Interferencias Electromagneticas PDF

Interferencias Electromagnticas
en Sistemas Electrnicos Universidad de Oviedo
CURSO DE DOCTORADO
Alberto Martn Perna

Introduccin
EMC: (Electromagnetic compatibility) se define como la aptitud de un

dispositivo, de un aparato o de un sistema para funcionar en su entorno
electromagntico de forma satisfactoria, sin verse afectado en su
funcionamiento (inmunidad) y sin producir l mismo perturbaciones
electromagnticas intolerables para todo lo que se encuentre en su
entorno (emisin).
EMI: (electromagnetic interference) el tipo particular de perturbacin

del entorno electromagntico son las interferencias electromagnticas.
reas tpicas
Sistemas electrnicos programables con buses de

comunicaciones digitales
- Generadores de interferencias y muy susceptibles a ellas.
Interferencias en la recepcin de radio
Perturbaciones generadas en la alimentacin elctrica

- Variaciones de tensin, fluctuaciones, distorsin de la forma de onda,
sobretensiones.
Equipos electrnicos de potencia

- Fuentes conmutadas, inversores
Aparatos electroexplosivos
Ejemplos de disfunciones
Sistemas de cierre centralizado, techo solar
- Se accionan al utilizar el telfono mvil
Cajas registradoras
- En tiendas con moqueta y personal con vestidos de nylon, los terminales
quedaban bloqueados o daban datos incorrectos.
Puertas electrnicas de garajes

- se activan con encendedores piezo-elctricos
Aparatos electrnicos de uso mdico
Radar de deteccin de misiles del HMS Sheffild

- en la guerra de las Malvinas el sistema de comunicaciones del barco
bloque el radar que poda haber detectado el misil EXOCET de la fuerza
area Argentina
Perturbaciones electromagnticas:
Campo
electromagntico
Sistema de procesamiento
Captador 1
0
1
1
1
0
0
0 Seal til
+ +24
+24
1
?
? 0
Perturbacin electromagntica
Perturbaciones conducidas
en sistemas elctricos
Onda normal Origen :Natural

Provocado
Transitorios
Circuitos resonantes
Contactores
Sobretensin Arcos
Semiconductores
Imperfecciones de la red
Huecos de tensin Descargas atmosfricas
Ruido de alta frecuencia
Interrupcin breve
Interferencias tpicas
Conmutacin de un circuito inductivo por
contactos secos
Tensin en los bornes de un contacto despus

de un corte de corrientes inductivas
Oscilograma obtenido tras la apertura de un
contactor de 9A sin limitacin de cresta
Pulsos
Pulsosposicionados
posicionadosdedeforma
formairregular
irregularoo Espectro
Espectro de
de frecuencia
frecuencia de
de las
las
intermitente
intermitentesobre
sobrela
laonda
ondadedetensin:
tensin: perturbaciones emitidas
perturbaciones emitidas
1.
1.Sistemas
Sistemasde
decontrol
controlde
deluces
lucesintermitentes
intermitentes comprendido
comprendido entre
entre algunos
algunos kHzkHz
2.
2.Termostatos
Termostatos yy varios MHz
varios MHz
3.
3.Contactores
Contactores
4.
4.Elementos
Elementosdedeconex.-desconex.
conex.-desconex....... Radiacin
Conduccin
Conmutacin de un circuito inductivo
por semiconductores
ngulo
ngulode
dedisparo
disparo RRdd XXdd
UUNN ++
Esquemas simplificado de un
++
CARGA
CARGA accionamiento para un motor de
RRNN XXNN
EE
corriente continua
IdId
Corriente
Corriente Tensin
Tensin en
en el
el punto
punto de
de
demandada
demandada por
por el
el conexin comn PCC
conexin comn PCC
accionamiento
accionamiento
Motores elctricos
Los motores con escobillas y colector generan perturbaciones

de tipo transitorio con frentes rpidos (dv/dt elevada) que se
producen en la fase de conmutacin de las escobillas
Circuitos de control de lmparas fluorescentes y balastos
electrnicos
Fuentes de alumbrado que

funcionan segn el principio de un
arco elctrico que se enciende y se
apaga alternativamente
Perturbaciones en un
espectro de frecuencias muy
amplio:
0 -100 kHz - 5 MHz
Dos nubes principales de pulsos,

separadas por pulsos individuales
uniformemente repartidos
Pulsos procedentes de los circuitos de
control de lmparas fluorescentes
Emisor de radio
Ondas senoidales de alta
frecuencia modulada
Amplificadores u osciladores
industriales de alta potencia
Ondas senoidales no moduladas

Acoplamientos por conduccin
Acoplamiento
Acoplamiento aa Acoplamiento
Acoplamiento aa travs
travs de
de los
los
travs
travs de
de la
la red
red de
de conductores
conductores que que forman
forman parte
parte
tierras
tierras de
de la
la instalacin
instalacin
Las perturbaciones conducidas

se transmiten a travs de los conductores
red de distribucin,
cables de control, Acoplamiento
Acoplamiento
cables de transmisin de datos, mediante
mediante un un medio
medio
cables de proteccin (PE-PEN), fsico
fsico slido
slido
tierra,
capacidades parsitas
Acoplamiento en modo diferencial
+
UN ZMD1
ZMD2
Red de Sistema Sistema

distribucin perturbado perturbador
Este tipo de perturbacin se reduce mediante la correcta

eleccin de las impedancias de lnea de los diferentes
circuitos y/o la utilizacin de filtros
Equipos electrnicos monfsicos
Corriente
Corriente
demandada
demandada por
por
el
el ordenador
ordenador
Tensin
Tensin en
en el
el punto
punto de
de
conexin
conexin comn
comn PCC
PCC
Acoplamiento en modo comn
+
UN Z
Red de Sistema Sistema

distribucin perturbado perturbador
Cp ZMC Cp
IMC
Corriente de modo comn que circula por la red de tierra a

travs de las capacidades parsitas
Medida de corriente en modo comn y en modo
diferencial
Instrumento Instrumento
de medida
de medida
Acoplamientos por radiacin
Acoplamiento inductivo
Acoplamiento
Acoplamiento capacitivo
capacitivo
El
El acoplamiento
acoplamiento tiene
tiene lugar
lugar mediante
mediante la
la
existencia
existencia de
de campos
campos electromagnticos
electromagnticos
creados
creados por
por el
el emisor
emisor yy recogidos
recogidos por
por el
el
receptor
receptor susceptible
susceptible que
que se
se encuentra
encuentra en
en susu
entorno
entorno
Clasificacin de las perturbaciones atendiendo
a la frecuencia de la seal perturbadora
Perturbaciones
radiadas
Perturbaciones
radiadas por cable
Perturbaciones
conducidas
Perturbaciones de baja
frecuencia o armnicas
9 kHz 30 MHz 300 MHz 1 GHz

r
Aproximacin circuital r D
J >>
(variacin temporal lenta) t
Ec. De Maxwell Ec. Constitutivas

r del medio
r B
rot E =
t
r r r
div D = D = E
r + r r + Condiciones de
r r D B = H contorno
rot H = J + r r
t J = E
r
div B = 0 Solucin de:
r r
J = E r r r r
D,E, B,H
r
J >>
r r r
Electrosttica divEdv = Eds
S
T. de Gauss
r
r B r
rot E = = 0 E = grad V r r r r
t dV = Ed l V = Ed l
dV = gradVdl
r r r
Q v dv div Edv s Ed s
C= = r r = r r = r r
V Ed l Ed l Ed l
r r
r r J r dl
J = E V = d l = I =RI Ley de Ohm
S
r
J >>
Magnetosttica
r
r r D r r r r r
rot H = J +
t
rot B = J rotBds = J
s s
r Tma. de Stokes
r r
div B = 0
Bd l = I
r r
Hd l = I
v r Ley de Ampere
s Hd s
L= = r r Inductancia
I Hd lc
r
J >>
r r r r
Campos variables
rot Eds = Ed l = V T. de Stokes
r r
r B B r
rot E = V = d s V=
r r t s t t Ley de Faraday
div B = 0 B = rot A r r r (LI) I

r A = Bd s fem = = L
E = grad V t t
t
r r
r J A
E gen = + grad V + i(t)
t
r r
r r J r r A r L C
Egen d l = d l + grad Vd l + t d l fem R
1 i(t)
fem = i(t)R + i(t)dt + L 2 Ley de Kirchoff
C t
Aproximacin circuital
(elementos concentrados)
r r v(t)
Resistencia J = E R =
i(t)
Q i(t)dt
Capacidad C= =
V v(t)
v(t)dt
Inductancia L= =
I i(t)
COMPONENTES PASIVOS:
CONDUCTORES
Ley de Biot-Savart:Campo creado por un elemento de corriente

r r r
I uT xu r
dB = 4 2
dl uT
r dl B
Ley de Ampere ur r
I
v v
H dl = i dB
J(x) 1 Distribucin de corriente en el interior de un conductor
Jo x
J ( x) = J o e Jo: densidad de corriente en la superficie
-R R x
RAC / RDC
=
f 1000
d=20mm
: profundidad skin 100 (Cu)
Aproximacin de Meike y Gundlach 10

d=2mm
Rac/Rdc=1 si <3
1
Rac/Rdc=d/4+0.25 si >3 102 103 104 105 106 f
CONDUCTORES
La presencia del campo magntico externo se asocia a una inductancia L

