Capacitacin - Electrnica

1. Introduccin
Para comprende cmo funcionan los diodos, los transistores, los tiristores y
los circuitos integrados es necesario estudiar los materiales semiconductores:
componentes que no se comportan ni como conductores ni como aislantes. Los
semiconductores poseen algunos electrones libres, pero se les confiere un
carcter especial es la presencia de huecos
2. Materiales conductores.
Son materiales que oponen poca resistencia al paso de la corriente
elctrica. Los mejores conductores elctricos son metales, como el cobre, el
oro, el hierro y el aluminio, y sus aleaciones, aunque existen otros materiales
no metlicos que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad,
como el grafito o las disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el agua de
mar) o cualquier material en estado de plasma.
3. Materiales aislantes.
Es un material que no permite el paso de corriente a su travs; existen
aislantes naturales, como la madera o todos los materiales ptreos, y
aislantes artificiales como los materiales plsticos.
4. La parte interna de los materiales.
Lo que nos interesa en el estudio de la electrnica es el orbital exterior de
un tomo, el cual tambin se lo denomina orbital de valencia. Es este orbital
que determina las propiedades elctricas del tomo. Para subrayar la
importancia de dicho orbital de valencia, se define la parte interna de un tomo
como el ncleo ms todos los orbitales internos. Para el caso del cobre, la parte
interna es el ncleo y los tres primeros orbitales.

tomo de cobre
La parte interna de un tomo de cobre tiene una carga resultante de + 1
porque tiene 29 protones y 28 electrones internos. En la figura 1 permite
visualizar la parte interna y el orbital de valencia de un tomo. El electrn de
valencia se encuentra en un orbital exterior de la parte interna y tiene una
carga resultante de +1. A causa de ello, la atraccin que sufre el electrn de
valencia es muy pequea.
Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte
interna del tomo, una fuerza externa puede arrancar fcilmente este electrn,
al que se conoce como electrn libre, y, por eso, el cobre es un buen conductor.
Incluso la tensin ms pequea puede hacer que los electrones se muevan de
un tomo al siguiente.
5. Semiconductores.
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de
un conductor y las de un aislante, los mejores semiconductores tienen cuatro
electrones de valencia.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos
clases: de un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal
como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina
repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el
sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y
arsnico (GaAsP) se componen de dos o ms materiales semiconductores de
diferentes estructuras atmicas.
Los tres semiconductores ms frecuentemente utilizados en la construccin
de dispositivos electrnicos son Ge, Si y GaAs.
En los primeros tiempos de la electrnica, el semiconductor ms utilizada
era el germanio, pero tena la gran desventaja que era poco confiables, sobre
todo por su sensibilidad a los cambios de temperatura. Aos ms tarde se
superaron los inconvenientes de la produccin de silicio con alto grado de
pureza y en 1954 se presento el primer transistor a base de silicio; y este de
inmediato se convirti en el material semiconductor preferido.
Sin embargo, conforme pasaba el tiempo, la electrnica se volvi cada vez
ms sensible a las cuestiones de velocidad. Las computadoras operaban a
velocidades cada vez ms altas y los sistemas de comunicacin lo hacan a
niveles cada vez ms altos de desempeo. Se tena que encontrar un material
semiconductor capaz de satisfacer estas necesidades. El resultado fue el
desarrollo del primer transistor de GaAs a principios de la dcada de 1970. Este
nuevo transistor operaba a velocidades hasta de cinco veces la del silicio. El

problema, no obstante, fue que por los aos de intensos esfuerzos de diseo y
mejoras en el proceso de fabricacin con silicio, las redes de transistores de
silicio para la mayora de las aplicaciones eran ms baratas de fabricar y
ofrecan la ventaja de estrategias de diseo altamente eficientes.
5.1.

El silicio

Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen

en una estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo del silicio comparte
sus electrones de valencia con los tomos de silicio vecinos, de tal manera que
tiene 8 electrones en el orbital de valencia.
Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo central. De esta
forma, el tomo central parece tener 4 electrones adicionales, sumando un
total de 8 electrones en su orbital de valencia, o sea, cada tomo dentro de un
cristal de silicio tiene cuatro vecinos.

Enlace covalente del tomo de silicio

5.2.
Materiales extrnsecos: Materiales tipo n y materiales
tipo p.
Las caractersticas de un material semiconductor se pueden modificar de
manera significativa con la adicin de tomos de impureza especficos al
material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo se
agregan en 1 parte en 10 millones, pueden alterar las propiedades elctricas
del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se
conoce como material extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de inmensurable importancia en la
fabricacin de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p:
5.3.

