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00022767
00022767
Introduccin
Etapa
(Bipolar
en
emisor
colector
comn,
7) PSPICE
Fichero .OUT y Grficas
INTRODUCCIN:
A continuacin se expondr una breve explicacin sobre como se realizar el
circuito y los datos asignados al mismo efecto:
El diseo es el de un amplificador de pequea seal y a frecuencias medias, con
componentes discretos. El amplificador debe cumplir las siguientes especificaciones:
-
A tal efecto, se realizar el amplificador con tres etapas las cuales vendrn a
realizarse como:
1) La primera etapa ser realizada con un jfet, ya que se necesitar para el caso, que
la impedancia de entrada sea bastante grande, logrndolo con una configuracin
de autopolarizacin. Esta impedancia de entrada no se podra conseguir
eficazmente con un bipolar sin deteriorar otros aspectos que se requerirn para
hacer el circuito.
2) La segunda etapa se realizar con un bipolar, en emisor comn (polarizacin
mediante divisor de tensin), con el objetivo de amplificar.
3) La tercera y ltima etapa se realizarn con otro transistor bipolar, en
configuracin colector comn.
A continuacin se dar una breve explicacin sobre la ganancia en voltaje a
conseguir:
Para obtener la ganancia propuesta, que debe ser mayor de 45 decibelios se
debern realizar los siguientes clculos, a modo de aclaracin:
Gv > 45 dB.
DB (decibelios) = 10 log | P1 / P2 |.
Potencia disipada = V^2 / R.
P1 = V1^2 / R.
P2 = V2^2 / R.
DB = 10 log | P1 / P2 | = 10 log | (V1^2 / R) / ( V2^2 /R) | = 10 | V1^2 / V2^2 |.
DB = 20 log | V1 / V2 |.
1 Drain (Drenador).
2 Gate (Puerta).
3 Source ( Surtidor).
Po (max.) 200 mW (T = 25 c).
Vgs (th)(max.) -8 V.
Vdg (max.) 25 V.
Vds (max.) 25 V.
Idss (min.) 2 mA.
Igs (max.) 2 nA.
Yps (min) 2 ms.
Cgs (max.) 8 pF.
Las aplicaciones de este transistor son de amplificacin en general.
ANLISIS EN CONTINUA:
Para el anlisis en continua, los capacitores pueden reemplazarse por circuitos
abiertos, y el resisitor Rg, por un equivalente de corto circuito ya que Ig = 0 A. El
resultado es la red de la figura siguiente:
Con este circuito se obtendr la medicin de la Id, para ello la Vgs est a 0V, y se
medir la Id, obteniendo as su valor.
Aqu, tenemos que la Id = 0A, midindose la Vcc1 para obtener as el valor de Vp.
Vgs = -Vcc1
|Vcc1| > |Vp|.
Teniendo ya los valores de la Idss y la Vp se podrn obtener los otros valores faltantes:
Rd= 3.19 K.
Obteniendo as todos los datos de los que carecamos.
ESTUDIO EN ALTERNA:
Clculos para pequea seal:
El circuito en pequea seal queda tal que as:
El signo da negativo por estar la seal de salida, desfasada 180 con respecto a la
de entrada.
se pone a una Zi alta y una Zo baja de la 1 etapa y la 2 etapa se le mete una Zi baja y
una Zo alta.
Adems, tenemos que la impedancia de salida de la 1 etapa est en paralelo con
la impedancia de entrada de la 2 etapa.
En definitiva la adaptacin de impedancias sirve para la mxima transferencia de
energa.
Dado el siguiente esquema, se le dar valores adecuados a los componentes y al
dispositivo para que trabaje como un amplificador de pequea seal, a frecuencias
medias. La condicin de polarizacin, es la de obtener la mxima excursin de seal sin
distorsin.
El circuito es el siguiente:
Ic = 150 mA.
Vce = 10 V.
Fr (typ.) = 300 Mhz.
Las aplicaciones de dicho transistor son, en general, para propsitos de interrupcin de
alta velocidad.
Donde:
1. Emisor.
2. Base.
3. Colector.
Y cuyos valores obtenidos en el medidor de transistores son:
Ic = 1.96 mA.
Ib = 10 uA.
Para una Vce = 6 V.
= 196.
Anlisis en continua:
Donde:
VceQ = Vcc IcQ Rc.
IcQ rc
(IcQ rc) + (IcQ Rc) = Vcc; sabiendo que rc = Rc // RL.
