UNIVERSIDAD TECNOLOGICA EQUINOCCIAL

ALUMNO: VICTOR SOLORZANO

MEMORIA RAM
RAM es el acrnimo ingls de Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio).
Mdlo S!RAM de "#$ M%
Se trata de na memoria de semiconductor en la &e se 'ede tanto leer como escri%ir
in(ormacin. )s na memoria *ol+til, es decir, 'ierde s contenido al desconectar la
energ-a elctrica. Se tili.a normalmente como memoria tem'oral 'ara almacenar
resltados intermedios / datos similares no 'ermanentes. Se dicen 0de acceso aleatorio0
'or&e los di(erentes accesos son inde'endientes entre s-. 1or e2em'lo, si n disco
r-gido de%e 3acer dos accesos consecti*os a sectores ale2ados (-sicamente entre s-, se
'ierde n tiem'o en mo*er la ca%e.a 3asta la 'ista deseada (o es'erar &e el sector 'ase
'or de%a2o, si am%os est+n en la misma 'ista), tiem'o &e no se 'ierde en la RAM.
S denominacin srge en contra'osicin a las denominadas memorias de acceso
secencial. !e%ido a &e en los comien.os de la com'tacin las memorias 'rinci'ales
(o 'rimarias) de los com'tadores eran siem're de ti'o RAM / las memorias
secndarias (o masi*as) eran de acceso secencial (cintas o tar2etas 'er(oradas), es
(recente &e se 3a%le de memoria RAM 'ara 3acer re(erencia a la memoria 'rinci'al
de n com'tador.
)n estas memorias se accede a cada celda (generalmente se direcciona a ni*el de %/tes)
mediante n ca%leado interno, es decir, cada %/te tiene n camino 're(i2ado 'ara entrar
/ salir, a di(erencia de otros ti'os de almacenamiento, en las &e 3a/ na ca%e.a
lectogra%adora &e tiene &e %icarse en la 'osicin deseada antes de leer el dato
deseado.
Las RAMs se di*iden en est+ticas / din+micas. 4na memoria RAM est+tica mantiene s
contenido inalterado mientras est alimentada. La in(ormacin contenida en na
memoria RAM din+mica se degrada con el tiem'o, llegando sta a desa'arecer, a 'esar
de estar alimentada. 1ara e*itarlo 3a/ &e restarar la in(ormacin contenida en ss
celdas a inter*alos reglares, o'eracin denominada re(resco.
Las memorias se agr'an en mdlos, &e se conectan a la 'laca %ase del com'tador.
Seg5n los ti'os de conectores &e lle*en los mdlos, se clasi(ican en Mdlos SIMM
(Single In6line Memor/ Modle), con 78 9# contactos, mdlos !IMM (!al In6line
Memor/ Modle), con ":$ contactos / mdlos RIMM (RAM;4S In6line Memor/
Modle) con "$< contactos.
MEMORIA PROM
1ROM !#7"#$C en la 'la&eta de na Sinclair Z= S'ectrm.
PROM es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM 'rograma%le). )s
na memoria digital donde el *alor de cada %it de'ende del estado de n (si%le (o
anti(si%le), &e 'ede ser &emado na sola *e.. 1or esto la memoria 'ede ser
'rogramada ('eden ser escritos los datos) na sola *e. a tra*s de n dis'ositi*o
es'ecial, n 'rogramador 1ROM. )stas memorias son tili.adas 'ara gra%ar datos
'ermanentes en cantidades menores a las ROMs, o cando los datos de%en cam%iar en
mc3os o todos los casos.
1e&e>as 1ROM 3an *enido tili.+ndose como generadores de (nciones, normalmente
en con2ncin con n mlti'le?or. A *eces se 're(er-an a las ROM 'or&e son
%i'olares, 3a%itlamente Sc3ott@/, consigiendo ma/ores *elocidades.
MEMORIA EPROM
)1ROM. La 'e&e>a *entana de car.o reci%e l. 4V drante el %orrado.
4na )1ROM de 7#A; (#B:A%it).
)ste microcontrolador $9<C almacena s 'rograma en na )1ROM interna.