El campo elctrico debido a las cargas presentes en el conductor se asocia a
una capacidad C
Ambas dependen de la:
- forma, seccin del conductor
- configuracin (lazo de corriente)
- los alrededores del circuito
Pueden tratarse como LNEAS DE TRANSMISIN
l
l 4l
L= ln 1 [H]
2 d
d
CONDUCTORES
l
l 2D D
L = ln [H]
d l
E H
D
H Py
I d
V H
Py R E
E
E I
Py
H
La potencia electromagntica que fluye se calcula:

r r
P = Py dS siendo Py = E x H
CONDUCTORES
E H
H Py
I
V H
E
Py R E Py = E x H
E I
Py
H
En el exterior del los conductores H y E son perpendiculares

La direccin de propagacin de Py es de la fuente a la carga.
La energa se transmite por el aire hacia la carga. El

conductor solo sirve de gua para el transporte.
CONDUCTORES
Difusin en conductores
En el interior de los conductores la energa electromagntica (Py)
se transmite hacia el centro
Py Propagacin
H Py
Py
I
Py Py Py
Py I
Py Difusin
Py Py Py
Si , E0 luego Py0
Py
Un buen conductor debe evitar
la penetracin del campo E en
su interior
CONDUCTORES
Propagacin en cables coaxiales

El campo H en el exterior del
cable coaxial es cero al no tener
H=0 corriente neta
r r
e E H
Py Hd l = I = 0
El campo en el interior ser:
V Py I V
H= E=
2r e
V I
Py = E x H = P = Py dS = Py S = Py (e2r )
e 2r
V I
P= (e2r ) = VI
e 2r
CONDUCTORES
Impedancia externa: Capacidad

C12
C12
h Cr Cr
d
2l
Cr =
D 2h 2
2
1
4h
l ln + 1
C12 = d D

2D
ln 1
d 2h 2
2
2lln + 1
Impedancia caracterstica C = D
12
2

1
2 2

1
2
4h 2h 4h 2h
Zo =
L ln + 1 ln + 1
C d D d D

CONDUCTORES
Impedancia por unidad de longitud Z2

segn el tipo de conductor
Z1
Para Cable sujeto a una

Cable desnudo Para una
una misma
misma
longitud: superficie metlica
longitud:
Z1
Z1 >> Z2
Z2 >> Z3
Z3 >> Z4
Z4
Z3
Z4
Malla metlica con contacto en

todos los cruces Plano metlico
CONDUCTORES
Velocidad de propagacin
El material aislante es el canal de propagacin de la energa
electromagntica. La velocidad de propagacin ser:
v=
d
P[W ] =
(E mag + Eelec )
= EH(e2r)
H=0
d
t t
d P EHe(2r) e E Py
v= = d = H
t Emag + Eelec Emag + Eelec r
Emag = 1 o r H 2 ed(2 r) V Py
2
Eelec = 1 o r E 2 ed(2 r)
2
1
v= Impedancia del campo
1 E 1 H
2 +
electromagntico E/H []
H 2 E
CONDUCTORES
E/H=(/)1/2 Impedancia de onda [], 1
v=
depende del medio 1 E H
2 + 12
H E
Si Emag=Eelec Velocidad de propagacin
En el vaco E/H= (o/o)1/2 =410-7/(8.8510-12)=377

V=300 000 Km/s
Si Emag<Eelec
La impedancia Z=E/H es elevada
V=2E/(E) << 3108 m/s H0 v0
Si Emag>Eelec
La impedancia Z=E/H es baja
V=2E/(H) << 3108 m/s E0 v0
CONDUCTORES
Lnea bifilar. Anlisis como lnea de transmisin:
E H
H Py dV
I
V H R L
Py R E C
V G
E
d
dx
E I
Py
d2V 1 d2V
H
2
= 2
dt LC dx
Velocidad de propagacin v = LC [m/s ]

L
Impedancia de lnea Z= []
C
CONDUCTORES
Resumen
L = o r d F
F:
depende de la geometra transversal
d
C = o r
F Z y (LC)1/2 :
depende del material (,)
L o r y de la geometra transversal (F)
Z= = F
C o r NO depende de la longitud (d)
L C = d o r o r
CONDUCTORES
I a
Lnea bifilar
V
1 2h h R
F = Log d
a
I
d
Cable coaxial
e R1 r R2
1 R2
F= Log
V 2 R1
Conductores planos I
Py d
e
F= e H E
a a
COMPONENTES PASIVOS: Impedancia
CONDUCTORES de onda E/H=377
Ejemplo
Lnea bifilar 16A/220V Z=V/I=14 Emag=1/2LI2=2.3mJ
d=20m F=0.73 Eelec=1/2CV2=6.3 J
a=2mm L=18H
h=10mm C=240pF Eelec /Emag=2.710-3
r= r=1
COMPORTAMIENTO INDUCTIVO, (E/H<<377)
Conductores planos 2A/20V

d=10m Emag=1/2LI2=500nJ
Z=V/I=10
e=1mm Eelec=1/2CV2=880nJ
F=0.02
a=5cm
L=250nH
C=4.4nF Eelec /Emag=1.8
COMPORTAMIENTO CAPACITIVO, (E/H>>377)

CONDUCTORES
Log(Z/Z0)
I
Z=1/(wC) Z=wL
3 V C Z
2 Si Z tpropagacin
1
I 3
I
Si Z tpropagacin
V Z
0 1 4
Z
V
-1 2
I
-2
V L Z
-3
-2 -1 0 1 2 Log(w/w O)
La zona 1 se utiliza para transporte de energa

Las zonas 2 y 3 no permiten la transmisin de potencia a determinadas frecuencias
En general la zona 4 no se utiliza para el transporte de energa.
Un caso particular de la zona 4 se utiliza para transmisin de seales (Z=Zo).
En este punto aunque el tiempo de propagacin es elevado (mayor que el periodo
de la seal), sta se transmite correctamente evitandose reflexiones en la carga
si Z=Zo .
CONDUCTORES
Para evitar resonancias parsitas en las fuentes de alimentacin,

el tiempo de propagacin en la lnea debe ser inferior que el tiempo
de conmutacin de los semiconductores
L=d(e/a) I
C=d(a/e) Py d
(L/C)1/2=(e/a)(/ )1/2
(LC)1/2= d()1/2 mxima velocidad e H E
de propagacin a
Tenemos que:
Ha=I , Ee=V E/H=(V/I)(a/e)
(a/e)= (/ )1/2 (C/L)1/2=(E/H)(I/V)
donde
(/ )1/2 impedancia del material
(L/C)1/2 impedancia de lnea
(E/H) impedancia de onda
(V/I) impedancia del circuito elctrico
CONDUCTORES
Tiempo de propagacin
Velocidad de propagacin es: Tiempo de propagacin

1 d E H
v= t= = d 1 + 1
1 E 1
+
H v 2 H 2 E
2
H 2 E
d E H
t= +

2 H E
Como (E/H)=(a/e)(V/I)
d 1
t= X +
2 X
El tiempo de propagacin depende de: a V
X=
e I
- las distancias d y (a/e)
- el material (, )
- la impedancia del circuito (V/I)
CONDUCTORES
Tiempo de propagacin mnimo
dt d 1
= 1 2
dX 2 X
dt a
mnimo =0 X =1 = (I/V)
dX e
L V
Como =
C I
(a/e)= (/ )1/2 (C/L)1/2=(E/H)(I/V) E
=
H
tp es mnimo si
la impedancia de lnea= impedancia del circuito elctrico
la impedancia de onda = la impedancia del material
CONDUCTORES, Ejemplo
Mxima velocidad de propagacin en un circuito diseado
sobre una PCB (r=4.5) , de 100 W, 10 V, 10 A:
1
(V/I)=1 10V
(/)1/2=377/4.51/2=178
E
La mxima velocidad se obtiene si =
H
necesitamos que E/H=178
luego a 178 e=0.2 mm

