Fecha de entrega 17 de sep.

2014
TEMA SEMICONDUCTORES
CUESTIONARIO

1.- Qu es un semiconductor?
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo
elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Sin embargo, bajo
determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin
de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa
propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de
radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como
interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc.
2.- Cul es la diferencia entre un semiconductor intrnseco y uno
extrnseco?
Es que un semiconductor intrnseco es cuando se encuentra en estado
puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo
dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual
a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conduccin. En cambio un semiconductor extrnseco Cuando a la
estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce
cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la
corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible,
la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos
de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros
elementos o "impurezas".
3.- Qu es una corriente de huecos?
Un hueco de electrn, o simplemente hueco, es la ausencia de un electrn
en la banda de valencia. Tal banda de valencia estara normalmente
completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o casi completa)
es caracterstica de los aislantes y de los semiconductores. El hueco de

electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el electrn pero,

contrariamente al electrn, su carga es positiva.
4.- A qu se llaman portadores minoritarios?
Se denominan portadores minoritarios a las partculas cunticas encargadas
del transporte de corriente elctrica que se encuentran en menor proporcin
en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P.
5.- Qu tipo de estructura electrnica y atmica tiene el silicio?
El silicio es el segundo elemento del paneta ms abundante, Pertenece a la
familia de los carbonoideos en la tabla peridica. Tiene 14 electrones y 14
protones, pero en trminos de inters, solo nos interesan los 4 electrones
que dispone en su zona de valencia. Se presenta en la naturaleza de dos
formas distintas, una amorfa y otra cristalizada.
Nmero Atmico: 14
Masa Atmica: 28,0855
Nmero de protones/electrones: 14
Nmero de neutrones (Istopo 28-Si): 14
Estructura electrnica: [Ne] 3s2 3p2
Electrones en los niveles de energa: 2, 8, 4
Nmeros de oxidacin: -4, +2, +4
Electronegatividad: 1,90
Energa de ionizacin (kJ.mol-1): 786
Afinidad electrnica (kJ.mol-1): 134
Radio atmico (pm): 118
Radio inico (pm) (carga del ion): 26 (+4),
271 (-4)

6.- Qu es la banda prohibida en un semiconductor?

La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energtica, en la fsica del
estado slido y otros campos relacionados, es la diferencia de energa entre
la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de
conduccin. Est presente en aislantes y semiconductores. Por la teora de
bandas de slidos, se sabe que los semiconductores tienen una banda
prohibida entre las bandas de valencia y conduccin. El tamao de la banda
prohibida tiene implicaciones en los tipos de aplicaciones que se pueden
realizar. Una baja banda prohibida, implica una mayor conduccin
intrnseca, y una banda prohibida alta implica una mayor energa de fotn
posible, asociada con una transicin a travs de la banda en los diodos

emisores de luz. En la tabla de abajo se dan las bandas prohibidas en

electrn voltios de unos pocos materiales semiconductores.
7.- Qu ventajas tiene el silicio sobre los dems semiconductores?
La estructura de los semiconductores es monocristalina, igual que la de los
materiales aislantes. Entre los materiales semiconductores, los ms
utilizados en electrnica son el silicio y el germanio. El silicio es un
elemento abundante en la naturaleza, y su coste es bajo, aunque resulta
encarecido por el proceso de purificacin al que se debe ser sometido.
Otros semiconductores son elementos compuestos, como el arseniuro de
galio, el fosfuro de indio o el sulfuro de plomo.
8. Qu son las bandas de energa?
En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la estructura
electrnica de un material como una estructura de bandas electrnicas, o
simplemente estructura de bandas de energa. La teora se basa en el hecho
de que en una molcula los orbitales de un tomo se solapan produciendo
un nmero discreto de orbitales moleculares.
9. Describa a un semiconductor N y a un semiconductor P
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar
el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o
electrones). El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material. Este electrn extra da como resultado
la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material
supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn
extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn
libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo
inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica
neta final de cero.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar
el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es
tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor
que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del
dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. No obstante, cuando
cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la
posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una
cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
10. Qu es la zona de agotamiento en una unin PN?
En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la estructura
electrnica de un material como una estructura de bandas electrnicas, o
simplemente estructura de bandas de energa. La teora se basa en el hecho
de que en una molcula los orbitales de un tomo se solapan produciendo
un nmero discreto de orbitales moleculares. En fsica de semiconductores,
la regin de agotamiento, tambin llamada capa de agotamiento, zona de
agotamiento, regin de unin o de la zona de carga espacial, es una regin
de aislamiento dentro de un conductor, material semiconductor dopado en
donde los portadores de carga mviles se han difundido de distancia, o se
han visto obligados de distancia por un campo elctrico. Los nicos
elementos que quedan en la regin de agotamiento son donantes ionizados
o impurezas aceptoras.

11. Qu es la barrera de potencial en una unin PN?

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal
n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones
como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o
empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el
proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura

profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la

acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la
zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la
corriente de electrones y terminar detenindolos.
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que
permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un
solo sentido.
12.- Porque no hay conduccin de corriente cuando se polariza
inversamente un diodo?
En polarizacin inversa es ms difcil la conduccin, porque el electrn
libre tiene que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser
mayor el valor de W. Entonces no hay conduccin de electrones libres o
huecos, no hay corriente.
13. Cul es el mecanismo de conduccin de corriente en polarizacin
directa de un diodo?
Con la polarizacin directa, la unin p-n impulsa los huecos desde el
material tipo p a la unin y los electrones desde el material tipo n a la
unin. En la unin, los electrones y huecos se combinan de modo que se
mantiene una corriente continua.
14. Describa los principales parmetros electrnicos de un diodo.
Corriente directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If
determinada. - Tensin inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). Tensin inversa mxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de
pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. Potencia total (P/tot). Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en
el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin,
procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello
acortara excesivamente la duracin del componente.

Bibliografa
(s.f.). Obtenido de http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htm
(s.f.). Obtenido de http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm
(s.f.). Obtenido de http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_5.htm
(s.f.). Obtenido de www.Hueco_de_electr%C3%B3n.com
(s.f.). Obtenido de http://solete.nichese.com/silicio.html