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IntroduccionMagnetoplasmonica PDF
IntroduccionMagnetoplasmonica PDF
NOVIEMBRE 2015
ii
ndice general
Declaracin
II
ndice de Figuras
ndice de Tablas
VI
Introduccin
1 Plasmones superficiales
1.1 Plasmones superficiales propagantes
1.1.1 Excitacin de plasmones superficiales con luz
1.1.1.1 Acoplamiento con ondas evanescentes (reflexin
total atenuada RTA)
1.1.1.2 Acoplamiento con rejilla (ajuste geomtrico)
1.2 Plasmones Superficiales Localizados
1.2.1 Teora de dispersin de Mie
3
3
8
8
11
12
12
16
17
21
22
23
24
24
26
Bibliografa
28
iii
ndice de figuras
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
iv
7
9
9
12
v
1.7
2.1
Plasmones superficiales localizados. (a) Mdulo || (lnea azul, escala izquierda) y fase arg() (lnea roja, escala derecha) de la polarizabilidad (Ec. 1.15) de una nanopartcula esfrica de oro embebida en vidrio (BK7). Para el grfico la funcin dielctrica del oro
se obtuvo de la Ref. [1] (recuadro interno) y se ajust al modelo de
Drude. Las constantes pticas del BK7 fueron medidas con elipsometra espectral. (b) Absorcin de nanopartculas de oro de 9
(lnea negra), 22 (lnea verde), 48 (lnea azul), y 99 nm (lnea roja)
en suspensin acuosa. Las grficas estn normalizadas respecto al
mximo de cada espectro que estn en 517, 521, 533, y 575 nm
respectivamente (adaptada con permiso de la Fig. 2(a) de la Ref.
c (1999), American Chemical Society). El recuadro
[2]. Copyright ,
interno es un esquema de modo dipolar inducido en una esfera de
oro cuyo dimetro es muy inferior a la longitud de onda (rgimen
cuasiesttico).
14
16
ndice de cuadros
2.1
vi
19
Introduccin
La magnetoplasmnica estudia la relacin entre las propiedades magnetopticas (MO) y plasmnicas de la materia [3]. Los denominados materiales magnetoplasmnicos son estructuras hbridas que combinan metales nobles y ferromagnticos. Los primeros proveen la funcionalidad plasmnica gracias su alta
conductividad, mientras que los segundos proporcionan la funcionalidad magnetoptica (MO). Gracias a los continuos avances en tcnicas de nanofabricacin, es
posible llevar a cabo una adecuada ingeniera de estas estructuras en trminos de
su tamao, composicin, forma, distribucin y empaquetamiento, lo cual permite
disear y ajustar sus funcionalidades.
El principio general de la magnetoplasmnica est basado en el hecho
de que en estas estructuras las resonancias plasmnicas afectan drsticamente
las propiedades MO, a la vez que la modificacin de las propiedades magnticas
de la estructura mediante un campo magntico externo, permite controlar sus
propiedades plasmnicas. Este intervnculo resulta de gran inters en aplicaciones
como la plasmnica activa que busca alternativas eficientes de modulacin de las
seales plasmnicas para el desarrollo de dispositivos activos [46]. Del mismo
modo, el alto confinamiento superficial del campo electromagntico en presencia
de resonancias plasmnicas hace que las dos funcionalidades presenten una alta
sensibilidad a cambios en su entorno, lo cual ha sido explotado en el desarrollo
de sensores bioqumicos mejorados [711].
En este documento se presenta una revisin de los conceptos generales
bsicos con los cuales el lector puede introducirse a los primeros estudios en este
campo de la investigacin. Asimismo, se presenta una revisin del estado del
arte de este campo emergente de la investigacin. Dado el rpido crecimiento del
nmero de publicaciones en esta rea, esta revisin no pretende ser exhaustiva,
aunque suficientemente completa.
El documento est dirigido a estudiantes de Ciencias, Licenciaturas e In1
2
geniera con conocimiento de la teora electromagntica bsica, en particular lo
concerniente a propagacin de ondas electromagnticas en la materia. El documento se ha dividido en tres partes. En primera instancia se presenta una breve
descripcin de los caractersticas generales tanto de los plasmones superficiales
propagantes (PSP) como localizados (PSL), mientras que la segunda parte esta
dedicada a la descripcin del efecto MO Kerr (MOKE) con especial nfasis en la
geometra transversa (TMOKE). Finalmente, la tercera parte est dedicada a la
descripcin del intervnculo entre las propiedades plasmnicas y magneto-pticas
de estructuras magnetoplasmnicas, tales como el mejoramiento del efecto MO
Kerr transverso por excitacin plasmnica, as como la modulacin del vector
de propagacin de los plasmones superficiales propagantes en pelculas delgadas
multicapa.