= (I/V) =
e 1 a=36 mm
La velocidad de propagacin ser:
1 Si utilizamos un MOSFET que conmute
v= = 141106 [m/s ]
con 3ns trataremos de que el tiempo de
propagacin sea tambin de 3ns
Longitud de la pista d=vt=141106 m/s 3 ns=40 cm

CONDUCTORES
CONCLUSIN:
Si (V/I) < (/)1/2 necesitamos elevados

valores de (a/e) para
tener X=1 y reducir el
tiempo de propagacin.
CONDENSADORES
I
Tenemos E y H
Py
H
Py
E
I, H, Py
Las placas estn a igual tensin

aumentando sta con el tiempo x
E, V t
a medida que circula corriente.
t=0
x
CONDENSADORES
Una variacin de tensin induce corriente
|Z|
10 1 / | C|
1 | L|
Rs
c 0,1
L 0,01 4
10 10 5 10 6 10 7 10 8 f
CONDENSADORES
Tipos:
Electrolticos
Cermicos
Plastico Metalizado
Condensador
A
Condensador
Si A aumenta la inductancia parsita tambin aumenta

BOBINAS
BOBINAS
Modelo elctrico
di
L u = L L
dt
Cp
Una variacin de corriente induce tensin Rs
Efectos a tener en cuenta:

ZL
- efecto skin Rs
- efecto proximidad |wL| 1/|wC|
- efectos capacitivos
fR f
BOBINAS
1 2 3 4 5 4 5
1 2 3
1 2 3 4 5
Cp = C/5
Cp=2C
Menor capacidad
BOBINAS
En el caso de bobinas devanadas convencionales

El condensador parsito puede provocar
oscilaciones al resonar con la inductancia.
Para evitar dichas oscilaciones (LC)1/2 debe

ser inferior al tiempo de conmutacin del
semiconductor.
h
d
Para reducir C:
- aumentar d
- reducir h
- manteniendo (dh)=cte
BOBINAS
iMC1
iD
iMC1
iMC2
dB
(Campos se anulan: =0)
iD iMC2
MODO DIFERENCIAL (Campos se suman: T)
fC f MODO COMN
RS LL1
RS LL1
L
RL R
LL2 fC = L RL
2L LL2
R
RL fC = S
L D = L L1 + L L 2 fC = 2L
2L D
TRANSFORMADORES
MODELO
C12 LD
LD1
1 2 3
Lm
Cp Cs
2 4
C12
CC
1 3
ncleo
Cp Cs
Cpc Csc
2 4
Cpr Ccr Csr
5 6
REFERENCIA
TRANSFORMADORES
Cmo reducir las interferencias en MODO COMN?
- Bajar el valor de CC
- Separar primario de secundario
- Colocar una pantalla entre ambos conectada a referencia
- La pantalla ha de rodear el devanado sin formar un bucle cerrado
(evitar espira en cortocircuito)
CC
Cpf Csf
1+2 3+4 1+2 3+4
Cpc Csc
pantalla
Cpc+Cpr Csc+Csr
Cpr Ccr Csr
5 6 5 6
REFERENCIA REFERENCIA
minimizar inductancia
Configuracin MC-MC
El ncleo se conecta a tierra
Ccr queda cortocircuitado
TRANSFORMADORES
Cmo reducir las interferencias en MODO DIFERENCIAL?
- Colocar una pantalla en cada devanado conectndola

al propio devanado en un nico punto
CC
3
Cpc+Cpr Csc+Csr
2 4
1 3
Cp Lp Ls Cs
2 4
pantalla
TRANSFORMADORES
Transformador Esquema Aislamiento

LF HF
Normal OK INEFICAZ
Secundario
Primario
Pantalla simple OK MEDIO
Secundario
Primario
Pantalla doble Pantalla de modo OK BUENO
comn
Secundario
Primario
TN-S
PE
RESISTENCIAS
Tipos:
Carbn
Bobinadas, etc
L
Cp
R
Ojo con las patas!: aumentan la L parsita

ACOPLAMIENTOS : Acoplamiento por
conduccin (impedancia comn)
Rg1 Recomendaciones:
i1 RL1 Masas cortas
Evitar bucles
E1 Punto central de masas
referencia
Radiacin: dos lazos
ZC
Rg2
RL2 Si A-B demasiado largo el AMP2
i2 amplificar la salida de AMP1 y la
E2
cada de tensin en RAB
I
Amp Amp
1 2 Z
a b
VRab
ACOPLAMIENTOS :Acoplamiento por
conduccin (impedancia comn)
Rg1
Solucin
i1 RL1
E1
referencia
Rg2
RL2
i2
E2
ACOPLAMIENTOS :
Tambin llamado acoplamiento electrosttico

Induccin
electrosttica
Para cuantificar este
1 2
fenmeno:
Capacidades parsitas
RL2
RL1 Proporcionales a la
Rg1
superficie entre los dos
Rg2 circuitos
Ug1 Inversamente
proporcionales a la
distancia entre los
circuitos
1 2
Rg1 C12
RL1 Rg2 RL2 uu
C1r C2r
Ug1
ACOPLAMIENTOS :
1500
2000 V
100 pF
Configuracin fsica Circuito equivalente

ACOPLAMIENTOS :
La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt

La variacin de carga modifica la distribucin de campo elctrico en el conductor y eso
afecta a su vez a la distribucin de carga en el resto de los conductores.
U L2
C
Rc
L1
Ug
us RL
Us RL
Ug
RL+Rg
U
t
ACOPLAMIENTOS :
La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt
C12
12.1
d
C
2D
log
d
D
Cmo se evita el acoplamiento capacitivo?

- PANTALLAS
El bucle 2 queda aislado

de las interferencias
1 2
Rg1 C1S C2S
RL1 pantalla
Rg2 uu
Cr
Ug1 RL2
ACOPLAMIENTOS :
Una
Una variacin
variacin dede
Cable
(potencia)
corriente
corriente en
en un
un cable
cable
produce
produce unun campo
campo queque aa
Corriente
Campo
pequea
pequea distancia
distancia
variable
magntico
variable
puede
puede considerarse
considerarse
H e
I exclusivamente
exclusivamente
magntico
magntico ee induce
induce
entonces
entonces una
una tensin
tensin
perturbadora
perturbadora en en los
los
cables
cables que
que forman
forman unun
Par de hilos
bucle
bucle
(seal)
Ley de Faraday
d
u = N
dt
ACOPLAMIENTOS :
Es debido a los campos magnticos que enlazan a los conductores.

Se traduce en la presencia de inductancias mtuas.
Ley de Lenz V=-L(di/dt)
u g = (R g + R L )i1 + L
di1 di
+M 2
dt dt
RL M t L
u s (t) = u g i1 R L I 2 e ; =
(R g + R L ) L (R g + R L )
i1
i2 I2(M/L)
M t
i1
us
Rg t
RL us
ug I2
t
ACOPLAMIENTOS :
Cmo podemos reducir estas interferencias?