Material tipo n:

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo
n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones
de valencia (pentavalentes), como el antimonio, el arsnico y el fsforo.

Impureza de antimonio en un material tipo n.

5.4.

Material tipo p:

El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro

con tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos
ms utilizados para este propsito son boro, galio e indio. El nmero de
electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recin formada. El vaco resultante se llama hueco y se denota con
un pequeo crculo o un signo ms, para indicar la ausencia de una carga
positiva. Por lo tanto, el vaco resultante aceptar con facilidad un electrn libre

Impureza de boro en un material tipo p.

6. Diodo semiconductor
El diodo semiconductor se crea con la unin de un material con un portador
mayoritario de electrones (tipo n) a uno con un portador mayoritario de huecos
(tipo p).

El diodo es un dispositivo no lineal, exhibe un comportamiento que

depende de la direccin del voltaje aplicado.
6.1.

Polarizacin directa:

La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece

aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo
n.
6.2.

Polarizacin indirecta:

La condicin de polarizacin en indirecta o apagado se establece aplicando

el potencial positivo al material tipo n y el potencial negativo al tipo p.

6.3.

Curva del diodo:

En la zona de polarizacin directa el diodo se comporta como un conductor

una vez que haya superado la barrera de potencia, denominada tensin
umbral. En el silicio la tensin umbral tpico es de 0.7 voltios. Para tensiones
mayores a la tensin umbral, la corriente del diodo crece rpidamente, lo que
quiere decir que aumentos pequeos en la tensin del diodo originaran
grandes incrementos en su corriente.
Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la
terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al
material tipo p, el nmero de iones positivos en la regin de empobrecimiento
del material tipo n se incrementar por la gran cantidad de electrones libres
atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones,
el nmero de iones negativos se incrementar en el material tipo p. El efecto
neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la regin de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los
portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores
mayoritarios se reduce efectivamente a cero.

Curva del diodo.

Para un anlisis simplificado, el diodo cuando esta polarizado en directa se

comportan como un conductor, y cuando esta polarizado en inversa se
comporta como un abierto.
6.4.

Circuitos con diodos.

Ejercicios bsicos.
6.4.1. Analizar el comportamiento del circuito en los puntos D1, D2, D3,
D5, D6. Graficar.

6.4.2.

Recta de carga.

Es una herramienta empleada para hallar el valor exacto de la corriente y

tensin del diodo.
Ejemplo: Determinar la corriente y tensin exactas del diodo de la figura de
abajo. Se consideran al diodo en su estado de conduccin (VD = 0V) y en
estado abierto (ID=0).

ID=

EVd
R

Se consideran al diodo en su estado de conduccin (VD = 0V) y en estado

abierto (ID=0). Con estos datos se trazan la recta de carga. La interseccin
entre esta recta y la curva de diodo corresponde al punto Q.

6.4.3. Para la configuracin del diodo en serie la figura a, que emplea las
caractersticas de la figura b, determinar:
a- VD y ID.
b- VR.

6.5.

Configuraciones de diodos en serie.

La resistencia de diodo en directa es tan pequea comparada con lo dems

elementos del circuito que puede ser emitida. Para la regin de conduccin la
diferencia entre el diodo de silicio y el diodo ideal es el desplazamiento vertical
de las caractersticas, el cual se toma en cuenta en el modelo equivalente con
la inclusin de una fuente de cd de 0.7 V que se opone a la direccin de la
corriente en directa que circula a travs del dispositivo. Con voltajes menores
que 0.7 V para un diodo de silicio y de 0 V para un diodo ideal, la resistencia es
tan alta comparada con otros elementos de la red que su equivalente es el
circuito abierto
En general, un diodo est encendido si la corriente establecida por las
fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con la de la flecha del
smbolo del diodo y VD = 0.7 V para silicio; VD = 0.3 V para germanio, y VD =
1.2 V para arseniuro de galio.
Si el diodo est instalado en forma inversa, se lo considera como una
resistencia infinita o circuito abierto.

Ejemplo.
6.5.1. Para la configuracin de diodo en serie de la figura, determinar Vd,
VR, IR

6.6.Rectificador de media onda

Vprom=

Vo

6.7.Rectificador de onda completa.