Parte 1
Plasmones superficiales
Las oscilaciones colectivas de los electrones libres de un metal, denominadas oscilaciones de plasma [12], tienen asociadas oscilaciones del campo electrosttico por acoplamiento con la carga de los electrones. En funcin de la geometra
y dimensiones del metal, estas oscilaciones del campo dan lugar a ondas electromagnticas confinadas a la superficie que pueden ser viajeras o estacionarias
y se denominan, respectivamente, plasmones superficiales propagantes (PSP) o
localizados (PSL) [13, 14]. As por ejemplo, los PSP tienen lugar cuando se consideran pelculas contnuas, mientras que los PSL tienen lugar en nanoestructuras
aisladas.
Estas oscilaciones pueden excitarse por medio de un estmulo elctrico u
ptico. Si la estimulacin es ptica (como en el caso tratado en este documento) los
plasmones responden en resonancia mediada por un fuerte acoplamiento fotnplasmn (polaritn). En virtud de esto, en el lenguaje estricto los plasmones
superficiales son llamados plasmones superficiales polaritnicos. En caso de PSP
dicho acoplamiento ocurre simultneamente en momentum (~~k) y energa (~),
mientras que para el caso de los PSL, el acoplamiento es nicamente energtico
(~).
1.1.
(1.1)
donde el signo +() aplica para z > 0(z < 0). La parte real de x est relacionada
con la velocidad de fase de los PSP y define la constante de propagacin kP SP =
< {x } y la longitud de onda P SP = 2/< {x } de los PSP. La parte imaginaria
est relacionada con las prdidas y define la longitud de propagacin P SP =
1/2= {x } de estas ondas. Por otra parte,
z =
k02 2x
(1.2)
con + = a , = m y k0 = /c, est relacionado con el confinamiento perpendicular de la onda dado por
= 1/
z .
(1.3)
5
(TM) o tipo p (es decir, polarizacin en el plano x-z de la Fig. 1.1), las condiciones
de frontera de los campos en z = 0 establecen que
+
a
z
= .
z
m
(1.4)
Al sustituir la relacin (1.4) en las Ecs. (1.2), se obtiene la relacin de dispersin de los PSP descrita por
x = k0
v
u
u
t
a m ()
.
a + m ()
(1.5)
Ntese que segn la Ec. (1.4), para que z sea positivo y as entonces
pueda representar una onda con sentido fsico, se requiere que las funciones dielctricas de los medios separados por la interfases tengan signos contrarios, como
es el caso de la interfase metal|dielctrico en consideracin. Otro hecho destacable
es que, como debera esperarse en la geometra descrita, x es continuo a travs de
la interfase. As mismo, se debe notar que la solucin transversal elctrica (TE)
o tipo s de la ecuacin (1.1) no conduce a relacin de dispersin alguna, lo cual
significa que los PSP son ondas TM que slo pueden ser excitadas por fotones
con la misma polarizacin.
Para explorar en detalle esta relacin de dispersin, consideremos el caso
concreto de la interfase Au|Aire. En la Fig. 1.2 se representan la parte real < {x }
(lnea negra) y la parte imaginaria = {x } (lnea roja) de x (Ec. 1.5) en el rango
visible. En los grficos se ha tomado a = 1, mientras que m () se ha tomado de
la Ref. [1]. Aqu la frecuencia (escala izquierda) est normalizada con la frecuencia
de plasma del oro p ' 1.37 1016 s1 (energa de plasma del oro Ep = ~p ' 9
eV). De igual forma, los ejes horizontales se han normalizado con con la cantidad
p /c ' 4,58 107 m1 . Los espectros en las escalas ilustran la correspondencia
cromtica de valores de energa y frecuencia.
A pesar de que tanto en el infrarrojo como en el ultravioleta < {x } se
aproxima a la lnea de luz n1 /c (lnea azul), en todo el espectro se satisface
que
(1.6)
Esto por una parte revela el carcter no-radiativo de los PSP, y seala la impo-
6
R {x}
0 .3 5
I { x }
Lnea de luz
aire
0 .3 0
3 .0
2 .0
E (e V )
/ p
2 .5
0 .2 5
0 .2 0
1 .5
(a )
0 .1 5
0 .1 5
0 .2 0
0 .2 5
x c /p
0 .3 0
(b )
0 .3 5
0 .0 0
0 .0 1
0 .0 2
x c /p
0 .0 3
Figura 1.2: Relacin de dispersin de los PSP (Ec. (1.5)) en la interfase Au|Aire.
< {x } (lnea negra) y = {x } (lnea roja) estn normalizadas con la
cantidad p /c = 4,58 107 m1 , donde p ' 1.37 1016 s1 es la
frecuencia de plasma en el oro. La relacin est representada en el
espectro de energas visibles y parte del infrarrojo cercano, tal como
lo ilustra el espectro cromtico en las escalas. La lnea azul representa
la lnea de luz en el aire (na /c).
sibilidad de excitarlos mediante iluminacin directa, incluso si sta incide rasante. En otras palabras, la desigualdad (1.6) indica que, en la geometra descrita,
ningn fotn proveniente del aire tiene el momentum suficiente para generar el
acoplamiento fotn-plasmn correspondiente, y por tanto, se requiere de tcnicas especiales de acoplamiento para excitar los PSP. En la seccin siguiente se
presentan algunas alternativas.
