TE1415 Apuntes Tema3

3.
Diodos de union pn
Tema 3
Diodos de union pn
Se denomina diodo de union pn al dispositivo constituido mediante una union entre dos
materiales semiconductores, uno de ellos con disponibilidad de huecos, equivalentes a cargas
positivas (material tipo p) y otro con disponibilidad de cargas negativas (material tipo n) y cuya
utilidad consiste, fundamentalmente, en dejar conducir la corriente electrica en un solo sentido.
3.1.
Principios fsicos de los dispositivos semiconductores
3.1.1.
Introduccion
Las caractersticas fsicas que permiten distinguir entre un aislante, un semiconductor y un metal
estan determinadas por la estructura atomica, molecular y cristalina de los diferentes materiales.
De acuerdo con el modelo atomico de Rutherford, el a tomo esta compuesto por un nucleo y
una corteza. La corteza esta compuesta por electrones que giran en o rbitas circulares alrededor
del nucleo. Sabemos que los electrones que constituyen la corteza de un a tomo solo pueden
poseer determinadas energas discretas, lo que se recoge en el primer postulado de Bohr. De
acuerdo con este postulado, los electrones se mueven en ciertas o rbitas permitidas alrededor del
nucleo sin emitir energa, de forma que E 1/r, siendo E la energa de la o rbita y r el radio
de dicha o rbita.
Cada nivel de energa u o rbita (tambien denominado estado cuantico) solo puede ser
ocupado por un electron (Principio de exclusion de Pauli), y e stos ocupan siempre los estados
mas bajos o inferiores de energa. Los diferentes niveles posibles de energa vienen definidos por
cuatro numeros cuanticos1 y se encuentran perfectamente determinados en un a tomo aislado.
1
Numero cuantico principal, que indica la distancia entre el nucleo y el electron (nivel energetico); numero
cuantico secundario, que indica la forma de los orbitales en los que se encuentra el electron (subnivel); numero
cuantico magnetico, que indica la orientacion espacial del subnivel de energa; y numero cuantico de spin, que
indica el sentido de giro del campo magnetico que produce el electron al girar sobre su eje.
3 57
3. Diodos de union pn
Los electrones van ocupando estos niveles de energa empezando por los niveles mas bajos (de
acuerdo con la Figura 3.1, se empezara con el nivel de mnima energa 1 y subnivel s).
Energa E
r1s
r2s r2p
r3s r3p
Radio r de
la rbita
r3d
0
E3d
E3p
E3s
3d
CapaM
(3rbita)
3p
3s
E2d
E2s
2p
2s
E1s
1s
CapaL
(2rbita)
CapaK
(1rbita)
Figura 3.1 Niveles de energa en funcion del radio de la o rbita.
3.1.1.1.
Bandas de energa en solidos
Cuando dos a tomos estan muy proximos, por ejemplo en los solidos, hay interaccion entre los
niveles de energa de los electrones cercanos, dando lugar, por el principio de exclusion de Pauli,
a desdoblamientos de los niveles de energa, que comienzan por las o rbitas superiores.
Energa E
tomosmuy
alejados
tomosmuy tomos
cercanos cercanos
d2
d1
d0
Distancia d
entre tomos
E
A
Ed
B
C
Subcapad
BP
Ep
Subcapap
tomos alejados:
loselectrones
tienenestos
nivelesdisponibles
D
F
tomos a distancia media:los
electronestienendosgruposde
nivelesdisponibles(AByCD)yuna
zonaintermediasinniveles(BC)
Figura 3.2 Desdoblamiento de niveles de las subcapas d y p, en funcion de la distancia entre

a tomos.
En la Figura 3.2, se ilustra el desdoblamiento de niveles de las subcapas d y p en funcion de

la distancia entre los a tomos, siendo:
d0 Distancia a la cual los a tomos no tienen influencia entre s y los niveles no se desdoblan.
3 58
d1 Distancia entre a tomos que produce desdoblamiento de niveles, pudiendo encontrarse los
electrones en las bandas permitidas AB y CD, pero no en la banda prohibida BC. Este
salto BC disminuye conforme la distancia interatomica disminuye.
d2 Distancia a la cual la superposicion de niveles da lugar a una u nica banda permitida EF.
Cuando el numero de a tomos que interaccionan por su proximidad es muy grande se produce
un numero tan elevado de niveles que da lugar a la formacion de bandas de energa continuas,
por lo que se puede ignorar el caracter discreto de los niveles. A la banda de energa formada
por los electrones de la u ltima capa (tambien denominados electrones de valencia) que tiene
todos o casi todos los subniveles ocupados se le llama Banda de Valencia (BV). Para que exista
conduccion en esta banda han de existir subniveles desocupados (huecos).
Figura 3.3 Bandas de energa en los materiales aislantes (izquierda), en los conductores (centro)
y en los semiconductores (derecha). Los crculos negros indican electrones (carga
negativa) de conduccion, mientras que los crculos blancos indican huecos (carga
equivalente positiva) a los que le falta un electron.
A la banda de energa formada por los electrones libres que tiene todos o casi todos los
subniveles vacos se le llama Banda de Conduccion (BC). Para que exista conduccion en esta
banda han de existir subniveles ocupados (electrones libres).
En los materiales aislantes (ver Figura 3.3 (izquierda)), la BC esta vaca (es decir, no existen
electrones de conduccion), la BV esta llena y la Banda Prohibida (BP) es grande. De ah que,
aunque se aplique un campo electrico exterior, e ste ha de ser relativamente muy grande para
que puedan saltar electrones de la BV a la BC.
En el caso de los conductores (ver Figura 3.3 (centro)), las bandas de conduccion y valencia
se solapan pudiendo moverse libremente los electrones por la BC.
Los semiconductores (ver Figura 3.3 (derecha)) son materiales en los que la anchura de
la BP es del orden de 1 eV. Al cero absoluto de temperatura, todos los electrones estan en la
BV y la BC esta vaca, por lo que no puede producirse conduccion (aislante). Al aumentar la
temperatura ambiente, algunos electrones de la BV adquieren la suficiente energa como para
pasar de la BV a la BC, con lo que podra producirse conduccion en el semiconductor.
3 59
Cuando en un semiconductor un electron pasa de la BV a la BC, en la BV deja un hueco
(nivel vaco), que podra ocupar otro electron de otro nivel de la BV, desplazandose dicho hueco
como un electron positivo, lo que contribuye a la conduccion. Por lo tanto, se producira tambien
conduccion en la BV. El movimiento en la banda de valencia de los electrones e en un sentido
equivale al movimiento de las partculas denominadas huecos, del mismo valor que la carga
del electron pero positiva, y que se denotan como e+ , en sentido contrario. Podemos entonces
tratar el movimiento de los electrones de la banda de valencia como un movimiento de cargas
positivas (huecos) en sentido contrario (ver Figura 3.4).
Figura 3.4 Movimiento de electrones e y huecos e+ .
3.1.2.
Semiconductor intrnseco
Se denominan semiconductores intrnsecos a aquellos materiales puros que presentan

caractersticas semiconductoras. Los mas importantes en electronica son el Silicio (Si), el
Germanio (Ge) y el Arseniuro de Galio (GaAs). Dado que el silicio es con diferencia el mas
empleado, nos referiremos a e l en este estudio.
Figura 3.5 Estructura electronica del silicio (Si).
El silicio presenta una estructura electronica: 1 s2 2 s2 p6 3 s2 p2 . Como se puede ver en