- Encerrar el equipo en un recinto ferromagntico que canalice el flujo
- Modificar los cableados para evitar bucles de mucha rea
- Cruzar los cables a 90
- entrelazar los cables
d
u = N
dt
= Bds
ACOPLAMIENTOS :
Acoplamiento inductivo+ZC
50
A B Z1 = R W1 + jwL1
50
u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2
0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2
G
ug C
V 50
ug
F u V = I 2 R , normalizando respecto a u o =
2
B uV 2R (Z1 jwM )
C D =
(
u o 2R (Z1 + Z 2 jw 2M ) + Z1Z 2 + w 2 M 2 )
L2 M L1
2R
Suponiendo R>>Z1 u V Z1 jwM

RW2 RW1
R>>Rw2+jwL2
=
G uo R
ug R
uv i1
F i2 E
ACOPLAMIENTOS :
u V Z1 jwM
=
uo R
La tensin tensin inducida uV esta influenciada por la impedancia comn Z1 y

la inductancia mutua M
Podemos desdoblar los bucles en dos circuitos independientes que se correspondern con
cada ecuacin
ACOPLAMIENTOS :
B D C D
ug
M I1
2R
L1 L2 L1 2R
u V = Z1I1 jwMI1
RW1
ug RW2 RW1
G El acoplamiento inductivo (M)

-Z1I2 i1
R -Z1I2 no siempre juega un papel negativo.
i2 Observese que wMI1 tiene polaridad
jwMI 2
jwMI 2
opuesta a Z1I1
A E
F E
u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2

0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2
CABLES
Se emplean como elementos de interconexin entre circuitos y equipos

Son una de las fuentes ms importantes de radiacin.
Garantizar:
RG174 - Mnimas prdidas de seal
- mnima degradacin de la seal
- mnima captacin de EMI
RG188
Parmetros a considerar:
- Longitud del cable
RG58C - Prdidas aceptables
- Frecuencia y potencia que se desea transmitir
- Ruido en el entorno del cable
- Mrgenes de temperatura de trabajo
RG142B
- Precio
Tipos:
- Sin apantallar: pares trenzados, cables planos
- Apantallados: coaxial, triaxial, etc.
CABLES
Cables como radiadores/sensores de EMI:
Balanceado No balanceado Single-ended Coaxial
- Acoplamiento a otros circuitos

- Modo de transmisin del circuito (comn o diferencial)
Estructura fsica del circuito

Puesta a masa (lazos de masa)
Interacciones con otros circuitos
CABLES
La conexin del segundo conductor puede verse como una impedancia comn entre
el conductor activo y el resto del circuito.
carga B R1 L1 C
generador
B conductor1 C
ug Rg R2 L2 M
F E RL F
Rg E
conductor2 RL
A D
ug
referencia uCM ZCM uCM
Podemos desdoblar el circuito en dos A D

R1 L1
I1
R2 L2
I2
A D
Rg
ug
M RL Z12I1 Z12 = R 2 + jw ( L 2 M )
Z 12 I1 ZCM uCM
A D
R2 L2
CABLES
Para determinar la contribucin del cable, desdoblamos Z12
Rg1 Lg1 B Rc1 Lc1 C RL1 LL1
Rg
ug Mg Mc RL
Z12I1
A Rg2 Lg2 F Rc2 Lc2 E RL2 LL2 D
GENERADOR CABLE CARGA
Rg2 Lg2 Rc2 Lc2 RL2 LL2

A F E D
Z12I1
ZCM uCM
CABLES
Impedancia de transferencia global ZTG
ZTG = R C 2 + jw (L C 2 M C ) = R C 2 + jwL C 2 (1 k )
La parte inductiva se reduce cuanto mejor es el acoplamiento
k=1 cable coaxial con apantallamiento slido
(LC2-M): Inductancia mutua no compensada
Como afecta el efecto skin? aumenta la impedancia ZT?

Normalmente el efecto skin disminuye ZT por que?
Supongamos k=1 y <espesor de la pantalla

J1 esta asociada a I1en el circuito interno J/Jsup J1 J2
J2 esta asociada a I2 en el circuito externo 1
Como resultado de dichas distribuciones de corriente
la impedancia comn efectiva es menor que si tenemos
una distribucin uniforme. (Las corrientes circulan por
d r
caminos distintos). Si la frec. Aumenta suficientemente
el efecto skin provocar la separacin total de los dos lazos
de corriente.
CABLES: Ejemplos
(1) Cable coaxial 50 (RG58)
Recubrimiento de la pantalla 94%

RC=16 m
(LC2-M)=3.6nH y
LC2=1uH/mk=0.996
ZTG(44MHz)=1 una corriente de modo comn de 10uA provocara 10uV
(el ruido generado puede llegar a ser similar a la seal a transmitir)
REGLA: campos EM pueden inducir corrientes de 10mA por V/m.

As para tener 10uA necesitamos un campo de 1mV/m (60dBuV/m) el cual
es fcilmente alcanzable
CABLES: Ejemplos
(6) Cable coaxial con varios apantallamientos (2 o 3) y
una capa conductora de r >>1 (mu-metal) entre cada par trenzado
Podemos observar como si frec. aumenta ZTG

disminuye rpidamente debido al mu-metal.
Este provoca la separacin de los lazos de
corriente (seal en la parte interior y corrientes
de ruido en la parte externa.
Vlido hasta 1MHz, el recubrimiento

de la pantalla no es perfecto
CABLES: Ejemplos
Influencia de una fuente externa (uCM) sobre una carga (uu) a travs de un cable
K=0, dos conductores separados
A partir de esta frec wL1>(Rg+RL)

Rg + RL
f1 =
2L1
K=0.6, dos conductores

adyacentes en un nico cable
R2
f2 =
2L 2
K=0.996, cable coaxial
R2
f3 =
2(1 k )L 2
Si k aumenta menor efecto del ruido externo

CABLES: Tipos
Blindaje laminado
Blindaje trenzado Cobertura:80%
Blindaje combinado
Blindaje en forma de espiral Cobertura:97%
Cobertura:100% Blindaje combinado

Blindaje laminado
La pantalla se conecta soldando a 360.
Blindaje en espiral no esta indicado para frec>20kHz

debido al efecto inductivo de la espiral
CABLES: Caractersticas
CABLE Capacidad Impedancia Zo Atenuacin

(pF/m) () dB/100m
Par trenzado 5a8 115 a 70 Depende del n
de vueltas
Coaxial 44 a 101 95 a 50 17 a 57 (400
MHz)
Par paralelo 5a6 90 a 82 59 (75 MHz)
- pares trenzados se utilizan con frecuencias <100kHz

- cable coaxial se utiliza en UHF (1GHz)
- Cable triaxial. Se conecta el blindaje interno a masa del equipo en un solo punto
y el externo a tierra (chasis). Si masa y tierra no estn separadas se conectan al
mismo punto.
Tambin se puede conectar el blindaje interno a masa del receptor y el externo

a la masa del emisor.
Un cable coaxial se comporta como un cable triaxial (dos blindajes externos)

en alta frec debido al efecto skin, el cual comienza a tener importancia a partir
de 1 MHz.
CABLES: Aplicacin
Gama de frecuencias y tipo Trenzado Espiral Laminado Laminado/ Laminado/trenzado/

de acoplamiento de las 95% trenzado laminado
interferencias cobertura
C.Continua
Capacitivo B BB BBB BBB BBB
Conduccin BBB B I BBB BBB
Conduccin/induccin
Cond./induc./capac.
Frecuencia: 15 kHz
Capacitivo B BB BBB BBB
Conduccin BBB F I BBB BBB
Conduccin/induccin
Cond./induc./capac. BB I B BB BBB
Frec. 10 MHz a 1 GHz

Capacitivo B BB BBB BBB BBB
Conduccin
Conduccin/induccin F I B BB BBB
Cond./induc./capac. F I B BB BBB
BBB= el mejor, BB=muy bueno; B=bueno;

F=funcional; I =insatisfactorio
Identificar
Identificaranticipadamente
anticipadamenteeleltipo
tipodedeinterferencias
interferenciasdeterminando
determinando
su
sumargen
margende defrecuencias
frecuencias
CABLES: Seleccin
Identificar el tipo de acoplamiento predominante
a) Acoplamiento capacitivo
- Se conecta la pantalla a masa en un nico

punto
- A frecuencias <100kHz
- A frecuencias >100kHz acoplamiento

capacitivo e inductivo
- Se bloquea mediante un alto porcentaje

de cobertura de la pantalla
- No circula prcticamente corriente por el

blindaje externo
CABLES: Seleccin
b) Acoplamiento inductivo
- Se conecta la pantalla a masa en los dos extremos

- A partir de 70MHz todos los blindajes presentan un aumento de Zt
- A partir de 500kHz los blindajes trenzados y en espiral presentan un
aumento de Zt
- Mejorar la cobertura, trenzar con espirales opuestas etc, reducen el
acoplamiento inductivo normalmente a costa de aumentar el capacitivo
c) Acoplamiento por conduccin
- La interferencia inducida es Vt=ZtIO

Zt : impedancia de transferencia
IO : Corriente de retorno que circula por el blindaje externo
CABLES: Resumen
- Todos los retornos deben estar ntimamente acoplados a su seal,

normalmente mediante conductores trenzados.
- No compartir los retornos entre las lneas de alimentacin y seal
- Evitar el acoplamiento por impedancia comn
- El trenzado es muy eficiente a baja frecuencia
- Separar los cables segn el tipo de seal