IcQ (Rc + rc) = Vcc.
Vcc (IcQ Rc) = IcQ rc.
Vcc IcQ Rc = IcQ (RL Rc) / (RL + Rc).
1150.75 363.6 Rc 1.96 Rc^2.
Rc = 3.06 K.
Rc = -188.77 K.
Como una resistencia no puede ser negativa, cogemos los 3.06
De esta manera, se observa que la excursin a la salida ser prcticamente la
amplitud de la recta de carga en continua siendo sta la mxima que se puede obtener.
Al mismo tiempo, se puede comprobar que cuanto menor sea el nivel RC // RL,
mayor ser la pendiente y por tanto menor ser la ganancia de voltaje en alterna. Dicho
de otra forma, si fijamos un valor de Rc, tenemos que cuanto menor sea RL, menor ser
la ganancia.
(IcQ Rc) + VceQ = Vcc.
VceQ = Vcc (IcQ Rc) = 12 (1.96 3.06) = 6.
Ib = Ic / = 1.96 / 196 = 0.01 mA.
A continuacin sacaremos los valores de las dos resistencias R1, R2:
Ib = (Vth Vbe) / Rth = (((Vcc / R2) R2) Vbe) / ((R1 R2) / (R1 + R2))
Como tenemos el valor de Ic podemos obtener la intensidad de base:
Se calcular la intensidad de colector para saturacin y tensin de colectoremisor para el corte, para poder establecer la recta de carga en continua; los clculos son
los siguientes:
Zona de corte:
Vce = (-Ic + IcQ) (Rc // Rl) + VceQ; Donde Ic = 0 por estar en corte, entonces
queda que:
Vce = IcQ (Rc // RL) + VceQ; como Rl es la impedancia de entrada de la
etapa3, tenemos que Zi3 = 95.894.
Vce = 13.2 V.
Zona de saturacin:
Vce = (-Ic + IcQ) (Rc // RL) + VceQ; Donde Vce = 0 por estar en saturacin:
Ic = (IcQ (Rc // RL) + VceQ) / (Rc // RL) = IcQ + VceQ / (Rc // RL).
Como Rl = Zi3 = 95.894.
Ic = 5.09 mA.
Tambin se podra calcular la pendiente de la recta de carga mediante:
Tg = -1 / ( Rc // RL).
Vth = Vcc R2 / (R1 + R2)
Vth = Ib Rth + Vbe
Uniendo las dos ecuaciones tenemos que:
Vcc R2 / (R1 + R2) = Ib Rth + Vbe
Como R1 = 10 R2; lo sustituimos en la ecuacin y queda que:
R2 = 33.87 K.
R1 = 338.7 K.
As se obtendrn los valores de thevenin y las dems tensiones que faltan:
Rth = R1 R2 / (R1 + R2) = 30.79 K.
Vth = Vcc R2 ( R1 + R2) = 1.09 V.
Y de aqu salen los valores de la Vbe, Vce y de las intensidades del transistor:
Vbe = Vth Ib Rth = 0.7 V
Vce = Vc = Vcc Ic Rc = 12 6 = 6 V.
Ic = Ib = 1.96 mA.
Ie = Ib + Ic = 1.97 mA.
As, por tanto se ve que, efectivamente, el transistor est en activa, y el punto de
trabajo es el Vce (Q), Ic (Q) = (6 V, 1.96 mA).
Otro punto a tener en cuenta son los condensadores, que deben ser altos,
nosotros se los hemos puesto de 10 uf.
Hemos obtenido la Vce e Ic, de donde podemos calcular la potencia que ser el
producto de ambas y que valdr 0.012 W. La potencia que obtenemos nos sirve para
escoger el transistor apropiado, adems de comprobar que sea compatible con la tensin
de colector-emisor y colector-base.
Para nuestro caso, y revisando el catlogo de transistores podemos coger el
transistor Q2n2222, a cuyas caractersticas me pueden valer para el diseo:
Q2n2222 A
Anlisis en alterna:
Eliminaremos las fuentes en continua y sustituiremos el transistor por su modelo
de pequea seal (modelo de transconductancia):
Tenemos que la ro esta en circuito abierto al ser muy grande (casi infinito)
A partir de ah se hallaran todos los valores:
Re = Vt / Ie = 26 / 1.97 = 13.19.
R = re = 196 13.19 = 2586.8
Vo = -Io (Rc // RL) = - Ib (Rc // RL); ya que como ro es infinito, el circuito
esta abierto; Vo = 5.8 V.
