LECCIN 1: DIODOS SEMICONDUCTORES

DIODO IDEAL
Nuestro primer elemento que estudiaremos es el Diodo, por su simplicidad y
utilidad. Es por analoga similar a un interruptor elctrico. Su uso va desde diseos
sencillos hasta circuitos de gran complejidad. Adems de presentar los detalles
acerca de su fabricacin y de sus caractersticas, se observaran las hojas de datos
y las grficas ms relevantes que se encuentran en las hojas de especificaciones.
Cundo un dispositivo tiene caractersticas perfectas lo conocemos como IDEAL.
Luego, un diodo ideal es un dispositivo construido con dos terminales y con unas
caractersticas tales como se muestran en las figuras 1a y 1b

Figura 1. Diodo ideal. (a) Smbolo; (b) Caracterstica

El diodo ideal tiene caractersticas semejantes a las de un interruptor, permite la
conduccin de corriente en una sola direccin. En la direccin que indica la flecha
en la figura 1a. Donde uno de sus terminales, el cual se llama nodo, tiene
aplicado un potencial positivo (indicado en la grfica con el signo +), y en el otro
terminal, el cual se llama ctodo, tiene aplicado un potencias negativo (indicado
en la grfica con el signo -). De esta forma, el diodo ideal cumple con lo siguiente:

Grficamente podemos concluir:

a) Cuando un diodo ideal esta polarizado directamente tenemos un cortocircuito.

Figura 2. Cortocircuito.
b) Cuando un diodo ideal esta polarizado inversamente tenemos un circuito
abierto.

Figura 3. Circuito abierto.

Entonces nos quedan los siguientes interrogantes:
a) Qu tan cercana ser la resistencia en polarizacin directa o resistencia de
encendido de un diodo real al valor ideal de cero ohmios?
b) La resistencia en polarizacin inversa ser lo suficientemente grande para
permitir una aproximacin a un circuito abierto?

MATERIALES SEMICONDUCTORES, NIVELES DE ENERGA Y

MATERIALES EXTRNSECOS.
La palabra semiconductor define en s misma la caracterstica y se aplica
normalmente a un rango de nivel entre dos lmites. Los materiales se clasifican de
acuerdo con la facilidad para permitir el flujo de carga o conductividad cuando una
fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a sus terminales, as: conductores,
si el flujo de carga es generoso; aislante o dielctrico cuando ese flujo es nulo o
casi nulo y semiconductor cuando el flujo de carga es mucho mayor al dielctrico y
mucho menor al de un conductor.
Entonces tenemos otro elemento que nos ayudar en la comprensin de este
tema, la resistividad o resistencia al flujo de carga. Es una magnitud relacionada
inversamente con la conductividad.

Mientras mayor sea la conductividad del material menor ser la resistividad del
mismo.
Se define la resistividad (p, letra griega rho) como la magnitud caracterstica que
mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente elctrica.
Tambin recibe el nombre de resistencia especfica. Es la inversa de la
conductividad elctrica (o, letra griega sigma). La resistividad se representa por p y
se mide en ohmmetro.
La resistividad elctrica de un material viene dada por la expresin R S/l, donde
R es la resistencia elctrica del material, l la longitud y S la seccin transversal.

Donde, R equivale a la resistencia del cubo.

equivale a la magnitud de la resistividad.
Conductor
Semiconductor
p=10-6Q-m. Cobre 50 - cm. Germanio
50 * 103 - cm. Silicio

Dielctrico
1012 - cm. Mica

Tabla 1. Valores representativos de la resistividad.

Podemos observar en la tabla No.1 los valores representativos de la resistividad
para las tres categoras amplias de materiales.
Nos centraremos en los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el
silicio (Si) no son los nicos dos materiales semiconductores, pero ellos son los
que ms se han trabajado en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Pues
estos materiales poseen una consideracin especial, se pueden fabricar con un
alto nivel de pureza. Se ha logrado una razn de una parte de impureza en diez
mil millones de partes de material (1:10.000.000.000). Esto es fundamental,
porque si los niveles de impurezas son mayores se puede pasar de un material
semiconductor a uno conductor.
La otra razn importante para que el silicio y el germanio sean tenidos en cuenta
en la fabricacin de semiconductores est en la habilidad para transformar
significativamente las caractersticas del material en un proceso
llamado dopaje.Adems, pueden ser modificados por otros mtodos como la
aplicacin de luz o de calor.

