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Aspectos Histricos de la Electrnica

La historia de la Electrnica, como la de muchas otras ciencias, est marcada

por pequeos y grandes descubrimientos. Algunos de ellos fortuitos y otros,
fruto de mentes visionarias de investigadores y cientficos.
Descubrimientos, inventos y personajes relevantes en la historia de la
electrnica (A partir del siglo XX)
1901 - Guillermo Marconi, logra la primera transmisin telegrfica inalmbrica
a travs del Atlntico
1903 - El fsico britnico John Ambrose Fleming encuentra una aplicacin
prctica de la vlvula termoinica de efecto Edison, que posteriormente de
denominara: "Diodo", al usarlo como detector de ondas electromagnticas.
John Ambrose Fleming es considerado "el padre de la electrnica"
1906 - El fsico estadounidense Lee de Forest agrega un nuevo electrodo en
forma de rejilla entre el ctodo y el nodo del tubo al vaco. Este electrodo
permite regular el paso de electrones. Nace as el Triodo, primer dispositivo
amplificador electrnico.
1913 - El fsico estadounidense Edwin Howard Armstrong desarrolla el primer
circuito oscilador basado en un Triodo.
1920, 23 de febrero - se trasmite el primer programa pblico de radio en
Inglaterra.
1924 - El escocs John Logie Baird, usando el disco explorador de imagen de
Nipkow, logra trasmitir imgenes por ondas de radio. Naca la Televisin
electromecnica
1928 - El ingeniero alemn Fritz Pfleumer patent la primera cinta magntica,
constituida por una delgada capa de hierro magnetizable sobre una cinta de
papel. Aos despus, la patente fue revocada, pues el principio bsico ya haba
sido patentado por el dans Valdemar Poulsen en 1898
1929 - Se realizan las primeras emisiones pblicas de televisin, por la BBC en
Inglaterra

1930 - Se perfeccionan los tubos electrnicos de vaco, nacen el Tetrodo y

Pentodo con ms elementos entre el ctodo y el nodo.
1932 - La empresa alemana A.E.G. realiza los primeros ensayos para la
construccin de grabadoras de cinta. La firma IG Fabenindustrie propone como
soporte una cinta plstica: el acetato de celulosa.
1933 - Edwin Howard Armstrong inventa un nuevo tipo modulacin de seal: la
FM (frecuencia modulada).
1935 - El Magnetfono hizo su aparicin pblica en la Exposicin Radiotcnica
de Berln. Y cinco aos despus H.J. von Braunmuhl y W. Weber introdujeron la
premagnetizacin de alta frecuencia, que permiti una gran mejora en la
grabacin del sonido.
1936 - El ingeniero austriaco Paul Eisler mientras trabajaba en Inglaterra, creo
el primer circuito impreso como parte de un receptor de radio.
1946 - Percy Spencer, ingeniero de la Raytheon Corporation, descubre los
efectos de las microondas sobre los alimentos. Inventa el Horno de Microondas.
1947 - Un equipo de ingenieros y cientficos encabezados por los doctores John
W. Mauchly y J. Prester Eckert en la Universidad de Pennsylvania, Estados
Unidos, crean: ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer), primera
computadora digital electrnica. Fue una mquina experimental. No era
programable como las computadoras actuales.
1947, 16 de diciembre - Fue creado el primer transistor, por William Shockley,
John Bardeen, y William Brattain en los laboratorios Bell
1950 - Salen al mercado los primeros magnetfonos comerciales, eran de cinta
en carrete abierto.
1951 - Los doctores Mauchly y Eckert fundan la compaa Universal Computer
(Univac), que produce la primera computadora comercial: UNIVAC I.
1955 - SONY lanza al mercado el primer receptor de radio totalmente
transistorizado el TR-55
1958 - El ingeniero Jack Kilby de la compaa norteamericana Texas
Instruments, cre el primer circuito completo integrado en una pastilla de
silicio, lo llam "circuito integrado". Casi simultneamente el ing. Robert Noyce
de Fairchil Semiconductor desarrolla un dispositivo similar al que llam:

"circuito unitario". A ambos se los reconoce como los creadores de los circuitos
integrados.
1962, 10 de Julio - Fue lanzado el Telstar 1 primer satlite de comunicaciones
de uso comercial.
1962 - Nick Holonyak, ingeniero de General Electric desarrolla el primer LED
(Light Emitting Diode o Diodo Emisor de Luz) que emita en el espectro visible.
1962 - Sony lanza al mercado mundial el primer televisor de 5 pulgadas,
completamente transistorizado.
1963 - Philips presentara el popular Compact Cassette. Otros fabricantes
haban desarrollado diversos tipos de cartuchos de cinta magntica, pero
ninguno de ellos alcanzo la difusin mundial de este, por su bajo costo, tamao
y practicidad.
1965 - Gordon Moore, trabajando en Fairchild Semiconductor (tres aos
despus fundara Intel), predijo que la integracin de circuitos crecera a un
ritmo que duplicara el nmero de transistores por chip cada dos aos. Esta
prediccin se ha cumplido hasta la fecha y se le conoce como: "Ley de Moore"
1968 - Fairchild Semiconductor produce el primer circuito integrado regulador
de voltaje lineal el uA723. Poco tiempo despus lanza al mercado la serie 7800
que incluye los populares 7805 (de 5V), etc.
1971 - Ted Hoff, Federico Faggin de Intel y Masatoshi Shima de Busicom
(ZiLOG) disean el primer microprocesador, el Intel 4004
1975 - JVC lanza al mercado el sistema de grabacin de audio y video
analgico para uso domstico: VHS (Video Home System)
1976 - Sony lanza al mercado el sistema de grabacin de audio y video
analgico: Betamax.
1979 - Philips y Grundig de Alemania desarrollan el Video 2000 (Video Cassette
compacto, o VCC) para competir con VHS de JVC y Betamax de Sony.
1982, 17 de agosto - La empresa Philips fabrica el primer Compact Disc en
Hannover (Alemania), desarrollado en forma conjunta por Philips y Sony.
1988 - Se integra el MPEG (Moving Picture Experts Group o Grupo de Expertos
de Imgenes en Movimiento), para desarrollar estndares de codificacin de
audio y video (MPEG-1, MPEG-2, ... MP3, etc).

1995 - Un consorcio de empresas entre las que destacan Philips, Sony, Toshiba,
Time-Warner, Matsushita Electric, Hitachi, IBM, Mitsubishi Electric, Pioneer,
Thomson y JVC, lanzan la primera versin del estndar DVD.

Definicin de electricidad y electrnica

Electricidad: es el conjunto de fenmenos fsicos relacionados con la

presencia y flujo de cargas elctricas. Se manifiesta en una gran variedad de
fenmenos

como

los rayos,

la electricidad

esttica,

la

induccin

electromagntica o el flujo de corriente elctrica. Es una forma de energa tan

verstil

que

tiene

un

sinnmero

de

aplicaciones,

por

ejemplo: transporte, climatizacin, iluminacin y computacin.

La electricidad se manifiesta mediante varios fenmenos y propiedades fsicas:

Carga elctrica : una propiedad de algunas partculas subatmicas, que

determina su interaccin electromagntica. La materia elctricamente
cargada produce y es influida por los campos electromagnticos.

Corriente elctrica : un flujo o desplazamiento de partculas cargadas

elctricamente por un material conductor. Se mide en amperios.

Campo elctrico : un tipo de campo electromagntico producido por

una carga elctrica, incluso cuando no se est moviendo. El campo elctrico
produce una fuerza en toda otra carga, menor cuanto mayor sea la
distancia que separa las dos cargas. Adems, las cargas en movimiento
producen campos magnticos.

Potencial elctrico : es la capacidad que tiene un campo elctrico de

realizar trabajo. Se mide en voltios.

Magnetismo : la corriente elctrica produce campos magnticos, y los

campos magnticos variables en el tiempo generan corriente elctrica.

La electricidad se usa para generar:

luz, mediante lmparas

calor, aprovechando el efecto Joule

movimiento, mediante motores que transforman la energa elctrica

en energa mecnica

seales,

mediante sistemas

elctricos que

electrnicos,

compuestos

incluyen componentes activos

vaco, transistores, diodos y circuitos

de circuitos

(tubos

integrados)

de
y

componentes pasivos como resistores, inductores y condensadores.

Electrnica: es el campo de la fsica que se refiere al diseo y aplicacin de

dispositivos, por lo general circuitos electrnicos, cuyo funcionamiento
depende del flujo de electrones para la generacin, transmisin, recepcin o
almacenamiento de informacin.
Esta informacin puede consistir en voz o msica como en un receptor de
radio, en una imagen en una pantalla de televisin, o en datos como una
computadora.
La electrnica como tal tiene una gran variedad de aplicaciones para la vida
del hombre, como, por ejemplo: las telecomunicaciones, la computacin, la
medicina, la mecnica entre otras.

