Universidad Autnoma de Baja California

Ciencia de los Materiales

Docente: Benjamn Gonzales Vizcarra
Alumno: Rojas Martinez Gildardo
01213162
Fecha:10/3/2014

Defectos puntuales:

Los defectos puntuales son perturbaciones localizadas en los arreglos inicos o

atmicos en una estructura cristalina que de otra manera seria perfecta. Aun cando
se les llama defectos puntuales, la perturbacin afecta una regin que involucra
varios tomos o iones.
Por otro lado, los dopantes son elementos o compuestos que se adicionan de
manera deliberad, en concentraciones conocidas, en localizaciones especificas en la
microestructura, con un defecto benfico deseado sobre las propiedades o el
procedimiento. En general, el efecto de las impurezas es perjudicial mientras que
los defectos de los dopantes sobre las propiedades de los materiales es til.
Vacancias:
Se produce una vacancia cuando un tomo o ion esta ausente de su sitio normal en
la estructura cristalina.
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia. Las vacancias
desempea una funcin importante en la determinacin de la velocida a la cual los
tomos o iones se mueven alrededor de o se difunde en un material slido.
Defectos intersticiales:
Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un tomo o ion adicional en la
estructura cristalina en una posicin por lo general desocupada, la introduccin de
tomos intersticiales es una manera importante de incrementar la resistencia de los
materiales metlicos. A diferencia de las vacancias, una vez introducidos, el nmero
de tomos o iones intersticiales en la estructura permanece casi constante, aun
cuando se modifica la temperatura.
Defectos sustitucionales:
Se introduce un defecto situacional cuando se remplaza un tomo o ion por un tipo
de tomo o ion. Fig 4-1c y d los tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio de
red normal los e.g. de defectos sustitucionales incluyen la incorporacin de
dopantes, como el fosforo (p) o el Boro (B) en el S. los tomos sustitucionales con
frecuencia aumentara la resistencia del material metlico. El tamao de los sitos
disponibles tambin desempea una funcin en esto.
Otros defectos puntuales:
Se crea una intersticialidad cuando un tomo idntico a aquello en los puntos de
red normales se localiza en una posicin intersticial. Estos defectos son ms
probables de encontrarse en las estructuras cristalinas que tienen un factor de
impaquetamiento bajo. Un defecto de Frenkel es un par de vacancia-intersticial
formado cuando un ion salta de un punto de red normal a un sitio intersticial.
Un defecto de Schottky es nico para los materiales inicos y se encuentra de
manera comn en muchos materiales cermicos. Por tanto, en los slidos inicos,
cuando se introduce defectos puntuales, tiene que observarse las siguientes reglas:
a) debe conservarse un balance de la carga de tal manera que el material cristalino
como un todo sea elctricamente neutro;
b) bebe conservarse un balance de la masa, y
c) debe conservarse el nmero de sitios cristalogrficos.
Se utiliza la notacin de Kroger-Bink para escribe las ecuaciones qumicas de los
defectos. La letra principal en esta notacin describe una vacancia o el nombre del