Figura 4. Estructura atmica de un conductor: el cobre (Cu).

El silicio y el germanio tienen una estructura atmica bien definida que por
naturaleza es peridica, es decir, que se repite continuamente. El patrn completo
se denomina cristal y el arreglo peridico se denomina red. En un cristal puro de
germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica,
formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del
cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales interacta con el
electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los
electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino
puro, el material acta como un aislante.
Pero es posible que estos electrones adquieran suficiente energa cintica de
origen natural para romper el enlace y asumir el estado de libre.
El trmino libre manifiesta que su movimiento ser muy sensible a la aplicacin de
potenciales elctricos. Las causas naturales incluyen efectos como la energa
luminosa en forma de fotones o energa trmica que proviene del entorno.
El silicio tiene alrededor de 1,5 X 1010 portadores libres en un centmetro
cuadrado de material intrnseco de silicio. Los electrones libres generados por
causas naturales se denominan portadores intrnsecos.
La comparacin entre el germanio y el silicio con respecto a los electrones libres a
temperatura ambiente es de 103 veces mayor en el germanio. El comportamiento
del germanio y del silicio con el incremento de temperatura presenta una
reduccin de su resistencia. Esto es, tienen un coeficiente de temperatura
negativo.

Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de

impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las
impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo,
antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan
un exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de
valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de
germanio o silicio.
Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los electrones restantes de las
impurezas donantes quedan libres para desplazarse a travs del material
cristalino. Por el contrario, las impurezas de galio y de indio disponen de slo tres
electrones de valencia, es decir, les falta uno para completar la estructura de
enlaces interatmicos con el cristal. Estas impurezas se conocen como impurezas
receptoras, porque aceptan electrones de tomos vecinos. A su vez, las
deficiencias resultantes, o huecos, en la estructura de los tomos vecinos se
rellenan con otros electrones y as sucesivamente.
Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si se movieran en
direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica un voltaje.
En una estructura atmica aislada existen niveles de discretos de energa
asociados a cada electrn en las diferentes orbitas del tomo

Figura 5. Niveles de energa.

En la figura 5 observamos que entre los niveles de valencia existen bandas de
energa vacas, donde ningn electrn de la estructura atmica aislada puede
permanecer. Cuando lo tomos de un material se unen para formar una red de
estructura cristalina, existir una interaccin entre los tomos, donde los
electrones de una rbita particular de un tomo posea un nivel de energa
diferente a la del electrn de la misma rbita del tomo adyacente.
Mientras ms distante se encuentre un electrn del ncleo, mayor ser su estado
de energa. Tal como lo vemos en la figura 4. Adems, en la figura 6, se observa
una regin prohibida entre la banda de valencia y la banda de ionizacin. Donde

ionizacin es el mecanismo por medio del cual un electrn puede absorber

energa suficiente para escapar de la estructura atmica e ingresar a la banda de
conduccin. Aparece el trmino de electrn volts. El cul es la medida con la cual
se mide la energa asociada a cada electrn.
Definimos la energa como el producto entre voltaje y carga asociada a cada
electrn y est dada en electrn voltios (eV).

Figura 6. Bandas de conduccin y valencia.

