Curso Completo de Electronica de Potencia

GENERALIDADES
Aos 50: SCR. Aos 70: Microprocesadores. Aos 90:

ASIC y DSP IGBT Frecuencias mayores Menor tamao y coste de componentes reactivos aplicaciones. Aplicaciones Industriales:
TEMA 1. INTRODUCCIN AL MODELADO Y ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA

1.1. GENERALIDADES. 1.2. REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. 1.3. DESARROLLO EN SERIE. 1.3.1. Clculo de Armnicos. 1.3.2. Potencia. 1.3.3. Clculo de valores eficaces. 1.4. FORMULACIN SISTEMTICA UTILIZANDO VARIABLES DE ESTADO.
Mayores prestaciones, Menor coste, Posibilidad de emplearlos en nuevas
Control de Motores DC, AC (70% de la energa elctrica consumida). Fuentes de Alimentacin. Energas Renovables.
El objetivo de la ELECTRONICA DE POTENCIA es:
Modificar, utilizando dispositivos de estado slido, la forma de presentacin de la energa elctrica

Uso de Fuentes de Alimentacin, Componentes Reactivos e Interruptores. (no Resistencias) Definicin de Interruptor Ideal:
Roff=, VBD= , Ton=0

a) Interruptor Abierto
Ron=0, Ion= , Toff=0

b) Interruptor Cerrado
Otras caractersticas a tener en cuenta son: coste del dispositivo y de los elementos auxiliares, potencia necesaria para controlar el dispositivo.
Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 1 de 21
GENERALIDADES
Flujo de Potencia
REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA
R=50
Fuente de Energa Elctrica Convertidor de Estado Slido
Carga
IR=10A E=500V VCE
Ejemplo simple con un solo interruptor.
Circuito de Mando
Fuente de Energa
Alterna (Mono Trifsica): Red Elctrica Generador aislado: Diesel Elico Continua: Bateras Celdas de Combustible Paneles Solares
Carga
Alterna (Mono Trifsica): Motor Estufa Horno Iluminacin ... Continua: Motores
Real: Cortado Saturado
IC 1mA 9.96 Amp
VCE 499.95V 2V
VRes 50mV 498V
Valores reales Ideal: Cortado Saturado IC 0 Amp 10 Amp VCE 500V 0V VRes 0mV 500V
Valores ideales Error (%): Cortado Saturado IC 0.01 0.4 VCE 0.01 0.4 VRes 0.01 0.4
Circuito de mando
Microprocesadores/DSP Circuitos microelectrnicos: ASIC FPGA
Convertidor de potencia
Interruptores Componentes reactivos: Transformadores Bobinas Condensadores
% de error sobre el valor mximo.
REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Elementos Bsicos
v=L
di dt
1 t v(t )dt L t 0
1 2 Li 2
IL VL
i (t ) = i (t 0 ) +
= ivdt = L idi =
i C V
i=C
dv dt
1 t i (t )dt C t 0
i (t ) = i (t0 ) +
1 t v (t ) dt L t0
v(t ) = v(t0 ) +
1 = ivdt = C vdv = Cv 2 2
Ecuaciones fundamentales de Bobinas y Condensadores
Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin constante
Ic
C
IL
Vc
L
VL
1 t v(t ) = v(t0 ) + i (t )dt C t0
Funcionamiento de un Condensador al aplicar una corriente constante
Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y negativa
REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Ejemplo

D
IL VL
Carga LR
L
V = E sen t
i(t)
Suponiendo como condicin inicial i(0)=0, cuando V se hace positivo en t=0, el diodo se polariza directamente y empieza a conducir. El circuito equivalente si se supone el diodo ideal ser:
Diodo Conduciendo
Carga LR
L
V = E sen t
i(t)
Circuito equivalente en el primer intervalo

t
Ecuacin de mallas:
V = E sen t = R i + L
di dt
que, para i(0) = 0 tiene una solucin del tipo: Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y negativa
i (t ) =
Rt sen e L + sen( t ) 2 2 2 R +L
Este circuito es vlido para el anlisis en tanto i (t ) 0 . Sea t1 el instante en el que la intensidad se anula. El valor de t1 se obtiene de resolver la ecuacin i(t1)=0
Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 9 de 21 Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 10 de 21
INTRODUCCIN
TEMA 17. CONVERTIDORES CC/CA CON SALIDA SINUSOIDAL

17.1 INTRODUCCIN 17.2 ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR 17.2.1 Modulacin Senoidal PWM 17.2.1.1 Armnicos 17.2.2 Sobremodulacin 17.2.2.1 Armnicos 17.2.3 Generacin de Seales PWM con Microprocesadores 17.3 INVERSOR MEDIO PUENTE. 17.4 INVERSOR PUENTE COMPLETO. 17.4.1 Modulacin Bipolar 17.4.2 Modulacin Unipolar 17.4.3 Comparacin entre Modulacin Bipolar y Unipolar 17.4.4 Efecto de Tiempos Muertos 17.5 PUENTE TRIFSICO 17.5.1 Generacin de Seales PWM Trifsicas 17.5.2 Modulacin Space Vector 17.5.3 PWM Modificado 17.5.3.1 Extensin del Indice de Modulacin 17.5.3.2 Cancelacin de Armnicos 17.5.4 Control de Corriente
Tema anterior: Inversores conmutando a bajas frecuencias: Formas de ondas cuadradas a frecuencia de red. Generacin de armnicos de baja frecuencia. Alto coste de elementos reactivos para filtrado. No es posible controlar la amplitud de las tensiones alternas generadas (en trifsica). Normalmente empleados en potencias muy elevadas (Empleo de convertidores multinivel).
Este tema: Inversores conmutando a altas frecuencias: Formas de ondas cuadradas de frecuencia mucho mayor que la de la red. Generacin de armnicos de alta frecuencia. Menor coste de elementos reactivos para filtrado. Control de la amplitud de las tensiones alternas generadas. Posibilidad de controlar las corrientes aplicadas a la carga. Empleados en potencias ms bajas: Control de velocidad de motores AC. Fuentes de alimentacin ininterrumpidas (UPS). Conexin a red de sistemas de energas renovables.
Tema 16. Inversores II. 1 de 28
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Modulacin Senoidal PWM

Vd
TA +
0 A

ts = 1 f s
DA +
io
$ V tri
Vd
TA
N
D A V AN
Vcont
$ V tri
+ Vd 2
Rama de un Puente Inversor
$ V tri
ts = 1 f s
V AO
Vcont
$ V tri
+ Vd 2
Vd 2
V AO
Formas de onda en una rama de un Puente Inversor fs=1/ts : Frecuencia de modulacin (frecuencia de la onda triangular que ser constante). f1 : Frecuencia de la seal de control (puede ser variable).
Vd 2
Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
cont : Mximo de la seal de control. V tri : Mximo de la seal triangular (constante). V

V
1 si Vcontrol > Vtri TA + (on) V AO = + Vd 2 1 si Vcontrol < Vtri TA (on) V AO = Vd 2

cont ma = : ndice de modulacin (podra ser >1) Vtri
mf =
fs : Relacin de frecuencias. f1

Si
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Armnicos

Si
ma < 1 , La amplitud de la componente fundamental de V AO se puede obtener de:

ts
Vtri
ton
2V tri
Va,cont t
V tri
Si mf es grande, durante el tiempo ts la seal de control no variar, y el valor medio ciclo a ciclo ir coincidiendo con el valor de la senoide Va,cont ya que por semejanza de tringulos:
ma<1:
Los armnicos aparecen en forma de bandas laterales, alrededor de:
+V ton V 2t t Va,cont tri a,cont = on s = ts ts 2Vtri V tri

VA0
mf f1, 2 mf f1, 3 mf f1 ...
Va 0 t
V ton ts ton Vd 2ton ts = VAO = d 2 ts ts 2 ts
ma h
1 (Fund.)
0.2
0.2 1.242 0.016 0.190
0.4
0.4 1.15 0.061 0.326 0.024 0.123 0.139 0.012 0.157 0.070
0.6
0.6 1.006 0.131 0.370 0.071 0.083 0.203 0.047 0.008 0.132 0.034
0.8
0.8 0.818 0.220 0.314 0.139 0.013 0.171 0.176 0.104 0.016 0.105 0.115 0.084 0.017
1.0
1.0 0.601 0.318 0.018 0.181 0.212 0.033 0.113 0.062 0.157 0.044 0.068 0.009 0.119 0.050
V AO =
Si:
f1 =
1
2
Va,cont Vd 2 V tri
) (si Vcontrol V tri

(V control Vtri )
, ser:
Vcontrol = V control sen ( 1 t ) sen( 1 t )
(V AO )1 = Vcontrol
Vtri
Vd V = ma d sen ( 1 t ) (ma 1) 2 2
es decir,
(V ) = m
AO
V d 2
para ma1
mf mf2 mf4 2mf1 2mf3 2mf5 3mf 3mf2 3mf4 3mf6 4mf1 4mf3 4mf5 4mf7
0.335 0.044
0.163 0.012
Amplitudes de los Armnicos
1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0

1 23 27 49 51 73 77 75 25
ma=0.2
1.4 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.8 0.6 0.4
99101 97 103
0.2 0
1.0
0.2
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
ma=1.0
Amplitudes de los primeros armnicos para ma entre 0.2 y 1.0, para mf=25
25
h ma
1 21 23 25 27 29
0,2
0,2 0,016 1,242 0,016
0,4
0,4 0,061 1,15 0,061
mf=25 0,6
0,6 0,131 1,006 0,131
0,8
0,8 0,22 0,818 0,22
1
1 0,018 0,318 0,601 0,318 0,018
23 27 47 53 4951 45
71 69
75 73
79 77 81
95 93
21
29
55
97
101 105 99 107 103
Armnicos para mf=25

Tema 16. Inversores II. 7 de 28 Tema 16. Inversores II. 8 de 28

Si
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Sobremodulacin

La ventaja de
ma < 1 :
Si m f es un nmero entero impar, entonces ser:
ma 1 es que se tiene una relacin lineal entre Vcontrol y la tensin de salida, y adems los armnicos que aparecen son de alta frecuencia (para m f
1 ) (Funcin impar: Simetra f (t ) = f (t ) y tambin f (t ) = f (t + 2

de media onda respecto al origen) Esto implica que solo habr armnicos impares y coeficientes de tipo seno. (en fase con la seal). Al elegir fs se debe tener en cuenta que: - Cuanto mayor sea mf ms fcil ser filtrar los armnicos que aparecen. - Pero si mf sube, fs tambin y, por tanto, las prdidas de conmutacin. - Para la mayora de las aplicaciones se elige fs <6 kHz (Altas potencias) fs >20 kHz (para evitar el ruido audible en lo posible en bajas potencias). - Sincronizacin para pequeos valores de mf (por ejemplo < 21) mf debe ser un entero impar, sino aparecen subarmnicos. Esto implica que fs debe modificarse al variar f1: fs =mf f1. Para valores altos de mf esto no suele ser problema, ya que los subarmnicos son de amplitud muy pequea y se habla de PWM asncrono (mf no entero). Debe tenerse en cuenta que los subarmnicos de muy baja frecuencia (aunque tengan una amplitud pequea) pueden ocasionar grandes corrientes en cargas inductivas.
alto). Para ma > 1 se habla de sobremodulacin, el problema es que aparecen armnicos de bajas frecuencias.
(V$ )
Vd 2
Para mf=15 lineal sobremodulacin onda cuadrada
AO 1
4 = 1,278
3,24
ma
Tensin de salida normalizada en funcin de ma para mf=15 Si mf=15, para ma>3,24, ser (onda cuadrada): y
(V$ )
) = (V ) (V h
AO h
AO 1
4 Vd V = 1,278 d 2 2
AO 1
h= 3, 5, 7.
Al tratarse de una onda cuadrada no se puede controlar V AO
( )
salvo variando Vd .
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Sobremodulacin
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Sobremodulacin. Armnicos
Comparacin entre ma=0.8 y ma=1.5 para ms=35