Materiales semiconductores

Estos materiales se comportan como aislantes a bajas temperaturas, pero a

temperaturas ms altas se comportan como conductores. La razn de esto es
que los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos
ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la
temperatura son capaces de abandonar el tomo para circular por la red
atmica del material. En cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar

deja un hueco que puede ser ocupado por otro electrn que estaba circulando
por la red.
Los materiales semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) y Germanio
(Ge), los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su ltimo nivel. Por
otra parte, hay que decir que tales materiales forman tambin estructura
cristalina.
Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems
de calor, tambin se puede emplear luz.

Modelo Atmico

Un modelo atmico, consiste en representar, de manera grfica, la materia en

su dimensin atmica. El objetivo de estos modelos es que el estudio de este
nivel material resulte ms sencillo gracias a abstraer la lgica del tomo y
trasladarla a un esquema.
Existen distintos tipos de modelos atmicos. El modelo atmico de Bohr o
de Bohr-Rutherford, por ejemplo, es un modelo cuantizado del tomo que se
desarroll para dar explicacin a la forma en que los electrones logran trazar
rbitas que resultan estables en torno al ncleo. Este modelo funcional no se
basa en la representacin fsica del tomo: se orienta, en cambio, a
usar ecuaciones para explicar su funcionamiento.
El modelo atmico de Schrdinger, por su parte, es un modelo cuntico no
relativista sustentando en la resolucin de la llamada ecuacin de
Schrdinger para un potencial electrosttico con simetra esfrica.
Personaje este, el citado Erwin Schrdinger, un fsico austraco que fue
galardonado en el ao 1933 con el Premio Nobel de Fsica por haber llevado a
cabo lo que era el desarrollo de la mencionada ecuacin de Schrdinger que
est considerado como el fundador del mtodo atmico actual. A travs de ella
lo que se consigue es realizar la descripcin de la evolucin temporal de lo que
es una partcula masiva pero no relativista.
Otro modelo atmico es el de Thomson, tambin conocido como modelo del
pudn. Se trata de una teora propuesta por Joseph John Thomson (quien
descubri el electrn) acerca de la estructura atmica.
Por ltimo podemos mencionar al modelo atmico de Rutherford, ideado
por Ernest Rutherford para brindar una explicacin sobre el resultado de sus
experimentos con lminas de oro. Este fsico y qumico indic que los tomos
disponen de electrones y que stos se hallan girando alrededor de un ncleo
central. Dicho ncleo, para Rutherford, concentrara casi la totalidad de la
masa y toda la carga positiva de un tomo.

Diferencias
La electricidad aprovecha los fenmenos elctricos para obtener potencia o
energa, por ejemplo: La plancha elctrica es un aparato elctrico, ya que
emplea electricidad para producir energa calorfica, de la misma forma la
electricidad proporciona la potencia necesaria para mover las aspas de una
lavadora.
La electrnica usa la electricidad para llevar informacin, por ejemplo, el
timbre elctrico para informar que alguien llama la puerta, hasta los complejos
sistemas de radar para localizar y rastrear blancos distantes. De esta forma los
aparatos electrnicos son los que usan la electricidad para indicar, mostrar o
informar algo de algn modo.

Bandas de energa

Existen diversas maneras de darle energa a un electrn, por:

Energa Trmica.

Energa Luminosa (fotn E = h x f).

Campo Elctrico.

etc...

Si se le da energa a un electrn para que pase de E1 a E2, este electrn

puede pasar de una rbita a otra.

Ese electrn vuelve enseguida, al volver tiene que ceder o soltar la

energa. Puede hacerlo de 2 formas:

Al volver sale un fotn de luz:

E2 - E1 = h x f
Una aplicacin de esta caracterstica se ve en los Diodos Led, que
dependiendo de las energas tendrn diferentes colores, y tambin
pueden soltar fotones invisibles a frecuencias en las que la vista no
puede captarlas.

Tambin se suelta energa en forma de calor, energa trmica

(calentamiento del diodo).

Las energas las representaremos grficamente

de esta manera:

Bandas de energa en Semiconductores:

La aplicacin de la teora de bandas en los semiconductores de tipo N y

P muestra que las impurezas aaden niveles extras de energa. EN el
material de tipo n, hay niveles de energa de electrones cerca de la parte
superior de la banda prohibida, de modo que pueden ser fcilmente
excitados hacia la banda de conduccin. En el material de tipo p, los
huecos extra en la banda prohibida, permiten la excitacin de los
electrones de la banda de valencia, dejando huecos mviles en la banda
de valencia.

