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Problemas Resueltos Transistores BJT PDF
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PLAN D
PROBLEMAS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Sumario:
1. Introduccin.
2. Solucin de problemas.
3. Conclusiones.
Bibliografa:
1. Rashid M. H. Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y diseo, pag. 186-188 y 192-196.
Objetivos:
Que los estudiantes ejerciten el clculo del punto de operacin y la potencia disipada empleando
diferentes mtodos de solucin, y la obtencin de la lnea de carga esttica del BJT.
Profundizar en el principio de operacin del regulador de voltaje serie y realizar los clculos de
sus principales variables.
Problemas:
1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule:
a) El punto de operacin del transistor. Represente el
punto de operacin y la lnea de carga esttica en la
caracterstica de salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del
transistor en reposo y la potencia que entrega la
batera VCC.
c) El valor mximo de RC con el cual el transistor
permanece trabajando en la regin activa.
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R2 50
VTH = VCC = 12 = 3,53 V
R1 + R 2 120 + 50
R R 120 50
R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = = 35, 29 k
R1 + R 2 120 + 50
EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDO A TIERRA
El transistor bipolar puede trabajar en activa, saturacin o corte. Se supondr que el transistor est
operando en la zona de activa:
luego I E = (1 + F ) I B (2)
De donde: I BQ = 0, 010 mA = 10 A
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Como F = 150 >> 1 I E IC de donde:
VCC + VCEQ + ICQ ( R C + R E ) = 0
VCEQ = VCC ICQ ( R C + R E ) = 12 1,5 ( 5 + 1,5 ) = 2, 25 V > VCE sat = 0,1 V Activa
(
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 10 A; ICQ = 1,5 mA; VCEQ = 2, 25 V )
Para representar el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del BJT,
a partir de la LKV obtenida en la malla II, despejamos la IC en funcin del VCE:
VCC + IC R C + VCE + I E R E = 0
VCE VCC
y al despejar IC nos queda que: IC = +
RC + RE RC + RE
Si IC = 0 VCE = VCC
VCC
Si VCE = 0 IC =
RC + RE
(
Potencia que entrega la batera: PCC = VCC ICC = VCC ICQ + I1 ) ( ya que ICC = ICQ + I1 )
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Aplicando una LKV como se muestra en la figura de la
izquierda se podr calcular el valor de I1:
VCC + I1 R1 + VBE + I E R E = 0
VCC + I1 R1 + VBE + IC R E = 0
y al despejar I1 nos queda que:
V VBE IC R E 12 0,7 1,5 1,5
I1 = CC = = 75 A
R1 120
Luego: ( )
R / PCC = VCC ICQ + I1 = 12 (1,5 + 0, 075 ) = 18,9 mW
c) A partir de la lnea de carga esttica representada en la caracterstica de salida, se puede observar que
si se aumenta el resistor RC disminuye el VCE corrindose el punto de operacin hacia la zona de
saturacin sin variar el valor de ICQ. El valor mximo de RC (RCmax) se calcula cuando el transistor
alcanza el lmite de la regin de saturacin, al hacerse VCE = VCEsat.
VCC + IC R C max + VCE sat + ICQ R E = 0 ( Al ser F = 150 >> 1 IEQ ICQ )
y al despejar nos queda que:
VCC VCE sat ICQ R E 12 0,2 1,5 1,6
R C max = = = 6,36 k
ICQ 1,5
R / R C max = 6,36 k
Fig. 2: Problema 2.
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Respuesta:
Suponiendo que el transistor est trabajando en la zona de activa:
Aplicando LKC en el nodo B:
I1 + I 2 + I B = 0
pero al ser I E = I B + IC
0
donde IC = F I B + ( F + 1) ICO
luego I E = I B + IC = I B + F I B
V + I R 0,7 + 2 0,1
despejando I2: I 2 = BE E E = = 0, 032 mA=32 A
R2 28
luego al sustituir los valores de IB e I2 en (1) obtenemos que:
I1 = 0, 039 + 0, 032 = 0, 071 mA
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y al despejar VCE nos queda que: VCE = VCC I R C I E R E
R / R1 = 62 k
Si se abre la carga se hace IL = 0, pero la corriente por el Zener no crece bruscamente como ocurre con
el regulador paralelo. Esto se debe a que el transistor opera en la regin activa, por lo que su IB = IL/F.
