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Fisica Moderna Energia Fermi
Fisica Moderna Energia Fermi
de los Materiales
P. Dip-Segovia
Alumno del programa de Doctorado en Ciencias de la Ingeniera con Mencin en Ciencias de los
Materiales.
Escuela de Postgrado
Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas
Universidad de Chile
______________________________________________________________________
P.D-S
x
x
Fig. 1.1 La duda en la posicin de un electrn.
Sea x la distancia del electrn desde el centro de coordenadas. Cuando
determinamos experimentalmente esta cantidad siempre hay un error experimental x / 2.
En otras palabras, la incertidumbre en la posicin es x. Ahora consideremos p = mv , el
momento del electrn. Cualquier medicin experimentalmente del momento del electrn
implicar tambin una incertidumbre p . El principio de Heisemberg establece que el
producto de estas dos incertidumbres no puede ser menor que la constante h de Planck, o
p x h
x =
h
h
= =
p 0
lo cual nos dice que la duda en la posicin del electrn es infinita, o que seramos
completamente incapaces de localizarla. Por otra parte, si fusemos capaces en algn
______________________________________________________________________
P.D-S
1.2.
h
h
=
mv p
donde
: es la longitud del electrn.
m : masa del electrn.
v : su velocidad.
p : momentun.
Esta habilidad de los electrones de ser difractados muestra una vez ms las
caractersticas ondulatorias que posee.
Si los electrones son ondas realmente, nos encaramos con el problema de decir que
clase de onda son. Nuestro problema bsico es que el principio de Incertidumbre no nos
permite utilizar el concepto del electrn como una partcula, como se implica en la teora de
Bohr. Por otra parte, somos incapaces de definir un electrn en trminos de ondas.
Afortunadamente hay un acercamiento matemtico a esta materia que obvia la necesidad de
definir exactamente un electrn. Este acercamiento se hace a travs de la mecnica
ondulatoria, cuyo resultado se expresa habitualmente en trminos de la energa de un
electrn. La energa es, por supuesto, una propiedad importante. Como sabemos, la energa
de radiacin de un tomo (posiblemente la de un tomo de hidrgeno) est relacionada por
la ley de Planck a la diferencia en las energas del electrn en dos estados diferentes en el
tomo, o
______________________________________________________________________
P.D-S
hv = E II E I
donde
h : es la constante de Planck.
v : es la frecuencia de radiacin.
E I E II : son la energas en dos niveles diferentes de energa atmica.
Mientras que la mecnica ondulatoria puede rendir estimaciones precisas de las
posibles energas de un electrn, no puede dar una informacin similar sobre las posiciones
de los electrones. Lo que da una idea de las regiones en el espacio donde se hallar
probablemente un electrn. La mecnica ondulatoria, en consecuencia est relacionada
estrechamente con el concepto de la probabilidad.
Con el propsito de ver cmo entra el concepto de la probabilidad en el problema de
la dinmica electrnica, consideremos primero un sencillo experimento ptico. La
difraccin de la luz a travs de una rendija, bajo las condiciones experimentales mostradas
en la fig. 8.2A produce un diagrama de difraccin semejante al de la fig. 1.2B, donde la
abscisa corresponde a las distancias a lo largo del diagrama, y la altura de ste representa la
intensidad de la radiacin cayendo sobre la placa fotogrfica o sobre algn dispositivo para
registrar el diagrama. Por definicin, la intensidad de la luz es la energa por segundo que
cae sobre un centmetro cuadrado, de manera que la ordenada en la fig.1.2B representa el
grado al cual cae la energa en varios puntos a lo largo del diagrama. Ahora consideremos
este mismo experimento desde un punto de vista corpuscular. En este caso, la altura del
diagrama debe ser proporcional al nmero de cuantos de luz cayendo por segundo sobre un
rea unitaria de la pantalla en cualquier punto dad. Sin embargo, todava hay otro medio de
que esta difraccin pueda ser vista. Supngase que slo pasa un cuanto de luz a travs de la
rendija, entonces la ordenada del diagrama de difraccin se considera que representa la
contingencia, o probabilidad, de que el cuanto caiga en un punto dado de la pantalla. De
acuerdo con este punto de vista, el rea bajo la curva completa debe ser la unidad, esto es,
el cuanto debe incidir en alguna parte a lo largo de la pantalla.
Rendija
rectangular
x
Fuente
de luz
Lentes
Pantalla
______________________________________________________________________
P.D-S
Intensidad de
luz
2x
y = y 0 sen 2vt
Esto puede representar una onda en una cinta infinita excitada por la vibracin de un
diapasn elctrico conectado en un extremo. Como se indica en la fig. 1.3, es la longitud
de onda, y 0 es su amplitud, y la onda vieja en la direccin positiva x . Adems, en la
ecuacin anterior, v es la frecuencia, o nmero de vibraciones por segundo, x es la
distancia en la direccin de desplazamiento, y t es el tiempo. La ecuacin anterior se puede
escribir tambin en forma ms simple
y = y0 sen(t kx )
I y0
P = 2
Aqu, P es la probabilidad y es una funcin que, cuando se le multiplica por s
misma, produce la probabilidad P. Realmente, con mayor exactitud debido a que la funcin
es con frecuencia un nmero complejo, deberamos escribir la expresin anterior en la
forma siguiente:
P = *
donde y * son recprocos complejos, y sus productos, la probabilidad, es un nmero
real.
= 0 sen(t kx )
d
= + k 0 cos(t kx )
dx
d 2
= k 2 0 sen(t kx ) = k 2
2
dx
o
d 2
= + k 2 = 0
2
dx
Esta ecuacin diferencial es la ecuacin bsica para el movimiento ondulatorio en una
dimensin. Una de las soluciones es, por supuesto,
= 0 sen(t kx )
k=
2
mv
h
4 2 2 2 8 2 1 2
k = 2 m v = 2 m mv
h
h
2
d 2 8 2 1 2
+ 2 m mv = 0
2
dx
h
2
2 2 2 8 2 1 2
+
+
+ 2 m mv = 0
x 2 y 2 z 2
h
2
Debido a que la energa cintica de un electrn es igual a su energa total menos su energa
potencial, la ecuacin de Schrdinger se escribe usualmente:
2 2 2 8 2
+
+
+ 2 m(W V ) = 0
x 2 y 2 z 2
h
donde W V = 1 / 2mv 2 , W es la energa total del electrn y V es su energa potencial.
1.3.
______________________________________________________________________
P.D-S
2 2 2 8 2
+ 2 + 2 + 2 m(W V ) = 0
2
x
y
z
h
debe ser cero en todos los puntos fuera de la caja y, en particular, en los lmites de la
misma. Para la simplicidad, supongamos que el electrn es capaz de moverse en una sola
direccin, de manera que estamos trabajando efectivamente con una caja unidimensional.
Fig. 1.4 Pozo potencial dentro de una caja unidimensional como se supone
en la teora del electrn libre.
El problema bsico se ilustra ahora en la figura 1.4 donde se ha seleccionado la longitud de
la caja como igual a L. Por la condicin de que debe ser cero en los lmites, tenemos
=0
=0
x=0
x=L
a
Estas son las mismas condiciones de contorno que se aplican a la amplitud de
vibracin de ondas que viajan en una cinta de longitud L cuyos extremos estn fijos.
Debido a que la misma ecuacin ondulatoria bsica controla el movimiento de los
electrones en una dimensin y la vibracin de una cinta, podemos utilizar las soluciones
conocidas de la cinta de los extremos fijos para poder definir las soluciones del electrn en
la caja. Es bien sabido que una cinta de este tipo es capaz de vibrar aciertas frecuencias
naturales. Estas frecuencias, por supuesto, se determinan por los diagramas de las posibles
ondas estacionarias que pueden desarrollarse en una cinta de longitud L. As, en la figura
1.5, la frecuencia fundamental, o menor, de la cinta vibratoria tiene una longitud de onda L,
el tercero a 2/3L, etc., y, en general, podemos escribir
n z = 1,2,3,...
=
2
L
nz
nz = 1,2,3,4,...
______________________________________________________________________
P.D-S
k=
n z
L
nz 2
k = 2
L
2
8 2
k = 2 m(W V )
h
2
pero dentro de la caja, donde existen las ondas estacionarias, suponemos que V es cero, por
lo que
8 2
8 2
k = 2 mW = 2 mE
h
h
2
donde W es la energa total del electrn y E es la energa cintica del mismo. Igualando los
dos valores dados anteriormente para k 2 y resolviendo para E se tiene
2
h 2 nz
E=
8mL2
nz = 1,2,3,...
______________________________________________________________________
P.D-S
h2
2
2
2
E=
nx + n y + nz
2
8mL
nx , y , z = 1,2,3,...
El estado energtico menor que puede ocupar un electrn en una caja tridimensional ocurre
cuando n x = n y = n z = 1 . Su valor es:
3h 2
h2 2 2 2
E=
1 +1 +1 =
2
8mL
8mL2
Siguiendo al estado energtico ms bajo, hay dos estados de energa igual. En general, es
prctica comn denominar a estados diferentes con energas iguales estados degenerados.
Los tres estados degenerados presentes ocurren cuando dos nmeros cunticos son igual
uno y el otro es dos: (112), (121) y (211). La energa de estos estados es:
6h 2
h2 2 2
2
E=
1 +1 + 2 =
8mL2
8mL2
En la tabla 1.1 se dan todos los niveles de energa electrnica en una caja
tridimensional con una energa menor de 45h 2 / 8mL2 . La primera columna es proporcional
a la energa de los diversos estados. Para simplicidad, en esta columna se dan los valores de
2
2
2
(n x + n y + n z ). Estos valores son proporcionados a la energa debido a que
(n
2
x
+ n y + nz
8mL2
= 2 E
h
La segunda columna indica las combinaciones de nmero cuntico que dan los valores en la
columna uno. Obsrvese que, al elevarse la energa, aumenta la frecuencia con la cual ms
de una combinacin de nmeros cunticos es capaz de rendir la misma energa. La tercera
columna enlista la degeneracin, o el nmero de estados con el mismo valor de energa.
Slo cuando todos los nmeros cunticos de un estado dado tienen el mismo valor [esto es
(222)] es posible tener estados degenerados: slo un estado para un valor de energa dado.
La ltima columna representa la suma de todos los estados de energa hasta un valor de
2
2
2
2
2
2
energa dado; realmente un valor dado de (n x + n y + n z ). As, cuando (n x + n y + n z ) es
9 hay siete estados con una energa igual a, o menor de, 9h 2 / 8mL2 : uno con una energa
igual a 3h 2 / 8mL2 , tres con 6h 2 / 8mL2 , y tres con 9h 2 / 8mL2 .
En una pieza de metal de tamao promedio el nmero de electrones es muy grande.
Por ejemplo, considrese un metal monovalente, tal como la plata, donde hay un electrn
libre por tomo. Aqu, 107,9 gr (1 mol) de plata contendrn una cantidad de electrones
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P.D-S
libres igual al nmero de Abogador 6.021023. En teora de Sommerfeld, se supone que los
electrones libres no interactan unos con otros excepto cuando se aplica el principio de
exclusin de Pauli, lo cual significa que, cuando hay una caja hay ms de un electrn,
puede suponerse que los electrones ocupan los mismos niveles de energa que el electrn
simple. Sin embargo, el principio de exclusin de Pauli, que controla el nmero de
electrones que pueden entrar en un estado dado con el tomo de hidrgeno, se aplica
tambin en el presente caso. En otras palabras, slo dos electrones con movimientos
dirigidos en sentido opuesto pueden ocupar un estado cuntico dado.
(n
2
x
Como un ejemplo, supngase que tenemos una pequea pieza de metal conteniendo
slo 120 electrones libres. Al cero absoluto los 120 electrones ocuparn los 60 niveles
inferiores de energa en el metal. Todos los niveles hasta, e incluyendo los de una energa
de 36h 2 / 8mL2 estn llenos. Esto puede confirmarse examinando la tabla 1.1. Todos los
estados de energa con valores mayores de 36h 2 / 8mL2 estarn vacos.
En una pieza de metal real, la magnitud de la energa del electrn que queda en el
estado de energa ms elevado es muy grande aun a 0K. Este es un resultado del gran
nmero de electrones involucrados y del gran nmero de estados cunticos requeridos para
mantenerlos sujetos a todos ellos. Ahora intentaremos determinar la magnitud de esta
energa. Para poder hacer esto, debemos derivar primero una relacin para el nmero de
estados de energa con una energa igual a, o menor que, la de un estado dado.
Fig. 1.6 Espacio de nmero cuntico. Como los nmeros cunticos son enteros
positivos, slo se utiliza la octante superior derecha para designar el estado
cuntico, o nivel de energa, de un electrn
Formemos un sistema de coordenadas cartesianas tridimensional, utilizando como
coordenadas para los tres ejes valores de n x , n y , y n z . Debido a que cada estado de energa
de un electrn en una caja corresponde a un juego particular de nmeros cunticos, se
puede representar un estado por un solo punto en el espacio de nmero cuntico. As, en la
figura 1.6, se designa especficamente el punto que representa al estado con los nmeros
cunticos n x = 4, n y = 5, y n z = 7.
Cuando se consideran juntos todos los estados de energa electrnica, forman un red
tridimensional de puntos que recuerda a una red espacial cbica simple. Debido a que los
valores de n x , n y y n z son siempre nmeros enteros positivos, la red tiene que quedar en la
mismo octante del sistema coordenado que el ocupado por el punto dado en la figura 1.6 (la
octante superior derecha).
Para simplificar la explicacin, reduzacamos a dos el nmero de coordenadas del
metal. Entonces, solo necesitamos considerar dos nmeros cunticos, n x y n y , y la red
tridimensional de puntos que representa los estados de energa se reduce a una cuadrcula
rectangular bidimensional del tipo mostrado en la figura 1.7. Nuestro problema bsico es
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P.D-S
hallar cuntos estados de energa poseen una energa igual o menor que cierto valor
mximo E m . En dos dimensiones, la energa de cualquier estado se por
h2
2
2
E=
n
+
n
x
y
8mL2
Esta relacin nos dice que la energa de un estado vara directamente segn los cuadrados
de los dos nmeros cunticos. Un estado tendr una energa menor que la de un estado dado
2
2
slo si sus nmeros cunticos producen un valor menor de n x + n y que el del estado
dado. El ejemplo sencillo siguiente ayudar a comprender el significad de este ltimo
enunciado.
(n
2
x
+ ny
= 152 + 12 = 226
mx
(n
r=
2
x
+ ny
mx
= 226
Todos los puntos que quedan dentro de este arco representan estados cunticos con energas
por debajo de E m . As, considrese el estado con nmeros cunticos n x = 11 y n y = 10 .
2
Aqu, n x + n y = 221 que es menor que 226. Cuando se cuenta el nmero de puntos
(estados) dentro del rea dada, se prueba que son 163. Este mismo nmero se puede estimar
calculando simplemente el rea encerrada por el cuadrante de crculo (OAB). Esto es
rea =
r 2 mx =
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P.D-S
Este ltimo valor, aunque difiere del valor contado de 163 estados, es una buena
aproximacin. La concordancia entre valores contados y calculados ser mucho ms
ajustada cuando sea ms grande el nmero total de estados, y para nmeros muy grandes de
estados (correspondiendo a valores muy grandes de E m ) puede predecirse el nmero de
estados con un grado de exactitud elevado por medio de este tipo de clculo. As, para
grandes valores de E m
(
n
4
2
x
+ ny
mx
8mL2
4 h
Em
Fig. 1.8 A cero absoluto, puede suponerse que los estados ocupados quedan
dentro de esta octante de esfera en el espacio de nmero cuntico.
Volvamos a una consideracin de un metal con tres dimensiones. Aqu, todos los
estados con una energa menor de E m quedan dentro del octante de una esfera, como se
define en la figura 1.8. Para grandes valores de E m , por analoga con el caso bidimensional,
podemos tomar el volumen de esta octante como una medida del nmero de estados
cunticos con una energa igual o menor que E m . El radio de la esfera es:
rmx = n x + n y + n z
2 1/ 2
8mL2
= 2 E m
h
1/ 2
1 4
8mL2
3
rmx = 2 E m
= volumen del octante =
4 3
6 h
3/ 2
N 8mL2
= 2 E F
2 6 h
3/ 2
h2
EF =
8mL2
3N
3/ 2
h2 3N
EF =
8m L3
2/3
h2 3 N
=
8m V
2/3
(6,63 10 ) 3 6,02 10
=
10,28
8(9,11 10 )
27 2
2/3
EF
28
Es posible que se pueda expresar mejor esta energa en caloras por molcula de electrones
(al nivel de Fermi) porque entonces podremos compararla con la energa atmica trmica.
As,
cal
8,9 10 12 6,02 10 23
EF =
=
130
.
000
mol
4,19 107
Esta energa es extremadamente elevada. Puede demostrarse fcilmente que el electrn
promedio en un metal al cero absoluto posee energa que es 3/5 del valor de Fermi, de
manera que en la Plata
EF =
3
(130.000) = 78.000 cal
5
mol
En cierto sentido, podemos pensar de los electrones en un metal como un gas. La energa
trmica (cintica) de una molcula de un gas monoatmico, por ejemplo helio, de acuerdo
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P.D-S
con la teora clsica, es del orden de 3/2 RT cal/mol. Puesto que R es aproximadamente 2
cal/mol/grado, a temperatura ambiente (T = 300 K) la energa trmica de tal gas deber ser
de unos 900 cal/mol. Puede verse entonces que los tomos de un gas ordinario poseen, a
temperatura ambiente, slo alrededor del 1/80 de la energa cintica principal de los
electrones en un metal al cero absoluto.
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P.D-S
1.4.
La densidad de estados
8mL2
6 h 2
3/ 2
Debido a que es muy grande el nmero de estados en un metal, debemos considerar que
tanto como E son funciones continuas, a pesar de que ellas varan con intervalos distintos.
Con esta suposicin, tomaremos la derivativa de con respecto a E, lo cual nos da una
nueva funcin N(E) donde
d 8mL2
N (E) =
=
E
dE 4 h 2
3/ 2
Aqu, N(E) es la densidad de los estados de energa a un nivel de energa dado; el nmero
de estados de energa con una energa de entre E y E + dE es N ( E )dE . La figura 1.10
muestra a N(E) graficada como una funcin de la energa de E. La curva resultante es una
parbola. El rea bajo esta parbola, comenzando en el origen y corriendo hacia un valor de
energa E dado, representa el nmero de estados con una energa igual o menor que la de
Fermi. Por definicin de la energa de Fermi, esta rea, por consiguiente, mide el nmero
de estados que son ocupados por los electrones al cero absoluto. Por tanto, puede
considerarse que la figura 8.10 muestra la naturaleza de la distribucin de los electrones en
los diversos niveles de energa a 0 K, de acuerdo con la teora de Sommerfeld.
Fig. 1.10 Densidad de los estados como una funcin de la energa a 0K,
de acuerdo con la teora del electrn libre.
1.5.
Fig. 1.11 La energa trmica, a cualquier temperatura normal, slo cambia ligeramente la
distribucin de los electrones en los estados de energa.
Sobre E F estn ocupados y un nmero correspondiente por debajo de E F estn
desocupados. Esta, por supuesto, es una distribucin estadstica, con los electrones
movindose hacia dentro y hacia fuera de los estados que quedan cerca de E F . El cambio en
la distribucin de los electrones en los niveles de energa slo es apreciable sobre un rango
de varios valores de kT por encima y por debajo de E F .
La energa de Fermi se define con mayor propiedad en los trminos de la figura
1.11. Nosotros la hemos definido como la energa mxima de un electrn al cero absoluto.
Con mayor propiedad, debera ser la energa del nivel, a cualquier temperatura, que
contenga un 50% de probabilidad de ser ocupada por un electrn. As, en la figura 1.11, la
energa de Fermi corresponde a la energa donde la densidad de estados real (lnea ab) tiene
un valor igual a la mitad de la densidad de estados mxima (lnea ac).
1.6.