(coaxial para RF, par trenzado para seales digitales)
- Apantallar o alejar los cables que llevan corrientes parsitas de alta frec.
(pueden acoplarse a otros conductores y generar emisiones conducidas
de modo comn)
CABLES: Resumen
iret1
iret2
Par trenzado: Reduce el acoplo inductivo
- Muy efectivo en baja frecuencia

- Hay que cuidar la terminacin
- No sirve en alta frecuencia (Zo vara a lo largo de la lnea)
- La efectividad depende del nmero de vueltas
CABLES: Resumen
Vn
la
Vn
al
nt
pa
APANTALLAMIENTO CAPACITIVO
n
Si
No tiene efecto en interferencias magnticas.
Rs Ls Apantallado
Vn
Rs
c = f
Ls
is
APANTALLAMIENTO MAGNTICO Por encima de 5 veces c

Ambos extremos a masa de modo que (5-10kHz aprox.), la induccin
la corriente inducida is anula las corrientes sobre el conductor central
inducidas en el conductor central. permanece constante.
CABLES: Resumen
Donde conectar a masa la pantalla?
- En ambos extremos?
Se convierte en un circuito conductor y cualquier cada de tensin
en la resistencia de la pantalla puede ser inyectada en serie con la seal.
La pantalla previene el acoplamiento

capacitivo y el trenzado el acoplamiento
magntico
Conexin ms recomendable
Slo se conecta a masa en un Si fuente y entrada estn a masa,
punto de la pantalla se conecta la pantalla en ambos puntos
(menor eficacia)
La pantalla no debe formar parte del circuito
CABLES: Resumen
Donde conectar a masa la pantalla?
- Apantallamiento de cables de RF
Cuando la longitud del cable se aproxima a /4 (1GHz) un circuito

abierto en un extremo se transforma en un corto a una distancia
de /4 y las corrientes fluyen siguiendo un modelo de onda
estacionaria tanto si hay como si no hay conexin externa.
Is
masa
Atenuacin de
is
Is=8,7dB
/2
La parte exterior e interior de la pantalla estn aisladas por el efecto

skin.
Las corrientes de seal en la parte interior de la pantalla no se acoplan
con las de interferencia de la parte exterior la conexin a masa en
ambos extremos no introduce tensiones de interferencia.
MASAS Y TIERRAS
MASA:
Es el conductor de referencia de potencial cero con respecto al cual se miden
el resto de los potenciales. Es el conductor por donde se suelen realizar los
retornos de las seales activas. Pueden existir varios sistemas de masa aislados
TIERRA:
Se refiere al potencial de la tierra fsica
Podemos tener masas flotantes respecto a tierra (aviones, laboratorios, etc.)
Tipo de Terreno Resistividad m

Arcilla plstica 50
Arena arcillosa 50-500
Suelo pedregoso 1500-3000
granito,gres 1500-10000
Toma de tierra Seguridad

Toma de tierra de seguridad
Un sistema aislado de tierra puede ser peligroso debido a:

- contacto accidental de algn conductor
- descarga electrosttica
La impedancia de conexin a tierra debe ser MNIMA para reducir el

acoplamiento por impedancia comn.
Hay que tratar de evitar los bucles y minimizar el cableado para reducir
el acoplamiento inductivo.
Recomendacin espaola MI-BT-039:
La resistencia de puesta a tierra ser tal que cualquier masa metlica no

puede superar 24 V en un local y 50V en los dems casos.
La resistencia de puesta a tierra no debe ser superior a 5 en las proximidades
de los centros de transformacin.
Un factor a considerar ser la frec. Ya que incrementa la impedancia de la

puesta a tierra lo que se traduce en interferencias.
MASA CENTRALIZADA
Conexin en serie: U C = ( I1 + I 2 + I 3 ) Z 3 + ( I1 + I 2 ) Z 2 + ( I1 ) Z1
- muy simple
- problemas de acoplamiento por impedancias comunes
- es el peor sistema de conexin
No utilizar con circuitos que trabajen a frec elevadas o con niveles de
energa muy diferentes (potencia y seal)
Circuito 1 Circuito 2 Circuito 3
I1 I2 I3
Z1 Z2 Z3
C
Presentan
Presentan
Muy
Muyhabitual
habitualenenequipos impedancias
impedanciasmuy
muy Se
equipos Se evitar
evitar especialmente
especialmente la
la
elctricos y electrnicos: elevadas
elevadasen
enHF
HFentre
entre interconexin
elctricos y electrnicos: interconexin dede equipos
equipos de
de
simplicidad
simplicidadyyeconoma
economadede dos puntos a veces
dos puntos a veces potencia y de mando
potencia y de mando
cableado
cableado cercanos
cercanos
MASA CENTRALIZADA
Conexin en paralelo:
- Mejor mtodo a BF (til a frec. < 1MHz )
- Las tensiones en los distintos puntos no se ven afectadas por
variaciones en otros puntos
- En alta frecuencia la mayor longitud del cableado provoca
efectos inductivos importantes. (Posibles acoplamientos
inductivos, capacitivos).Conductores pueden actuar como antenas.
C
I1 I2 I3
Z1 Z2 Z3
U C = I1 Z1
La
Latensin
tensinVVccslo
sloseseve
veafectada
afectada
por
por la corriente e impedanciade
la corriente e impedancia de
su
supropia
propialnea
lneade
demasa
masa
MASA DISTRIBUIDA
Se utiliza un PLANO DE MASA:

- Buen mtodo (til a frec >10MHz )
- El plano de masa es el que introduce la impedancia comn
pero de baja resistencia e inductancia.
R1 R2 R3
L1 L2 L3
HF: las distancias de conexin Plano

Plano de
de masa
masa
menores de 2 cm Baja resistencia e inductancia
Plano de masa cerca de los circuitos: Zc
Zc:: Impedancias
Impedancias comunes
comunes
apant. electrosttico
MASA HBRIDA
Se utiliza un PLANO DE MASA:
- Distinto comportamiento a diferentes frecuencias

- A baja frecuencia tenemos una masa centralizada
- En alta frecuencia tenemos una masa distribuida
Interesante para conectar la masa de un cable blindado.

En alta frecuencia tenemos una conexin multipunto
Para conectar por razones de seguridad varios chasis

a tierra, mientras que para mayores frecuencias interesa
un nico punto
Conexin a masa de los cables blindados
Cable coaxial con dos conexiones a masa
En HF la inductancia del bucle exterior

aumenta debido a su mayor rea (A) prcticamente
toda la corriente circula por el cable blindado
El campo neto exterior generado por la

Vg A corriente de ida se anula con el
R
generado por la corriente de vuelta
Efectivo
Efectivocontra
contralalageneracin
generacinyy
recepcin
recepcinde
deinterferencias
interferencias
En BF las corrientes retornan por el plano de masa, adems

aparece un bucle de masa en el que se pueden generar
tensiones de interferencia que se acoplaran al circuito.
No
Noes
esefectivo
efectivo
Cable coaxial con dos conexiones a masa BF

1.
1.El
Elblindaje
blindajeno
nodebe
debeser
ser
Ls Rs
uno
unodedelos
losconductores
conductores
de
deseal
seal
Vg
R
2.
2.Uno
Unode
desus
susextremos
extremos
debe
debequedar
quedaraislado
aisladode
de
La corriente retorna por el blindaje si la masa
masa
frecuencia es mayor que 5 veces la
frecuencia de corte del blindaje
A FRECUENCIA DE MENOS
DE 1 MHz
Frecuencia de corte Blindajes deben conectarse
Pantalla 1-2 kHz a masa solamente en un
trenzada
extremo y no utilizarse
Pantalla 7-10 kHz como conductores
laminada Al
Cable coaxial con una conexin a masa
- El blindaje no lleva corriente

Ls Rs
- El campo creado por el conductor central
no se cancela.
Vg
R
Solo permite proteccin electrosttica