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM %orra%le
'rograma%le). )s n ti'o de c3i' de memoria ROM in*entado 'or el ingeniero !o*
Dro3man &e retiene los datos cando la (ente de energ-a se a'aga. )n otras 'ala%ras,
es no *ol+til. )st+ (ormada 'or celdas de DAMOS (Dloating Eate A*alanc3e6In2ection
Metal6O?ide Semicondctor) o transistores de puerta flotante. Cada no de ellos *iene
de (+%rica sin carga, 'or lo &e es le-do como n " ('or eso na )1ROM sin gra%ar se
lee como FF en todas ss celdas). Se 'rograman mediante n dis'ositi*o electrnico
&e 'ro'orciona *olta2es s'eriores a los normalmente tili.ados en los circitos
electrnicos. Las celdas &e reci%en carga se leen entonces como n 8. 4na *e.
'rogramada, na )1ROM se 'ede %orrar solamente mediante e?'osicin a na (erte
l. ltra*ioleta. )sto es de%ido a &e los (otones de la l. e?citan a los electrones de las
celdas 'ro*ocando &e se descargen. Las )1ROMs se reconocen (+cilmente 'or na
*entana trans'arente en la 'arte alta del enca'slado, a tra*s de la cal se 'ede *er el
c3i' de silicio / &e admite la l. ltra*ioleta drante el %orrado.
Como el car.o de la *entana es caro de (a%ricar, se introd2eron los c3i's OT1 (one6
time 'rogramma%le, 'rograma%les na *e.) F la 5nica di(erencia con la )1ROM es la
asencia de la *entana de car.o, 'or lo &e no 'ede ser %orrada. Las *ersiones OT1 se
(a%rican 'ara sstitir tanto a las )1ROMs normales como a las )1ROMs inclidas en
algnos microcontroladores. )stas 5ltimas (eron siendo sstitidas 'rogresi*amente
'or ))1ROMs ('ara (a%ricacin de 'e&e>as cantidades donde el coste no es lo
im'ortante) / 'or memoria (las3 (en las de ma/or tirada).
4na )1ROM 'rogramada, retiene ss datos drante die. o *einte a>os, / se 'ede leer
n n5mero ilimitado de *eces. 1ara 're*enir el %orrado accidental 'or la l. del sol, la
*entana de %orrado de%e 'ermanecer c%ierta. Las antigas ;IOS de los ordenadores
'ersonales eran (recentemente )1ROMs / la *entana de %orrado esta%a 3a%italmente
c%iertas 'or na eti&eta &e conten-a el nom%re del 'rodctor de la ;IOS, la re*isin
de la ;IOS / na ad*ertencia de co'/rig3t.
EEPROM
EEPROM son las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory
(ROM 'rograma%le / %orra%le elctricamente), en es'a>ol o castellano se sele re(erir
al 3a%lar como )G1ROM / en ingls 0)6S&ared61ROM0. )s n ti'o de memoria ROM
&e 'ede ser 'rogramado, %orrado / re'rogramado elctricamente, a di(erencia de la
)1ROM &e 3a de %orrarse mediante ra/os ltra*ioletas. An&e na ))1ROM 'ede
ser le-da n n5mero ilimitado de *eces, slo 'ede ser %orrada / re'rogramada entre
"88.888 / ".888.888 de *eces.
)stos dis'ositi*os selen comnicarse mediante 'rotocolos como IGC, S1I / MicroHire.
)n otras ocasiones se integra dentro de c3i's como microcontroladores / !S1s 'ara
lograr na ma/or ra'ide.. La memoria (las3 es na (orma a*an.ada de ))1ROM
creadas 'or !r. D2io Maso@a mientras tra%a2a%a 'ara Tos3i%a in "C$< / (eron
'resentadas en la Renion de A'aratos )lectrnicos de la I))) de "C$<. Intel *io el
'otencial de la in*encin / en "C$$ lan.o el 'rimer c3i' comercial del ti'o NOR.
ROM
Memoria ROM conteniendo la ;IOS de na *ie2a tar2eta madre
ROM es el acrnimo de Read-Only Memory (memoria de slo lectra). )s na
memoria de semicondctor no destrcti%le, es decir, &e no se 'ede escri%ir so%re ella,
/ &e conser*a intacta la in(ormacin almacenada, inclso en el caso de interr'cin de
corriente (memoria no *ol+til). La ROM sele almacenar la con(igracin del sistema o
el 'rograma de arran&e del ordenador.
