecern las siguientes realciones de constante de red a y radio atmico para
materiales que tienen estructura cirstalina BCC a temperatura ambiente de (20C).
Constante de red a
metal (nm) radio atmico R (nm)
Ejemplo 3.2-b
El tntalo a 20C es BCC con tomos de radio atmico 0,143nm. Calcule la constante de
celda a para la arista del cubo de la celda unidad del tntalo
Solucin: en la figura 3.2-2 se ve que los tomos de tntalo en la celda unidad BCC se tocan
a travs de la diagonal del cubo.As , si a es la arista del cubo, tenemos:
3 a=4R
a= (4(0,143nm))/3 = 0,330nm
Otro tipo de arreglo cristalino cbico es el FCC (face centred cubic), su diferencia entre las
estructuras cristalinas difiere porque en cada faz (cara) existe un tomo colocado en ella y
en los vrtices de las celdilla unidad, o sea, en las posiciones de los nudos de la red de
Bravais del mismo nombre (figura 4.3-1). El nmero de coordinacion la estructura FCC es
de 12, la forma mas sencilla de comprender esto, es situandose mentalmente en el tomo
del centro de una de las caras y contar todos los tomos en contacto con l.
McMaster_FCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
Ntese que la cantidad de tomos por celda unitaria se duplicaron con relacin a la del
sistema BCC, que contiene el equivalente de dos tomos por celda unidad, con seguridad,
ste es el indicio de una condensacin atmica mas eficiente en el ltice.
En la celda FCC los tomos contactan en la diagonal de la cara del cubo como se indica en
la figura 4.3-3, por lo que la relacin entre la arista del cubo a y el radio atmico R es:
El APF para la estructura cristalina FCC es de 0,74, que es mayor que el factor 0,68 de la
estructura BCC. Un APF de 0,74 es el mximo de compacto posible para tomos esfricos.
Muchos metales como el aluminio, cobre, plomo, nquel y hierro a termperatura elevada (
de 912 a 1.394 C) cristalizan en la estructura FCC.
(a)
(b)
McMaster_HCPs_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
El nmero de coordinacin de los cristales HCP es el mismo que para los FCC e igual a 12.
Se puede verificar esta cantidad con los tomos vecinos ms prximos, considerando el
tomo central en un plano base, este tomo est rodeado por tres tomos en su propio
plano base, ms tres tomos que se localizan cada uno en el plano adyacente paralelo, lo
que hace un total de 12 tomos vecinos ms prximos. El factor de condensacin atmica
es e mismo que el de FCC e igual a 0.74; generalmente se conocen las estructuras FCC y
HCP como empaquetamiento cerrado por que son las dos formas de arreglar esferas
idntica con la densidad mas grande posible y que an exhiben periocidad.
Una celda HCP tiene un equivalente a seis tomos por celda unidad:
Tres tomos forman un tringulo en la capa intermedia como queda reflejado por las
posiciones atmicas en la figura 4.2-2 b. Hay seis 1/6 secciones de tomos en las capas
superior e inferior, contribuyendo con un equivalente de dos tomos mas por celdilla ( 2
6 1/6 =2). Finalmente, hay medio tomo ms por celdilla. As, el nmero toral de tomos
por celdilla unidad en la estructura HCP es de 3 + 2+1 = 6. La relacin entre la altura c del
prisma hexagonal de la estructura y el lado a de su base se llama relacin c/a para algunos
metales HCP. De entre los metales cinc, cadmio, entre otros, tiene una relacin c/a
superior a la ideal lo que indica que los tomos en estas estructuras estn ligeramente
elongados a lo largo del eje c en la celdilla unidad HCP. Los metales como el magnesio,
cobalto, circonio, titanio y berilio tienen una relacion c/A menor que la ideal, por tanto, en
estos metales los tomos estn ligeramente comprimidos en la direccin del eje c. As,
estos metales presentan ciertas desviaciones del modelo ideal de esferas rgidas.
