Transistores Bipolares

Estructura del Transistor BJT

Smbolos

El transistor es un dispositivo electrnico

semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El trmino "transistor" es la contraccin en ingls
de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prcticamente en
todos los artefactos domsticos de uso diario:
radios, televisores, grabadoras, reproductores de
audio y video, hornos de microondas, lavadoras,
automviles, equipos de refrigeracin, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras,
impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de
rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores
mp3, celulares, etc.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar

Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales.

El transistor consta de un sustrato

(usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades
especficas) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos
portadores (base).

El transistor no polarizado

Un transistor tiene tres regiones dopadas,

como se muestra en la Figura. La regin
inferior es el emisor, la regin intermedia es
la base y la regin superior es el colector.
En un transistor real, la regin de la base es
mucho ms estrecha comparada con las
regiones de colector y de emisor. El
transistor de la Figura es un dispositivo npn
porque tiene una regin p entre dos regiones n.
Recuerde que los portadores mayoritarios son
los electrones libres en un material de tipo n y
los huecos en un material de tipo p.

Un transistor es similar a dos diodos, el

transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos diodo emisor, mientras que el colector
y la base forman el otro diodo colector.

En al siguiente figura vemos al transistor npn,

primeramente cuando est sin polarizar (sin pilas y
en circuito abierto) se produce una "Difusin,
donde los electrones cruzan de la zona n a la zona
p, se difunden, encuentran un hueco y se
recombinan. El resultado son dos zonas de
deplexin una en la unin E-B (WE) y otra en la
unin C-B.
Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al
equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial
de 0,7 V (para el Si)a 25C y 0.3V para el Ge a 25C.

El transistor polarizado
Un transistor no polarizado es como dos
diodos en oposicin. Cada diodo tiene
una barrera de potencial de
aproximadamente 0,7 V.
Cuando se conectan al transistor fuentes
de tensin externas, circularn corrientes
a travs de las distintas partes del
transistor.

Electrones del emisor

La siguiente Figura muestra un transistor

polarizado. Los signos menos representan los
electrones libres. El trabajo que realiza el emisor
fuertemente dopado es el siguiente: emite o
inyecta sus electrones libres en la base. La base
ligeramente dopada tambin tiene un propsito
bien definido: pasar los electrones inyectados por
el emisor al colector. El colector debe su nombre
precisamente a que recolecta la mayor parte de
los electrones de la base.

La Figura muestra la forma habitual de

polarizar un transistor. La fuente de la
izquierda, Vbb. polariza en directa el diodo
de emisor y la fuente de la derecha,Vcc,
polariza en inversa el diodo de colector.
Aunque son posibles otros mtodos de
polarizacin, polarizar en directa el diodo de
emisor y en inversa el diodo de colector es el
que proporciona resultados ms tiles.

Electrones de la base

En el instante en que se aplica la

polarizacin directa al diodo de emisor de
la Figura, los electrones del emisor
todava no han entrado en la regin de la
base. Si, en la Figura, Vbb es mayor que la
barrera de potencial emisor-base, los
electrones del emisor entrarn en la base.

En teora, estos electrones libres pueden fluir en

cualquiera de las dos direcciones: pueden desplazarse
hacia la izquierda y salir de la base, pasando a travs
de RB en el camino hacia el terminal positivo de la
fuente, o pueden fluir hacia el colector.
Qu camino seguirn los electrones libres? La
mayora irn hacia el colector. Por qu? Existen dos
razones: la base est ligeramente dopada y es muy
estrecha. Slo unos pocos electrones libres se
recombinarn con los huecos en la base ligeramente
dopada de la Figura. Despus, como electrones de
valencia, fluirn a travs de la resistencia de base hasta
el terminal positivo de la fuente de alimentacin VBB.

Electrones del colector

Casi todos los electrones libres entran en el

colector, como se muestra en la Figura. Una
vez que estn en el colector, se ven atrados
por la fuente de tensin Vcc, por lo que fluyen a
travs del colector y atraviesan Rc hasta alcanzar
el terminal positivo de la tensin de alimentacin
del colector.

En resumen, lo que ocurre es lo siguiente:

Vbb polariza en directa l diodo de emisor,
forzando a los electrones libres del emisor a
entrar en la base. La base es estrecha y est
poco dopada, proporcionando el tiempo
suficiente para que todos los electrones se
difundan hasta el colector. Estos electrones
atraviesan el colector, la resistencia Rc y
entran en el terminal positivo de la fuente de
tensin Vcc-

Operacin Bsica de un BJT

Operacin Bsica de un BJT

Corrientes del transistor

En las siguientes Figuras se muestran el smbolo

esquemtico de un transistor npn.
Si prefiere utilizar la direccin de la corriente convencional,
utilice la Figura a.
Si prefiere la direccin del flujo de electrones, utilice la. Figura
b.
En la siguiente Figura, se ilustran las tres corrientes diferentes
que hay en un transistor: corriente de emisor Ie, corriente de
base Ib y corriente de colector Ic.

Transistor pnp

Operacin Bsica de un BJT

IE = IC + IB

Comparacin de las corrientes

Dado que el emisor es la fuente de los

electrones, es la corriente ms grande. La
mayor parte del flujo de electrones del
emisor llega al colector, por lo que la
corriente de colector es prcticamente
igual que la corriente de emisor. En
comparacin, la corriente de base es muy
pequea, a menudo menor que el 1% por
ciento de la corriente de colector.

