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y capacitiva
( XC )
de sus circuitos
equivalentes.
En la (figura 5.11) se muestra un arreglo tpico de lneas trifsicas con circuitos
paralelos que estn en la misma torre.
Aunque probablemente la lnea trifsica no este transpuesta, se supondr
transposicin esto con la finalidad de la obtencin de valores prcticos para la
reactancia inductiva y capacitiva.
La transposicin da como resultado que cada conductor tenga la misma
inductancia promedio en todo el ciclo.
Figura 5.11 arreglo tpico de conductores de lneas trifsicas con circuitos paralelos
( a y a )
b yc
respectivamente.
a y a ) toman la
posicin de
Dm
conductores.
RMG (radio medio geomtrico)
EL RMG (radio medio geomtrico) se abrevia
D s , este es el promedio
L=2 10 ln
( )
D
eq
D ps
Donde:
L = inductancia promedio por fase
H /m
p
eq
Donde:
D
p
ab
a yb
( ab)2
D pab = 4
Donde:
Dab = distancia entre el conductor
a yb
a y b
D ps= D p a a D pb b D pc c
Donde:
D ps = es el RMG equivalente para las tres fases
D
p
a a
Para el clculo de la RMG por fase se requiere la distancia real entre conductores
de una fase (
p
a a
=Ds d
Donde:
Ds = RMG del conductor obtenido en tablas
d = distancia real entre conductores de una fase
D psC
es igual a
r
2 12
Nota: la expresin para el radio real se obtiene dividiendo el radio externo del
conductor entre el nmero de conductores por fase en este caso el nmero 12
indica la conversin de pulgadas a pies
Capacitancia:
2 k
Cn =
ln
( )
eq
F /m
sC
Donde:
K= es la permitividad del espacio su valor es
8.85 1012
F
m
Reactancia capacitiva:
X c=
D
1
2.862
=
10 9 ln eq /m por fase
2 fC
f
r
Susceptancia capacitiva:
La Susceptancia es el inverso de la reactancia por lo que se puede calcular de la
siguiente manera:
B c=
1
siemens /milla por fase
Xc