Armnico
Comparacin entre ma=0.8 y ma=1.5 (sobremodulacin) para ms=35
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Generacin de Seales PWM con Microprocesadores
Vtri Va
INVERSOR MEDIO PUENTE
C 0
Vd/2
TA+
DA+
Vd C
Z TADA-
Vd/2
Va
0 T0 T1 T0,T1= Instantes de Muestreo
Configuracin en Medio Puente

t
Vtri
Va
Los condensadores consiguen un punto medio equivalente a tener una batera con toma media. Las formas de onda son exactamente las mismas que las que se acaban de estudiar.
T1 0 T2 T0 T0,T1...= Instantes de Muestreo
T3
Va
t
Generacin de Seales PWM con microprocesadores

INVERSOR PUENTE COMPLETO
INVERSOR PUENTE COMPLETO. Comparacin entre Modulacin Bipolar y Unipolar

1.5
TA+ Vd/2 0 Vd/2 TAA
DA+ Z io DAVo= VA0 VB0
TB+ B
DB+
1
Vsin
Vsal Bipolar
0.5
TBN
DB0
-0.5
Configuracin en Puente Completo Monofsico Son posibles las dos estrategias de disparo explicadas al estudiar los convertidores DC/DC: a) Bipolar: Se dispara TA + y TB y a continuacin TA y TB + . Las tensiones V AO y VBO son idnticas a las explicadas para una rama simple, solo que V BO (t ) = V AO (t ) , luego: V AB (t ) = V AO (t ) V BO (t ) = 2V AO (t ) , es decir, tendremos el doble de tensin.
-1
-1.5 1.5
Vsin
1
Vsal Unipolar
$ = m V (m a 1) V 01 a d 4 $ Vd < V01 < Vd (ma > 1)
0.5
Lo explicado anteriormente respecto a los armnicos es vlido.

-0.5
b) Unipolar: En este caso:
Si Vcontrol > Vtri T A + on (V AN = Vd ) Si V T A on (V AN = 0 ) control < Vtri Si (-Vcontrol ) > Vtri TB + on (VBN = Vd ) Si (-Vcontrol ) < Vtri TB on (VBN = 0 )
-1
-1.5
Comparacin entre modulacin Bipolar y Unipolar en un puente monofsico. Para ma=0.8 y mf=22
INVERSOR PUENTE COMPLETO. Comparacin entre Modulacin Bipolar y Unipolar

0.9
INVERSOR PUENTE COMPLETO. Efecto de Tiempos Muertos
Bipolar
0.8
Unipolar
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0 1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 52 55 58 61 64 67 70 73
t
armnico
Comparacin entre modulacin Bipolar y Unipolar en un puente monofsico. Para ma=0.8 y mf=22 Interr. ON TA+TBTA-TBTA+TB+ TA-TBVAN Vd 0 Vd 0 VBN 0 Vd Vd 0 Vo =VAN VBN Vd -Vd 0 0
Efecto de los Tiempos Muertos en la Tensin de salida cuando la corriente cambia de signo
V A = Vd
V(i<0) Vo(t) V(i>0) 0 V(i<0)
t c t alm sig (i A ) TS
Real Ideal t
Estados Posibles de los interruptores en un Convertidor Puente Monofsico Como se vio al estudiar los convertidores DC/DC, la frecuencia de conmutacin efectiva para Vo es 2fs, ya que se producen 4 conmutaciones en el periodo de una onda triangular con lo que se consigue alejar los armnicos de mf a 2mf 1 (si mf es entero par). Ntese que para la modulacin unipolar, se escoge mf par, ya que en este caso el primer armnico de las tensiones VA y VB estn desfasadas 180. Luego la diferencia de fases AB = 180 mf=0 y por tanto desaparecen todos los armnicos pares.
Efecto de los Tiempos Muertos en la Tensin de Salida
io(t) 0
I>0 I<0
I>0 I<0
PUENTE TRIFSICO
TA+ A Vd/2 TADADA+ iA TB+ B TBDBDB+ iB TC+ C TCDC+ iC DC-
PUENTE TRIFSICO. Generacin de Seales PWM Trifsicas

Va Vtri 0 Vb t Vc
N1
Vd/2
$ V $ = m Vd V con m a = cont AN 1 a $ 2 V T Vd 3 ma = 0,612 ma Vd V LL1RMS = 2 2

0
Va t Vb t Vc t
Formas de ondas
Vtri
Vcontrol,A
Vcontrol,B
Vcontrol,C
t
S0 S1 S2 S7 S2 S1 S0
Generacin de seales trifsicas PWM Generacin de las Seales de Control para un Puente Trifsico
PUENTE TRIFSICO. Modulacin Space Vector

Para conseguir el vector S*, se puede conmutar entre los adyacentes S1, S2 y S0 (o S7). Los tiempos de duracin de cada estado se pueden obtener de:
( D1 S1 + D2 S 2 ) = S * S2

Una variante consiste en:
jIm S3 S2
jIm S3
dnde Di es la fraccin del tiempo de muestreo que se aplica el vector i.

S*
S* S4 S1
S4
S1
La solucin del sistema de ecuaciones es:

1 D1 = ma sen cos 3 2 D2 = m a sen 3 D0 = 1 D1 D2
Re
S0, S7 S5 S6
Re
S0, S7 S5 S6
En cada ciclo la secuencia de estados y sus duraciones son:
Dnde ma es el ndice de modulacin de amplitud =
S* Si
S0 --t0 /2
S1 +-t1 /2
S2 ++t2
O bien
S1 +-t1 /2
S0 --t0 /2
En cada ciclo la secuencia de estados y sus duraciones (ti=Di *ts) son:
--t0 /2
S0
Ciclos impares S1 S2
+-t1
++t2
+++ t0 /2
S7
+++ t0 /2
S7
Ciclos pares S2 S1
++t1
+-t2
--t0 /2
S0
S7 +++ t0 /2
S2 ++t2 /2
S1 +-t1
S2 ++t2 /2
S7 +++ t0 /2
De esta forma el nmero de conmutaciones se minimiza (slo hay una conmutacin de rama en cada transicin)
De esta forma el nmero de conmutaciones se minimiza, ya que ahora el nmero de conmutaciones por ciclo es 4 (antes eran 6) . Esto permite subir la frecuencia de conmutacin (*3/2) con las mismas prdidas.
PUENTE TRIFSICO. PWM Modificado. Extensin del Indice de Modulacin
t
t
Modulacin SV con ma=0.8, mf=35*1.5
Tensiones de Fase y Lnea al aadir un Tercer Armnico de amplitud de la fundamental. La tensin lnea-lnea que se consigue es 1.124*VLL (Valor mximo posible con esta estrategia)
Armnico
Comparacin entre modulacin PWM y SV

PUENTE TRIFSICO. PWM Modificado. Extensin del Indice de Modulacin

Otra posibilidad es (para 0.9*Vd/2):
PUENTE TRIFSICO. Cancelacin de Armnicos
a) Vo=0.8Vd/2
El valor mximo alcanzable es 1.156*Vd/2 y fmax*3/2

t
b) Vo=0.2Vd/2 Precalculando 1, 2 y 3 se controla la amplitud de la seal. Simetra respecto al origen: No armnicos pares. Con tres cortes por semiciclo: 7 Conmutaciones. Se eliminan los armnicos 5 y 7. El tercer armnico y sus mltiplos se cancelan en los inversores trifsicos. Es necesario comparar con otras estrategias (mf=7)
MODULACIN PWM. Control de Corriente

a) Control Bang-Bang (Banda de Histresis)
MODULACIN PWM. Control de Corriente

b) Control de Corriente a Frecuencia Constante
Consigna iA
Vd 2 Vd 2
TA +
A
DA +
iA
L
Modulador PWM Controlador PI iAerr

N
Medida de corriente
Comparador
Inversor
TA
Vcont
DA
iA/C
A B C
Corriente Real Consigna de Corriente
iAMedida
Vtri 1/fs
Control PI de la Corriente
iB/C
iC/C
V AN
Frecuencia variable
El control de corriente (ambos mtodos) son muy usados en: Control de motores de induccin. Inyeccin de potencia procedente de fuentes de energas alternativas en la red. Ntese que la consigna de corriente puede elegirse de manera que: Est en fase con la tensin de la red. La red trabaja con el inversor como si fuese una resistencia. Est desfasado 180 con la tensin de la red. La red cede energa activa al inversor. Tenga un desfase en adelanto o retraso con la tensin de la red. La red toma o cede energa activa o reactiva. Esto permite su uso como compensador de energa reactiva. Se pueden introducir desequilibrios entre las corrientes de las fases. Esto permite compensar las corrientes que estn circulando por otra carga desequilibrada. Se pueden incorporar armnicos en las corrientes. Esto permite compensar los armnicos de las corrientes que estn inyectando las cargas conectadas a la red.
Consigna iA
iAerr Comparador Inversor
Medida de corriente
iA/C
A B C
iAMedida Vtri iB/C
Banda de Histresis
iC/C
Control Bang-Bang de un Inversor

INTRODUCCIN
Smbolos para la Representacin de Convertidores CC/CA (Inversores)
CC
CA
TEMA 16. CONVERTIDORES CC/AC.