Iin = Vin / Zin = 20 / 12.82 = 1.56
A continuacin hallaremos las impedancias, tanto de entrada como de salida y
las ganancias, tanto las de tensin como la de intensidad:
Impedancia de entrada:
Zin = Rth // re = 30 // 196 13.19 = 29.6.
Impedancia de salida:
Zout = Rc = 3.06K.
Ganancia de tensin:
Gv = Vo / Vi = - Ib Rc / re Ib =- Rc / re = 3.09 / 13.19 =
= 234.
Ganancia de intensidad:
Gi = Io / Ii = 2.94 / 1.56 = 1.88.
Una vez obtenidos todos los valores solicitados y como suplemento al diseo del
amplificador, vamos a calcular la mxima tensin Vi en alterna que se puede aplicar a la
red para la zona activa:
Sabemos que en pequea seal la tensin de base-emisor debe ser menor a
10mV; Vbe<10 mV. Atendiendo al modelo de pequea seal, tenemos que la tensin
Vbe=Vi<10 mV.
La otra condicin para que el transistor este en activa es que la tensin de basecolector sea mayor que cero. Para ello, la tensin de colector debe ser mayor a la tensin
de base y por tanto:
Vbc > 0
Vc > Vb = 0.7 V; por tanto Vc (t) + Vc > Vb y obtenemos la inecuacin
Vc(t)>0.7-6.
Para resolver esta ecuacin, tenemos que resolver Vc (t) en funcin de Vi(t) y
para ello tomamos:
Vc (t) Vo
V0 / Vi (t) = Gv
Por tanto Vc (t) = Gv Vi(t)
Sustituimos en las ecuaciones dadas y obtenemos que:
Vc (t) > 0.7 6;
Gv Vi (t) > -5.3;
Vi (t) < -5.3 / -234 = 0.022 mV.
Siendo esta la tensin mxima que se puede aplicar a la entrada del amplificador
en alterna.
Por tanto, para la tensin que se aplica desde el generador, con Vi = 20 mV, se
podr trabajar con el amplificador sin ningn problema y para cualquier tensin de
entrada menor a 0.022 mV.
mA.
mA.
Impedancias y ganancias:
Ganancia de tensin:
Gv = Vo / Vi = .
Ganancia de corriente:
Gi = Io / Ii = .
Impedancia de entrada:
Zin = Rth re = K.
Impedancia de salida:
Zout = Rc = K.
Ic = Ib .
Ib = Ic / = 6 / 204 = 0.0294 mA
= 204.
Y teniendo que el transistor va a estar en activa Vbe = 0.7 V.
Ib Rb + Vbe + Ve = Vcc; Ib Rb = Vcc Vbe Ve; Rb = (Vcc Vbe Ve) / Ib.
Rb = (12 0.7 6) / 0.0294 = 180.272 K.
Para la recta de carga en alterna sera:
Tenemos que los valores de intensidad de colector en el punto de trabajo y de
tensin colector-emisor en el punto de trabajo son:
IcQ = 6mA.
VceQ = 6 V.
Con lo que tenemos que:
Ic = Ic(t) + IcQ.
Vce = Vce(t) + VceQ.
Vce(t) = -Ic(t) rc.
Vce VceQ = (Ic IcQ) rc.
Vce = (-Ic + IcQ) rc + VceQ.
Para poder calcular la intensidad de colector en alterna, se deben hallar la
intensidad de colector en saturacin y la tensin de colector-emisor para el corte:
Zona de corte:
Vce = (-Ic + IcQ) rc + VceQ; donde Ic = 0 por estar en corte.
Vce = 0 rc + IcQ rc + VceQ; Vce = IcQ rc + VceQ =6 1 + 6 = 12 V.
Vce = 12 V.
Zona de saturacin:
Vce = (-Ic + IcQ) rc + VceQ; donde Vce = 0 para que est en saturacin
0 = -Ic rc + IcQ rc + VceQ.
Ic = IcQ + ( VceQ / rc).
Ic = 6 + 6 / 1 = 12 mA.
Ic = 12 mA.
La grfica en alterna quedara as:
Ic = Ie = 6 mA.
Ie = ( + 1) Ib.
Impedancia de entrada:
Zi = Rb // Zb.
Zb = re + ( + 1) Re; Zb = (re + Re) = 204 ( 4.3 + 1) = 204.8772.