Si sustituimos la carga de un electrn y una diferencia de potencial de 1 voltio en
ese producto, obtendremos como resultado un nivel de energa referido como un
electrn voltio. La energa se expresa tambin en joules y la carga de un electrn
en 1,6 X 10-19 coulomb, entonces:
W= QV = (1,6 X 10-19 C) * (1 V) (1.3)
1 Ev = 1,6 X 10-19 J (1.4)
Cuando la temperatura es de 0 K o cero absolutos (-273,15 C), todos los
electrones de valencia de un material semiconductor estarn ligados a la
estructura atmica. Pero si la temperatura llegase a 300 K o 25 C, un nmero alto
de electrones de valencia habrn adquirido la suficiente energa para abandonar la
banda de valencia, cruzar la banda de energa vaca definida por Eg e ingresar a
la banda de conduccin. En la figura 6 se establece una tabla para diferentes
materiales semiconductores y el valor de Eg. Es evidente que a temperaturas
ambiente existirn portadores libres, ms que suficiente para mantener un flujo
constante de carga o corriente.
Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y
compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el
seleniuro de zinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad
provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al
aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente
elctrica. En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones
de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn emparejados y son
compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al

cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para transportar

corriente elctrica.
Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que
excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de
manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan
contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga
positiva). ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de
los semiconductores a causa de la temperatura
Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas donantes
se llama semiconductor negativo, o tipo N, para indicar la presencia de un exceso
de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza receptora
producir un semiconductor positivo, o tipo P, llamado as por la presencia de
huecos cargados positivamente.
Un cristal sencillo que contenga dos regiones, una tipo N y otra tipo P, se puede
preparar introduciendo las impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio
fundido en un crisol en diferentes fases de formacin del cristal. El cristal
resultante presentar dos regiones diferenciadas de materiales tipo N y tipo P.
La franja de contacto entre ambas reas se conoce como unin PN. Tal unin se
puede producir tambin colocando una porcin de material de impureza donante
en la superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza
receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de
impurezas a travs de la capa exterior.
Al aplicar un voltaje desde el exterior, la unin PN acta como un rectificador,
permitiendo que la corriente fluya en un solo sentido. Si la regin tipo P se
encuentra conectada al terminal positivo de una batera y la regin tipo N al
terminal negativo, fluir una corriente intensa a travs del material a lo largo de la
unin. Si la batera se conecta al revs, no fluir la corriente.
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que
son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes
de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos
de Silicio.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:

Figura 7. Representacin de un cristal de silicio

Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve
en la figura 7. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los
electrones que quedan (aunque sean compartidos) con cada tomo, gracias a esta
caracterstica los enlaces covalentes son de una gran solidez. Los 8 electrones de
valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en los tomos.

El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren

dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn
se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro
electrn.

Figura 8. Movimiento de electrones libres.

A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones
libres, tal como lo expresamos anteriormente.

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo

entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".

Figura 9. Enlace covalente roto

Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de
pares electrn libre - hueco.
Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente
como contraria a la direccin de los electrones libres.

Figura 10. Grafica de movimiento de electrones en el silicio.

En la figura 10 vemos que los electrones libres (electrones) se mueven hacia la
izquierda ocupando el lugar del hueco. Los electrones ligados (huecos) se mueven
hacia la derecha.
Carga del electrn libre = -1.6x10-19 Culombios.
Carga de electrn ligado = +1.6x10-19 Culombios.
Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres) y los huecos
(electrones ligados).

EL DIODO SEMICONDUCTOR.
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un
cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa
unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los
"Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se
puede representar como un signo "+" encerrado en un crculo y con un punto
relleno (que sera el electrn) al lado. El tomo trivalente sera un signo "-"
encerrado en un crculo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un
hueco).
Entonces la representacin de un semiconductor tipo n sera:

Y la de un SC tipo p:

La unin de las regiones p y n ser:

Figura 11. La Union PN

Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin PN".
Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en
cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unin,
cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador
minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre
se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la
unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga
negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos
la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de
deplexin".

Figura 12. Zona de deplexin

Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al
entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de
devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada
electrn que cruza hasta llegar al equilibrio.

El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial

llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:
0.3 V para diodos de Ge.
0.68 V para diodos de Si.
Polarizar: Poner una pila o fuente de voltaje DC.
No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vaco. z.c.e.: Zona de Carga
Espacial o zona de deplexin (W).
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal
negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en
"Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

Figura 13. Polarizacin directa.

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la
fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al
moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el
extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el
circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo
de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo
tomaremos siempre contrario al del electrn.

Figura 14. Sentido del movimiento del electrn libre (e-) y de la corriente (I).