la Figura 3.5, tiene cuatro electrones en la u ltima capa (tetravalente2 ). Y en su configuracion
2
La valencia, tambien conocida como numero de valencia, es una medida de la cantidad de enlaces formados
por los a tomos. El silicio tiene cuatro electrones en su capa de valencia (su capa mas externa), de ah su posicion
en la tabla periodica (en el grupo IV).
3 60
cristalina, cada a tomo se rodea de otros cuatro, con los que comparte, mediante enlaces
covalentes3 , los cuatro electrones de su u ltima capa. Los electrones libres, que no formasen
parte de ningun enlace, se encontraran en la BC. En un semiconductor a 0 K, la BC esta vaca
y la BV llena. La altura o anchura de la BP que separa las bandas de conduccion y valencia en
el silicio es de 1,1 eV.
Figura 3.6 Generacion en el silicio.
A temperatura ambiente, la agitacion termica hace que algunos electrones se liberen del
enlace covalente y pasen a la BC (ver Figuras 3.3 y 3.6) quedando libres para vagar por el
interior del cristal (proceso que se denomina generacion). Ademas, cuando un electron pasa
de la BV a la BC se crea un hueco (nivel libre) en la BV (ver Figura 3.6), que es tan efectivo
en la conduccion como el electron libre en s mismo, puesto que el hueco dejado en el enlace
covalente puede captar un electron de un enlace vecino. Cuando un electron libre encuentra un
hueco puede producirse un proceso denominado recombinacion: el hueco y el electron libre se
combinan para formar un enlace. En equilibrio termico, la velocidad de generacion sera igual
a la velocidad de recombinacion. Al aumentar la temperatura aumenta la concentracion de
portadores de carga y, por tanto, la conductividad. Los desplazamientos de los electrones en la
BC y de los huecos en la BV, bajo la accion de un campo electrico, seran en sentidos contrarios,
dando lugar por tanto a corrientes que se suman.
En un semiconductor puro (intrnseco), el numero de huecos es igual al numero de electrones
libres. Utilizando la siguiente notacion:
n numero de electrones libres en la BC por unidad de volumen, es decir, concentracion de
electrones,
p numero de huecos en la BV por unidad de volumen, es decir, concentracion de huecos,
entonces se tiene que:
ni = n = p,
3
(3.1)
Un enlace covalente se produce por comparticion de electrones entre dos a tomos. No hay, por tanto,
transferencia de electrones de un a tomo a otro.
3 61
siendo ni una constante denominada constante (o coeficiente) de concentracion intrnseca,
que como podemos suponer, dependera notablemente de la temperatura. El silicio intrnseco
contiene unos 5 1022 a tomos/cm3 . A temperatura ambiente (300 K) tiene una ni = 1,45
1010 cm3 , que indica que el numero de portadores de carga es pequeno, comparado con el que
encontramos en un buen conductor, donde por ejemplo, como ocurre en el caso de los metales,
todos los a tomos estan ionizados4 . La resistividad es de 4,3 103 m, que es una resistividad
media entre la que presentan los materiales conductores y la de los aislantes, de ah el nombre
de semiconductor.
Al aumentar la temperatura aumenta la concentracion de portadores de carga (electrones
y huecos) y la capacidad de conducir corriente del material, es decir, la conductividad
de un semiconductor intrnseco aumenta con la temperatura. El aumento de temperatura
produce continuamente nuevos pares electronhueco, mientras que otros pares desaparecen
como resultado de la recombinacion. Este comportamiento difiere del de los metales, cuya
conductividad disminuye al aumentar la temperatura debido al aumento de vibracion de los
iones metalicos y, por tanto, de la probabilidad de colisiones.
3.1.3.
Semicondctor extrnseco
En un semiconductor puro disponemos de portadores de carga de dos tipos: electrones libres

y huecos. Ahora bien, en la fabricacion de dispositivos electronicos es necesario que la
conductividad sea controlada y debida, mayoritariamente, a un solo tipo de portadores. La razon
principal es que la conduccion en los semiconductores extrnsecos es mas facil, ya que se va a
necesitar una energa notablemente menor para que exista circulacion de carga, tanto de huecos
como de electrones.
Se les denomina extrnsecos, impuros o dopados, a aquellos semiconductores intrnsecos a
los que se les ha anadido impurezas (en la forma de pequenos porcentajes de a tomos trivalentes
o pentavalentes) para aumentar su conductividad y rendimiento electrico. Anadir al cristal
semiconductor pequenas cantidades de impurezas apropiadas afecta de manera espectacular
a las concentraciones relativas de huecos y de electrones, como veremos.
3.1.3.1.
Impurezas donadoras. Extrnseco tipo n
Son elementos del grupo V de la tabla periodica de elementos (Fosforo (P), Arsenico (As),
Antimonio (Sb)), por lo tanto pentavalentes, es decir, con cinco electrones en su u ltima capa,
que cuando son utilizados como impurezas para dopar un material semiconductor comparten
cuatro electrones mediante enlaces covalentes con los correspondientes cuatro a tomos que lo
4
No son electricamente neutros, sino que estan cargados (denominandose iones), como resultado de la
transferencia de electrones de unos a tomos a otros.
3 62
rodean en la estructura cristalina, mientras que el electron no compartido se situa en una o rbita
cuyo nivel de energa es muy proximo al de la BC, por lo que puede saltar facilmente a ella y
quedar libre para desplazarse por el cristal (ver Figura 3.7).
Figura 3.7 Extrnseco tipo n obtenido al dopar el silicio con impurezas de antimonio (Sb), un
elemento del grupo V de la tabla periodica.
Como aportan portadores (electrones), a estas impurezas se les denomina impurezas

donadoras, y al semiconductor con estas impurezas extrnseco tipo n. En los semiconductores
tipo n la mayora de los electrones provienen de a tomos donadores, que a temperaturas normales
de funcionamiento quedan ionizados positivamente, por lo que el numero de huecos en la BV
es mucho menor que el numero de electrones en la BC, esto es: n p.
En un material de tipo n, la conduccion se debe principalmente a los electrones libres, a los
que se denomina portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores
minoritarios.
3.1.3.2.
Impurezas aceptadoras. Extrnseco tipo p
Son elementos del grupo III de la tabla periodica (Boro (B), Indio (In) y Galio (Ga)), trivalentes,
con tres electrones en su u ltima capa, y que, cuando se utilizan para dopar un material
semiconductor, los comparten mediante enlaces covalentes con tres de los cuatro a tomos que
los rodean en la estructura cristalina (ver Figura 3.8).
Con el cuarto a tomo se forma un enlace covalente incompleto creandose un nivel de
energa de hueco muy cerca de la BV, por lo que puede captar facilmente electrones de
enlaces covalentes proximos, generando un hueco (nivel libre) dentro de la BV que puede
desplazarse en su interior. A estas impurezas se les denomina aceptadoras, porque originan
niveles aceptadores o captadores de electrones, y al semiconductor dopado con estas impurezas
extrnseco tipo p.
En los semiconductores tipo p, la mayora de los huecos provienen de a tomos aceptadores,
que, a temperaturas normales de funcionamiento, quedan ionizados negativamente, por lo que
el numero de electrones en la BC es mucho menor que el numero de huecos en la BV, esto
3 63
Figura 3.8 Extrnseco tipo p obtenido al dopar el silicio con impurezas de boro (B), un elemento
del grupo III de la tabla periodica.
es: p n. En un material de tipo p la conduccion se debe principalmente a los huecos, a los

que se denomina portadores mayoritarios, mientras que a los electrones libres se les denomina
portadores minoritarios.
Resumen
Intrnsecos (sin impurezas): n = p = ni
Impurezas grupo V, donadoras
Tipo n Muchos electrones en la BC (portadores mayoritarios)
Pocos huecos en la BV (portadores minoritarios)
Semiconductores
Extrnsecos
Impurezas grupo III, aceptadoras
Tipo p Muchos huecos en la BV (portadores mayoritarios)
Pocos electrones en la BC (portadores minoritarios)
3.2.
Union pn en circuito abierto
Se forma una union pn cuando en un mismo cristal semiconductor se difunden impurezas

donadoras por un extremo y aceptadoras por el otro (ver Figura 3.9).
En las cercanas de la union se va a producir una fuerte variacion en la concentracion, debido
a que los portadores que a un lado de union son mayoritarios, pasan a ser minoritarios en la otra,
y viceversa. Debido a esa variacion en la concentracion, los electrones mayoritarios de la region
3 64
Figura 3.9 Union pn en circuito abierto y distribucion de las concentraciones de cargas en cada
zona.
n se van a difundir sobre la region p, y los huecos mayoritarios de la region p sobre la region n,
lo que dara lugar a la aparicion de iones sin neutralizar por cargas moviles a ambos lados de la
union (ver Figura 3.9). En otras palabras: los electrones de los a tomos donadores a la derecha,
cercanos la zona de union (lnea vertical central de la Figura 3.9), se combinan con los huecos
de los a tomos aceptadores de la izquierda, tambien cercanos a la zona de union. Esto forma el
~
conjunto de iones de la zona de transicion, lo que da lugar a la aparicion del campo electrico E
y cuya direccion es desde los iones positivos hacia los negativos.
Estas cargas fijas sin neutralizar forman un campo electrico, dirigido del lado n al lado p
(de derecha a izquierda en la Figura 3.9), que va aumentando al ir pasando portadores de un
~ as originado se opone al paso de cargas moviles,
lado al otro de la union. El campo electrico E
llegandose al equilibrio cuando la tendencia a la difusion se contrarresta por el efecto de arrastre
a que da lugar dicho campo5 . A la zona en la que no hay portadores moviles, pero s iones fijos,
se le denomina zona de transicion, de carga espacial, o de agotamiento (cuyo espesor es de
aproximadamente 0,50 m, segun se indica en la Figura 3.10). Fuera de la zona de transicion el
campo electrico es nulo.
Asociado al campo electrico de la zona de transicion, aparece el potencial de contacto o
5
La corriente de difusion se produce cuando la concentracion de portadores no es uniforme a lo largo del
semiconductor, produciendose un desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio. La corriente

