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El Amplicador Operacional Real: Parmetros y

especicaciones tcnicas
J. I Huircn
Abstract Se describen las caractersticas del Amplicador Operacional real, el cual tiene ganancia nita, y depende de la frecuencia. Este amplicador no tiene balance
perfecto, pues, presenta un error en corriente continua, el
cual se llama oset y es causado por Vio , IB e Iio . Las resistencias de entrada y salida del dispositivo tienen valores
nitos. Cada AO es identicado mediante un cdigo que
especica su encapsulado y tipo.
Index Terms Op Amp IC, Amplicador Operacional.

I. Introduction
Para trabajar con AO reales se requiere tomar en cuenta
aspectos de tipo prctico, pues, aunque el modelo ideal
se asemeja bastante al real, ste no se comporta exactamente igual al ideal. Se debe conocer esta diferencia, ya
que de ello depende el comportamiento nal de un circuito
diseado con un AO.
II. El AO Integrado (OP AMP IC)
El Amplicador Operacional (AO) integrado (CI) est
constituido bsicamente por dos etapas de ganancia de
voltaje (una entrada diferencial y una etapa de emisor
comn) seguida por una etapa de salida clase AB de baja
impedancia. Un diagrama simplicado de este circuito integrado es mostrado en la Fig. 1. Esta versin de un AO
integrado es equivalente a un AO de propsito general,
similar al LM101, A 741, o versiones de AO mltiples [1].
Este circuito permite entender el funcionamiento interno
del CI.
Vcc
Q9

Q10

Q
7

+
V+

vin
_

Q1

Q
2

v
out

Cc

La salida se toma desde el colector del transistor Q4 . Por

otro lado, Q10 proporciona un polarizacin adecuada para
el par diferencial.
En la mayora de los AO, la etapa intermedia (2a etapa)
proporciona una alta ganancia a travs de varios amplicadores, en el circuito de la Fig. 1, dicha etapa esta formada por Q5 la cual es un circuito en emisor comn que
proporciona una alta impedancia de entrada a la primera
etapa (la que atena los efectos de carga). Adems, esta
etapa tiene un capacitor Cc el cual es utilizado por el AO
para compensacin en frecuencia.
Finalmente, la etapa de salida est conformada por Q7
y Q8 , la que proporciona una alta ganancia de corriente a
una baja impedancia de salida.
Existen muchas variantes y mejoras al circuito mostrado,
como lo es, modicar el par diferencial y utilizar transistores JFET en la entrada, que permite el incremento de
la resistencia de entrada del AO, adems, la incorporacin
de otras etapas de amplicacin interna, trasladadores de
nivel y circuitos de proteccin.
Cada AO posee rasgos particulares, los que se encuentran especicados en las hojas de especicacin
(Datasheet) de los manuales (Data Book) proporcionados
por los fabricantes. Estas contienen caractersticas de los
AO para determinadas condiciones de operacin, indicados
en forma de tabla o en grcos en conjunto con aplicaciones
tpicas para el dispositivo.
III. Ganancia de lazo abierto Av
La diferencia ms signicativa entre el AO ideal y el real
es la ganancia de tensin en lazo abierto, tambin conocida como ganancia diferencial. Mientras AO ideal tiene
ganancia innita, la ganancia AO real es nita y adems
disminuye a medida que aumenta la frecuencia de trabajo.
La ganancia de tensin se especica en decbeles.

Q
8

Av =
Q5
Q3

Q4

Q
6
RB
VEE

Etapa de Entrada

2 Etapa

Etapa de Salida

vo
vd

Av jdB = 20 log

vo
vd

(1)

La ganancia es alta para entradas cuya frecuencia ucta entre c.c. y 10 KHz aproximadamente, para luego empezar a decaer. Esta frecuencia de corte vara de acuerdo
al tipo de AO, para el caso de la Fig. 2, la alta ganancia se mantiene hasta los 100Hz, decayendo a medida que
aumenta la frecuencia.

Fig. 1. Diagrama interno de un AO.

La etapa de entrada conformada por Q1 y Q2 forman

un par diferencial con carga activa formada por Q3 y Q4 .
Documento preparado en el DIE, UFRO. 2003-2011.

IV. Errores de desplazamiento (Offset) de

tensin y corriente
El AO ideal es un dispositivo balanceado, es decir
vo = 0; si v + = v

(2)

TABLE I
Valores tpicos de Vio para diferentes AO.