Como F >> 1, an para caso peor en que se est entregando la mxima corriente a la carga, la IB ser
relativamente baja. Desde el punto de vista del diseo, esto provoca que la disipacin de potencia
mxima en el Zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso del regulador paralelo.
El principio de operacin de este regulador serie se basa en la utilizacin de un Zener como referencia
interna, con un voltaje VZ que es independiente de las variaciones de VNR y de IL. Si se analizan estas
dos variaciones en forma independiente, para el caso en que RL sea constante y se vara VNR: se
observa de las expresiones anteriores, que ICQ e IBQ se mantienen casi constantes, pero al crecer VNR
aumentan IRS e IZ. La lnea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma pendiente, por lo que
VCEQ crece y contrarresta la posible variacin de VNR manteniendo a VO casi constante. En el caso en
que VNR se mantenga constante y se vare a RL: si RL decrece, ICQ e IBQ aumentan pero IZ disminuye.
En la caracterstica de salida del transistor, la lnea de carga incrementa su pendiente pero mantiene el
intercepto en VNR que no cambia. El valor de VCEQ se mantiene casi constante pues VO apenas vara.
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b) Suponiendo que el diodo tener est en ruptura, VZO = 5,7 V y la IZ debe ser mayor que IZK. Como
RZ = 0 y suponiendo que el transistor est en activa, al aplicar unas LKV en I (la base del transistor) se
obtiene que:
VZO + VBE + I E R E = 0
IC I E
0 ICQ 100
IC = F I B + ( F + 1) ICO I BQ = = = 1 mA
F 100
(
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 1 mA; ICQ = 100 mA; VCEQ = 5 V )
c) PZ max = I Z VZO ya que R Z = 0
Aplicando LKC en A podremos calcular el valor de IZ:
I1 + I Z + I B = 0 I Z = I1 I B (1)
d) ( )
R / PCC = VCC I1 + ICQ = 10 ( 8, 6 + 100 ) = 1, 086 W
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e) Si VCC = VNR = 12V 1V, el valor mximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la regin
de regulacin se calcula para la peor condicin que es cuando VNR = Vmin inst = 11 V, IZ min inst = IZK y
I
la corriente de la carga es mxima (en este caso E ).
F
V VZO 11 5,7
R S max = min inst = = 1, 767 k (RZ = 0)
IE 2 + 100
I ZK + 100
F
R/ R S max = 1, 767 k
Fig. 4: Problema 4.
Respuesta:
Este circuito tiene la caracterstica de que el
transistor nunca estar en saturacin ya que el
colector es ms positivo que la base del transistor.
Suponiendo que el transistor est en activa:
VCC + ( R C + R B ) I B + IC R C + VBE + I E R E = 0
0
Al ser I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO
luego I E = I B + IC = ( F + 1) I B
VCC + ( R C + R B ) I B + F I B R C + VBE + ( F + 1) IB R E = 0
VCC + R B + ( F + 1) ( R C + R E ) I B + VBE = 0
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VCC VBE 12 0,7
Despejando la IB: I BQ = = = 27,35 A
R B + ( F + 1) ( R C + R E ) 100 + (101) ( 3 + 0,1)
( ) (
VCC + ICQ + I BQ R C + VCEQ + ICQ + I BQ R E = 0 )
( ) (
VCEQ = VCC ICQ + I BQ R C ICQ + I BQ R E )
VCEQ = 12 ( 2,735 + 0,02735 ) 3 ( 2,735 + 0,02735 ) 0,1 = 3, 44 V > 0, 2 V Q est en Activa
(
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 27,35 A; ICQ = 2, 735 mA; VCEQ = 3, 44 V )
R/ PC = ICQ VCEQ = 2, 735 3, 44 = 9, 44 mW
Fig. 5: Problema 5.