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente

entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como
electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn
de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras
abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin
se denomina "Polarizacin Inversa". En la figura 15 se muestra una conexin en
inversa:

Figura 15. Polarizacin inversa.

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a
los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y
la z.c.e. se ensancha. A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial,
la zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual
a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de
alejarse de la unin. A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la z.c.e.

Figura 16. Sentido del movimiento del electrn libre y de la corriente.

Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa trmica
crea continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que haya pequeas

concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se

recombina con los mayoritarios pero los que estn en la z.c.e. pueden vivir lo
suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea corriente. La zona de
deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se
crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que depende de la
temperatura.

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las
impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente
depende de la tensin de la pila (V VP).

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

Concluimos la leccion con el siguiente mapa conceptual:

http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/lecc
in__1_diodos_semiconductores.html
FECHA 29/01/2016

LECCIN 2: ANLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS.

Se define un circuito equivalente como una combinacin de elementos elegidos de
forma apropiada para representar de la mejor manera las caractersticas
terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para una regin de
operacin particular.

La idea es sustituir por un circuito equivalente que no afecte de forma importante

el comportamiento real del sistema. Para poder conseguir una red que pueda
resolverse con las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.
La forma ms fcil de hacerlo es mediante el uso de segmentos donde los
comportamientos son lineales. Aun cuando no se represente de forma exacta las
caractersticas reales del dispositivo o sistema. Sin embargo, el resultado est
muy aproximado a la curva real, lo cual, establece un circuito equivalente que
proporciona una muy buena aproximacin al comportamiento real del dispositivo.
Previamente debemos tener en cuenta, en el comportamiento la funcin resistiva
que posee el diodo. Antes de ver el diodo vamos a ver las caractersticas de la
resistencia.
La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn pulverizado. Son
importantes las dimensiones del carbn.

Figura 18. Anlisis de una resistencia.

Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero en
directa y luego en inversa. Se toman los valores con un Ampermetro y un
Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el
comportamiento de la resistencia.

Figura 19. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin directa.

Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las
tensiones son negativas.

Figura 20. Comportamiento de una resistencia en la regin de polarizacin

inversa.
Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

Figura 21. Curva caracterstica de una resistencia.

A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por ello se
dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar con los
elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.
Analizamos de la misma forma el diodo:
Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes por
el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la polarizacin de la pila). Y
as obtenemos una tabla que al ponerla de forma grfica sale algo as:

Figura 22. Comportamiento de un diodo.

Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma).
Como no es una lnea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal"
"Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy
difcil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones son bastante
complicadas.
La ecuacin matemtica de esta curva es:

En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el diodo

y las corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el diodo
podra romperse, por eso hay que tener cuidado con eso (como mximo se tomar
0.8 V 0.9 V). En inversa tenemos corrientes negativas y pequeas. A partir de 1V
se
puede
despreciar
la e y
queda
aproximadamente I
=
IS, que es muy pequea aunque no se ha tenido en cuenta la corriente de fugas,
con ella sera:
I = -(IS + If)

A partir de -1 V si no hubiera If tendramos una corriente pequea y horizontal pero

como hay fugas que son proporcionales a la tensin inversa, bajando poco a poco.

Figura 23. Curvas de comportamiento en las dos zonas de polarizacin.

Si sigo aumentando la tensin inversa se llegar a un valor de ruptura, en este
ejemplo a VR = -50 V aparece la avalancha y ya la ecuacin no vale, es otra
distinta. Y aqu el diodo se destruye a menos que sea especialmente fabricado (un
diodo Zener).
Al punto en el que se vence la barrera de potencial se le llama codo. La "Barrera
de Potencial" "Tensin Umbral" es el comienzo del codo, a partir de ah conduce
mucho el diodo en directa.
En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes:

Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral V d) para

que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa).

Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente

como una resistencia.

Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo

conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la intensidad
aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.
(a)

(b)

Figura 23. Tensin umbral (a) y similitud a la curva de una resistencia (b).
A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir que se
comporta como una resistencia. La zona n tiene una resistencia y la zona p otra
resistencia diferente:

Figura 24. Clculo de la resistencia en la zona de polarizacin inversa.