Av [d B]
100
80
60
40
20
0
10 2

106

f [H z ]

AO
AO de propsito general
Entrada JFET
Instrumentacin

Vio
2 10[mV ]
1 2[mV ]
10 100 [ V ]

Fig. 2. Respuesta en frecuencia del AO.

En cambio, el AO real tiene un desajuste, debido a que

los transistores que lo componen, especialmente los transistores del amplicador diferencial de entrada (Q1 y Q2 ),
no son exactamente pareados.
Esto implica que se producen desajustes en los valores de
de los transitores, lo cual trae como consecuencia variaciones en los valores de las corrientes de entrada. Como los
ujos de corrientes son distintos en los terminales de entrada, aparecen diferencias en las tensiones base emisor de
los transistores del par diferencial. Tambin una variacin
en las resistencias de colector, producir un desequilibrio.
El resultado nal es un desajuste entre los colectores del
amplicador diferencial, que se maniesta en un voltaje
vo de salida distinto de cero. El desbalance producido se
conoce como voltaje o set o voltaje de desplazamiento.
Para solucionar este problema, se requiere de la aplicacin de un voltaje de compensacin entre los terminales
de entrada, para balancear la salida del amplicador (anulacin del voltaje de oset).
A parte de los desajustes propios de construccin de los
AO, existen otros tales como los producidos por variaciones de temperatura y cambios en las tensiones de alimentacin. Para medir y especicar la compensacin de
oset del AO,se proponen tres parmetros, el Vio , IB e Iio .
A. Tensin de desplazamiento (O set) en la entrada (Vio )
En el AO real si ambas entradas son conectadas a tierra,
la salida es distinta de cero, pues existe una pequea tensin de desplazamiento. Esta tensin en la entrada, llamada Vio ; se dene como la tensin de entrada necesaria
para que la salida sea igual a cero. Si este valor es distinto
de cero, el AO amplicar cualquier desplazamiento en la
entrada, provocando un error grande en corriente continua
en la salida.

voltaje Vio , se modela como una fuente de tensin continua

en una de las entradas del AO ideal como se indica en la
Fig. 3 y sus valores tpicos de muestran el la Tabla ??.
B. Corriente de polarizacin de entrada (IB )
Las entradas del AO ideal no requieren corriente, sin embargo, en el caso real ingresa una corriente de polarizacin
en cada terminal de entrada. Esta corriente IB (la letra
B corresponde a la abreviacin Bias) es la corriente de
base del transistor de entrada, que se dene como la semisuma de las corrientes de entradas individuales de un AO
balanceado de acuerdo a la ecuacin (3). La corriente de
polarizacin de entrada se puede modelar como dos fuentes
de corrientes como se indica en la Fig. 4.
IB =

+
IB
+ IB
2

(3)

_
vo
+
I +
B

_
IB

Fig. 4. Modelacin de IB .

TABLE II
Valores tpicos de IB para diferentes AO.

AO
AO de propsito general
Entrada JFET
Instrumentacin

IB
2[ A]
1[pA]
3 6 [nA]

C. Coecientes que varan con respecto a la temperatura

_ V
io

_
+ _

Vio

A
+

vo

+
Fig. 3. Modelacin del Vio .

Tanto Vio , IB e Iio son dependientes de la temperatura,

es por eso que se denen tres coecientes que relacionan
su variacin con la variacin de temperatura.
Coeciente de temperatura de IB , TIBo
Coeciente de temperatura de Iio , ITioo
Coeciente de temperatura de Vio , VTioo
D. Modelo Considerando los efectos del o set

Este parmetro es independiente de la ganancia del AO,

y su polaridad puede ser positiva o negativa. El efecto del

De acuerdo a lo planteado resulta conveniente para los

anlisis de circuitos con oset, usar el modelo de la Fig.5,

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL: PARMETROS Y ESPECIFICACIONES TCNICAS

el cual muestra un AO ideal con los efectos de Vio e IB .

Dada la linealidad del dispositivo, los efectos de las fuentes
en las salidas sern aditivos.
+

Vio

_
vo
+

I +
B

B. Rise Time (tr )

Es el tiempo que se demora la seal de salida en ir desde
10% hasta el 90% de su valor nal, bajo condiciones de
pequea seal y en lazo cerrado. Se dene en base a la respuesta de una entrada escaln y se relaciona con el ancho
de banda a travs de (4).