El rea de la base de la celdilla unidad es el rea de la parte inferior del hexagono, de forma
que el rea total es la suma e las reas de los ses tringulos equilteros de rea, a partir de
la figura 4.4-2 podemos deducir lo siguiente:
rea del trinngulo ( figura 4.4-2 b)= 1/2 (base)(altura)
= 3 a^2 sen 60
= 0,0913 nm^3
Materiales con estructura cristalina HCP a temperatura ambiente (20C) y sus constantes
reticulares, su radio atmico y su relacin c/a
Constante de red a ( nm ) %
desviacin
de la
Radio relacin
Metal a c atmico r Relacin (c/a) ideal
Obteniendo:
v = [nmero de tomos por celda * peso molecular de los tomos] / [volumen de la celda
unitaria * nmero de avogadro]
El valor obtenido mediante sta ecuacin puede variar ligeramente del valor experimental
consignado en tablas, lo cual debe atribuirse a la ausencia de algunas posiciones atmicas,
defectos de lnea, y uniones defectuosas entre los granos (limites de grano). Otra causa de
esta situacin puede deberse tambin a que los tomos no son esferas perfectas.
EJEMPLOS
Ejemplo 3.4.1:
El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atmico de 0.1278 nm.
Considerando a los tomos como esferas rgidas que se colocan entre s a lo largo de la
diagonal de la celda unitaria FCC, calcule el valor terico de la densidad del cobre en mega
metros por metro cubico. La masa atmica del cobre es de 63.54 g/mol.
Solucin
Para la celda unitaria FCC, 2a =4R, donde a es la constante de red en la celda unitaria y
R es el radio del tomo de cobre. As:
En la celda unitaria FCC hay cuatro tomos/celda unitaria. Cada tomo de cobre tiene una
masa de (53.54 g/mol)*(6.021023 tomos/mol). As, la masa m de los tomos de Cu en la
celda unitaria es:
m = 4.22 * 10 -28 Mg
V = 4.70 * 10 -29 m
Ejemplo 3.4.2:
Determine la densidad del hierro BCC, cuyo parmetro de red es 0.2866 nm.
Solucin
a = 0.2866 nm
v = [numero de tomos por celda * peso molecular de los tomos]/ [volumen de la celda
unitaria * numero de avogadro]
Ejemplo 3.4.3:
La plata tiene una estructura cristalina FCC con un radio atmico de 0.144 nm. Calcule el
valor terico de la densidad de la plata en g/cm.
Solucin:
Entonces tenemos:
Ejemplo 3.4.4:
La densidad del torio que tiene una estructura FCC es de 11.72 g/cm. El peso atmico del
torio es de 232 g/mol. Calcule:
a) El parmetro de red.
Solucin.
a) Como es una es una estructura FCC el parmetro de red a = 4r/2 y el volumen de la
celda es a.
Utilizando
v = [nmero de tomos por celda * peso molecular de los tomos] / [volumen de la celda
unitaria * nmero de avogadro]
Tenemos:
Despejando r:
r = 6.82*10- cm / 11.72
Respuesta: r = 1.799*10-8 cm
a = (4 * 1.799*10-8 cm) / 2
Respuesta: a = 5.088*10-8 cm
Ejemplo 3.4.5:
Solucin.
a) Mirando la figura de la celda hexagonal compacta y teniendo en cuenta que el volumen
es la base multiplicada por la altura (c) y adems descomponiendo esta base en 6
tringulos equilteros, podemos llegar a la conclusin de que el volumen de la celda es:
V = (3/2)*3*a*c
Reemplazando tenemos:
Respuesta: V= 0.637 nm
b) V = 0.637 nm = 0.637*10- cm
v = [nmero de tomos por celda * peso molecular de los tomos] / [volumen de la celda
unitaria * nmero de avogadro]
Despejando N
Respuesta: N = 18 tomos
Ejemplo 3.4.6:
La densidad del potasio, que tiene una estructura BCC es 0.855 g/cm. El peso atmico del
potasio es 39.09 g/mol. Calcule:
a) El parmetro de red.
v = [nmero de tomos por celda * peso molecular de los tomos] / [volumen de la celda
unitaria * nmero de avogadro]
Tenemos:
Despejando a:
a = 1.519*10- cm
Respuesta: a = 5.336*10-8 cm
b) a = 4r/3
Despejando r:
r = [(5.336*10-8 cm) 3] / 4
Respuesta: r = 2.31*10-8 cm
Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar
unos tomos sobre otros tomos en la celda cristalina.
Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente, el eje X positivo se usa saliendo del papel,
el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte superior; en
sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes negativos
Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran inters, dichas direcciones
son los denominados ndices De Miller y son particularmente las posiciones o lugares por
donde es ms susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en su interior
cristalino.
Para hallar los ndices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera:
Ejemplo 3.5.1
Direccin A
1. Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0
2. Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se desea tener como
direccin y sentido (cabeza del vector) 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [ 100 ]
Direccin B
Direccin C
6.