Debido a que la energa trmica afecta a slo unos relativamente pocos electrones,
stos proporcionan nicamente una pequea contribucin al calor especfico de un metal.
En consecuencia, segn se calienta un metal, la mayora de la energa utilizada en elevar la
temperatura de ste va a incrementar la energa vibracional de los tomos. De hecho, el
calor especfico de los metales se puede calcular con exactitud razonable sobre la
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P.D-S
suposicin de que el calor especfico depende nicamente de las vibraciones atmicas. Uno
de los xitos de la teora del electrn libre es su capacidad para explicar por qu es tan
pequea la contribucin electrnica al calor especfico.
1.7.
La teora de la zona
En la simple teora del electrn libre se supone que los electrones se mueven en una
regin de potencial constante. Realmente, sin embargo, dentro de cualquier metal real hay
una disposicin peridica de iones cargados positivamente a travs del cul deben
trasladarse los electrones (figura 1.12). En consecuencia, el potencial a lo largo de una lnea
tal como aa, la cual pasa a travs de los centros de los iones, debe variar en la forma
representada en la figura 1.13. Bloch fue el primero en desarrollar un tratamiento
mecnico ondulatorio del movimiento de los electrones en un potencial peridico.
Bloch, F., Zeits. Fr Physik, 52 (1928), pg. 555; 59 (1930), pg. 208
______________________________________________________________________ 19
P.D-S
Como este anlisis es demasiado complicado para que lo consideremos, nos ocuparemos
nicamente de ciertas conclusiones importantes de este anlisis. Una de las conclusiones
ms importantes es que no puede producirse el movimiento de los electrones en un cristal
bajo las condiciones que satisfagan la ley de difraccin de Bragg.
n = 2dsen
h
h
=
mv p
p=
nh
2dsen
Esta aseveracin de la ley de Bragg nos dice que las reflexiones de electrones ocurrirn a
ciertas combinaciones de una direccin de movimiento y magnitud del momento del
electrn, esto es, a valores especficos del vector de momento de un electrn. En la
mecnica ondulatoria es costumbre utilizar el nmero de onda k en lugar del momentun p
para describir los resultados del presente tipo de trabajo; los dos vectores difieren
nicamente por una constante 2 / h , o
k=
2p
h
k=
dsen
ksen =
p
d
Sin embargo, la cantidad ksen es meramente la componente del vector del nmero de onda
normal al plano reflectante de Bragg, como se muestra en la figura 1.14 para n = 1
(reflexin de primer orden). La expresin anterior nos dice que , siempre que la
componente de k resulta normal plano reticular sea igual a n / d , sern satisfechas las
condiciones de Bragg. Como los valores crticos de esta componente normal al nmero de
onda k varan inversamente con el espaciamiento interplanar d, es evidente que los primeros
planos que influirn sobre el movimiento de los electrones sern aquellos con mayores
valores de d: planos con los ndices de Miller ms bajos.
______________________________________________________________________ 21
P.D-S
Sin embargo, segn consideramos a los electrones en estados de energa cada vez ms
elevados, se alcanza eventualmente un punto donde la condicin de Bragg con respecto a
los planos {100} influye el movimiento de los electrones. Despus de esto, el segundo
juego de planos para los cuales ser satisfecha la condicin de Bragg es {100}, los
segundos planos ms ampliamente espaciados en la estructuras cbica simple.
Investiguemos ahora especficamente las reflexiones desde los planos {100} con un poco
ms detalle. La figura 1.16A representa un sistema de coordenadas el cual se denominar
espacio k. Cualquier punto, tal como m en esta figura, corresponde a un vector de nmero
de onda especfico. La figura 1.16B muestra que el vector en cuestin puede obtenerse
trazando una flecha desde el origen de coordenadas al punto dado, y que si llamamos a este
vector k su componente x ser kx y su componente y ser ky. En una red bidimensional
h2k 2
E=
8 2 m
______________________________________________________________________ 23
P.D-S
Fig. 1.18 Primera y segunda zonas de Brillouin de una red cbica simple.
La segunda zona est sombreada.
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P.D-S
Ahora limitemos atencin a los electrones que viajan slo en una direccin,
digamos, paralela al eje x y por tanto normal a los planos (100). El nmero de ondas de
tales electrones se representa por el smbolo k, y tenemos que
2
h2k x
E= 2
8 m
Esta relacin parablica entre la energa y el nmero de onda se muestra en la forma
diagramtica de la figura 1.21, y est basada en la suposicin de Sommerfeld de que los
electrones se mueven en un potencial constante. Cuando consideramos los movimientos de
los electrones en un potencial peridico, la figura 1.21 representa todava una buena
aproximacin de la relacin nmero de onda-energa sobre la mayora del espectro
energtico. Sin embargo, segn acabamos de ver, a ciertos valores crticos del nmero de
onda se rompe el movimiento normal del electrn, lo cual tiene el efecto de introducir
discontinuidades dentro de la curva nmero de onda-energa. As, para electrones que
viajan normales a planos (100), tenemos
kx =
n
dsen( )
pero aqu es 90 por lo tanto el sen = 1, de manera que kx = n/d, donde n es un nmero
entero y d es el espaciamiento interplanar de los planos (100). Por consiguiente, las
discontinuidades en la relacin nmero de onda-energa ocurren a intervalos de /d a lo
largo del eje kx, como se muestra en la figura 8.22. Obsrvese que segn se acerca k a un
mltiplo de /d, la energa se desva desde la parbola simple mostrada en la figura 1.21.
Fig. 1.20 Primera zona de Brillouin de una red cbica centrada en las caras.
Las superficies son paralelas bien a {100} o {111}.
______________________________________________________________________ 25
P.D-S
En particular, considrese una discontinuidad especfica tal como en /d. Aqu, segn kx se
acerca a un valor crtico desde cualquier direccin, comienza a cambiar la energa con
lentitud cada vez mayor, de tal manera que la curva representa al estado de energa tiende a
volverse y a correr paralela a kx o eje del nmero de onda. Al valor especfico /d, la
energa tiene dos valores representados por los puntos a y b, respectivamente, en la figura
1.22. Los electrones que viajan normales a los planos (100) no pueden tener energa que
caiga entre el intervalo de a y b.
______________________________________________________________________ 26
P.D-S
Ahora nos referiremos a otro diagrama que muestra la primera zona de Brillouin de una red
cbica simple bidimensional -figura 1.23(A). En el ltimo diagrama, se han colocado dos
puntos marcados a y b a lo largo del eje kx. Estos puntos corresponden a puntos similares en
la figura 1.22, y se destinan para mostrar que cuando se cruza el lmite de una zona de
Brillouin, ocurre una discontinuidad en los niveles de energa. Tales discontinuidades
ocurren sin importar dnde se cruza la zona de Brillouin. Sin embargo, la posicin de la
abertura en la energa, como puede verse en la grfica de la energa en funcin del nmero
de onda, vara con la direccin de movimiento del electrn en el cristal, y por lo tanto vara
con el punto donde se cruza el lmite de la zona. Esto se debe a la magnitud absoluta de los
cambios crticos del nmero de onda, segn nos movemos a lo largo del lmite de zona.
centro de no de los lados de la zona bidimensional hasta un valor mximo en las esquinas
de las zona. Correspondiendo a este cambio en el valor del nmero de onda a lo largo del
lmite de una zona hay un cambio en la posicin de la abertura en la energa, como se
muestra en la figura 1.23B, donde se grafica la energa como una funcin del nmero de
onda para las tres posiciones indicadas donde se cruza el lmite de la zona. Obsrvese, sin
embargo, que en cada caso slo se da la mitad de la curva nmero de onda-energa. Estas
curvas muestran claramente la forma en que cambia la posicin de la abertura en la energa
segn se vara la direccin del movimiento del electrn. Las aberturas en la energa se
producen a los valores energticos ms bajos, cuando los electrones se mueven en una
direccin normal a los planos {100}, y a los valores ms altos cuando los electrones viajan
a 45 en relacin a estos planos.
Como se mencion previamente, la zona de Brillouin de una red cbica simple en
tres dimensiones es un cubo. Aqu, puede demostrarse tambin que las aberturas en la
energa ocurrirn a los menores valores de k cuando los electrones se mueven en una
direccin 100. Sin embargo, los valores mximos de k para el cruce de la primera zona de
Brillouin, en este caso, ocurrirn en las esquinas del cubo las que, en tres dimensiones,
corresponden a los electrones movindose en las direcciones 111.
Raynor, G. V., An Introduction to the Electron Theory of Metals. Instituto de los Metales, Londres, 1947.
______________________________________________________________________ 28
P.D-S
asciende sobre la relacin parablica simple. Sin embargo, por aumentos posteriores en la
energa, la densidad de los estados disminuye y eventualmente desciende a cero. Este
ltimo efecto se debe al hecho de que, segn aumenta la energa, disminuye el nmero de
estados remanentes en la zona.
Fig. 1.24 La densidad de estados como una funcin de la energa (A) de acuerdo a la teora
del electrn libre. (B) la teora de zona.
1.10.
Conductores y aisladores
Ahora estamos en una posicin donde podemos aplicar los principios de la teora de
zonas para explicar las diferencias entre varios de los slidos bien conocidos.
Consideremos primero el caso donde la abertura de energa entre las zonas primera y
segunda es lo suficientemente grande para que no haya sobreposicin de los niveles de
energa en las dos primeras zonas.
Con el propsito de ilustrar nuestro punto, utilicemos una vez ms el caso de la red
cbica simple bidimensional y, adems, supongamos que las curvas nmero de ondaenerga correspondientes a las posiciones inferior y superior de las aberturas de energa son
como se muestran en la fig. 1.25A. Aqu, debido al gran tamao de la abertura en cualquier
direccin especfica, el nivel de energa en el fondo de la segunda zona queda muy por
encima del nivel de energa superior de la primera zona. Los niveles de energa en la zona
segunda son todos considerablemente ms altos que los de la zona primera, y de ordinario,
un electrn no ser capaz de penetrar a la zona segunda a menos de que reciba una energa
de excitacin relativamente grande. Generalmente, puede suponerse que la energa
necesaria es mucho ms elevada, puesto que es del orden de varios electrn-voltios, que
seran suministrados generalmente por vibraciones trmicas a cualquier temperatura
normal. Esta condicin se debe al hecho de que kT es aproximadamente 1/40 electrnvoltios (temperatura ambiente). En la fig. 1.25B, se muestra adems un mtodo alternativo
para describir la relacin del nivel de energa con respecto a las dos zonas. Aqu, la
densidad de estados en funcin de la energa se grafica para las dos zonas primeras, y se
muestra claramente la separacin entre las dos zonas.
______________________________________________________________________ 29
P.D-S
Fig. 1.25 Cuando la abertura de la energa para los electrones que se mueven en
una sola direccin es grande (como en [A]), puede resultar una abertura en los
niveles de energa entre las zonas (como en [B])
los tomos del metal slo contienen un electrn de valencia simple por tomo. Como los
tomos del metal slo contienen un electrn de valencia simple por tomo, nicamente hay
electrones suficientes para llenar la mitad de la zona primera. Al cero absoluto puede
suponerse que los electrones ocuparn la mitad del fondo de los niveles energticos de la
zona primera. Esto se da a entender en la fig. 1.25B, donde est sombreada la mitad inferior
del rea, representando los estados de energa llenos.
Cuando una zona slo est llena parcialmente, como se muestra en la fig. 1.25, el
slido es un metal normal o conductor elctrico. Para que una corriente elctrica pueda
moverse dentro de un slido, los electrones deben ser capaces de moverse dentro de los
niveles de energa ms altos. Este es ciertamente el caso en el ejemplo presente donde estn
desocupados la mitad de los niveles de energa y cualquier potencial elctrico aplicado
puede ocasionar que se aceleren los electrones dentro de niveles de energa ms altos.
Tambin podemos visualizar la zona parcialmente llena de un conductor metlico en
la forma de la fig. 1.26A, donde el rea circular en el centro de la zona de Brillouin
representa todos los estados de energa llenos. El significado de esta rea es como sigue.
______________________________________________________________________ 30
P.D-S
Recordando que estamos tratando con un ejemplo bidimensional, el crculo muestra que los
electrones poseen todos los valores posibles de k hasta km que corresponden al radio del
crculo y al nivel de Fermi. Como la direccin de un vector k es la misma que la direccin
de movimiento de un electrn, la simetra de la distribucin de los valores de k significa
1.11.
Semiconductores
En la seccin anterior, se mostr que los aisladores poseen zonas llenas separadas
de las zonas desocupadas por aberturas en la energa relativamente grandes. Al mismo
tiempo e indic tambin que si las zonas se sobre imponen (abertura de energa cero) el
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P.D-S
slido tiene las propiedades asociadas normalmente con un metal, aun cuando tiene
electrones suficientes para llenar la primera zona. Los slidos semiconductores representan
un caso intermedio, uno entre estos dos tipos elementales.
Los semiconductores tomarn dos formas bsicas: intrnseca e impura.
aplica un campo elctrico a esta forma de slido, los movimientos sucesivos de los
electrones dentro de los estados desocupados, son influidos por el campo aplicado. En
general, el campo tiende a causar que los electrones se muevan dentro de los estados
vacantes en una direccin tal que contribuya como un elemento de corriente en la direccin
del campo aplicado. Sin embargo, para cada movimiento que hace un electrn dentro de un
agujero en la direccin del campo aplicado, hay un movimiento inverso correspondiente del
estado desocupado o agujero. Por lo tanto, es posible considerar a un agujero en el sentido
de un conductor de carga positiva, porque se mueve en direccin opuesta a la del electrn
cargado negativamente. Con frecuencia, se describe la contribucin de los agujeros en la
banda inferior a la conductividad de un semiconductor en trminos del movimiento de estas
ficticias partculas cargadas en forma positiva.
En un semiconductor intrnseco, la conductividad aumenta con el aumento en la
temperatura porque con ello aumenta el nmero de conductores de carga; el nmero de
electrones que se mueven a la banda superior crece con el aumento de la temperatura. El
nmero de electrones que son excitados trmicamente dentro de la banda superior, o banda
de conduccin como se les llama, vara aproximadamente con un factor de Boltzmann de la
forma e E / kT , donde E es el tamao de la abertura de la energa y k es la constante de
Boltzmann. Esta calse de realcin funcional aparecer en secciones posteriores de este libro
en conexin con cierto nmero de otros fenmenos que ocurren en los metales. Por ahora es
suficiente decir que representa una rpida elevacin en a conductividad con la temperatura.
Adems, debe recordarse que en general las conductividades de los semiconductores son
muy pequeos cuando se les compara con las conductividades de los metales. Solo si kT es
del orden de E podra esperarse que un semiconductor tenga una conductividad
comparable a la de un metal normal, pues si suponemos que E es alrededor de electrnvoltio (un valor razonable para un semiconductor), se requiere una temperatura del orden de
6000 K para hacer kT igual a este valor de E. Esta temperatura, sin embargo, es suficiente
tanto para fundir como para vaporizar todos los elementos conocidos.
Una caracterstica interesante de los semiconductores intrnsecos es que su
conductividad aumenta con el aumento de la temperatura. Esto es opuesto a la variacin de
la conductividad en los metales, donde el aumento en la temperatura decrece la
conductividad. En el caso de conductores metlicos, una red perfecta no deber ofrecer
resistencia al movimiento de los electrones al cero absoluto. A una temperatura elevada, sin
embargo, las vibraciones trmicas de la red cambian constantemente a los electrones de un
estado a otro en los estados cercanos al nivel de Fermi. Esto tiene el efecto de tender a
destruir el movimiento ordenado de los impartido por un campo elctrico y conduce a una
resistencia al flujo de la corriente elctrica. Las vibraciones trmicas, en consecuencia,
aumentan la resistencia de un metal, mientras que la hacen decrecer en un semiconductor.
1.12.
Semiconductores impuros
tienen una estructura de zona similar a la del diamante. Los tamaos en abertura respectivos
son de alrededor de 0,74 electrn voltios para el germanio, 1.10 electrn voltios para el
silicio, y 7 electrn voltios para el diamante. El diamante est calificado como aislador
debido a su gran abertura energtica, mientras que el tamao moderado en las aberturas de
las energas en el silicio y el germanio hace posible clasificar a estos elementos como
semiconductores intrnsecos. A temperatura ambiente, sin embargo, su conductividad
intrnseca es extremadamente baja y slo se vuelve apreciable cuando se les calienta a
temperatura de varios cientos de grados sobre el ambiente. En efecto, la conductividad
asociada normalmente con estos elementos a temperatura ambiente puede considerarse
como debida primordialmente a la presencia de tomos impuros en estos elementos.
un enlace covalente slido debe tener slo un electrn de valencia simple. Partiendo del
concepto de zona, esto tiene el efecto de crear un nivel energtico ms lato en la banda de
valencia. La posicin de este nivel energtico relativo a la banda de valencia se muestra
esquemticamente en la fig. 1.28. La magnitud de la abertura en la energa entre la parte
superior de la banda de valencia y este nivel desocupado, que generalmente se conoce
como un nivel aceptante, se da en la tabla 1.2 para un nmero de elementos trivalentes. La
tabla muestra que la magnitud de las aberturas es alrededor de 0.01 electrn voltios, la cual
es del mismo orden que el valor de kT a temperatura ambiente alrededor de 1/40 electrn
voltios. Como el ltimo da una estimacin de la energa que las vibraciones trmicas
pueden impartir a un electrn, es evidente que la energa trmica puede rpidamente excitar
electrones desde la banda de valencia dentro de los niveles aceptantes a temperatura
ambiente. Cuando esto sucede, se deja un nivel de energa vacante o agujero detrs de la
banda de valencia. Como los agujeros en la banda de valencia son capaces de conducir
corrientes elctricas, la excitacin de electrones dentro de los niveles aceptantes da a los
slidos la habilidad para conducir corriente. Un semiconductor que exhibe conductividad
causada por lo movimientos de los agujeros en la banda de valencia se denomina
semiconductor tipo p, en el supuesto de que se considere a los agujeros como cargas
positivas. Debe indicarse aqu un medio alternativo para que los tomos impuros puedan
contribuir a las propiedades de semiconduccin.
En el germanio
0.0104
0.0102
0.0108
0.0112
En el silicio
0.045
0.057
0.066
0.160
0.0120
0.0127
0.0096
0.044
0.049
0.039
son excitados en gran cantidad a temperatura ambiente dentro de los niveles de la banda de
conduccin. En la banda de conduccin, los electrones excitados dan al material la
habilidad de conducir una corriente elctrica. Los semiconductores, con habilidades
conductoras de corriente debidas primordialmente a la presencia de electrones excitados
desde niveles donadores dentro de la banda de conduccin, se conocen como de tipo n, o
semiconductores negativos.
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P.D-S
Referencias Bibliogrficas
Principios de metalurgia fsica / por Robert E. Reed-Hill ; [tr. por Antonio Galn Patio].
Mxico, D.F.: C.E.C.S.A., 1979.
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P.D-S
Et(n)[eV]
0,529
2,116
4,761
n =2
n =3
n =1
______________________________________________________________________ 40
P.D-S
Fig. 2.2 (a) Un espectro continuo conteniendo todas las longitudes de onda de la luz
visible. (b) El espectro del hidrgeno conteniendo solo unas pocas longitudes de onda
discretas.
______________________________________________________________________ 41
P.D-S
[ ]
______________________________________________________________________ 42
P.D-S
Fig. 2.3 Transiciones electrnicas en el modelo de Bohr para el tomo de hidrgeno. (a) Un
diagrama de niveles de energa para las transiciones electrnicas. (b) Un diagrama de
transicin de orbitales. (c) Los espectros resultantes sobre un plano fotogrfico.
______________________________________________________________________ 43
P.D-S
2.5.
El modelo de Bohr pudo explicar bastante bien el aspecto general del espectro de
hidrgeno. Sin embargo, no lograba explicar el desdoblamiento de ciertas gruesas lneas
espectrales en otras ms finas, bajo efectos de campos elctricos y/o magnticos. Esto llev
a pensar que dentro de cada rbita o capa, descrita por el nmero cuntico principal n, haba
varias posibilidades de energa y no una sola.
