TEMA 7

Tecnologa y fabricacin de CIs

G. Fabricacin de dispositivos
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/NMOS/nmos.html
1

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo

1. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea

mjmm@usal.es
2

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo

2. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea

mjmm@usal.es
3

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo

3. Crecimiento de una capa nativa de Si02 para la posterior aplicacin de mscaras

litogrficas (para la realizacin del dopaje de la regin p en una zona selectiva del
material)

mjmm@usal.es
4

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo
4. Se aplica sobre la superficie del xido un material denominado resina.

Su aplicacin servir para aplicar un proceso fotolitogrfico en el que se abrir una ventana en el semiconductor
a travs de la cul se realizar la posterior difusin de la regin p. Seguidamente, tiene lugar un calentamiento de
la oblea de modo que la resina se solidifica.

mjmm@usal.es
5

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo
5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitogrfico (se proyecta luz ultravioleta, UV, a
travs de una mscara).

La luz UV endurece la regin de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por la mscara se
eliminan mediante grabado qumico.
UV light

mask

mjmm@usal.es
6

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo
5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitogrfico (se proyecta luz ultravioleta, UV, a
travs de una mscara).

La luz UV endurece la regin de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por la mscara se
eliminan mediante grabado qumico.
UV light

mask

mjmm@usal.es
7

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo

6. Se realiza el grabado o eliminacin de la resina fotoreactiva mediante la aplicacin

de un cido.

mjmm@usal.es
8

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo

7. A travs de la ventana abierta mediante el proceso fotolitogrfico tiene lugar la

difusin o la implantacin inica de impurezas (para realizar el dopaje) de boro
(impureza tipo p para el Silicio). De este modo se forma la regin p de la unin p-n.

mjmm@usal.es
9

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo

8. Se realiza la deposicin del aluminio (mediante sputtering) para la realizacin del

contacto a ambos lados de la oblea.

mjmm@usal.es
10

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo
9. Se realiza un nuevo paso fotolitogrfico (no se muestra) utilizando de nuevo una
resina para modificar la forma del aluminio y obtener la forma de la metalizacin final.

Finalmente se lleva a cabo la pasivacin de la superficie que proporciona proteccin mecnica y

elctrica.

mjmm@usal.es
11

Tema 7. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Fabricacin de un diodo
10. Los chips finales en la oblea tienen el aspecto que muestran las figuras (visin
transversal a la izquierda y visin superior a la derecha).

Posteriormente cada uno de ellos se separa de la oblea (se corta) y se miden sus propiedades
elctricas (caracterizacin).

mjmm@usal.es
12