1. las direcciones de Miller son vectores, por ende este puede ser positivo o negativo, y
con ello poseer la misma lnea de accin pero diferente sentido.
2. una direccin y sus mltiplos son idnticos solo que estos aun no han sido reducidos.
3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, esto en un sistema cubico es
ocasionado por el orden y el sentido de los vectores, ya que es posible redefinir el
sistema coordenado para una misma combinacin de coordenadas. Estos grupos
reciben el nombre de direcciones de una forma o familia, y se denota entre parntesis
especiales <>. Es importante resaltar que un material posee las mismas propiedades en
todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia.
Tabla 3.5.a
Los planos cristalinos son con mayor precisin los lugares por donde un material facilita su
deslizamiento y transformacin fsica; dichos lugares o planos son en donde existe la
mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocacin. Como se mencion
anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los
cuales los tomos estn compactados de manera ms estrecha o cercana en la celda
unitaria. Es importante resaltar la orientacin y forma en la que puede crecer el cristal,
para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales
planos de una celda unitaria. Igualmente para una mejor orientacin en los planos de un
material podr existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos
mecnicos.
1. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X,Y,Z en funcin de los
parmetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del sistema
de coordenadas).
2. los ndices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un plano
cartesiano.
3. se calculan los recprocos o inversos de los puntos o intersecciones.
4. si el reciproco es N/, donde N es cualquier numero entero real, esto significara en el
plano que para este eje el plano quedara paralelo a l sin tocarlo.
5. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad, caso que no ocurre en el estudio de
las direcciones de los ndices de Miller.
Ejemplo 3.5.8
Plano A
1. x=1 y=1 z=1
2. 1/x=1 , 1/y=1, 1/z=1
3. No existen fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z, esto es debido al cociente entre 1/ lo cual con
su respectivo limite tiende a ser cero (0)
2. X=1 , y= 2, z=
3. 1/x=1, 1/y=1/2, 1/z= 0
4. Debemos eliminar las fracciones; 2(1, ,0)
5. (210)
Plano C
1. Es necesario cambiar el origen, ya que el plano pasa por el origen, ubicaremos el nuevo
origen a la derecha del inicial, movindolo en direccin del eje Y positivo
2. Con el nuevo origen se tiene: x=, y=-1, z=
3. 1/x=0, 1/y=-1, 1/z=0
4. No existen fracciones que eliminar
5.
Ejemplo 3.5.3
Relaciones:
H= 1/3(2h k)
K=1/3(2k h)
I=-1/3(h + k)
L=l
Ejemplo 3.5.6
Determine los ndices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y D.
Plano A
1. a1=a2=a3=, c=1
2. 1/a1=1/a2=1/a3=0, 1/c=1
3. No existen fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B
Direccin C
4.
Direccin D
4.
Comportamiento isotrpico y anisotrpico:
Direccin en la celda
A menudo, es necesario referirnos a posiciones especficas en las redes cristalinas. Esto es
especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varan con la
orientacin cristalogrfica. Para cristales cbicos los indices de las direcciones
cristalogrficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de
cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeos.
Para indicar en un diagrama la direccin en una celda cbica unitaria dibujamos un vector
de direccin desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cbica) hasta
que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posicin de la celda unidad donde el
vector de posicin sale de la superficie del cubo despus de ser convertidas a enteros son
los indices de direccin. Los indices de direccin se encierran entre corchetes sin
separacin por comas.
Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comnmente
utilizando cuatro indices en lugar de tres. Los indices para los planos cristalinos HCP
,llamados indices Miller-Bravais, son designados por las letras h, k, i, l y encerrados entre
parentesis ( hkil ). estos indices hexagonales de 4indices estan basados en un sistema
coordenado de 4 ejes.
Existen 3 ejes bsicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje o eje c es el eje
vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. La unidad a de medida a lo largo
de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los tomos a lo largo de estos ejes. La unidad de
medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. Los recprocos de las
intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes, a1, a2, a3 proporciona los
indices h, k e i mientras el recproco de la interseccin con el eje c da el ndice l.
Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla
unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes, a1, a2, a3 las
intersecciones de este plano con estos ejes sern todas de valor infinito. As, a1 = , a2 =
a3 = El eje c, sin embargo, es nico puesto que el plano basal superior intersecciona con
el eje c a una distancia unidad. Tomando los recprocos de estas intersecciones tenemos los
indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. As , H =0 K=0 I = 0 y L=1. El plano
basal es, por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) .
