El transistor IGBT (Transistor Bipolar de

Puerta Aislada) es un componente

electrnico diseado para controlar
principalmente altas potencias, en su
diseo est compuesto por un transistor
bipolar de unin BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.
Representacin simblica del Estructura interna de un
transistor IGBT. IGBT
a) Como BJT. b) Como MOSFET.
 El IGBT es un dispositivo semiconductor
de cuatro capas que se alternan (PNPN)
que son controlados por un metal-xido-
semiconductor estructura de la puerta
sin una accin regenerativa.
 Este dispositivo posee la caractersticas de las
seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y
bajo voltaje de saturacin del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET
para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitacin del IGBT es como el
del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT. En la figura 2
se observa la estructura interna de un IGBT, el
mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor
(E) y Colector (C).
 Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a
la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector
IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La
corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es
aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado
positivamente con respecto a la terminal E.
La seal de encendido es un voltaje
positivo VG que es aplicado a la puerta G.
 Este voltaje, si es aplicado como un pulso
de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido
sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la
corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del
control de voltaje la disipacin de potencia
en la puerta es muy baja. El IGBT se apaga
simplemente removiendo la seal de
voltaje VG de la terminal G.