Vprom=

2Vo

6.8.Ejercicios:
1- Qu clase de dispositivo es un diodo?
a. Bilateral.
b. Lineal.
c. No lineal.
d. Unipolar.
2- Cmo esta polarizado un diodo que conduce?
a. Directamente.
b. Al revs.
c. Insuficientemente.
d. Inversamente.
3- Cuando la corriente por el diodo es grande, la polarizacin es:
a. Directa.
b. Al revs.
c. Escasa.
d. Inversamente.
4- Un diodo esta en serie con una resistencia de 220 ohm. Si la tensin de
la resistencia es de 4 V, Cul es la corriente del diodo?
5- Un diodo tiene una tensin de 0,70 V y una corriente de 50 mA. Cul es
la potencia en el diodo?

7. El transistor.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de
dos capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de
material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el
segundo transistor pnp.

La capa del emisor est muy dopada, la base ligeramente, y el colector

slo un poco dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores
que las del material tipo p o n emparedado.

7.1.
El transistor polarizado.
Un transistor sin polarizacin es similar a dos diodos contrapuestos.
Cada diodo tiene una barrera de potencial de 0,7 V aproximadamente.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor,
se obtienen corrientes a travs de las diferentes partes del transistor.
7.1.1. Electrones del emisor
El emisor est fuertemente dopado; su funcin consiste en emitir o
inyectar electrones libres a la base. La base ligeramente dopada
tambin tiene un propsito bien definido: dejar pasa hacia el
colector la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor.
El colector se llama as porque colecta o recoge la mayora de los
electrones provenientes de la base. Esta es la forma ms habitual
de polarizar un transistor.
7.1.2. Electrones de la base.
Cuando se aplica una tensin al diodo emisor mayor que la barrera
de potencial emisor base circulara una elevada corriente de
electrones desde el emisor hacia la base. Los electrones pueden
circular saliendo de la base o hacia el colector. Pero la mayora de
los electrones seguir el camino hacia el colector por causa del el
dbil dopaje de la base y por su estreches permite a los electrones
llegar con facilidad al colector. Casi todos los electrones inyectados
por el emisor pasan a travs de la base del colector.
7.1.3. Electrones del colector.
Casi todos los electrones van hacia el colector, estando ya ah son
atrados por la fuente de tensin Vcc. Como consecuencia de ello,
los electrones libres circulan a travs del colector y a travs de Rc,
hasta que alcanzan el terminal positivo de la fuente de tensin del
colector
7.2.Corrientes en un transistor.
Hay tres distintas corrientes en el transistor: la corriente de emisor Ie, la
corriente de la base Ib, y la corriente del colector Ic.
La mayor corriente de todas es la de emisor. Casi todos los electrones
del emisor circulan hacia el colector; por tanto, la corriente del colector
es aproximadamente igual a la corriente de emisor. La corriente de la
base es muy pequea comparativamente, a menudo menor que el 1 a
100 de la corriente de colector.
7.2.1. Relacin de corriente.

La corriente de emisor es la suma de la corriente de colector y la

corriente de la base. Teniendo en cuenta que la corriente de la base
es mucho menor que la corriente del colecto, es habitual hacer la
siguiente aproximacin: la corriente de colector es igual a la
corriente de emisor.
IE = IC + IB
IB<<IC
IC = IE
7.2.2. Alfa
La alfa de continua se define con la corriente continua de colector
dividida por la corriente de continua del emisor:

db=

IC
IE

7.2.3. Beta.
La beta de continua de un transistor se define como la relacin
entre la corriente continua del colector y la corriente continua de la
base:

dc=

IC
IB

La beta de continua se conoce como ganancia de corriente continua

porque una pequea corriente de base produce una corriente
mucho mayor de colector.
7.2.4. Ejemplo 1.
Un transistor tiene una corriente de colector de 10 mA y una
corriente de base de 40 uA. Cul es la ganancia de corriente del
transistor?
7.2.5. Ejemplo 2.
Un transistor tiene una ganancia de corriente de 175. Si la corriente
de base es de 0,1 mA, cul es el valor de la corriente de colector?
7.2.6. Ejemplo 3.
Un transistor tiene una corriente de colector de 2 mA. Si la ganancia
de corriente es de 135, Cul es el valor de la corriente de base?
7.3.
La conexin en Emisor comn.
Existen tres formas tiles de conectar un transistor: en EC (emisor
comn), en CC (colector comn), o en BC (base comn). La ms
utilizada es EC.
7.4.
Emisor Comn.
El lado comn o la masa de cada fuente de tensin estn conectados al
emisor. Debido a esto, el circuito se conoce como configuracin en
emisor comn (en EC). El circuito tiene dos mallas, la malla de la
izquierda es el circuito de base y la de la derecha es el circuito de
colector.