As es como Sommerfeld propuso que las rbitas no eran necesariamente circulares, sino
que, en general podan ser elpticas. Cada elipse puede ser caracterizada por un coeficiente
de forma o excentricidad, que corresponde al cuociente entre el dimetro mayor y el
dimetro menor de la elipse. Segn Sommerfeld, los coeficientes de forma de las elipses
posibles para una capa de nmero n dado, estn limitados a ciertos valores dependientes del
segundo nmero cuntico, l; ste ltimo puede tomar valores enteros, segn l = 0, 1, ... (n1).
En particular, l =0 corresponde a un caso extremo de elipse, la circunferencia. El nmero l
resulta de la cuantificacin del momento magntico de la rbita electrnica.
Ese momento magntico se relaciona con la geometra de la rbita que describe la
carga elctrica del electrn.
2.6.
Nomenclatura
Para las capas caracterizadas por el nmero cuntico principal n, y para los sub-niveles o
sub-capas caracterizadas por el nmero l, a menudo se usan letras, segn la tabla que sigue.
______________________________________________________________________ 44
P.D-S
Al moverse un electrn en una rbita, por el hecho de ser una carga elctrica, se
genera un dipolo magntico; bajo los efectos de un campo magntico externo estos dipolos
se orientan. La energa potencial del dipolo magntico en un campo depende de la
orientacin del dipolo respecto de dicho campo. Este nuevo trmino de energa potencial
influye en la posicin de las lneas espectrales. Aprovechando la informacin contenida en
los espectros se pudo deducir que una sub-capa de tipo l poda adoptar 2l + 1 orientaciones
diferentes respecto de un campo externo. De este modo aparece el tercer nmero cuntico o
nmero cuntico magntico m, que da cuenta de otro trmino de energa, asociado a las
orientaciones de las sub-capas y que adopta valores enteros comprendidos entre l y +l.
Finalmente, se determin la existencia de un cuarto nmero cuntico
correspondiente al spin electrnico. Este cuarto nmero se interpret clsicamente como
asociado al movimiento de rotacin del electrn sobre s mismo. El nmero s adopta los
valores de +1/2 y 1/2, valores con los cuales se calcula otro trmino de energa. A menudo
estos dos valores posibles se ilustran por una flecha con una punta hacia arriba y por otra
con la punta hacia abajo.
Cada combinacin diferente de n, l y m corresponde a un nico estado cuntico
llamado un orbital.
El principio de exclusin de Pauli puede expresarse como que dos electrones en un
mismo sistema no pueden tener exactamente la misma energa; de modo equivalente, no
pueden tener los 4 nmeros cunticos iguales. As, de acuerdo a este principio, cada orbital
no puede contener ms de dos electrones. Y a condicin de que estos ltimos tengan spines
opustos.
Ejemplo:
En una capa n = 3, podra haber hasta cuntos electrones?
n=3
l =0
1
2
m = 0 -1,0,+1 -2,-1,0,+1,+2
Total: 9 orbitales, con capacidad de dos electrones cada uno, luego la respuesta es 18
electrones.
2.7.
______________________________________________________________________ 45
P.D-S
______________________________________________________________________ 46
P.D-S
Nodos y energa
Otra caracterstica de la funcin de onda que la distingue de la amplitud de una
cuerda, es que se trata de una funcin tridimensional y, que generalmente, sus nodos (sitios
donde = 0 ), sern superficies en vez de puntos. Las posiciones de estos nodos en torno
del ncleo indican dnde ser nula la probabilidad de encontrar un electrn.
Por otra parte, cuanto mayor sea el nmero de nodos en la funcin de onda de un
electrn, mayor ser su energa. Una aproximacin razonable a la energa del electrn en un
______________________________________________________________________ 47
P.D-S
estado permitido, movindose en torno a una carga positiva unitaria, est dada nuevamente
por la ecuacin de Bohr:
2 2 me 4
13,6
E = 2 2 = 2 [eV ] ,
n h
n
donde m la masa del electrn, e su carga y n es un entero mayor que cero llamado nmero
cuntico principal.
Nmeros cunticos
En contraste con las soluciones del problema de la cuerda vibrante unidimensional,
que estn caracterizados por un conjunto de nmeros cunticos (el nmero de nodos a lo
largo de la cuerda), la solucin de la ecuacin de onda tridimensional debe tener tres
conjuntos de nmeros cunticos, todos ellos enteros. Estos nmeros cunticos dela solucin
de la ecuacin de Schrdinger tiene similar interpretacin y rango que los nmeros
cunticos del modelo de Bohr, ya presentados; por ello, se usa la misma nomenclatura n, l y
m.
El spin asociado al electrn mismo, tambin debe ser considerado en el modelo
moderno.
Orbitales
Cada combinacin diferente de n, l y m corresponde a un nico estado cuntico
llamado orbital. De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli, cada orbital no puede
contener ms que dos electrones y esos dos deben tener spines opuestos (designados
usualmente por un cuarto nmero s, cuyos valores son nicamente +1/2 y 1/2.
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P.D-S
Fig. 2.4 Dos representaciones para los orbitales 1s, 2s y 3s del tomo de hidrgeno.
(a) probabilidad de la distribucin del electrn. (b) superficie que contiene un 90% de la
probabilidad de distribucin del electrn.
Por otra parte, aunque cada uno de los orbitales p dentro de una capa no es
simtrico, ver figura 2.5, se puede demostrar que la suma de los tres orbitales completos p
s lo es. As, si los tres orbitales p de una capa estn completos (con seis electrones), tales
orbitales forman un conjunto de simetra esfrica. Similarmente ocurre con los cinco
orbitales d y con los siete orbitales f.
La geometra de stos.
Para el caso del hidrgeno, los valores de los niveles de energa son muy similares
para ambos modelos. Como ya vimos, si hay diferencias en las geometras de los orbitales.
Consideremos la figura 2.5 donde se destacan algunos resultados cualitativos (correctos)
del modelo Bohr, respecto de la energa de los orbitales. Se observa que, al aumentar n, la
diferencia de energa entre dos capas sucesiva se hace menor y, adems, aumenta la
subdivisin de cada capa de orbitales. Por lo tanto, al aumentar n, se hace ms probable la
superposicin de orbitales, en trminos de energa, de capas con distinto n.
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P.D-S
Et
d
p
s
n=3
p
s
n=2
n=1
forma cualitativa y slo como primera aproximacin, la distribucin relativa de energas del
hidrgeno, sin valores, como un grfico maestro para orientarnos respecto del orden en
energa en el cual se encuentran los orbitales de cualquier elemento, ver figura 2.7. En la
prctica, cuando el Z se hace suficientemente grande, por la posible superposicin de
orbitales de mayor energa, hay que estudiar experimentalmente lo que ocurre para cada
elemento y, de ser posible, hay que calcular con suficiente precisin las energas de los
orbitales elemento a elemento.
6p
5d
6s
4f
5p
5s
4d
4p
E
N
E
R
G
3d
4s
3p
3s
2p
2s
1s
Para Determinar las frmulas electrnicas de los elementos al estado fundamentales,
a menudo es suficiente designar solamente los valores de n y l y el nmero de electrones en
cada nivel l, ver tabla 2.2. En el estado fundamental, por definicin, el conjunto de los
electrones del tomo estn en la condicin de mnima energa. Por ejemplo, (1s)1 representa
al hidrgeno con Z = 1, (1s)2 representa al helio con Z = 2, (1s)2(2s)2(2p)4 al oxgeno con Z
= 8. Obsrvese que los valores permitidos de m y s, determinan cuntos electrones se
requieren para llenar el estado l.
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Referencias Bibliogrficas
Fisicoqumica / Ira N. Levine ; traduccin Angel Gonzlez Urea. Madrid : McGraw-Hill,
1996.
Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales / William F. Smith ; traduccin Alicia
Larena Pellejero. Madrid : McGraw-Hill, 1998.
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P.D-S
Fig. 3.1 (a) Retculo espacial de un slido cristalino ideal. (b) Celdilla unidad
con indicacin de las constantes reticulares.
El ordenamiento atmico en los slidos cristalinos puede representarse asimilando
los tomos a los puntos de interseccin de una red de lneas en tres dimensiones. Tal red se
llama retculo espacial (fig. 3.1a) y puede ser descrita como una disposicin de puntos
tridimensional infinita. Cada punto en la red espacial tiene idntico entorno. En un cristal
ideal, la agrupacin de puntos reticulares alrededor de cualquier punto dado es idntica con
la agrupacin en torno a cualquier otro punto reticular en la red cristalina. Cada red espacial
puede ser descrita de este modo, especificando las posiciones atmicas en una celda unidad
que se repite, tal como la que se ha perfilado en la figura 3.1a. El tamao y la forma de la
celda unidad puede describirse por tres vectores reticulares a, b y c, que se originan a partir
de un vrtice de la celda unidad (fig.3.1b). Las longitudes axiales a, b, y c y los ngulos
inter-axiales , y son las constantes reticulares.
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P.D-S
En el sistema cbico hay tres tipos de celda unidad: cbica sencilla, cbica centrada
en el cuerpo y cbica centrada en las caras. En el sistema ortorrmbico estn representados
los cuatro tipos. En el sistema tetragonal hay slo dos: sencilla y centrada en el cuerpo. La
celda unidad tetragonal centrada en las caras parece que falta, pero se puede formar a partir
de cuatro celdas unidad tetragonales centradas en el cuerpo. El sistema monoclnico tiene
celdas unidad sencilla y centrada en la base, y los sistemas rombodrico, hexagonal y
triclnico tiene slo una celda unidad.
1 mm
1 celda unidad
= 3,48 10 6 celdas unidad
6
0,287 nm 10 mm / nm
octavo de esfera est localizado en cada vrtice de la celda unidad, haciendo el equivalente
de otro tomo. De este modo, hay un total de 1 (en el centro) + 8*1/8 (en los vrtices) = 2
tomos por celda unidad.
TABLA 3.1 CLASIFICACIN DE RETCULOS ESPACIALES EN SISTEMAS
CRISTALINOS
Sistema
Longitudes axiales y
Retculos espaciales
Cristalino
ngulos interaxiales
Cbico
Ejes iguales en ngulos rectos.
Cbico sencillo.
Cbico Centrado en el
a = b = c, = = = 90
cuerpo.
Cbico centrado en las
caras.
Tetragonal sencillo.
Tetragonal
Ejes en ngulos rectos.
a = b c, = = = 90
Tetragonal centrado en el
cuerpo.
Ortorrmbico
Ejes distintos en ngulos rectos.
Ortorrmbico sencillo
a b c, = = = 90
Ortorrmbico centrado en
el cuerpo.
Ortorrmbico centrado en
las bases.
Ortorrmbico centrado en
las caras.
Rombodrico
Ejes iguales inclinados por igual. Rombodrico sencillo.
a = b = c, = = 90
Hexagonal
Ejes iguales a 120 y a 90 con el Hexagonal sencillo.
tercero.
a = b c, = = 90 , = 120
Monoclnico
Ejes distintos, dos de ellos no Monoclnico sencillo.
Monoclnico centrado en
forman ngulo recto.
a b c, = = 90
las bases.
Triclnico
Ejes
distintos
con
distinta Triclnico sencillo.
inclinacin y ninguno en ngulo
recto.
a b c, 90
Los tomos en las celdas BCC contactan entre s a travs de la diagonal del cubo,
segn indican en la figura 3.5, de modo que la relacin entre la longitud de la cara del cubo
a y el radio atmico R es:
3a = 4 R o bien a =
4R
3
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P.D-S
APF =
2a = 4 R o bien a =
4R
2
El APF para la estructura FCC es 0,74 que es mayor que el factor 0,68 de la
estructura BCC. El APF de 0,74 es el mximo posible para empaquetamiento de tomos
esfricos. Muchos metales como Cu, Al, Pb, Ni y Fe a elevadas temperaturas (912 a
1394C) cristalizan segn la estructura FCC. La tabla 3.3 muestra las constantes reticulares
y los radios atmicos para los metales seleccionados con estructura FCC.
La tercera estructura electrnica ms comn es la HCP, mostrada en la figura 3.8.
Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla de la figura 3.2 porque el APF
es demasiado bajo. Los tomos pueden alcanzar una energa ms baja y unas condiciones
ms estables para formar la estructura HCP de la figura 3.8. El APF de esta estructura es
0,74 el mismo que para la estructura FCC, ya que para ambas estructuras los tomos estn
empaquetados de un modo lo ms cercano posible. En ambas estructuras, HCP y FCC, cada
tomo est rodeado de otros 12 tomos y por tanto ambas estructuras tienen un nmero de
coordinacin 12. Las diferencias en el empaquetamiento atmico en las estructuras
cristalinas HCP y FCC sern estudiadas ms adelante.
La celda unidad HCP aislada aparece representada en la figura 3.8c y tiene un
equivalente de seis tomos por celda unidad. Tres tomos forman un tringulo en la capa
intermedia, como se indica por las posiciones atmicas en la figura 3.8a. Existen 6*1/6
secciones de tomos en las capas de arriba y de abajo, haciendo un equivalente de 2 tomos
ms (2*6*1/6 = 2). Finalmente, hay dos mitades de tomos en el centro de ambas capas
superior e inferior, haciendo el equivalente de un tomo ms. El nmero total de tomos en
la estructura HCP es, por tanto, 3 + 2 + 1 = 6.
La relacin de la altura c del prisma hexagonal de la estructura cristalina HCP al
lado de la base a, se llama relacin c/a (fig. 3.8a). La relacin c/a para una estructura
cristalina HCP ideal consistente en esferas uniformes tan prximas como sea posible es
______________________________________________________________________ 58
P.D-S
Fig. 3.2 Las 14 celdillas unidad convencionales de la red de Bravais agrupadas por sistemas
cristalinos. Las esferas indican puntos reticulares que cuando estn situados en las caras o
en los vrtices estn compartidos con otras celdillas unidad reticulares idnticas.
1,633. La tabla 3.4 muestra algunos metales HCP importantes y sus relaciones c/a. De los
metales listados, cinc y cadmio tienen una relacin c/a ms lata de lo ideal, lo que indica
que los tomos en estas estructuras estn ligeramente elongadas a lo largo del eje c en la
celda unidad HCP. Los metales de magnesio, circonio, titanio y berilio tienen relaciones c/a
menores que la relacin ideal. Por tanto, en estos metales los tomos estn ligeramente
comprimidos a lo largo de la direccin del eje c. De este modo, para los metales HCP
listados en la tabla 3.4 se da una cierta cantidad de desviacin del modelo ideal de esferas
rgidas.
______________________________________________________________________ 59
P.D-S
Fig. 3.4 Celdillas unidad BCC; (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;
(c) celdilla unidad aislada.
TABLA 3.2 ALGUNOS METALES CON ESTRUCTURAS CRISTALINAS BCC A
TEMPERATURA AMBIENTE (20C), SUS CONSTANTES RETICULARES Y SUS
RADIOS ATMICOS.
Metal
Constante Reticular (a), nm
Radio atmico R*, nm
Cromo
0.289
0.125
Hierro
0.287
0.124
Molibdeno
0.315
0.136
Potasio
0.533
0.231
Sodio
0.429
0.185
Tntalo
0.330
0.143
Wolframio
0.316
0.137
Vanadio
0.304
0.132
______________________________________________________________________ 60
P.D-S
Fig. 3.5 Celdilla unidad BCC que muestra la relacin entre la constante
de red y el radio atmico.
Fig. 3.6 Celdillas unidad FCC: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;
(c) celdilla unidad aislada.
TABLA 3.3 ALGUNOS METALES CON ESTRUCTURAS FCC A TEMPERATURA
AMBIENTE (20C), SUS CONSTANTES DE RED Y SUS RADIOS ATMICOS.
Metal
Constante de red (a), nm
Radio atmico R*, nm
Aluminio
0.405
0.143
Cobre
0.3615
0.128
Hierro
0.408
0.144
Plomo
0.495
0.175
Nquel
0.352
0.125
Platino
0.393
0.139
Plata
0.409
0.144
______________________________________________________________________ 61
P.D-S
Fig. 3.7 Celdilla unidad FCC que muestra la relacin entre la constante de red y el radio
atmico R. Los tomos contactan a lo largo de las diagonales de las caras 2a = 4 R .
TABLA 3.4 ALGUNOS METALES CON ESTRUCTURA HCP A TEMPERATURA
AMBIENTE (20C), SUS CONSTANTES DE RED, SUS RADIOS ATMICOS
REALACIONALES c/a.
% de variacin
Metal
Constantes de Radio atmico
Relacin
de la relacin
red, nm
R, nm
ideal
a
c
c/a
Cadmio
0.2973 0.5618 0.149
1.89
+15.7
Cinc
0.2665 0.4947 0.133
1.856
+13.6
HCP ideal
1.633
0
Magnesio
0.3209 0.5209 0.160
1.623
-0.66
Cobalto
0.2507 0.4069 0.125
1.623
-0.66
Circonio
0.3231 0.5148 0.160
1.593
-2.45
Titanio
0.2950 0.4683 0.147
1.587
-2.81
Berilio
0.2286 0.3584 0.113
1.586
-3.98
______________________________________________________________________ 62
P.D-S
Fig. 3.8 Celdillas unidad HCP: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;
(c) celdilla unidad aislada.
El tomo central de la unidad celular BCC tiene las coordenadas (1/2,1/2,1/2). Las
posiciones atmicas de la celda unidad que son (0,0,0) y (1/2,1/2,1/2). Las posiciones
atmicas restantes de la celda unidad se suponen comprendidas. De la misma manera, las
posiciones atmicas en la celda unidad FCC pueden ser localizadas.
______________________________________________________________________ 63
P.D-S
Para indicar en un diagrama una direccin en una celda cbica unitaria, dibujamos
un vector de direccin desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cbica)
hasta que sale a la superficie del cubo (fig. 3.10). Las coordenadas de posicin de la celda
unidad donde el vector de direccin sale de la superficie del cubo despus de ser
convertidas a enteros son los ndices de direccin. Los ndices de direccin se encierran
entre corchetes [ ] sin separacin por comas.
Fig. 3.9 (a) Ejes rectangulares x, y, z, para la localizacin de las posiciones atmicas
en celdillas unidad cbicas. (b) Posiciones atmicas en una celdilla unidad BCC.
Por ejemplo, las coordenadas de posicin del vector de direccin OR en la figura
3.10a donde sale de la superficie cbica es (1,0,0) y de este modo los ndices de direccin
para el vector OR son [110]. Las coordenadas de posicin del vector OS (fig. 3.10a) son
(1,1,0) y as los ndices de direccin para OS son [110]. Las coordenadas de posicin para
el vector OT (fig. 3.10b) son (1,1,1) y as los ndices de direccin de OT son [111].
Las letras u,v,w son utilizadas generalmente para ndices de direccin en las
direcciones de los ejes x,y, z respectivamente y se escriben con [u v w]. Es importante
destacar que todos aquellos vectores de direccin paralela tiene los mismos ndices de
direccin.
Las direcciones se dice que son cristalogrficamente equivalentes si los espacios
atmicos a lo largo de cada direccin son los mismos. Por ejemplo, las siguientes
direcciones de una arista del cubo son cristalogrficamente equivalentes:
100
Considrese ahora el plano del cristal cbico mostrado en la figura 3.12 con
intersecciones 1/3, 273, 1. Los recprocos son 3, 3/2,1. Puesto que no estn aplicadas por
______________________________________________________________________ 66
P.D-S
ndices de Miller para ese plano. Por ejemplo, la direccin [100] es perpendicular al plano
cristalino (100).
