1

I. OBJETIVOS
1. Usar las destrezas de diseo aprendidas en clase para una funcin lgica dada.
2. Observar diferencias y similitudes en los circuitos que se proponen para desarrollar en la prctica.
3. Reconocer los niveles de voltaje y de corriente en alto y bajo de las compuertas en TTL y CMOS usadas en la
prctica.

II. JUSTIFICACION.

Este laboratorio es un excelente complemento, ya que recoge una serie de criterios y fundamentos muy importantes
adquiridos en el estudio terico de la asignatura. Este tipo de prcticas son tiles para corregir errores y solucionar
cualquier tipo de dudas; a travs de su desarrollo se comprende el anlisis de las familias lgicas (TTL y CMOS), la
importancia de conocer sus caractersticas y la necesidad de tener los conocimientos bsicos adems de
especficos para cada una de ellas en este caso particular.

III. DESARROLLO TERICO
Funcin lgica:

Con NAND

Tabla de verdad

ENTRADAS SALIDAS PARCIALES SALIDA
FINAL
A B

0 0 1 1 0 0 0
0 1 1 0 0 1 1
1 0 0 1 1 0 1
1 1 0 0 0 0 0

Clculos tericos
1) Resistor de proteccin de la compuerta: usamos el valor del VIH de la subfamilia 74LS, pero no escogemos
los 2 voltios de entrada ya que puede caer en la regin prohibida, por lo cual usamos un valor promedio que
est entre 2 y 5 voltios; en este caso usaremos 3.5V.

( )

PREINFORME No 1 APLICACIN DE LAS COMPUERTAS
UNIVERSALES
OSCAR ANDRES CARTAGENA
CDIGO: 20121108489
DAVID FERNANDO CUELLAR
CDIGO: 2009287586
2
PARA CMOS

( )

Usamos entonces Rcomercial=6.8k

PARA EL CIRCUITO B.

Vcc= 5V, V
D
=2V, VOH (tip) =3.4V,
V
BE
=0.7V, V
E
=0V, V
B
= 0.7V
Ic=Iled=20 mA. Vled=2V.

Para obtener un resistor de forma adecuada, procederemos a hallar la corriente de base de la siguiente manera:
Obtendremos la corriente de base de saturacin, por lo cual hay que hallar primero la corriente de base en el lmite
de la saturacin, para este clculo se usa el beta mnimo del transistor a utilizar, para nuestro caso usaremos el
2N3904 que tiene un beta de 100 a 300.

()

Para determinar la corriente de base de saturacin se usar un factor de sobre excitacin del 20%.

()

()

( )


Se usar el resistor comercial de 10 K.

Para determinar la Resistencia de colector se hace la malla.

()

Se usar un resistor de 150.

PARA EL CIRCUITO C.
IOH=0.4 mA, VOH (tip)=3.4V, V
D
=2 V


()

( )



Por lo cual se usa un resistor de 3.3 K

PARA EL CIRCUITO D.
Vx=VoL= 0.35V (voltaje tpico), IoL= 8 mA.
Haciendo la malla.

Se usar un resistor de 330 que es comercial.



3
EN CMOS
Para el circuito A.
Vx1= VOH (min) = 4.95 V
Vx2= VOL (max) = 0.05 V

Para el circuito B.
Teniendo los datos de las corrientes halladas en el circuito B, con TTL tenemos que son iguales en este; cambiara
es el Vx que en CMOS es de 4.95.

( )


La resistencia de colector es la misma que la hallada anteriormente.

Para el circuito C.

IOH=0.4 mA, Vx1=4.95V, V
D
=2 V

( )



Por lo cual se usar un resistor de 6.8 K

Para el circuito D.

Vx2=VOL= 0.05V (tip), IOL= 0.4 mA.
Haciendo la malla.

Por lo cual se usar un resistor de 6.8 K

Tabla de tensiones para TTL (V)
ENTRADAS SALIDAS PARCIALES SALIDA
FINAL
A B

0-0.8 0-0.8 2.7-5 2.7-5 0-0.5 0-0.5 0-0.5
0-0.8 2-5 2.7-5 0-0.5 0-0.5 2.7-5 2.7-5
2-5 0-0.8 0-0.5 2.7-5 2.7-5 0-0.5 2.7-5
2-5 2-5 0-0.5 0-0.5 0-0.5 0-0.5 0-0.5

Tabla de tensiones para CMOS (V)
ENTRADAS SALIDAS PARCIALES SALID
A
FINAL
A B

0-1.5 0-1.5 4.95-5 4.95-5 0-0.05 0 -0.05 0-0.05
0-1.5 3.5-5 4.95-5 0-0.05 0-0.05 4.95-5 4.95-5
3.5-5 0-1.5 0-0.05 4.95-5 4.95-5 0-0.05 4.95-5
3.5-5 3.5-5 0-0.05 0-0.05 0-0.05 0-0.05 0-0.05




4
CIRCUITOS

Circuito bsico A
Para TTL


Para CMOS


Circuito B

Para TTL

5
Para CMOS



Circuito C

Para TTL


Para CMOS








6

Circuito D
Para TTL


Para CMOS

























7
CARACTERISTICAS DEL DIODO LED (5mm-Red)
ITEMS SIMBOLO RANGO
ABS.
MAX.
UNIDAD
Forward
Current

50 mA
Peak
Forward
Current*

100 mA
Reverse
Voltage

5 V
Power
Dissipation

150 mW
Operation
Temperature

-20 ~
+95
C
*pulse width 0.1 mSec
Forward Voltage: 1.8V (min) ~ 2.4V (mx); Condition:

Reverse Current: 10A (mx); Condition:

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR 2N3904
SIMBOLO PARAMETRO VALOR MAX. UNIDAD

Voltage Collector-Emitter 40 V

Voltage Collector-Base 60 V

Voltage Emitter-Base 0.6 V

Collector Current 200 mA

= 100(min) ~ 300(mx)