En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo emisor

con RB como resistencia limitadora de corriente. Usando diferentes
valores de VBB o RB se puede controlar la corriente de base. La
corriente de base controla la corriente de colector, lo que significa que
una pequea corriente (base) genera una gran corriente (colector).
En el circuito del colector hay una fuente de tensin de valor VCC que
polariza en inversa a diodo colector a travs de RC. La fuente de
tensin VCC debe polarizar inversamente al diodo de colector, o de lo
contrario, el transistor no funcionaria adecuadamente, es decir, el
colector debe ser positivo para colecta la mayora de los electrones
inyectados en la base.
El flujo de corriente de base en la malla de la izquierda produce una
tensin en la resistencia de base, RB, con la polaridad indicada en la
figura. Similarmente, el flujo de corriente de colector en la malla de la
derecha produce una tensin en la resistencia del colector, RC, con
polarizad mostrada.
7.5.
Curva caracterstica de entrada.
La corriente de base y la tensin de diodo emisor tienen una curva
similar a las caractersticas de corriente en funcin de la tensin de un
diodo.
Ejemplo.
Para VBB=2 V, RB=100 K, RC=1 K, dc= 200 y VCC=10 V. Hallar la
corriente de base y la tensin a travs de la resistencia de base.
7.6.
Curva caracterstica de salida.
En la figura se pueden variar VBB y VCC para establecer diferentes
tensiones y corrientes en el transistor.

Cuando VCE es cero, el diodo de colector no tiene polarizacin inversa.

sta es la razn por la que la curva muestra una corriente de colector.
Cuando VCE crece desde cero, la corriente de colector se eleva
rpidamente. Cuando VCE es superior a V1 e inferior a V2, la corriente
de colector se hace casi constante. Esta corriente es constante porque
el colector solo puede recoger aquellos electrones libres que el emisor
inyecta a la base. El nmero de estos electrones inyectados depende
solo del circuito de base, no del circuito colector.
Si Vce es superior a V2, el diodo de colector entra en la zona de ruptura
y pierde el funcionamiento normal del transistor. Si el transistor entra en
zona de ruptura se destruir, es importante buscar la tensin de ruptura
emisor colector en la hoja caracterstica del componente.
7.7.
Tensin y potencia de colector.
Analizando el circuito de colector se tiene:
VCE = VCC IR. RC
Y el transistor disipa una potencia aproximada de:
PD= VCE . IC
7.8.
Zonas de funcionamiento.
7.8.1. Zona activa: La zona comprendida entre V1 y V2 es la zona ms
importante porque representa el funcionamiento normal del
transistor. En ella el diodo de emisor esta polarizado en directa y el
diodo colector tiene polarizacin inversa. Adems, el colector se
encuentra recogiendo casi todos los electrones que el emisor ha
enviado a la base. Por ello, los cambios en la tensin de colector no
tienen efecto sobre la corriente de colector.

7.8.2. Zona de ruptura: El transistor nunca debe funcionar en esta zona,

ya que en tal caso sera altamente probable su destruccin o bien
su degradacin.
7.8.3. Zona de saturacin: es la parte ascendente de la curva, donde
VCE est comprendida entre cero y unas pocas decenas de voltios.
En esta zona el diodo tiene insuficiente tensin positiva para
recoger los electrones libres inyectados en la base. En la misma, la
corriente de base, IB, es mayor de lo normal, y la ganancia de
corriente dc es menor de lo normal.
7.8.4. Zona de corte: Si se aumenta la corriente de base, se puede trazar
otra curva de semejante en su forma a la indicada en la figura, la
diferencia es que tambin la corriente de colectar aumenta y se
mantiene constante en la zona activa. Cuando se trazan varias
curvas sobre los mismos ejes para diferentes corrientes de base, se
obtiene una familia de curvas tal como se indica en la siguiente
figura.