de arrastre se debe al campo electrico aplicado.
3 65
Figura 3.10 Union pn en circuito abierto. Zona de transicion.
barrera de potencial:
Z
V0 =
~ d~l.
E
El potencial de contacto no genera tension capaz de producir corriente, sino que constituye una
barrera de potencial que se opone a la difusion de los portadores mayoritarios. Para entender esta
idea con mas claridad recordemos que las cargas positivas se mueven de las zonas de mayor a las
de menor potencial, y las cargas negativas a la inversa. En la zona p los portadores mayoritarios
son los huecos y como la zona n esta a mayor potencial que la zona p, esta diferencia de
potencial dificulta o impide el movimiento de los huecos de la zona p a la n. Lo mismo ocurre
con el movimiento de los electrones de la zona n a la p.
La altura de la barrera de potencial V0 depende de las concentraciones de impurezas y de
la temperatura. Tpicamente, para silicio a temperatura ambiente, esta comprendida entre 0,6
y 0,8 V. En la Figura 3.9 tambien se detalla la variacion de las concentraciones de cargas,
expresadas como logaritmos. En ella se observa que la concentracion pp de huecos positivos
en la zona p, a la izquierda de la zona de transicion es alta, se reduce al pasar por la zona de
transicion y se convierte en la baja concentracion pn de huecos en la zona n. El caso contrario
sucede con la concentracion de electrones, la cual aumenta al pasar de la zona p (np ) a la zona
n (nn ).
Cuando los terminales de la union pn se dejan en circuito abierto, el voltaje medido entre
ellos sera cero. Esto es, el voltaje V0 de la region de agotamiento no aparece entre los terminales
del diodo. Esto es as por las cadas de potencial en los contactos de los terminales del diodo
(ver Figura 3.9), Vp y Vn , que se oponen y equilibran exactamente el potencial de barrera. Si
no fuera as, podramos sacar energa de la union pn aislada, lo cual violara claramente el
principio de conservacion de la energa.
Dado que ha de cumplirse que V = Vp VJ + Vn = 0, se tiene que VJ = V0 = Vp + Vn ,
3 66
siendo VJ la tension aplicada a la union.
3.3.
Union pn polarizada
Se entiende como polarizacion de una union pn a la aplicacion externa de una diferencia de

potencial continua o con un determinado sentido a la union. La polarizacion del diodo puede
ser en directa o en inversa, como veremos a continuacion.
3.3.1.
Union pn polarizada directamente
La union pn esta polarizada directamente cuando a la region p se le aplica un potencial mayor

que a la region n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras 3.11 y 3.12, se debe conectar el polo
positivo de la batera al a nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al catodo (zona n).
Figura 3.11 Union pn polarizada en directa. Observese la reduccion de la barrera de potencial
(zona de transicion) en la union.
Figura 3.12 Representacion circuital del diodo polarizado en directa y conexion real. Observese
que la marca en el diodo real (anillo blanco) corresponde al catodo.
En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

3 67
Los huecos de la region p y los electrones de la region n son empujados hacia la union
por el campo electrico Ep a que da lugar la polarizacion debida al voltaje externo V . Por
lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicion.
El campo electrico de la polarizacion Ep se opone al de la union Eu . As, se reduce el
campo electrico de la union y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar
que, como vimos en la Apartado 3.2, la barrera de potencial sin polarizacion es VJ = V0 .
Con la polarizacion directa de la union pn se reduce en la forma VJ = V0 V , siendo V
la tension directa aplicada a dicha union, tal y como se muestra en la Figura 3.11.
Dado que ha de cumplirse que V = Vp VJ + Vn , se tiene que VJ = Vp + Vn V .
Puesto que Vp + Vn = V0 , entonces se verifica que VJ = V0 V . Como decamos antes,
al polarizar la union pn en directa disminuye la barrera de potencial y el valor de esa
reduccion es la tension V de la batera.
Sin embargo, en la practica, el diodo siempre trabaja con barrera de potencial VJ en la
union, incluso con polarizacion directa. Si se aplicara suficiente polarizacion directa para
que se anulara la barrera de potencial, circulara una corriente excesiva por la union y
podra destruirse e sta por sobrecalentamiento.
La reduccion del campo electrico de la union reduce el efecto de arrastre6 .
Al ser la zona de transicion mas estrecha, aumenta la variacion de las distintas
concentraciones de portadores en ella y consecuentemente, aumenta el efecto de
difusion7 .
No se alcanza el equilibrio, produciendose una circulacion neta de carga por el circuito.
De esta forma, la corriente en la union es por difusion y fuera de ella por arrastre.
Basicamente, la corriente que atraviesa la union es debida al movimiento de electrones y huecos
inyectados a cada lado de la union donde son minoritarios. Los huecos que circulan de izquierda
a derecha constituyen una corriente en el mismo sentido que los electrones que se mueven de
derecha a izquierda, y, por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la union es la suma de
las corrientes de los huecos y de los electrones mayoritarios, que puede llegar a ser importante.
En una union asimetrica, que corresponde a una union con un lado mas dopado que el otro, la
corriente sera fundamentalmente debida al tipo de portador mas abundante.
6
La corriente de arrastre es producida por el movimiento de electrones y huecos bajo la influencia de un campo
electrico. Si e ste es menor, evidentemente el efecto de arrastre sera menor.
7
Las corrientes de difusion son debidas a las diferentes concentraciones de portadores, y pueden ser debidas
tanto al movimiento de electrones como de huecos. Dependen de lo que se denomina variacion o gradiente de
concentracion de portadores. Es un efecto similar al del movimiento de un gas en una habitacion: las partculas se
moveran desde las zonas en donde hay mas densidad hacia donde hay menos densidad, hasta que la distribucion
sea uniforme. A temperatura ambiente, la difusion de cada portador a traves de la union implica la difusion de otro
portador del mismo tipo en sentido contrario. Por lo tanto, en equilibrio, no hay corriente de difusion a traves de la
union.
3 68
3.3.2.
Union pn polarizada inversamente
Una union pn esta polarizada inversamente cuando a la region p se le aplica un potencial menor
que al de la region n. Para ello, tal y como se muestra en las Figuras 3.13 y 3.14, se conecta el
polo negativo de la batera a la zona p y el polo positivo a la zona n.
Figura 3.13 Union pn polarizada en inversa. Observese el aumento de la zona de transicion

(barrera de potencial) en la union.
Figura 3.14 Representacion circuital del diodo polarizado en inversa y conexion real.
Con la union pn polarizada en inversa se observa lo siguiente:

Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n) de ambas
regiones tienden a separase de la union, empujados por el campo electrico a que da lugar
la polarizacion, aumentando la anchura de la zona de transicion.
El campo electrico en la union aumenta reforzado por el de la polarizacion, ambos
ahora del mismo sentido. Dado que ha de cumplirse que V = Vp VJ + Vn , se tiene
que VJ = Vp + Vn + V . Puesto que Vp + Vn = V0 , entonces se tiene que VJ = V0 + V ,
siendo V el potencial de la pila, tal y como se muestra en la Figura 3.13.
3 69
La polaridad de la union es tal que tiende a llevar los huecos de la zona p y los electrones de
la zona n a alejarse de la union. Solo los portadores minoritarios generados termicamente en
ambas regiones son empujados hacia la union. As, u nicamente los pocos electrones de p, al
pasar al lado n, formaran con los mayoritarios de esta region una corriente de arrastre, y de
similar manera, los pocos huecos de n, al pasar a p, formaran otra debil corriente de arrastre
que se sumara a la anterior. Esta pequena corriente es la corriente inversa de saturacion del
diodo, o corriente de fuga, y su valor, que se designa por I0 , y que se encuentra limitado
por el numero de portadores minoritarios, es independiente de la tension inversa aplicada. Esta
corriente inversa aumentara con el incremento de la temperatura. A temperatura ambiente, los
diodos de silicio de pequena senal tienen valores de I0 del orden de 1014 A.
Se puede controlar el valor de I0 mediante el nivel de dopado del diodo. Para un diodo
fuertemente dopado (ambos lados), las concentraciones de minoritarios son bajas y la I0
pequena. Tambien I0 depende del a rea de la union, por lo que podemos decir, en general, que
los diodos de senal tienen una I0 pequena y los diodos de potencia una I0 elevada8 .
Ademas, dado que las concentraciones de minoritarios dependen de la generacion termica, la
corriente I0 es dependiente en alto grado de la temperatura. En el silicio se ha observado que la
corriente inversa de saturacion crece aproximadamente un 7 % por C. De este comportamiento
podemos deducir que la corriente inversa de saturacion se duplica de forma aproximada cada
10 C de aumento de temperatura. Si I0 = I0 (T1 ) para T = T1 , cuando la temperatura es T2 , I0
viene dado por:
I0 (T2 ) = I0 (T1 ) 2
T2 T1
10
[A].
(3.2)
La corriente inversa real de un diodo es mayor que I0 debido a corrientes superficiales

causadas por irregularidades en los bordes del semiconductor y a corrientes de fuga o de
perdidas del encapsulado.
3.4.
Caracterstica VI del diodo
La curva caracterstica del diodo resulta de representar graficamente la relacion I = f (V ) que,

matematicamente, se aproxima por la ecuacion de Shockley:

qV
V
I = I0 e KT 1 = I0 e VT 1 ,
(3.3)
en donde (ver Figuras 3.15 y 3.16):

I0 es la corriente inversa de saturacion del diodo expresada en amperios.
8
El diodo de senal es un diodo semiconductor empleado para la deteccion o el tratamiento de una senal electrica
de baja potencia. El diodo de potencia, en cambio, debido a su mayor tamano en comparacion con un diodo de
senal, puede llegar a soportar tensiones de ruptura del orden de kV y conducir corrientes del orden de kA, lo que
los hace adecuados para aplicaciones de alta potencia, de ah el nombre.
3 70
Figura 3.15 Parametros VI del diodo. Observese que el terminal A del a nodo coincide con la
punta de la flecha de V . Ademas, el triangulo del smbolo del diodo ya indica hacia
donde fluye la corriente I, puesto que su forma coincide con la punta de la flecha
correspondiente.
q es la carga del electron en culombios (es decir, 1,6 1019 C).