_
IB

BW =

0:35
[Hz ]
tr

(4)

Fig. 5. Modelo completo de Oset en un AO ideal.

TABLE IV
tr para AO 741 y 351.

V. Parmetros relacionados con la respuesta en

frecuencia
El AO real no tiene ancho de banda (BW ) innito. En
los AO reales, el ancho de banda comienza en la frecuencia cero y llega hasta la frecuencia de corte superior fc
(frecuencia a la cual la ganancia disminuye en 3dB), sta
depende del tipo de AO y de la ganancia de lazo cerrado.
Av [d B]
Av = A
o

tr [ s]
0:3
0:08

BW [M Hz]
1:16
4:35

El tr est dado para ganancia unitaria, as el ancho de

banda calculado recibe el nombre de GBP o frecuencia
ganancia unitaria (ft ).
C. Slew Rate (SR)

-3 dB

-2 0 dB/dec

Frecuencia a ganancia
unidad

Ganancia unidad

Av = 0

AO
LM741
LF351

fc

ft

f [H z ]

La respuesta debida a un escaln no es ideal. Si se quiere

llevar la salida entre dos extremos, la respuesta del amplicador no es instantnea. La velocidad que toma la salida
en ir desde un extremo a otro es la que se conoce como
razn de cambio o slew rate y est medida en Vs .

Fig. 6. Respuesta en frecuencia del AO (curva de lazo abierto)

La respuesta en frecuencia del AO en lazo abierto se indica en la Fig. 6, donde Ao es la ganancia mxima tambin
llamada ganancia de corriente continua o ganancia en baja
frecuencia. Si el AO es realimentado, ya sea una conguracin inversora o no inversora, la ganancia disminuye y la
frecuencia de corte aumenta.
A. Producto Ganancia - Ancho de Banda (GBP)
Es el producto de la ganancia en lazo abierto disponible
y el ancho de banda a una frecuencia especca. En gran
parte de los AO (compensados internamente en frecuencia)
cuya respuesta en frecuencia cae con una pendiente de 20
dB/dec, el GBP se considera constante. Este parmetro
est ligado a la frecuencia a ganancia unidad (ft ) y en
algunos casos son la misma cosa. Cuando se trabaja a
ganancia unitaria, el GBP es igual al ancho de banda.
TABLE III
GBP para distintos AO.

AO
LM 741
LF 351
LF 356

GBP [MHz]
1
4
10

TABLE V
SR para distintos AO.

AO
LM 741
LF 351

SR [ Vs ]
0.3
13

Comnmente el SR se relaciona con el ancho de banda

de potencia, fp , que se dene como la frecuencia a la cual
una seal senoidal de salida, a una tensin predeterminada,
comienza a distorsionarse. Si vo = V sen2 fp t, donde V es
la amplitud mxima de salida, el ancho de banda de potencia se dene como la habilidad para entregar el mximo
de voltaje de salida con incremento de frecuencia.
VI. Caracterstica Elctricas
Los fabricantes especican una serie de caractersticas
elctricas para los AO, que ayudan a determinar los rangos mximos a los cuales pueden ser sometidos los amplicadores y adems sus caractersticas de entrada y salida.
A. Relacin de rechazo en modo comn (CMRR)
Mide la habilidad de un AO para rechazar seales en
modo comn. Si la misma seal alimenta a la entrada inversora como a la no inversora de una conguracin diferencial, la salida vo debiera ser cero, sin embargo, debido a

la componente en modo comn esto no ocurre. La capacidad de atenuar esta componente es lo que se conoce como
CMRR y comnmente se expresa en decibeles (dB).

CM RR =

Ad
Acm

CM RRjdB = 20 log

Ad
Acm

(5)

TABLE IX
Vop para distintos AO.

AO
Propsito general
Instrumentacin (OP-07)

Output Voltage swing [V ]

14 (RL > 10K )
13 (RL > 10K )

Donde, Ad , es la ganancia diferencial y Acm es ganancia

en modo comn.
designa como estandar 15 [V ] de alimentacin, la mayora
de los AO integrados operan sobre un amplio rango de potenciales, algunos van desde valores tan bajos como 1 [V ],
y otros hasta 40 [V ].

TABLE VI
CM RR para diferentes AO.

