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USOS DEL OSCILOSCOPIO Y GENERADOR DE ONDAS

OBJETIVOS

Aprender a utilizar el osciloscopio digital.

Comparar los valores medios y eficaces visualizados por el multmetro y


osciloscopio con los calculados experimentalmente.

EQUIPOS Y MATERIALES

1 Osciloscopio digital.

1 multmetro

1 generador de ondas.

4 diodos rectificadores (IN4007)

Resistencia de 10 K (3), 1 K (2)

Condensadores: electroltico de 10 F x25V(2), cermico 1 F (2)

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PROCEDIMIENTO

Hacer el fundamento terico de la experiencia.

Esta parte se presentara en el cuestionario.

Verificar los equipos y los componentes anotando sus caractersticas.

Con respecto a las resistencias:

En Kohm R1 R2
Nominal 1 10
Real 0.98 9.8

Con respecto a los condensadores

En F C1 C2
Nominal 1 10
Real 1.1 10.1

Con respecto a los diodos, estos son rectificadores 1N4007

Utilizando el multmetro digital, medir la conduccin o no conduccin de


los diodos

Cabe resaltar en esta parte que para poder saber si los diodos estaban en
buenas condiciones, se colocaba el selector del multmetro digital para
conductancia y si se observa un valor numrico diferente de infinito, en
polarizacin directa, significaba que estaba en buenas condiciones.

Verificar el funcionamiento del osciloscopio anotando los resultados


observados.

Onda Vp-p(v) Vmedio(v) Periodo(ms) Frecuencia(Khz)


Cuadrada 5.04 -1.94 1 1

En el generador de ondas, seleccionar onda sinusoidal, una frecuencia


de 60Hz y una amplitud de 5 voltios.

En el protoboard, colocar una de las resistencias nombradas en la lista y luego


colocar en los extremos de esta el generador de ondas con las configuraciones
mencionadas antes.

Conectar el CH1 en los bornes del generador de ondas y el CH2 en los


extremos de la resistencia y anotar todas las observaciones sobre las grficas
obtenidas.

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CIRCUITO 1

Vp-p(v) en el Frecuencia Voltaje eficaz Voltaje eficaz


osciloscopio (Hz) (osciloscopio) (multmetro)
Onda senoidal 9.60 60 9.00 9.40
Onda cuadrada 10.20 60 5.04 4.96
Onda triangular 9.04 60 2.63 2.58

CIRCUITO 2

Vp-p(v) en el Frecuencia Voltaje eficaz Voltaje eficaz


osciloscopio (Hz) (osciloscopio) (multmetro)
Onda senoidal 4.04 60 2.03 1.58
Onda cuadrada 10.00 60 3.10 3.19
Onda triangular 4.08 60 1.54 1.24

CIRCUITO 3

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Vp-p(v) en el Frecuencia Voltaje eficaz Voltaje eficaz


osciloscopio (Hz) (osciloscopio) (multmetro)
Onda senoidal 9.12 60 3.20 3.15
Onda cuadrada 10.6 60 5.41 4.50
Onda triangular 7.76 60 2.52 2.47

CUESTIONARIO

Explicar el principio de funcionamiento del osciloscopio y el generador de


ondas. Asimismo enumerar sus diversos usos.

OSCILOSCOPIO

El osciloscopio es un instrumento electrnico que permite la visualizacin de


una seal para la observacin y medicin de caractersticas que no pueden ser
apreciadas, al mismo tiempo, mediante el uso de instrumentos de medicin
comunes (ya sea un voltmetro, o algo un tanto ms complejo: un
frecuencimetro, por ejemplo). El osciloscopio consta bsicamente de circuitos
atenuadores y amplificadores verticales, circuitos de disparo y de barrido,
circuito amplificador horizontal y, un tubo de rayos catdicos (CRT TRC) con
su respectivo circuito de control.

El elemento central del osciloscopio es el TUBO DE RAYOS CATODICOS (Fig.


1), el cual es un tubo de vidrio en el que se ha hecho un alto vaco. El TRC
posee tres partes importantes: can de electrones, placas deflectoras y
pantalla fosforescente.

