Universidad de Navarra

Nafarroako Unibertsitatea
Escuela Superior de Ingenieros
I n g e n i a r i e n G o i M a i l a ko E s ko l a

ASIGNATURA
GAIA

FSICA-1 - PARTE 1

CURSO KURTSOA: 1

NOMBRE
IZENA

GIULIA FRANCHI

FECHA DATA 18/3/2005

CUESTIONARIO (3 puntos): RESPONDER EN EL INTERIOR DE LAS CASILLAS

APROPIADAS
Sealar en cada frase si es verdadera o falsa. Cada casilla correctamente respondida suma 0.1 puntos,
mientras que cada fallo resta 0.1 puntos. En caso de no saber se recomienda no responder.

1) En un transistor de empobrecimiento de tipo NMOSFET

V

La tensin umbral (VTH) es negativa

El transistor entra en regin saturacin cuando la tensin V GS es mayor que cero
La corriente del terminal de puerta aumenta cuando crece V DS
Existe un canal N entre Drenaje y Fuente sin que se aplique ninguna tensin al componente
En la regin de saturacin VDS es prcticamente igual a cero

2) En un transistor bipolar, el efecto Early

provoca que la corriente de base sea muy inferior a la de colector

se produce porque la base es muy estrecha
se produce porque la base est muy poco dopada
da lugar a un leve aumento de IC conforme aumenta VCE
destruye el transistor

3) En un transistor bipolar de tipo NPN, cuando se polariza en regin activa normal:

V

La base inyecta huecos en el colector, que dan lugar a la corriente de colector

La corriente de colector es veces inferior a la de base
La diferencia de tensin entre colector y emisor es prcticamente nula
La diferencia de tensin entre el base y el colector ha de ser menor que 0.7
La corriente IC se controla fundamentalmente a travs de la corriente de base

4) Cuando un diodo de unin PN se polariza en inversa:

La corriente que aparece es prcticamente nula

Se puede producir la ruptura por avalancha si se aumenta dicha polarizacin
Los electrones y los huecos se ven empujados hacia la unin, pero no logran superar la barrera de
potencial: por ello la corriente es nula
La anchura de la zona de deplecin aumenta conforme se aplica una mayor tensin inversa
Se inunda la zona de deplecin con cargas mviles

5) En el circuito de la figura:

La tensin VOUT ser de 20 V cuando la tensin VIN sea superior a 20 V

Para que el diodo entre en conduccin zener, VIN ha de ser mayor que -20 V
Cuando el diodo zener est en conduccin inversa, la corriente en R L ser 2 mA
Si VIN vale 30 V, la corriente que atraviesa la resistencia R1 ser 10 mA
Para obtener una corriente constante de 2 mA en la carga, la tensin de entrada ha de ser mayor
que 40 V

6) A la vista del puente rectificador de la figura:

A
D
V i =V

sen

B
D

V
En los semiciclos positivos los diodos D 2 y D4 se encuentran en conduccin, mientras que D 1 y D3
estn en corte
Para reducir el rizado puede colocarse un condensador entre los puntos A y D del circuito
Si el valor de VM es 10 V, en RL puede aparecer una tensin mxima de 8.6 V
El PIV de los diodos ha de ser superior a 20 V
Si RL es 1 k y VM 10 V, la corriente mxima que soportar D2 ser 8.6 mA

EJERCICIO 1 (2 puntos)
Calcular y dibujar el circuito equivalente Thevenin para un componente cualquiera (representado por un
rectngulo) que estuviese situado entre los puntos A y B del siguiente circuito.

2K

1m A

3K

4V

B
+

1K

5V
2m A

1K