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- FAMILIAS LGICAS
Una vez que hemos visto la manera de analizar y disear sistemas lgicos a partir de
cir-cuitos lgicos combinacionales, el siguiente paso es estudiar cmo podemos construir
las puer-tas bsicas a partir de elementos de circuitos. Estos elementos van a ser
principalmente dispositivos semiconductores. No obstante no hay que olvidar que no siempre
se han fabricado de esta forma, es ms, el principio de la Electrnica Digital empez con el
descubrimiento de los rels y tubos de vacos.
Cuando el diseador implementa las puertas (a medida) que necesita para su diseo, se dice
que ha realizado un diseo full-custom. Estas puertas estarn diseadas utilizando elemen-tos de
circuitos, principalmente transistores. En este diseo no nos tenemos que limitar a utili-zar las
puertas tpicas, sino que podemos crear las puertas lgicas que necesitemos. Un ejemplo de
puerta que no suele estar disponible es la que tiene como frmula:
F = AB + C
A partir de los transistores, podemos crear una puerta lgica que tenga dicha funcionalidad,
sin tener que utilizar una puerta AND y una puerta OR.
1. Introduccin.
A la hora de construir las puertas lgicas, un criterio ampliamente seguido (realmente
en cualquier disciplina, no slo en Electrnica) es el criterio de uniformidad, es decir, las
diferen-cias entre las diferentes puertas lgicas deben reducirse a las mnimas. Este criterio
es la base de la denicin de familia lgica,
Una familia lgica se puede definir como la estructura
bsica a partir de la cual se pueden construir las
puertas lgicas.
En esta estructura estan involucrados tanto los componentes que entran en juego, as como sus
valores (ya que si cambiamos estos valores, pasaremos a otra familia diferente), ya que los
parmetros van a depender de stos.
Al centrarnos en Electrnica Digital, no debemos perder de vista que las seales slo
pueden tomar dos valores diferentes. Por lo tanto, los elementos principales de estas familias l
gicas deben tener como mnimo dos regiones de operacin bien diferenciadas. Esta situacin
nos lleva a la utilizacin de dispositivos semiconductores, aunque en los principios se utiliza-ron
vlvulas y conmutadores electrcos (que presentaban un comportamiento similar).
106
PHL
90%
PLH
90%
10%
10%
t
TLH
THL
107
Margen de ruido del nivel alto, VNSH.- la diferencia de tensin desde el nivel
alto que se puede considerar como tal.
Margen de ruido del nivel bajo, VNSL.- la diferencia de tensin desde el nivel
bajo que se puede considerar como tal.
Estos valores se obtienen segn la diferencia de valores que podemos ver en la gura.
OH
V
V
IH
V
V
IL
NSH
Franja indeterminada
NSL
OL
108
In
In
Out
Out
In
In
Out
Out
In
Out
ON
VR
VD
OFF
V
RUPTURA
ID
Una puerta de una sola entrada de la familia DL, junto a su modo de operacin se
mues-tra en la gura 7.5. La operacin de esta puerta es la siguiente, pero no nos podemos
olvidar de que los valores de tensin estarn entre los niveles de tierra (0 -> 0v.) y de
polarizacin (1 - > 5v.).
109
F
A
OFF
ON
Figura 7.5.- Esquema y tabla de verdad de una puerta construida con lgica DL.
Entrada
Salida
Margen de ruido
VDD - V
DD
3. Familias bipolares.
Las familias bipolares son aquellas basadas en los transistores de unin o bipolares.
Estos transistores se pueden clasicar en dos tipos, segn las uniones semiconductoras: npn y
pnp. En la gura 7.6 se muestran las uniones, smbolos y su representacin como diodos. De
estos dos tipos de transistores, los ms empleados son los transistores npn ya que presentan
una ganacia mayor, y por lo tanto sern los ms rpidos.
Debido a la aparicin de dos diodos en cada transistores, estos transistores mostrarn
cuatro zonas de operacin (las combinaciones de las diferentes zonas de cada diodo). En la
gura 7.7 se muestran dichas zonas y sus principales propiedades.
Zona de corte. El transistor se comporta como un circuito abierto, por lo que no circula intensidad por ninguno de sus terminales. En esta zona los dos diodos se
encuen-tran cortados.