Por otra parte, esta desiguadad (Ec. 1.6) refleja la condicin de confinamiento superficial. Esto puede visualizarse fcilmente al explorar la Ec. (1.2)
en el dielctrico (z > 0). All puede apreciarse que dado que < {x } > na /c, el
argumento de la raz es negativa y por tanto z es imaginario puro. Esto describe
el decaimiento exponencial de la onda al alejarse de la interfase (z +). La
continuidad de x a travs de la interfase garantiza que en el semi-espacio z < 0
donde = m < 0, el argumento de la raz sea an ms negativo y consecuentemente la onda tenga un decaimiento ms pronunciado en esta regin, tal como se
ilustra en el esquema de la Fig. 1.1. En general, de acuerdo con las Ecs. (1.4) y
(1.5), siendo a real, las condiciones para la existencia de PSP en esta geometra
se satisfacen siempre que las funciones
dielctricas
de los medios circunvecinos
0
0
0
00
tengan signos diferentes (m < 0), m > m , y m > a . Dichas condiciones las
satisfacen los metales.
Vale la pena destacar que, por inspeccin de las Ecs. (1.2), (1.3) y (1.5),
0 ,7
Evanecente
Radiante
Rgimen
SLO
0 ,5
z / P
S P
0 ,6
Lmite de
difraccin
0 ,4
d z< l
0 ,3
4 0 0
5 0 0
P S P
/2
PSP (nm)
6 0 0
7 0 0
8
difraccin. En la grfica de la Fig. 1.3 se ilustra la relacin de confinamiento
z+ /P SP del modo evanescente (lnea azul) y del modo radiante (lnea roja), en la
regin definida por z > 0 de la geometra definida en la Fig. 1.1 (confinamiento en
el dielctrico). La franja sombreada seala la regin en la que el modo evanescente
(PSP) satisface z+ < P SP /2 lo cual define el rgimen SLO para los PSP en la
geometra indicada. Como se mencion anteriormente, el confinamiento en la
regin definida por z < 0 (Au) es mayor. En el presente ejemplo, sta es un orden
de magnitud ms fuerte que en el dielctrico.
A pesar de que la geometra usada es la ms bsica posible, nos ha permitido hacer una descripcin de los PSP completa y suficiente para el alcance
de este documento. En complejidad, la siguiente geometra a considerar sera la
de un medio finito entre dos medios semi-infinitos. En este caso, surgen modos
plasmnicos confinados a cada una de las interfases que, en virtud de la separacin entre las interfases, pueden dar lugar a acoplamiento entre ellos. Dichos
modos resultan de gran inters para investigacin relacionada con el problema de
propagacin de los PSP. Las referencias [1519] constituyen un compendio amplio
y detallado sobre las relaciones de dispersin en estas geometras.
1.1.1.
Tal como se mencion antes, la excitacin con luz de los PSP tiene el
inconveniente de que el vector de onda de los PSP es mayor que la lnea de luz
(x > n/c), de modo que la iluminacin directa es incapaz de igualar el momentum requerido (~x ) para general el acoplamiento fotn-PSP. Es as que se
requiere un mecanismo que permita incrementar el momentum del fotn incidente
(~kx ). Para ello existen varios mecanismos de los cuales presentamos a continuacin los dos ms comnmente usados que resultan de gran inters por su relativa
facilidad de implementacin. Otros mtodos son discutidos en el Captulo 3 de la
referencia [14].
1.1.1.1.
La naturaleza evanescente de los PSP sugiere que este tipo de ondas puede lograr el acoplamiento fotn-PSP. Como es sabido, se pueden obtener ondas
evanescentes (OE) en una interfase dielctrico|dielctrico en condiciones de refle-
Figura 1.4: Excitacin de PSP por acoplamiento con ondas evanecentes (OE). (a)
Principio de acoplamiento OE-PSP. (b) Configuracin de Otto.
c=42
R e f le c tiv id a d ( u .a .)
1 ,0
0 ,8
Onda TM
Onda TE
Au: 41,5 nm
= 633 nm
0 ,6
Rgimen RIT
0 ,4
0 ,2
p=44.3
0 ,0
0
1 5
3 0
4 5
6 0
7 5
9 0
(g r a d o s )
(a) Configuracin de
Kretschmann-Reather.