T es la temperatura absoluta de la union en grados Kelvin (K)9 .
K es la constante de Boltzman, de valor 1,381 1023 J/K.
es el denominado coeficiente de emision, que depende del proceso de fabricacion del
diodo, y que es 1 para Ge y 2 para Si, en corrientes moderadas.
VT se conoce como tension termica o tension equivalente de temperatura. Se obtiene
como
T
KT
=
q
11600
Entonces, para T = 300 K VT 0,026 V = 26 mV.
Para V VT , la ecuacion (3.3) se reduce a:
V
I = I0 e VT ,
(3.4)
es decir, I crece exponencialmente con V ; y para V VT :

I I0 .
(3.5)

V
Al representar la ecuacion I = I0 e VT 1 , se observan algunas diferencias con respecto
al comportamiento real de una union pn, tal y como se puede apreciar al comparar las
Figuras 3.16 y 3.17.
Se observa que en la practica el diodo con polarizacion no conduce a partir de V = 0 V,
sino que es necesario alcanzar el valor V , que se denomina tension umbral o de codo. As,
se define como V al potencial que hace conducir al diodo en directa de forma que la corriente
aumente al 1 % de su valor maximo o nominal10 como consecuencia de la reduccion de la barrera
de potencial, y es un dato del fabricante. Por ejemplo, toma aproximadamente los siguientes
valores:
V = 0,2 V para el Ge.
9
La relacion entre temperatura en unidades Kelvin (K) y temperatura en grados Celsius ( C) es:
T (K) T ( C) + 273.
10
La corriente maxima es la intensidad de corriente maxima que puede conducir el diodo sin fundirse.
3 71
I
I0 10 nA
V [V]
Figura 3.16 Curva IV de acuerdo al modelo matematico de la ecuacion de Shockley.

I
Imax
I0
-Vr
V [V]
V
Figura 3.17 Curva IV de funcionamiento real del diodo.
V = 0,6 V para el Si.

V = 0,3 V para Schottky.
V = 1,2 V para AsGa (LED).
Cuando la tension directa supera la tension umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequenos incrementos de tension se producen grandes variaciones en la corriente que
circula a traves de la union.
Otra diferencia que se puede observar al comparar ambas curvas aparece cuando la tension
inversa aplicada aumenta fuertemente hasta alcanzar la denominada tension de ruptura Vr , a
partir de la cual la corriente aumenta bruscamente por causas que comentaremos mas adelante.
Un diodo pn normal no esta preparado para trabajar con corrientes inversas grandes, por lo que
si se alcanza la tension de ruptura en inversa, el diodo se funde. La Vr es otro parametro lmite
que da el fabricante.
3.4.1.
Resistencia estatica y dinamica del diodo
La resistencia estatica R de un diodo se define como la relacion entre la tension y la corriente

V /I, es decir, simplemente la Ley de Ohm. En un punto cualquiera de la curva caracterstica
IV del diodo, la resistencia estatica se obtiene como la inversa de la pendiente de la recta que
une dicho punto con el origen de coordenadas11 .
11
Esto es as porque, como R = V /I, entonces la ecuacion I = V /R = (1/R)V que se deduce de la definicion
de resistencia estatica R es equivalente a una ecuacion del tipo y = a x, es decir, una recta con pendiente a y
3 72
I[mA]
IQ
VP
VQ
IP
V[V]
Figura 3.18 Puntos en donde se mide las resistencias estatica y dinamica del diodo. El punto Q
se correspondera a un valor en directa (RF o bien Rf ), mientras que el punto P se
correspondera a un valor en inversa (RR o bien Rr ).
Podemos hablar de resistencia estatica en directa (RF , en donde el subndice
indica
Forward o hacia adelante) y de resistencia estatica en inversa (RR , en donde el subndice

R
indica Reverse ohacia atras)). De acuerdo con la Figura 3.18, las resistencias estaticas en
directa y en inversa tendran las expresiones siguientes:

RF =
VQ
VP
y RR =
, respectivamente.
IQ
IP
Puesto que vara de forma considerable con el punto elegido, no es un parametro adecuado para
definir el comportamiento del diodo.
La resistencia dinamica o incremental, en cambio, constituye un parametro importante
del diodo. Se define como la inversa de la pendiente de la curva caracterstica I = f (V ), en el
punto de funcionamiento, es decir:

Rdinamica =
V
I

=
I0
dV
.
dI
En el punto Q, con polarizacion directa, tenemos que la resistencia dinamica en directa se

obtiene como:

Rf =
V
I

,
(3.6)
I=IQ
y en el punto P , con polarizacion inversa, la resistencia dinamica en inversa se obtiene como:

V
Rr =
.
(3.7)
I I=IP
En el diodo se cumple que la resistencia en directa es pequena (pendiente elevada, ya que 1/R
es un numero grande si R es pequena) y en inversa grande (pendiente pequena, ya que 1/R es
un numero pequeno si R es grande).
que pasa por el origen. De modo que I = (1/R)V representa la misma entidad, con pendiente 1/R, de all que R
represente la inversa de la pendiente.
3 73
Tenamos teoricamente que la corriente en el diodo se poda modelar matematicamente de
acuerdo a la ecuacion siguiente:

V
VT
1 ,
I = I0 e
y, por lo tanto:
V
dI
I0 e VT
I + I0
=
=
,
dV
VT
VT
de donde:
Rdinamica =
dV
VT
=
.
dI
I + I0
Si en el punto Q se cumple que IQ I0 , la resistencia dinamica en directa se reduce a la

siguiente expresion:
Rf =
3.5.
VT
.
IQ
Diodos de avalancha
Los diodos de avalancha o Zener son diodos disenados para trabajar en la zona de ruptura. La
zona de ruptura se caracteriza porque la corriente inversa zener IZ puede variar ampliamente
permaneciendo la tension inversa constante y aproximadamente igual a VZ (tension zener o
de ruptura del diodo). Para que esto suceda es necesario que trabaje dentro del margen de
corrientes:
IZmn IZ IZmax .
El smbolo de un diodo Zener es el de la Figura 3.19 y la curva caracterstica IV de este diodo
es de la forma que se muestra en la Figura 3.20.
K
I
V
Figura 3.19 Smbolos del diodo Zener y parametros.
La ruptura de una union pn no es un proceso destructivo, siempre que no se exceda la

disipacion maxima de potencia especificada: PZmax = VZ IZmax .
Existen dos mecanismos para producir la ruptura de la union del diodo, denominados
multiplicacion por avalancha y ruptura Zener.
Multiplicacion por avalancha. Se produce por el efecto de colision entre los portadores
minoritarios que atraviesan la union y que, al alcanzar suficiente energa cinetica, arrancan
3 74
I
-Vz
I0
Zona de polarizacin
directa
-IZmin
Zona de polarizacin
inversa
V [V]
-IZmax
Figura 3.20 Curva IV de un diodo Zener.
por choque otros electrones de los enlaces de los a tomos creando nuevos pares electronhueco, los cuales a su vez pueden ionizar de nuevo mas a tomos por choque mediante este
proceso de colision, ruptura y multiplicacion.
Se favorece este efecto de avalancha dopando mas un lado de la union que el otro, por
ejemplo, la zona p, lo que se denota como p+ . En este caso, la anchura de la zona
de transicion es grande, de forma que un electron tendra mucho camino libre para ser
acelerado en dicha zona de transicion y alcanzar una energa suficiente tal y como puede
verse en la Figura 3.21. La diferencia de anchuras wp y wn se debe a la diferencia de
concentraciones: hay mas huecos por unidad de volumen en el material p que electrones
por unidad de volumen en el material n.
Figura 3.21 Multiplicacion por avalancha. Observese la anchura de la zona de transicion, y

en particular la diferencia de anchuras entre las regiones correspondientes a los
materiales p+ y n.
Ruptura Zener. Se produce por campo electrico muy intenso en la union, que es capaz
de originar la suficiente fuerza sobre los electrones como para que rompan directamente
su enlace covalente, dando lugar a portadores de corriente (ver Figura 3.22).
3.6.
Diodos LED. Fotodiodos
La fotonica, que estudia la generacion, transmision y recepcion de la luz, abarca, entre sus
diferentes ramas, la optoelectronica, que se ocupa de los principios, diseno, fabricacion y
3 75
Figura 3.22 Ruptura Zener.
aplicaciones practicas de aquellos dispositivos que combinan la electronica y la luz. En la

practica, estos dispositivos presentan unas aplicaciones muy numerosas en todos los campos
de la electronica. Por ejemplo, en la electronica de consumo, sensores para captura de
imagenes fotograficas o escaneres, pantallas de visualizacion (plasma, LCD, LED), sistemas de
almacenamiento masivo (CD, DVD, Blu-ray), sistemas de impresion laser, lectores de codigos
de barras, mandos a distancia, lamparas LED, etc. En electronica de comunicaciones, emisores
laser para fibra o ptica, y receptores fotodiodos. En electronica industrial, todo tipo de sensores
o pticos para aplicaciones de control y automatizacion de procesos, . . . (ver Figura 3.23).
Figura 3.23 Actualmente la fotonica, y en particular la tecnologa LED, tiene infinidad de