La memoria de slo lectra o ROM es tili.ada como medio de almacenamiento de
datos en los ordenadores. !e%ido a &e no se 'ede escri%ir (+cilmente, s so 'rinci'al
reside en la distri%cin de 'rogramas &e est+n estrec3amente ligados al so'orte (-sico
del ordenador, / &e segramente no necesitar+n actali.acin. 1or e2em'lo, na tar2eta
gr+(ica 'ede reali.ar algnas (nciones %+sicas a tra*s de los 'rogramas contenidos en
la ROM.
Ia/ na tendencia a 'oner cada *e. menos 'rogramas en la est+tica ROM, / m+s en los
discos, 3aciendo los cam%ios mc3o m+s (+ciles. Los ordenadores domsticos a
comien.os de los $8 *en-an con todo s sistema o'erati*o en ROM. No 3a%-a otra
alternati*a ra.ona%le /a &e las nidades de disco eran generalmente o'cionales. La
actali.acin a na ne*a *ersin signi(ica sar n soldador o n gr'o de interr'tores
!I1 / reem'la.ar el *ie2o c3i' de ROM 'or no ne*o. )n el a>o #888 los sistemas
o'erati*os en general /a no *an en ROM. Toda*-a los ordenadores 'eden de2ar algnos
de ss 'rogramas en memoria ROM, 'ero inclso en este caso, es m+s (recente &e
*a/a en memoria (las3. Los tel(onos m*iles / los asistentes 'ersonales digitales
(1!A) selen tener 'rogramas en memoria ROM (o 'or lo menos en memoria (las3).
Algnas de las consolas de *ideo2egos &e tili.an 'rogramas %asados en la memoria
ROM son la S'er Nintendo, la Nintendo :<, la Mega !ri*e o la Eame ;o/. )stas
memorias ROM, 'egadas a ca2as de 'l+stico a'tas 'ara ser tili.adas e introdcidas
re'etidas *eces, son conocidas como cartc3os. 1or e?tensin la 'ala%ra ROM 'ede
re(erirse tam%in a n arc3i*o de datos &e contenga na imagen del 'rograma &e se
distri%/e normalmente en memoria ROM, como na co'ia de n cartc3o de
*ideo2ego.
4na ra.n de &e toda*-a se tilice la memoria ROM 'ara almacenar datos es la
*elocidad /a &e los discos son m+s lentos. A5n m+s im'ortante, no se 'ede leer n
'rograma &e es necesario 'ara e2ectar n disco desde el 'ro'io disco. 1or lo tanto, la
;IOS, o el sistema de arran&e o'ortno del ordenador normalmente se encentran en
na memoria ROM.
La memoria RAM normalmente es m+s r+'ida de leer &e la ma/or-a de las memorias
ROM, 'or lo tanto el contenido ROM se sele tras*asar normalmente a la memoria
RAM cando se tili.a.
MEMORIA FLASH
La memoria flash es na (orma e*olcionada de la memoria ))1ROM &e 'ermite &e
m5lti'les 'osiciones de memoria sean escritas o %orradas en na misma o'eracin de
'rogramacin mediante im'lsos elctricos, (rente a las anteriores &e slo 'ermite
escri%ir o %orrar na 5nica celda cada *e.. 1or ello, (las3 'ermite (ncionar a
*elocidades m/ s'eriores cando los sistemas em'lean lectra / escritra en
di(erentes 'ntos de esta memoria al mismo tiem'o.
Caractersticas generales
!os tar2etas Com'actDlas3 de Aingston
Lector de tar2etas de memoria 'or 4S;.
Las memorias (las3 son de ti'o no *ol+til, esto es, la in(ormacin &e almacena no se
'ierde en canto se desconecta de la corriente, na caracter-stica m/ *alorada 'ara la
mltitd de sos en los &e se em'lea este ti'o de memoria.
Los 'rinci'ales sos de este ti'o de memorias son 'e&e>os dis'ositi*os %asados en el
so de %ater-as como tel(onos m*iles, 1!A, 'e&e>os electrodomsticos, c+maras de
(otos digitales, re'rodctores 'ort+tiles de adio, etc.