16.1. INTRODUCCIN 16.1.1. Armnicos 16.1.2. Conexin de un Convertidor CC/AC 16.1.3. Clasificacin 16.2. INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL 16.3. INVERSOR MONOFSICO EN PUENTE COMPLETO 16.4. INVERSOR TRIFSICO 16.4.1. Tensin en el Neutro 16.4.2. Armnicos 16.4.3. Espacio de Estados 16.5. OTROS INVERSORES 16.5.1. Inversor con Fuente de Corriente 16.5.2. Inversores de tres niveles 16.5.3. Inversores Multinivel
(a) Inversor Monofsico.
CC
CA
(b) Inversor Trifsico
APLICACIONES: Actuadores para motores de corriente alterna. Permite variar la tensin y la frecuencia de estos motores. Fuentes de alimentacin ininterrumpida (UPS). Genera una tensin senoidal a partir de una batera con el fin de sustituir a la red cuando se ha producido un corte en el suministro elctrico. Generacin fotovoltica. Genera la tensin senoidal de 50Hz a partir de una tensin continua producida por una serie de paneles fotovoltaicos. En este tema, se considerar nicamente el funcionamiento a bajas frecuencias, es decir: los interruptores conmutando a la frecuencia de la red.
Tema 16. Inversores I.
1 de 35
2 de 35
INTRODUCCIN
+Vd /2
INTRODUCCIN. Armnicos
Armnicos para D=0.5
Vd /2
0
1 0
iA
SA VZ Z
Vd /2 -Vd /2
Circuito Inversor Simple

SA
Posicin 0 Posicin 1 Posicin 0 t
Vz
Vd 2
0
Armnicos de ondas cuadrada y triangular

t
V d 2 iA Vd 2R Vd 2R
Carga resistiva de valor R

t
Armnico fundamental
iA Vd T 2L
0
Carga inductiva de valor L

t0 T t1 T t
Vd T 2L
Formas de Onda de un Circuito Inversor Simple

Tema 16. Inversores I. 3 de 35 Tema 16. Inversores I. 4 de 35
0.5
0.5
Armnico nm.
Armnicos en una Onda Cuadrada de amplitud
1 en funcin de D 2
5 de 35
Armnicos 0 a 5 de una Onda Cuadrada de amplitud
1 en funcin de D 2
6 de 35
INTRODUCCIN. Conexin de un Convertidor CC/AC

Flujo de Potencia
INTRODUCCIN. Conexin de un Convertidor CC/AC
I,P
Elementos metlicos aislados del circuito de potencia

FILTRO DE RED CONVERT. CA/CC BOBINA O CONDENSAD. INVERSOR FILTRO DE CARGA
CARGA
VC
a)
RED
+
s1 ( t ) s2 ( t ) sn ( t )
I,P
Batera
Control
VC
Diagrama de Bloques del Sistema Inversor
b)
Circuito de Alimentacin de Inversores. (a) Alimentacin Mediante un Rectificador Controlado. (b) Alimentacin Mediante Otro Inversor
VAC
Modelo por Fase de la Carga del Inversor
7 de 35
8 de 35
INTRODUCCIN. Clasificacin
Inversores con fuente de corriente (CSI). Inversores con fuente de tensin (VSI).
IL
INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL
Vd /2 0 Vd /2
TA+ A TA-
DA+ iA
DA-
VC
Inversor en Medio Puente (a) (b) t0 , instante de tiempo en el que se abre el interruptor TA+ . t0+ t0 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA- . t1, instante de tiempo en el que se abre en interruptor TA-. t1+ t1 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA+. t0 y t1 son los tiempos muertos (generalmente coinciden).
Inversores con: (a) Fuente de Tensin (VSI). (b) Fuente de Corriente (CSI) Inversores de baja frecuencia (onda cuadrada). Inversores de alta frecuencia (modulacin por anchura de pulsos). Inversores de transistores bipolares. Inversores de MOSFETs. Inversores de IGBTs. Inversores de tiristores. Inversores de GTOs.
TA+ t1 + t1 TA t0 VA t 0 + t 0 t1 t
Inversores no resonantes. Inversores resonantes. Medio puente o batera con toma media. Transformador con toma medio o Push-Pull. Puente completo monofsico. Puente trifsico.
Vd 2
0
Vd 2
Formas de Onda del Inversor Medio Puente con Carga Resistiva
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10 de 35

Vd 2
O
TA+
A
DA+
iA (t0 )
O
Vd 2
TA+
A
D A + i ( t + t ) A 0 0
Vd 2
TA
D A
Vd 2
TA
D A
a)
Vd 2
O
b)
Vd 2
O
TA+
A
D A+ i ( t ) A 1
TA+
A
D A + i ( t + t ) A 1 1
Vd 2
TA
D A
Vd 2
TA
D A
c)
d)
Circuitos Equivalentes durante los Intervalos de Funcionamiento del Inversor en Medio Puente
Formas de Onda de Tensin y Corriente de un Inversor Medio Puente con Carga Inductiva considerando tiempos muertos y tiempos de almacenamiento de los interruptores
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Vd 2
1 0 SA Vz Z A iA
V pulso
iA Z
V d 2
a) b)
Circuitos Simplificados del Inversor en Medio Puente: a) Como Conmutador. b) Como Fuente de Onda Cuadrada
Efecto de los Tiempos Muertos en la Prdida de Tensin en la Carga cuando la corriente no cambia de signo
V A = Vd
t c t alm sig (i A ) TS
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INVERSOR MONOFSICO. PUENTE COMPLETO
INVERSOR TRIFSICO
Vd 2
TA + A
D A+
TB+ B TB
DB+
O
Vd 2
iA
D A
iB
O
DB
Vd 2
TA + A
D A+
TB+ B TB
DB+
TC+ C TC
DC+
iA
iB
iC
TA
Vd 2
TA
D A
DB
DC
Inversor Monofsico en Puente Completo
Inversor puente trifsico
Vd 2
O
sA i A
A
VZ
Z
sB
B
Vd 2
Circuito Equivalente del Inversor Monofsico en Puente Completo
Estado 0 1 2 3
Interruptor Interruptor Tensin en SA SB la carga 0 0 1 1 0 1 0 1 0 -Vd Vd 0
Resumen de los Estados de un Inversor Monofsico en Puente Completo
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16 de 35
INVERSOR TRIFSICO
INVERSOR TRIFSICO. Tensin en el Neutro
Vd /2 0 SA Vd /2
iA
A
iB SB
B
iC SC
C
t
Tensiones en las tres ramas del inversor. Determinacin de la tensin del neutro de la carga:
VA0 VAN VN0 N
Vd 2 Vd 2 Z N Z Vd 2 Z Z Z N Vd 2
VBN
VCN
Circuito Equivalente del Inversor Trifsico
(a) Interruptores Estado SA S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 0 1 1 0 0 0 1 1 SB 0 0 1 1 1 0 0 1 SC 0 0 0 0 1 1 1 1
(b)
Circuitos Equivalentes para Determinar la Tensin del Neutro de la carga Estados: Z V Vd Z Vd Vd Vd d 2 = = S1, S3 y S5 a) VNO = 3 6 3 6 2 3 Z 2 2 2Z
Z V V V V Z Vd 2 d = d d = d b) VNO = 3 3 6 6 2 3 Z 2 Z 2 2
S2, S4 y S6
Luego:
t
y las tensiones aplicadas a la carga por fase son:
Estados de un Inversor Trifsico.
V AN = V AO VNO ; VBN = VBO VNO ; VCN = VCO VNO
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INVERSOR TRIFSICO. Armnicos
INVERSOR TRIFSICO. Armnicos
t
Tensiones en un puente trifsico
En las tensiones faseneutro desaparecen los armnicos triples
Tensiones entre Fase y Punto medio de la batera
Tensiones fase-fase
Componente Fundamental
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INVERSOR TRIFSICO. Espacio de Estados

Interruptores Estado Tensiones/Vd
OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de Corriente

L
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7
SA 0 1 1 0 0 0 1 1
SB 0 0 1 1 1 0 0 1
SC VAN VBN VCN 0 0 0 0 0 2/3 -1/3 -1/3 0 1/3 1/3 -2/3 0 -1/3 2/3 -1/3 1 -2/3 1/3 1/3 1 -1/3 -1/3 2/3 1 1/3 -2/3 1/3 1 0 0 0
jIm S3 S2
TA + D A+
I
TB iA DB
B
iB
t
2Vd 3
TA D A
TB+ DB+
Estados de un Inversor Trifsico. Conversin de coordenadas del espacio tridimensional al plano (proyeccin):
R=
S1 Re
Inversor en Puente Completo con Fuente de Corriente. Los diodos son necesarios si los interruptores no soportan tensiones inversas. Nota: En este montaje pueden cerrarse simultneamente los dos interruptores de una rama, pero no se pueden dejar abiertos a la vez los dos de la parte de arriba (o de abajo) de ambas ramas.
1 1 Re 2 2 = Im 3 3 0 2
1 V A 2 V B 3 VC 2
S4
S0, S7 S5 S6
A B
Por ejemplo, para S1:
VA =
2Vd V V ; VB = d ; VC = d , resulta: 3 3 3
Re =
2Vd 2Vd ; Im = 0 , cuyo mdulo es: 3 3
Modelo Equivalente del Inversor Monofsico con Fuente de Corriente Su uso principal es para grandes potencias con SCR (tendencia a desuso). Tienen una ventaja, ya que pueden devolver energa a la red si la fuente de corriente se construye con una bobina y un rectificador controlado.
para S5: V A =
2V Vd V ; VB = d ; VC = d , resulta: 3 3 3
Re =
Vd V 2Vd ; Im = d , cuyo mdulo es: 3 3 3
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OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de Corriente

L
OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles
TA + T1 D1 T2 D2
B
D A+
TB+
DB+
TC+
DC+
T3 D3
C
Vd 2
T1
D1
A
T2 iA
D2
B
T3 iB
D3
C
T4 D4
T5 D5
T6 D6
Vd 2
O
iC
T4
D4
T5
D5
T6
D6
Inversor Trifsico con Fuente de Corriente
TA
D A
TB
DB
TC
DC
A B C
Inversor Trifsico de Tres Niveles
Modelo Equivalente del Inversor Trifsico con Fuente de Corriente
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Vd/ 2 D+ TA+ DA + Vd/ 2 TA+ D+ DA +

Vd/ 2 D+ TA+ DA + Vd/ 2 D+ TA+ DA +
T1
D1
Io>0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io>0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=-Vd/2
T4 Vd/ 2
D4
T4
D4
T4
D4
T4
D4
DTADA -
TA-
DA -
TA-
DA -
TA-
DA -
Vd/ 2
D+
TA+
DA +
Vd/ 2
D+
TA+
DA +
D+ TA+ DA + Vd/ 2 D+ TA+ DA +
T1
D1
Io>0 Vo=0
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=Vd/2
Vd/ 2
T1 D4 D4
D1
Io>0 Vo=0
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=0
T4 Vd/ 2
T4
T4 DA Vd/ 2
D4
T4
D4
DTADA -
TA-
DTADA -
TA-
DA -
Vd/ 2
D+
TA+
DA + Vd/ 2
TA+ D+
DA +
T1
D1
Io>0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=0
Vd/ 2
D+
TA+
DA + Vd/ 2
D+
TA+
DA +
T4 Vd/ 2
D4
T4
D4
T1
D1
Io>0 Vo=Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=Vd/2
DTADA -
TA-
DA Vd/ 2
T4
D4
T4
D4
DTADA -
Vd/ 2
D+
TA+
DA + Vd/ 2
D+
TA+
DA +
TA-
DA -
T1
D1
Io>0 Vo=Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=Vd/2
Estados de una rama de inversor a tres niveles
T4 Vd/ 2
D4
T4
D4
DTADA -
TA-
DA -
Estados de una rama de inversor a tres niveles


S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S11 S12
Vd /2 0 SA Vd /2
iA
A
iB SB
B
iC SC
C
VA0 VAN VN0 N