10
El mismo principio puede aplicarse de manera simplificada para el caso
Ri =
E i 2
r
i
E0
r i + r i exp (2ik t) 2
z,m
dm
ma
1 + r i r i exp (2ikz,m t)
(1.7)
dm ma
i
donde i = p, s denota el tipo de polarizacin, t el espesor de la pelcula, y rj,k
los
coeficientes de reflexin de Fresnel en cada interfase (j|k) que estn dados por
i
rj,k
=
Nji Nki
,
Nji + Nki
(1.8)
con
Njp = nj / cos j ,
(1.9)
Njs = nj cos j , y
(1.10)
!
j = arcsin
na
sin .
nj
(1.11)
La Fig. 1.5(b) muestra la grfica la reflectividad R (Ec. (1.7)) como funcin del
ngulo de incidencia en una pelcula de oro de 41.5 nm de espesor iluminada
con luz de 633 nm en la configuracin de Kretschmann-Reather. La lnea roja
representa el caso de una onda TM (polarizacin p), mientras que la lnea azul
representa el caso de la onda TE (polarizacin s). En ambos casos se distingue el
rgimen de reflexin interna total a partir del ngulo crtico c = 42o . En el caso de
las ondas TM, la transicin a este rgimen est descrito por un aumento abrupto
en la intensidad reflejada. Muy cerca de c se visualiza una reduccin afilada de la
11
reflexin interna total que describe la condicin de resonancia de los PSP. Dicha
resonancia se hace ptima cuando el ngulo de incidencia alcanza el ngulo de
plasmn que para el caso presente es p = 44,3o . Es importante resaltar que en este
rgimen, dado que la energa transmitida es nula, la reduccin de la reflectancia
obedece enteramente a procesos de absorcin. En parte por la excitacin de PSP
y en parte disipacin por efecto Joule. Los parmetros de espesor (t) y longitud
de onda incidente () para la grfica 1.5(b) fueron escogidos de manera que
optimizara la resonancia plasmnica y as se lograra que el mnimo de R fuera
nulo.
En funcin de t la posicin angular y la profundidad del mnimo en R
cambian. El mecanismo que da lugar a la variacin en profundidad de este mnimo involucra la interferencia entre la onda parcialmente reflejada en la interfase
prisma|metal y la reflejada tras la excitacin en la interfase metal|aire. Por su
naturaleza resonante, esta ltima est en contrafase respecto a la onda incidente, y por ende respecto a la onda parcialmente reflejada en la primera interfase
(prisma|metal). Esto explica el carcter destructivo de la interferencia entre las
intensidades reflejadas. Si la pelcula es demasiado gruesa la onda evanescente
de la interfase prisma|metal no alcanza la segunda interfase y por tanto no hay
interferencia (la reflexin total no se atena). A medida que t se hace menor, la
intensidad reflejada en la interfase metal|aire se hace mayor. Al aproximarse al
espesor ptimo, las intensidades reflejadas se compensan dando lugar a la interferencia destructiva total (R se aproxima a cero). A menores espesores, la onda
reflejada en contrafase se hace mayor y rompe el equilibrio, lo que provoca el
aumento de la intensidad reflejada.
La onda TE por su parte, al no generar una onda evanescente es completamente reflejada en la primera interfase (prisma|metal) y por tanto el mecanismo
de interferencia anteriormente descrito no tiene lugar en este caso.
1.1.1.2.
12
x =
c
a m
.
a + m
(1.12)
1.2.
Los plasmones superficiales localizados (PSL) son ondas electromagnticas no-propagantes confinadas a la superficie de un conductor que estn vinculadas con oscilaciones colectivas de sus electrones libres. Por su carcter estacionario, la excitacin de PSL slo demanda de acoplamiento de energa (frecuencia)
sin necesidad de mecanismos de acoplamiento de fase como en el caso con los
PSP. A frecuencias visibles, estas excitaciones tienen lugar en nanopartculas con
tamaos caractersticos de alrededor de los 100 nm dependiendo de su forma. A
diferencia de los PSP, los PSL describen procesos de absorcin y emisin por dispersin (scaterring), por lo que comnmente las nanoestructuras que los soportan
tambin son llamadas nanoantenas.
1.2.1.
Una descripcin detallada de las propiedades de estas excitaciones se obtiene naturalmente de la solucin del problema de dispersin de nanopartculas
13
conductoras en un campo oscilatorio. En trminos generales este problema es
complejo y la solucin analtica exacta est restringida slo para las geometras
ms simples. Sin embargo, las caractersticas ms importantes de los PSL pueden
obtenerse a partir de la solucin del problema simplificado a la geometra esfrica
en nanopartculas de menor tamao que la longitud de onda del campo incidente.
As, las diferencias de fase del campo electromagntico entre un punto y otro
de la partcula son despreciables y por tanto la solucin cuasiestacionaria de la
distribucin de un campo electrosttico resulta ser una muy buena aproximacin.
La dependencia temporal (exp [it]) es incluida luego a la solucin estacionaria. Esta solucin, propuesta por primera vez por Gustav Mie para describir los
colores emitidos por nanopartculas en suspensin coloidal [22], conduce a una
descripcin de las excitaciones plasmnicas en trminos de modos dipolares normales a la superficie. La descripcin lograda por esta teora es adecuada para el
caso de nanopartculas pequeas con dimensin caracterstica menor de 100 nm
en el espectro visible. En partculas ms grandes se requiere de soluciones electrodinmicas rigurosas ya que las diferencias de fase son importantes y dan lugar
a modos de orden mayor como cuadrupolares, octopolares, etc. Sin embargo, la
teora de Mie permite obtener una intuicin general del problema en estructuras
ms complejas.