EJEMPLO:
1N4001 rp= 0.13 W rn = 0.1 W
La resistencia interna es la suma de la resistencia en la zona n y la resistencia en
la zona p.

Y la pendiente de esa recta ser el inverso de esta resistencia interna.

Figura 25. Pendiente de la recta en zona directa.

Como la resistencia interna es pequea, la pendiente es muy grande, con lo que
es casi una vertical, esto es, conduce mucho. Resumiendo hemos visto que
tenemos:

Figura 26. Curva de un diodo.

Mxima corriente continua en polarizacin directa, es el mayor valor de
permitido en la caracterstica del diodo:

corriente

Figura 27. Grafica de corriente mxima.

EJEMPLO:
1N4001 IFmx = 1A (F = forward (directa))
En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque si no el
diodo se estropeara fcilmente. Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo las
intensidades que salen, que a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es de
silicio) aumentan mucho como se ve claramente en la grfica de la caracterstica
del diodo.

Figura 28. Resistencia limitadora.

Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el diodo,
como se ve en la figura 28. Se calcula la resistencia para limitar la corriente, para
que no aumente a partir de 1 A por ejemplo.

La mxima corriente y la mxima potencia estn relacionadas. Como ocurre con

una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia que indica cuanta
potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni degradar sus
propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin en el diodo y la
corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste. Normalmente en
diodos rectificadores no se suele emplear la limitacin mxima de potencia, ya que
toda la informacin acerca de la destruccin del diodo (por calor) ya est
contenida en el lmite mximo de corriente.
EJEMPLO: 1N4001. En la hoja de caractersticas indica una corriente mxima con
polarizacin directa Io de 1A. Siempre que la corriente mxima con polarizacin
directa sea menor que 1A, el diodo no se quemar.

Figura 29. Disipacin de potencia de un diodo

La potencia se disipa en el diodo en forma de calor. Como ya se ha dicho no se
debe pasar de ese valor de potencia.
En polarizacin inversa tenamos una corriente que estaba formada por la suma
de los valores de la corriente IS y la corriente de fugas If (Figura 30). Hay que tener
cuidado, no hay que llegar a VR porque el diodo se rompe por avalancha (excepto
si es un Zener).

Figura 30. Polarizacin inversa.

Los modelos de resolucin de circuitos con diodos ms usados son 4:
EXACTA POR TANTEO: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin de la malla.
MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1 aproximacin, 2 aproximacin
y 3 aproximacin.
DE FORMA GRFICA: Recta de carga.
Primeramente analizaremos la resolucin de forma exacta. El circuito que
queremos resolver es el de la figura 31.

Figura 31.Circuito
Primeramente y mirando la temperatura en la que estamos trabajando tomamos
del catlogo los siguientes valores para T = 27 C (temperatura ambiente):

Con esto podremos continuar calculando:

De la ecuacin exacta del diodo:

Tenemos 2 incgnitas y una ecuacin, necesitamos otra ecuacin que ser la

ecuacin de la malla:

Y ahora tenemos 2 incgnitas y 2 ecuaciones, resolvemos:

Nos queda que es imposible despejar la V, es una "ecuacin trascendente". Para

resolver este tipo de ecuaciones hay que usar otro tipo de mtodos, aqu lo
resolveremos por "tanteo", que consiste en ir dndole valores a una de las
incgnitas hasta que los valores se igualen.

En este ejemplo hemos usado una malla, pero si tuviramos ms diodos,

tendramos ms exponenciales, ms mallas, etc... Esto es muy largo, por eso no
se usa (a no ser que dispongamos de un PC y un programa matemtico para
resolver este tipo de ecuaciones). Para poder hacerlo a mano, vamos a basarnos
en unos modelos aproximados ms o menos equivalentes del diodo. Estos
modelos equivalentes aproximados son lineales, al ser aproximados cometeremos
alguna imprecisin.
1 Aproximacin (el diodo ideal). La exponencial se aproxima a una vertical y
una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo es ideal, no se
puede fabricar. Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor
cerrado.