Las ca'acidades de almacenamiento de estas tar2etas &e integran memorias (las3
comen.aron en $ M; 'ero actalmente se 'eden encontrar en el mercado tar2etas de
3asta "#$ E; 'or 'arte de la em'resa A6!ATA.
La *elocidad de trans(erencia de estas tar2etas, al igal &e la ca'acidad de las mismas,
se 3a ido incrementando 'rogresi*amente. La ne*a generacin de tar2etas 'ermitir+
*elocidades de 3asta #8 M;Js.
)l coste de estas memorias es m/ %a2o res'ecto a otro ti'o de memorias similares
como ))1ROM / o(rece rendimientos / caracter-sticas m/ s'eriores.
)conmicamente 3a%lando, el 'recio en el mercado ronda los #8 K 'ara dis'ositi*os con
B"# M; de almacenamiento, an&e, e*identemente, se 'eden encontrar dis'ositi*os
e?clsi*amente de almacenamiento de nas 'ocas M;s 'or 'recios realmente %a2os, /
de 3asta <888 K 'ara la gama m+s alta / de ma/ores 'restaciones. No o%stante, el coste
'or M; en los discos dros son m/ in(eriores a los &e o(rece la memoria (las3 /,
adem+s los discos dros tienen na ca'acidad m/ s'erior a la de las memorias (las3.
O(recen, adem+s, caracter-sticas como gran resistencia a los gol'es / es m/ silencioso,
/a &e no contiene ni actadores mec+nicos ni 'artes m*iles. S 'e&e>o tama>o
tam%in es n (actor determinante a la 3ora de escoger 'ara n dis'ositi*o 'ort+til, as-
como s ligere.a / *ersatilidad 'ara todos los sos 3acia los &e est+ orientado.
Sin em%argo, todos los ti'os de memoria (las3 slo 'ermiten n n5mero limitado de
escritras / %orrados, generalmente entre "88.888 / n milln, de'endiendo de la celda,
de la 'recisin del 'roceso de (a%ricacin / del *olta2e necesario 'ara s %orrado.
)ste ti'o de memoria est+ (a%ricado con 'ertas lgicas NOR / NAN! 'ara almacenar
los 8Ls "Ls corres'ondientes. Actalmente (8$68$6#88B) 3a/ na gran di*isin entre
los (a%ricantes de n ti'o otro, es'ecialmente a la 3ora de elegir n sistema de
arc3i*os 'ara estas memorias. Sin em%argo se comien.an a desarrollar memorias
%asadas en ORNAN!.
Los sistemas de arc3i*os 'ara estas memorias est+n en 'leno desarrollo an&e /a en
(ncionamiento como 'or e2em'lo MDDS originalmente 'ara NOR, e*olcionado a
MDDS# 'ara so'ortar adem+s NAN! o NADDS, /a en s segnda *ersin, 'ara NAN!.
Sin em%argo, en la 'r+ctica se em'lea n sistema de arc3i*os DAT 'or com'ati%ilidad,
so%re todo en las tar2etas de memoria e?tra-%le.
Otra caracter-stica de reciente a'aricin (786C6#88<) 3a sido la resistencia trmica de
algnos enca'slados de tar2etas de memoria orientadas a las c+maras digitales de gama
alta. )sto 'ermite (ncionar en condiciones e?tremas de tem'eratra como desiertos o
glaciares /a &e el rango de tem'eratras so'ortado a%arca desde los 6#B OC 3asta los $B
OC.
Las a'licaciones m+s 3a%itales sonF
)l lla*ero 4S; &e, adem+s del almacenamiento, selen inclir otros ser*icios
como radio DM, gra%acin de *o. /, so%re todo como re'rodctores 'ort+tiles de
M17 / otros (ormatos de adio.
Las 1C Card
Las tar2etas de memoria (las3 &e son el sstitto del carrete en la (otogra(-a
digital, /a &e en las mismas se almacenan las (otos.
)?isten *arios est+ndares de enca'slados 'romocionados / (a%ricados 'or la ma/or-a
de las mltinacionales dedicadas a la 'rodccin de 3ardHare.
ILIOGRAFIA
3tt'FJJes.Hi@i'edia.orgJHi@iJ
3tt'FJJHHH.monogra(ias.comJtra%a2osJmemoriaJmemoria.s3tml