Transistor IGBT

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es
un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de
potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de lostransistores de efecto campo con
la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta
aisladaFET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en
los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de potencia que
nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de
Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Caractersticas[editar]

Seccin de un IGBT.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas
aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en
motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo
que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un
bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes
transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo
inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalentede un IGBT.

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos
15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil
en la puerta.

Mosfet
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor
ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de
unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato
(B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo
se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la compuerta, que antes
era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de
la compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su
capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad,
dada la dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en
la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por
otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un
trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido.
Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor
(Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor)

Historia[editar]
El principio bsico de operacin de este tipo de transistor fue patentado por primera vez por el austrohngaro Julius
Edgar Lilienfeld en 1925. Debido a los requerimientos de carcter tecnolgico para la fabricacin de la intercara lisa

y libre de defectos entre el sustrato dopado y aislante, este tipo de dispositivos no se logr fabricar hasta dcadas
ms tarde, pero los fundamentos tericos estaban contenidos en la patente original. Veinticinco aos despus,
cuando la Bell Telephone Company intent patentar el transistor de unin, encontraron que Lilienfeld tena
registrada a su nombre una patente que estaba escrita de una forma que inclua todos los tipos de transistores
posibles. LosLaboratorios Bell lograron llegar a un acuerdo con Lilienfeld, quien todava viva en esa poca (no se
sabe si le pagaron por los derechos de la patente o no).Plantilla:Fecha=Marzo 2012 Fue en ese momento cuando
los Laboratorios Bell crearon el transistor de unin bipolar, o simplemente transistor de unin, y el diseo de
Lilienfeld's fue conservado con el nombre de transistor de efecto de campo.[cita requerida]
En 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla en los Laboratorios Bell inventaron el transistor de efecto de
campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) como un avance y mejora sobre el diseo del transistor FET
patentado.1 Con una operacin y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unin, 2 el transistor
MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un
electrodo metlico de compuerta sobre el aislante. Se utiliza silicio cristalino para el semiconductor base, y una
capa de dixido de silicio creada a travs de oxidacin trmica, que se utiliza como aislante. El MOSFET de silicio
no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de xido nativo, y por este
motivo se vea libre de la dispersin y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeo de los transistores de
efecto de campo anteriores. Despus del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminacin, y
del desarrollo de la fotolitografa3 as como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos pasos,
el sistema Si-SiO2 obtuvo gran importancia debido a su bajo costo de produccin por cada circuito, y la facilidad de
integracin. Adicionalmente, el mtodo de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P) en un
interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implic que los circuitos digitales disiparan una cantidad
muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han
convertido en el dispositivo utilizado ms ampliamente en la construccin de circuitos integrados.

Smbolos de circuito[editar]
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El diseo bsico consiste en una
lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del canal en ngulo recto y luego hacia afuera del dibujo de
forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en
tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del MOSFET de
empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en forma paralela al canal para destacar la compuerta.
La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una flecha que
indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la direccin P hacia N, de forma que un
NMOS (Canal N en una tina P o sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el
canal). Si el sustrato est conectado internamente al surtidor (como generalmente ocurre en dispositivos discretos)
se conecta con una lnea en el dibujo entre el sustrato y el surtidor. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como
generalmente ocurre en el caso de los diseos de circuitos integrados, debido a que se utiliza un sustrato comn)
se utiliza un smbolo de inversin para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar
una flecha en el surtidor de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un
NMOS y hacia adentro para un PMOS).

En esta figura se tiene una comparacin entre los smbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de
empobrecimiento, junto con los smbolos para los JFET (dibujados con el surtidor y el drenador ordenados de modo
que las tensiones ms elevadas aparecen en la parte superior de la pgina).
Para aquellos smbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aqu se representa conectada internamente
al surtidor. Esta es la configuracin tpica, pero no significa que sea la nica configuracin importante. En general,
el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los MOSFET comparten
una conexin comn entre el sustrato, que no est necesariamente conectada a los terminales del surtidor de todos
los transistores.

Funcionamiento[editar]
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una
tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se
forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El
trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento
en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo
un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS
se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer
desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la
cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad. 4

Estructura metal-xido-semiconductor[editar]
Vase tambin: Estructura MOS

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa de dixido de
silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal o silicio policristalino, siendo el
segundo el ms utilizado. Debido a que eldixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a
un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por un semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de cargas en el
semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores N A), p es la densidad
de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una tensin positiva VGB aplicada entre la compuerta y el sustrato (ver
figura) crea una regin de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la

interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que
est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si
VGBes lo suficientemente alto, una alta concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de
inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. De manera
distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que los portadores de carga se establezcan
rpidamente a travs del drenador y el surtidor, en un condensador MOS los electrones se generan mucho ms
lentamente mediante generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de portadores que estn en
la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de compuerta a la cual la densidad volumtrica de
electrones en la regin de inversin es la misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se
llama tensin de umbral.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el dopado
local de regiones de tipo n para el drenador y el surtidor.