BIBLIOGRAFA:
http://html.rincondelvago.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-cristalina-
de-los-materiales.html
http://www.esi2.us.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html
INTRODUCCIN
Inicialmente podemos definir la densidad planar, coma la cantidad de tomos que hay en
un determinado plano ejemplo: familia de planos (100). Pero una definicin ms formal la
densidad planar es el nmero de tomos que tienen sus centros localizados dentro de un
rea dada sobre un plano. El rea planar seleccionada debe ser representativa de los
grupos de tomos repetitivos dentro del plano. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo
(deformacin plstica), ste ocurre en los planos sobre los cuales los tomos estn ms
densamente empacados.
La densidad planar en cristalografa nos muestra que tan lleno de tomos esta un plano lo
cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos unos
con respecto a otros; con su respectiva direccin de deslizamiento ( densidad lineal) ; la
combinacin de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformacin del
material, A la combinacin de un plano de deslizamiento con una direccin, es a lo que se
le denomina sistema de deslizamiento, y es a travs de estos sistemas por donde se produce
la deformacin de los materiales, de tal forma que cuanto mayor es el nmero de ellos
mayor ser la capacidad de deformacin de stos. Para poder determinar cules son
sistemas existentes, primero tenemos que ver cules son los planos y direcciones
preferentes. Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fraccin atmica
planar (FAP) ms grande o lo que es lo mismo, son los planos de mayor compacidad en la
estructura cristalina. Se define la fraccin (1) atmica planar como:
Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyeccin y se ha deducido que
el tomo central no corta lo suficiente al rea del plano como para tomarse como un tomo
representativo, despus de esto se pasa a hacer un clculo de la densidad planar, sin
tenerlo en cuenta. A continuacin se mostrar el desarrollo de lo anteriormente
mencionado:
Con los resultados anteriores, y despus de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (111) se llega a la conclusin que para FCC es igual a 90,7% y para BCC
es igual a 34%.
Con los resultados anteriores, y despus de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (110) se llega a la conclusin que para FCC es igual a 55,53% y para
BCC es igual a 83,3%.
BIBLIOGRAFIA:
http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.pdf (1)
SMITH, F WILLIAM, Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales
3.8 DIFRACCIN DE RAYOS X
INTRODUCCIN
La difraccin hablando en trminos fsicos, es un proceso que ocurre en todo tipo de ondas
cuando stas se esparcen o se curvan frente a la presencia de un obstculo u orificio. Dicho
fenmeno se da cuando la longitud de onda es mucho mayor que las dimensiones del
obstculo. Entre mayor sea el tamao del objeto en comparacin con la longitud de onda,
ms difcil ser detectar la difraccin.
OBJETIVO GENERAL
OBJETIVOS ESPECFICOS
Deducir la frmula que relaciona la longitud de onda (), la distancia entre planos
cristalinos (d), el parmetro de red (a) y el ngulo de incidencia de los rayos x ().
Conocer algunos equipos que intervienen en el uso de rayos x para el estudio de la
cristalografa.
Resolver algunos ejemplos sobre la aplicacin de difraccin de rayos x en la
cristalografa.
CRISTALOGRAFA DE RAYOS X
La cristalografa de rayos x es una tcnica que consiste en hacer pasar un haz de luz a
travs de un cristal de la sustancia o el material en estudio. El haz se dispersa en varias
direcciones debido al orden de los tomos en el cristal y, por difraccin, se puede observar
un patrn de intensidades que se interpreta segn la ubicacin de los tomos, haciendo uso
de la LEY DE BRAGG.
Una de las limitaciones de esta tcnica es que solo se puede usar en materiales cristalinos,
por lo tanto, no puede ser usada en sustancias como gases, disoluciones, a sistemas
amorfos, entre otros.
LEY DE BRAGG
Para interpretar los diagramas de difraccin se requiere una teora. W. Bragg fue pionero
en el tema y desarroll una sencilla teora, que es la que veremos. En este modelo se
analiza la interaccin de un haz de radiacin sobre un conjunto de planos paralelos,
equiespaciados y semitransparentes a la radiacin. Para efectos de la reflexin se
aplica que el ngulo de incidencia es igual al de reflexin.
Donde:
n es un nmero entero.
es la longitud de onda de los rayos X.
d es la distancia entre los planos de la red cristalina y.
es el ngulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersin.
De acuerdo al ngulo de desviacin (2), el cambio de fase de las ondas produce
interferencia constructiva (figura izquierda) o destructiva (figura derecha).
