Transistor de unin bipolar

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Transistor de unin bipolar.

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal,

la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay
poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres
estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
ndice
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1 Estructura

2 Funcionamiento
o

2.1 Control de tensin, carga y corriente

2.2 El Alfa y Beta del transistor

3 Tipos de Transistor de Unin Bipolar

o

3.1 NPN

3.2 Ejemplo prctico de NPN

3.3 PNP

4 Regiones operativas del transistor

5 Historia

6 Teora y Modelos Matemticos

6.1 Anlisis en continua

6.1.1 El modelo Ebers-Moll

6.2 Modelo en pequea seal

6.2.1 Parmetros h

7 Vase tambin

8 Referencias

9 Enlaces externos

Estructura[editar]

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin

del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente,
tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin
del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector
(C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la
unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del
emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base

escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la
unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el
transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a
que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo
activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso
sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el
valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las
tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que
el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la
tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin
base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay
diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede
ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados
como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente
como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido
a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento[editar]

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin basecolector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos

los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y
el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al
emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los
cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al
ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente[editar]

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces
la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y
confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como elmodelo EbersMoll.

El Alfa y Beta del transistor[editar]

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces
de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje
de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el
emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. Laganancia de corriente
emisor comn est representada por
o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es
tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base
comn,
. La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de
corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un
valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms
precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar[editar]

NPN[editar]

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencionalcircula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

Ejemplo prctico de NPN[editar]

Transistor NPN

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q de funcionamiento en

continua es desconocido. Se debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.
1 Paso:
Ib = (Vbb - 0,7)/Rb

Reemplazando los datos:

Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA

2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA

3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V

En este grfico se muestra el resultado obtenido, con Vcc/Rc indicando el 6 mA en la recta

de la Intensidad, y Vce indicando la Tensin necesaria para polarizar al transistor

PNP[editar]
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N

entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor[editar]

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren

conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se

desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor

bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son
diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta
en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima,

(Ic Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley
de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor
desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin,
la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se
cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya
que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la
electrnica analgica (especialmente til para
amplificacin de seal) y las regiones de corte y
saturacin, para la electrnica digital, representando el
estado lgico alto y bajo, respectivamente.

Historia[editar]

Replica del primer transistor.

El transistor bipolar fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por
John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de unin,
inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo favorito en diseo
de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en favor de la
tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados.

Teora y Modelos Matemticos[editar]

Anlisis en continua[editar]
El modelo Ebers-Moll[editar]
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas
por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente

por difusin y

Dnde:

es la corriente de emisor.

es la corriente de colector.

es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a

0.998)

es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10 15 a

1012 amperios)

es el voltaje trmico

(aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

300 K).

es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el
valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea
variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colectoremisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada
ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores
bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs
de la unin base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est
relacionada con a travs de las siguientes relaciones:

Eficiencia del
emisor:
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de
transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

es la corriente de colector.

es la corriente de base.

es la corriente de emisor.

es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)

es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)

es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios)

es el voltaje trmico

(aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

300 K).

es la tensin base-emisor.

es la tensin base-colector.

Modelo en pequea seal[editar]

Parmetros h[editar]

Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.

Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h.
Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil
anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms
exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT

dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la

imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia

del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor

de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se
considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente

referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) en las hojas de
datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente

especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende
representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas.
Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en
maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de
parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por
esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero,
respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo

aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales

de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las
capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

Transistor de efecto campo

P-channel

N-channel
Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n y canal-p.
G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET dylan, en ingls) es en realidad

una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad
de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la
regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula
fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la
principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-InsulatorSemiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor
de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no
siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET
son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin
positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en
electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados
o chips digitales.
ndice
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1 Historia

2 Tipo de transistores de efecto campo

3 Caractersticas

4 Enlaces externos

Historia[editar]
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar
Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica mucho
despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y
explicado. El equipo detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de
Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT).
Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's ..

Tipo de transistores de efecto campo[editar]

Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida)
de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de
modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el
canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del

JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
puerta y el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia.

Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a
3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango
de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra
rpida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una
puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN
iguales

. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino.

Caractersticas[editar]

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).

Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.