AO
Propsito general
Entrada JFET
Instrumentacin

CM RR[dB]
70
100
120

TABLE X
Voltajes de alimentacin para distintos AO.

VII. Resistencia de entrada (rin )

Es la resistencia vista desde un terminal de entrada con
la otra entrada puesta a tierra. Esta vara para cada AO.

rin

Vcc [volts]
18
22

B. Rango de Temperaturas de operacin (Tor )

Es el rango de temperatura dentro del cual el dispositivo
funcionar con las especicaciones mostradas.

TABLE VII
para diferentes AO.

AO
Propsito general (Entrada bipolar)
Entrada JFET
Instrumentacin (OP-07)

AO
Propsito general
Instrumentacin (OP-07)

rin
1 2 [M ]
1012 [ ]
3:3 [M ]

TABLE XI
Rangos de temperatura.

Tipo Especicacin
Militar
Industrial
Comercial

Rango de Temperatura
-55 o C a +125 o C
-25 o C a + 85 o C
0 o C a + 70 o C

A. Resistencia de salida (ro )

Es la resistencia vista desde el terminal de salida. Este
parmetro se dene bajo condiciones de pequea seal con
frecuencias por encima de algunos cientos de hertz.
TABLE VIII
ro para distintos AO.

AO
Propsito general (Entrada bipolar)
Instrumentacin (OP-07)

B. Output voltage swing ( Vo

max ,

ro
75 [ ]
60 [ ]

Vop )

Dependiendo de la resistencia de carga, este es el mximo

peak de salida en voltaje que el AO puede entregar sin
saturarse o recortar la seal.
VIII. Caracterstica Nominal mxima
A. Tensin de alimentacin (V+ y V )
Es la tensin de alimentacin mxima permitida que
puede aplicarse con seguridad al amplicador. Aunque se

C. Tensin de entrada diferencial (Vid )

Es la tensin mxima que puede aplicarse con seguridad
entre los terminales de entrada diferencial sin ujo excesivo
de corriente. Estos valores son variables, los AO con entrada cascodo pnp/npn soportan hasta 30 [V ], similares
a los AO con entrada FET.
D. Voltaje de entrada en modo comn (Vcm )
Es el rango de voltaje que se puede aplicar en ambas
entradas respecto a tierra.
E. Consumo de potencia (Pc )
Es la potencia requerida para operar el AO o la potencia
consumida por el AO con propsitos de polarizacin. Se
especica para 15 [V ].
F. Disipacin de Potencia (PD )
Es la potencia que un dispositivo particular es capaz de
disipar con seguridad en forma continua mientras opera
dentro de un rango de temperatura especco. Esta caracterstica vara de acuerdo al tipo de encapsulado. Por

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL: PARMETROS Y ESPECIFICACIONES TCNICAS

ejemplo, los encapsulados cermicos permiten una alta

disipacin de potencia, los metlicos permiten la siguiente
ms alta disipacin, en cambio los de plsticos tienen la
ms baja. Un valor tpico es de 500 [mW ].

vo

Fig. 8. Proteccin de entrada diferencial.

IX. Alimentacin y proteccin en los AO

A. Alimentacin de los AO
C. Latch-up
La mayora de los AO han sido diseados para operar
con dos fuentes de alimentacin simtricas, sin embargo,
tambin pueden operar con una nica fuente. Para aplicaciones en las cuales existe una sola fuente (interface con
circuitos digitales), se han diseado AO especiales.
V+

V+
_

v+

_
2
3

A*
+
4

vo

2 _

v+ 3 +

V* Tipo LM741/LF351/TL066

4
1

A*

vo

+
_

11

La salida del AO permanece ja en un determinado nivel

de tensin continua despus de haber retirado la seal de
entrada responsable. Si un AO entra en Latch-up es muy
posible que quede daado permanentemente. Esto se produce a menudo en etapas de seguidor de emisor.
Para evitar este problema se plantea esta conguracin
la que permite limitar la seal de entrada a la indicada por
el diodo zener. D1 y D2 son diodos de bajas prdidas y
D3 y D4 pueden ser diodos zener de 10 12 [V ].

* Tipo 1/4 LM124, LM324

(b)

(a)

V+
_

2 _8

3
+
v+

A*

+
_

1
vo

vo

R
+

vi

10K

* Tipo 1/2 TLC 272, TLC 277

(c)

D1

D3

D2

D4

+1 5[v]

-15 [v]

10K

Fig. 7. Alimentacin de un AO.