Circuito Equivalente del Inversor Trifsico de tres niveles La tensin VN0 se puede calcular aplicando el Teorema de Superposicin:
VBN
VCN
Tensiones entre Fase y Tensiones fase-neutro Punto medio de la batera
Z Z Z 2 +V 2 +V 2 = V N 0 = V A0 B 0 C 0 Z +Z Z +Z Z +Z 2 2 2 (V + V B 0 + VC 0 ) V N 0 = A0 3
Las tensiones VA0 ,VB0 y VC0 pueden tomar los valores: +Vd /2 , -Vd /2 y 0. Luego los posibles valores de VN0 sern: 0, Vd /6 , Vd /3 y Vd /2
S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S11 S12
VAN 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3
VBN -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3
VCN 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3
VN0 0 -1/6 0 1/6 0 -1/6 0 1/6 0 -1/6 0 1/6
SA + + + + 0 0 +
SB 0 + + + + + 0 -
SC 0 0 + + + + +
Tensiones y estados en un inversor de tres niveles


0.8
OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles SC 0 0 + + + + +

2 Niveles 0.6 3 Niveles
S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S11 S12
VAN 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3
VBN -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3
VCN 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3
SA + + + + 0 0 +
SB 0 + + + + + 0 -
0.4
0.2
0 0 -0.2 0.125 0.25 0.375 0.5 0.625 0.75 0.875
-0.4
-0.6
Estados en un inversor de tres niveles
-0.8
Comparacin de las tensiones de fase y sus armnicos entre un inversor convencional de dos niveles y otro de tres niveles
jIm S6 S7 S8 S9 S10 S11 S12

S5
S4
S3 S2 Re S1

Im
Vd /5
OTROS INVERSORES. Inversores Multinivel

D+ T1+ D1 +
D+
D+
T2+
D2 +
T3+ Vd /5 D+ D+ D+
D3 +
D+
D+
D+
D+
T5+ Vd /5
D5 +
Vo
T1-
D1 -
Estados (27) en un inversor trifsico de tres niveles

ESTADO VA0 VB0 VC0 VN0 VAN VBN VCN = S0 -0,5 -0,5 -0,5 -0,50 0,00 0,00 0,00 S13,S26 S1 -0,5 -0,5 0 -0,33 -0,17 -0,17 0,33 S14 S2 -0,5 -0,5 0,5 -0,17 -0,33 -0,33 0,67 S3 -0,5 0 -0,5 -0,33 -0,17 0,33 -0,17 S16 S4 -0,5 0 0 -0,17 -0,33 0,17 0,17 S17 S5 -0,5 0 0,5 0,00 -0,50 0,00 0,50 S6 -0,5 0,5 -0,5 -0,17 -0,33 0,67 -0,33 S7 -0,5 0,5 0 0,00 -0,50 0,50 0,00 S8 -0,5 0,5 0,5 0,17 -0,67 0,33 0,33 S9 0 -0,5 -0,5 -0,33 0,33 -0,17 -0,17 S22 S10 0 -0,5 0 -0,17 0,17 -0,33 0,17 S23 S11 0 -0,5 0,5 0,00 0,00 -0,50 0,50 S12 0 0 -0,5 -0,17 0,17 0,17 -0,33 S25 S13 0 0 0 0,00 0,00 0,00 0,00 S0,S26 S14 0 0 0,5 0,17 -0,17 -0,17 0,33 S1 S15 0 0,5 -0,5 0,00 0,00 0,50 -0,50 S16 0 0,5 0 0,17 -0,17 0,33 -0,17 S3 S17 0 0,5 0,5 0,33 -0,33 0,17 0,17 S4 S18 0,5 -0,5 -0,5 -0,17 0,67 -0,33 -0,33 S19 0,5 -0,5 0 0,00 0,50 -0,50 0,00 S20 0,5 -0,5 0,5 0,17 0,33 -0,67 0,33 S21 0,5 0 -0,5 0,00 0,50 0,00 -0,50 S22 0,5 0 0 0,17 0,33 -0,17 -0,17 S9 S23 0,5 0 0,5 0,33 0,17 -0,33 0,17 S10 S24 0,5 0,5 -0,5 0,17 0,33 0,33 -0,67 S25 0,5 0,5 0 0,33 0,17 0,17 -0,33 S12 S26 0,5 0,5 0,5 0,50 0,00 0,00 0,00 S0,S13
Tema 16. Inversores I. 31 de 35
D-
D-
D-
DT2D2 -
Vd /5
D-
D-
DT3D3 -
D-
DT4D4 -
Vd /5
DT5D5 -
Vd
4/5Vd
3/5Vd 1/2Vd 2/5Vd
1/5Vd
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
Estado de interruptores
Re
T4+
D4 +
k= T1+ T2+ T3+ T4+ T5+ T1T2T3T4T5-
1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0
Tensin de Salida Vo=k*Vd 4/5 3/5 2/5 1/5 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1
Inversor de 6 niveles. Tensin entre una rama y el terminal negativo de la batera
32 de 35

Vd 4/5 Vd 3/5 Vd 2/5 Vd 1/5 Vd 0 -1/5 Vd -2/5 Vd -3/5 Vd -4/5 Vd -Vd t

2 3 4 5 6 7
Niveles
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Vd
Armnicos Armnicos y Distorsin Armnica Total de VA0 en inversores Multinivel
4/5 Vd
3/5 Vd 1/2 Vd 2/5 Vd
1/5 Vd
t
3 5 7 9 11 13 15
Inversor de seis niveles: tensiones fase-neutro y fase-fase

Nmero de Niveles

0,35
3
0,3
Armnicos
0,25
0,2
0,15
0,1
0,05
Armnicos 3, 5, 7 y 9 en inversores de diferentes niveles de tensin
Vd 2 Niveles 3 Niveles 4 Niveles 5 Niveles 6 Niveles 7 Niveles Vd/2
0
Tensiones de salida en inversores multinivel
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INTRODUCCIN
Objetivo: Estudio de los circuitos ms usados en las fuentes de alimentacin reguladas (de amplio uso en la alimentacin de equipos electrnicos).
TEMA 15. CONVERTIDORES DC/DC II

15.1 INTRODUCCIN 15.2 CONVERTIDOR PUENTE 15.2.1 Estrategias de Control 15.2.1.1 Control Bipolar 15.2.1.2 Control Unipolar 15.3 CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVNICO 15.3.1 Convertidor Flyback 15.3.2 Convertidor Forward 15.3.3 Convertidor Puente 15.4 CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES
Caractersticas:
Regulacin de la tensin de salida a un valor Vo constante (dentro de un rango de tensiones de entrada y corrientes de salida. Aislamiento galvnico entre entrada y salida, sin emplear transformadores de 50Hz. Permitir si se precisa ms de una tensin de salida aisladas entre s.
En este tema slo se va a analizar el funcionamiento en modo de conduccin continua (en las fuentes de alimentacin L suele ser de un valor bastante grande). Se va a suponer que Vo es constante (C se supone de un valor elevado).
Tema 15. Convertidores DC/DC II.
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CONVERTIDOR PUENTE
id + S1 Vd io S3
CONVERTIDOR PUENTE
Potencia positiva o negativa
io
Donde cada interruptor es en realidad:
S1
A
Generacin del Retraso
A
S2
Carga
Vo = V A VB
B
S4 Si Di
Vo
Si IGBT o MOS
Esquema del convertidor Puente (4 cuadrantes)
id
+
S1
Vd D1
id
+
a)
S1
Vd D1
S2
io
io
A
S2 D2
Carga
A
S2
Carga
Corriente Inversa del Diodo D2
A B S1 S2 tc tc
b) Generacin de Tiempos Muertos: a) Circuito Simple para Generarlos. b) Formas de Ondas
a)
b)
Convertidor Puente, problemas en el disparo de los interruptores: a) No se pueden cerrar simultneamente los dos interruptores de una rama. Por tanto, si estaba conduciendo S1 hay que esperar un tiempo mayor que el que necesita S2 para cortarse antes de dar la orden de cierre a S1. Empleo de tiempos muertos en el disparo de los interruptores. b) Cuando est conduciendo D2 hay que controlar la velocidad de entrada en conduccin de S1 (controlando la velocidad de subida de VGS1) de forma que la corriente de recuperacin inversa de D2 no suba excesivamente. Los dos casos presentados son solo ejemplos, por simetra se pueden encontrar otros ejemplos.
tc
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4 de 39
CONVERTIDOR PUENTE
Puede estar abierto o cerrado
CONVERTIDOR PUENTE
iO D1
A
Conducen D1 y D4
S1 Vd
Vd
B
io>0
A
Vd
A
io<0
S2
iO<0 VO=Vd S4
D4
VA =Vd
VA =Vd
Circulacin de Corriente por dos Diodos, se devuelve energa. (Si io>0, se devuelve energa a la batera por los otros dos diodos).
Puede estar abierto o cerrado
Tensin V A con S1 Cerrado ( S 2 Abierto) en los casos io > 0 e i o < 0
S1 Vd iO
A
Conducen S 2 y D4
B
Si S1 = on (S 2 = off ) V A = Vd Si S1 = off (S 2 = on) V A = 0

VA = Vd t onA + 0 t offA TS = Vd D A
S2 D2
iO<0 VO=0 S4
Luego:
D4
Dnde: D A es el Duty cycle de la rama A. En la rama B se puede obtener de la misma forma: V B = Vd DB Luego:
Circulacin de Corriente por dos Diodos aplicando una tensin nula. (Si io>0, la corriente circulara por D2 y S4). Estados Posibles S1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 S2 0 0 0 1 1 1 0 0 0 S3 0 0 1 0 0 1 0 0 1 io>0 S4 0 1 0 0 1 0 0 1 0 VO Conduce -Vd D2 D3 0 D2 S4 -Vd D2 D3 -Vd D2 D3 0 D2 S4 -Vd D2 D3 0 S1 D3 Vd S1 S4 0 S1 D3 S1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 S2 0 0 0 1 1 1 0 0 0 S3 0 0 1 0 0 1 0 0 1 io<0 S4 0 1 0 0 1 0 0 1 0 VO Conduce Vd D1 D4 Vd D1 D4 0 D1 S3 0 S2 D4 0 S2 D4 -Vd S2 S3 Vd D1 D4 Vd D1 D4 0 D1 S3
5 de 39
Vo=VA-VB=Vd(DA-DB)
No se puede controlar con DA la tensin de la rama
Si los dos interruptores estn abiertos:
VA=Vd si io<0 VA=0 si io>0
6 de 39
CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar

id + S1 Vd io
+

id
Filtro LC
S1
S3
io
Vo (t ) = VA VB
S3
L C Vo
c a r
g a
A
S2
Carga Vo=VAN-VBN N
B
S4
Vd
A B
S4 S2
N Convertidor Puente alimentando una carga de continua con filtro LC
Vd
) Vcontrol + Vtri t on = =D ) 2 Vtri TS ) Vcontrol = Vtri ( 2 D-1 ) 1 [Vd t on Vd (TS t on )] Vo = TS
Vd Ts 2Vtri
Vd Vo = ) Vcontrol = k Vcontrol V tri

Vd
toff
ton
Vd
Convertidor Puente: Control Bipolar
Ts
2Vtri
toff
ton
7 de 39
8 de 39

Vo>0, Io>0 (S1,S4)
S1 Vd S2 D2 Vo S4 D4 D1 Io Vd S2 D2 Vo S4 D4 S3 D3
Vo>0, Io<0 (D1,D4)

S1 D1 Io S3 D3
Vd
Vo<0, Io>0 (D2,D3)