Zona activa directa, u zona hmica. El transistor se comporta como un amplicador
de intensidad desde la base hasta el colector. En este caso, el diodo base-emisor est
conduciendo, mientras que el base-colector est cortado.
110
B
E
P N
E
E
N P
E
Figura 7.6.- Uniones, smbolos y representacin con diodos de transistores bipolares.
Zona activa inversa. Es una zona parecida a la anterior, pero cambiando los
terminales de emisor y colector. La principal diferencia (aparte de la anterior) es que
la ampli-cacin es sustancialmente menor.
Zona de saturacin. El transistor se comporta como un cortocircuito entre el colector y
el emisor, que debido a las diferencias geomtricas de ambas uniones mantiene una
pequea tensin. En esta zona los dos diodos se encuentran conduciendo.
V
Z.A.I
BC
SATURACIN
VBC=0.7V.
IC=RIB
VCE=0.2V.
V
CORTE
IC=IB=IE=0
BE
Z.A.D
VBE=0.7V.
IC=FIB
De estas cuatro zonas, slo nos interesar que los transistores estn en dos de ellas: corte y
saturacin, que son las ms parecidas a las zonas del diodo. Por lo tanto, para la correcta
opera-cin de las puertas lgicas debemos evitar las otras zonas (activa directa y activa
inversa), excepto en los casos que sean necesarias.
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Una vez que se ha descrito brevemente el transistor bipolar, as como sus diferentes
zonas de operacin, vamos a describir las principales familias bipolares: familia TTL y
familia ECL.
E1
C
C
E2
E2
BEi ON => BE ON
Todas BEi OFF=> BE OFF
Un esquema tpico de una puerta TTL se muestra en la gura 7.9, junto con su tabla de
funcionamiento (donde tambin se indica la zona de operacin de los diferentes
transistores). El funcionamiento de la puerta es el siguiente. Debido a que la intensidad de
base de un tran-sistor bipolar es muy pequea, en primera aproximacin podemos decir que
es nula por lo que la base del transistor T1 siempre est conectado a polarizacin. Cuando
cualquiera de las entra-das se encuentra en un nivel bajo, el transistor T1 se encontrar en la
regin de saturacin, ya que la unin BE est conduciendo y la unin BC siempre est
directamente polarizada, lo cual provocar que la base del transistor T2 tenga una tensin de
0.4 v (0.2v de la caida entre colec-tor y emisor y 0.2v del nivel bajo, como ya veremos). Esta
situacin provoca que dicho transis-tor est cortado. Al estar T2 cortado, la tensin de base
de T3 ser 0, lo cual implica que T3 tambin est cortado. En cambio, el transistor T4 estar
en zona activa directa o en saturacin (dependiendo de los valores de las resistencias R2 y
R4), que provocar que el diodo conduzca colocando en la salida un nivel alto.
Cuando todas las entradas se encuentren a nivel alto, el transistor T1 estar en la zona activa
inversa, ya que la unin BE est cortada y la unin BC est conduciendo. Esta situacin
provoca que la tensin de base del transistor T2 sea aproximadamente de 1.4 v., llevando a dicho
transistor a saturacin. Por lo tanto, el transistor T3 estar igualmente saturado y en la salida se
colocar un nivel bajo. En cambio, el transistor T4 se encontrar en zona activa directa, pero el
diodo no conducir, desconectando la salida de la tensin de polarizacin.
As, los niveles de tensin y mrgenes de ruido de esta familia, de forma aproximada,
son los mostrados en la tabla 7.2. La obtencin de estos valores se puede desprender de la
tabla de operacin de los transistores de la gura 7.9.
OL
=V
CE(SAT)3
= 0.2v
112
T4
T2
BT1
F
T3
T1
T2
T3
T4
SAT
OFF
OFF
SAT
ON
SAT
OFF
OFF
SAT
ON
SAT
OFF
OFF
SAT
ON
ZAI
SAT
SAT
ZAD
OFF
Figura 7.9.- Esquema y tabla de verdad de una puerta lgica construida con lgica TTL.
OH
=V
DD
-V
BE(SAT)4
-V
D(ON)
= 3.8 v.
1.6 v
0.2 v.