Consideremos entonces el caso de una onda electromagntica plana (E0 )
que incide sobre una nanopartcula esfrica y metlica de radio a y permitividad
3m
E0
E = a +2m
E0 + 13
r
r<a
3n(np)p
40 m
(1.13)
r>a
p = a m E0
(1.14)
= 4a3
m a
m + 2a
(1.15)
14
1
2
35
-20
30
-40
25
| |
Au
1,0
100
80
0,5
0,4
20
1,5
0,6
0,8
1,0
60
(m)
15
40
10
||
arg()
20
0
-5
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
0
1,0
1,0
arg( ) (deg)
40
0,8
0,6
0,4
0,2
0,4
9 nm
22 nm
48 nm
99 nm
0,5
0,6
(m)
(m)
(a)
(b)
0,7
Figura 1.7: Plasmones superficiales localizados. (a) Mdulo || (lnea azul, escala
izquierda) y fase arg() (lnea roja, escala derecha) de la polarizabilidad (Ec. 1.15) de una nanopartcula esfrica de oro embebida en
vidrio (BK7). Para el grfico la funcin dielctrica del oro se obtuvo
de la Ref. [1] (recuadro interno) y se ajust al modelo de Drude. Las
constantes pticas del BK7 fueron medidas con elipsometra espectral.
(b) Absorcin de nanopartculas de oro de 9 (lnea negra), 22 (lnea
verde), 48 (lnea azul), y 99 nm (lnea roja) en suspensin acuosa.
Las grficas estn normalizadas respecto al mximo de cada espectro
que estn en 517, 521, 533, y 575 nm respectivamente (adaptada con
c (1999), American
permiso de la Fig. 2(a) de la Ref. [2]. Copyright ,
Chemical Society). El recuadro interno es un esquema de modo dipolar inducido en una esfera de oro cuyo dimetro es muy inferior a la
longitud de onda (rgimen cuasiesttico).
es la polarizabilidad compleja que constituye el resultado principal de este clculo. Por una parte, puede verse que tiene un caracter resonante con un mximo
para cuando |m + 2a | se hace mnimo. El mejoramiento plasmnico de la polarizabilidad implica un aumento del campo elctrico tanto en el interior como en el
exterior de la esfera, que a su vez implica un enorme aumento del campo cercano
de la onda incidente. Por otra parte, el decaimiento cbico del campo (propio de
su naturaleza dipolar) ilustra el gran confinamiento asociado a este tipo de excitaciones. Por ltimo, dado que el denominador m + 2a depende tanto del metal
como del ambiente, la posicin espectral de la resonancia resulta altamente sensible al ambiente dielctrico. Estas caractersticas han motivado un gran nmero de
aplicaciones incluidos nanodispositivos pticos y sensores bio-qumicos. En particular, la alta sensibilidad dielctrica de la polarizabilidad constituye el principio
de deteccin de los sensores basados en resonancias plasmnicas localizadas. A
pesar de su gran alcance ilustrativo, uno de los principales inconvenientes de esta
aproximacin en el lmite cuasiesttico es que no describe la bien conocida dependencia que tiene la posicin espectral de la resonancia del tamao de la esfera
[2].
15
Para ilustrar el alcance de esta aproximacin, se presenta en la Fig. 1.7(a)
el grfico de la polarizabilidad (Ec. 1.15) de una esfera de oro embebida en vidrio
(BK7). El mdulo de la polarizabilidad || (lnea azul, escala izquierda) presenta
un pico resonante cerca de los 560 nm ( 2,24 1015 s1 ) acompaado de un
cambio abrupto en la fase arg (lnea roja, escala derecha), caracterstico de los
fenmenos de resonancia. En este caso la parte real de la permitividad (1 ) del oro
(lnea azul y escala izquierda en el recuadro interno de la Fig. 1.7(a)) es negativa
mientras que la parte imaginaria (2 , lnea roja y escala derecha) es pequea
especialmente hacia el infrarrojo, de manera que la condicin de resonancia para
metales nobles se puede reducir a
1 = 2a ,
(1.16)
la cual es conocida como el criterio de Frhlich. El correspondiente dipolo asociado a este modo resonante se conoce como dipolo de plasmn superficial [14]. A
pesar de su simplificacin cuasiestacionaria, la teora de Mie describe aceptablemente bien las propiedades pticas de estas estructuras. La Fig. 1.7(b)1 , presenta
las grficas de la absorcin espectral de nanopartculas de oro de 9 (negra), 22
(verde), 48 (azul), y 99 nm (roja) en suspensin acuosa [2]. Las grficas estn
normalizadas respecto al mximo de cada espectro que estn en 517, 521, 533,
y 575 nm respectivamente, lo cual coincide aceptablemente con la posicin espectral descrita por la Ec. 1.15 y representada en la Fig. 1.7(a) para el caso en
mencin.