Determinaremos re = 26 / Ie = 26 / 6 = 4.3 .
re = 204 4.3 = 883.9 .
Por lo que la impedancia de entrada queda que es:
Zi = Rb // Zb = 180.272 // 204.8772 = 95.894 K.
Impedancia de salida:
La impedancia de salida se describe mejor escribiendo primero la ecuacin para la
corriente Ib.
Ib = Vi / zb.
Y luego al multiplicar por ( + 1) para establecer Ie, es decir:
Ie = ( + 1) Ib = ( + 1) Vi / Zb.
Al sustituir por Zb obtenemos que:
Ie = (( +1) Vi ) / ( re + ( + 1) Re).
Ie = Vi / ( re + Re).
Esquema.
Fichero .OUT.
.MODELJ2N5457NJF(VTO=6BETA=0.138M)
RS301K
CS30100U
RD452.33K
C2463.3U
VCC5012
R156344K
R26034.4K
Q1860Q2N2222
.MODELQ2N2222NPN(BF=200IS=4E15)
RC852.43K
C3893.3U
RB95151.54K
Q25910Q2N2222
RE1001K
C410113.3U
RL11015K
.OP
.TRAN1.000U5.000M0
.ACDEC1011010.000K
.PROBE
.END
_
****01/06/200010:46:37********NTEvaluationPSpice(July1997)*******
AMPLIFICADORCONTRESETAPAS
****BJTMODELPARAMETERS
**************************************************************************
Q2N2222
NPN
IS4.000000E15
BF200
NF1
BR1
NR1
****01/06/200010:46:37********NTEvaluationPSpice(July1997)*******
AMPLIFICADORCONTRESETAPAS
****JunctionFETMODELPARAMETERS
**************************************************************************
J2N5457
NJF
VTO6
BETA138.000000E06
****01/06/200010:46:37********NTEvaluationPSpice(July1997)*******
AMPLIFICADORCONTRESETAPAS
****SMALLSIGNALBIASSOLUTIONTEMPERATURE=27.000DEGC
**************************************************************************
NODEVOLTAGENODEVOLTAGENODEVOLTAGENODEVOLTAGE
(1)0.0000(2)30.45E06(3)2.0995(4)7.1081
(5)12.0000(6).7023(8)5.9614(9)7.1542
(10)6.4274(11)0.0000
VOLTAGESOURCECURRENTS
NAMECURRENT
VIN0.000E+00
VCC1.104E02
TOTALPOWERDISSIPATION1.33E01WATTS
****01/06/200010:46:37********NTEvaluationPSpice(July1997)*******
AMPLIFICADORCONTRESETAPAS
****OPERATINGPOINTINFORMATIONTEMPERATURE=27.000DEGC
**************************************************************************
****BIPOLARJUNCTIONTRANSISTORS
NAMEQ1Q2
MODELQ2N2222Q2N2222
IB1.24E053.20E05
IC2.49E036.40E03
VBE7.02E017.27E01
VBC5.26E+004.85E+00
VCE5.96E+005.57E+00
BETADC2.00E+022.00E+02
GM9.61E022.47E01
RPI2.08E+038.09E+02
RX0.00E+000.00E+00
RO1.00E+121.00E+12
CBE0.00E+000.00E+00
CBC0.00E+000.00E+00
CJS0.00E+000.00E+00
BETAAC2.00E+022.00E+02
CBX0.00E+000.00E+00
FT1.53E+183.94E+18
****JFETS
NAMEJ1
MODELJ2N5457
ID2.10E03
VGS2.10E+00
VDS5.01E+00
GM1.08E03
GDS0.00E+00
CGS0.00E+00
CGD0.00E+00_
****01/06/200010:46:37********NTEvaluationPSpice(July1997)*******
AMPLIFICADORCONTRESETAPAS
****INITIALTRANSIENTSOLUTIONTEMPERATURE=27.000DEGC
**************************************************************************
NODEVOLTAGENODEVOLTAGENODEVOLTAGENODEVOLTAGE
(1)0.0000(2)30.45E06(3)2.0995(4)7.1081
(5)12.0000(6).7023(8)5.9614(9)7.1542
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VOLTAGESOURCECURRENTS
NAMECURRENT
VIN0.000E+00
VCC1.104E02
TOTALPOWERDISSIPATION1.33E01WATTS
JOBCONCLUDED
TOTALJOBTIME.35
Graficas
Anlisis en frecuencia