En la parte inferior de la figura se observa que la corriente de base

es cero, a esta curva se lo denomina regin o zona de corte.
7.9.Repaso.
El transistor como se ha visto tiene cuatro zonas de funcionamiento: la
activa, la de corte, la de saturacin y la de ruptura. Los transistores
funcionan en la zona activa cuando se utilizan como amplificadores, que
son circuitos que amplifican seales dbiles. Tambien se le da el nombre
de circuitos lineales porque los cambios de seal de entrada producen
cambios proporcionales en la seal de salida. Las zonas de corte y de
saturacin son utiles en los circuitos digitales y en otros circuitos para
ordenadores, denominados circuitos de conmutacin.
8. Rectificador controlado de silicio (SCR).
8.1.Teora y operacin de los SCR
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de
silicio es el de mayor inters. Fue presentado por primera vez en 1956 por Bell

Telephone Laboratories. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de

los SCR incluyen controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes
de potencia reguladas, interruptores estticos, controles de motor,
recortadores, inversores, ciclo convertidores, cargadores de bateras, circuitos
de proteccin, controles de calefactores y controles de fase.
En aos recientes, los SCR han sido diseados para controlar potencias tan
altas como 10 MW con valores nominales individuales hasta de 2000 A a 1800
V. Su intervalo de frecuencia de aplicacin tambin se ha ampliado hasta 50
kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones como calefaccin por induccin y
limpieza ultrasnica.

La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor

fundamental de dos capas en que una tercera terminal, llamada compuerta,
determina cuando el rectificador cambia del estado de circuito abierto al
estado de cortocircuito.
Un SCR acta en gran parte como un interruptor. Cuando se enciende se
presenta una trayectoria de baja resistencia para el flujo de corriente del nodo
al ctodo; despus acta como un interruptor cerrado. Cuando se apaga, no
puede fluir corriente del nodo al ctodo, entonces acta como un interruptor
abierto. Debido a que se trata de un dispositivo de estado slido, su accin de
conmutacin es muy rpida.
El flujo de corriente promedio a una carga se puede controlar al colocar un
SCR en serie con la carga. Esta combinacin se muestra en la figura. El voltaje
de alimentacin puede ser alterna de 50/ 60 Hz o continua.

Si el voltaje de alimentacin es CA, el SCR invierte una parte del tiempo

del ciclo CA en el estado encendido y el resto del tiempo en estado apagado.
Para una alimentacin de 50 Hz CA, el tiempo del ciclo es de 20 ms, el cual se
divide entre el tiempo transcurrido en encendido y el tiempo transcurrido en
apagado. La compuerta controla la cantidad de tiempo transcurrido en cada
estado.
Si transcurre una pequea cantidad de tiempo en el estado encendido, la
corriente promedio transferida a la carga ser pequea, debido a que la
corriente puede fluir de la fuente a travs del SCR hacia la carga solo durante
una parte del tiempo relativamente corta. Si la seal de compuerta se cambia
para provocar que el SCR este encendido durante una parte del tiempo grande,
entonces la corriente de carga promedio ser mayor, debido que ahora la
corriente puede fluir a de la fuente a travs del SCR hacia la carga durante un
tiempo relativamente ms largo. De esta forma la corriente a la carga puede
modificarse mediante el ajuste de la parte de cada ciclo que el SCR esta
encendido.
El SCR solo transfiere durante los ciclos positivos de la alimentacin CA. El
medio ciclo positivo en el cual el nodo del SCR es ms positivo que el ctodo.
Esto significa que el SCR no puede encender por ms de la mitad del tiempo.
Durante la otra mitad del tiempo del ciclo la polaridad del suministro es
negativa, lo cual impide que fluya corriente alguna en la carga.
8.2.
Formas de onda SCR.
Los trminos ms utilizado para describir el funcionamiento de un SCR son
el ngulo de conduccin y ngulo de retardo de encendido. El ngulo de
conduccin es el numero de grados de un ciclo de CA, durante los cuales el
SCR esta encendido. El ngulo de retardo de retardo encendido es el
nmero de grados de un ciclo CA que transcurren antes de que el SCR se
encienda.
En la siguiente figura se muestra las formas de onda para un circuito de
control SCR para dos diferentes ngulos de retardo.

Figura A.

Figura B.