aplicaciones..
Dos de los componentes optoelectronicos mas relevantes son los diodos emisores de luz
o LED y los diodos detectores de luz o fotodiodos, cuyo funcionamiento analizamos en las
subsecciones siguientes.
3 76
3.6.1.
Diodo Emisor de Luz (LED)
Un diodo LED, acronimo ingles de Light Emitting Diode (diodo emisor de luz), es un
dispositivo fotonico basado en una union pn semiconductora, que emite luz monocromatica
(es decir, de un solo color) cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente
electrica. El color depende del material semiconductor empleado en la construccion del diodo
pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo,
recibiendo e stos u ltimos la denominacion de LED IR (Infra-Red). Muchos dispositivos y
equipos electronicos disponen de un piloto de color (LED) para avisarnos de cualquier problema
o cambio detectado en el mismo (batera baja, encendido. . . ). El smbolo del diodo LED se
muestra en la Figura 3.24.
Figura 3.24 Smbolo del diodo LED (se indican sus parametros I V ), y esquema representando
su apariencia real.
En directa, todos los diodos emiten una cierta cantidad de radiacion cuando los pares
electron-hueco se recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la banda de
conduccion (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa). La frecuencia de
la radiacion emitida y, como consecuencia, su color, dependera de la anchura/altura de la banda
prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccion y valencia), es decir, de los
materiales empleados. En la Figura 3.25 se puede ver la denominada curva de emision lumnica
para el caso del LED IR. En la curva se representa la intensidad lumnica relativa en funcion
de la longitud de onda12 de los fotones emitidos. La curva es de tipo campana, con un maximo
pronunciado a la longitud de onda correspondiente al color emitido.
El proceso de recombinacion puede producirse en modo directo, como sucede en el
arseniuro de galio, en donde el electron cae directamente al nivel de energa del hueco,
emitiendose un foton de la misma energa que la perdida (ver Figura 3.26), o bien, en modo
indirecto, cuando el electron salta primero a un nivel intermedio dentro de la banda prohibida
(producido por una impureza), y de ah al nivel de energa del hueco. Esta recombinacion
indirecta, tpica del silicio por ejemplo, no suele producir fotones, y la energa perdida se disipa
en la red cristalina en forma de calor. Como la intensidad luminosa emitida depende del nivel
de recombinacion, la cantidad de luz emitida depende de la corriente de polarizacion directa I.
12
La longitud de onda de una partcula de luz o foton es la distancia recorrida por el foton durante un periodo
de la onda asociada, es decir, = cT = c/f , donde f es la frecuencia de la onda y c es la velocidad de la luz en
3 77
Figura 3.25 Curva de emision lumnica para el LED IR.
Figura 3.26 Proceso de recombinacion electron-hueco, en el que se produce la emision de un

foton (partcula de luz).
En el circuito de la Figura 3.27 se observa un circuito de polarizacion tpico de un LED, con

una resistencia R para limitar la intensidad.
Figura 3.27 Conexion basica de un diodo LED.
Los primeros diodos emisores de luz o ledes utilizaron arseniuro de galio (GaAs), que emite
radiacion infrarroja. Mediante la incorporacion de materiales adicionales se pueden conseguir
longitudes de onda visibles con rendimientos mejorados (ver Tabla 3.1). Los diodos LED
tienen geometras especiales para evitar que la radiacion emitida sea reabsorbida por el material
el vaco (3 108 m/s).
3 78
circundante del propio diodo, fenomeno que ocurre en los diodos convencionales. Ademas,
es importante escoger adecuadamente la corriente que atraviesa el LED para obtener una
intensidad lumnica adecuada. El voltaje de operacion va desde 1,5 V a 4,4 V aproximadamente,
y la gama de intensidades que puede circular por un LED estandar va desde 10 mA hasta 40 mA
(tpicamente, 20 mA).
Tabla 3.1 Color de los diodos LED en funcion del compuesto empleado en su construccion.
Compuestos empleados en la construccion de diodos LED
Color
Arseniuro de galio (GaAs)
Infrarrojo
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)
Rojo e infrarrojo
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)
Rojo, naranja y amarillo
Fosfuro de galio (GaP), Nitruro de galio (GaN)

Seleniuro de zinc (ZnSe), Nitruro de galio
e indio (InGaN) y Carburo de silicio (SiC)
Diamante (C)
Verde
Azul
Ultravioleta
LED azul o ultravioleta recubierto con fosforo fluorescente
Blanco
Los diodos LED estandar estan disenados para potencias del orden de 30 mW a 60 mW.
En torno a 1999 se introdujeron en el mercado LEDs capaces de trabajar con potencias de 1 W
para uso continuo y en 2002 se comercializaron LEDs para potencias de 5 W, con eficiencias
en torno a 60 lm/W13 , es decir, el equivalente a una bombilla incandescente de 50 W. Hoy en
da ya hay LEDs con eficiencias del orden de 150 lm/W, lo que esta posibilitando incluso el
empleo de LEDs en la iluminacion.
Ademas, el comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (diodos LED
organicos), fabricados con materiales polmeros organicos semiconductores. Aunque la
eficiencia lograda con estos dispositivos esta lejos de la alcanzada por los diodos inorganicos,
su fabricacion es considerablemente mas barata que la de aquellos.
En cuanto a las aplicaciones de los diodos LED, son muchas y muy variadas. Por ejemplo,
los diodos LED infrarrojos se emplean en mandos a distancia, para aplicaciones de control
remoto, y en optoacopladores (ver Apartado 3.6.3). Los LEDs de luz visible se emplean
con profusion en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado), en dispositivos de
senalizacion (de trafico, de emergencia, etc.) y en paneles informativos, en el alumbrado de
pantallas de cristal lquido y en impresoras LED. El uso de lamparas LED en el a mbito de la
13
El lumen [lm] es la unidad del flujo luminoso, que es la potencia emitida en forma de radiacion luminosa a la
que el ojo humano es sensible.
3 79
iluminacion (incluyendo la senalizacion de trafico) es previsible que se siga incrementando en
el futuro, ya que presenta indudables ventajas frente a otros sistemas de iluminacion, por su
elevado rendimiento y larga vida u til. Los diodos OLED, por su parte, podran ser utilizados
en un futuro en las pantallas de television, de ordenador o de dispositivos portatiles, una vez
superados los problemas de degradacion de los materiales organicos con los que se fabrican.
3.6.2.
Fotodiodos
El fotodiodo es un diodo detector de luz, es decir, un dispositivo que, basado en la tecnologa

de semiconductores de silicio, convierte las senales de luz de entrada en una corriente electrica
de salida. El smbolo del fotodiodo se muestra en la Figura 3.28.
Figura 3.28 Smbolo y apariencia real del fotodiodo.
El fotodiodo de union pn polarizada en sentido inverso (ver Figura 3.29) es un elemento

basico para comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud
de onda apropiada es dirigida hacia la union, se crean pares hueco-electron que se desplazan
a traves de la union debido al campo generado en dicha union. El resultado es un flujo de
corriente en el circuito externo, denominado fotocorriente, que es proporcional a la intensidad
de la luz que incide en el dispositivo. El fotodiodo se comporta basicamente como un generador
de corriente proporcional a la iluminacion, y que permanece practicamente constante hasta que
se alcanza la tension de avalancha.
Figura 3.29 Fotodiodo de union pn polarizado inversamente.
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Por
ejemplo, para un fotodiodo tpico de silicio e sta se halla aproximadamente en 850 nm. Para esta
3 80
longitud de onda se produce la maxima cantidad de pares electron-hueco en la proximidad de
la union.
La mayora de los detectores de luz comunes consisten en una union de fotodiodo y
un amplificador, que es necesaria porque la corriente del fotodiodo se halla en el margen
comprendido entre las decimas de microamperio y las decenas de microamperio.
3.6.3.
Optoacopladores
Existen muchas aplicaciones en las que la informacion debe ser transmitida entre dos circuitos
electricamente aislados uno de otro. Este aislamiento puede ser conseguido de diferentes
formas, siendo el optoacoplador una de las mas efectivas, donde el aislamiento de ruido y de
alta tension, y el tamano, son caractersticas determinantes.
Rr
Ie(t)
Re
Ve +
Circuitode
sealvariable
(excitadordel
emisor)
A
Ir(t)
Sealvariable
paraseremitida
Sealvariable
recibida
Vr
+
Emisor
Receptor
K
Optoacoplador
Figura 3.30 Conexion basica de un optoacoplador.
Un optoacoplador (ver Figura 3.30) es un dispositivo que contiene una fuente de luz y un
detector fotosensible separados una cierta distancia y sin contacto electrico entre ellos. La clave
del funcionamiento de un optoacoplador esta en el emisor, un LED, y en el detector fotosensible,
generalmente un fotodiodo o un fototransistor, a la salida. La energa de luz proporcionada por
el emisor esta situada generalmente en la region de los infrarrojos o muy cercana a ella.
3.7.
Modelos lineales del diodo
Para realizar el analisis de circuitos con diodos vamos a estudiar dos metodos: el metodo grafico,
y el metodo lineal, basado en los modelos circuitales lineales del diodo.
3.7.1.
Analisis de circuitos con diodos. Metodo grafico
El analisis de circuitos que incluyen diodos de union puede hacerse graficamente a partir
de la curva caracterstica IV. Por ejemplo, en el circuito de la Figura 3.31 el problema a
resolver consiste en determinar los valores V e I del punto de funcionamiento Q del diodo.
3 81
La interseccion de la recta de carga (representada en azul) con la curva caracterstica del diodo
(representada en rojo) nos da el punto de trabajo Q.
I [mA]
CURVA DE COMPORTAMIENTO
I=f(V)A UNA TEMP. DADA
(dependedeldiodo)
Vi
R
PUNTO DE TRABAJO
(interseccindela
rectaylacurva)
ECUACIN DE MALLA
(dependedeR yVi)
V [V]
V
Vi
Figura 3.31 Circuito basico con diodo de union pn polarizado en directa. Obtencion del punto
de trabajo (I y V en el diodo) a partir de la interseccion entre la curva caracterstica
IV y la recta de carga del circuito obtenida a partir de la ecuacion de malla.
3.7.2.
Analisis de circuitos con diodos
Con el metodo lineal y para simplificar el analisis, se va a sustituir el diodo (dispositivo no