Los rayos catdicos, electrones emitidos por un filamento caliente llamado


ctodo (-), son acelerados hacia un nodo (+) que se mantiene a un alto
potencial elctrico "V", de varios miles de voltios. En el centro de nodo hay un
agujero por el que atraviesa slo un pequeo haz de electrones, el cual
contina su trayectoria hasta chocar con la pantalla, originando un punto
luminoso en el lugar del choque, punto "P" en la Fig. 1, debido a que la pantalla
est recubierta internamente con una sustancia fosforescente.
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El haz de electrones puede ser desviado, tanto en la direccin vertical como en


la horizontal por campos elctricos producidos entre los pares de placas de
desviacin al aplicrseles sendos voltajes (Vvert. y Vhor.). Estas desviaciones
(Xp e Yp en la Fig.1) sern proporcionales a los voltajes aplicados, es decir:

Xp Vhor = Vx Yp Vver = Vy (Ec1)

El haz de electrones pasar sin desviarse cuando estos dos voltajes (Vy y Vx)
sean nulos. La Fig. 2 muestra la posicin del punto "P" para diferentes casos,
todos con voltajes constantes.

Movimiento del punto P

Cuando a las placas de deflexin se les conectan voltajes variables, el punto


"P" de la pantalla "camina" sobre sta. El tipo especfico de movimiento de P
depende de los voltajes aplicados sobre las placas.

En general, podemos diferenciar dos tipos de movimientos: en una dimensin


y, en dos dimensiones.

Movimiento en una dimensin: De las muchas formas en que se puede "mover"


el punto P (en una direccin), nos interesan bsicamente dos casos:

Cuando uno de los voltajes deflectores (Vx Vy) es un voltaje senoidal de


frecuencia angular (Fig.3a).

Cuando el voltaje deflector Vx es un voltaje "diente de sierra" (Fig. 3b)

Como la deflexin es proporcional al voltaje aplicado a las placas (ec.1), los


movimientos de P que corresponden a estos voltajes sern: 1) Movimiento
armnico simple (de frecuencia angular) y, 2) Movimiento uniforme a velocidad
constante (repetitivo), respectivamente.

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En la Fig. 4 se muestran las trayectorias propias de P para tres casos de


movimiento unidimensional, en donde adems se especifican los voltajes
aplicados y el tipo de movimiento que tendr P.

Movimiento en dos dimensiones: Se dar al aplicar, simultneamente, voltajes


variables en ambos juegos (pares) de placas. De las muchas posibilidades
existentes nos interesan las siguientes:

Tanto el voltaje de reflexin horizontal (Vx) como el vertical (Vy) son los voltajes
senoidales; en general, de frecuencias diferentes.

El voltaje de deflexin vertical (Vy) es un voltaje peridico (por ejemplo el


voltaje armnico), y el horizontal (Vx) es un voltaje diente de sierra.

En el primer caso, el movimiento resultante de P ser la composicin de dos


movimientos armnicos simples (M.A.S.) perpendiculares entre s. En la Fig. 5
se han graficado algunos movimientos resultantes, dadas las condiciones
necesarias para que la trayectoria se repita peridicamente.

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En el segundo caso, el movimiento de P proviene de componer un movimiento


horizontal a velocidad constante (barrido) con un movimiento vertical armnico
(M.A.S.). En la Fig.6 se han graficado algunos movimientos resultantes para
este caso.

Y, generalizando, si la trayectoria de P se repite peridicamente, y esto es muy


rpido, veremos dibujada la trayectoria debido a la persistencia de la imagen en
las retinas de nuestros ojos.

Observando detenidamente y comparando las trayectorias de la Fig. 6


podemos concluir que el voltaje horizontal Vx ("diente de sierra") reproducir
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una grfica estable en la pantalla, de la variacin en el tiempo del voltaje


vertical Vy cuando: Tx = nTy (n=entero). En realidad se pueden obtener
grficas estables de voltajes Vy peridicos de cualquier frecuencia, debido a un
sincronismo interno que posee el osciloscopio con respecto a su seal diente
de sierra.

Por lo expuesto anteriormente, se puede concluir que en el osciloscopio se


utiliza esta idea para reproducir seales ya sean constantes, variables, o
compuestas, en su pantalla, pues se tiene un dispositivo electrnico interno que
genera un voltaje diente de sierra horizontal, llamado tambin barrido, que se
sincroniza automticamente con el voltaje vertical. Adems, debido a que la
velocidad de barrido horizontal es constante, se toma al eje horizontal como eje
de tiempos, y esto permite la medicin del perodo de la seal Vy.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL GENERADOR DE ONDAS