Fig. 9. Proteccin contra latch-up.

La notacin 1/2 TLC272 y 1/4 LM324 hace referencia a

los AO Mltiples, es decir, 1/2 TLC 272 indica que el CI
tiene dos AO en su interior.
B. Limitaciones de entrada
Las fallas en los AO en la etapa de entrada se producen
de dos formas: (a) excediendo las caractersticas nominales
de entrada diferencial; (b) excediendo caractersticas nominales en modo comn. El parmetro ms susceptible es el
nominal de entrada diferencial.
Cuando se sobrepasan las caractersticas de entrada
diferencial ,en un AO de entrada no protegida el diodo
zener emisor-base de uno de los transistores de entrada
diferencial entrar en disrrupcin. Siempre que la diferencia entre los dos terminales de entrada exceda los 7[V ],
estos diodos emisor-base entrarn en disrrupcin y conducen una corriente que solo estar limitada por una resistencia externa. Si la impedancia que alimenta ambas
entradas es baja, la corriente puede elevarse hasta niveles destructivos. Las corrientes sobre 50[mA] provocarn
daos permanentes.
La forma ms sencilla de proteger el AO es agregar dos
diodos como lo indica la Fig. 8. Estos diodos deben ser de
bajas prdidas tipo 1N458 o similares.

D. Proteccin contra cortocircuito a la salida

Los primeros AO no incorporaban limitacin de corriente en la etapa de salida, aunque estos pueden sobrevivir
a cortocircuito de unos pocos segundos de duracin, un
cortocircuito prolongado a tierra o a Vcc produce la destruccin del circuito. Una proteccin muy til contra cortocircuitos es usar una resistencia de bajo valor en serie
con la salida, como se indica en la Fig. 10.

Rf
2 _
6
3

vo
220

Fig. 10. Proteccin contra cortocircuito.

El resistor tiene un efecto mnimo en el funcionamiento

si se conecta dentro del lazo de realimentacin, excepto la
cada en la tensin de salida. Este evita la destruccin del
amplicador debido a un cortocircuito de la carga.

E. Proteccin de las tensiones de alimentacin

o cermica.

E.1 Inversin de Polaridad

Debido a la construccin interna, los CIs debe operar
siempre con la polaridad de las tensiones de alimentacin
especicada. Si alguna de las tensiones se invierte, aunque
slo sea un momento, uir una corriente destructiva a
travs de los diodos de aislamiento del CI, que estn polarizados normalmente en inversa. Pueden ser utilizadas las
conguraciones de la Fig. 11.

8 1

5
3

(a)

4
2 3

(b)

V+
_

(c)

1N400x

17
181

34

56

(d)

V-

Fig. 13. (a) Encapsulado Metlico. (b) Encapsulado DIP (8 terminales).(c) SOIC. (d) Encapsulado PLCC.

V+

+
C1

1N400x

1N400x

+
C
2

_
A

A
+

V-

Fig. 11. Proteccin de los AO.

E.2 Sobretensin
Los AO comerciales se especican generalmente para una
tensin total de operacin de 36 [V ] ( 18 [V ]). Estos
lmites de tensin NO deben ser sobrepasados ni siquiera
durante breves instantes. Para prevenir esto, se deber
utilizar un voltaje de bloqueo mediante un diodo zener en
los terminales de alimentacin.

La Fig. 13 muestra los diferentes tipos de encapsulado.

El encapsulado DIP (Dual Inline Package - Encapusaldo
en doble lnea) de 8 pines (terminales) indicado en la Fig.
13b, puede ser cermico o plstico, mirado desde arriba
una muesca o punto identica el terminal 1. La distancia
entre terminales es de 0.1 pulgadas (2.5mm aprox).
Los AO encapsulados en componentes ms pequeos son
llamados de montaje supercial (SMT-Surface-Mounted
Technology), se distingue el encapsulado SOIC (SmallOutline Integrated Circuit) cuya distancia entre terminales
es 0.05 pulgadas (1.27mm) . Los distintos formato se encuentran indicados en la Tabla XII. El formato PLCC
(Plastic Lead Chip Carriers) o chip con encapsulado de
plstico se muestra en la Fig. 13d.
TABLE XII
Montaje superficial.