S1 Vd S2 D2 Vo S4 D4 D1 Io Vd S3 D3
Vo<0, Io<0 (S2,S3)

S1 D1 Io S2 Vo S3 D3
-Vd
D2
S4
D4
Vd
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control bipolar
Dispositivos conduciendo: Io siempre positiva
9 de 39
10 de 39
Vd
Vd
Dispositivos conduciendo: Io media negativa, pero Io(t) cambia de signo Dispositivos conduciendo: Io media positiva, pero Io(t) cambia de signo
11 de 39
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CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Vd
Vo=Van-Vbn
Vd
Van se genera comparando Vtri con Vcon Vbn se genera comparando Vtri con -Vcon
Vd
2Vtri
Ts
Convertidor Puente: Control Unipolar
Dispositivos conduciendo: Io siempre negativa
tri ) ) t on Vcont + V Vcont + Vtri Vtri + Vcont Vcont = = ) ) TS 2 Vtri D A DB = 2Vtri Vtri t' V Vcont D B= on = tri tri TS 2V Vo = V d D A V d D B = V Vo = )d Vcont = k Vcont Vo = Vd (D A D B ) V DA =
tri
La tensin de salida es igual que en el control Bipolar, pero la frecuencia del rizado en la tensin de salida es doble Componentes del filtro ms baratos.
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 13 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 14 de 39

Vo>0, Io>0 (S1,S4)
S1 Vd S2 D2 Vo S4 D4 D1 Io Vd S2 D2 Vo S4 D4 S3 D3
Vo>0, Io<0 (D1,D4)

S1 D1 Io S3 D3
Vo<0, Io>0 (D2,D3)

S1 Vd S2 D2 Vo S4 D4 D1 Io Vd S3 D3
Vo<0, Io<0 (S2,S3)

S1 D1 Io S2 Vo S3 D3
D2
S4
D4
Vo=0, Io>0 (S1,D3)

S1 Vd S2 D2 D1 Io Vo=0 S4 D4 Vd S3 D3
Vo=0, Io<0 (D1,S3)

Vd
S1
D1 Io
S3
D3
Vo=0 S2 D2 S4 D4
Vo=0, Io>0 (D2,S4)

S1 Vd S2 D2 D1 Io Vo=0 S4 D4 Vd S3 D3
Vo=0, Io<0 (S2,D4)

S1 D1 Io Vo=0 S2 D2 S4 D4 S3 D3
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control unipolar. Corriente media negativa pero con valores positivos y negativos. Tensin de salida positiva
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control unipolar
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Ts
Vd
Ts
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control unipolar. Corriente siempre negativa. Tensin de salida negativa
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CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVNICO

Tensin DC no regulada Tensin DC regulada
Transf. AF Filtro EMI Rectif. + Filtro Convertidor DC/DC Rectif.+ Filtro

Controlador
Tensin DC regulada Potencia
Potencia Vo
Filtro EMI Rectif. + Filtro Convertidor DC/DC Rectif.+ Filtro Rectif.+ Filtro
Vo1
Tensiones DC no reguladas
Entrada RED 50 60 H z
Transf. AF Drivers Puertas Controladores PWM
Entrada RED 50 60 H z
Realimentacin
Amplificador de error
Transf. AF con varios devanados secundarios
Vo2
Rectif.+ Filtro
Von
Tierra 1
Tierra 2
VRe f.
Esquema General de una Fuente de Alimentacin multisalida
Aislamiento Galvnico
Esquema General de una Fuente de Alimentacin Objetivos: Aislamiento galvnico entre Red y
Vo .
Evitar la transformacin de 50/60 Hz por ser muy pesado y costoso el transformador. Tener una mayor relacin de transformacin V que la que permite D, al i multiplicar por N . 1
Vo
N2
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i1 Ld 1 Lm V1 N1 N 2
+ Vd
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVNICO. Convertidor Flyback

+ Vd
S
Transformador Ideal
Ld 2
Convertidor Reductor-Elevador
L
+ Vd
L
C
R +
V2
i2
R + S
Circuito Equivalente de un Transformador
+ R
+ Vd
L
C
Se desprecian las prdidas debidas a las resistencias de los devanados y ncleos
V1 V2 Relacin de transformacin: N = N 1 2
Igualdad de potencias: P = V1 i1 = V2 i 2 Relacin de corrientes:
Convertidor Flyback
Vd
N1 N2 C
i1 i = 2 N 2 N1
Inductancias de dispersin: Ld 1 , Ld 2 : Tan pequeas como sea posible (fuerte acoplamiento magntico entre primario y secundario). Ya que la energa que almacenan la deben absorber los interruptores. Inductancia de magnetizacin: Lm : Tan grande como sea posible (excepto en el convertidor Flyback), ya que las corrientes de magnetizacin se suman a las de los devanados para formar las corrientes por los interruptores y aumentan las prdidas.
Origen del Convertidor Flyback desde el Convertidor ReductorElevador
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i=0 id = im = iSW
Vd
Lm

i=0 id = 0
Vd
id = 0
Vd
io
Vo
io
R C Vo
i m V1 = Vd
N2 N1
R C
id = im = iSW
Lm
im=iL
V1 = Vd
Vd N1: N 2
N2 N1
N1: N 2
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Cerrado
iD N1 Vo N2
Io
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Cerrado
im
N1: N 2
Vo
iL(t) = iSW (t) = I Lmin +
Vd t Lm
( 0<t<t on = DTS )
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Abierto
I Lmax = I Lmin +
Integrando en un ciclo la tensin aplicada a la inductancia de magnetizacin:
Vd DTS Lm
V d DTS
N1 V o (1 D )TS = 0 N2
Vo N D = 2 Vd N1 1 D
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iD N1 Vo N2 Io
im
N1: N 2
Vo
Circuito equivalente del convertidor Flyback con el interruptor abierto

i L (t ) = I Lmax
V d DTS Vd D (t DTS ) I Lmin = I Lmax Lm 1 D Lm N1 N1 I Dmax = I Lmax ; I Dmin = I Lmin N2 N2

N1 N 2 t
2
i D (t ) = i L (t )
Vd D N 1 V N1 = I Dmax t = I Dmax o (1 D ) Lm N 2 N2 Lm
I Dmin = I Dmax
Vo Lm
N1 N 2
(1 D )TS
ton
Como el valor medio de i D es I o , se puede calcular I Dmax

Io =
2 Vo TS (1 D) 2 N 1 I Dmax (1 D )T S N = 2 Lm 2 2 V (1 D )TS N 1 I o = (1 D) I Dmax o N 2 Lm 2
1 TS
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.4 y a=0.5
I Dmax = I Dmin =
Io V (1 D )TS N 1 + o 1 D 2 Lm N2 Io V (1 D )TS o 1 D 2 Lm N1 N 2
El voltaje aplicado al interruptor cuando est abierto:

VSW = Vd + N1 V V = d N2 o 1 D
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVNICO. Convertidor Forward

D1 VL
L
io
iL
C
V2 Vd V1 N1 N2
D2
Vo
Convertidor Forward Ideal Si el transformador ideal, cuando el interruptor est cerrado:
V1 = Vd ;
V2 =
ton
V L = Vd
N2 Vo N1
N2 Vd N1 (0 < t < t on )
Esta tensin debe ser positiva (es un reductor visto desde V2 ) luego en este intervalo
i L aumenta.
Cuando el interruptor se abre,
V L = Vo
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.6 y a=0.5
i L circula por D2 y (t on < t < TS ) i L disminuye.

V L dt en los dos perodos queda:
Igualando la integral de
N2 V d N Vo t on = Vo (TS t on ) 1 N2 V d N Vo D = Vo (1 D) 1
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 27 de 39
Vo N 2 = D Vd N1
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i3 D1 i1 Lm V1 N1 N3 N2 i2 D2 Vd VL C Vo iL

i3=0 i2= i1(N1/N2) i1 N1 V1 N3 N2 D1 V2 D2 VL= V2- Vo C iL= i2 io Vo
io
iLM
Lm
V1= Vd Vd V2= Vd(N2/N1) isw= iLM+ i1
D3
isw
D3
Convertidor Forward: Intervalo de conduccin

i3=iLM(N1/N3) i2 = 0 iL VL= - Vo D2 C io Vo
Convertidor Forward Real: Se aade un tercer devanado que permite que la energa almacenada en Lm cuando el interruptor est cerrado, se devuelva a la batera al abrirlo.
Vd
i1=-iLM iLM Lm V1
N1
N3
N2 D1 V2
V1= -VdN1/N3
isw= 0
D3
Convertidor Forward: Intervalo de desmagnetizacin

i3=0 i2 = 0 i1=0 iLM =0 Lm V1 N1 N3 N2 D1 V2 D2 VL= - Vo C iL io Vo
V1= 0 Vd
isw= 0
D3
Convertidor Forward: Intervalo de no conduccin


Funcionamiento del convertidor Forward Con el interruptor cerrado:
V1 = Vd
(0 < t < t on ) ,
im sube linealmente desde cero a I Lmmax .

Cuando se abre el interruptor
i1 = i m
N 1 i1 + N 3 i 3 = N 2 i 2 , como hay un diodo D1 , i2 = 0 la N1 corriente i3 = N im fluir a travs del devanado auxiliar, 3

devolviendo energa a la batera. Durante tm, la tensin aplicada al primario y a Lm es:
V1 =
N1 V N3 d
(t on < t < t on + t m )
tm
se puede calcular de:
Vd t on =
N1 V (t ) N3 d m
ton
tm N = 3 D TS N1
Se tiene que cumplir que:
t m < toff
tm N < 1 D luego : (1 - D max ) = 3 Dmax TS N1 1 = Dmax N 1+ 3 N1
Convertidor Forward: Funcionamiento para D=0.4
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CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVNICO. Convertidor Puente

D3 iD1 VL
T1
A
D1 T3
D1 N2
Vd
Vo1 iL
V1
B
iLm
Lm N1 N2 iD2 D2
R C
Vo
T2
D2
T4
D4
Convertidor Puente con transformador
ton
Convertidor Forward: Funcionamiento para D=Dmax
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D3 iD1= iL VL iL Vo

D3 i1=0 iD1=iL/2 VL Vo
T1
A
D1 T3
D1
T1
R C
A
D1 T 3
D1
Vd
io=iL(N2/N1) V1=Vd +iLm B D2 T4
N2 iLm Lm N1 N2 iD2=0 D2
Vd
N2 io= iLm
B
V1=-Vd iLm
iL Vo1=0
Lm N1 N2 iD2=iL/2 D2
R C
Vo1=Vd(N2/N1)
T2
D4
T2
D2
T4
D4
Funcionamiento del Convertidor Puente:

T1
A
T1 y T4 conduciendo
D1 L VL iL

D3
D2
D3 conduciendo
L VL Vo
D1 T3
D3
iD1=0 N2 Lm N1 N2
T1 R C Vo Vd
A
D1 T3
i1=0
iD1=iL/2
D1
Vd
io=iL(N2/N1) V1=-Vd iLm +iLm B T4
N2 io=- iLm
B
Vo1=Vd(N2/N1)
V1=Vd iLm
iL Vo1=0
Lm N1 N2 iD2=iL/2 D2
R C
T2
D2
D4
iD2= iL D2
T2
D2
T4
D4
T2 y T3 conduciendo
D1
D4 conduciendo
Si conducen:
T1 T4 V1 = +Vd N2 V V01 = T2 T3 V1 = Vd N1 d
VL = N2 V Vo N1 d
La relacin de transformacin se obtiene de integrar la tensin en la bobina en medio ciclo (ya que el otro medio es idntico):
La tensin en la bobina es:
N2 Vo N2 D TS = Vo TS (0.5 D) V = 2 N D N Vd Vo d 1 1
35 de 39
36 de 39
CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES

