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EI Tema 3.2.transistor Potencia PDF
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3
.
2
El transistor de
PARTADO
potencia
Electrnica Industrial
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3.2
A Introduccin a los transistores de potencia
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros
MOS
Impedancia de entrada
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Bipolar
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Coste
Alto
Medio
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
Nos interesa, como siempre que tratamos con dispositivos semiconductores de potencia que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
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El transistor de potencia
les de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y
base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
.A.1
Modos de trabajo
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3.2
B El transistor bipolar de potencia (BJT)
.B.2
Especificaciones importantes
Adems, conforme los transistores utilizados en circuitos de potencia trabajan generalmente en saturacin y corte (rgimen de conmutacin), resulta de inters la cada
de tensin colector-emisor en saturacin VCEsat y los tiempos de saturacin y corte para
aplicaciones de alta frecuencia.
.B.3
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto iC x vCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en
el transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,
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El transistor de potencia
debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de veces que se produce el
paso de un estado a otro.
Como siempre, podemos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y
tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en
otros dos, quedando as cuatro tiempos a estudiar:
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta
que la seal de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
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B El transistor bipolar de potencia (BJT)
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima (fmax) a la
cual puede conmutar el transistor:
f max =
.B.4
1
t on + t off
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El transistor de potencia
Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables dentro de la zona activa, en el sentido de que se oponen a las variaciones
de corriente que imponen los transistores al conmutar de saturacin a corte y viceversa.
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B El transistor bipolar de potencia (BJT)
En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor
pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a
corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior
el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte
lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una
profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc).
Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios circuitos, que se muestran a continuacin:
a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la tensin de la fuente Vcc).
b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a
corte, proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva de la carga.
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3.2
El transistor de potencia
El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte
(punto B) se produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a
la fuente Vcc.
Para el clculo de CS podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa
almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la
intensidad de colector se anule. Por tanto:
de donde :
C. El transistor MOSFET
El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los componen; una fina pelcula metlica (Metal -M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora (Semiconductor- S).
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C El transistor MOSFET
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en
que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren
solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT),
son controlados por corriente aplicada a la base.
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT
La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los nanosegundos, por esto los Mosfet son muy utilizados en convertidores de pequea
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.
.C.1
Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Los Mosfet son ms caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que provoca
mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin.
Tipos de MOSFET
Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento: el canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le aplica una tensin en la puerta. A su vez, dentro
de los transistores MOSFET de enriquecimiento podemos distinguir dos tipos:
de canal n o de canal p, dependiendo del tipo de sustrato utilizado y del tipo
de portadores mayoritarios por el canal. En la siguiente figura se pueden observar la estructura fsica y el smbolo ms habitual para un MOSFET de canal
n:
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El transistor de potencia
Asimismo, en la siguiente figura se muestran las mismas figuras para un MOSFET de canal p:
.C.2
La curva caracterstica nos da informacin acerca de como vara la intensidad del drenador (id) para una tensin fija (vds), y variando la tensin aplicada entre la puerta y el
surtidor (vgs). En particular, en la siguiente figura se apreciar la curva caracterstica de
un n-MOSFET de enriquecimiento.
Las caractersticas reales del MOSFET se dividen en tres regiones, tal y como se puede observar en la grfica anterior.
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3.2
C El transistor MOSFET
Regin de Corte
En la figura anterior se puede ver como existen corrientes residuales (muy pequeas),
cuando el dispositivo est en corte. Si la tensin aplicada entre Puerta Surtidor es inferior
a Vth (normalmente superior a 2 voltios, para los Mosfet de potencia), el dispositivo continuar
en la regin de corte. En esta regin la corriente que circula por el drenador es prcticamente
nula.
Las ecuaciones para esta regin sern:
En esta regin se utiliza el transistor Mos como amplificador. Para un valor de vgs, que
ser como mnimo Vgs(th) se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor.
En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, controla la magnitud
de la corriente del drenador (id), como la tensin entre el drenador y el surtidor (vds).
Como se puede ver en la curva caracterstica, para un valor particular de la tensin
entre puerta surtidor, tenemos un valor de la corriente del drenador (id).
Las ecuaciones para esta regin sern:
vGS > VGS (th)
vGS - VGS (th) < vDS
i G 0 iD iS
Regin hmica
Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin
que
vGS - VGS (th) vDS
Por lo tanto, las ecuaciones tpicas para esta regin son:
vGS > VGS (th)
vGS - VGS (th) vDS
i G 0 iD iS
Para un p-MOSFET de enriquecimiento es importante recordar que el voltaje umbral
VGS (th) es negativo y para inducir un canal es necesario aplicar un voltaje en puerta que
sea ms negativo que el propio voltaje umbral. Por lo tanto, para un MOSFET de canal
p, se definen las tres regiones anteriores de la siguiente manera:
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3.2
El transistor de potencia
Regin hmica :
D. El transistor IGBT
El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
conmutacin, como los BJT, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada
velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo
se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el
rango de los 50KHz), adems de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT se fabrican
desde una tensin de 1400V y una corriente de 300A, a una tensin de 600V y una
corriente de 50A.
El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms lento
que el Mosfet. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con
una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para
conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados.
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