En estructuras cristalinas cbicas la distancia interplanar entre dos planos paralelos
muy cercanos con los mismos ndices de Miller se designa como d hkl , donde h, k y l son
los ndices de Miller de los planos. Este espaciado representa la distancia desde un origen
elegido contenido en un plano y otro plano paralelo con los mismos ndices que sea muy
cercano a l. Por ejemplo, la distancia entre los planos (110) 1 y 2, d110 , en la figura 3.13
es AB. Tambin la distancia entre los planos (110) 2 y 3 es d110 y su longitud es BC en la
figura 3.13. A partir de conocimientos geomtricos sencillos puede ser mostrado para
estructuras cristalinas que
d hkl =
a
h2 + k 2 + l 2
donde
d hkl : distancia interplanar entre los planos ms cercanos paralelos con ndices de Miller
h, k y l.
Fig. 3.13 Vista superior de una celdilla unidad que muestra la distancia entre planos
cristalinos [110], d100.
______________________________________________________________________ 67
P.D-S
Fig. 3.14 Comparacin de (a) la estructura cristalina FCC mostrando planos (111)
de empaquetamiento compacto y (b) de la estructura HCP mostrando
planos de empaquetamiento compacto (0001).
______________________________________________________________________ 68
P.D-S
Fig. 3.16 Estructura cristalina BCC mostrando: (a) el plano (100); (b) una seccin del
______________________________________________________________________ 70
P.D-S
______________________________________________________________________ 71
P.D-S
origen de la radiacin K y K .
monocromticos de longitud de onda golpea este conjunto de planos con un ngulo tal
que el diagrama de ondas del haz deja los diversos planos en una situacin fuera de fase, no
se producir haz reforzado alguno (fig. 3.20a). De este modo tienen lugar interferencias
destructivas. Si los diagramas de ondas reflejados del haz dejan a los diversos planos de
fase, entonces se producir un reforzamiento del haz o interferencia constructiva (fig.
3.20b).
Consideremos a los rayos X incidentes 1 y 2 como se indican en la figura 3.20c.
Para que estos rayos estn en la fase, la distancia extra de recorrido del rayo 2 es igual a MP
+ Pn, que debe ser un nmero entero de longitudes de onda . De este modo,
n = MP + PN
donde
n = 2d hkl sen
Esta ecuacin, conocida como Ley de Bragg establece la posicin entre las posiciones
angulares de los haces difractados reforzados en trminos de longitud de onda de la
= 2d hkl sen
Ejemplo
Una muestra de Fe BCC colada en un difractmetro es sometida a rayos X incidentes con
una longitud de onda = 0,154 nm . Se obtiene difraccin de los planos
{110} a 2 = 44,704 . Calcular un valor para la constante de red a del hierro BCC.
(Considrese una difraccin de primer orden con n = 1)
Solucin:
2 = 44,704 = 22,35
= 2d hkl sen
d110 =
2 sen
0,1541 nm
= 0,2036 nm
2(0,3803)
______________________________________________________________________ 73
P.D-S
a = d hkl h 2 + k 2 + l 2
de este modo,
d hkl =
a
h2 + k 2 + l 2
______________________________________________________________________ 74
P.D-S
Fig. 3.20 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal. (a) Para ngulos
arbitrarios de incidencia no se produce reflexin alguna. (b) Para el ngulo de Bragg los
rayos reflejados estn en la fase y se refuerzan mutuamente. (c) Similar a (b) con la
excepcin de que se ha omitido la representacin de la onda.
con la ecuacin de Bragg = 2dsen , obteniendo
2a sen
h2 + k 2 + l 2
Esta ecuacin puede ser utilizada con los datos de difraccin de rayos X para
determinar si una estructura cristalina es cbica centrada en el cuerpo o cbica centrad en
las caras. Para emplear la ecuacin anterior, en el anlisis de difraccin, debemos saber que
planos del cristal son los planos de difraccin para cada tipo de estructura cristalina. Para la
______________________________________________________________________ 75
P.D-S
red cbica simple, son posibles reflexiones desde todos los planos (hkl). Sin embargo para
la estructura BCC la difraccin ocurre slo sobre los planos cuyos ndices de Miller
sumados (h + k + l ) nos da un nmero par (tabla 3.7). En el caso de la estructura cristalina
FCC, los planos principales de difraccin son aquellos cuyos ndices de Miller son todos
pares o todos impares (cero es considerado par). De este modo, para la estructura cristalina
FCC, los planos difractantes son {111}, {200}, {220}, ...etc., que estn enumerados en la tabla
3.7.
sen =
2
2 (h 2 + k 2 + l 2 )
4a 2
(
(
sen 2 A
h2 A + k 2 A + l 2 A
= 2
sen 2 B
h A + k 2B + l 2B
)
)
donde A y B son dos ngulos de difraccin asociados con los planos principales de
difraccin {hAkAlA} y {hBkBlB} respectivamente.
______________________________________________________________________ 76
P.D-S
Fig. 3.22 Ilustracin esquemtica del mtodo del difractmetro de anlisis cristalino y de
las condiciones necesarias para la difraccin.
Para la estructura cristalina BCC las dos primeras series de planos difractantes son
los planos {110} y {200} (Tabla 3.7). Sustituyendo los ndices de Miller {hkl} de estos
planos en la ecuacin 3.13 se obtiene
(
(
)
)
12 + 12 + 0 2
sen 2 A
= 2
= 0,5
2 + 02 + 02
sen 2 B
De este modo, si la estructura cristalina del metal cbico desconocido es BCC la
relacin entre los valores de sen2 correspondientes a los dos primero planos principales de
difraccin ser 0,5.
Para la estructura cristalina FCC las dos primeras series de planos difractantes son
los planos {111} y {200} (Tabal 3.7). Sustituyendo los ndices de Miller {hkl} de estos
planos en la ecuacin 3.13 se obtiene
(
(
)
)
12 + 12 + 12
sen 2 A
= 2
= 0,75
2 + 02 + 02
sen 2 n
______________________________________________________________________ 77
P.D-S
______________________________________________________________________ 78
P.D-S
Referencias Bibliogrficas
Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales / William F. Smith ; traduccin Alicia
Larena Pellejero. Madrid: McGraw-Hill, 1998.
Introduccin a la ciencia e ingeniera de los materiales / William D. Callister. Barcelona:
Editorial Revert, S.A., 1995-2001.
______________________________________________________________________ 79
P.D-S
dice que el cristal experimenta un deslizamiento, las marcas visibles sobre la superficie se
denominan lneas de deslizamiento, o huellas de deslizamiento, y el plano cristalogrfico
sobre el cul ha ocurrido el cizallado se llama plano de deslizamiento.
Fig. 4.3 (A) Vista esquemtica aumentada de lneas de deslizamiento (vista lateral). (B)
Vista esquemtica aumentada de lneas de deslizamiento (vista frontal)
a
1
2a 2
Fig. 4.5 El punto de caballete para el corte de un plano de tomos sobre otro.
En donde es la deformacin por esfuerzo cortante. En un cristal perfectamente elstico,
la relacin del esfuerzo cortante a la deformacin por cizallamiento es igual al mdulo de
corte:
S s = G
2.5 10 6
Ss =
10 6
2
lb/plg2
106
10000
10 2
En otras palabras, el cristal se deforma plsticamente a tensiones de 1/10000 de su
resistencia terica. De manera similar ocurre con otros metales, los cristales reales se
deforman a pequeas fracciones de su resistencias tericas (1/1000 a 1/10000).
______________________________________________________________________ 82
P.D-S
4.2. Dislocaciones
La explicacin de la discrepancia entre las cargas de deformacin aparente y real descansa
en el hecho de que los cristales reales no son perfectos sino que contienen defectos. El tipo
de defecto que hace posible una explicacin del bajo lmite elstico de los cristales se
denominan dislocacin. Hay dos orientaciones bsicas en una dislocacin la de borde y
la helicoidal. En la Fig. 4.7 se muestra esquemticamente una dislocacin de borde en un
cristal cbico simple. La lnea SP representa el plano de deslizamiento del cristal. Las
lneas de trazos se dibujaron para representar planos cristalinos normales al plano de
deslizamiento. El plano marcado a en la parte superior del dibujo termina en el plano b
sobre el plano de deslizamiento mientras que los planos a los lados de a van continuamente
desde la parte superior hasta la inferior de la figura. En un caso como este, donde un plano
reticular termina dentro de un cristal, el resultado es una dislocacin de borde. Debe
observarse que la dislocacin de la Fig. 4.7 representa un defecto que corre completamente
a travs del cristal, desde la parte delantera hasta la posterior.
La Fig. 4.8 ilustra cmo se mueve la dislocacin anterior a travs del cristal bajo un
esfuerzo de corte aplicado que se indica por los vectores SS. Como resultado del esfuerzo
aplicado, el tomo c puede moverse a la posicin marcada c en la Fig. 4.8B. Si lo hiciese,
la dislocacin se movera una distancia atmica hacia la izquierda.
______________________________________________________________________ 83
P.D-S
Fig. 4.8 Tres estados en el movimiento de una dislocacin de borde a travs de un cristal.
El plano x, en la parte superior de la figura, corre ahora continuamente de arriba hasta el
fondo del cristal, mientras que el plano y termina abruptamente en el plano deslizante. La
aplicacin continuada del esfuerzo causar que la dislocacin se mueva a pasos repetidos a
lo largo del plano de deslizamiento del cristal. El resultado final es que el cristal se corta a
travs del de deslizamiento por una distancia atmica, como se muestra en la Fig. 4.8C.
Cada paso en el movimiento de la dislocacin, como puede verse en la Fig. 4.8A y B,
requiere slo una ligera redisposicin de los tomos en la vecindad del plano extra. Como
resultado, una fuerza muy pequea mover una dislocacin. Clculos tericos muestran que
esta fuerza es de la magnitud correcta que motiva la bajas cargas de deformacin de los
cristales.
Las dislocaciones fueron admitidas originalmente como postulados porque eran capaces de
explicar el bajo lmite elstico aparente de los metales, y por muchos aos no hubo
evidencia experimental independiente que probase su existencia. En los ltimos aos, sin
embargo, se han hecho experimentos que prueban la existencia de las dislocaciones ms
all de una duda razonable.
El movimiento de una dislocacin simple a travs de un cristal produce un escaln sobre la
superficie cuya profundidad es de una distancia atmica. Como una distancia atmica en
una cristal metlico es del orden de unas cuantas unidades ngstrom, tal escaln no ser
visible a cierta vista. Para poder producir una lnea de deslizamiento visible se deberan
producir muchos cientos o miles de dislocaciones a travs de un plano de deslizamiento.
Inmediatamente se proporcionar un mecanismo para mostrar cmo es posible producir
este nmero de dislocaciones sobre un plano de deslizamiento simple dentro de un cristal.
Primero, sin embargo, es necesario definir una dislocacin helicoidal, la cual se muestra
esquemticamente en la Fig. 4.9A, donde puede considerarse que cada pequeo cubo
representa un tomo. La Fig. 4.9B representa al mismo cristal con la posicin de la lnea de
dislocacin marcada por la lnea DC. El plano ABCD es el plano de deslizamiento. La parte
frontal superior del cristal ha sido cizallada por una distancia atmica a la izquierda relativa
______________________________________________________________________ 84
P.D-S
a la porcin frontal inferior. La definicin helicoidal para este defecto reticular se deriva
del hecho de que los planos reticulares del cristal forman una espiral en la lnea de
dislocacin DC. Esta afirmacin se puede probar comenzando en el punto x en la Fig. 4.9A,
siguiendo entonces hacia arriba y alrededor del cristal en direccin de las flechas. Un
circuito del cristal termina en el punto y; los circuitos continuados terminarn finalmente en
el punto z.
______________________________________________________________________ 85
P.D-S
Fig. 4.10 Sentidos en que se mueven las cuatro orientaciones bsicas de una dislocacin
bajo la misma carga aplicada: (A) Borde positivo, (B) Borde negativo, (C) Helicoidal a la
izquierda, y (D) Helicoidal a la derecha.
Tambin es posible para los cuatro bordes de un plano incompleto quedar en el interior de
un cristal, formando una dislocacin compacta de cuatro lados en los lmites del plano.
Adems, una dislocacin que es de borde en una orientacin puede cambiar a helicoidal en
otra orientacin como se ilustra la en la Fig. 4.12. La Fig. 4.13 muestra la misma
dislocacin vista desde arriba. Los crculos representan a los tomos justamente debajo del
plano de deslizamiento. Obsrvese que la red est cizallada por una distancia atmica en la
regin del cuarto inferior derecho de la figura confinada por los segmentos de dislocacin.
Finalmente, una dislocacin no necesita ser puramente helicoidal o de borde, sino que
puede tener orientaciones intermedias a ambas. Este hecho significa que las lneas de
dislocacin no tienen que ser rectas, sino que pueden ser curvas.
______________________________________________________________________ 86
P.D-S
Fig. 4.11 Las dislocaciones pueden variar en direccin. Este plano extra sombreado
forma una dislocacin con componentes de borde a y b.
esfuerzo de corte aplicado. (Sin embargo, se movern bajo un esfuerzo cortante aplicando a
la parte frontal y trasera del cristal). Como el segmento de dislocacin xy es borde positivo,
el esfuerzo SS tender a moverlo hacia la izquierda.
puntos x e y donde est en posicin de repetir el ciclo. En esta forma, muchos anillos de
dislocacin pueden ser generados sobre el mismo plano de deslizamiento, y puede ser
producido un corte lo suficientemente grande para que explique el gran tamao de las lneas
de deslizamiento observadas. Un generador de dislocaciones de este tipo recibe el nombre
de foco de Frank-Read.
Dash, W. C., Dislocations and Mechanical Properties of Crystals, John Wiley and Sons, Inc., 1957. 57.
______________________________________________________________________ 89
P.D-S
plsticos a esta temperatura. En esta forma, con una pequea tensin ( 700 a 1000 lb/plg2)
aplicada durante un corto periodo de tiempo, se pueden formar en ellos dislocaciones en
corto nmero controlado.
Fig. 4.20 Las grandes picaduras cuadradas del ataque qumico en filas horizontales
corresponden a dislocaciones formadas en el LiF a temperaturas ambiente, en tanto
que las picaduras ms pequeas, con un espaciado ms angosto, que se observan
en filas curvadas, crecieron dentro del cristal cuando ste se fabric.
Uno de los mejores y ms simples medios de observar dislocaciones en los cristales, es por
medio del uso de un reactivo de ataque, que forme una picadura sobre la superficie del
cristal en cada punto donde una dislocacin intercepte la superficie del cristal. Este mtodo
no est exento de dificultades porque a menudo no hay medio de saber si el ataque qumico
revela todas las dislocaciones, o si alguna de las picaduras se deben a otros defectos. En el
fluoruro de litio, el mtodo de la picadura por ataque qumico parece ser bastante seguro.
Se han desarrollado varias soluciones de ataque para ser empleadas en el LiF, una de las
cuales es capaz de distinguir entre dislocaciones de crecimiento interno y dislocaciones de
nueva formacin. En la Fig. 4.20 puede verse la accin de esta solucin. Las grandes
picaduras cuadradas que corren en dos filas horizontales estn asociadas con las
dislocaciones de una nueva formacin. Las filas horizontales definen la intercepcin del
plano de deslizamiento de estas dislocaciones con la superficie. Adems de las grandes
picaduras, hay dos filas de interseccin curvadas de pequeas picaduras estrechamente
espaciadas. Esta ltimas delinean lo que se conoce como lmite de grano de ngulo
pequeo. Los lmites consisten realmente en cierto nmero de dislocaciones estrechamente
espaciadas. Debe observarse que la solucin de ataque mencionada forma grandes
picaduras en las dislocaciones nuevas y pequeas picaduras en las dislocaciones de la red.
La razn para esta habilidad del ataque para distinguir entre estos dos tipos de dislocaciones
en la red no se comprende, pero puede ser relacionada con el hecho de que los tomos de
impureza tienden a reunirse alrededor de las dislocaciones. Esta segregacin de los tomos
de impureza no puede ocurrir normalmente en un periodo de tiempo razonable a bajas
temperaturas, porque los tomos del slido no se difunden o mueven con la suficiente
______________________________________________________________________ 90
P.D-S
rapidez a bajas temperaturas para permitirles reunirse alrededor de las dislocaciones. Sin
embargo, a temperaturas ms elevadas, el movimiento de los tomos de impureza hacia las
dislocaciones puede ocurrir con bastante rapidez. As, las dislocaciones que fueron
formadas a temperaturas elevadas tienen mayor probabilidad de tener tomos de impureza
tensiones de corte estimadas en tanto como 110000 lb/plg2 (7733 kg/cm2) y sin embargo no
crear todava dislocaciones. Esta tensin, debe observarse, es ms de cien veces mayor que
la tensin requerida normalmente para causar fluencia en este material. Se cree adems, que
an esta elevada tensin, que estaba limitada por dificultades experimentales debidas a la
rotura de la bola de cristal, no define el esfuerzo requerido para nuclear homogneamente
dislocaciones en el LiF. Resulta claro que la nucleacin de las dislocaciones por un
esfuerzo sin ayuda es muy difcil, a cualquier grado. Debido a que la carga de deformacin,
o el esfuerzo al que comienzan a moverse normalmente las dislocaciones, es mucho menor
que el requerido para nuclear homogneamente las dislocaciones, es claro que la mayora
de las dislocaciones deben ser nucleadas en forma heterognea. La conclusin de Gilman es
que en el LiF pequeas heterogeneidades extraas ocasionan la mayor parte de la
nucleacin de la dislocacin. Las ms importantes de stas son probablemente pequeas
partculas de impureza. Se ha obtenido realmente evidencia experimental para la formacin
de dislocaciones en las inclusiones de los cristales de LiF. Sin embargo, no se conoce el
mecanismo por el cual las inclusiones extraas nuclean a estos anillos de dislocacin.
Otro aspecto muy importante del trabajo sobre el LiF es que ha demostrado que las
dislocaciones en movimiento pueden nuclear otras dislocaciones. Considrese la Fig. 4.22
donde el dibujo superior representa a un cristal con una dislocacin simple que queda en el
plano de deslizamiento, delineado por el rayado. La aplicacin de un esfuerzo al cristal
ocasiona que el anillo se expanda, y, al mismo tiempo, aparezcan nuevas dislocaciones
dentro del anillo original, como se muestra en el diagrama inferior. Bajo la aplicacin de un
esfuerzo continuado, el anillo original se expande a la superficie, en tanto que los anillos
internos crecen y nuclean an a otros anillos. Este procesos desarrolla primero una estrecha
banda de deslizamiento que posteriormente crece en anchura segn se nuclean las
dislocaciones sobre planos de deslizamiento adyacentes. El ltimo resultado es la
formacin de una banda de deslizamiento (un grupo de lneas de deslizamiento con un
espaciamiento muy pequeo). En la Fig. 4.23 se muestran varios juegos de estas bandas.
El cuadro de Gilman y sus asociados han producido para el proceso de deslizamiento en el
LiF es algo diferente del basado sobre el concepto de los focos de Frank-Read. En el LiF se
ha mostrado que las dislocaciones se forman heterognemente en las discontinuidades de la
red. Las ltimas son de ordinario partculas de impureza incorporadas dentro del cristal.