EAOUT 2 EAINV 1
1.5V
ERROR AMP PWM COMPARATOR PWM LATCH SD R
RAMP 7
CURRENT LIMIT COMPARATOR VCC-0.43V
OSCILLATOR CT CLK
5 OUT
CS 3
SLEEP COMPARATOR 2.2V
REFERENCE & UVLO

SLEEP UVLO 3V REF
VCC 4 GND 6
VCC
8 3V REF
Diagrama de bloques del controlador UC1573

VIN +12V IN RSLEEP 1MEG
SLEEP
MSLEEP RSLEEP 24k CVCC 10F C 3VREF 100nF 4 VCC 8 3VREF 7 RAMP 1 EAINV OUT 5 2 EAOUT RVSENSE2 39k 6 GND DBUCK MSWITCH LBUCK COUT 100F VOUT +5V OUT CS 3 RVSENSE1 91k RCS
ton/2
ton/2
CRAMP 680pF
UC 1573
CBULK 10F
RCOMP CCOMP
GND
GND
Realizacin de un Convertidor Reductor con el controlador UC1573 Funcionamiento del convertidor Puente para D=0.3
CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES

POL REF
1 .2 5 V R EF MIN OFF-TIME GENERATOR POLARITY START-UP E R R OR AM P F /F S Q R TRIG Q
LX
FB
S TA R T- U P C O M PA R AT OR
ISET
T R IG 1V M AX O N -T IM E G E N E R AT O R Q (10s)
SHD N
C O N T R OL
VCC
G ND
Diagrama de bloques del controlador MAX629

V IN +0.8V TO +24V VCC +2.7V TO +5.5V
0 .1 F
Conectar si se usa una sola fuente C1

10F
35V L1 47 H D1
C3
SHDN
VCC
M BR 0 5 40 L
VOUT
LX R1 576k 1% R2 31.6k 1% CF 150pF
+24V C2
1 0F
MAX 629
ISET POL FB
35V
Realimentacin de la tensin VOUT
0.1 F
C4
REF
GND
Convertidor Elevador realizado con el controlador MAX629
39 de 39
INTRODUCCIN
TEMA 14. CONVERTIDORES CONMUTADOS CC-CC. TOPOLOGAS BSICAS CON UN SOLO INTERRUPTOR SIN AISLAMIENTO GALVNICO
14.1 INTRODUCCIN 14.2 CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC 14.3 CONVERTIDOR REDUCTOR 14.3.1 Modo de Conduccin Continua 14.3.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.3.2.1 Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante 14.3.2.2 Modo de Conduccin Discontinua con Vo Constante 14.3.3 Rizado de la tensin de salida 14.3.4 Prdidas en el Condensador 14.4 CONVERTIDOR ELEVADOR 14.4.1 Modo de Conduccin Continua 14.4.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.4.3 Rizado de la tensin de salida 14.4.4 Efecto de componentes no ideales 14.5 CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR 14.5.1 Modo de Conduccin Continua 14.5.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.5.3 Rizado de la tensin de salida 14.5.4 Efecto de componentes no ideales 14.6 CONVERTIDOR DE CK 14.6.1 Modo de Conduccin Continua 14.6.2 Lmite entre Modos de Conduccin
Fuente DC:
-Batera-FC -Panel Solar

Red Electrica (Monofsica o Trifsica) Rectificador no Controlado Tensin no regulada Condensador de Filtrado Tensin no regulada Vd
Convertidor CC/CC
Tensin regulada Vo
Carga
Controlador de la Tensin Aplicada a la Carga
Consigna de Tensin
Diagrama de Bloques Tpico de un Convertidor CA-CC

Uso en fuentes de alimentacin reguladas, control de motores DC y fuentes de energa alternativas. Topologas bsicas con un solo interruptor de convertidores conmutados: (Simples, en el prximo tema otras ms complejas y con aislamiento galvnico) Convertidor reductor (Buck). Convertidor elevador (Boost). Convertidor reductor-elevador (Buck-Boost). Convertidor de Ck.
Se supondrn las siguientes hiptesis: Funcionamiento en rgimen permanente. Los dispositivos semiconductores sern considerados como interruptores ideales. Las prdidas en los elementos inductivos y capacitivos sern despreciadas. La alimentacin continua se supondr contante en el tiempo. La etapa de salida del convertidor estar compuesta por un filtro paso bajo y la carga (R). Cuando la carga es un motor DC, ser necesario hacer otro tipo de modelado, (Tensin DC en serie con las L y R del devanado del motor).
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 2 de 37
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
1 de 37
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC

io
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC

Amplificador de error
ref Vo
Vst
Comparador
Vd
vo(t)
Vo
Vcontrol
Controlador PI
Seal de Disparo
Diagrama de bloques de un controlador PWM
TS ton vcont vcont<vst Vo= vo,med a) D=0.3

Para TS = t on + t off , se define: D =
Vst
^
vst vcont
vcont>vst
b) D=0.8
t on TS
vo(t)
Vd
El valor medio Vo aplicado a la carga R ser:
1 Vo = TS
TS
1 on 1 vo(t )dt = Vd dt + T T s 0 S 0
TS
ton
0 dt
Generacin de la Modulacin por Anchura de Pulsos (PWM). Diagrama de Bloques y Estrategia de Comparacin de Seales
1 Vo = (Vd ton + 0 toff ) TS Vo = Vd t on = D Vd TS

Aplicando semejanza de tringulos:
D=
ton vcontrol = St TS V
Luego:
Vo = D Vd =
Vd v = k vcontrol St control V
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC. Filtrado de los armnicos de la tensin de salida

iL
CONVERTIDOR REDUCTOR
iL L io
L
Vd C
Filtro
Vo =vo (t)
Vi
Vo
Filtro LC
Si C es de un valor adecuado, ser:
iL
vo(t) Vo
io
Funcin de transferencia del filtro (L=1mH, C=1mF fr=159Hz)
L Vd C R Vo =vo (t)
Atenuacin (dB)
f=1MHz f=3MHz
DC Armnicos para D=0.5, fs=1MHz
Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conduccin) iL io

log10(f) Vd L C R Vo =vo (t)
fr=159Hz
Empleo de un filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas en el convertidor. La frecuencia de resonancia del filtro LC es:
r =
1 = 2f r LC
fr =
1 , 2 LC
Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conduccin)
para L=1mH, C=1000F resulta: fr=159Hz

Tema 14. Convertidores DC/DC I. 5 de 37 Tema 14. Convertidores DC/DC I. 6 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR. Modo de Conduccin Continua

iL L io iL io
0.7
CONVERTIDOR REDUCTOR. Armnicos.
vL
Vd C R Vo
vL
C R Vo
Armnico:
0.6
1 5
2 6
3 7
0.5
0.4
a)
b)
0.3
0.2
VL = Vd Vo
0.1
Ic>0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Armnicos de una onda cuadrada en funcin de D
VL = Vo
Ic<0
0.7
Armnico:
0.6
1 5
2 6
3 7
0.5
Anlisis del Convertidor Reductor por Intervalos. (a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
TS
0.4
0.3
v (t )dt = (V
L 0 0
ton
V0 )dt +
TS
ton
( V )dt = 0
0
0.2
(Vd
Vo )t on = Vo (TS t on )
Vo t on = =D Vd TS
0.1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Si se desprecian las prdidas:
1 I Pot = Vo I o = Vd I d o = Id D
Armnicos de una onda triangular en funcin de D

CONVERTIDOR REDUCTOR. Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante
CONVERTIDOR REDUCTOR. Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante

intervalo 1 int. 2 int. 3
Intervalo de conduccin
Lmite entre Modo de Conduccin Continua y Discontinua: (Vd constante y Vo regulable con D), Vo= DVd
IL
Inter.
Si No No
Diodo No Si No
DLimTS
En el lmite del modo continuo a discontinuo: La corriente media por L (ILB=Io, ya que en rgimen permanente Vc=Vo=cte) es:
(Vd Vo )DTS + ( Vo ) 1TS = 0
Vo D = donde D + 1 < 1.0 Vd D + 1
I max = i L,pico =
I LB = I LB
t 1 iL,pico = on (Vd Vo ) = 2 2L TV = S d D( 1 D) 2L
Vo 1TS L
I L = Io =
1 TS
D + 1 1 iL,pico(D + 1 ) TS = iL,pico 2 2
Area del tringulo
Su valor Mximo (para D = 0.5 ):
I LB,max
TV = S d 8L
Zonas Io -D de funcionamiento en modo conduccin continua y conduccin discontinua
V (D + 1 ) = 4 D I I o = o 1T S LB,max 1 L 2
1 =
Io 4 I LB,max D
Luego: I LB = 4 I LB,max D( 1 D)
Vo = Vd
D 1 I D2 + o 4 I LB,max
CONVERTIDOR REDUCTOR. Relacin de transformacin con Vd Constante

Ejemplo, control de motores DC: Se genera una tensin de salida variable Vo que se aplica al motor DC a partir de una tensin de entrada sustancialmente constante Vd.
CONVERTIDOR REDUCTOR. Modo de Conduccin Discontinua con Vo Constante

Ejemplo: fuente de alimentacin con Vo constante, a partir de Vd no regulada
Si Vo es constante Vd=Vo/D, en el lmite:
Vo = Vd
D2 1 I D2 + o 4 I LB,max
Zona de conduccin discontinua
I LB =
Sea: I LB,max =
DTS TV 1 i L,pico = (V d Vo ) = S o ( 1 D) ; 2 2L 2L
TS Vo , (Para D = 0) 2L
I LB = ( 1 D)I LB,max
Vo Vd
En conduccin discontinua:
Vd Vo D = 1 = D V 1 Vd D + 1 o
iL , pico =
Como:
Io I LB ,max
Vo D + 1 Vo 1TS ; I o = iL , pico = TS 1 ( D + 1 ) 2 2L L
I LB,max =
DVd Vd TS Vo I o = I LB ,max 1 ( D + 1 ) = I LB ,max D 1 V 2L o Vo
Despejando D, se obtiene: Relacin de transformacin de un convertidor reductor, en Modos Continuo y Discontinuo con Vd Constante
Io Vo I LB,max D= Vd 1 Vo Vd
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CONVERTIDOR REDUCTOR. Relacin de transformacin con Vo Constante

Io Vo I LB,max D= Vd 1 Vo Vd
D
CONVERTIDOR REDUCTOR. Rizado de Tensin a la salida
ton
I I
LB , max
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
V o =
Q 1 1 I L TS = C C 2 2 2 ; (Area del tringulo sombreada)