Estructura MOSFET y formacin del canal[editar]

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de compuerta dobla las bandas de energa, y se agotan los huecos
de la superficie cercana a la compuerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de
cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensin todava mayor aplicada en la compuerta agota los huecos, y la
banda de conduccin disminuye de forma que se logra la conduccin a travs del canal.

Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de

portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La
compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa
de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales
dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislantesemiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales
(surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del
sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del
sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se
indica con un signo '+' despus del tipo de dopado.
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones
'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado
para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se denomina as

porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que fluyen a travs
del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la posicin del nivel de
Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del semiconductor. Como se describe anteriormente, y
como se puede apreciar en la figura, cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda
de valencia se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la compuerta.
Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde de la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi en
la regin cercana a la superficie del semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de
inversin o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se
extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial
entre el drenador y el surtidor. Al aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de electrones en
la regin de inversin y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor.
Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga
para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre el
drenador y el surtidor.
Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidor-compuerta) se crea
un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al canal n, pero con polaridades
opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensin menos negativa que la tensin de umbral es
aplicada (una tensin negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de
subumbral entre el drenador y el surtidor.

Modos de operacin[editar]
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin, dependiendo
de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin se utiliza un modelo algebraico que es vlido para las
tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren
modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Corte[editar]

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres en esta zona, debido a que los electrones son
repelidos del canal.

Cuando VGS < Vth

donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra apagado. No hay
conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la distribucin de Boltzmann
para las energas de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta energa presentes en
el surtidor ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una
funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La corriente subumbral sigue aproximadamente
la siguiente ecuacin:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX
donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de xido.
Regin lineal u hmica[editar]

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la inversin del sustrato, y la corriente
fluye de drenador a surtidor.

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de agotamiento
en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de agotamiento, que darn lugar a un
canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de
potencial entre drenador y surtidor dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensin de compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio de la ecuacin:

donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es la capacidad del xido por unidad de rea,

es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.
Saturacin o activa[editar]

NMOS en la regin de saturacin.Al aplicar una tensin de drenador ms alta, los

electrones son atrados con ms fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )

Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre
un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y
sale por el surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Efectos de segundo orden[editar]

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento
de los transistores MOSFET, pero no tienen en cuenta un
buen nmero de efectos de segundo orden, como por
ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de

puerta

la

corriente

de

drenador

no

crece

cuadrticamente en transistores de canal corto.

Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y

sustrato modifica la tensin umbral que da lugar al canal
de conduccin

Modulacin de longitud de canal.

Aplicaciones[editar]
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es
en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de
transistores PMOS y NMOS complementarios.
VaseTecnologa CMOS.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET,

FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble

puerta.

Ventajas con respecto a transistores

bipolares[editar]
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos
integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes
ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto
a los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del

orden de media micra).

Gran capacidad de integracin debido a su reducido

tamao.

Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje

por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La
intensidad que circula por la puerta es del orden de los
nanoamperios.

Los circuitos digitales realizados con MOSFET no

necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que
conlleva.

La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del

orden de los nanosegundos.

Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los

convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Escalamiento del MOSFET[editar]

Las dimensiones caractersticas de un transistor MOSFET son la

longitud de canal (L) y el ancho de la compuerta (W).

Las dimensiones ms importantes en un transistor MOSFET

son la longitud del canal (L) y el ancho de la compuerta (W).
En un proceso de fabricacin se pueden ajustar estos dos
parmetros para modificar el comportamiento elctrico del
dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza adems para
referirse a la tecnologa con la cual fue fabricado el
componente electrnico. De esta manera, un transistor
fabricado con tecnologa de 45 nm es un transistor cuya
longitud de canal es igual a 45 nm.
El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su
tamao por varias razones. El motivo principal es que se
pueden poner ms transistores en una misma rea
superficial, aumentando la densidad de integracin y la
potencia de clculo de los microprocesadores. Para tener una
idea, los primeros transistores tenan longitudes de canal de
varios micrmetros, mientras que los dispositivos modernos
utilizan tecnologas de apenas decenas de nanmetros. En un
microprocesador Core i7 de tercera generacin fabricado con
tecnologa de 22 nm se tienen aproximadamente 1480
millones de transistores.5
Los trabajos de Richard Feynman y posteriormente de Robert
H. Dennard sobre la teora de escalamiento fueron la clave
para reconocer que la reduccin continua del dispositivo era
posible. Adicionalmente la industria microelectrnica ha

