UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA

Electronica de Potencia
Nombre: Jhonny Gerardo Chimbo C.
Paralelo: A
Fecha: 21/10/2015
INTERRUPTORES ELECTRNICOS

La introduccin de la tecnologa de transmutacin de neutrones en los aos setenta del

pasado siglo hizo posible la fabricacin de dispositivos semiconductores de potencia
con tensiones de bloqueo de ms de 1.000 V. Slo esta tcnica permite
producir silicio con la homogeneidad de dopado requerida, en esta categora de
tensiones el tiristor era el nico dispositivo cuya tecnologa se dominaba correctamente.
Pero sus aplicaciones eran muy limitadas, ya que este dispositivo no permita el corte
de Corriente alterna cuando el usuario lo necesitaba. En los aos ochenta y noventa se
unieron al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor de corte de
puerta o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y, posteriormente, El Transistor Bipolar con
puerta aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y el tiristor conmutado con
puerta integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor).
Durante las ltimas dcadas los semiconductores de potencia han revolucionado las
aplicaciones con interruptores de potencia de silicio, convirtindolos en dispositivos
muy eficientes, fiables y de cmoda aplicaciones en el manejo de alta tensin y alta
intensidad, que est en el orden de los gigavatios. La ms avanzada tecnologa de
transmisin de energa elctrica y los sectores de estabilizacin de redes, no seran
posibles sin la existencia de soluciones basadas en componentes semiconductores de
potencia.
Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende
estrechamente de las condiciones de servicio y del diseo fsico del sistema (elctrico,
trmico, mecnico).
Objetivos del diseo del IGBT y del IGC
El objetivo comn del diseo de interruptores para semiconductores de potencia de alta
tensin (cuyos tipos ms conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la
combinacin de la potencia en estado de conduccin y las prdidas en corte. En
trminos prcticos, esto significa que el semiconductor debe tener la mnima cada de
tensin posible en la fase de conduccin (es decir, debe crearse un plasma denso) sin
que se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de
carga.
El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir, la
conductividad del sustrato, ha de reducirse continuamente y aumenta la tensin de
ruptura buscada. En consecuencia, componentes que en estado activo pueden confiar en
la conductividad de su substrato (los componentes unipolares o de portadores

mayoritarios, como el MOSFET de potencia y el diodo Schottky), presentan

capacidades de bloqueo superiores a 2001.000 V en estado de conduccin, demasiado
altas para funcionar econmicamente (el lmite depende del tipo de componente y de la
aplicacin). Consecuentemente, los semiconductores de potencia de silicio de ms de
600 V se suelen disear como dispositivos modulados por conductividad (plasma). El
interior de un dispositivo de este tipo est saturado con un gran nmero de portadores de
cargas positivas y negativas.
Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un campo
elctrico desde la unin pn en el lado del ctodo hasta la zona n. La tensin de
recuperacin cubre el plasma desde el ctodo hasta el nodo. Los portadores de carga
cerca del ctodo son suprimidos a una baja tensin y, por tanto, generan bajas prdidas
en corte,mientras que los portadores prximos al nodo fluyen fuera del dispositivo a
una tensin alta, originando altas prdidas.

EL DIODO
Componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. La
flecha de la representacin simblica muestra la direccin en la que fluye la corriente.

Es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar prcticamente en

cualquier circuito electrnico.
Constan de la unin de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro tipo P,
separados por una juntura llamada barrera o unin.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio. Esta
barrera o unin es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el
diodo de silicio.
El diodo se puede puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:
Polarizacin directa:
Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del nodo A al ctodo K,
siguiendo la ruta de la flecha (la del diodo). En este caso la corriente atraviesa el diodo
con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito. El diodo
conduce.

Diodo en polarizacin directa

Polarizacin inversa:
Cuando una tensin negativa en bornes del diodo tiende a hacer pasar la corriente en
sentido inverso, opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo. En
este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un
circuito abierto. El diodo est bloqueado.

Diodo en polarizacin inversa

En el caso ideal, el diodo se comporta como un cortociorcuito cuando est polarizado en

directa y como un circuito abiero cuando est polarizado en inversa. Las curvas
caractersticas corriente-tensin real e ideal se muestran a continuacin:

Una caracterstica importante de un diodo o ideal es la corriente de recuperacin

inversa. Cuando un diodo pasa de conduccin a corte, la corriente en l disminuye y,
momentneamente se hace negativa antes de alcanzar el valor cero, como se muestra en
la siguiente figura.

El tiempo trr es el tiempo de recuperacin inversa, normalmente inferior a 1us. Los

diodos ded recuperacin rpida se disean de modo que tengan trr menores que los
diodos diseados para aplicacioens de 50Hz.