INSTITUTO TECNOLIGICO DE PUEBLA

INGENIERA ELCTRICA

Electrnica Industrial

Equipo: 6

Tema: Dispositivo IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor)

1.- Introduccin.

El transistor IGBT es un componente electrnico diseado para controlar

principalmente altas potencias, en su diseo est compuesto por un transistor
bipolar de unin BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.

Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que

tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas
potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creacin de los transistores
bipolar de puerta aislada (IGBT).

2.- Diagrama.

Figura I: Representacion simbolica del transistor IGBT. Figura II: Estructura interna de un IGBT.
 a) Como BJT. b) Como MOSFET.

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan

(PNPN) que son controlados por un metal-xido-semiconductor estructura de la
puerta sin una accin regenerativa.

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura II se observa la
estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor
(E) y Colector (C).

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende

inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15

volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo
cual la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja. El IGBT se apaga simplemente removiendo la
seal de voltaje VG de la terminal G.
 3.- Anlisis matemtico.

4.- Ejemplo numrico.

5.- Practica.

6.- Referencias.

https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT

7.- Cuestionarios.

a) Preguntas.

b) Preguntas y respuestas.