QK PR = PKcos PKcos = 0
Para analizar los rayos dispersados por tomos en diferentes planos se toma los rayos 1 y 2
de la figura de arriba. Estos rayos son dispersados por los tomos K y L, la diferencia en
sus caminos pticos es:
ML + LN = dsen + dsen
As estos rayos estarn completamente en fase si su diferencia de caminos es igual a un
nmero entero (n) de longitudes de onda , de tal manera que se cumple que:
Analicemos ahora las soluciones de Bragg en que solo y d son datos fijos:
Nos quedan como variables n y . Aqu se trata de buscar las parejas (n, ) que son
soluciones de la ecuacin. Primero verificamos si puede caber al menos justo una vez en
la diferencia de camino ptico, y buscamos el ngulo apropiado. Ntese que si los datos
iniciales son tales que es mayor que 2d, no habr ni siquiera solucin para n=1; en tal
caso el problema no tiene soluciones.
Si hay solucin en para n=1, podemos seguir buscando las soluciones de orden superior
(para n mayores). Si siguiendo este procedimiento, y probando con n crecientes y sin
saltarse ninguno, se encuentra que una solucin de orden n (por ejemplo, n=5) por
primera vez no es posible, entonces slo habr soluciones entre 1 y n-1, ambos valores
incluidos.
En las estructuras cristalinas cbicas, el espaciado interplanar entre dos planos paralelos
con los paralelos con los mismos ndices de Miller se indica como dhkl, donde h, k y l son los
ndices de Miller de los planos. Este espaciado representa la distancia desde un origen
elegido que contiene a un plano a otro paralelo con los mismos ndices que sea cercano al
primero.
Por simple geometra, se puede demostrar que para las estructuras cristalinas cbicas:
Donde:
dhkl = espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos con ndices de Miller h, k y l.
Los datos de los anlisis de rayos x por difraccin de las celdas unitarias pueden
simplificarse expresando la longitud de onda as:
Finalmente:
Empleando la anterior ecuacin junto con los datos de difraccin de rayos x podemos
determinar si una estructura es cbica centrada en el cuerpo (BCC) o cbica centrada en
las caras (FCC). Para esto debe conocerse cules planos cristalinos son planos de difraccin
para cada tipo de estructura cristalina:
Para la red cbica sencilla, todos los planos (hkl) son planos de reflexin.
Para la estructura BCC la difraccin solo se da en los planos cuyos ndices de Miller
sumados (h+k+l) dan un nmero par.
En la estructura FCC los principales planos de difraccin son los que sus ndices son
todos pares o todos impares (el cero se considera par).
Reglas para determinar los planos de difraccin {hkl} en los cristales cbicos:
ndices de Miller de los planos de difraccin para las redes BCC y FCC:
Un caso sencillo que permite ilustrar cmo se puede emplear este anlisis es diferenciar
entre las estructuras cristalinas BCC y FCC de un metal cbico. Supngase que se tiene un
metal con una estructura cristalina BCC o FCC y que se pueden identificar los planos de
difraccin principales y los valores de 2 correspondientes.
A y B: son los dos ngulos de difraccin asociados a los planos principales escogidos.
Para la estructura cristalina BCC los dos primeros planos principales son {1 1 0} y {2 0 0}.
Sustituyendo h, k y l en la ecuacin anterior se tiene:
Del resultado anterior podemos concluir que un metal es BCC si la relacin de de los
planos primeros planos principales de difraccin es 0,5.
Para la estructura cristalina FCC los dos primeros planos principales son {1 1 1} y {2 0 0}.
Sustituyendo h, k y l en la ecuacin anterior se tiene:
EL DIFRACTMETRO
El difractmetro de rayos X es capaz de detectar la radiacin que emana una muestra
determinada al ser excitada por una fuente de energa. La respuesta generada depende del
ordenamiento interno de sus tomos. El difractmetro est compuesto de un
portamuestras mvil que ir moviendo el objeto estudiado con el fin de variar el ngulo de
incidencia de los rayos X. De este modo la estructura atmica de la muestra quedar
registrada en un difractograma.
EJEMPLOS DE APLICACIN
Solucin:
2. El difractograma de un elemento que tiene estructura cbica BCC o FCC presenta picos
de difraccin en los ngulos 2 siguientes: 40, 58, 73, 86.8, 100.4 y 114.7. La longitud de
onda de los rayos X incidentes utilizados es de 0. 154 nm.
Solucin:
nm, se obtiene:
2) Lineales y superficiales.