Es
Es efectivo
efectivo frente
frente aa campos
campos
Ls Rs magnticos
magnticos ya ya que
que toda
toda lala
corriente
corriente retorna
retorna por
por ll yy no
no
existe
existebucle
buclededemasa.
masa.
Vg YYfrente
frenteaacampos
camposelctricos
elctricos
R
No hay conexin a
masa
Cable coaxial en el que La circulacin del retorno de corriente

el blindaje se utiliza por el blindaje NO ES RECOMENDABLE
como conductor en general. Aparecen cadas de tensin
en el blindaje que pueden tener valores
elevados.
Regla general
Blindajes
Blindajes deben
deben estar
estar conectados
conectados
Frecuencias
Frecuencias << 11 MHz
MHz aa masa
masa solamente
solamente en
en un
un extremo
extremo
Frecuencias
Frecuencias >> 11 MHz
MHz Blindajes
Blindajes deben
deben estar
estar conectados
conectados
aa masa
masa en
en ms
ms de
de un
un punto
punto
Longitud
Longitud del cable >> /20
del cable /20
Descargas electrostticas
Los cuerpos no conductores acumulan carga esttica debido

principalmente al efecto triboelctrico y alcanzan potenciales
de hasta decenas de kV.
Cuando esta carga encuentra un camino hacia tierra, se produce

una descarga violenta y rpida:
- Intensidades de varios amperios

- Tensiones de decenas de kV
- Duracin <100ns
- grandes anchos de banda.
No es necesario el contacto, pueden saltar arcos

Dependencia con los factores ambientales
Triboelectricidad
Descripcin:
Por el mero hecho de poner dos cuerpos en contacto

se produce una transferencia de carga que se traduce
en una diferencia de potencial al separarlos.
La magnitud de esta transferencia de carga depende

de la separacin de los materiales en la serie
triboelctrica
(Algodn=referencia)
Fenmenos debidos a la presencia de cargas elctricas estacionarias o mviles
y a su interaccin cuando esta es debida exclusivamente a las cargas y a su
posicin
IMPORTANCIA:
Se debe a la utilizacin de plsticos y metales
Equipos electrnicos sensibles a descargas electrostticas
Presencia de materiales inflamables
Tendencia a la generacin
GENERACIN DE CARGAS de cargas:
ELECTROSTTICAS
Contacto y separacin de materiales Positivo Negativo
Induccin por campos elctricos externos
Efecto corona Aire Acero
Cambios de temperatura rpidos Manos Madera
Fractura mecnica y piezoelectricidad Vidrio Ambar
Piezoelectricidad Mica Niquel, Cobre
Pelo Oro, Platino
Lana PVC
Piel Tefln
Aluminio Polister
Valores de potenciales en distintas situaciones bajo condiciones

de humedad relativa entre 65-90 %:
Caminando sobre alfombra 1500 V

Caminando sobre suelo de PVC 250 V
Al tocar equipos en una mesa de trabajo 100V
Al abrir un sobre de PVC 1200 V
Al coger una bolsa de plastico 1200 V
Al sentarse en una silla 1500 V
Aislantes:
- Se cargan por efecto triboelctrico

- Pueden almacenar cargas sobre su superficie largo tiempo
Conductores
- Distribuyen rpidamente la carga sobre la superficie

- Se cargan tambin por efecto triboelctrico
- Si no se ponen a tierra mantienen la carga largo tiempo
Induccin de carga por campo elctrico externo:
Q=CV
+Q +Q
+V +V
-Q
- - - - - - - - - I
d E
A)
+Q +V C)
+V
d1 -Q
+V1
- - - - - - - - - C1 -Q
+++++++++
- - - - - - - - -
+Q
d2 +V2
-Q C2 R
D)
B)
Un campo externo no puede inducir un campo dentro de un recinto
con paredes conductoras Recubrimientos antiestticos.
La presencia de cargas producen una elevacin de potencial y energa

que puede ser descargada sobre una parte sensible de un circuito.
Modelo de descarga
Cuerpo humano CH=80-500 pF
Io RH=1000-2000
RH 15A Real
QH=0.1-5 C
30 kV
CH i
VO Z
300ns t
Vo= 10-15 kV
Modelos ms complejos consideran la inductancia del cuerpo humano (0.5-2 H)

Se clasifican los dispositivos

(segn el modelo de cuerpo humano):
Clase 0 <250 V
Clase 1A 250-500 V
Clase 1B 500-1000V etc.
Normativa Europea:
Lmites UNE-EN50082-1-1992
Condiciones del ensayo CEI 801-2-1991
Recomendaciones:
- Evitar contactos directos entre usuarios y

cables o cualquier parte conductora
- Buscar caminos adecuados para corrientes de descarga
- Aumentar la inductancia del camino peligroso
- Minimizar la inductancia de las tomas de tierra
- No dejar elementos sin conectar a tierra
Diseo de circuitos impresos
Fuentes de emisiones. C I como generadores de EMI
- Reloj (osciladores de alta frecuencia)

Genera armnicos de alta fecuencia
Se trata de seales distribuidas por todo el sistema
- Circuitos de alta di/dt
- Amplificadores de baja frecuencia

Oscilaciones debido a inestabilidades
- Fuentes de alimentacin conmutadas

Genera emisiones conducidas en MC y MD
Tambin emisiones radiadas
Control de emisiones
- Pensar en el trazado de las masas
- Control de las emisiones de RF en el chip (microcontrolador Philips)
- Diseo cuidadoso de los encapsulados
- Condensadores de desacoplo
- Las seales crticas se han de llevar junto a su retorno de masa
- reducir al mnimo la impedancia del conductor de masa
- reduciendo la longitud
Emisiones en modo comn
- Debido a los cables y grandes estructuras metlicas
- Son la fuente principal de las emisiones radiadas
- Resonancias del cable entre 30 y 100 MHz
- La ICM por el cable se debe al ruido en la masa
- La lgica empleada impone unas longitudes mximas
para no superar las especificaciones referentes a emisiones
radiadas
Familia Long. De pista en cm
4MHz 10MHz (reloj)
CMOS (a 5V, 40ns) 180 75
74HC (6ns) 8.5 3.2
Emisiones en modo comn

- Evitar el flujo de corrientes lgicas por trazas a las que se conectan cables
- Usar cables cortos
- Filtrar las interferencias de los cables a masas limpias
- Blindaje adecuado de los cables
- Preferible plano de masa
- Usar choque en modo comn
- Reducir las corriente de modo comn
Emisiones en modo diferencial
- Emisiones debidas a los bucles que llevan la seal de ida y su retorno
- Familias lgicas rpidas, utilizar plano de masa
- Indicado el filtrado y apantallamiento
- Areas mximas para cumplir especificaciones:
Familia Area del bucle en cm2

4MHz 10MHz (reloj)
CMOS (a 5V, 40ns) 1000 400
74HC (6ns) 45 18
Emisiones en modo diferencial

- Reducir los lazos
- Retardar flancos
- Segregar los circuitos por velocidad
- Evitar discontinuidades en las trazas:radian
- Controlar las seales de los buses de datos, direcciones y reloj
Usar placas multicapa
Los conectores deben incluir una pata de masa por pista de reloj
y otra por cada bus de direcciones y datos
Traza de masa al lado del bit de menor peso
Retorno a GND del reloj junto a dicha seal
Diafona. (Atenuacin transversal) La seal elctrica transmitida por

un par induce corrientes en pares vecinos
- Disminuir las capacidades entre pistas
Separar pistas s w
Colocar trazas de masa entre pistas
Utilizar plano de masa h
(a mayor h mayor C12 con s y w ctes)
Retorno de masa
- Segregacin de masas
Circuitera digital
Receptores de datos analgicos
etc.
- Evitar sobreoscilaciones en la tensin de masa
Reducir la L de los conductores que van a GND
VC
ruido
Ig
VC
Vg L
Ig
Vg
- Masas en forma de rejilla
Combina masa en serie y paralelo

Eleva el n de trayectorias diferentes (menor inductancia)
Las pistas de seal ofensiva (di/dt) cerca de pistas de masa
para evitar bucles
di

dt
Distribucin de las alimentaciones

- Incorporar condensadores de desacoplo en las proximidades de los CI
(1 cm max.)
(condensadores de baja resistencia en alta frecuencia, cermicos)
- Incorporar dos condensadores en paralelo (de alta capacidad mala
resistencia serie para la baja frecuencia y otro de baja capacidad y
baja res. para la alta frec.
- Aadir perlas de ferrita para incrementar la inductancia serie de los cables
pues actua como filtro.
- en HF
Sistemas con relojes: se usan modelos de LT
Reducir la Zo
- minimizar el rea de los lazos
- juntar los conductores tanto como sea posible
Diseo para inmunidad
- Alejar las trayectorias de las interferencias