Parte 2
Efecto magneto-ptico Kerr
El efecto MO Kerr (MOKE por sus iniciales en ingls) describe los cambios en polarizacin e intensidad que sufre una onda luminosa tras ser reflejada
en la superficie de un material expuesto a un campo magntico externo. Estos
cambios dependen de la orientacin del campo magntico respecto a la superficie
del material y al plano de incidencia. Esto implica definir tres geometras. La
geometra polar (PMOKE) tiene lugar cuando el campo magntico es normal a
la superficie del material, y por tanto cae dentro del plano de incidencia (Fig.
2.1(a)). En la geometra longitudinal (LMOKE) el campo es coplanar a la superficie del material y al plano de incidencia, simultneamente (Fig. 2.1(b)). Por
ltimo, la geometra transversa (TMOKE) ocurre cuando el campo es coplanar
a la superficie del material y a la vez perpendicular al plano de incidencia (Fig.
2.1(c)).
En las geometras polar y longitudinal existe una conversin entre las
componentes s y p de polarizacin de la luz lo cual conlleva una rotacin del plano
de polarizacin y un corrimiento de fase relativo. Es decir que en estas geometras
una onda linealmente polarizada es reflejada con polarizacin elptica. Por esto
z
y
x
(a)
(b)
(c)
Figura 2.1: Geometras efecto MO Kerr. (a) polar, (b) longitudinal, y (c) transverso
16
17
en estos casos, la seal magneto-ptica es usualmente expresada en trminos de
los cambios en el ngulo Kerr complejo definido como:
k = k + ik
(2.1)
T =
2.1.
R
.
R
(2.2)
Desde el punto de vista clsico, los efectos MOs tienen origen en la fuerza de Lorentz que experimentan los electrones del material conducidos por el
campo de la onda incidente en presencia de un campo magntico externo [24].
Para simplificar el anlisis, consideremos una onda plana que incide normal a la
superficie de un metal. En estas condiciones, el campo elctrico de la luz ejerce
una fuerza elctrica sobre los electrones que conduce su movimiento. Si la onda
tiene polarizacin circular-derecha, el movimiento conducido ser circular hacia la
izquierda y viceversa, pero en ambos casos, la magnitud de momento inducido es
el mismo. De este modo, la magnitud del momento dipolar inducido es indiferente
al estado de polarizacin de la luz incidente, por lo que las constantes pticas del
material son idnticas para ambos casos de polarizacin, es decir, no hay rotacin
Faraday del plano de polarizacin en la luz reflejada. Sin embargo, bajo la accin
de un campo magntico externo aplicado en la direccin de propagacin de la
onda, surge una fuerza magntica adicional que acta sobre cada electrn. Segn
la direccin de giro de cada electrn, la fuerza magntica puede ser centrpeta
o centrfuga, por lo que los radios de giro y, consecuentemente, los momentos
dipolares inducidos disminuyen o aumentan, respectivamente. Esta diferencia se
corresponde con diferentes constantes pticas para cada estado de polarizacin.
Esta descripcin tambin permite ilustrar el mecanismo de conversin
18
entre las componentes s y p de polarizacin en el caso de las geometras polar
y longitudinal, as como el hecho de que dicha conversin no tenga lugar en la
geometra transversa. Para esto, es til interpretar el fenmeno de la reflexin
como procesos de absorcin y emisin simultneos (dispersin). El campo de la
onda incidente conduce los electrones del material provocando un desplazamiento oscilatorio respecto a los ncleos positivos. El momento dipolar as inducido
absorbe energa de la onda incidente, a la vez que rada energa a travs de la
onda reflejada. De este modo, el dipolo radiante est acoplado tanto con la onda
incidente como con la onda reflejada. En caso de un medio isotrpico, la magnitud del momento dipolar inducido es independiente del tipo de polarizacin de
la onda, que es el caso de la mayora de los dielctricos. Sin embargo, en el caso
de los metales en donde los electrones libres estn fuertemente confinados a la
superficie, la magnitud del momento dipolar inducido en direccin normal a la
superficie es significativamente menor que en las dems direcciones.
Ahora, consideremos la geometra polar descrita en la Fig. 2.1(a). El
plano x-y contiene la superficie de un metal sobre la que incide una onda TM
oblicua. El campo magntico B z est aplicado en la direccin del eje z. La onda,
entonces, tiene una componente de campo Ez z alineada con el campo magntico
y otra perpendicular a lo largo del eje x (Ex x). La componente Ez z induce un
momento dipolar a lo largo de z restringido por el confinamiento superficial en
el metal. Sin embargo, dado que el dipolo inducido est alineado con el campo
magntico, no se induce fuerza de magntica sobre ste. Por su parte, Ex x induce
un momento dipolar perpendicular al campo magntico el cual, a su vez, induce
una fuerza de magntica que acta en direccin del eje y. Esta fuerza agrega una
componente dipolar en y responsable del acoplamiento con la polarizacin TE de
la onda reflejada. En caso de una onda TE, el campo a lo largo del eje y (E y) es
perpendicular a B z lo que induce una fuerza magntica sobre los electrones a lo
largo de x. Esta fuerza induce un momento dipolar en esta direccin, el cual es
responsable del acoplamiento con la polarizacin TM de la onda reflejada.