En las figuras se observa la forma de ondas ideales del voltaje principal V AK

en las terminales de SCR y de voltaje de carga. En la figura A para un ngulo
de disparo de 60, ngulo de conduccin de 120. En la figura B para un
disparo de aproximadamente 135, ngulo de conduccin de 45.
En el momento en que ciclo de CA comienza su alternancia positiva, el SCR
se apaga. Por tanto, este tiene un voltaje instantneo a travs de sus
terminales de nodo a ctodo equivalente al voltaje de alimentacin. Dado que
SCR bloqueando totalmente el voltaje alimentacin, el voltaje a travs de la
carga ser cero durante este tiempo. Cuando se alcanza 60 el voltaje VAK cae
a cero, el SCR se habr disparado o encendido. Por tanto, en este caso el valor
del ngulo de retardo de encendido es de 60. Durante los siguientes 120 el
SCR acta como un interruptor cerrado sin voltaje alguno a travs de sus
terminales. El ngulo de conduccin es de 120. La suma total del ngulo de
retardo encendido y el ngulo de conduccin es siempre 180.
Segn la forma de onda indicada en la figura cuando el SCR se enciende el
voltaje de suministro es aplicado a la carga. EL voltaje de carga entonces sigue
al voltaje de suministro a travs del resto del medio ciclo positivo, hasta que el
SCR nuevamente se apaga. El apagado ocurre a medida que el voltaje de
suministro atraviesa por cero.
En general, estas formas de onda muestran que antes que el SCR se
encienda, el voltaje de suministro completo se bloquea a travs de las
terminales del SCR, y la carga entonces observa voltaje cero. Despus de que
el SCR se dispara, el voltaje de suministro cae a travs de la carga, y el SCR
cae a voltaje cero. El SCR se comporta justo como un interruptor de accin
rpida.

Ejercicios.
8.2.1. Qu condicin ocasionara la corriente de carga ms grande, un
ngulo de retardo de disparo de 30 o un ngulo de retardo de
disparo de 135?
8.2.2. Si el ngulo de conduccin de un SCR es 90 y es conveniente
duplicar la corriente de carga promedio, que ngulo de conduccin
ser necesario? La alimentacin es una onda senoidal CA.
8.3.Caractersticas de compuerta de un SCR.
Un SCR es disparado por una pequea rfaga de corriente que se aplica en
la compuerta. Esta corriente de compuerta (ig) fluye a travs de la unin entre
la compuerta y el ctodo, y sale del SCR en la terminal del ctodo. La cantidad
de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se
simboliza como IGT. La mayor parte de los SCR necesitan una corriente de
compuerta de entre 0,1 a 50 mA para dispararse (I GT = 0,1 50 mA). Dado que
existe una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre
estas terminales (VGK= debe ser ligeramente mayor a 0,6 V.
Una vez que un SCR se ha disparado, no es necesario continuar el flujo de
corriente de compuerta. Mientras la corriente contine su flujo a travs de las
terminales principales, de nodo a catado, el SCR permanecer encendido.
Cuando la corriente de nodo a ctodo (i AK) cae por debajo de un valor mnimo,
llamado corriente de retencin, simbolizada I HO, el SCR se apagara. Esto ocurre
a menudo cuando el voltaje de alimentacin CA atraviesa cero hacia su regin
negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, I HO es
aproximadamente 10 mA.
Ejercicio
8.3.1. Para el circuito de la figura, qu voltaje se requiere en el punto X
para disparar el SCR? La corriente de compuerta necesaria para
disparar un 2N3669 es 20 mA bajo condiciones normales.

9. El transistor mono unin UJT.

El transistor mono unin es un dispositivo de conmutacin de transicin
conductiva. Sus caractersticas lo hacen ser muy tiles en varios circuitos
industriales que incluyen temporizadores, osciladores, generadores de
formas de onda y, los que es ms importante, en circuitos de control de
compuertas para SCR y triacs.
9.1.Teora y operacin de los UJT.
El UJT es un dispositivo de tres terminales, las cuales se denominan emisor,
base 1 y base 2. El smbolo esquemtico y las ubicaciones de las
terminales se muestran en la figura.
En trminos simples, el UJT opera de la siguiente forma.