Estructura de banda en semiconductores de tipo N:

Con la energa proporcionada por un voltaje aplicado, los electrones

pueden ser elevados a la banda de conduccin, y moverse a travs del
material. Los electrones de dice que son los portadores mayoritarios
del flujo de corriente en un semiconductor de tipo n.
Estructura de banda en semiconductores de tipo P:

Con la energa proporcionada por un voltaje aplicado los electrones

pueden ser elevados desde la banda de valencia hasta los huecos en la
banda prohibida. Dado que los electrones poder ser intercambiados
entre los huecos, se dice que son mviles. Los
Enlaces qumicos

Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder

modificar su resistividad de manera controlada entre mrgenes muy amplios.
La razn primera de este comportamiento diferente reside en su estructura
atmica, bsicamente en la distancia interatmica de sus tomos en la red as
como
el
tipo
de
enlace
entre
ellos.
As, el enlace atmico depende del nmero de electrones de valencia de los
tomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los mismos. Los
electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que determinan
y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el carcter
conductivo o no de l.
En un semiconductor formado por dos elementos qumicos diferentes
(Arseniuro de Galio) la asimetra conlleva en general una cierta prdida de
carcter covalente puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la
carga hacia uno u otro tomo. El parmetro que determina este
desplazamiento es la electronegatividad de los tomos constituyentes. Cuanto
ms diferente sea, mayor ser el desplazamiento y el enlace ser ms inico
que covalente.

Adicin de dopantes, efectos producidos y tipos:

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro
con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con
dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que
como un semiconductor, es llamado degenerado.
Tipo N
Cuando se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones
de

valencia), entonces cuatro tomos de las sustancias dopantes formarn

enlaces covalentes con los tomos de Si, el quinto electrn que no comparte
enlaces, es un electrn de conduccin el cual ser donado a la banda de
conduccin. Entonces diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido
a que recibe una cantidad adicional de portadores de carga negativa y la
sustancia pentavalente (P, As, Sb) se llama donador.

Tipo P

De manera similar, si introducen en la red de Si impurezas de tipo

trivalente (tres electrones de valencia), aparece un enlace covalente con el
resto de los tomos de Si. Sin formar, entonces es un enlace roto o una
ausencia del electrn de valencia para llevar enlace. Esta deficiencia de
electrn en los enlaces que puede formar el tomo trivalente provoca que sea
aceptado un electrn de los enlaces covalente de los tomos de Si.
Formndose en consecuencia hueco en la banda de valencia. El semiconductor
dopado con sustancias triviales se llama de tipo P y dichas sutancias (B, Al, Ga)
se denominan aceptores.

Materiales N y P

Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y

extrnsecos. Los semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha
dopado de alguna forma, produciendo as un semiconductor tipo P o del tipo
N. Y los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje
Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre
produce calor nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el
dopaje y el aumento de temperatura en un semiconductor; as que ambos
efectos se suman y la circulacin de electrones y huecos va a ser mayor.

Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a

electrones movindose hacia un lado y a huecos desplazndose en sentido
contrario. Pero las cantidades de unos y otros no tienen por qu ser iguales ni
parecidas, esto depende del material por el que circule la corriente. Llamamos
portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor
medida y, obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo hagan en menor
medida.
Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores
mayoritarios sern los electrones que le sobran por el dopaje junto con los
electrones que saltan debido al calor y los portadores minoritarios sern los
huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el contrario, en
un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos que tiene
en exceso por el dopaje ms los huecos que se producen por efecto del calor,
mientras que los portadores minoritarios sern los electrones que han saltado
de su sitio

.
Se le conoce como unin N-P a la unin de un semiconductor tipo N con uno
tipo P, a continuacin, se explicar esta unin. Supongamos, primeramente,
que hemos unido un trozo de material tipo P con uno tipo N; Qu
ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan
en los huecos que le sobran al material tipo P. Pero, no todos los de un bando
se pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la
frontera que los separa. A esto se le llama recombinacin Por qu solo unos
pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con los huecos es
debido a la atraccin mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas
opuestas; sin embargo, una vez que se han pasado cierta cantidad de
electrones al otro bando comienza a haber una concentracin de electrones
mayor de lo normal, lo que provoca que estos empiecen a repelerse entre
ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al haberse ido los suficientes electrones
para apaciguar la atraccin hueco-electrn inicial pero no tantos como para
llegar a repelerse entre ellos.

Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de
potencial. Una barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan
pasando los electrones y huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer
inalterable mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir,
compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado
por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una batera.