UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Caractersticas del zener

Informe de laboratorio # 1



Estudiante:



Grupo: 1IT141


Fecha: 24 de marzo del 2014







Introduccin

Este experimento ser realizado de manera simulada en Circuit Maker. Este
experimento consta de una parte con dos sub partes, donde se verificaran los
valores para obtener la curva caracterstica del diodo zener tanto en
polarizacin directa como en polarizacin inversa todo esto a una temperatura
ambiente que se mencionara ms adelante. Este informe solo lleva los
resultados es decir grficos, clculos, conclusiones y una tabla de
especificaciones. Finalmente se presentara una hoja de comentarios y
procedimientos de la experiencia y las conclusiones.















VD(V) ID(mA)
0.1 0.00002799
0.2 0.0002418
0.3 0.002309
0.4 0.02218
0.5 0.1974
0.6 1.174
0.65 2.194
0.7 3.518
0.725 4.266
0.75 5.059
0.775 5.889
0.8 6.749
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
I

Z
e
n
e
r

(
m
A
)

V Zener (V)
Resultados:


Especificaciones:
- Se trabaj en la opcin (a) donde los datos del diodo Zener
son:
V
z
= 2.4 V
P
Z
= 500mW
- El cdigo del experimento es:
CE25a
- La temperatura ambiente a la que se trabajara es de:
27C
- Los valores V
D
e I
D
corresponden a V Zener e I Zener, para
efectos de graficar esto para no alterar los el formato de las
tablas de la gua.

Primera parte: Obtencin de la curva caracterstica del Diodo Zener (a temperatura
ambiente).
1- Polarizacin directa :











Grfica 1. I
D
=f (V
D
) polarizacin directa
Tabla n 1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
I

Z
e
n
e
r

(
m
A
)

V Zener (V)
VD(V) ID(mA)
-0.24 -0.000000221
-0.72 -0.000004609
-1.2 -0.000009411
-1.68 -0.00001425
-2.16 -0.01008
-2.28 -0.2366
-2.511 -5.028
-2.5429 -6.03
-2.57367 -7.0392
-2.6037 -8.0448
-2.6333 -9.0504
-2.6623 -10.056
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
-3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
I

Z
e
n
e
r

(
m
A
)

V Zener (V)
1.1- obtencin de la resistencia dinmica del Zener en polarizacin directa utilizando la
recta tangente a su caracterstica y que pasa por el punto ms conveniente.

()

2- Polarizacin Inversa:














Se utiliz el punto (0.8,
6.749) para pasar la recta
tangente ya que es el ms
apropiado para las
condiciones dadas y el otro
punto es (0.775, 0).
Tabla n
0
2. Datos en
polarizacin inversa
Grfica 2. I
D
=f (V
D
) polarizacin inversa
-0.24 -2.21E-07
-0.72 -4.609E-06
-1.2 -9.411E-06
-1.68 -0.00001425
-2.16 -0.01008
-2.28 -0.2366
-2.511 -5.028
-2.5429 -6.03
-2.57367 -7.0392
-2.6037 -8.0448
-2.6333 -9.0504
-2.6623 -10.056
VD(V) ID(mA)
0.8 6.749
0.775 5.889
0.75 5.059
0.725 4.266
0.7 3.518
0.65 2.194
0.6 1.174
0.5 0.1974
0.4 0.02218
0.3 0.002309
0.2 0.0002418
0.1 0.00002799
0 0
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
-3 -2 -1 0
I

Z
e
n
e
r

(
m
A
)

V Zener (V)
2.1- Determine el valor de la resistencia dinmica del Zener utilizando la recta a su
caracterstica en polarizacin inversa. Utilice la recta ms apropiada a es decir la
que ms se aproxima a su caracterstica.

()
()

Aqu se utiliz el punto2 (-2.6333, 0) y el
punto1 (-2.6623, -10.056) porque es donde se
da la mnima variacin de voltaje segn los
datos de la tabla N2, y donde ms se asemeja
a la curva ideal que es totalmente recta con
pendiente cero.



2.2- Grafique en una hoja aparte a escala y usando todo el espacio disponible, la
caracterstica completa del diodo Zener.













Escala:
- eje X, cada divisin equivale a 0.5 voltios.
- Eje Y, cada divisin equivale a 2mA.
Tabla n
0
3. Datos en polarizacin
directa y polarizacin inversa
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
-3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
I

Z
e
n
e
r

(
m
A
)

V Zener (V)
Regin de polarizacin inverza
Curva caracterstica del Diodo Zener completa a 27C
I
d





Ruptura corriente de fuga
V
i
V
d




Regin de avalancha (zener)






I
i



Grfica 3. I
D
=f (V
D
) curva caracterstica
completa del diodo zener
Regin de
polarizacin directa

Conclusin

El diodo zener es un tipo especial de diodo ,que siempre se utiliza polarizado inversamente
manteniendo una tensin constante entre sus terminales (tensin zener, Vz). La forma de
funcionamiento de un diodo comn se puede apreciar observando la curva caracterstica
que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos
casos la curva grfica (representada en la grfica n
0
1 y grfica n
0
2) muestra la relacin
existente entre la corriente y la tensin o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

En la grfica n
0
3 la curva caracterstica de un diodo de silicio, se puede observar un eje
horizontal x y otro vertical y que se intersectan en el centro. En ese punto el valor del
voltaje y de la intensidad de la corriente es igual a 0 volt. El eje vertical y muestra hacia
arriba su parte positiva (+y) correspondiente al valor que puede alcanzar la intensidad de la
corriente (I
d
) que atraviesa al diodo cuando se polariza directamente, mientras que hacia
abajo su parte negativa (-y) muestra cul ser su comportamiento cuando se polariza de
forma inversa (I
i
). El eje horizontal x muestra hacia la derecha, en su parte positiva (+x),
el incremento del valor de la tensin o voltaje que se aplicada al diodo en polarizacin
directa (V
d
). Hacia la izquierda del propio eje se encuentra la parte negativa (x),
correspondiente al incremento tambin del valor de la tensin o voltaje, pero en
polarizacin inversa (V
i
). Analizando la grfica ms afondo si aplicamos a un diodo comn
una tensin o voltaje Vd para polarizarlo directamente, partiendo de 0 volt donde se
intersectan los ejes, se puede observar en la grfica que hasta tanto no se alcanza los
0.7V sobre el eje +X el valor de la corriente (Id) no indica ninguna variacin debido a la
resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece la barrera de potencial al incremento en
al flujo de electrones. Sin embargo un pequeo incremento del valor de la tensin,
originara un enorme flujo de intensidad de corriente, tal como le corresponde a la regin de
polarizacin directa, en polarizacin inversa se estabiliza la tensin y el diodo el alto flujo
de corriente que se origina en esta regin sin destruirse.