lineal), por circuitos lineales (modelos) que resultan de aproximar su caracterstica mediante
tramos rectos.
3.7.2.1.
Metodo lineal equivalente del diodo pn
La aproximacion lineal del diodo proporciona resultados bastante satisfactorios en la mayora

de aplicaciones practicas en ingeniera electronica.
Vamos a considerar al diodo pn como un dispositivo de dos o tres estados o zonas de
funcionamiento:
DON : conduccion directa con I 0.
DOFF : corte o no conduccion con I = 0.
DINV : conduccion en inversa con I 0.
A continuacion vamos a ver en detalle la representacion circuital lineal del diodo pn, tanto el
modelo completo como distintos casos particulares del mismo. Observese que los modelos b),
c), d) y e) son casos particulares del modelo completo a).
3 82
a) Modelo completo: Rf 6= 0, Rr 6= , V 6= 0.
I
A
I
V
DON
DOFF
V
DINV
CIRCUITO LINEAL EQUIVALENTE

DIRECTOVV
A
DIRECTOV V0
INVERSOV0
Rf
Rr
DON
DOFF
DINV
b) Modelo con resistencia en inversa infinita: Rf 6= 0, Rr , V 6= 0.

DIRECTOVV
A
DON
Rf
DOFF
DON
V
V
INVERSOVV
A
DOFF
c) Modelo con resistencia en inversa infinita y tension umbral nula: Rf 6= 0, Rr , V = 0.

I

DIRECTOV0
A
DON
Rf
DOFF
V
DON
INVERSOV0
A
DOFF
d) Modelo con resistencia en directa nula y resistencia en inversa infinita: Rf = 0, Rr ,

V 6= 0.
I

DIRECTO VV
A
DON
DOFF
V
DON
K
3 83
INVERSO VV
A
DOFF
K
e) Diodo ideal. Modelo con resistencia en directa nula, resistencia en inversa infinita y tension
umbral nula (interruptor ONOFF): Rf = 0, Rr , V = 0.
DON
DOFF
DON
V
3.7.2.2.
INVERSOV0
A
DIRECTOV0
A
DOFF
K
Modelos lineales equivalentes del diodo zener
Vamos a considerar en el diodo zener tres estados o zonas de funcionamiento:

DON : conduccion directa con I 0.
DOFF : corte o no conduccion con I = 0.
DZENER
: conduccion en inversa con I 0.
A continuacion presentaremos el modelo completo y el simplificado, dejando como tarea

deducir los modelos intermedios, dando distintos valores a los parametros Rf , Rr , V y Rz .
a) Modelo completo: Rf 6= 0, Rr , V 6= 0, Rz 6= 0.
I

DIRECTO VV
A
DON
V
DOFF
V
-Vz
INVERSO -VzVV INVERSO V-Vz

A
A
Rf
RZ
DZNER
DON
Vz
DOFF
K DZNER
b) Diodo zener ideal: Rf = 0, Rr , V = 0, Rz = 0.

I

DIRECTOV0
DON
INVERSOVzV0 INVERSOVVz
A
DOFF
Vz
Vz
DZNER
DON
3 84
DOFF
DZNER
3.8.
Aplicaciones:
circuitos
rectificadores.
Filtro
de
condensador
Se denomina rectificador a un sistema capaz de convertir una onda alterna en una onda
unipolar14 con componente media o continua no nula.
3.8.1.
Induccion magnetica
~ a su alrededor, cuyas lneas son

Toda corriente electrica I genera un campo magnetico B
~ se mide en Teslas (la unidad [Tesla] es equivalente
concentricas con la corriente. El campo B
~ y su sentido se
a [kg/(s C)]) segun se observa en la Figura 3.32. La presencia del campo B
pueden detectar acercando una brujula al conductor: e sta se desviara en una direccion paralela
al campo, segun se observa en la Figura 3.32. El sentido del campo magnetico se obtiene con
la regla de la mano derecha: cuando el pulgar indica el sentido de la corriente I, los otros
cuatro dedos de la mano cerrados en un puno indican el sentido de B. Como consecuencia,
un conductor debidamente disenado, y por el que circula una corriente, puede utilizarse como
electroiman.
Figura 3.32 Generacion de un campo magnetico B(t) mediante una corriente I(t).
Como el campo magnetico es proporcional a la corriente, una corriente variable I(t) que
circula por un conductor generara un campo magnetico variable B(t), y por lo tanto un
flujo magnetico variable (t), siendo el flujo magnetico una medida de la cantidad de campo
magnetico a traves de una superficie, y dado, en su expresion mas sencilla, por (t) = B S,
medido en Webers ([Teslam2 ] [Weber]).
Contrariamente, si se acerca un conductor a un campo magnetico variable B(t), sobre e ste se
inducira un voltaje V (t) que podra producir una corriente electrica I(t) si el conductor forma un
circuito cerrado (por una resistencia, por ejemplo). A este proceso se denomina, naturalmente,
Induccion Magnetica. Si el conductor se enrolla alrededor de un nucleo (compuesto por aire, por
ejemplo, o por otro material), entonces el valor del voltaje en los bornes del conductor inducido
14
Una senal unipolar es aquella que tiene siempre la misma polaridad, positiva o negativa.
3 85
se puede calcular por la Ley de Faraday:
V (t) = N
d(t)
,
dt
que indica que dicho voltaje es proporcional al cambio del flujo magnetico respecto del tiempo
(derivada del flujo respecto del tiempo), y la constante de proporcionalidad es N , el numero de
vueltas del conductor enrollado.
Este efecto puede producirse, por ejemplo, conectando una bobina 1 (conductor enrollado
sobre un nucleo) a una fuente sinusoidal V1 (t) = V1m sen(t). Dicha bobina 1 generara un
flujo magnetico (t). Acercando otra bobina 2 al flujo (t), se producira una tension sinusoidal
inducida V2 (t) = V2m sen(t), segun se indica en la Figura 3.33.
Figura 3.33 Ejemplo de induccion magnetica.
Este es el aprovechamiento de la induccion magnetica para construir un dispositivo

denominado Transformador, descrito a continuacion.
3.8.2.
El transformador ideal
Un transformador (ver Figuras 3.34 y 3.35) esta constituido por un nucleo sobre el cual se
encuentran dos bobinados de N1 y N2 espiras cada uno. El bobinado que recibe la energa se
denomina primario, y el que la entrega, secundario.
Figura 3.34 Esquema de un transformador ideal, y el correspondiente esquema de un

transformador real.
El transformador ideal, matematico o perfecto es aquel en el cual no hay perdidas y el mismo

3 86
flujo magnetico atraviesa los bobinados de primario y de secundario. En este caso se tiene:
V1 = N1
d
d
y V2 = N2 ,
dt
dt
y dividiendo una ecuacion entre la otra obtenemos:

V1 (t)
N1
=
= n,
V2 (t)
N2
donde n se conoce como relacion de transformacion. Esta relacion tambien es valida si se
utilizan valores maximos o valores eficaces.
Figura 3.35 Representacion de un transformador ideal, corrientes, tensiones y relacion entre

primario y secundario.
Dado que no hay perdidas, la potencia entregada por el circuito primario y la recibida por
el circuito secundario han de ser iguales p1 (t) = p2 (t), es decir, V1 (t)I1 (t) = V2 (t)I2 (t) y,
entonces:
V1 (t)
I2 (t)
=
= n,
V2 (t)
I1 (t)
siendo esta u ltima relacion valida tambien si se utilizan valores eficaces o maximos.
En funcion del valor de la relacion de transformacion tendremos:
Un transformador reductor (n > 1), con la tension del secundario menor que en el
primario.
Un transformador elevador (n < 1), con la tension del secundario mayor que en el
primario.
Un transformador separador (n = 1), con tensiones iguales en el primario y en el
secundario.
Ademas, podemos determinar tambien la resistencia del primario en funcion de la del
secundario de la siguiente forma:
R1 =
V1
nV2
V2
= n2 = n2 R2 ,
=
I1
I2 /n
I2
observando, a partir del resultado anterior, que el transformador realiza una transformacion de
resistencia entre los circuitos primario y secundario.
3 87
3.8.3.
Rectificador de media onda, onda simple o simple onda
En este tipo de rectificador solamente se produce transferencia de energa sobre la carga durante
uno de los semiciclos de la senal alterna de entrada, o lo que es lo mismo, cuando tiene una
determinada polaridad.
Figura 3.36 Rectificador de media onda con transformador.
Se tiene un rectificador de media onda (ver Figura 3.36) con senal de entrada dada por:
Vi = Vm sen
con = t = 2f t =
2t
.
T
Como Vi (t) vara periodicamente con el tiempo, hay que analizar el circuito para averiguar
cuando D conduce (VA > VK ) y cuando no lo hace (VA < VK ); esto determinara el
comportamiento de I(t).
Un valor de Vi positivo significa que el potencial en el punto a es mayor que en d, es decir:
Vi (t) > 0 Va > Vd . Eso implica que el potencial cae al pasar por D (y por RL ), lo que
implica VA > VK DON , y la corriente tendra el sentido de a hacia d, como lo indica la
Figura 3.36. Como Vi (t) es una sinusoide, esto sucedera en el primer semiciclo (0 t < T /2),
tal y como se indica en la Figura 3.38 (ver pagina 91).
Segun el modelo de diodo D considerado, cuando se encuentre conduciendo se
comportara como una resistencia (Rf
6=
0, V
0); el circuito equivalente es
consecuentemente, para Vi (t) 0, el indicado en la Figura 3.37, izquierda.

Aplicando la ley de las mallas obtenemos:

Vi (t)
Vm sen(t)
Vm
I(t) =
=
=
sen(t), cuando 0 t < T /2.
Rf + RL
Rf + RL
Rf + RL
3 88
A
Rf
VAC
Vi(t) VL(t)
RL
VAC
I=0
Rr=
Vi(t) VL(t)
Modeloequivalente
cuandoVi(t)>0
RL
c
Modeloequivalente
cuandoVi(t)<0
Figura 3.37 Rectificador de media onda y circuito equivalente asumiendo un modelo lineal para
el diodo con resistencia inversa infinita y con tension umbral nula.
A partir de t = T /2 y hasta t = T , la tension Vi (t) sera negativa, por lo que Vd > Va , con
lo cual en el circuito, desde el punto d hasta el punto a, la tension ira disminuyendo, primero a
traves de RL y luego a traves de D, de modo que VK > VA , obligando a que el diodo alcance
el estado DOF F . Al quedar el circuito abierto (ya que Rr = ), la corriente sera nula, como se
indica en la Figura 3.37 de la derecha. De esta manera:
I(t) = 0 cuando T /2 t < T.
Observamos entonces que, dependiendo del valor del tiempo t, la corriente I tiene dos
expresiones:
I(t) =
Vm
Rf +RL
sen(t) = Im sen(t)
cuando 0 t < T /2
cuando T /2 t < T.
De donde se deduce que el valor maximo de la corriente es:

Im =
Vm
.
Rf + RL
Con la ayuda de las ecuaciones anteriores se puede calcular la componente de continua de

la corriente:
1
Idc =
T
Z
0
1
I(t)dt =
T
"Z
T /2

Im sen
#

Z T
Z
2
1 T /2
2
t dt +
0dt =
Im sen
t dt.
T
T 0
T
T /2
Haciendo el cambio de variables = t, lo que implica que d = (2/T )dt, y teniendo en

cuenta que, si t = 0 = 0 y que si t = T = , obtenemos facilmente la solucion de la
integral:

Z
Z
1 T /2
2
1
Im
Idc =
Im sen
t dt =
Im sen()d =
( cos + cos 0)
T 0
T
2 0
2
Im
Vm
=
.
=
(Rf + RL )
3 89
El valor eficaz se calcula con un procedimiento analogo teniendo en cuenta que sen2 () =
(1/2)(1 cos(2)):

Z
Z
Z
2 Z
2
1
Im
1
Im
2
2
cos(2)d
Ief =
[Im sen()] d =
[1 cos(2)] d =
d
2 0
2 0 2
4 0
0

2
2
Im
sen(2)
Im
Vm
Im
=
|0
I
=
=
.
=
ef
4
2 0
4
2
2(Rf + RL )
Por lo que los valores de continua y eficaz de la tension en la resistencia RL , as como la potencia
consumida por e sta se calculan como:
Im
Vm RL
RL =
,
(Rf + RL )
Im
VLef = Ief RL =
RL ,
2
I2
2
PL = Ief
RL = m RL .
4
VLdc = Idc RL =
La corriente por el diodo es la misma que la que circula por la resistencia, por lo que la
potencia disipada es, teniendo en cuenta que Rf es la resistencia del diodo cuando I(t) 6= 0,
2
PD = Ief
Rf =
2
Im
Rf .
4
La evolucion de la corriente I en el circuito con respecto a la senal de entrada Vi se muestra

en la Figura 3.38, incluyendose ademas la evolucion de la tension en el diodo VD . Esta u ltima,
que se puede deducir de la Figura 3.37, indica claramente que la maxima tension soportada por
el diodo se tiene cuando se encuentra polarizado en inversa, y su valor es VDinv = Vm .
3 90
Figura 3.38 Senal de entrada Vi (t), corriente I(t) que circula por el circuito y tension en el diodo
VD del rectificador de media onda descrito en esta subseccion.
3 91
3.8.4.
Rectificador de onda completa o de doble onda en puente de diodos
En el rectificador de onda completa o de doble onda se produce transferencia de energa sobre

la carga durante los dos semiciclos de la senal alterna de entrada, o lo que es lo mismo, para sus
dos polaridades. Existen dos alternativas: bien empleando dos diodos o bien cuatro. Veremos
aqu la opcion de cuatro diodos, tambien denominada puente rectificador de doble onda (o onda
completa), o bien rectificador de doble onda en puente de diodos. El circuito correspondiente se
muestra en la Figura 3.39.
Figura 3.39 Configuracion de un rectificador de onda completa con transformador y puente de

diodos.
En la Figura 3.40 se realiza un analisis cualitativo del funcionamiento del rectificador de

onda completa en puente de diodos. Durante el semiciclo positivo de la senal de entrada Vi ,
conducen los diodos D1 y D3 , que quedan en serie con la carga RL , mientras que en el semiciclo
negativo conducen D2 y D4 15 .
Asumiendo un modelo lineal para el diodo con resistencia inversa infinita y tension umbral
nula (Rf 6= 0, V = 0, Rr ), procedemos entonces a calcular los valores de la corriente
en el circuito y la tension en la carga, as como sus componentes de continua y valores eficaces.
Al igual que en el caso del rectificador de media onda, tambien calculamos la potencia disipada
en la carga, en cada diodo y la potencia total disipada por los diodos, teniendo en cuenta que la
Rf 6= 0 es la misma para todos los diodos y que, en todos ellos V = 0 y Rr = . Tenemos,
15
Notar que la frecuencia de la senal de salida va a ser el doble que la de entrada, ya que el perodo es la mitad.
En el rectificador de media onda ambas frecuencias eran iguales.
3 92
Figura 3.40 Analisis del rectificador de onda completa en puente de diodos. Observese que la
corriente siempre apunta desde el punto b hacia el c.
de acuerdo a las Figuras 3.40 y 3.41:

Vi (t) = Vm sen(t) = Vm sen ,
I=
|Vi (t)|
Vm
|sen(t)| = Im |sen |,
=
RL + 2Rf
(RL + 2Rf )
en donde el smbolo de valor absoluto |sen(t)| se utiliza porque a pesar de que la tension
Vi (t) = Vm sen(t) cambia de polaridad, la corriente I(t) mantiene el mismo sentido: desde el
punto b hacia el punto c, ver Figura 3.40. Entonces el valor maximo Im que alcanza la corriente
se calcula como:
Vm
.
RL + 2Rf
Las componentes de continua y los valores eficaces de la corriente y la tension en la carga
Im =
son:
1
Idc =
T
0
Z
1
I(t)dt =
T
"Z
0
T /2
2
Im sen(t)dt +
Im |sen(t)|dt =
T
T /2
2Im
0
2Im
2Vm RL
Vdc = Idc RL =
RL =
(RL + 2Rf )
Z
1
I2
Im
2
2
Ief
=
Im
sen2 d = m Ief =
0
2
2
Im
Vef = Ief RL = RL .
2
=
Im sen d =
3 93
T /2
Im sen(t)dt
0
Figura 3.41 Senal de entrada Vi (t), corriente I(t) que circula por el circuito, y tension en los
diodos del rectificador de onda completa de la Figura 3.39.
Analicemos el valor de continua de VD (t) para cualquiera de los diodos (todos ellos tienen un
comportamiento analogo). Consideremos D1 , por ejemplo. De acuerdo a la Figura 3.40 (arriba)
cuando 0 t < T /2, VD1 (t) = Vab = I(t)Rf . Para T /2 t < T, de acuerdo a la Figura 3.40
(abajo) VD1 (t) = Vab = I(t)(RL + Rf ), por lo que el valor promedio sera:
VDdc
"Z
#
Z T
T /2
1
I(t)Rf dt
I(t)(Rf + RL )dt
VD (t)dt =
T
0
0
T /2
"
#
Z T /2
Z
1
Rf Vm
(Rf + RL )Vm T
=
sen(t)dt
|sen(t)|dt
T (2Rf + RL ) 0
2Rf + RL
T /2