Figura 32. Diodo ideal en zona de conduccin.

Con la polarizacin inversa es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.
Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose
dependiendo de si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores que
cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada
aproximacin.
EJEMPLO:

Figura 33. Circuito

En polarizacin directa:

2 Aproximacin. La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal

que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio,
porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el
valor de 0,3 V).

Figura 34. 2 aproximacin.

El tramo que hay entre 0V y 0,7V es en realidad polarizacin directa, pero como
para efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda
aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior. Polarizacin
directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7V. Polarizacin inversa: Es un
interruptor abierto.
EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda
aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en
polarizacin directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximacin, esta

segunda aproximacin es menos ideal que la anterior, por lo tanto es ms exacta,
esto es, se parece ms al valor que tendra en la prctica ese circuito.

3 Aproximacin. La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V
y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna. El estudio
es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la
polarizacin directa:

Figura 35. 3 Aproximacin.

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23
como valor de la resistencia interna.

Esta tercera aproximacin no merece la pena usarla porque el error que se

comete, con respecto a la segunda aproximacin, es mnimo. Por ello se usar la
segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en algn caso especial. Para
elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por ejemplo, si
son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es afirmativa se podra
usar la primera aproximacin. Por el contrario, si el circuito contiene resistencias
de precisin de una tolerancia de 1%, puede ser necesario utilizar la tercera
aproximacin. Pero en la mayora de los casos la segunda aproximacin ser la

mejor opcin. La ecuacin que utilizaremos para saber que aproximacin se debe
utilizar es esta:

Fijndonos en el numerador se ve que se compara la VS con 0.7 V. Si VS es igual

a 7V, al ignorar la barrera de potencial se produce un error en los clculos del 10
%, si VS es 14V un error del 5 %, etc...

Tabla No. 2
Viendo el denominador, si la resistencia de carga es 10 veces la resistencia
interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error del 10 % en los
clculos. Cuando la resistencia de carga es 20 veces mayor el error baja al 5% y
as sucesivamente.

Tabla No. 3

En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor que 1 ,

lo que significa que la segunda aproximacin produce un error menor que el 5 %
con resistencias de carga mayores de 20 . Por eso la segunda aproximacin es
una buena opcin si hay dudas sobre la aproximacin a utilizar. Ahora veremos
una simulacin para un ejemplo concreto de uso de estas aproximaciones.
Cualquier circuito tiene variables independientes (como tensiones de alimentacin
y resistencias en las ramas) y variables dependientes (tensiones en las
resistencias,
corrientes,
potencias,
etc.).
Cuando
una
variable independiente aumenta, cada una de las variables dependientes respond
er, normalmente,aumentando o disminuyendo. Si se entiende cmo funciona el
circuito, entonces se puede predecir si una variable aumentar o disminuir.
EJEMPLO:

Figura 36.Circuito
Si se analiza la resistencia RL y la tensin VS, se ve que los valores que se desean
son de 1 K y 10 V en este caso, a estos se les llama "valores nominales", pero
los valores reales se rigen por unas tolerancias, que son unos rangos de valores
no un valor fijo. El diodo tambin puede variar su valor de tensin umbral. Pero
estas tres variables (RL, VS y Vj) dependen de la fabricacin, estos es dependen
de s mismas, son "variables independientes". Por otro lado estn las "variables
dependientes", que dependen de las tres variables anteriores, que son: V L, IL, PD,
PL y PT. Estos quedan reflejados en la tabla No 4:

Tabla No 4

ANLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA.

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para
los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada
acerca de ellas.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de
forma grfica, esto es calculando su recta de carga.

Figura 37. Analisis con la recta de carga

Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin de
una recta, que en forma de grfica sera:
A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa. El punto
de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto Q,
tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se
controla variando VS y RS. Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al
punto de corte con el eje Y se le llama "Saturacin".