1 Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1, VEB1, es menor que un

cierto valor denominado voltaje pico, Vp, el UJT est apagado, y no puede
fluir corriente de E a B1 (IE=0).
2 Cuando VEB1 excede a Vp, en una pequea cantidad, el UJT se dispara
o se enciende. Cuando esto sucede, el circuito, el circuito de E a B1 se
convierte en prcticamente un circuito cerrado y la corriente empieza a
surgir de una terminal a otra. En virtualmente todos los circuitos UJT, la
rfaga de corriente de E a B1 es fugaz y el UJT rpidamente se revierte de
regreso a la condicin de apagado.
Como se muestra en la segunda figura, se aplica un voltaje CD externo
entre B2 y B1, siendo B2 la terminal ms positiva. El voltaje entre las dos
terminales de base se simboliza mediante VB2B1. Para un tipo dado de UJT,
el voltaje pico ser un cierto porcentaje de VB2B1 mas 0,6. Este porcentaje
se denomina el coeficiente de separacin intrnseco o simplemente
coeficiente de separacin del UJT, y se simboliza como n.
Por esto el voltaje pico de un UJT puede escribirse como:
VP= nVB2B1 = 0,6
donde 0,6 V es el voltaje directo de encendido a travs de la unin de
silicio pn que existe entre el emisor y la base 1.
Ejercicio:
Si el UJT de la figura tiene un coeficiente de separacin n=0,55 y un
voltaje aplicado externamente VB2B1 de 20 V. Cual es el voltaje pico?
Analizando la figura, una vez que se cierra el contacto el capacitor
comenzara a cargarse mediante el resistor RE. Dado que el capacitor est
conectado directamente entre E y B1, cuando el voltaje del capacitor
alcance 11,6 V el UJT se disparara. Esto permitir que la carga del capacitor
almacenada se descargue rpidamente a travs del UJT. En la mayora de
las aplicaciones de UJT, esta rfaga de corriente E a B1 representa la salida
del circuito. La rfaga de corriente puede utilizarse para disparar un tiristor.
10. TRIAC.
Un TRIAC es un dispositivo de tres terminales usado para controlar la
corriente promedio que fluye a una carga. Un TRIAC se diferencia de un SCR
en que este puede conducir corriente en cualquier direccin cuando sta en
encendido.
Cuando el TRIAC est apagado, no puede fluir corriente entre las terminales
principales sin importar la polaridad del voltaje aplicado externamente. En
consecuencia el TRIAC actua como un interruptor abierto.

Cuando el TRIAC est en encendido, existe una ruta de flujo de corriente de

baja resistencia de una terminal hacia la otra, con la direccin del flujo
dependiendo de la polaridad de voltaje externamente aplicado. Cuando el
voltaje est ms positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1. Cuando
el voltaje es ms positivo en MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En
cualquier caso el TRIAC acta como un interruptor cerrado.
La relacin entre el circuito de voltaje de alimentacin, el triac y la carga se
ilustra en la segundo figura. Un TRIAC se coloca en serie con la carga. La
corriente promedio suministrada a la carga se puede variar mediante el
cambio de la cantidad de tiempo por ciclo que el TRIAC permanece
encendido. Si permanece una pequea parte del tiempo en el estado
encendido, el flujo de corriente promedio muchos ciclos ser bajo. Si una
parte considerable del tiempo de ciclo transcurre en el estado encendido,
entonces la corriente promedio ser alta.
Con la distribucin de disparo apropiada, puede conducir durante 360
completos por ciclo. Por tanto, proporciona control de potencia de onda
completa.
Los TRIAC tienen las misma ventajas que los dems componentes
electrnicos de potencia, no tienen rebote por contacto, no forman arcos a
travs de contactos parcialmente abiertos, y operan muchos ms rpidos

que los conmutadores mecnicos, por tanto producen un control de

corriente ms preciso.
10.1. Formas de onda de un TRIAC.
Las formas de onda se muestran de la figura (a) muestra el TRAIC apagado
durante los primeros 30 de cada medio ciclo; durante estos 30 el TRIAC
acta como un interruptor abierto. En este lapso de tiempo el voltaje
completo de lnea cae travs de las terminales principales del TRIAC, sin
voltaje aplicado a la carga. Por tanto, no existe un flujo de corriente a
travs del TRIAC o la carga. La parte de medio ciclo durante el cual esta
situacin existe se denomina ngulo de retardo de disparo.
Tambin en la figura (a), despus de que han ocurrido 30, el TRIAC se
dispara o se enciende, y se vuelve como un interruptor cerrado. En este
instante el TRiAC comienza a conducir corriente a travs de sus terminales
principales y de la carga, y continua transportando corriente de carda
durante lo que resta del medio ciclo. La parte del medio ciclo durante la
cual el TRIAC se enciende se denomina ngulo de conduccin. El ngulo de
conduccin es de 150. Las formas de onda muestran que durante el
ngulo de conduccin el voltaje de la lnea entero se aplica a la carga, con
la aparicin del voltaje cero a travs de las terminales principales del TRIAC

10.2. Caractersticas elctricas de los TRIAC.

Cuando un TRIAC esta polarizado con un voltaje externo ms positivo en
MT2 (llamado polarizacin de terminal principal directa o positiva), por lo
general se activa mediante un flujo de corriente de compuerta hacia MT1.
Las polaridades de los voltajes y las direcciones de las corrientes de este
caso se muestran en la figura de abajo.