I L = Vo (1 D )TS ; L
(Durante toff )
2
Vo =
TS Vo (1 D )TS 8C L
fc Vo TS (1 D) 2 (1 D) = = f Vo 8 LC 2 s
1 1 f = TS y c 2 LC
Dnde: f s =
Es decir, el rizado de la tensin de salida se puede acotar eligiendo el valor de C

CONVERTIDOR REDUCTOR. Prdidas en el Condensador
CONVERTIDOR ELEVADOR
iL L io
vL
Vd C R Vo =vo(t)
IC
IC,pico
Convertidor Conmutado Elevador

iL L io
vL
Vd
ton
Vo =vo(t)
Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conduccin)

iL L io
Suponiendo como en el caso anterior variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C: La corriente de pico por el condensador ser (Calculndola durante toff ):
vL
Vd C R Vo =vo(t)
I C , Pico =
V 1 I L = o (1 D )TS ; 2 2L
El valor eficaz de la corriente por el condensador ser (onda triangular):
C ( RMS )
V C , Pico = o (1 D )T S 3 2 3L
Las prdidas en el condensador se obtienen al multiplicar dicha corriente al cuadrado por la resistencia equivalente serie del condensador (ESR). Los condensadores de salida deben elegirse con una ESR lo menor posible.
CONVERTIDOR ELEVADOR Modo de Conduccin Continua

iL L io iL L io
CONVERTIDOR ELEVADOR Lmite entre modos de Conduccin
vL
Vd C R Vo Vd
vL
C R Vo
a)
b)
IL=Id
ton=DLimTS
En el Lmite:
I LB =
Como:
TV 1 i L,pico = S 0 D(1 D ) 2 2L
TS Vo Io 2 D(1 D ) = 1 D , ser: I oB = Id 2L
TS Vo e 8L
Modo de Conduccin Continua. (a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
Haciendo: I LB,max =
I oB,max =
2 TS Vo 27 L
Vd t on + (Vd Vo )t off = 0 Vd D + (Vd Vo ) ( 1-D) = 0
I LB = 4 D( 1 D)I LB,max
Resulta:
V o TS 1 = = Vd t off 1 D
I oB =
27 D( 1 D)2 I oB,max 4
CONVERTIDOR ELEVADOR Modo de Conduccin Discontinua
CONVERTIDOR ELEVADOR Relacin de transformacin con Vd Constante
4 Vo D= 27 V d
Vo Io V 1 I d oB,max
DTS
Vd DTS + (Vd Vo ) 1TS = 0

i L,pico
Vo 1 + D = 1 Vd
El valor medio de la corriente por la bobina (=corriente por la fuente), resulta aplicando: rea del tringulo: Si no hay prdidas:
TV = S 0 D(1 D ) y calculando el L
Id = Vd DTS (D + 1 ) 2L
Relacin de transformacin de un convertidor elevador, En modos de funcionamiento continuo y discontinuo
T V Io 1 I o = S d D 1 = I d 1 + D y resulta: 2L
De las expresiones anteriores, se obtiene:
4 Vo D= 27 V d
Vo Io V 1 I d oB,max
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CONVERTIDOR ELEVADOR Rizado de la tensin de salida
CONVERTIDOR ELEVADOR Efecto de componentes no ideales
Vo/Vd
Ideal: 1/(1-D)
Real
ton
1
1 D 0 Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
Vo =
Q I o DTS Vo DTS = = ; (Area del rectngulo sombreada) C C RC

Vo DTS DTS = = Vo RC
Dnde:
= RC
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CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Modo de Conduccin Continua

L Vd L iL C R io Vo Vd
L Vd
vL
iL
R io
Vo =vo
vL
vL
iL
R io
Vo
a)
b)
Convertidor Reductor-Elevador
L Vd
vL
iL
R io
Vo =vo
L Vd
ton
iL C R io Vo =vo
vL
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de Conduccin Continua: D=0.4 (a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
Vd DTS + ( Vo )(1 D )TS = 0

I o 1 D = Id D
Vo D = Vd 1 D
23 de 37
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CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Modo de Conduccin Continua
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Lmite entre Modos de conduccin

Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador en el lmite entre los modos de Conduccin Continua y Discontinua: D=0.4
L Vd
L iL C R io Vo Vd
vL
vL
iL
R io
Vo
a)
b)
ton
En el Lmite:
ton
I LB =
TV 1 TV iL,pico = S d D I LB = S o (1 D ) , 2L 2 2L
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de Conduccin Continua: D=0.6
Io 1 D TV = D I o = I L (1 D ) I oB = S o (1 D )2 Id 2L I = I + I d o L
Definiendo:
I LB,max =
TS Vo 2L
I oB,max =
TS V o 2L
, resulta:
2
I LB = (1 D )I LB,max
I oB = (1 D ) I oB,max
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Modo de Conduccin Discontinua

Regulador elevador-reductor: Modo de Conduccin Discontinua D=0.4
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Modo de Conduccin Discontinua

Regulador elevador-reductor: Modo de Conduccin Discontinua D=0.6
TS ton=DTS
1TS
ton
V d DTS + ( V o ) 1T S = 0
IL =
Vo D = Vd 1
I o 1 = Id D
Vd DTS (D + 1 ) 2L
1
V I 2 D= o o Vd I oB ,max
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CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Relacin de transformacin con Vd Constante
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. Rizado de la tensin de salida
Vo I o 2 D= Vd I oB ,max
ton
Vo =
Relacin de transformacin de un convertidor reductor-elevador, en modos de funcionamiento continuo y discontinuo
Q I o DTS Vo DTS = = C C RC
Vo DTS DTS = = Vo RC
; (Area del rectngulo sombreada)
Dnde:
= RC
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CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR Efecto de componentes no ideales

iL1 L1
CONVERTIDOR DE CK
C1 L2 iL2
vL1
vL2
C2 R io Vo
Vo/Vd
Ideal: D/(1-D)
Vd
Real
En rgimen permanente, los valores medios de las tensiones en las bobinas es cero, luego ser:
iL1 L1
VC1 = Vd + Vo ,
C1
si C es suficientemente grande, VC1 se puede considerar constante.

iL2 L2
1 D 0 Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
vL1
Vd
vL2
C2 R io Vo

iL1 L1 C1 L2 iL2
vL1
Vd
vL2
C2 R io Vo
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CONVERTIDOR DE CK
iL1 L1 C1 L2 iL2
CONVERTIDOR DE CK. Modo de Conduccin Continua

Convertidor de Ck: Modo de conduccin Continua. D=0.33
C2 R io Vo
vL1
Vd
vC1
vL2
a) iL1 L1 L2 iL2
vL1
Vd
vC1
vL2
C2 R io Vo
b)
Circuitos equivalentes en el funcionamiento por intervalos del Convertidor Ck. (a) Intervalo de no Conduccin. (b) Intervalo de Conduccin
a) Tensin y Corriente por L1
VC1 1 = Vd 1 D (VC1 Vo )DTS + ( Vo )(1 D )TS = 0 VC1 = 1 L2: Vo D I L1 = I d Vo D Io 1 D = = donde Luego: y Vd 1 D Id D I L2 = I o L1: Vd DTS + (Vd VC1 )(1 D )TS = 0
b) Tensin y Corriente por L2

CONVERTIDOR DE CK. Modo de Conduccin Continua

Convertidor de Ck: Modo de conduccin Continua. D=0.66
CONVERTIDOR DE CK. Lmite entre Modos de Conduccin

Convertidor de Ck: Lmite conduccin Continua-Discontinua. D=0.66
b) Tensin y Corriente por L2

COMPARACIN ENTRE CONVERTIDORES

Id
id
iL io
iC
C R Vo
IC
0
Vd
Convertidor Reductor: Vo=DVd; Io=IL=Id/D

Id
id
iL io
vL
iC
C R Vo
IC
0
Vd
Convertidor Elevador: Vo=Vd/(1-D); Id=IL=Io/(1-D)

Id
id
L
IC
0
Vd
vL
iL
R io
Vo
iC
Convertidor Reductor-Elevador: Vo=VdD/(1-D); Id= IoD/(1-D); IL=Io/(1-D)

Id
iL1 L1 C1 L2 iL2
id
vL1
vL2
C2 R Vo
IC
0
Vd
iC
io
Convertidor de Ck: Vo=VdD/(1-D); Id= IL1=IoD/(1-D); IL2=Io
37 de 37
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
TEMA 13. RECTIFICADORES CONTROLADOS

13.1.INTRODUCCIN 13.2.RECTIFICADOR MONOFSICO 13.2.1. Rectificador de Media Onda 13.2.1.1. Estudio para diferentes tipos de cargas 13.2.1.2. Diodo de Libre Circulacin 13.2.2. Rectificador Puente Monofsico 13.2.2.1. Conmutacin Ideal 13.2.2.2. Valor Medio de la Tensin Rectificada 13.2.2.3. Efecto de sobre la Componente Fundamental de IS 13.2.2.4. Conmutacin no Instantnea 13.2.3. Sincronizacin del Circuito de Disparo 13.3.RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES 13.3.1. Valor Medio de la Tensin Rectificada 13.3.2. Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador 13.3.3. Influencia de la Naturaleza de la Carga 13.3.4. Conmutacin no Instantnea 13.4.RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO 13.4.1. Valor Medio de la Tensin Rectificada 13.4.2. Conmutacin no Instantnea 13.5.RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS 13.5.1. Puente Monofsico 13.5.2. Puente Polifsico
AC, Mono o Polifsica Id Vd
+
DC (+-)
Vd
Flujo de Potencia
Id Flujo de Potencia
Smbolos de Rectificadores Controlados Este tipo de convertidores en la actualidad es casi la nica aplicacin de los SCR, ya que son circuitos que requieren control de ngulo de fase y los dispositivos se bloquean naturalmente. Existen rectificadores controlados monofsicos y polifsicos, diseados para potencias muy elevadas.
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 1 de 30
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO. Carga Resistiva
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO. Carga Resistiva e Inductiva

L
VS
i(t)
Ud
VS
Ud
i(t) R
UR
El rea gris es la integral de VL. Las dos reas deben ser iguales
di/dt muy alta. Armnicos de alta frecuencia
Tensiones negativas aplicadas a la carga
Carga Resistiva e Inductiva Carga Resistiva
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO. Carga Inductiva y Fuente de Tensin

L
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO. Carga Resistiva e Inductiva y Diodo de Libre Circulacin

L
VS VS Ud i(t) E
Ud
i(t) R
UR
VL
VL
VL
max= -min min=

arsen(
VL
1er Int 2 Intervalo
E 2VS
1er Intervalo
)
Carga Resistiva e Inductiva con Diodo de libre circulacin
Carga Inductiva y Fuente de Tensin
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO.