V+
100
_
A
+

Vz

SMT
SOIC
PLCC
LCCC

Descripcin
Small outline integrated Circuit
Plastic Lead Chip Carriers
Leadless Ceramics Chip Carrier

V-

Fig. 12. Proteccin contra sobre tensin.

La resistencia es opcional siempre que la alimentacin

lleve fusible o limitacin de corriente. Otra alternativa es
utilizar dos diodos zener, uno para cada terminal de alimentacin, esto proporciona proteccin contra sobre tensin e inversin de polaridad. El zener debe ser de 36 [V ],
si la alimentacin de 18 [V ] o de 43 [V ] cuando la alimentacin es de 22 [V ].
X. Encapsulados y cdigos de identificacin
El AO se fabrica de un pequeo chip de silicio y se encapsula en una caja adecuada que puede ser de metal, plstico

A. Combinacin de Smbolos y Terminales

Se puede combinar en un slo dibujo el smbolo del AO
con el encapsulado (Fig. 14).
La abreviacin NC indica que no hay conexin. El componente se mira desde arriba. En el encapsulado DIP 14 la
numeracin de los pines es similar al DIP 8, con la nica
diferencia en que tiene 7 terminales por lado.
B. Cdigos De Identicacin
Cada tipo de AO tiene un cdigo de identicacin de
letra y nmero, que permite saber el fabricante, el tipo de
amplicador, de que calidad es y que encapsulado tiene.
No todos los fabricantes utilizan el mismo cdigo, pero

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL: PARMETROS Y ESPECIFICACIONES TCNICAS

Offset Null

Entrada
Inversora

+V

Salida

+
5

Entrada
No Inversora

Offset Null

Entrada
Inversora

Entrada
No Inversora

-V

Offset Null

TABLE XV
Descripcin del sufijo.

La muesca o el punto indica el terminal 1

Lengueta que ubica el terminal 8

NC
+V
Salida
Offset Null

-V
(b)

(a)

Cdigo
D
J
N, P

Descripcin
De plstico, doble en linea SMT
De cermica doble en linea
De plstico DIP para insercin en receptculo

Fig. 14. (a) Encapsulado metlico de 8 terminales. (b) Encapsulado

mini DIP de 8 pines.

la mayora utiliza una identicacin que consta de cuatro

partes escritas en el orden indicado en la Fig. 15.
Num Cto

P . L.

S . L.

Cod E s p M il

Fig. 15. Especicacin de cdigo de los AO.

Donde:
P.L. (Prejo de Letras): Son dos letras que identican
al fabricante.
TABLE XIII
Identificacin de fabricante de AO [3].

Prejo
AD
LM
MC
NE/SE
OP
LT
SG
TL
UA ( A)
CA

Fabricante
Analog Device
National Semiconductor
Motorola
Signetics
Precision Monolithics
Linear Technology
Silicon General
Texas Instrument
Fairchaild
RCA

Num. Cto.(Nmero del Circuito): Se compone de tres

a siete nmeros y letras que identican el tipo de AO
y su intervalo de temperatura.
TABLE XIV
Intervalo de temperatura.

Cdigo
C
I
M

Intervalo de Temperatura
Comercial
Industrial
Militar

S.L. (Sujo de Letras): Indica el tipo de encapsulado

que contiene al AO, puede ser de una o dos letras.
Example 1: A 741CP, Amp. Op. de propsito general
Fairchild, con intervalo de temperatura comercial y encapsulado de plstico.

Example 2: OP037CP, Amp. Op. precisin, bajo ruido,

alta velocidad, temperatura comercial y encapsulado de
plstico.
Example 3: LF351D, Amp. Op. con entrada JFET para
montaje supercial (Linear Bi-FET)
XI. Conlusiones
El AO real tiene una ganancia de lazo abierto de aproximadamente 100 dB, la cual decrece a medida que aumenta
la frecuencia, luego, el ancho de banda es nito, y depender bsicamente de la ganancia realimentada de trabajo.
El AO tambin presenta errores de corriente continua, es
decir, si v + = v , la salida es distinta de cero, esto se
conoce como oset, el cual se debe reducir o compensar
sobre todo para aplicaciones de alta ganancia. Las causas
de oset son Vio , IB e Iio .
Todos estos parmetros, ms los relacionados con las
caractersticas nominales del circuito integrado deben ser
considerados para su ptimo funcionamiento.
References
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