El anlisis para el caso de la geometra longitudinal es completamente
anlogo excepto que en el caso de polarizacin incidente TM, la induccin de la
fuerza de Lorentz se debe al movimiento conducido por la componente polar (z)
del campo elctrico. Dado que este movimiento est restringido por el confinamiento superficial de los electrones, la conversin resultante tambin es moderada
comparada con el caso polar, lo cual explica la bien conocida diferencia entre estas
geometras [25]. En caso de polarizacin TE, la induccin ocurre de la componente y a la z, que de acuerdo con lo recientemente explicado en relacin con
19
~ conv =
E
~ E
~
B
~
kBk
TM
~ = Ex x + Ez z
E
TE
~
E = Ey y
Polar Longitudinal
~
~ = B x
B = B z
B
Transversal
~ = B y
B
Ex y
Ez y
Ez x Ex z
E x
+Ey z
la fuerza elctrica y ~vE es la misma, pero sus direcciones son opuestas. De acuerdo
con esto, es posible definir una expresin cualitativa que describe la conversin
de polarizacin inducida sobre la onda reflejada de la siguiente manera:
~
~
~ conv = B E
E
~ k
kB
(2.3)
20
de la magnitud del momento dipolar inducido en cada geometra, segn la polarizacin de la onda incidente. En otras palabras, un factor MO que sea funcin
de la orientacin relativa del campo magntico externo y el campo elctrico de
la onda. Antes de introducir dicho factor, conviene destacar que en el caso de
materiales ferromagnticos es la magnetizacin, en lugar de campo magntico, la
que gobierna la interaccin magntica. En este caso la expresin (2.3) se puede
reescribir como:
~ M O = gE
~ conv = g M
~ E
~
E
(2.4)
~ M O = 0 E
~MO
D
(2.5)
~ M O = 0 M O E
~
D
(2.6)
donde,
M O
0
gz Mz gy My
= gz Mz
.
0
gx Mx
gy My gx Mx
0
(2.7)
Los elementos gi Mi son conocidos como las constantes MO y describen la anisotro~ . Las contribuciones de orden
pa ptica lineal introducida por la magnetizacin M
superior en las constantes MO son generalmente despreciables. Junto con las propiedades pticas del material representadas por el tensor dielctrico diagonal ii ,
la expresin (2.7) constituye el tensor dielctrico con base en el cual se describen
21
las propiedades pticas y MO de los materiales. Es decir, = ii 1 + gk Mk ijk donde 1 es la matriz identidad 3 3, y ijk es el tensor antisimtrico de permutacin
de Levi-Civita. O en forma matricial,
xx
gz Mz gy My
= gz Mz
g
yy
x Mx .
gy My gx Mx
zz
(2.8)
2.2.
Coeficientes de Fresnel MO
En virtud de la conversin MO entre un tipo de polarizacin y otra, adems de los coeficientes de reflexin de Fresnel rss y rpp de las componentes s y
p de polarizacin de la luz, los coeficientes rsp y rps representan la conversin de
polarizacin de la componente s a la p, y de la p a la s, respectivamente. Para
el caso de la geometra ms simple de dos medios semi-infinitos, uno dielctrico
con ndice de refraccin na = a y otro magntico descrito por el tensor dielctrico m = (2.8) la solucin de las ecuaciones de Fresnel conducen a [26] a los
coeficientes complejos:
s
rss = ra,m
tan m gy My
p
Nm
+ Nap
na (gz Mz + gx Mx tan m )
= s
p
s + N s)
Nm (Nm
+ Nap ) (Nm
a
na (gz Mz gx Mx tan m )
= s
p
s + N s)
Nm (Nm
+ Nap ) (Nm
a
p
rpp = ra,m
+
rsp
rps
(2.9)
2na
nm
(2.10)
(2.11)
(2.12)
s
p
donde ra,m
y ra,m
son los coeficientes de reflexin de Fresnel sin actividad mag
ntica (Ecs. (1.8-1.11) con i = s, p; j = a y k = m), nm = m es ndice re
refraccin complejo del medio magntico, a es el ngulo de incidencia, m es el
ngulo de refraccin en el medio magntico (Ec. 1.11 con j = m) y los ndices Nji
con i = s, p y k = a, m estn dados por las expresiones (1.9-1.11).