APROXIMACIN DE DIODOS.
En el captulo anterior cuando se realiz el anlisis del modelo
equivalente mediante la utilizacin de segmentos lineales no se utiliz en el
anlisis de la recta de carga debido a que RS es tpicamente mucho menor que

los otros elementos en serie de la red. Si recurriramos a un anlisis tan preciso

donde tengamos en cuenta las variaciones por tolerancias,temperaturas etc.,
Concluiramos que una solucin es tan precisa como la otra.
Por esto, solamente debemos tener en cuenta el material con el cual est
fabricado nuestro diodo, silicio o germanio para determinar el voltaje de cada que
aporta en un anlisis circuital.
Tipo de diodo
Valor de VD
Silicio
0,7 V
Germanio
0,3 V
IDEAL
0,0 V
Tabla No 5

CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DC.

En el desarrollo de circuitos fcilmente encontraremos una variedad de
configuraciones de diodos en serie con entrada de DC. Debemos tener muy claro
que un diodo est en estado de conduccin encendido si las corrientes aplicadas
por las fuentes son superiores a la corriente umbral y permiten una cada de
voltaje de acuerdo al tipo de material de construccin del diodo (V D> 0,7 V para el
silicio o 0,3 V para el germanio).
Para cada configuracin, la tcnica consiste en reemplazar los diodos por
elementos resistivos con una cada de voltaje siempre y cuando la direccin de la
corriente sea en el sentido que polarice de forma directa al diodo y este est en
estado de conduccin. Para este caso, reemplazamos el diodo por una fuente de
voltaje con el valor correspondiente al material, ver tabla No 5, y as, se realizar
un anlisis que cumpla con la Ley de Kirchhoff, es decir, que la suma de los
voltajes de una malla debe ser cero. En caso contrario, un diodo polarizado
inversamente, se representar como un circuito abierto. Para cualquier caso,
siempre se debe cumplir con la Ley de Kirchhoff.

CONFIGURACIN DE DIODOS EN PARALELO Y SERIE

PARALELO.
Siendo consecuente con lo visto en el apartado anterior, el anlisis de las
configuraciones paralelo y serie paralelo se realizarn de una forma similar. Se
cambiarn los diodos por fuentes de voltajes y/o circuitos abiertos y se proceder
a la realizacin del respectivo anlisis.
Dentro de estas aplicaciones, podemos encontrar circuitos que se pueden
comportar como compuertas AND/OR.

HOJA DE ESPECIFICACIONES, PRUEBAS DE DIODOS

La mayor parte de la informacin que suministra el fabricante en las hojas de

caractersticas es solamente til para los que disean circuitos, nosotros
solamente estudiaremos aquella informacin de la hoja de caractersticas que
describe parmetros que aparecen en este texto.
CAPACITANCIA DE TRANSICIN Y DIFUSIN
Todos los dispositivos electrnicos cambian su comportamiento cuando se
someten a las altas frecuencias. En los rangos de baja frecuencias los efectos
capacitivos pueden ignorarse porque su reactancia (XC= 1/2 f C) es muy alta en
esta zona de frecuencias y equivaldra a un circuito abierto. En un diodo
semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos que se deben tener en
cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la zona de polarizacin directa como
en la zona de polarizacin inversa. Uno de los efectos es superior al otro en cada
zona. En la regin de polarizacin directa, el efecto significativo se conoce como
capacitancia de difusin (CD). Y en la regin de polarizacin inversa, se presenta
la capacitancia de transicin (CT) o de regin de agotamiento.

Figura 38. Incorporacin del efecto de capacitancia de transicin.

Los efectos capacitivos descritos se representan con un capacitor en paralelo al
diodo ideal. Figura 38. En aplicaciones de baja y mediana frecuencia, salvo en el
rea de potencia, el capacitor no se incluye en el smbolo del diodo.
TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO.
En las hojas de especificaciones los fabricantes proporcionan entre otros datos, el
tiempo de recuperacin inversa, el cual se representa por trr. Anteriormente vimos
que en la regin de polarizacin directa, existe un gran nmero de electrones que
se desplazan del material tipo n hacia el material tipo p, y una gran cantidad de
huecos que se desplazan en sentido contrario de los electrones. Siendo este el
requisito para que exista conduccin. Luego, los electrones en el tipo p y los
huecos que se difunden a travs del material tipo n establecen una gran cantidad
de portadores minoritarios en cada material. Si se aplica un voltaje inverso al
estado anterior, el diodo cambia de estado de conduccin a un estado de no
conduccin. Pero, debido al gran nmero de portadores minoritarios en cada
material, la corriente del diodo sencillamente se invierte y se mantiene en este
nivel durante un tiempo ts (tiempo de almacenamiento), que requieren los
portadores minoritarios para regresar a su estado de portadores mayoritarios en el
material opuesto.