La terminal G es positiva con respeto a MT1, lo que ocasiona que la

corriente de disparo fluya hacia el interior del dispositivo en la terminal de
compuerta y hacia fuera del dispositivo en la terminal MT1. El voltaje de
compuerta necesario para disparar un TRIAC se simboliza como VGT, la
corriente de compuerta necesaria para el disparo se simboliza como IGT.
La mayora de los TRIAC de tamao medio tiene un VGT de
aproximadamente 0,6 V y 2,0 V y un IGT de 0,1 a 20 mA.
Cuando el TRIAC est polarizado ms positivamente en MT1 (llamada
polarizacin inversa o negativa de terminal principal) a menudo el disparo
se logra enviando la corriente de compuerta al interior de TRIAC en la
terminal MT1 y fuera del TRIAC en la terminal G. El voltaje de compuerta
ser negativo con respecto MT1 para lograr esto.
Para un mismo TRIAC el IGT para la polarizacin directa de terminal
principal puede ser bastante diferente de IGT para la polarizacin inversa
de terminal principal.
Al igual que un SCR, un TRIAC no requiere una corriente de compuerta
continua una vez que ha sido disparado. Permanecer en estado encendido
hasta que la polaridad de la terminal principal cambie o hasta que la
corriente de terminal cada por debajo de la corriente de sostenimiento
IHO. La mayora de los triacs de tamao medio tiene un valor nominal de
IH) menor a 100 mA.
11.
El tiristor desconectable por puerta (GTO).
Este dispositivo permite el paso al estado de bloqueo o corte mediante la
aplicacin de una intensidad en la puerta. Adems tiene la propiedad de
tiempos de conmutacin ms cortos por lo cual es factible su aplicacin en
convertidores modernos, con ondas de bajo contenido de armnicos,
gracias a su mayor frecuencia de conmutacin.

En lo que respecta a su control, el GTO tiene cuatro etapas:

11.1. Disparo o encendido: el GTO entra en estado de conduccin mediante
un pulso de intensidad entrante en la puerta.
11.2. Mantenimiento en conduccin: Se mantiene en este estado
suministrndole un intensidad de corriente en la puerta.
11.3. Apagar y bloquear: se debe aplicar una alta intensidad de valor
negativo en la puerta.
11.4. Mantenimiento: en estado de no conduccin se manteniene aplicando
un tensin de puerta negativa.
12.
Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT).
El smbolo de IGBT se muestra y sus caractersticas se muestran en la figura
de abajo:

El IGBT tiene una puerta de alta impedancia que solo requiere una pequea
cantidad de energa para conmutar el dispositivo. Igual que el BJT, el IGBT tiene
un voltaje de estado activo pequeo, incluso en dispositivos con grandes
voltajes nominales de bloqueo (por ejemplo, Venc es de 2 a 3 V en un
dispositivo de 1 000 V). Parecidos al GTO, los IGBT se pueden disear para
bloquear tensiones negativas.
Como se puede observar en la figura b, el parmetro de control es un voltaje
de entrada que es la tensin compuerta fuente.
13.

Cuadro de comparacin.

Contactores
Velocidad de respuesta muy lenta
Generan chispa en la conmutacin
Se desgasta con la frecuencia de
maniobras
Bajo costo.
No es posible el control de parmetros
elctricos
Fcil
activacin
y
desactivacin
mediante el control de la alimentacin

Dispositivos electrnicos de potencia

Alta velocidad de respuesta.
No generan chispa en la conmutacin.
No sufren desgaste con su frecuencia
de maniobras.
Alto costo.
Se puede controlas los parmetros
elctricos, tensin, frecuencia, forma
de onda.
Ciertos componentes electrnicos no
se pueden desactivar median seales

de la bobina.

No generan armnicos

de mando, solo si la seal se est cae

por debajo de cero se vuelve
negativa.
Generan componentes armnicos en
la red elctrica.