Respuesta:
Suponiendo el transistor en activa y aplicando LKV en
la malla I calcularemos la IBQ:
( )
VCC + VEB + I BQ R B + ICQ + I BQ R = 0 (1)
0
pero IC = F I B + ( F + 1) ICO (2)
VCC VEB
despejando IBQ obtenemos que: I BQ = = 14,36 A
R B + ( F + 1) R
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( )
VCC + VECQ + ICQ + I BQ R = 0
( )
VECQ = VCC ICQ + I BQ R = 15 ( 2,87 + 0,01436 ) 3 = 6,34 V > 0,1 V Q est en Activa
(
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 14,36 A; ICQ = 2,87 mA; VECQ = 6,34 V )
PC = ICQ VECQ = 2,87 6,34 = 18, 21 mW
R/ PC = 18, 21 mW
6. En los circuitos de la figura 6a) y 6b), calcule el punto de operacin y la potencia disipada en
colector del transistor en reposo.
Fig. 6: Problema 6.
Respuesta del circuito de la figura 6 a):
En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el anlisis dinmico, cuando se hace el anlisis
esttico (directa) para calcular el punto de operacin, estos se abren. Suponiendo el transistor en activa:
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LA FUENTE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDA A TIERRA!!
R2
Primera forma de calcular el VTH: VTH = VR VEE y VR = ( VCC + VEE )
2 2 R1 + R 2
R2 36
VTH = ( VCC + VEE ) VEE = 14 7 = 4, 67 V
R1 + R 2 180 + 36
R R 180 36
R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = = 30 k
R1 + R 2 180 + 36
Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):
VTH + I B R B + VBE + I E R E VEE = 0 (1)
0
pero I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO , luego I E = (1 + F ) I B (2)
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y al despejar VCEQ nos queda que: VCEQ = VCC + VEE ICQ ( R C + R E )
VCEQ = 7 + 7 1 ( 7,5 + 1, 6 ) = 4,9 V > VCE sat = 0,1 V Activa
(
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 3,87 A; ICQ = 1 mA; VCEQ = 4,9 V )
R / PC = ICQ VECQ = 1 4,9 = 4,9 mW
(
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 3,97 A; ICQ = 1 mA; VCEQ = 10 V ) y R / PC = 10 mW
Respuesta:
I 1 I 1
IE = C = = 1, 01 mA 1 mA e I B = C = = 0, 01 mA ( ICO = 0 )
F 0,99 F 100
2do Paso: Clculo de VE, RE y la disipacin de potencia de RE:
V 9 V 3
VE = CC = = 3 V R E = E = = 2,97 k 3 k
3 3 I E 1,01
2
PR = I E2 R E = (1, 01) 3 = 3, 06 mW
E
V 9
3er Paso: Clculo de VCE: VCE = CC = = 3 V
3 3
4to Paso: Clculo de RCE y su disipacin de potencia:
3 3
IC R C = VCC VCE VE = 9 3 3 = 3 V R C = = = 3 k
IC 1
2
PR = IC2 R C = (1) 3 = 3 mW
C
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VTH = I B R TH + VBE + VE = 3 + 0, 7 + 0, 01 30,3 = 4 V
Fig. 8: Problema 8.
Respuesta:
(
a) Punto de Operacin: Q I BQ = 12,3 A; ICQ = 1, 23 mA; VCEQ = 1,85 V ) y PC = 2, 28 mW
b) R C max = 4,34 k
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9. En el circuito mostrado en la figura 9, se conoce que
ICQ = 2 mA; VRE = 6 V y F = hFE = 100. Determine:
a) El punto de operacin del transistor y la regin de
trabajo del mismo.
b) El valor de RE y RB.
c) Represente el punto de operacin y la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida del
transistor.
(
a) Punto de Operacin: Q I BQ = 20 A; ICQ = 2 mA; VCEQ = 9,96 V ) Activa
b) R E = 2,97 k y R B = 463 k
10. En el regulador de voltaje serie de la figura 10:
a) El valor mximo de RS para que el diodo zener regule
adecuadamente si IZK = 5 mA y RE = 5 k.
b) Las resistencias RC y RE para fijar una corriente de
colector de IC = 1 mA y VCE = 5 V.
b) R E = 2,921 k y R C = 7 k
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Fig. 11: Problema 11.
(
a) Punto de Operacin: Q 2 IBQ = 4,9 mA; ICQ = 98 mA; VCEQ = 10, 2 V
2 2 2
)
b) R E1 495,15
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