Los anillos de dislocacin que se forman de esta manera se expanden bajo la accin de una
carga aplicada y, en su crecimiento, nuclean otras dislocaciones por medio de un
mecanismo desconocido. Este mecanismo multiplicador de dislocaciones produce primero
lneas estrechas de deslizamiento que crecen hasta formar bandas de deslizamiento, las
Figura 4.22
cuales, a su vez, pueden expandirse hasta cubrir todo el cristal. No se ha determinado si un
mtodo idntico es vlido o no para el desarrollo de las lneas o bandas de deslizamiento
______________________________________________________________________ 92
P.D-S
______________________________________________________________________ 93
P.D-S
Sx =
My
I
en donde y es la distancia vertical medida desde el eje neutral del cristal (lnea de centro
horizontal), M es el momento de flexin, e I el momento de inercia de la seccin transversal
del cristal ( r 4 / 4 para cristales de seccin transversal circular). La Fig. 4.24B muestra la
distribucin de esfuerzos que vara uniformemente desde un esfuerzo de compresin
mximo en la superficie superior, a cero en el eje neutral, y a un esfuerzo de tensin
mximo en la superficie inferior. La Fig. 4.25 representa al mismo cristal en el que se
supone que la lnea mn representa el trazo de un plano de deslizamiento. La curvatura del
cristal no se muestra, para simplificar la figura. Por conveniencia, se supone tambin que el
plano de deslizamiento es perpendicular al plano del papel y que la lnea mn es tambin la
direccin de deslizamiento. Los vectores horizontales asociados con la lnea mn representan
la misma distribucin de esfuerzos que en la Fig. 4.24B. La Fig. 4.25 muestra tambin, a lo
largo de la lnea op, el componente de esfuerzo cortante (paralelo al plano de
deslizamiento) de la distribucin de esfuerzos. Obsrvese que el sentido del esfuerzo
cortante cambia su signo segn cruza el eje neutral. Adems el esfuerzo cortantes cero en el
eje neutral y llega a un mximo en los extremos del plano de deslizamiento. Debido a la
distribucin del esfuerzo cortante, los primeros anillos de dislocacin se formarn en los
______________________________________________________________________ 94
P.D-S
Fig. 4.24 (A) Deformacin elstica de un cristal sometido a dos momentos iguales (M)
aplicados a sus extremos. (B) Distribucin normal de esfuerzos sobre un seccin
transversal tal como aa.
focos de Frank-Read o en otros cerca de las superficies inferior y superior. La forma en que
se mueven estos anillos de dislocacin, sin embargo, depende de si la dislocacin queda
sobre o por debajo del eje neutral de la probeta. En ambos casos, las componentes de borde
positivos de todos los anillos de dislocacin se mueven hacia la superficie, mientras que las
componentes de borde negativos se mueven hacia el eje neutral de la probeta. (Vase la
Fig. 4.26). Las dislocaciones de borde negativas se mueven hacia una regin de esfuerzo
cortante decreciente y eventualmente deben parar. Las dislocaciones de borde positivas, por
otra parte, estn en una regin de esfuerzos elevados, como son los componentes
helicoidales de mano izquierda y de derecha de cada anillo de dislocacin. Los tres ltimos
componentes (borde positivo y helicoidales derecho e izquierdo) se puede suponer que se
las dislocaciones del mismo tipo y signo se repelen mutuamente si quedan sobre el mismo
plano de deslizamiento. La Fig. 4.27 ilustra la naturaleza general de la distribucin de
dislocaciones. La seccin estrecha al eje neutral se presenta libre de dislocaciones, de
acuerdo con el hecho de que esta regin, bajo esfuerzos de flexin moderados, no sufrir
esfuerzos sobre el lmite elstico, con lo que la deformacin ser elstica y no plstica.
Ahora, cada dislocacin de borde negativa de una secuencia que queda sobre un plano de
deslizamiento dado representa un plano extra que termina en el plano de deslizamiento.
Cada uno de estos planos queda sobre la izquierda de su plano de deslizamiento. Para poder
mismo signo sobre planos de deslizamiento del cristal. Entre stas hay alabeamientos,
planos de flexin, y bandas de deformacin. Una descripcin detallada de lo ltimo
sobrepasa el intento del presente texto, pero el hecho de que se observen con frecuencia
puntualiza el hecho de que la flexin plstica de los cristales metlicos es un importante
mecanismo de deformacin.
______________________________________________________________________ 98
P.D-S
______________________________________________________________________ 99
P.D-S
Fig. 4.32 Dos sentidos en los cuales puede ser cortada una red cbica simple mientras
todava mantiene la simetra reticular; (A) El cristal antes del corte, (B) Corte en una
direccin compacta, y (C) Corte en una direccin no compacta.
Para poder explicar este punto con mayor claridad, consideremos un modelo de bola dura
de una estructura cristalina cbica simple. La lnea mn de la Fig. 4.32A es una direccin
compacta. En la Fig. 4.32B, la mitad superior de la red ha sido cortada a la derecha por a, la
distancia atmica en direccin mn. El corte, por supuesto, no ha cambiado la estructura
cristalina. Considrese ahora una direccin que no sea compacta elegida arbitrariamente,
tal como qr en la Fig. 4.32A. La Fig. 4.32C muestra que un corte de c (la distancia entre
centros de tomos en esta direccin) preserva tambin la red. Sin embargo, c es mayor que
a (c = 1,414a). Adems, c y a igualan los respectivos tamaos de los vectores de Burgers
de la dislocacin capaz de producir los dos cortes. La dislocacin correspondiente al corte
en la direccin compacta tiene as el vector de Burgers ms pequeo. Sin embargo, la
distorsin reticular y la energa de deformacin asociada con una dislocacin son funciones
del tamao del vector de Burgers, y ha sido demostrado por Frank que la energa de
deformacin vara directamente con el cuadrado del vector de Burgers. En el caso presente,
la energa de deformacin de una dislocacin del vector de Burgers c es el doble de una
dislocacin del vector de Burgers a [esto es, c2 = 1,4142a2]. En esta forma, una dislocacin
con un vector de Burgers igual al espaciamiento de los tomos en una direccin compacta
sera nica, y poseera la menor energa de deformacin de todas las dislocaciones cuyo
movimiento a travs del cristal no perturba la estructura cristalina. El hecho de que posea la
menor energa de deformacin deber hacer a esta forma de dislocacin mucho ms
probable que las formas de energa de deformacin ms elevada. Tambin deber tomarse
en cuenta el hecho observando experimentalmente que la direccin de deslizamiento en los
cristales es casi siempre una direccin compacta.
______________________________________________________________________ 100
P.D-S
Fig. 4.33 Las tres direcciones de deslizamiento en un plano compacto. Obsrvese que
este tipo de plano ocurre tanto en la red hexagonal compacta como en la cbica
centrada en las caras.
sA =
fn
f
= n cos
Asp An
s A = s A cos =
fn
cos cos
An
ss = sn cos cos
______________________________________________________________________ 102
P.D-S
Fig. 4.35 El lmite elstico en tensin para cristales simples de magnesio con orientaciones
diferentes. Las abscisas son valores de la funcin coscos. La curva suave es para una
constante supuesta del esfuerzo cizallante crtico determinado de 63 lb/plg2 (4.42 kg/cm2)
La ordenada para esta curva es el esfuerzo de tensin al cul se observ la cedencia,
mientras que las abcisas dan los valores correspondientes de la funcin coscos. Se traz
una curva suave a travs de los datos correspondientes a una carga de deformacin
constante (esfuerzo cizallante) de 44 g/mm2 (62 lb/plg2). Los puntos experimentales caen
sobre esta curva con precisin extraordinaria.
El esfuerzo cizallante crtico determinado para deslizamiento sobre un tipo de plano dado
es notablemente constante para cristales de la misma composicin y tratamiento previo. Sin
embargo, el esfuerzo cizallante crtico resuelto es sensible a los cambios en la composicin
y manejo. Generalmente, cunto ms puro es el metal ms baja ser la carga de
deformacin, como puede verse con bastante claridad en las curvas de la Fig. 4.36 para
cristales simples de plata y cobre. Los datos de la plata en particular muestran que
______________________________________________________________________ 103
P.D-S
4.10.
Fig. 4.37 Efecto de la temperatura sobre el esfuerzo cizallante crtico. Nota: Los datos sobre
los que estn basadas estas curvas son anteriores a la Tabla 4.2. Los esfuerzos crticos ms
elevados en este caso corresponden a cristales de pureza inferior.
4.11.
Metales Cbicos Centrados en las Caras. Las direcciones compactas son las <110> en la
estructura cbica centrada en las caras. Estas son direcciones que corren diagonalmente a
travs de las caras de la celda unitaria. La Fig. 4.33 muestra un segmento de un plano
compacto. En la red cbica centrada en las caras hay cuatro de estos planos, llamados
planos octadricos, con ndices (111), (1-11), (11-1) y (-111). Cada plano octadrico
contiene tres direcciones compactas, como se puede ver en la Fig. 4.33, y, en consecuencia,
el nmero total de sistemas octadricos de deslizamiento es de 43 = 12. El nmero de
sistemas octadricos de deslizamiento puede ser calculado tambin en forma diferente. Hay
6 direcciones <110> y, como cada direccin compacta queda en dos planos octadricos, el
nmero de sistemas de deslizamiento es, por tanto, doce.
______________________________________________________________________ 104
P.D-S
______________________________________________________________________ 105
P.D-S
Fig. 4.38 Curvas de esfuerzo-deformacin tpicas de los cristales cbicos simples centrados
en las caras. La curva a corresponde a la deformacin por corrimiento mltiple despus de
un perodo de deslizamiento simple (corrimiento fcil).
de deformacin, tiene una inclinacin ms pronunciada y el cristal aumenta en resistencia
rpidamente con el incremento de deformacin. En esta regin, cesa el deslizamiento sobre
un plano simple, comenzando los corrimientos mltiples sobre planos de deslizamiento
intersectantes que aumentan el endurecimiento de la deformacin.
La regin 1 de la curva b, donde ocurre el deslizamiento sobre un plano simple, se conoce
como la regin de corrimiento fcil. La extensin de esta regin de corrimiento fcil
depende de varios factores, entre los cuales est el tamao de la probeta y la pureza del
metal. Cuando el dimetro de la seccin transversal de una probeta cristalina es grande, o el
metal es muy puro, la regin de corrimiento fcil tiende a desaparecer. En cualquier caso, la
regin de corrimiento fcil, o deslizamiento simple, raramente excede las deformaciones de
varios porcentajes en los cristales cbicos de centrado en las caras, y, para cualquier
propsito prctico, puede suponerse que estos metales se deforman por corrimientos
mltiples sobre cierto nmero de sistemas octadricos. Esta deformacin es especialmente
cierta en el caso de los metales cbicos de centrado en las caras policristalinos.
Las propiedades plsticas de los metales cbicos de centrado en las caras son las siguientes:
los bajos esfuerzos cizallantes crticos determinados para el deslizamiento sobre los planos
octadricos significan que la deformacin plstica de estos metales comienza a bajos
niveles de deformacin. Sin embargo, los deslizamientos mltiples sobre planos de
deslizamiento intersectantes ocasionan una rpida resistencia debido al endurecimiento por
deformacin segn prosigue sta.
Metales Hexagonales. Como el plano basal de los cristales hexagonales compactos y el
plano octadrico {111} de la red cbica centrada en las caras tienen una disposicin de
tomos idntica, debe esperarse que el deslizamiento sobre el plano basal de los metales
hexagonales ocurra tan fcilmente como el deslizamiento sobre los planos octadricos de
los metales cbicos de centrado en las caras. En el caso de los tres metales hexagonales,
cinc, cadmio, y magnesio, este es realmente el caso. La Tabla 4.2 enlista el esfuerzo de
tensin cizallante crticos determinado para el deslizamiento basal de esto metales medido a
temperatura ambiente. Los ndices hexagonales de Miller del plano basal son (0001), y las
direcciones compactas, o de deslizamiento, son <11-20>.
La Tabla 4.2 confirma en forma definitiva que la deformacin plstica por deslizamiento
basal en estos tres metales hexagonales comienza a esfuerzos del mismo orden de magnitud
______________________________________________________________________ 106
P.D-S
que los requeridos para comenzar el deslizamiento en los metales cbicos de centrado en
las caras.
TABLA 4.2 ESFUERZO CIZALLANTE
DESLIZAMIENTO BASAL.
Metal
Pureza
Cinc
99.999
99.999
99.99
CRITICO
DETERMINADO
Sistema de
deslizamiento
{111}<110>
{111}<110>
{111}<110>
PARA
Esfuerzo cizallante
crtico determinado
lb/plg2
92
54
132
Otros dos metales de inters son el titanio y el berilio en los cuales el esfuerzo cizallante
crtico determinado a temperatura ambiente para deslizamiento basal es muy elevado
(aproximadamente 16000 lb/plg2 1125 kg/cm2 en el caso del titanio, y 5700 lb/plg2
401 kg/cm2). En consecuencia, el ltimo plano es el plano de deslizamiento preferido en el
titanio. El deslizamiento basal del zirconio, otro metal tambin hexagonal, no ha sido
observado hasta tal punto. Parece que el deslizamiento ocurre primordialmente sobre
sistemas de deslizamiento {10-10} <11-20>. El esfuerzo cizallante crtico para esta forma
de deslizamiento es alrededor de 900 lb/plg2 (499 kg/cm2). La pregunta que se presenta
ahora es cmo se pueden explicar las diferencias en el comportamiento al deslizamiento del
magnesio, cinc, y cadmio, por una parte, y las de berilio, titanio, y zirconio por la otra. No
se tiene a mano una completa solucin a este problema, pero lo siguiente est relacionado
sin duda con este efecto.
La Fig. 1.14 del Cap. 1 muestra la celda unitaria de la red hexagonal. En esta figura, la
distancia a es igual a la distancia entre los tomos en el plano basal, en tanto que c es la
distancia vertical entre tomos en cualquier otro plano basal. La relacin c/2a es, por tanto,
una medida sin dimensin determinada del espaciamiento entre planos basales. Si los
tomos de los metales hexagonales fuesen realmente de forma esfrica, la relacin c/2a
sera la misma en todos los casos 80,816). La Tabla 4.3, sin embargo, muestra que este
valor no es el mismo, sino que vara desde 0,943 en el caso del cadmio a 0,793 en el del
berilio. nicamente el magnesio tiene un tomo que se acerca a la forma esfrica
verdadera, c/2a = 0,812. El cadmio y el cinc tienen una separacin de plano basal ms
grande que la de esferas compactas, mientras que el berilio, titanio y zirconio tienen una
similar. Es significativo que los metales hexagonales con separaciones pequeas entre los
planos basales sean aquellos con esfuerzos cizallantes crticos muy altos para deslizamiento
basal.
Ti
Be
0.794
0.793
nicamente en varios porcentajes, puede exceder valores del cien por ciento. De hecho, es
bastante posible estirar un cristal de magnesio en forma de listn cuatro a seis veces su
longitud original.
La gran plasticidad de los cristales simples de estos tres metales hexagonales no se
transporta a su forma policristalina. El magnesio, cinc, o cadmio policristalinos tiene baja
ductilidad. En los prrafos anteriores se seal que la gran ductilidad de los cristales
simples se debe al hecho de que el deslizamiento ocurre sobre un plano cristalogrfico
simple. Sin embargo, en el material policristalino, la deformacin plstica es mucho ms
complicada que en los cristales simples. Cada cristal debe experimentar una deformacin
que le permita conformarse a los cambios de forma de sus vecinos. Los cristales con slo
un plano de deslizamiento simple, no tienen el grado de plasticidad suficiente para
deformaciones extensas bajo las condiciones que ocurren en los metales policristalinos.
Cristales Cbicos Centrados en el Cuerpo. Los cristales cbicos centrados en el cuerpo se
caracterizan por cuatro direcciones compactas, las direcciones <111>, y por la carencia de
un verdadero plano compacto como el octadrico de la red cbica centrada en las caras, o
por el plano basal de la red hexagonal. La Fig. 4.40 muestra un modelo de bola dura del
plano (110) cbico centrado en el cuerpo, el plano ms compacto en esta red. En este plano
hay dos direcciones compactas, la [-111] y la [1-11]. Una comparacin de la Fig. 4.40 y la
Fig. 4.33 (plano octadrico cbico de centrado en las caras) confirma el hecho de que los
planos {110} cbicos de centrado en el cuerpo no son planos de los ms compactos.
______________________________________________________________________ 109
P.D-S
______________________________________________________________________ 110
P.D-S
Fig. 5.2 Deslizamiento transversal en magnesio. Las huellas del plano de deslizamiento
vertical corresponden al plano prismtico{1010}, mientras que las huellas del plano de
deslizamiento horizontal
Durante el deslizamiento transversal las dislocaciones que producen la deformacin deben,
desplazarse de un plano de deslizamiento al otro. En el ejemplo anterior, las dislocaciones
se mueven desde el plano prismtico al plano basal y de vuelta al plano prismtico. El
desplazamiento real de la dislocacin desde un plano a otro slo puede producirse por una
dislocacin en la orientacin helicoidal. Las dislocaciones de borde, como se indic al
principio, tienen sus vectores de Burgers normales a sus lneas de dislocacin. Como el
plano de deslizamiento activo debe contener el vector de Burgers y a la lnea de
dislocacin, las dislocaciones de borde estn confinadas a moverse en un plano de
deslizamiento simple. Las dislocaciones helicoidales, con sus vectores de Burgers paralelos
a las lneas de dislocacin, son capaces de moverse en cualquier plano que pase a travs de
la lnea de dislocacin. La manera en que una dislocacin helicoidal puede producir un
escaln en un plano de deslizamiento se muestra esquemticamente en la Fig. 5.3.
El hecho de que las componentes de borde y helicoidales de una dislocacin pueden
moverse, bajo una fuerza aplicada dada, con velocidades ampliamente distintas, tiene
probablemente una relacin importante sobre el deslizamiento transversal en los cristales.
______________________________________________________________________ 111
P.D-S
Chem, N.K., y Pond, R. B., Trans. AIME, 194 (1952), Pg. 1085.
Low, J.R., y Guard, R. W., Acta Met.
3
Johnston, W. G., y Gilman, J. J., Jour. Appl. Phys., 30 (1959). Pg. 129.
2
______________________________________________________________________ 112
P.D-S
las dislocaciones desde un plano de deslizamiento a otro puede realizarse tanto por el
ascenso de dislocaciones de borde como por deslizamiento transversal de dislocaciones
helicoidales. De estas dos posibilidades, la ltima es probablemente la ms importante.
La resolucin de las lneas de deslizamiento individuales es una banda de deslizamiento es
normalmente una tarea que requiere el empleo de un microscopio electrnico. Sin embargo,
cuando se observa una banda de deslizamiento sobre una superficie que es casi paralela al
plano de deslizamiento activo, es algunas veces posible, cualitativamente al menos, resolver
las componentes de una banda de deslizamiento con ayuda de un microscopio ligero.
Fig. 5.4 Espaciamiento entre los tomos en las direcciones compactas de diferentes
sistemas cbicos: centrado en las caras, cbico centrado en el cuerpo, y cbico simple.
La Fig. 5.4 representa a la celda unitaria para estructuras cbicas. En una red cbica simple,
la distancia entre tomos en una direccin compacta es igual a la longitud de un borde de la
celda unitaria. Ahora consideremos el smbolo [100]. Esta cantidad puede ser tomada para
______________________________________________________________________ 113
P.D-S
representar un vector, tal como se muestra en la Fig. 5.4, con una componente unitaria en la
direccin x, y es, por tanto, la distancia entre tomos en la direccin x. Una dislocacin con
un vector de Burgers paralelo a la direccin x en una red cbica simple se representa por
consiguiente por [100]. Ahora considrese una red cbica centrada en las caras. Aqu la
direccin compacta es una diagonal frontal y la distancia entre tomos en esta direccin es
igual a la mitad de la longitud de la diagonal frontal. En la Fig. 5.4, la diagonal frontal
indicada ob tiene ndices[101]. Este smbolo corresponde tambin a un vector con
componentes unitarias en las direcciones x y z y una componente cero en la direccin y.
Como resultado, una dislocacin en una red cbica centrada en las caras que tenga un
vector de Burgers quedando en la direccin [101] deber escribirse [101]. En la red
cbica centrada en el cuerpo, la direccin compacta es una diagonal cbica, o una direccin
de la forma<111>. La distancia entre tomos en estas direcciones es la mitad de la longitud
de la diagonal, por lo que una dislocacin que tenga un vector de Burgers paralelo a [111],
por ejemplo, se escribe [111].
______________________________________________________________________ 114
P.D-S
Fig. 5.5 Una dislocacin total (orientacin de borde) en una red cbica centrada en las
caras, vista se mira hacia abajo sobre el plano de deslizamiento.
Fig. 5.6 Dislocacin parcial en una red cbica centrada en las caras.