Derivan a masa provocando ruido de masa MC y MD
Uso de masa limpias
Filtrado o apantallamiento de los cables
Reduccin del rea de los lazos
Restringir el ancho de banda de los circuitos susceptibles
- Usar familias lgicas con umbral de ruido alto
- Diseos sncronos
- Proteccin en los micros y en los programas

Perro guardin
Lneas de programa de control
Superficie metlica dispuesta entre dos regiones del espacio que se

utiliza para atenuar la propagacin de campos magnticos.
- Se considera el ltimo recurso

- Las menores efectividades se obtienen con los campos magnticos
de baja frecuencia
- Las uniones de los blindajes son crticas
Cuando blindar?
- Si los campos en modo diferencial son elevados
- Solo en circuitos crticos
- Si el montaje consta de interfaces dispersos
Material a emplear
Buen conductor-campos elctricos
Alta permeabilidad-campos magnticos
Blindajes
Campo
Espacio externo sin
campo Circuito
generador de Blindaje
electromagntico
interferencias
Campo Blindaje
Espacio interno sin campo
Fuente de EMI Circuito

receptor de
interferencias
mbito
mbitodedeatenuacin:
atenuacin:11Hz- 11THz
Hz- THz
Sistemas:
Sistemas:Cajas,
Cajas,armarios,
armarios,pinturas
pinturasconductoras,
conductoras,lminas
lminasmetlicas,
metlicas,cables
cables
apantallados,
apantallados,depsitos
depsitosconductores
conductoressobre
sobreplsticos,...
plsticos,...
Blindajes
Campos electromagnticos
-Generador
-Frecuencia
Caractersticas -Medio de propagacin
-Distancia entre generador y receptor de la interferencia
Campo cercano Campo lejano

Caractersticas determinadas d>
por el medio de propagacin 2
(m) = C / f = 2,997925 108 (m / s ) / f ( Hz )
Impedancia
Impedancia de
de onda
onda E intensidad de campo elctrico
=
H intensidad de campo magntico
Campo cercano
1. Las caractersticas del campo
Campo lejano
dependen de la fuente Las propiedades del campo dependen
2. Distancia de la fuente al punto del medio
desde donde se observan los
efectos del campo d= E
2 = Z 0 = 377
H
Blindajes
E/H >377
E/H <377
Regiones caractersticas en funcin de la distancia entre la fuente del campo y el

punto de observacin
Blindajes
alta Baja
impedancia impedancia
Intensidades de campo en funcin del tipo de fuente de campo radiado

Campo puede considerarse cercano hasta una d 1/6 de la longitud de onda del generador
f= 100 kHz d=450 m
f=10 MHz d= 4,5 m
Si
Si el
el generador
generador dede EMI
EMI se
se encuentra
encuentra enen la
la Campos
Camposelctrico
elctricoyymagntico
magntico
misma sala que el circuito interferido, es fcil
misma sala que el circuito interferido, es fcil se
se deben considerarpor
deben considerar por
tener
tener un
un problema
problema dede campo
campo cercano
cercano separado
separado
Blindajes
Efectividad de los blindajes
Efectividad para campos elctricos
SS == 20
20 log
log (E
(E00/E
/E11)) (dB)
(dB) E0 (H0) = intensidad del campo incidente
E1 (H1) = intensidad del campo que traspasa el blindaje
Efectividad para campos magnticos La

Laefectividad
efectividadvara
varacon:
con:
La frecuencia
La frecuencia
Lageometra
La geometradeldelcampo
campo
SS == 20
20 log
log (H
(H00/H
/H11)) (dB)
(dB) Laposicin
La posicindel
deldetector
detector
Tipo de campo
Tipo de campo
Polarizacin
Polarizacin
Direccinde
Direccin dela
laincidencia
incidencia
Onda reflejada Prdidas por Tipo de campo (cerc/lej)

reflexin Impedancia de la onda
Onda incidente
en una superficie
metlica
Onda transmitida Atenuacin Prdidas por
absorcin
Blindajes
Efecto de las radiaciones sobre un blindaje con un agujero

S = efectividad total del blindaje
A = Prdidas por absorcin
SS == AA ++ RR ++ MR
MR R = Prdidas por reflexin.
MR = Reflexiones mltiples. Despreciable si A> 9dB
Blindajes
Prdidas por absorcin A
(para campos E, H y ondas planas)
La atenuacin A es independiente del tipo de campo (E, H) y se

describe a travs de la profundidad skin
A = prdidas dadas en dB
E O HO d
= e = 8.7 [dB]
d/ d = espesor
A= = f = frecuencia
E d Hd = profundidad skin
= resistividad
Hd=campo en el metal a la
= distancia x=d
f
X=0 X=d
aire aire
Las prdidas por absorcin
constituyen el principal Metal ZO
mecanismo de apantallado en el
EIN
Zm
caso de campos magnticos de
baja frecuencia
EO
Ero EOUT
AAbajas
bajasfrecuencias
frecuenciasesesdifcil
difcilapantallar
apantallar
eficientemente contra campos magnticos
eficientemente contra campos magnticos Erd
porque
porquesusuefectividad
efectividadesesbaja
baja
Prdidas por absorcin A
(para campos E, H y ondas planas)
8dB por cada que aumentemos d

Prdidas por reflexin R
R=
E IN
=
H IN
=
(ZO + Z m )
2
aire aire
4(Z O Z m )
Metal ZO
EOUT H OUT EIN
Zm
Impedancia de cualquier medio EO

Ero EOUT
Erd
jw 2
Zm = =
jw +

=
f
Prdidas por mltiples reflexiones MR
aire aire
Profundidad de penetracin :
Distancia requerida para que la onda sea atenuada Metal ZO
1/e veces (36,7 % de su valor inicial (9dB) EIN
Zm
EO
Ero EOUT
2 d
2d
MR = 20log1 e [dB ]
= Erd

(para valores bajos de d/)
MR (dB)
-20
Blindaje metlico (ZO>>Zm),
- R aumenta al disminuir la frec. y
aumentar la conductividad del material. -10
0 0.5 1 d/
El trmino MR es relevante cuando las prdidas por absorcin son bajas
Atenuacin del campo cercano E de un dipolo
Particularizando en el caso de campo cercano E tendremos que :
(Z E + Z )2 1
RE = m

4Z EZ m 4 2 w o r
1 ZE>>Zm w: 2f
Z E =
2 f r r: distancia pantalla-fuente
Para valores bajos de (d/) se ha introducir la correccin debido

a las mltiples reflexiones
1 d
R MR =
2 2 o r
Atenuacin del campo cercano E de un dipolo
Las
Lasprdidas
prdidasporporreflexin
reflexin
constituyen
constituyenel elprincipal
principalmecanismo
mecanismo
de
de apantallado en el casode
apantallado en el caso decampos
campos
elctricos
elctricos de baja frecuencia.AAalta
de baja frecuencia. alta
frecuencia
frecuencialoloes
eslalaabsorcin
absorcin
dB
Lmina de Cu (d=0.1mm, r=100mm)
d: distancia de la fuente al blindaje R+A
250
A
- R se reducen con f y r
- Se pueden conseguir buenos 100 R
apantallamientos con espesores muy bajos 1 MHz
Blindajes contra el acoplamiento capacitivo
(Frente a un campo elctrico)
Debe incluir todos los componentes a proteger

Debe conectarse a un potencial constante que puede ser la masa del sistema
Debe tener alta conductividad: cobre y aluminio
Blindaje electrosttico
Encerrar
Encerrar el
el circuito
circuito oo el
el conductor
conductor o de Faraday
dentro
dentro de
de unun blindaje
blindaje metlico
metlico
hermtico
hermtico
Jaula de Faraday:
cobertura del 100%
Atenuacin del campo cercano H de un dipolo
(Z H + Z m )2 w o r
Z H = 2 f r R H =
4ZHZm 4 2
Se supone que ZH >>Zm . A muy baja frec. no es correcto y tendamos
que utilizar la expresin general:
R=
(Z O + Z m )
2
4(ZO Z m )
- Baja frec. Difcil apantallar. El trmino de