1.4 v.
Alto
3.2 v.
3.8 v.
0.6 v.
y la salida en colector abierto (siempre hay que conectarle una carga a la salida)
A
B
113
A
B
A
B
Totem-pole
Carga resistiva
Colector abierto
AND - Inversor
Inversor
AND - OR - Inversor
Figura 7.11.- Diferentes estrucutras posibles con la familia TTL.
niveles de tensin altos y bajos cercanos (que le proporciona una alta velocidad)
incompatibilidad con otras familias lgicas
disposicin de salidas diferenciales, es decir, tanto de la salida complementada
como sin complementar.
114
El esquema de una puerta lgica ECL, junto a su tabla de comportamiento (en la que
se ha incluido la zona de operacin de sus transistores y los lmites de los transistores de
ampli-cacin), se muestran en la gura 7.12:
RC
T3
RC
T1
A
0
1
T1
ZAD-OFF
ZAD-SAT
T2
ZAD-SAT
ZAD-OFF
T2
T4
REF
R
EE
T3
T4
ZAD
ZAD
ZAD
ZAD
0
1
1
0
Figura 7.12.- Esquema y tabla de verdad de una puerta construida con lgica ECL.
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Nivel
Entrada
Salida
Margen de ruido
Bajo
VREF - 0.3v
4.3 v. - RC(VREF-0.7)/Ree
Alto
VREF - 0.3
4.3 v.
Para mantener las anteriores condiciones de operacin, en una sola puerta ECL nicamente se pueden implementar las siguientes operaciones:
inversin/seguimiento
operacin nor/or
tal como podemos ver en la siguiente gura:
T3
T4
A
Inversor
T1 T2
REF
Seguidor
T3
T4
B
NORA
T1
T2
REF
OR
T1
Figura 7.13.- Posibles estructuras que se pueden construir con la familia ECL.
4. Familias MOS.
Las familias MOS son aquellas que basan su funcionamiento en los transistores de
efecto campo o MOSFET. Estos transistores se pueden clasicar en dos tipos, segn el canal
utili-zado: NMOS y PMOS. En la gura 7.14 se muestran su estructura y varios smbolos:
G
S
p
G
D
D
n
D
G
D
G
D
G
D
G
116
dd
0
vd=0 --> vs = 0
vg =
vg =
id = 0
id = 0
dd
Transistor NMOS
Transistor PMOS
Al igual que suceda con los transistores bipolares, los transistores PMOS muestran una
ganancia menor que los NMOS, por lo que estos ltimos predominan en la generacin de las
familias.
F
A
T1
0
1
T1
OFF
ON
F
1
0
Figura 7.16.- Esquema y tabla de verdad de un puerta construida con lgica NMOS.
117
F = AB
F = A+B
B
Operacin OR
F = (A+B)C
A
B
Operacin AND
Operacin OR - AND
118
T2
F
A
T1
T1
t2
OFF
ON
ON
OFF
Figura 7.19.- Esquema y tabla de verdad de un puerta construida con lgica CMOS.
119
F = AB
C
B
F = (A+B)C
A
F = AB
A
5. Ejemplo.
Por ltimo, vamos a ver como sera la implementacin de una funcin utilizando las
dife-rentes familias lgicas.
La funcin elegida es la funcin exclusiva OR de dos entradas. Debido a la diferencia de
operaciones que se puede implementar por cada una de las familias, las frmulas no podrn ser
las mismas. Tambin debido a la salida complementada de las funciones, y para utilizar el
nmero mnimo de puertas, vamos a implementar la funcin negada. De esta forma, en la salida
tendremos la funcin sin negar. Las diferentes frmulas utilizadas sern las siguientes:
TTL --> F = AB + AB
ECL --> F = (A+B)+(A+B)
NMOS --> F = AB + AB
CMOS --> F = AB + AB
Luego las puertas se muestran en la gura 7.21.
120
A
B
F
A
REF
REF
REF
B
F
B
F
B
A
Figura 7.21.- Implementacin de la funcin exclusiva-OR en las familias TTL, ECL, NMOS y CMOS
respec-tivamente. Notar que debido a la funcin implementada, en la implementacin CMOS, la conexin
en paralelo de los transistores PMOS podra eliminarse.