tratado de mantener con vigencia laley de Moore, una

tendencia que indica que la cantidad de transistores en un
circuito integrado se duplica cada dos aos. Para continuar
con esta tendencia, Intel inici un proceso de produccin en
donde la longitud de la compuerta es de 32 nm en el 2009 y
contina reduciendo la escala en el 2011 con procesos de
22 nm. Por otro lado, la industria de semiconductores
mantiene un "roadmap", el ITRS,6 que marca las metas del
desarrollo de la tecnologa MOSFET.

Razones para el escalamiento del

MOSFET[editar]
Los MOSFET pequeos son deseables por varias razones. El
motivo principal para reducir el tamao de los transistores es
que permite incluir cada vez ms dispositivos en la misma
rea de un circuito integrado. Esto resulta en circuitos con la
misma funcionalidad en reas ms pequeas, o bien circuitos
con ms funcionalidades en la misma rea. Debido a que los
costos de fabricacin para una oblea de semiconductor son
relativamente estables, el costo por cada circuito integrado
que se produce est relacionado principalmente al nmero de
circuitos que se pueden producir por cada oblea. De esta
forma, los circuitos integrados pequeos permiten integrar
ms circuitos por oblea, reduciendo el precio de cada circuito.
De hecho, a lo largo de las ltimas tres dcadas el nmero de
transistores por cada circuito integrado se ha duplicado cada
dos o tres aos, cada vez que un nuevo nodo de tecnologa
es introducido. Por ejemplo el nmero de MOSFETs en un
microprocesador fabricado con una tecnologa de 45 nm
podra ser el doble que para un microprocesador fabricado
con tecnologa de 65 nm. Esta duplicacin de la densidad de
integracin de transistores fue observada por Gordon
Moore en 1965 y es conocida como la Ley de Moore.7

Tendencia de la longitud del canal y el ancho de compuerta en

transistores MOSFET fabricados por Intel, a partir de la tecnologa
de 130 nm.

Tambin se espera que los transistores ms pequeos

conmuten ms rpido. Por ejemplo, un enfoque de
escalamiento utilizado en el MOSFET requiere que todas las
dimensiones sean reducidas de forma proporcional. Las
dimensiones principales de un transistor son la longitud, el
ancho, y el espesor de la capa de xido. Cada una de estas
dimensiones se escala con un factor de aproximadamente 0.7
por cada nodo. De esta forma, la resistencia del canal del
transistor no cambia con el escalamiento, mientras que
lacapacidad de la compuerta se reduce por un factor de 0.7.
De esta manera la constante de tiempo delcircuito
RC tambin se escala con un factor de 0.7.
Las caractersticas anteriores han sido el caso tradicional
para las tecnologas antiguas, pero para los transistores
MOSFET de las generaciones recientes, la reduccin de las
dimensiones del transistor no necesariamente implica que la
velocidad de los circuitos se incremente, debido a que el
retardo debido a las interconexiones se vuelve cada vez ms
importante.

Dificultades en la reduccin de tamao del

MOSFET[editar]
Histricamente, las dificultades de reducir el tamao del
MOSFET se han asociado con el proceso de fabricacin de
los dispositivos semiconductores, la necesidad de utilizar
tensiones cada vez ms bajas, y con bajo desempeo
elctrico, requiriendo el rediseo de los circuitos y la

innovacin (los MOSFETs pequeos presentan mayor

corriente de fuga, e impedancia de salida ms baja). Producir
MOSFETs con longitudes de canal mucho ms pequeas que
un micrmetro es todo un reto, y las dificultades de la
fabricacin de semiconductores son siempre un factor que
limita el avance de la tecnologa de circuitos integrados. En
los aos recientes, el tamao reducido del MOSFET, ms all
de las decenas de nanmetros, ha creado diversos problemas
operacionales.
Algunos de los factores que limitan el escalamiento del
MOSFET son las siguientes:

Aumento de la corriente de subumbral

Aumento en las fugas compuerta-xido

Aumento en las fugas de las uniones surtidor-sustrato y

drenador-sustrato

Reduccin de la resistencia de salida

Reduccin de la transconductancia

Capacitancia de interconexin

Produccin y disipacin de calor

Variaciones en el proceso de fabricacin

Retos en el modelado matemtico