La disposicin atmica de la Fig. 5.6 es particularmente significativa debido a que muestra
cmo una dislocacin de unidad simple puede abatirse en un par de dislocaciones parciales.
En esta forma, la aislada fila de tomos simples en zig-zag tiene una dislocacin incompleta
en cada uno de sus lados. Los vectores de Burgers de estas dislocaciones son los vectores c
y d mostrados en la figura. La notacin vectorial para estos vectores de Burgers puede ser
deducida con la ayuda de la Fig. 5.7. Esta figura muestra la superficie (111) de un cristal
cbico centrado en las caras en relacin a la celda unitaria de la estructura. Las posiciones
de los tomos en esta superficie estn indicadas por crculos dibujados con trazos cortos.
Los lugares que seran ocupados por los tomos en el plano prximo superior estn
designados por crculos pequeos con la letra B en su interior. En el centro de la Fig. 5.7
hay otro crculo pequeo marcado con la letra C. El vector de Burgers de la dislocacin
______________________________________________________________________ 115
P.D-S
total es igual a la distancia B1B2, mientras que los vectores de Burgers de las dos
dislocaciones parciales c y d de la fig. 5.6 son los mismos que las distancias B1C y CB2. El
Fig. 5.7 La relacin de la orientacin entre los vectores de Burgers de una dislocacin
total y sus dislocaciones parciales.
vector de Burgers de la dislocacin total es [-110], lo cual se deduce de la discusin
previa. La lnea B1C queda en la direccin [-12-1]. El smbolo [-12-1] reprsenta a un vector
con componentes negativas unitarias en las direcciones x y z y una componente de 2 en la
direccin y. Este es un vector cuya longitud es dos veces la distancia mn en la Fig. 5.7.
Como B1C es justamente un tercio de la lnea mn, el vector de Burgers para esta dislocacin
es 1/6 [-12-1]. En la misma manera, puede mostrarse que el vector CB2 puede ser
representado por 1/6[-211]. La dislocacin total cbica centrada en las caras [-110] es
capaz de disociarse en dos dislocaciones parciales de acuerdo con la notacin.
[ ] [ ] [ ]
1
1
1
110 = 121 + 211
2
6
6
______________________________________________________________________ 116
P.D-S
Read, W. T., Dislocations in Crystals. McGraw-Hill Book Co., Inc., New York, 1953.
______________________________________________________________________ 117
P.D-S
ellas. Por otra parte, la energa de superficie total asociada con la falla de apilamiento
aumenta con la distancia entre dislocaciones parciales. La separacin entre las dos parciales
representa en esta forma un equilibrio entre la energa repulsiva de las dislocaciones y la
energa de superficie de la falla. Seeger5 y Schoeck6 han mostrado que la separacin de un
par de dislocaciones parciales en una dislocacin extendida depende de un parmetro sin
dimensin determinada c/Gb2 , en donde es la energa de superficie de la falla de
apilamiento, G es el mdulo cizallante en el plano de deslizamiento, c es la separacin entre
planos de deslizamiento contiguos, y b es la magnitud del vector de Burgers. En ciertos
metales cbicos de centrado en las caras representadas por el aluminio, este parmetro es
mayor de 10-2 y la separacin entre dislocaciones es slo del orden de una simple distancia
atmica. Se dice que estos metales poseen energas elevadas de falla de apilamiento.
Cuando el parmetro es menor de 10-2, se dice que el metal tiene energa de falla de
apilamiento baja. El cobre es un ejemplo representativo de un metal con baja energa de
falla de apilamiento. La separacin calculada de las dislocaciones parciales en el cobre es
del orden de doce espaciamientos interatmicos si las dislocaciones extendidas estn en la
orientacin de borde, y de unos cinco espaciamientos interatmicos si se encuentran en la
orientacin helicoidal.
Debe decirse algo sobre el movimiento de una dislocacin extendida a travs de un cristal.
El movimiento real puede ser bastante complicado por varias razones. Primero, si la
dislocacin en movimiento encuentra obstculos, tales como otras dislocaciones o incluso
partculas de segundo orden, variar la anchura de a falla de apilamiento. Segundo, las
vibraciones trmicas pueden ocasionar tambin que la anchura de la dislocacin de
apilamiento vare localmente a lo largo de la dislocacin, siendo la variacin una funcin
del tiempo. En el caso en que se puedan desestimar stos y otros efectos complicadores,
una dislocacin extendida puede describirse como un par de dislocaciones parciales,
separadas por una distancia finita, que se mueven conjuntamente a travs del cristal. La
primera dislocacin parcial, segn se mueve, ocasiona cambios en el orden de apilamiento,
en tanto que la segunda restaura el orden a su propia secuencia. Despus de que ambas
parciales han pasado un punto dado en la red, el cristal habr sido cizallado (en el plano de
deslizamiento) por una cantidad igual al vector de Burgers b de la dislocacin total.
[ ] [ ] [ ]
1
1
1
1210 = 0110 + 1100
3
3
3
5
6
______________________________________________________________________ 118
P.D-S
[ ] [ ] [ ]
1
1
1
110 = 121 + 211
2
6
6
La nica diferencia entre las dos ecuaciones descansa en el uso actual de los ndices de
Miller de cuatro dgitos para metales hexagonales. La falla de apilamiento asociada con las
dislocaciones extendidas en los metales hexagonales es similar a la de los metales de
centrado en las caras. El movimiento de la primera dislocacin parcial a travs del cristal
cambia la secuencia de apilamiento ABABABAB... a ACBCBCBC... en el caso de que el
segundo plano se deslice en relacin con el primero. Obsrvese que la secuencia
CBCBCB.. es una perfectamente buena secuencia hexagonal con planos alternados que
quedan unos sobre otros. La falla de apilamiento ocurre entre los dos primeros planos; entre
AC... como en el ejemplo cbico de centrado en las caras, el movimiento de la segunda
dislocacin parcial restaura al cristal a la secuencia de apilamiento apropiada ABABAB...
Fig. 5.9 En la figura se supone que una dislocacin de borde se ha movido a travs del
plano horizontal ABCD y, al cortar a travs del anillo de dislocacin vertical, forma un par
de escalones en el ltimo.
con la regla, una dislocacin no puede terminar en el interior de un cristal. La nica
alternativa es que el desplazamiento prolongue al anillo de dislocacin vertical por una
cantidad igual a los dos escalones horizontales mostrados en la Fig. 5.9. Este resultado es
caracterstico de la interseccin de dislocaciones, pues si una dislocacin corta a otra, una o
ambas dislocaciones pueden adquirir escalones.
Consideremos ahora algunos de los tipos de escalones ms sencillos que se forman por
intersecciones de dislocaciones. Los dos casos ms definidos son, primero, cuando el
escaln queda en el plano de deslizamiento de una dislocacin y, segundo, cuando el
escaln es normal al plano de deslizamiento de una dislocacin. El primer caso se trata en
la Fig. 5.10. Aqu, el dibujo de la izquierda representa una dislocacin en la orientacin de
borde, y el de la derecha una dislocacin en la orientacin helicoidal, en ambas se han
formado escalones (on) como resultado de intersecciones con otras dislocaciones. Debe
observarse que el escaln en la dislocacin de borde tiene una orientacin helicoidal.
(Vector de Burgers paralelo a la lnea on), mientras que el escaln en la dislocacin
helicoidal tiene una orientacin de borde (Vector de Burgers normal a la lnea on). Ambos
de estos escalones son inestables, y pueden ser eliminados fcilmente, por ejemplo
moviendo la lnea mn sobre la posicin de la lnea de trazos. Este movimiento, en ambos
casos, puede ocurrir por deslizamiento simple. Como la eliminacin de un escaln
disminuye la energa del cristal en la cantidad de la energa de deformacin asociada con un
Jogs en ingls.
______________________________________________________________________ 120
P.D-S
escaln, puede suponerse que los escalones de este tipo tendern a desaparecer. Como los
escalones que quedan en el plano de deslizamiento son fcilmente removidos por ambas
orientaciones primarias (de borde y helicoidal) de una dislocacin, puede concluirse que no
tienen importancia relativamente.
de borde ordinaria es que en lugar de correrse a lo largo de un plano simple se mueve sobre
una superficie escalonada.
La dislocacin helicoidal con un escaln, mostrada en la Fig. 5.11B, representa un caso
enteramente distinto. Aqu, el escaln es una dislocacin de borde con un plano incompleto
que queda en la superficie escalonada.
Como argumento, supongamos que su plano extra queda a la izquierda de la lnea no y en
esa forma corresponde al rea sombreada en la Fig. 5.11B. Ahora hay dos medios bsicos
de que pueda formarse un plano incompleto que es slo un espaciamiento atmico de
altura. En el primer caso, puede suponerse que el rea sombreada corresponde a una fila de
tomos intersticiales que terminan en no. Como alternativa, se puede considerar al escaln
sombreado como una parte del plano reticular continuo normal, y entonces, la superficie
escalonada a la derecha de no tendra que ser una fila de lugares desocupados o vacantes. El
ltimo caso es el indicado en el dibujo de la Fig. 5.11B. La presentacin de cualquiera de
estas dos alternativas depende de la orientacin relativa de los vectores de Burgers de las
dos dislocaciones, cuya interseccin caus el escaln. A este respecto, debe mencionarse
que estos escalones se forman cuando una dislocacin helicoidal intersecta a otra
dislocacin helicoidal. Los otros escalones ilustrados en la Fig. 5.10 y 5.11A estn
formados por varias intersecciones que implican dislocaciones de borde con otros bordes, o
dislocaciones de borde con helicoidales. Read7 discute en detalle estas posibilidades
diferentes y muestra en particular la forma en que la interseccin de dos dislocaciones
helicoidales puede conducir a la produccin, bien de una fila de lugares vacantes o una fila
de tomos intersticiales. En relacin con estas filas de lugares vacantes, o tomos
intersticiales, debe indicarse que despus que una dislocacin helicoidal ha intersectado a
otra, la fila de defectos de punto (lugares vacantes o tomos intersticiales) se alarga en una
lnea desde la dislocacin en movimiento retrocediendo a la estacionaria. Esto es, por
supuesto, en la suposicin de que la energa trmica no cause que los defectos de punto se
difundan dentro de la retcula. En trminos de la Fig. 5.11B, esto significa que si la
dislocacin indicada se mueve a la izquierda, la fila de lugares vacantes a su derecha se
extender retrocediendo a otra dislocacin helicoidal, cuya interseccin por la dislocacin
en movimiento ocasion la formacin de la fila de lugares vacantes.
Mientras que la dislocacin de borde con un escaln normal a su plano de deslizamiento es
capaz de moverse por corrimiento simple a lo largo de la superficie escalonada de la Fig.
5.11A, ste no ser el caso de la dislocacin helicoidal escalonada de la Fig. 5.11B. Aqu, el
escaln (lnea no), que est en una orientacin de borde, no es capaz de correrse a lo largo
de la superficie vertical mostrada en la figura, debido a que su vector de Burgers no se
encuentra en la superficie del escaln sino normal al mismo. El nico medio de que se
pueda mover el escaln a travs de la superficie del paso es por la ascensin de la
dislocacin. En esta forma, en la Fig. 5.11B, si el escaln se mueve hacia la izquierda con
el resto de la dislocacin, se tendrn que aadir lugares vacantes adicionales a la fila de
lugares vacantes (a la derecha de la lnea no). Como alternativa, si el plano extra ha sido
formado por una fila de tomos intersticiales a la izquierda del escaln, el movimiento de
ste (en este caso hacia la derecha) requiere la creacin de tomos intersticiales adicionales.
En cualquier caso, previsto que no se puedan eliminar los escalones fcilmente, la
interseccin de dislocaciones helicoidales con otras helicoidales puede conducir a la
Read, W. T., Jr., Dislocations in Crystals, McGraw.Hill Book Company, Inc., New York, 1953.
______________________________________________________________________ 122
P.D-S
Read, w. T., Jr., Dislocations in Crystals, McGraw-Hill Book Company, Inc., New York, 1953.
______________________________________________________________________ 123
P.D-S
Fig. 5.12 Una probeta policristalina de zirconio fotografiada con luz polarizada. En esta
fotografa, pueden distinguirse los cristales individuales por la diferencia en el sombreado,
as como por las delgadas lneas oscuras que representan los lmites de grano.
______________________________________________________________________ 124
P.D-S
______________________________________________________________________ 125
P.D-S
Fig. 5.14 Lmites de ngulo pequeo en una probeta de magnesio. Las filas de picaduras de
ataque qumico corresponde n a posiciones donde las dislocaciones intersectan a la
superficie.
5.10.
______________________________________________________________________ 126
P.D-S
5.11.
La energa superficial de un lmite de grano tiene las unidades de ergios/cm2. Esto es,
ergios
cm 2
lo que equivale a
dinascm dinas
=
cm 2
cm
pero las unidades dinas/cm son las de tensin superficial. Los lmites de grano slidos
poseen as una tensin superficial equivalente a la de superficies de lquidos. La tensin
superficial de los lmites de los cristales es un fenmeno metalrgico importante. Los datos
experimentales de la Fig. 5.15 muestran que la tensin superficial de lmite de grano es una
funcin ascendente del ngulo de desajuste entre granos a un ngulo de 20,
aproximadamente, y entonces es esencialmente constante para todos los ngulos mayores.
Es difcil determinar valores absolutos o numricos de la tensin superficial de las
superficies metlicas. Sin embargo, se han hecho mediciones sobre cobre, plata y oro que
muestran que sus tensiones superficiales de superficies libres (superficies exteriores) son
del orden de 1200 a 1800 dinas/cm. Las superficies metlicas exteriores, en consecuencia,
poseen tensiones relativamente grandes; stas son aproximadamente 20 veces mayores que
la del agua en estado lquido. Se ha determinado posteriormente que las tensiones
superficiales de lmites de grano de ngulo grande igualan aproximadamente a un tercio de
los valores de las superficies libres, y por tanto son del orden de 300 a 500 dinas/cm.
Mientras que los valores absolutos de la tensin superficial de los lmites de grano son
difciles de medir, se pueden estimar los valores relativos de la energa superficial del lmite
con la ayuda de una relacin simple. En la Fig. 5.16, representamos los lmites de grano por
tres lneas que quedan perpendiculares al plano del papel y se encuentran en una lnea de
proyeccin representada por o. Los tres vectores , y originados en el punto o
representan, por sus direcciones y magnitudes, las tensiones superficiales de los tres lmites.
Si se supone que estos tres vectores de fuerza se encuentran en equilibrio esttico, entonces
debe ser cierta la relacin siguiente:
=
=
sen sen sen
______________________________________________________________________ 127
P.D-S
Fig. 5.15 Energa relativa de lmite de grano como funcin del ngulo de desajuste entre los
cristales que bordean al lmite. La lnea slida representa la curva terica; los puntos, a los
datos experimentales de Dunn para hierro-silicio.
trmicas. Por tanto, tenemos una situacin anloga a la de los movimientos atmicos al
interior de los cristales donde los tomos se difunden dentro de los lugares vacantes en la
red como resultados de saltos activados trmicamente. El grado de movimiento debe
aumentar rpidamente con la elevacin de la temperatura. Sin embargo, siendo iguales otras
cosas, debe esperarse que el mismo nmero de tomos cruce al lmite en una direccin y en
la opuesta, y que el lmite est relativamente fijo en el espacio. Realmente, los movimientos
de los lmites de grano ocurren nicamente si la energa del metal en conjunto desciende
por un movimiento de tomos de mayor en una direccin que en la otra. Una manera de que
se pueda bajar la energa de una probeta por el movimiento de un lmite de grano ocurre
cuando ste se mueve dentro de un cristal deformado, dejando detrs un cristal libre de
deformacin. Otra fuerza impulsora del movimiento se encuentra en la energa de los
lmites mismos. Un metal puede acercarse a un estado ms estable reduciendo su rea de
lmites de grano. Hay dos formas en que se puede lograr esto. Primero, los lmites pueden
moverse de manera que, enderecen regiones demasiados curvadas, y segundo, se pueden
mover en tal forma que ocasionen la desaparicin de algunos cristales, en tanto que otros
crezcan de tamao. El ltimo fenmeno, que resulta en una disminucin en el nmero total
de granos, se denomina crecimiento de grano.
Una de las consecuencias del movimiento de los lmites de grano es que si un metal es
calentado a una temperatura suficientemente elevada por un tiempo bastante largo, puede
observarse realmente la relacin de equilibrio entre las tensiones superficiales y los ngulos
didricos. En los metales puros con cristales orientados al azar, se presentan con poca
frecuencia los lmites de ngulo bajo, y puede suponerse que la energa de los lmites de
grano es constante para todos los lmites. (Vase la Fig. 5.15). Si las energas superficiales
(tensin superficial) son iguales en cada uno de los tres lmites que se encuentran en una
lnea comn, y si los lmites han obtenido una configuracin de equilibrio, los tres ngulos
diedros deben ser iguales. Un examen de las uniones donde se encuentran los lmites en la
fotografa, Fig. 5.12, muestra un gran nmero de ngulos diedros de 120. Este hecho es
sorprendente cuando se considera que muchos de los lmites de grano no son normales al
plano de la fotografa. De hecho, si fuese posible cortar la superficie para que todos los
lmites fuesen perpendiculares a la superficie, se observara una buena concordancia entre
______________________________________________________________________ 128
P.D-S
los ngulos experimentales y los predichos. Puede concluirse que en un metal bien
recocido, esto es, que haya sido calentado durante un largo tiempo a una temperatura
elevada, las intersecciones de los lmites de grano forman ngulos muy cercanos a 120.
5.12.
Un fase se define como un cuerpo homogneo de materia que es fsicamente distinto. Los
tres estados de la materia (lquido, slido y gaseoso) corresponden todos a fases separadas.
En esta forma, un metal puro, por ejemplo, cobre, puede existir en fase slida, lquida, o
gaseosa, cada una estable en un rango de temperatura diferente. A este respecto, parecera
que no hay diferencia entre los conceptos de fase y estado. Sin embargo, cierto nmero de
metales son alotrpicos (polimorfos), esto es, pueden existir en diferentes estructuras
cristalinas, cada una de ellas estable en un rango de temperatura diferente. Cada estructura
cristalina en estos metales corresponde a una fase separada, y los metales alotrpicos, por
tanto, poseen ms de tres fases posibles. Cuando se combinan metales puros para formar
aleaciones, pueden resultar estructuras cristalinas adicionales en cierta composicin y
rangos de temperatura. Cada una de estas estructuras cristalinas en s constituye una fase
separada. Finalmente, debe indicarse que una solucin slida (un cristal conteniendo dos o
ms tipos de tomos en la misma red) satisface tambin la definicin de una fase. Un buen
ejemplo de una solucin slida ocurre cuando se funden juntos cobre y nquel y despus se
les deja enfriar lentamente al estado slido. Los cristales que se forman contienen tomos
de nquel y de cobre en la misma proporcin que la de la mezcla lquida original; ambos
tipos de tomos ocupan indiscriminadamente los sitios reticulares del cristal.
Por este momento, se ha introducido el concepto de fases para explicar los fenmenos
adicionales de la tensin superficial. El estudio de las fases de los sistemas de aleacin es
un tpico que ser considerado en un captulo posterior.
Los lmites de grano de las aleaciones conteniendo cristales de una sola fase deben
comportarse en una forma anloga a los de un metal puro. Los cristales de una aleacin en
solucin slida bien recocida, como la de cobre-nquel mencionada anteriormente, aparecen
bajo el microscopio igual que las de un metal puro. En todos los puntos donde se
encuentran tres granos hay un ngulo diedro intermedio de 120.
______________________________________________________________________ 129
P.D-S
Fig. 5.17 Tensiones superficiales en los lmites de grano en una unin entre dos cristales
de la misma fase con un cristal de fase diferente.
En las aleaciones de dos fases, son posibles dos tipos de lmites: lmites que separan
cristales de la misma fase y lmites que separan cristales de dos fases. Tres granos de una
sola fase pueden todava intersectar en una lnea, pero hay la posibilidad adicional de dos
granos de una fase que se encuentren con un grano de otra fase en una interseccin comn.