22
My = 0 y Mz 6= 0) y longitudinal (Mx 6= 0, My = 0 y Mz = 0), mientras que para
la geometra transversal (Mx = 0, My 6= 0 y Mz = 0) slo hay lugar a un cambio
en la intensidad reflejada de la luz con polarizacin TM. Otro hecho destacable
es que el caso de la geometra polar rsp = rps , mientras que en la longitudinal
rsp = rps .
2.3.
Seal MOKE
rsp
= k + ik
rpp
Rpp
seal TMOKE =
Rpp
seal P(L)MOKE =
(2.13)
(2.14)
donde Rpp = |rpp (My = 0)|2 , y Rpp = |rpp (My = +1)|2 |rpp (My = 1)|2 . Es
decir que de manera explcita para esta geometra,
na
g
nm z
cos a
cos (a + m ) (n2m n2a )
na
g cos a
nm x
seal LMOKE =
cos (a + m ) (n2m n2a )
na
tan m gy
seal TMOKE = 4 nm p
Nm + Nap
seal PMOKE =
(2.15)
(2.16)
(2.17)
Parte 3
Intervnculo entre las funcionalidades plasmnicas y
magneto-pticas en estructuras
magnetoplasmnicas
Tal como se mencion anteriormente, el principio general de la magnetoplasmnica es el intervnculo existente entre las propiedades magneto-pticas
(MO) y plasmnicas de estructuras hbridas de metales nobles y ferromagnticos.
En este tipo de estructuras, las resonancias plasmnicas afectan significativamente
las propiedades magneto-pticas (MO), a la vez que las propiedades plasmnicas
pueden ser controladas a travs de la manipulacin de las propiedades magnticas
de la estructura, mediante un campo magntico externo.
Desde hace ya varias dcadas, ha sido ampliamente demostrado que las
resonancias plasmnicas superficiales (RPS) son capaces de mejorar la actividad
MO de sistemas nano-estructurados [2748]. Esto ocurre incluso en estructuras
no-ferromagnticas bajo campos magnticos pequeos [49]. El mejoramiento superficial de la actividad MO por RPS ha permitido, entre otras, mejorar la sensibilidad de sensores bioqumicos [911]. Adems, este efecto puede ser de utilidad
en aplicaciones como la optimizacin de los procesos de almacenamiento de datos,
microscopa magneto-ptica Kerr y magnetismo de baja dimensionalidad [24].
Recprocamente las propiedades plasmnicas de una estructura hbrida
pueden modificarse si se controlan sus propiedades magnticas. Dado que mediante un campo magntico externo es muy fcil controlar los estados de magnetizacin de una estructura magnetoplasmnica, esta posibilidad ha recibido la
atencin de varias investigaciones que pretenden modular seales plasmnicas con
mecanismos magnticos [3, 6, 34, 41, 5056], lo cual ha dado origen a lo que se
conoce como magnetoplasmnica activa [6].
23
24
3.1.
3.1.1.
Modulacin de x
x = k0
v
u
u
t
a m ()
,
a + m ()
(3.1)
25
del material ferromagntico est dado por1 (ver Sec. 2.1)
0 gy My
xx
.
m = 0
xx
0
gy My 0
xx
(3.2)
x = 0x (1 + gy My )
(3.3)
(3.4)
x = 2gy 0x
(3.5)
sin p = x c/nd .
(3.6)
Aqu se ha asumido una respuesta ptica isotrpica del metal, por lo que se ha tomado
xx = yy = zz
26
R que es el responsable del efecto MO consistente en el cambio en la intensidad
reflejada
R(My = 1) R(My = 1)
R
T =
=
.
(3.7)
R(My = 0)
R (0)
T
x
R/
, y
R(0)
(nd /c) cos ,
(3.8)
(3.9)
3.2.
Comentarios finales
27
Las discusiones presentadas en este documento no pretenden en ningn
momento ser exhaustivas. En cambio pretenden ofrecer una referencia inicial a
aquellos lectores interesados en temas emergentes como la nanofotnica y la plasmnica activa. El documento cuenta con suficientes referencias que permiten ampliar con rigor cada uno de los temas aqu discutidos.
Siendo la nanofotnica y la plasmnica areas de investigacin emergentes, las posibilidades de investigacin en el rea son realmente vastas. Particularmente, en el rea de la magnetoplasmnica existen desde asuntos fundamentales
hasta problemas de implementacin y optimizacin en aplicaciones prcticas que
incluyen la bsqueda de mecanismos y/o estructuras que permitan optimizar la
eficiencia y velocidad de modulacin de seales plasmnicas que permitan hacer
realizable la nueva tecnologa de la plasmnica, la cual es la mejor candidata
a fusionar las bondades de la nanoestructuracin de la electrnica con las altas
velocidades de operacin de la fotnica. Por otra parte, existen desarrollos por
realizarse en materia de aplicacin en reas como el deteccin bioqumico, en
donde las resonancias plasmnicas localizadas tienen an mucho que aportar para propsitos como la deteccin localizada de clulas individuales y la realizacin
de deteccin con multiplexacin.
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