Descripcin del circuito

La estructura general del equipo puede verse en diagrama de bloques (figura


4).
La seal bsica generada en el GF-230 es la Triangular. Esta es la que aparece
en bornes de una capacidad C al cargarla a una corriente constante (rampa
creciente) y descargarla de igual modo (rampa decreciente).
Al efectuarse este proceso, la frecuencia se podr variar de dos formas
distintas, bien variando la magnitud de las corrientes de carga y descarga o
bien variando la capacidad a cargar y descargar.
Las variaciones de frecuencia en el GF-230 se efectan:
- Por control continuo (una dcada); control [3] del panel frontal, por variacin
de las corrientes de carga y descarga gobernando IC1 B con una tensin. A
esta tensin se le puede sumar otra exterior (VCO) a travs de la entrada VCO
[ll].
- Por salto de dcadas; se realiza de forma mixta, cambio de las corrientes
constantes de carga y descarga o por cambio de la capacidad C.

Generacin de la seal cuadrada

Previamente amplificada la seal triangular, sta hace actuar a un circuito


disparador al llegar la tensin en bornes de la capacidad C a unos valores
determinados.
La seal cuadrada as obtenida tiene
adems la misin de gobierno de los dos
generadores de corriente constante, bien el
de carga, bien el de descarga.
Este control de inhibicin de uno u otro
generador se efecta con un circuito puerta.
El amplificador previo de la seal Triangular
lo constituye IC3 a fin de no influir sobre las
corrientes de carga y descarga de C.

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Generacin de la seal senoidal

El mtodo utilizado es de conformacin de la seal triangular por tramos,


aprovechando
el codo de la caracterstica V/I de
los diodos D26 a D41

Amplificador de salida

Una vez generadas las tres funciones, pasan al selector y posteriormente al


amplificador
de salida que incluye los controles de amplitud, adicin de la tensin de offset y
atenuador de salida.

Generador de impulsos TTL


Los impulsos positivos se logran al pasar la seal triangular por el circuito
disparador
formado por IC7 en montaje Schmitt trigger. La asimetra de la seal de salida
se
consigue mediante el adecuado nivel de comparacin en la entrada.

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Explicar el principio de funcionamiento del diodo y del puente de diodos y


su aplicacin en electricidad.

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una


nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que


son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente
continua.

Diodo pn Unin pn

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos


tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que
destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya
que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su
carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al


p (Je).

Formacin de la zona de carga espacial

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Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos


lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de
carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va


incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de


tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele


ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el


descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo,
representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa
por la letra C (o K).

A (p) C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el


diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa

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En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga


espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n,


con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal
p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-
n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es
mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona
p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrn es atraido por el polo positivo de la batera y se desplaza de
tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo


electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo


positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera,
tal y como se explica a continuacin:

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El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n,


los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de
conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos
trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona
p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,


debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente
(del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto
de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que
los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es
despreciable.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin


llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la
tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
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directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,


incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se
producen grandes variaciones de la intensidad.

Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede


conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).Es la pequea corriente que se


establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-
hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada
incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la


superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede


soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente


inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan


pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la
tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su
vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de
valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,


menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el
diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser
grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede
ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente.
Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,


como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

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Modelos matemticos

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William


Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia


de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin
del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del
orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los


modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an,
que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son
los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la
figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.

Explicar el mtodo empelado para hallar el desfase entre el voltaje y


corriente en un circuito R-C.Qu otros mtodos existen?

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A continuacin, daremos el fundamento terico del mtodo utilizado para hallar


el desfase entre el voltaje de la fuente y la corriente que circula a travs de este
circuito.

Sea el circuito R-C, con fuente de corriente alterna, que se muestra en la figura:

Circuito 3
Sea:

_ _
VR : Voltaje en la resistencia R.
I : Corriente a travs del circuito.
_ _

VC : Voltaje en el condensador C. Z eq : Impedancia del circuito R-


C.

f : Frecuencia de la fuente de voltaje de alimentacin.

Obs: Para una fcil resolucin, asumiremos que el ngulo del voltaje de
entrada es numricamente igual a 0.
_ _
1
Se sabe que: Z Z eq Z eq
; donde: X C 2fC
eq R jX C
_
V0 _
V
Adems: I IZ
Z eq eq

De lo anterior, se obtiene que el desfase viene a ser igual a ; entonces,


nuestro trabajo consistir en hallar el valor de este ngulo.