elemento. El sper ndice indica la carga efectiva en el defecto y el subndice

describe la localizacin del defecto. Un punto (.) indica una carde efectiva de +1 u
() representa una carga de -1.
Dislocaciones:
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera seria
perfecto. La dislocacin helicoidal, la dislocacin de arista y la dislocacin mixta.
Dislocaciones Helicoidales: dislocacin producida al torcer un cristal en un
espaciado atmica de tal manera que se produce una rampa en espirar. Requerido
para completar la vuelta es el vector de
Burges B el vector de Burges es paralelo a la dislocacin helicoidal.
Banda de deslazamiento: coleccin de muchas lneas del deslizamiento, con
frecuencia visible.
Defectos superficiales: imperfecciones, como los lmites de grano, que forman un
plano bidimensional dentro del cristal.
Defectos extendidos: defectos que involucran varios tomos/iones y por tanto
ocurren sobre un volumen finito del material cristalino e.g (las dislocaciones, las
fallas de apilamiento, ect).
Deformacin elstica: deformacin que se recupera por completo cuando se
elimina el esfuerzo que la ocasiona.
Deformacin plstica: deformacin permanente de un material cuando se aplica
y despus se elimina una carga.
Densidad de las dislocaciones: longitued total de la lnea de la dislocacin por
cm3 es un material.
Deslizamiento: deformacin de un material metlico por el movimiento de las
dislocaciones atraves del cristal.
Dominio: regin pequea de un material ferro elctrico, ferromagntico o
ferromagnetico en la que la direccin de la polarizacin dielctrica (para los ferro
elctricos) o la magnetizacin (para los ferromagnticos o ferromagnticos).
Endurecimiento de segunda fase: mecanismo por medio del cual los granos de
un compuesto o fase adicional se introduce en un material policristalino. Estos
cristales de segunda fase resisten el movimiento de las dislocaciones, por tato
ocacionan un incremento de la resistencia de un material metlico.
Endurecimiento por deformacin: por medio del incremento del nmero de
dislocaciones por deformacin, o trabajo en frio. Tambin conocido como
(endurecimiento por trabajo).
Endurecimiento por precipitacin: endurecimientos de metales y aleaciones por
medio de la formacin de precipitados dentro de los granos. Los precipitados
pequeos resisten el movimiento de las dislocaciones.
Endurecimiento por tamao de grano: endurecimiento de un material
disminuyendo el tamao el grano y por tanto incrementando el aria de los lmites
de los granos. Los lmites de los granos resisten el movimiento de las dislocaciones
y, por tanto, el incremento del rea de los lmites de los granos conduce a un
aumento en la resistencia.
Esfuerzo cortante resuelto crtico: esfuerzo requerido para ocasionar que una
dislocacin se mueva y ocasione un deslizamiento.
Esfuerzo de Peierls-Nabarro: esfuerzo cortante, que depende del vector de
Burger y del espaciado interplanar, requerido para ocasionar que una dislocacin se
mueva.

Faya de apilamiento: defecto de superficial en los metales ocasionados por la

secuencia de apilamiento inapropiada de los planos compactos.
Ferro elctrico: material dielctrico que desarrolla una polarizacin elctrica
espontnea y reversible.
Grano: un de los cristales presente un en material policristalino.
Impurezas: elementos o compuestos que encuentran la forma de introducirse en
un material, con frecuencia se originan del procesamiento o de la materia prima y
por lo regular tiene un efecto prejudicial sobre las propiedades o el procesamiento
de un material.
Limite inclinado: lmite de grano de ngulo pequeo compuesto de un arreglo de
dislocaciones de
Arista.
Lmite de grano: defecto de superficie que representa el lmite entre dos granos.
El cristal tiene una orientacin distinta en cualquier lado del lmite de grano.
Lmite de grano de ngulo pequeo: arreglo de dislocaciones que ocacionan un
pequeo erro de orientacin del cristal atreves de la superficie de la imperfeccin.
Lmite de Macla: defecto de superficie atreves del cual hay una desorientacin de
imagen especular de la estructura cristalina. Los lmite de Macla tambin puede
moverse y ocasionar la deformacin del material.
Line de deslizamiento: lnea visible producida en la superficie en un material
metlico por la presencia de varios miles de dislocaciones.
Metalografa: preparacin de una muestra metlica de un material pulindolo y
ligndolo de tal manera que la estructura pueda examinarse utilizando un
microscopio.
Numero ASTM de tamao del grano (n): medida del tamao de los granos de
un material cristalino obtenido contando el nmero de granos por in 2 a una
magnificacin de 100.
Plano de deslizamiento: plano recorrido por la lnea de una dislocacin durante el
deslizamiento. Por lo general un plano de deslizamiento es un plano compacto si
hay alguno en la estructura cristalina.
Poros de ataque qumico: orificios creados en localizaciones donde las
dislocaciones coinciden con la superficie. Se utilizan para examinar la presencia y la
densidad de las dislocaciones.
Ranurado Trmico: Tcnica utilizada para observar las microestructuras en los
materiales cermicos, involucra el calentamiento de una muestra pulida a una
temperatura ligeramente de bajo de la temperatura de sinterizacion durante un
periodo corto.
Reacciones Qumicas del defecto: Reacciones escritas utilizando la nutacin de
Kroger-Venk para describir la qumica del defecto. La reacciones deben escribiese de
tal manera que la masa y las cargas elctricas estn balaceadas y se conserve la
estequiometria se los sitos. La existencia de los defectos pronosticados por tales
reacciones necesita verificarse de manera experimental.
Recocido: tratamiento trmico que por lo general involucra calentar un material
metlico a una temperatura alta durante un periodo extenso para disminuir la
densidad de las dislocaciones y por tanto impartir ductilidad.