MR tiene importancia y ha de aadirse a RH
- Alta frec. Absorcin
- AH (absorcin) aumenta si aumenta f y r
- AH aumenta si los materiales tienen
alta permeabilidad
- La atenuacin aumenta con d
Un campo magntico a bajas frecuencias

presenta baja reflexin ya que las reflexiones
d: distancia de la fuente al blindaje son funcin del cociente entre la impedancia
de onda y la del blindaje
Blindajes contra el acoplamiento inductivo
(Frente a un campo magntico)
Debe encerrar a todos los componentes a proteger
Debe tener alta permeabilidad
Resulta
Resulta ms
ms difcil
difcil obtener
obtener
una
una buena
buena efectividad
efectividad
comparativamente
comparativamente con con el
el
blindaje
blindaje electrosttico
electrosttico
En campo cercano, las EMI pueden tener un 90% de intensidad de

campo magntico y un 10% de campo elctrico, en cuyo caso son
irrelevantes las prdidas por reflexin
Ser
Ser aconsejable
aconsejable reforzar
reforzar las
las prdidas
prdidas por
por absorcin
absorcin aa expensas
expensas
de
de las
las prdidas
prdidas de
de reflexin,
reflexin, escogiendo
escogiendo EL
EL HIERRO
HIERRO como
como
material
material de
de blindaje
blindaje
Minimizar el rea de los bucles de corriente generador y receptor

Apantallar magnticamente con materiales de alta permeabilidad todo el generador de
interferencias
Cables prximos a un plano de masa
Atenuacin de ondas planas
ZO: impedancia de onda cte.=377

Se han de cumplir las condiciones de campo lejano (r>>/2)
Es un caso poco habitual
ZO 377
R EM = = Atenuacin por reflexin
4Z m 4 2
A baja frecuencia (d/ pequea) la contribucin debido a mltiples reflexiones y

absorcin no son destacables la atenuacin no depende de la frecuencia.
S (dB) Cobre con d>3

La mayor contribucin a f 200 d=1mm
se debe a la reflexin. SAEM
- Las prdidas son mayores con 150 SREM

buenos conductores ( elevadas)
100
10kHz 1 z 100 MHz
Atenuacin de campos en aberturas
- Reducen la efectividad del blindaje

- La prdida de efectividad afecta ms al campo magntico
- La mxima dimensin lineal de la ranura ser el parmetro a considerar
en la evaluacin de la prdida de efectividad.
Corrientes inducidas v
Metal
EIN
aire Orificios
Ranuras
Ero
Eo Erd D
Cuanto mas se desven las lneas
EOUT
peor apantallamiento
Metal
Longitud de onda crtica (c): las ondas cuya

> c se atenuar en el orificio.
Frecuencia crtica. Fc=c/ c (f<fc quedan atenuadas)
A menor distorsin de las lneas de corriente:
- Menor diferencia de potencial entre bordes
- Menor campo elctrico en la apertura
- Menor radiacin a travs de la apertura
Gua ondas circular

Frec. de corte
175109
D fC = [Hz]
D
Efectividad
D t
max =
2
S = 32 [dB]
D
Gua ondas rectangular
L 150109
fC = [Hz]
L
t
S = 27 [dB]
L L Cuando el espesor del conductor es comparable a las
max =
2 dimensiones de la apertura hay que aadir el efecto de
* Unidades de longitud en mm
gua onda.
t: espesor - La atenuacin depender exponencialmente de la
longitud de la gua.
Paso de cables a travs de blindajes
- Los condensadores de filtro deben colocarse al lado del blindaje

Condensadores pasamuros
Valores tpicos: C=1000pF
Incorporar ferritas para atenuar la alta frecuencia
Ncleo de ferrita
Comparacin de los materiales
Materiales magnticos: elevadas a costa de reducir la conductividad

mayores prdidas de absorcin y menor reflexin.
Interesa en baja frec y para campos magnticos
Para ondas planas y campo elctrico interesa tener una alta conductividad
Materiales
Conectores externos
juntas
Filtros
Condensador de desacoplo:
- Acta como una fuente de tensin cercana a la carga.

- Aporta la energa necesaria para absorber los picos de corriente
- Limita el tamao del bucle con un rea menor
- Se requieren condensadores con baja inductancia y resistencia serie
(Cermicos multicapa)
A/D Converter
Vin D1
i
c GND D4
Vref
0 dB
Sign
ENB
fR f
L
Hay que evitar la frecuencia de resonancia
Rs
ya que tiene un efecto amplificador
1
C
fR =
2 LC
Configuracin de los filtros
Objetivo: atenuar la alta frecuencia.

La eficacia del filtro depende de la impedancia vista a cada
extremo de la red de filtros
ZS ZL L
baja baja
ZS ZL
C C
Z alta a media
ZS C ZL
alta alta
L L
ZS ZL
L C
ZS ZL
C Z baja a media
baja alta
Bolt style EMI filter (10 MHz-26 GHz)
Filtros de red elctrica
Incluyen componentes para eliminar las interferencias en modo comn y diferencial
El choke L acta en modo comn. El flujo creado por las corrientes diferenciales
se anula lo que evita la saturacin del ncleo.
La inductancia de dispersin si acta sobre las corrientes en modo diferencial

Ncleos de ferrita
i/2
Alimentacin U i/2 Receptor
Capacidad Capacidad
parsita parsita
Filtrado
Filtrado pasivo
pasivo en
en modo
modo comn
comn U
En modo diferencial las dos inductancias se

anulan porque estn bobinadas en sentido
inverso sobre el mismo ncleo
U U U
id
A A
CY2
Cx1 L
Cx2
N CY2
N
T
ic
A A
A+N A+N
Cx1 LLKG Cx2+0.5CY2

L
2CY2
N
N T T
Circ. Equivalente Circ. Equivalente

Modo Diferencial Modo Comn
CX (0.1-0.47F)
L (1-10 mH)
El conjunto puede presentar atenuaciones de 40-50 dB hasta 30 MHz

Por debajo de 1MHz la atenuacin disminuye notablemente
Mejora de la eficacia:
- Chokes adicionales en lneas diferenciales

- Choke en la lnea de tierra
- Supresores de transitorios (VDR)
A A
CY2
RED Cx1 L EQUIPO
Cx2
N
CY2 N
T T
Ensayos realizados en la cmara anecoica
del rea de Tecnologa Electrnica
SAI de 10kW
Chloride
SAI de 10kW
Chloride
SAI de 10kW
Chloride
SAI de 10kW
Chloride

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Interferencias Electromagnticas

en Sistemas Electrnicos Universidad de Oviedo

Alberto Martn Perna

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EMI: (electromagnetic interference) el tipo particular de perturbacin

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Tensin en los bornes de un contacto despus

Los motores con escobillas y colector generan perturbaciones

Fuentes de alumbrado que

Dos nubes principales de pulsos,

Ondas senoidales no moduladas

Las perturbaciones conducidas

Red de Sistema Sistema

Este tipo de perturbacin se reduce mediante la correcta

Red de Sistema Sistema

Corriente de modo comn que circula por la red de tierra a

9 kHz 30 MHz 300 MHz 1 GHz

Ec. De Maxwell Ec. Constitutivas

Ley de Biot-Savart:Campo creado por un elemento de corriente

Aproximacin de Meike y Gundlach 10

La presencia del campo magntico externo se asocia a una inductancia L

Pueden tratarse como LNEAS DE TRANSMISIN

La potencia electromagntica que fluye se calcula:

En el exterior del los conductores H y E son perpendiculares

La energa se transmite por el aire hacia la carga. El

Propagacin en cables coaxiales

Impedancia externa: Capacidad

Impedancia por unidad de longitud Z2

Para Cable sujeto a una

Malla metlica con contacto en

En el vaco E/H= (o/o)1/2 =410-7/(8.8510-12)=377

Lnea bifilar. Anlisis como lnea de transmisin:

Velocidad de propagacin v = LC [m/s ]

Conductores planos 2A/20V

COMPORTAMIENTO CAPACITIVO, (E/H>>377)

La zona 1 se utiliza para transporte de energa

Para evitar resonancias parsitas en las fuentes de alimentacin,

Velocidad de propagacin es: Tiempo de propagacin

luego a 178 e=0.2 mm

Longitud de la pista d=vt=141106 m/s 3 ns=40 cm

Si (V/I) < (/)1/2 necesitamos elevados

Las placas estn a igual tensin

Una variacin de tensin induce corriente

Si A aumenta la inductancia parsita tambin aumenta

Efectos a tener en cuenta:

En el caso de bobinas devanadas convencionales

Para evitar dichas oscilaciones (LC)1/2 debe

- Colocar una pantalla en cada devanado conectndola

Transformador Esquema Aislamiento

Ojo con las patas!: aumentan la L parsita

Tambin llamado acoplamiento electrosttico

Configuracin fsica Circuito equivalente

La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt

La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt

Cmo se evita el acoplamiento capacitivo?