Por divisor de voltaje, tenemos:

_
V 0 _
V * Xc
Vc
Z eq
* X c 90 Vc Z eq
90

_
De lo anterior, se observa que el ngulo de Vc viene a ser igual a 90 .
Dado que 90 90 180 90 0 90 90 .Por
tanto, si hallamos el valor numrico del ngulo (sin considerar signo) de
desfase , le restamos 90 obtenemos el ngulo de desfase .

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Con la base terica correspondiente, podemos a continuacin explicar el


mtodo usado.

En el circuito 3, conectamos el CH1 del osciloscopio digital en los bornes de la


fuente y el CH2 en los bornes del condensador.

Superponemos cada una de las grficas del voltaje de la fuente y del


condensador, y vemos el desfase existente entre estas dos ondas
(considerando slo el valor de este desfase sin importar si la corriente esta
adelantada o atrasada con respecto a la fuente)
en este caso expresado como un nmero de divisiones de cuadros.

Observamos en el osciloscopio el nmero de divisiones equivalentes a un ciclo


(que en grados sexagesimales viene a ser 360) del voltaje de la fuente y
mediante una regla de tres simples hallamos el valor del ngulo , el cual
viene a ser el complemento del ngulo .

Para la experiencia, trabajamos con 3 tipos de frecuencias ( f ):

Cuando f 60 Hz

8.5 divisiones 360 = 46.58 ; adems, = 90 -


1.1 divisiones = 43.42 (experimental)

Cuando f 200 Hz
10 divisiones 360 = 72 ; adems, = 90 -
2 divisiones = 18 (experimental)

Cuando f 1000 Hz
9.2 divisiones 360 = 86.09 ; adems, = 90 -
2.2 divisiones = 3.91 (experimental)

OTROS METODOS ALTERNATIVOS

PRIMER MTODO

Otra forma ms directa para hallar el desfasaje entre el voltaje de la fuente y la


corriente que circula a travs del circuito es colocar el CH2 entre los bornes de
la resistencia del circuito 3 y superponerla con la grfica del voltaje de la fuente
y aplicar la misma regla de 3 simples que se uso anteriormente.
A continuacin, pasamos a dar el sustento de este mtodo.

Por divisor de voltaje en la resistencia del circuito 3:

_
V0 _
VR
_
V
VR Z * R0 VR
Z eq
y IZ
eq eq

Se observa que el desfase de la resistencia con el voltaje de la fuente es el


mismo que el de la fuente con el de la corriente.

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SEGUNDO MTODO

Otro mtodo es usando el llamado tringulo de voltajes; dado que la corriente


a travs de cada componente es el mismo, trabajaremos slo con la
resistencia y la reactancia.

Xc 1
Del Grfico, se observa que: arctg ; pero: X c 2fC
R
1
De lo anterior, tenemos que: arctg 2fRC
Entonces:

1
Cuando f 60 Hz arctg 43.98
2 60 * 12 * 10 3 * 0.229 * 10 6

1
Cuando f 200 Hz arctg 16.15
2 * 200 * 12 * 10 3 * 0.229 * 10 6

1
Cuando f 1000 Hz arctg 3.32
2 * 1000 * 12 * 10 3 * 0.229 *10 6

Como se observa, la diferencia entre este mtodo y el usado es mnimo.

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OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

Se pudo observar experimentalmente que:

En un circuito R-C, el voltaje del generador esta retrasado con


respecto a la corriente.

El diodo slo deja pasar la corriente en un solo sentido (lo cual se pudo
observa cuando se trabajo con corriente alterna) de lo cual se demuestra
su funcionamiento como rectificador.

A medida que aumentamos la frecuencia de la onda sinusoidal, el


desfasaje entre el voltaje de la fuente y la corriente que circula a travs
del circuito R-C serie (circuito 3) comienza a disminuir y sigue la
relacin que existe entre estas dos magnitudes y que se indico lneas
arriba (2 mtodo alternativo)

Una de las ventajas de usar frecuencias muy altas en los circuitos R-C
es que la potencia que entrega el circuito comienza a aumentar.

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BIBLIOGRAFA

Circuitos Elctricos, Tomo II , Ing. F. Lpez A., Ing. O. Morales G.

Circuitos Elctricos, Dorf, Mc Graw Hill Editores, Octava Edicin.

www.pucp.edu.pe/secc/fisica/ documentos/labfa4/html/lab1/lab1.htm

es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://www.ucm.es/info/electron/laboratorio/instrumentos/generador/gene
rador.pdf

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