En la Fig. 5.17 se muestra una unin de este tipo. Si las tensiones superficiales en los
lmites estn en equilibrio esttico, entonces
11 = 2 12 cos
12
1
=
11 2 cos
La relacin 12 / 11 se grafica como una funcin del ngulo diedro en la Fig. 5.18.
Obsrvese que al alcanzar la tensin superficial de 0.5, el ngulo diedro cae rpidamente a
cero. En la Fig. 5.19 es rpidamente aparente la importancia de los ngulos diedros
pequeos, mostrndose la forma de la interseccin para ngulos de 10 y 1. Es bastante
aparente que segn el ngulo se acerca a cero, la segunda fase se mueve para formar una
delgada pelcula entre los cristales de la primera fase. Adems, si la tensin superficial del
lmite bifsico ( 12 ) cae a un valor menor de de la tensin superficial de la fase simple
11 , no es posible el equilibrio esttico de las tres fuerzas y el punto o se mueve hacia la
izquierda, lo que equivale a decir que cuando el ngulo diedro se vuelve cero, la segunda
fase penetra en los lmites de la fase simple y asla a los cristales de la primera fase. Este
efecto puede ocurrir aun cuando la fase segunda est presente en cantidades casi
despreciables.
______________________________________________________________________ 130
P.D-S
Fig. 5.18 La dependencia del ngulo diedro bifsico sobre la relacin de la tensin
superficial bifsica a la tensin superficial de una sola fase.
Un buen ejemplo es el caso del bismuto en el cobre. La tensin superficial de la intercara
bismuto cobre es tan baja que el ngulo diedro es cero y una cantidad diminuta de bismuto
es capaz de formar una pelcula delgada entre los cristales de cobre. Mientras que el cobre
es de ordinario un metal de conductividad elevada y capaz de una gran deformacin
plstica, el bismuto no lo es. De hecho, el bismuto es un metal frgil, y cuando forma una
pelcula continua alrededor de los cristales de cobre, ste pierde su ductilidad aun cuando la
cantidad total de impurezas de bismuto sea menor del 0.05%. Esta perdida en la ductilidad
se observa a todas las temperaturas a las que se trabaja el cobre.
Fig. 5.19 Cuando el ngulo diedro es pequeo, la fase segunda (an si est presente en
pequeas cantidades) tiende a separar cristales de la fase primera. (A) ngulo diedro 1, (B)
ngulo diedro 10.
En un determinado nmero de importantes casos metalrgicos, las impurezas de la segunda
fase permanecen en el estado lquido hasta alcanzar una temperatura muy por debajo del
punto de solidificacin de la fase principal. La cantidad de dao que estas impurezas (en
pequeos porcentajes) pueden hacer a las propiedades plsticas de los metales es una
funcin de la tensin superficial entre lquido y slido. Si esta energa interfacial es
______________________________________________________________________ 131
P.D-S
elevada, el lquido tiende a formar glbulos discretos con poco efecto sobre las propiedades
de trabajo en caliente de los metales.
Tomemos el caso del hierro conteniendo pequeas cantidades de azufre como impureza. El
sulfuro de hierro es lquido a temperaturas bien por debajo del punto de solidificacin del
hierro. Esta zona incluye a la zona de temperaturas utilizadas normalmente para productos
de hierro y acero laminados en caliente. Infortunadamente, la energa superficial del sulfuro
de hierro en los lmites del hierro es muy cercana a la mitad de la del lmite entre los
cristales de hierro, y el sulfuro lquido forma una pelcula de lmites de grano que separa
casi completamente a los cristales de hierro. Como un lquido no posee una fuerza real, el
hierro o el acero en estas condiciones son frgiles y no pueden ser trabajados en caliente sin
que se desintegren. En un caso como ste, cuando un metal se vuelve frgil a temperaturas
elevadas, se dice que el metal es quebradizo en caliente, esto es, sus propiedades son
deficientes a temperaturas de trabajo elevadas.
Se ha explicado ya que en una fase segunda en pequeas cantidades forma delgadas
pelculas intergranulares cuando el ngulo diedro es cero. Para ngulos diedros mayores de
cero, pero menores de 60, la configuracin de equilibrio es una, donde pequeas
cantidades de fase segunda corren como una red continua a lo largo de los bordes de grano
de la fase primera, a lo largo de lneas donde se encontraran los tres granos de la fase
primera en ausencia de la fase segunda. De acuerdo con la Fig. 5.18, un ngulo diedro de
60 corresponde a una relacin de tensiones superficiales interfase a fase simple de 0.582.
Muchas intercaras lquido-slido poseen tensiones superficiales menores de 0.600 de la
tensin superficial de lmite slido. Por tanto, cuando coexisten lquidos y slidos, hay una
gran posibilidad de que el lquido formar una malla continua a travs del metal. Como la
difusin es ms rpida en los lquidos que en los slidos, esta malla forma un paso
conveniente para una difusin rpida de los elementos (tanto buenos como malos) hacia el
interior del metal.
Cuando el ngulo diedro entre los lmites de la interfase es mayor de 60, la fase segunda ya
no forma una malla continua a menos que se encuentre presente en la fase principal. La
segunda fase, si estuviese presente en pequeas cantidades, formara ahora partculas
globulares discretas, comnmente a lo largo de los lmites de los cristales de fase primera.
Vase la Fig. 5.20.
Por debajo de los 1000 C aproximadamente, el sulfuro de hierro ya no es un lquido, sino
un slido. El sulfuro de hierro slido forma un ngulo de equilibrio con el hierro slido
mayor a 60 y, por tanto, tiende a cristalizar como partculas separadas de FeS en lugar de
un pelcula de lmite de grano continua. Las partculas pequeas en fase segunda, aun
cuando poseen ser frgiles por s mismas, son bastantes menos perjudiciales para las
propiedades de un metal que las pelculas continuas de lmite de grano frgiles. El hierro
que contenga FeS suficiente para hacerlo frgil a temperaturas de trabajo en caliente,
retendr mucha de su dificultad a temperatura ambiente.
______________________________________________________________________ 132
P.D-S
Fig. 5.20 Cuando el ngulo diedro es grande (sobre los 60), la fase segunda (cuando est
presente en pequeas cantidades) tiende a formar pequeas partculas separadas, de
ordinario en los lmites de la fase primera.
5.13.
______________________________________________________________________ 133
P.D-S
Referencia Bibliogrfica
Principios de metalurgia fsica / por Robert E. Reed-Hill ; [tr. por Antonio Galn Patio].
Mxico, D.F. : C.E.C.S.A., 1979.
______________________________________________________________________ 134
P.D-S
6. Defectos en cristales
Existen muchas razones para estudiar las imperfecciones en los slidos. Importantes
propiedades de los slidos dependen de los defectos en la estructura atmica y electrnica
de los cristales. Por ejemplo, se ha establecido claramente que la difusin en cristales
metlicos depende de la presencia de vacantes en la red. La deformacin plstica en los
metales se le conoce por estar asociada con el movimiento de las dislocaciones. La
conductividad elctrica de muchos slidos inicos est asociada con el movimiento de
vacantes o iones intersticiales. El comportamiento elctrico de cristales semiconductores
est relacionado a imperfecciones electrnicas. Estas son unas pocas razones para efectuar
una discusin acerca de las imperfecciones. Sin embargo, No es necesario mirar solo
consideraciones prcticas para justificar su estudio, las imperfecciones son interesantes per
se, en cristales, en las mantas orientales, en las estampillas postales, y an en la gente.
En esta seccin trataremos imperfecciones cristalinas desde un punto de vista
termodinmico. Notemos que las imperfecciones puede ser observadas y analizadas en dos
extremos de concentracin. Cuando existe baja concentracin las imperfecciones estn
diluidas siendo observadas como entidades particulares ms que una naturaleza bien
definida. Esto es cierto parta los defectos de punto, tales como, vacantes o tomos
intersticiales. Un defecto individual puede interactuar con otros al formar una simple
combinacin de pares. Esas simples combinaciones pueden ser tratadas como entidades
separadas y asignarles entropas suyas propias.
En el otro extremo de concentraciones, la densidad de defectos es tan alta que cada uno de
los defectos pierde sus propiedades individuales logrando la naturaleza de grupo. Las
superficies tales como los bordes de grano, caen dentro de esta categora. Esos grupos de
estructuras pueden asignrseles propiedades del tipo tensin interfacial, que hace su
descripcin posible en trminos termodinmicos.
E = EV
PV =
Donde Z = 1 + exp( E v / kT ) .
exp( EV / kT )
Z
(2.1)
______________________________________________________________________ 135
P.D-S
PV =
exp( EV / kT )
n
=
n + N 1 + exp( EV / kT )
n
EV
= exp
N
kT
(2.2)
La ecuacin 2.2 muestra que las temperaturas por sobre el cero absoluto, los cristales
elementales en el equilibrio conteniendo vacantes. Un valor tpico, por ejemplo para el
aluminio elemental, es EV = 0,75 eV (72,4 kJ / mol ) .
Actualmente, la ausencia de un tomo en un sitio de la red cambia los patrones de vibracin
de los tomos vecinos (figura 2.1). Debemos tomar en cuenta no slo la energa (o entalpa)
requerida para producir vacantes, sino que tambin los cambios de entropa en el sector que
Fig. 2.1 Efectos de una vacancia sobre los vecinos ms cercanos: todos ests
adscritos a la vacancia
rodea a la vacante. En el equilibrio, la energa libre de Gibbs del cristal est en el mnimo
con respecto al nmero de vacantes presentes a una temperatura y presin constante. La
energa libre de Gibbs molar cambia, el G entre el cristal imperfecto (Gi ) y el perfecto
(G p ) , es:
G = Gi G p = n H V T S
(2.3)
donde H V es la entalpa de formacin de una vacancia, y n es el nmero de vacancias.
El trmino de la entropa, S , se puede expresar como:
S = n S V + S C
(2.4)
(N + n )!
S C = k ln = k ln
N !n!
(2.5)
G = n( H V T S V ) kT [( N + n ) ln( N + n ) N ln N n ln n]
(2.6)
n
G
=0
= H V T S V + kT ln
N +n
n T
Resolviendo para una fraccin de sitios vacantes ( xV ) :
n
S
H V
= exp V exp
xV =
N +n
kT
k
(2.7)
(2.8)
H V
xi = A exp
kT
(2.9)
H V 1
ln xi = ln A
k
T
(2.10)
______________________________________________________________________ 137
P.D-S
V = VTh + VV
(2.11)
El trmino VTh se refiere al cambio de volumen a causa del aumento de la vibracin termal
de los tomos. El trmino VV , se refiere al cambio de volumen debido a la presencia de
vacantes. Es igual al nmero de vacantes multiplicada por el cambio de volumen
introducido por la presencia de una vacante, y se escribe como VV = nV VV . Encontrar el
cambio de volumen de VV , a temperatura y presin constante, substituimos para n segn
las ecuaciones 2.9 y 2.11, y derivamos con respecto a la temperatura:
(nV VV )
(VV )
H V H V
= N AVV A exp
=
2
kT kT
T P T P
Reordenando:
T 2 VV
N H V
=
VV T P k
H V
exp
kT
(2.12)
T 2 VV
N H V
ln
= ln
k
VV T P
H V
kT
(2.13)
v/s 1/T
VV
l a
= 3
V
a
l
1
(2.14)
______________________________________________________________________ 139
P.D-S
Aluminio
Oro
Plata
Fuente: 1.
H V (eV )
S V / k
0.75
0.94
1.09
2.2
1.0
1.5
n / n (en el punto de
fusin)
910-4
7.210-4
210-4
Utilizando tales valores, calcularemos para la plata la fraccin de sitios vacantes a 700K.
Los valores de la entalpa y entropa de la tabal 2.1 son H V = 1.09 EV y S V / k = 1.5 .
n*
S
H V
= exp V exp
N
k
kT
1.09
n
= 64 10 9
= exp(1.5) exp
5
N
8.617 10 (700 )
nV = nV + n1V
(2.15)
*
donde nV es la concentracin total de vacantes (vacantes por unidad de volumen), nV es
una concentracin de vacantes intrnsecas, y n1V es concentracin de vacantes extrnsecas.
______________________________________________________________________ 140
P.D-S
El estado de energa de una vacante depende de si est unida o no. Designemos la energa
de una vacante sin unir por E 0 y la energa de una vacante unida por E1V . Con el propsito
de nuestro anlisis podemos asignar un valor de cero a la energa sin unin: E 0 = 0 . El
valor de E1V ser inherentemente negativo a causa de su energa de enlace; esto es, se
requiere de una energa para separar la vacante del tomo de impureza y luego crear la
vacante sin unin. La razn entre vacantes unidas y desunidas es:
n1V
*
nV
E
g1V exp 1V
kT
=
Z pf
n1V
g1V exp( E1V / kT )
=
n*
g * + g1V exp( E1V / kT )
(2.16)
n1V
Zni exp( E1V / kT )
=
*
n
N (Z + 1)ni + Zni exp( E1V / kT )
(2.17)
Notemos que N >> (Z + 1)ni , y Zni exp( E1V / kT ) << N para un ni pequeo:
nV
n
E
= 1 + i Z exp 1V
*
N
nV
kT
(2.18)
Aprender cun importante puede ser la concentracin intrnseca, estimemos algunos de los
trminos de la ec. (2.18). Tomemos plata a 700K como en el ejemplo anterior. Con el
clculo de la seccin 2.2 que vacantes en la plata estn presentes en 64 partes por billn a
esta temperatura. Es difcil reducir las impurezas (ni ) en la plata a este nivel. Una fraccin
de impureza tpica es 10-3, o 0.1%. En este nivel, suponiendo una energa de enlace
razonable (E1V = 0.1 eV ) , y un nmero de coordinacin de 12, la razn del nmero total
de vacantes a la cantidad de vacantes3 intrnsecas es:
La notacin habitual para el nmero de coordinacin es la letra Z, que tambin hemos utilizado para
significar funcin de particin. Para evitar una confusin, la notacin de Zpf se utiliz en esta seccin para la
funcin de particin.
3
La constante de Boltzmann es 8.61710-5 eV/K.
______________________________________________________________________ 141
P.D-S
nV
0.1
3
=
+
1
10
(
12
)
exp
(8.617 10 5 )(700)
n*
nV
= 1.06
n*
A un nivel del 1% de impurezas, la razn alcanza el 1.06. Esto nos lleva a la concluir que
las impurezas pueden tener un efecto sobre la concentracin de vacancias. Basndose en la
ec. (2.18), este efecto llega a ser an ms importante a bajas temperaturas.
nV
g N exp( E N / kT )
=
n* N g N + g N exp( E N / kT )
(2.19)
Donde
n * N : Nmero de tomos de nitrgeno intrnseco en el hierro por centmetro cbico
(solubilidad intrnseca).
n N : Nmero de tomos de nitrgeno unidos a las dislocaciones.
g N : Nmero de posiciones en la red disponible para disolver tomos de nitrgeno.
g N : Nmero de posiciones en las dislocaciones para disolver tomos de nitrgeno.
E N : Energa de interaccin de nitrgenos disueltos y dislocaciones relativas para
disolver nitrgeno en la red (cantidad negativa).
______________________________________________________________________ 142
P.D-S
Notemos que hemos asignado una energa de cero al nitrgeno disuelto, en una posicin
normal (intersticial). Si podemos asumir que g N >> g N , la ec. 2.19 se convierte en
nV g N exp( E N / kT )
=
n* N
gN
nT = n* N + n N =
g N exp( E N / kT )
gN
(2.20)
*
y nN .
(2.21)
Es aparente de la ecuacin 2.21 que la medida de solubilidad del nitrgeno en el hierro es
una funcin de la concentracin de dislocaciones si la energa de interaccin E N no es
cero. Estimemos la magnitud del efecto. Las energas de interaccin E N , son
aproximadamente 0.3 eV. Si una muestra es severamente trabajada en fro (rolled), la
densidad de dislocaciones crece hasta un 51012 cm/cm3. Para el hierro, el nmero de
posiciones intersticiales por centmetro cbico es 8.41022, o 4.7107. Suponiendo, por
simplicidad, que hubiramos tratado con dislocaciones de borde, el nmero de posiciones
de dislocacin que pueden ser ocupadas por los tomos de nitrgeno es el producto de la
densidad de dislocaciones y 4.3107, o 2.151020. Si sustituimos esos valores en la ec. 2.21
a 700K (427C), el aumento de solubilidad observada es aproximadamente del 37%. Este
efecto debera ser observable, y en efecto, fue observado por Darken.
Darken condujo sus experimentos equilibrando muestras de hierro con una mezcla de
amonaco e hidrgeno cerca de los 450C. Controlando la razn de amonaco e hidrgeno,
el fij la actividad termodinmica del nitrgeno, porque la constante de equilibrio K a es
determinada por la temperatura:
3
H2 + N
2
P 3/ 2 H2
K a = aN
PNH 3
NH 3 =
(2.21)
______________________________________________________________________ 143
P.D-S
Fig. 2.4 Nitrgeno disuelto en hierro como una funcin de la actividad del
nitrgeno y el trabajo en fro (imperfecciones) en el hierro.
Despus de equilibrar las muestras de hierro con la actividad del gas de nitrgeno
controlado, Darken encontr una solubilidad mas alta en las muestras con un trabajo en fro
mayor (i.e., aquellas con una densidad de dislocaciones ms alta). Sus observaciones se
presentan en la Figura 2.4.
aisladores y conductores, podramos decir que la movilidad de carga es del orden de1010
por centmetro cbico. Ellos son muy tiles para dispositivos elctricos, tales como los
transistores, o en el caso de los slidos inicos, como los sensores, porque el nmero de
carga cambia con la temperatura o con la naturaleza qumica de la atmsfera en equilibrio
con el slido. En esta seccin, estableceremos la relacin entre el transporte de carga en
elementos cristalinos puros (electrones y hoyos) como una funcin de la temperatura y el
gap de energa del slido.
Si los dos estados para los electrones, tanto en la zona ms alta de la banda de valencia y la
zona ms baja de la banda de conduccin no existen lmites (es decir, E g es cero) podra
ser calculada directamente a travs de la aplicacin de la estadstica de Boltzmann. Sin
embargo, la situacin es ms complicada, por la aplicacin del principio de exclusin de
Pauli. Solamente un electrn puede ocupar cada estado cuntico del cristal, tomando todos
los nmeros cunticos en cuenta, incluyendo a los espines. Utilizando la estadstica de
Fermi-Dirac, el nmero de electrones en la banda de conduccin N C est basada en:
1
E
N C = g ( E ) 1 + exp
dE
kT
(2.23)
2me *
1/ 2
g ( E ) = 4 2 (E E g )
h
g ( E ) = Ce (E E g )H 1/ 2
(2.24)
2 mh *
g ( E ) = 4 2
h
3/ 2
( E )1/ 2
g ( E ) = C h ( E )
1/ 2
(2.25)
______________________________________________________________________ 145
P.D-S
E EF
E EF
1 + exp
exp
kT
kT
(2.26)
N C = Ce (E E g )
1/ 2
Eg
(E E F )
dE
exp
kT
(2.27)
N C = Ce (kT )
3/ 2
( E g EF ) 1/ 2 x
exp
x e dx
kT
Eg
(2.28)
1/ 2 x
x
e dx =
0
______________________________________________________________________ 146
P.D-S
De aqu
me *kT
N C = 2 2
2
3/ 2
( E EF )
exp g
kT
(2.28)
mh kT
N h = 2 2
2
h
3/ 2
E
exp F
kT
(2.29)
Si estuviramos tratando con un semiconductor intrnseco- eso es, uno en el cual hay un
hoyo dejado detrs para cada electrn en la banda de conduccin (impurezas no donor o
aceptor)- entonces4,
NC = N h
(2.30)
Eg
m
3
EF =
+ kT ln h*
2 4
me
*
(2.31)
nulo = N C + N h
(2.32)
El producto de N C y N h es una funcin de la temperatura, tanto como lo es la constante de
equilibrio, y tiene una expresin de:
3
Eg
2 k
*
*
N C N h = 4 2 (me mh ) 3 / 2 T 3 exp
h
kT
(2.33)
En muchas publicaciones,
positivamente.