Figura 39. Definicin del tiempo de recuperacin inverso.

Esto es, el diodo permanece en estado de circuito cerrado con una corriente
Iinversa determinada por los parmetros de la red. Una vez, el tiempo de
almacenamiento termine, la corriente se reducir hasta alcanzar el estado de no
conduccin. Esta segunda etapa se reconoce como el tiempo de recuperacin y
se designa por tt, conocido como el intervalo de transicin.
En la prctica los tiempos estn en el orden de 1 microsegundo (1 Seg) pero
pueden existir trr del orden de unos cientos de picosegundos (10-12).
TENSIN INVERSA DE RUPTURA.
Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo rectificador
empleado en fuentes de alimentacin (circuitos que convierten una tensin alterna
en una tensin continua).
La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas
caractersticas con polarizacin directa, pero en polarizacin inversa sus
caractersticas son distintas.
Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Tabla No. 6

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento.

Lo importante es saber que la tensin de ruptura para el diodo es de 50 V,
independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se produce por la
avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva.
CORRIENTE MXIMA CON POLARIZACIN DIRECTA.
Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece as
en la hoja de caractersticas:

Tabla No. 7
Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1A con polarizacin directa cuando se
le emplea como rectificador. Esto es, 1A es el nivel de corriente con polarizacin
directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin excesiva de
potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1, debe garantizar que la
corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5A en cualquier condicin de
funcionamiento.
Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos es
un tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las limitaciones mximas. Por
esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de 10:1,
para 1N4001 ser de 0,1A o menos.
CADA DE TENSIN CON POLARIZACIN DIRECTA
Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Tabla No. 8
Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantneo
en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de tensin tpica con polarizacin

directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unin es de

25 C.
CORRIENTE INVERSA MXIMA
En esta tabla est la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua
indicada (50 V para un 1N4001).

Tabla No. 9
Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de
fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede ser importante a la
hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente inversa de 0,05mA
trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero puede fallar si tiene que
funcionar en medios donde la temperatura de la unin alcance los 100 C.
Siempre que se habla de continua, se quiere decir que es esttica, que nunca
cambia, es una "Resistencia Esttica". En la zona de polarizacin directa se
simboliza con RF y en la zona de polarizacin inversa con RR.
Lo estudiaremos para el diodo 1N914:

RESISTENCIA CON POLARIZACIN DIRECTA

En cada punto tenemos una resistencia distinta, esa resistencia es el equivalente
del diodo en polarizacin directa para esos valores concretos de intensidad y
tensin.

Figura 40. Valores del diodo.

Si comparamos este valor de resistencia con la resistencia interna:

Figura 41. Comparacin de la resistencia interna del diodo.

Como los 3 puntos tienen la misma pendiente quiere decir que para los 3 puntos el
modelo es el mismo. Entonces la RFanterior no es til porque vara, pero la rB no
vara y por eso esta es la resistencia que se utiliza.
RESISTENCIA CON POLARIZACIN INVERSA
Exageramos la curva de la grfica para verlo mejor:

Figura 42. Resistencia con polarizacin inversa.

Como en el caso anterior en cada punto tenemos una recta, por lo tanto un R R
(R = Reverse, inversa) para cada punto.

Como es un valor muy grande, se puede considerar infinito (idealmente circuito

abierto). Este valor no es til, no se utiliza para hacer modelos o mallas, pero de
forma prctica en el laboratorio puede ser til (el polmetro marca la resistencia
esttica y se puede utilizar para detectar averas).

Figura 43. Medicin de un diodo.

http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/leccin_2_anlisis_de_circuitos_con_di
odos.html
FECHA 29/01/2016