3) De volumen.
a) tomos intersticiales.
b) Vacancias.
c) tomos sustitucionales.
http://nelyestradad.blogspot.com/2009_02_01_archive.html
Los tomos intersticiales como los de hidrogeno estn presentes, con frecuencia, como
impurezas, mientras que los tomos de carbono se agregan en forma intersticial al hierro
para producir acero. Para concentraciones pequeas, los tomos de carbono ocupan sitios
intersticiales en la estructura cristalina del hierro e introducen un esfuerzo en la regin del
cristal en su cercana.
Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos, se encuentran
con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difcil crear deformacin permanente
en metales y aleaciones. Esta es una forma importante de aumentar la resistencia de los
materiales metlicos. A diferencia de las vacancias, una vez introducidos, la cantidad de
tomos o iones intersticiales en la estructura permanece casi constante, aun cuando se
cambie la temperatura.
http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/quimica-de-los-
materiales/Material%20de%20clase/tema6a.htm
Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material
haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido
para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento,
formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de
deslizamiento, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento
normalmente tambin es compacto o casi compacto.
Se agrupan en:
a) Dislocaciones simples.
b) Dislocaciones helicoidales.
En el caso de un cristal inico, los cationes son ms pequeos que los aniones; son
predominantes los defectos Frenkel de los cationes. Este tipo de defectos son los que
confieren movilidad inica al slido.
Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio; los diagramas son una
representacin en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3:
http://nelyestradad.blogspot.com/2009_02_01_archive.html
b) Defecto schottky: es una par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para
mantener la neutralidad deben perderse de la red tanto un catin como un anin.
El defecto es tpico de los materiales cermicos, pues es un defecto que aparece para
mantener la electro neutralidad del material. Se generan vacantes de iones de signo
contrario para anularse de forma estequiomtrica; con el fin de mantener una carga total
neutra. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.
Ejemplo:
http://es.wikipedia.7val.com/wiki/Defecto_Schottky
c) Dislocaciones de borde: resultan cuando las dos nuevas superficies son desplazadas
transnacionalmente en direccin normal a la lnea de dislocacin.
Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto,
abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de tomos. La orilla
inferior de este plano insertado representa la dislocacin de borde.
http://personales.upv.es/~avicente/curso/unidad3/defectos.html
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de burgers a un cristal que
contenga una dislocacin, esta se puede mover, rompiendo los enlaces de los tomos en un
plano. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de
tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia atmica hacia el lado. Si
continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que se produce un
escaln en el exterior del mismo; el cristal se ha deformado plsticamente.
Otra analoga es el movimiento de avance de una oruga. Levanta alguna de sus patas en
determinado momento, y usa el movimiento para ir de un lado a otro, sin levantar todas las
patas al mismo tiempo. Una gran diferencia entre el movimiento de una oruga y el de una
dislocacin es la velocidad con que se mueven. La velocidad con la que se propagan las
dislocaciones en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido.
Otra forma de visualizar esto es imaginar cmo se movera una onda en una alfombra si
tratramos de eliminarla aplanndola en lugar de levantar la alfombra. si se pudieran
introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal, movindose a travs del
cristal por la misma trayectoria, el cristal terminara por quedar cortado a la mitad.
3.9.4 De volumen: para comenzar a hablar de este tipo de imperfeccin se aclararan los
siguientes temas:
http://members.fortunecity.com/ginermendocilla/Fun.htm
Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que acta a lo largo de lmite de
macla, que hace que los tomos se desplace de su posicin. El maclado sucede durante la
deformacin o el tratamiento trmico de ciertos metales. Los lmites de macla interfieren
con el proceso de deslizamiento y aumentan la resistencia del metal. El movimiento de los
lmites de macla tambin puede causar la deformacin del metal.
Lmites de dominio: los materiales ferro elctricos son los que desarrollan polarizacin
dielctrica espontnea y reversible. A los materiales que desarrollan una magnetizacin
en forma parecida se les llama ferromagnticos o ferromagnticos. Estos materiales
electrnicos y magnticos contienen dominios. Un dominio es una pequea regin del
material cuya direccin de magnetizacin o polarizacin dielctrica permanece igual.
En esos materiales se forman muchos dominios pequeos de tal manera que se
minimiza la energa libre total del material. En la figura se muestra un ejemplo de
dominios en el titanio de bario tetragonal forro elctrico. La presencia de dominios
influye sobre las propiedades dielctricas y magnticas de muchos materiales
electrnicos y magnticos.