______________________________________________________________________ 147
P.D-S
toman posiciones intersticiales en la red. Cada tipo de defecto es discutido en las secciones
que siguen.
TABLA 2.2 RESUMEN DE LA NOTACIN KROGER-VINK
Smbolo
Definicin
tomo del elemento electropositivo
M
tomo del elemento electronegativo
X
tomo M sobre un sitio M
MM
tomo N sobre un sitio M
NM
Vacancia sobre un sitio M
VM
tomo M sobre un sitio intersticial
Mi
*
In M cargado positivamente sobre un sitio intersticial (ionizado una vez)
Mi
**
Vi
'
VX
Mi
'
Vacancia cargada negativamente (relativa a la red perfecta) sobre el sitio M
VM
Fuente: 2
MX = M (1 ) X + VM + M i
(2.34)
M M ; = M i + VM '
(2.35)
Suponemos que el tomo intersticial M est ionizado con una carga de +1. La vacancia
tiene una carga de 1 relativa a una red perfecta. Si pensamos del cambio expresado en la
ec. 2.35 como una reaccin qumica, podemos escribir una constante de equilibrio para:
K1 =
aM * aV ' M
i
aM M
(2.36)
[ ][ ]
K = M V
los intersticios. Hay incertidumbre con respecto a la posicin de las vacantes y tambin en
relacin a la posicin de intersticios. Si suponemos que las ubicaciones de las vacantes y de
Intersticios son aleatorias e independientes uno de otro, podemos escribir
( N + nv )! ( N + ni )!
S C = k ln
N
n
N ! ni !
!
!
v
(2.38)
nv ni
S f
= exp
k
N + nv N + ni
H f
exp
kT
pero
nv << N ;
[VM '] = nv ;
ni << N ;
(2.39)
[M ] = Vn
*
______________________________________________________________________ 149
P.D-S
[VM '][M i
2
S f
NA
= 2 exp
V
k
H f
exp
kT
(2.40)
[F ] = ([VM '][M i * ])
1/ 2
S f
NA
exp
V
2k
H f
exp
2kT
(2.41)
null = V X + VM '
(2.42)
En trminos de una constante de equilibrio, este puede ser escrito como sigue:
[ ]
K 2 = V X [VM ']
*
(2.43)
Notemos que el trmino [M M '] aparece tanto en las ecs. 2.37 y 2.43. Tanto los defectso de
Frenkel como de Schottky-Wagner pueden estar simultneamente en el mismo cristal. El
equilibrio qumico requiere que tanto el equilibrio como la estequiometra sean satisfechos,
que en este caso corresponde a la electroneutralidad entre las especies cargadas. Porque de
esas condiciones, podemos escribir:
[V ] = [M ] + [V ]
[M ] = [VK ]; [V ] = [VK ]
'
'
[V ] = K
' 2
+ K2
(2.44)
2
'
M
(2.45)
______________________________________________________________________ 150
P.D-S
(2.46)
La concentracin de vacantes del in sodio sobre la red es igual a la concentracin de
vacantes en la red del cloro ms la concentracin de iones cadmio.
De la ec. 2.46 es claro que si la concentracin de iones de cadmio es mucho ms grande que
*
*
las vacantes de los iones cloro Cd Na >> VCl , las vacantes en la concentracin de iones
sodio simplemente iguala la concentracin de iones cadmio. En este caso, la concentracin
de vacantes de iones de sodio es extrnseca; eso es, no es controlada por las propiedades
inherentes del cloruro de sodio. Depende de otra condicin (viz., la concentracin de iones
cadmio) y no est relacionada al nmero intrnseco de vacantes producidas trmicamente.
*
*
Si, sin embargo, la concentracin del in cadmio es muy pequea VCl >> Cd Na , la
concentracin de vacantes de iones sodio es igual a la concentracin de vacantes de iones
cloro, y la concentraciones son intrnsecas- eso es, inducidas trmicamente solamente.
Esas relaciones pueden ser ilustradas utilizando las relaciones de equilibrio para defectos de
Schottky sobre la red de cloruro de sodio:
([
] [ ])
([ ] [
K S = [VNa '][
VCl ']
])
(2.47)
KS
2
o [V Na '] [Cd Na *][V Na '] K S = 0
[VNa ']
[VNa
[Cd ] + ([Cd ] + 4K
'] =
Na
Na
1/ 2
* 2
(2.47)
______________________________________________________________________ 151
P.D-S
[Cd ] .Si
1/ 2
Na
] , veremos
* 2
temperatura se ilustra en la Figura 2.7. En la regin intrnseca, las vacantes de los iones de
sodio son iguales a las vacantes de iones cloruro. En la regiones extrnsecas, la expresin de
equilibrio (ec. 2.43) deben an ser observadas; por lo tanto las vacantes de los iones de
cloruro sern menos que la cantidad calculada para concentraciones de iones de cloruro
intrnsecos como se ilustra en la figura 2.7.
______________________________________________________________________ 152
P.D-S
______________________________________________________________________ 153
P.D-S
Referencias Bibliogrficas
Thermodynamics of Materials, Vol. II, David V. Ragone, John Wiley & Sons. Inc. 1995.
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P.D-S
7. Fractura
7.1. Introduccin
Entendemos por fractura un fenmeno en el cual una grieta nuclea y se propaga en
un material. Si la grieta es preexistente ya no es necesario nuclearla.
No interesa el caso de los materiales policristalinos especialmente, si bien la
informacin obtenida de los materiales monocristalinos es fundamental para comprender lo
que ocurre en los policristales. En ingeniera tambin se usan ocasionalmente materiales
monocristalinos estructurales, adems de ellos se usan mucho en aplicaciones electrnicas,
magnticas, etc.
Hay casos en que un metal se rompe por la aplicacin de esfuerzos sin que
intervenga una grieta, por una ruptura de enlaces, situacin en la cual los especialistas
prefieren no hablar de fractura. Un ejemplo de ello es la rotura de un monocristal de Zn
debido a su deslizamiento simple localizado. Esta situacin es de poco inters en ingeniera
estructural.
Fractura dctil y frgil
Considerando un primer criterio de clasificacin, se acostumbra distinguir entre fractura
dctil y frgil. Aqu lo u interesa es si el fenmeno mismo de la fractura es o no
acompaado (acompaado o incluso controlado) por la deformacin plstica.
Veremos que cuando no hay deformacin plstica ni siquiera en el mbito local, cerca de la
grieta, no existen mecanismos de nucleacin de grietas. Todos los mecanismos de
nucleacin de grietas dependen de que haya deformacin plstica. As, no hay mecanismos
frgiles de nucleacin de grietas, solo existen mecanismos dctiles.
Camino de las grietas en los policristales
Otro criterio de clasificacin de la fractura en un policristal corresponde al camino de la
grieta: por los bordes de grano (intergranular o intercristalina) o por dentro de los granos
(transgranular o transcristalina). En los complejos casos reales, en policristales
monofsicos, tambin puede haber una combinacin de estos tipos de trayectorias.
Ejemplos:
En la tabla I se presentan ejemplos de casos de fractura, atendiendo a los dos tipos de
clasificacin antes indicados.
Sabemos que normalmente, a bajs temperaturas (menores que 0.5 Tf [K] ), los bordes de
grano son ms resistentes que los granos de los mismos. Por ello nos interesa el grano fino,
para tener mucha superficie de bordes de grano por unidad de volumen de material. Pero,
como lo muestran los ejemplos de la Tabla I, esto no es cierto cuando, por ejemplo,
estamos en condiciones de fluencia lenta (creep) o bien cuando hay una anormal
segregacin en los bordes de grano.
Tres aspectos de los aceros tipo AISI 1010 0 1020 resulfurados: cul es su estructura,
propiedades y aplicaciones?.
El origen de la fragilidad por revenido se sospech correctamente desde hace muchas
dcadas, pues se daba en aceros con una cantidad relativamente alta de P y S, despus de
revenidos en ciertos rangos de temperatura. Hasta hace unos 50 aos, la forma de resolver
el problema era evitando esas temperaturas de revenido. Despus, al perfeccionarse los
procesos de fabricacin de los aceros, a bajas cantidades de P y S logradas, minimizaron el
problema. Hace unos 30 aos se confirm experimentalmente que unas pocas capas
______________________________________________________________________ 155
P.D-S
Frgil
______________________________________________________________________ 156
P.D-S
El caso analizado por Griffith se presenta en la Fig. 7.1. Se trata de un plancha de espesor
unitario, suficientemente delgada como para que el esfuerzo perpendicular a la plancha sea
despreciable. Hay un esfuerzo aplicado, que es conocido y constante. Los casos de las
Figs. 7.1a y 7.1b son similares a su tratamiento e idnticos en su solucin, si se cuida
emplear la nomenclatura para el tamao de la grieta presente en esa figura. En ambos casos
la grieta es perpendicular a la direccin del esfuerzo.
Lo que se quiere establecer si la grieta se propagar o no, (No se pregunta acerca de cmo
apareci la grieta).
Modelacin
Consideremos el caso de Griffith de la Fig. 7.1a. Para resolver el problema se hace un
balance de las energas involucradas. Adems, la energa de la plancha agrietada se refiere a
(compara con) a la de una plancha similarmente solicitada, pero sin la grieta, ver Fig.7.3.
As, primero se calcular:
U = U [2a ] U [0]
Ec. (1)
En este clculo slo se tomar en cuenta los trminos energticos que presentan diferencias
entre las dos planchas. Por ejemplo, no tomaremos en cuenta la energa correspondiente a
las superficies libres de las planchas, debido a que tales superficies son iguales en ambas
planchas. Ntese que a toda superficie de un material, que es una forma de defecto
cristalino, se le asocia una energa especfica de superficie (erg / cm 2 ).
Al estado de referencia, plancha no agrietada, slo le corresponde una energa elstica
almacenada, por unidad de volumen de cristal. Aprovechando un resultado de la teora de la
Elasticidad, para un nivel de esfuerzo , se tiene:
1
U [0] = UV [0] = VP
2
Ec. (2)
Para la plancha, V = S P t , donde S P es la superficie de la plancha y t el espesor de sta;
adems t = 1 . Aplicando la ley de Hooke ( = E ), se llega a:
2
1
U [0] =
2 E
S P
Ec. (3)
Veamos ahora el clculo de la energa total de la plancha con una grieta 2. Por tener una
grieta, esta plancha tiene ms superficie que la de referencia. Adems, por estar agrietada,
parte de su energa elstica est relajada.
Ec. (4)
Ahora bien, considerando las dos superficies libres enfrentadas asociadas a la grieta, se
tiene:
U S [2a ] = (2(2a t ))
Ec. (5)
______________________________________________________________________ 157
P.D-S
El clculo de U V [2a ] es algo ms complejo, pues hay que conocer los campos de esfuerzos
y deformaciones en la plancha y luego hay que integrar la energa elstica sobre el
volumen. Este es un problema resuelto de elasticidad, pero aqu desarrollaremos una
solucin aproximada, la que permite llegar rpidamente a una solucin que difiere slo en
un factor numrico de la solucin exacta; adems, en esta solucin simplificada, aparecen
correctamente todos los parmetros involucrados.
Supondremos que la grieta genera un volumen en que los esfuerzos estn totalmente
relajados, y que fuera de dicho volumen el esfuerzo es una constante igual a , el esfuerzo
nominal aplicado. La Fig. 7.4 ilustra estos volmenes en la plancha agrietada.
De esta manera, se tiene:
1 2
( 2a ) 2
t
U S [2a ] = S P
2 E
4
Ec. (6)
U = U [2a] U [0]
2
(
1 2
2a )
= S P
2 E
4
t + (2(2a 1)) S P
E
Lo que da:
1 2 2
U = 4a a
2 E
( )
Ec. (7a)
Al deducir la ec. 7a, se adopt una aproximacin para considerar la relajacin de los
esfuerzos en la plancha debido a la presencia de la grieta. Una solucin matemtica
rigurosa indica que subestimamos el trmino elstico en un factor 2. Por lo tanto, el
resultado correcto es:
2
2
U = 4a a
E
( )
Ec. (7b)
Tengamos presente que se est trabajando con un material dado (de constantes E y ) bajo
un esfuerzo constante . Analicemos cmo evoluciona U cuando la magnitud a crece,
ver Fig. 7.3. Obsrvese que, en el segundo miembro, el primer sumando corresponde a una
energa que se opone a la propagacin de la grieta, en tanto que el segundo sumando
corresponde a una energa elstica liberada. Esta ltima permite, entre otras cosas, superar
la anterior barrera energtica haciendo posible la propagacin. El primer sumando del
segundo miembro crece linealmente con a, en tanto que el segundo sumando, para valores
suficientemente grandes de a, decrece muy rpidamente con el cuadrado de a. Esto es, para
______________________________________________________________________ 158
P.D-S
valores pequeos de a, prevalecer el primer sumando que es positivo; pero, para valores
mayores, prevalecer el segundo sumando que es negativo.
Calculemos el valor de a que corresponde al cambio de pendiente de la curva U versus a.
Ese punto se asocia a un valor extremo (mximo) de dicha funcin, que es de concavidad
negativa.
Derivando e igualando a cero, se obtiene:
2
4 2 (a ) = 0
E
de donde:
aC = 2
E
( 2 )
Ec. 8
A este valor del semitamao de la grieta 2 se le llama valor crtico. Veamos su
interpretacin.
Interpretacin del tamao crtico de la grieta, aC
Supongamos que se tiene una grieta de tamao a, y que esta vara, por alguna razn, su
tamao en da. Tal valor da no puede ser negativo pues, en un caso como ste, las grietas
no sanan! Espontneamente, es decir, no se cierran (no se reestablecen los enlaces).
Veamos entonces el caso de una grieta de tamao a que crece en da, teniendo en cuenta
nuestros clculos previos y particularmente la Fig. 7.5.
Si a < aC , al crecer la grieta aumenta la energa del material y la grieta no podr
seguir creciendo espontneamente (no se dispara ms all de reciente crecimiento
en da).
Por el contrario, si a > aC el sistema librar suficiente energa elstica como para
seguir pagando el precio energtico , asociado a crear nuevas superficies por
crecimiento de la grieta. Entonces la grieta crecer espontneamente y, ms an,
como veremos, ellas acelerar.
As, este criterio de propagacin de grietas frgiles establece que si a > aC , la grieta se
propagar rpidamente.
Aceleracin de las grietas crticas
Ntese que para a > aC , la curva U versus a tiene una pendiente cada vez ms negativa,
ver Fig. 7.5. Ello se debe a que al crecer a, la energa liberada elsticamente por el volumen
se hace cada vez mayor que la energa necesaria para crear las superficies correspondientes,
ver Figs. 7.5 y 7.6. Esto contribuye a que cada vez haya ms energa excedente, lo cual
hace acelerar la grieta, hasta llegar a velocidades prximas a un 40% de la velocidad del
sonido de un material.
Por esta razn es muy difcil frenar una grieta que super el valor crtico. Solo se puede
hacer si se pone una barrera antes de que ella crezca (acelere) demasiado. Tal rol lo puede
desempear los bordes de grano; en efecto, se ha observado policristales de Fe sometidos a
esfuerzo y luego descargados, que presentan grietas que se extienden dentro de un grano, de
______________________________________________________________________ 159
P.D-S
un borde de grano a otro. Sin embargo, lo habitual es que una vez que una grieta comenz a
propagarse, ya no se frene hasta que la pieza o probeta se rompa totalmente.
Criterio de Griffith y la necesidad de una grieta aguda
El criterio de Griffith es una condicin energtica necesaria, pero no suficiente, pues
tambin se requiere que se cumpla otra condicin vinculada a que la grieta sea aguda. Esta
condicin establece que el esfuerzo nominal multiplicado por el coeficiente local de
concentracin de tensiones en el extremo de la grieta, debe ser suficiente para romper
localmente los enlaces atmicos. Por lo tanto, cuando se aplica el criterio de Griffith, se
entiende que hay una grieta con extremo agudo que satisface la condicin recin expuesta.
Cuando se tiene una grieta de tamao a < aC , si el esfuerzo aplicado es cclico y moderado,
podra tenerse crecimiento por fatiga. Bajo esas condiciones, la grieta crecer en forma
estable por fatiga; slo cuando el tamao de ella llegue al valor crtico, se tendr la
propagacin rpida final.
Esfuerzo crtico, C
La anterior ec. (8) para aC , se puede analizar en trminos de un esfuerzo crtico, C . Para
ello basta despejar de la referida ecuacin. Entonces queda:
1/ 2
2 E
C =
Ec. 9
La ec. 9 permite determinar el esfuerzo para el cual se iniciar la propagacin de una grieta
de tamao conocido, bajo las condiciones de la Fig. 7.1, en un material de constantes E y
.
Generalizacin del modelo de Griffith
Como veremos, teniendo en cuenta ciertas modificaciones, el criterio de Griffith es
extensible al caso de policristales de metales frgiles, materiales que no son perfectamente
elsticos, pues ellos normalmente presentan algn grado de plasticidad en el extremo de la
grieta. Tampoco los granos individuales de los metales (monocristales) son istropos.
Resultados de Griffith en la nomenclatura de la mecnica de la fractura
Ms adelante veremos una introduccin del enfoque de la Mecnica de Fractura a
problemas como el planteado por Griffith, considerando distintas geometras de grietas
incluso materiales elastoplsticos. A la luz de ese enfoque, la solucin al problema de
Griffith se puede expresar como se indica a continuacin. Primero, rescribiremos la ec. 8 de
la manera siguiente:
1/ 2
1/ 2
Ec. 10
C
Ntese que el segundo miembro de la ec. (10) depende solo de constantes del material;
entonces definimos una magnitud, propia del material, llamada Tenacidad del material (en
1/ 2
M. de Fractura), como K C = (2 E ) . Por otra parte, el primer miembro rene a las dos
( a )
= (2 E )
______________________________________________________________________ 160
P.D-S
Liberacin de Energa de Deformacin. El factor 2 en esta ltima relacin tiene que ver con
que cuando se crea 1 cm2 de grieta, se crean 2 cm2 de superficies nuevas.
Figura 7.1
Curva de traccin de un
material perfectamente
elstico lineal, que se
rompe frgilmente. Es el
caso del vidrio, en un
ensayo
habitual
de
traccin a temperatura
ambiente.
Figura 7.3
Se calcula la diferencia de
energa entre una plancha
agrietada (ver Fig. 2) y una
plancha sin grieta, de
referencia. Las dos planchas
son del mismo material y de
las mismas dimensiones, y
estn sometidas a un mismo
esfuerzo de traccin, .
______________________________________________________________________ 161
P.D-S
Figura 7.4
Aproximacin de la relajacin del campo de esfuerzos en la plancha agrietada (ver Fig. 2)
Figura 7.5
Dependencia con la magnitud a, de las diferencias de energa entre la plancha agrietada y la
no agrietada , a constante. La curva de la diferencia total de energa U versus a,
presenta un mximo para a = aC . Ms all de ese mximo, la pendiente de esa curva se
hace ms y ms negativa; ello se debe a que se incrementa la liberacin de energa elstica
almacenada en el volumen del material, U V .
______________________________________________________________________ 162
P.D-S
Figura 7.6
Para dos tamaos de grietas centrales en una plancha, se presenta esquemticamente el
volumen relajado, cuando una grieta crece desde 2 hasta 2(a + da ) , a esfuerzo constante.
Ntese que en este problema la energa elstica liberada es proporcional al volumen
relajado.
______________________________________________________________________ 163
P.D-S
Referencias Bibliogrficas
Notas del Curso: Comportamiento Mecnico de los Materiales, dictado por el Dr. Aquiles
Seplveda.
Fracture of engineering brittle materials / Ayal de S. Jayatilaka. London : Applied Science
Publishers, 1979.
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P.D-S