Z T /2
1 Rf Vm (Rf + RL )Vm
sen(t)dt
=
T
2Rf + RL
0
Vm RL
=
.
(2Rf + RL )
1
=
T
La potencia disipada en la carga PL , la potencia disipada en un diodo PD y la potencia total

3 94
disipada por los diodos PDtotal vienen dadas por:
2
Im
RL
2
2
Ief
I2
2
PD = IDef Rf =
Rf = m Rf
2
4
2
PDtotal = 4PD = Im Rf .
2
RL =
PL = Ief
La corriente en el diodo es igual a la corriente en la carga en el primer semiciclo y cero en

el segundo, de ah que la expresion de la corriente eficaz en el calculo de PD sea igual a la del
rectificador de media onda, aunque teniendo en cuenta que, en este caso, Im = Vm /(2Rf + RL ).
En la Figura 3.41 se muestra la curva de la tension en el diodo D1 . A la vista de dicha
grafica, la tension inversa de pico maxima que han de soportar los diodos viene dada por:
Vinversa maxima = Vm Im Rf Vm ,
ya que, en general, 2Rf RL .
3.8.5.
Rectificador de onda completa en puente de diodos con filtro de

condensador
Con el objetivo de mejorar la calidad de la senal continua procedente de un rectificador se

utilizan filtros paso bajo16 en su salida para reducir el nivel de rizado.
El filtrado se puede realizar situando un condensador de capacidad lo suficientemente alta
en paralelo con la carga, tal y como se muestra en la Figura 3.42, de tal modo que va a almacenar
energa en el periodo de conduccion del rectificador y la va a liberar sobre la carga durante la
no conduccion del mismo.
En la Figura 3.43 se muestra la tension de entrada y la tension en la carga para un circuito
rectificador de doble onda en puente de diodos cuando no utiliza filtro de condensador y cuando
s lo utiliza. La tension o profundidad del rizado Vr depende inversamente de la resistencia
de carga RL y de la capacidad del condensador C utilizado para el filtrado, como veremos a
continuacion.
Dado que el condensador se descarga de modo exponencial a traves de RL , su cada de
tension coincide con la tension de rizado, es decir:
Vr = Vpp = Vmax Vmn = Vm Vm e
16
T2
LC
Un filtro paso bajo es un dispositivo que elimina las frecuencias altas de una senal. Es el caso, por ejemplo,
del condensador en un circuito RC. Segun se ha visto en el Tema 2, si la frecuencia de la onda cuadrada de
entrada es muy grande (T /2 5 ), entonces a la salida se obtiene una tension en el condensador Vo (t) = Vc (t)
practicamente constante, es decir, la frecuencia de la entrada se ha eliminado (a la salida se obtiene frecuencia
cero). Si la entrada vara mas lentamente (T /2 5 ) entonces a la salida se obtiene practicamente la misma onda
que a la entrada. De ah el nombre de Filtro Paso Bajo.
3 95
Figura 3.42 Rectificador de onda completa en puente de diodos con filtro de condensador.
donde Vm es el valor maximo de la senal a la salida del rectificador de onda completa en puente
de diodos17 . Como habitualmente se cumple que RL C T2 , entonces podemos utilizar la
aproximacion lineal ex 1 x, con x 1. Por lo tanto resulta:

Vm T2
T2
=
.
Vr Vm Vm 1
RL C
RL C
Puesto que generalmente el tiempo de carga T1 es mucho menor que el tiempo de descarga T2 ,
se tiene que:
T
1
=
.
2
2f
Sustituyendo esta u ltima relacion en la expresion de la tension de rizado nos queda que la
T2
tension de rizado es aproximadamente:

Vr
Vm
,
2f RL C
y que la tension y la corriente continuas en la carga son:

.
Cabe destacar que cuanto menor es la tension de rizado Vr , mas se parece la senal de salida a una
senal continua, es decir, el rectificador convierte la senal alterna de entrada en senal continua de
salida.
17
T2
T2
T2
vC (t = T /2) = vCF + (vCI vCF )e RL C = 0 + (Vm 0)e RL C = Vm e RL C
96
Figura 3.43 Senal de entrada Vi (t) y senal de salida VL (t) en un rectificador de onda completa
con y sin filtro de condensador. T1 es el intervalo de tiempo de conduccion o de carga;
T2 es el intervalo de tiempo de no conduccion o descarga; y Vr es la tension pico a
pico o profundidad del rizado.
97

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3.

Principios fsicos de los dispositivos semiconductores

Figura 3.1 Niveles de energa en funcion del radio de la o rbita.

Bandas de energa en solidos

Figura 3.2 Desdoblamiento de niveles de las subcapas d y p, en funcion de la distancia entre

En la Figura 3.2, se ilustra el desdoblamiento de niveles de las subcapas d y p en funcion de

Figura 3.4 Movimiento de electrones e y huecos e+ .

Se denominan semiconductores intrnsecos a aquellos materiales puros que presentan

Figura 3.5 Estructura electronica del silicio (Si).

El silicio presenta una estructura electronica: 1 s2 2 s2 p6 3 s2 p2 . Como se puede ver en

Figura 3.6 Generacion en el silicio.

transferencia de electrones de un a tomo a otro.

En un semiconductor puro disponemos de portadores de carga de dos tipos: electrones libres

Impurezas donadoras. Extrnseco tipo n

transferencia de electrones de unos a tomos a otros.

Como aportan portadores (electrones), a estas impurezas se les denomina impurezas

Impurezas aceptadoras. Extrnseco tipo p

es: p  n. En un material de tipo p la conduccion se debe principalmente a los huecos, a los

Intrnsecos (sin impurezas): n = p = ni

Impurezas grupo V, donadoras

Tipo n Muchos electrones en la BC (portadores mayoritarios)

Pocos huecos en la BV (portadores minoritarios)

Impurezas grupo III, aceptadoras

Tipo p Muchos huecos en la BV (portadores mayoritarios)

Pocos electrones en la BC (portadores minoritarios)

Union pn en circuito abierto

Se forma una union pn cuando en un mismo cristal semiconductor se difunden impurezas

La corriente de difusion se produce cuando la concentracion de portadores no es uniforme a lo largo del

semiconductor, produciendose un desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio. La corriente

Figura 3.10 Union pn en circuito abierto. Zona de transicion.

Se entiende como polarizacion de una union pn a la aplicacion externa de una diferencia de

Union pn polarizada directamente

La union pn esta polarizada directamente cuando a la region p se le aplica un potencial mayor

Figura 3.11 Union pn polarizada en directa. Observese la reduccion de la barrera de potencial

(zona de transicion) en la union.

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Union pn polarizada inversamente

Figura 3.13 Union pn polarizada en inversa. Observese el aumento de la zona de transicion

Con la union pn polarizada en inversa se observa lo siguiente:

La corriente inversa real de un diodo es mayor que I0 debido a corrientes superficiales

Caracterstica VI del diodo

La curva caracterstica del diodo resulta de representar graficamente la relacion I = f (V ) que,

en donde (ver Figuras 3.15 y 3.16):

q es la carga del electron en culombios (es decir, 1,6 1019 C).

es decir, I crece exponencialmente con V ; y para V  VT :

Figura 3.16 Curva IV de acuerdo al modelo matematico de la ecuacion de Shockley.

Figura 3.17 Curva IV de funcionamiento real del diodo.

V = 0,6 V para el Si.

Resistencia estatica y dinamica del diodo

La resistencia estatica R de un diodo se define como la relacion entre la tension y la corriente

Podemos hablar de resistencia estatica en directa (RF , en donde el subndice

Forward o hacia adelante) y de resistencia estatica en inversa (RR , en donde el subndice

directa y en inversa tendran las expresiones siguientes:

En el punto Q, con polarizacion directa, tenemos que la resistencia dinamica en directa se

y en el punto P , con polarizacion inversa, la resistencia dinamica en inversa se obtiene como:

Si en el punto Q se cumple que IQ  I0 , la resistencia dinamica en directa se reduce a la

Figura 3.19 Smbolos del diodo Zener y parametros.

La ruptura de una union pn no es un proceso destructivo, siempre que no se exceda la

Figura 3.20 Curva IV de un diodo Zener.

Figura 3.21 Multiplicacion por avalancha. Observese la anchura de la zona de transicion, y

Diodos LED. Fotodiodos

Figura 3.22 Ruptura Zener.

aplicaciones practicas de aquellos dispositivos que combinan la electronica y la luz. En la

es: p n. En un material de tipo p la conduccion se debe principalmente a los huecos, a los

es decir, I crece exponencialmente con V ; y para V VT :

Si en el punto Q se cumple que IQ I0 , la resistencia dinamica en directa se reduce a la