Relacin de corrientes

Recordemos la ley de Kirchoff: la suma de todas las

corrientes que entran en un punto o unin es igual a la
suma de todas las corrientes que salen del punto o
unin. Cuando se aplica a un transistor, la ley de las
corrientes de Kirchhoff proporciona esta importante
relacin:

Esto quiere decir que la corriente de emisor es igual a

la suma de la corriente de colector y la corriente de
base. Puesto que la corriente de base es muy pequea,
la corriente de colector es aproximadamente igual a la
corriente de emisor estas ecuaciones son validas para el
transistor pnp):

Alfa

El alfa de continua (simbolizada por dc) se define

como la corriente continua de colector dividida
entre la corriente continua de emisor:

Dado que la corriente de colector es

prcticamente igual que la corriente de emisor, el
alfa de continua es un poco menor que 1.
Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, el
alfa de continua normalmente es mayor que 0,99.
Incluso en un transistor de alta potencia, el alfa de
continua normalmente es mayor que 0,95.

La beta de continua (simbolizada por dc) de un

transistor se define como la relacin de la corriente
continua del colector y la corriente continua de base:

La beta de continua tambin se conoce como ganancia

de corriente porque una corriente de base pequea
controla a una corriente de colector mucho ms grande.
La ganancia de corriente es una importante ventaja de
un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. En
los transistores de baja potencia (menos de 1 W), la
ganancia de corriente normalmente est comprendida
entre 100 y 300. Los transistores de alta potencia (por
encima de 1 W) tienen usualmente ganancias de
corriente comprendidas entre 20 y 100.

Caractersticas y Parmetros del Transistor BJT

Ejemplo 1

Un transistor tiene una corriente de

colector de 10 mA y una corriente de
base de 40 uA. Cul es la ganancia de
corriente del trnasistor?

Un transistor tiene una corriente de

colector de 2 mA. Si la ganancia de
corriente es 135, cul es la corriente de
base?

La conexin en emisor comn

La forma mas utilizada de de conectar un transistor:
es en emisor comn (EC).
En la siguiente Figura, el lado comn o tierra de cada
una de las fuentes de tensin est conectada al
emisor. Por ello, el circuito se denomina conexin en
emisor comn (EC). El circuito tiene dos mallas: la
malla de la izquierda es la malla de la base y la de la
derecha es la malla de colector.

En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo

de emisor con RB como resistencia limitadora de corriente.
Cambiando VBB o RB. podemos cambiar la corriente de base y,
por tanto, cambiar la corriente de colector. En otras palabras, la
corriente de base controla la corriente de colector. Esto es
importante: significa que una corriente pequea (de base)
controla una corriente grande (de colector).
En la malla de colector, una tensin de fuente Vcc polariza
en inversa al diodo de colector a travs de Rc. La tensin de
alimentacin Vcc debe polarizar en inversa el diodo de colector
como se muestra, o de lo contrario, el transistor no funcionar
apropiadamente. Dicho de otra manera, el colector debe ser
positivo para recolectar la mayor parte de los electrones libres
inyectados en la base.

En la Figura a, el flujo de la corriente de base

en la malla izquierda genera una tensin en la
resistencia de base RB con la polaridad indicada.
De forma similar, el flujo de la corriente de
colector en la malla derecha genera una tensin
en la resistencia de colector Rc con la polaridad
indicada.

Curva caracterstica de entrada

A qu le recuerda la grfica de IB en funcin de VBE? Es
parecida a la grfica de un diodo ordinario, Y por qu no
iba a ser as? Se trata de un diodo de emisor polarizado
en directa, por lo que es lgico obtener la grfica habitual
del diodo de la corriente en funcin de la tensin. Esto
implica que podemos Utilizar cualquiera de las
aproximaciones del diodo estudiadas anteriormente.
Si utilizamos un diodo ideal, VBE = 0. Con la segunda
aproximacin, VBE = 0,7 V.

Aproximacin ideal del transistor

En la figura c se muestra la aproximacin ideal de un

transistor. Podemos ver el diodo de emisor como un
diodo ideal. En este caso, VBE = 0.
El lado del colector del transistor se comporta como
una fuente de corriente que bombea una corriente
de colector de valor dclB a travs de la resistencia de
colector.

La segunda aproximacin
La Figura c muestra la segunda aproximacin de un
transistor. Esta aproximacin es la que se usa ms
frecuentemente porque puede mejorar
significativamente el anlisis cuando la tensin de
alimentacin de la base es pequea.
En los transistores de silicio, esto significa que VBE =
0,7 V (para transistores de germanio, VBE = 0,3 V). Con la
segunda aproximacin, las corrientes de base y de colector
sern ligeramente menores que sus valores ideales.

Aproximaciones de orden superior

La resistencia interna del diodo de emisor
comienza a ser importante slo en las
aplicaciones de alta potencia en las que las
corrientes son grandes.
El efecto de la resistencia interna en el
diodo de emisor es incrementar el valor
de VBE por encima de 0,7 V. Por ejemplo, en
algunos circuitos de alta potencia, la tensin
VBE que cae en el diodo Base-emisor puede
ser mayor de 1 V.

Ejemplo

Cul es la tensin colector-emisor en la

siguiente Figura? Utilice el transistor ideal

Ejemplo

Cul es la tensin colector-emisor en el

circuito de la Figura anterior si se aplica la
segunda aproximacin?

Resumen

EXAMEN
Calcule la corriente de base en el siguiente circuito de
la Figura. Cul es la tensin en la resistencia de base? Y la
corriente de colector si dc = 200 ? VCE, IE
a) Utilizando el modelo ideal
b) La segunda aproximacin,