Carga Inductiva, Fuente de Tensin y Diodo de Libre Circulacin
L
RECTIFICADOR PUENTE MONOFSICO Conmutacin Ideal

Puente Rectificador id
+
Carga iS E VS
VS
Ud
i(t)
Vd
VL
di/dt constante VL
iS
=0
In. 1 In. 2 In. 3
Carga inductiva y fuente de alimentacin con Diodo de libre circulacin
In. 1
iS
Puente Monofsico Controlado
RECTIFICADOR PUENTE MONOFSICO. Valor Medio de la Tensin Rectificada
RECTIFICADOR PUENTE MONOFSICO. Efecto de sobre la Componente Fundamental de IS

Desarrollando en serie de Fourier se obtiene para la componente fundamental de la corriente:
I S 1 = 0.9 I d (Valor eficaz) I S 1M = 0.9 2 I d = 1.27 I d (Valor de pico)
Vd =
2VS sin ( t ) d ( t ) =
Vd = 0.9 VS cos
2 2
VS cos =
Para distintos valores de :
Valor Medio de la Tensin
1 P = Id T
vd dt = 0.9 I d VS cos
Puente Monofsico Controlado

RECTIFICADOR PUENTE MONOFSICO. Conmutacin no Instantnea

Inductancia parsita Puente Rectificador LS id
SINCRONIZACIN DEL CIRCUITO DE DISPARO

Sincronizacin del disparo con el paso por cero de VS.
+
a:1 Carga VS
Detector de Paso por cero 1 2
diferenciador RC
3 Retraso ( )
VS
iS
Vd
VS /a
3
Puente Monofsico con conmutacin no instantnea
t=
4
t=
t
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Valor Medio de la Tensin Rectificada

rea A
u1 u2
um
2/m
2/m
A 1 2 = U cos t - U M cos t d t = 2 2 M m m m m U m sen sen sen + + sen = U = M m m 2 m m U =
+ m
U =
U M m 2 sen + sen sen + m m m 2

1 1 ( p + q ) sen 2 ( p q ) , resulta: 2
Aplicando sen p sen q = 2 cos
U =
U = U ov (1 cos )
UM m m 2 sen + 2 cos sen - = U M sen (1 cos ) = 2 m m m
La tensin media a la salida del rectificador controlado ser:
U o = U ov U = U ov cos
La Tensin Eficaz: Los Armnicos:
U rms = U M
1 m 2 + sen cos 2 4 m
U ok = U o
2 1 + k 2 m 2 tg 2 k 2 m2 1
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Valor Medio de la Tensin Rectificada
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Armnicos de la Tensin Rectificada
Vo/VM
0.25
0.2
m
0.15
Tensin media rectificada en funcin del ngulo de disparo y del nmero de fases m
1 3
0.1 5 7 9 11
VRMS/VM
13
15
0.05 17 19
21
Nm. armnico
23
25
0 27 29 60 30 0 Alfa
Armnicos de la tensin rectificada en un rectificador trifsico en funcin del ngulo de disparo

m
Tensin eficaz rectificada en funcin del ngulo de disparo y del nmero de fases m
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador
=0; Uo=257V
=30; Uo=222V
=60; Uo=129V
=90; Uo=0V
Segn el valor de :
2 m < < 2 m 2 = Ud = 0 2 < < + 2 2 m + < < 2 m

0 < <
Ud Ud
siempre > 0 U o > 0

=120; Uo=-129V
=150; Uo=-222V
<> 0
Uo > 0
Ud Ud
<> 0
Uo < 0
=180; Uo=-257V
siempre < 0 U o < 0
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Influencia de la Naturaleza de la Carga
RECTIFICADORES POLIFSICOS SIMPLES Conmutacin no Instantnea

i1
u1
Uc =u1 +u2
LS
ic id =i1 +i2
2LS
u2
um
i2
LS Ud LS Uc =u1 -u2 ic
Tensin no aplicada
a)
b)
La frmula antes calculada:
a) Corrientes durante la conmutacin no instantnea. b) Circuito equivalente.
U o = U ov U = U ov cos
No es vlida en el caso de cargas Resistivas o con diodos de libre circulacin, ya que no se podrn aplicar tensiones negativas a la carga, en este caso, solo ser aplicable si como vimos antes est en el intervalo:
U c = u2 u1
; Uc =
2 U c sen t ; U c = 2 sen
U f m
2 Ls
t
dic = 2 U c sen t dt
ic =
2 Uc Ic (cos cos t ) sen t d t = 2 Ls

Ic = Dnde 2 Uc 2 Ls
0 < <
Ud 2 m
siempre > 0
i1 = I d i2 = I d ic
, para t = + ,
i1 ( t = + ) = 0 .
Como:
ic ( + ) = I d ser:
c (cos cos( + )) ic ( + ) = I d = I cos( + ) = cos Id c I

ic=C(cos-cost) i C i1 i2 Id Ccos

i1 u1
Uc =u1 +u2 LS ic id =i1 +i2
u2
um
i2
LS Ud =(u1 +u2 )/2 LS
t
Circuito equivalente durante la conmutacin no instantnea.
u1
u2
C A B
u3
Representacin grfica de la ecuacin que rige la conmutacin no instantnea de un rectificador polifsico:
ic =
2 U c 2 L s
sen t d t = I c (cos cos t )

t +
u1 + u2 2
de la figura, se deduce que las reas A y B son iguales y que:
Vlida para:
U + 2U x = U ov 1 cos( + ) reas A+B+C
A + B + C = U + 2U x donde: U = U ov (1 cos ) rea C
2U x = U ov [cos cos( + )] U o = U ov U U x = 1 U o = U ov 1 (1 cos ) (cos cos( + )) = 2
1 U o = U ov [cos + cos( + )] 2
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 21 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 22 de 30
RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO + Carga

R S T
RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO Valor Medio de la Tensin Rectificada
Ud
Ud
Puente Trifsico
t=2
+ m + m
1 Ud = 2 2m
U d (t ) = U d (t )
c c
U c = 2U M sen( ) cos(t ) m 2m
U d = 2U M sen( ) m
m
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico con ngulo de Disparo
cos(t
2m
)d (t )
Ud =
4m
U M sen( ) sen( ) cos( ) 2m m
Si m=3,
Ud =
3 3
U M cos( ) = 1.65 U M cos( )
RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador

Uo
R S T
RECTIFICADOR PUENTE POLIFSICO Conmutacin no Instantnea

+
LS
Carga
A B C
Ud
=45; Uo=363V
Uo
=90; Uo=0V
Igual que en el caso del rectificador simple ser:
Uo
1 U o = U ov [cos + cos( + )] 2
Para el puente trifsico ser:
=112; Uo=-192V
U ov =
3 3
U M cos( ) = 1.65 U M cos( )

COMPARACIN ENTRE RECTIFICADORES Conmutacin no Instantnea
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS Puente Monofsico

Puente Rectificador Id
Vo/VM
T1 iS Rectificador Trifsico Simple VS D1
T2
+
Carga
Vd
D2 Id
+
Carga
Puente Rectificador

T1 iS VS
D1
Vd
Vo/VM
T2 Rectificador Trifsico Puente D2
Tensin media rectificada en un rectificador trifsico en funcin del ngulo de disparo y de la duracin de la conmutacin no instantnea
Puente Monofsico Semi-controlado
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS Puente Monofsico

iS T1 +
VS/2
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS Puente Polifsico

+ Carga
T
M
Id
R S T
Ud
0
VS/2
Carga
D1 T2
Ud
- N
D2
D2 T2 D2 T1 D1 T1 D1 T2 D2 T2 D2 T1
-VS/2 VS/2
Lim, Si se supera, se anula en algn instante Ud

t=2
Puente Monofsico Semi-controlado
>Lim
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico semicontrolado con ngulo de Disparo
INTRODUCCIN
En este tema se estudiar el diseo de inductores y transformadores as como la seleccin de condensadores.
TEMA 11. COMPONENTES REACTIVOS. CONSIDERACIONES PRCTICAS

11.1.INTRODUCCIN 11.2.DISEO DE INDUCTORES 11.2.1. Tipos de Ncleo Magntico 11.2.2. Carrete 11.2.3. Conductores 11.2.4. Entrehierro 11.3.DISEO DE TRANSFORMADORES 11.3.1. Ncleo Magntico 11.3.2. Conductores 11.4.SELECCIN DE CONDENSADORES 11.4.1. Electrolticos 11.4.2. Plsticos y Cermicos
En los aos iniciales de la electrotecnia se empleaban para la fabricacin de inductores y transformadores ncleos de acero y sus aleaciones. En los circuitos electrnicos modernos trabajando a altas frecuencias esto ocasionara demasiadas prdidas eddy. Uso de lminas o polvos sinterizados de acero inicialmente y a partir de los aos 30-40 se comenzaron a usar ferritas, especialmente a partir de los aos 50 con la introduccin de los televisores. Las ferritas estn formadas por xidos magnticos con alta resistividad elctrica y buenas caractersticas magnticas. Se emplean dos grandes grupos: Ferritas de Manganeso-Zinc (MnZn), formadas por una mezcla de xidos de hierro, manganeso y zinc (Fe2O3 + MnO + ZnO). Ferritas de Niquel-Zinc (NiZn), formadas por una mezcla de xidos de hierro, niquel y zinc. Las ferritas de NiZn tienen una resistividad muy alta por lo que se usan para frecuencias muy elevadas (desde 12 MHz a varios cientos de MHz) mientras que las MnZn se emplean hasta 2MHz. La permeabilidad magntica de las ferritas MnZn es del orden de 100 veces mayor que en las NiZn. Las caractersticas principales de las ferritas se pueden resumir: Alta resistividad Amplio rango de frecuencias de trabajo Bajas prdidas permeabilidad con alta Gran variedad de formas de ncleos Bajos coste y peso Baja conductividad trmica Fragilidad y poca resistencia mecnica Saturan a bajas densidades de flujo
Alta estabilidad con el tiempo y la temperatura Amplia seleccin de materiales
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 1 de 13
INTRODUCCIN
Las unidades empleadas en electromagnetismo son (SM=Sistema Mtrico, UC=Uso cotidiano): Magnitud Inductancia Intensidad de campo magntico Flujo Magntico Densidad de Flujo Magntico/ Induccin Magntica Permeabilidad Carga elctrica Simb. SM H Unidad SM Henrio Amperio/ A/m metro Wb Weber T H/m C Tesla Henrio/ metro Culombio Simb. UC L Oe Mx g EM Unidad Factor UC Convers Henrios 1 Oersted Maxwell Gauss 79.58 1 108 1 104 4 10 10
-7
DISEO DE INDUCTORES
Para el diseo de un inductor debe conocerse (del circuito dnde se conecta): La inductancia, L. La corriente de pico, Ip. La corriente eficaz, IRMS. La frecuencia, f
0
B
Bp t a)
-Carga por masa
BAV
Bp
Ncleo magntico g (mm)
b) t
Seccin de un ncleo magntico
Definicin de Densidad de Flujo Mximo AC. a) Flujo Bipolar. b) Flujo Unipolar
Aire, Entrehierro=Gap (g)
B =
B (gauss)

Sin Gap Sin Gap
Con Gap Con Gap
B: Densidad de flujo magntico H: Intensidad de campo magntico : permeabilidad
E 108 k Ac N f
B es el incremento de densidad de flujo mximo AC expresado en gauss y

es igual a la diferencia entre el valor de pico de la densidad de flujo y su valor medio.
k es una constante que es igual a 4.44 para onda senoidal y 4 para onda
H (oersted)
cuadrada.
E es la tensin eficaz en voltios. Ac es la seccin transversal efectiva del ncleo en cm2 y es

aproximadamente igual a la seccin de la columna central.
Curva caracterstica B-H de un ncleo de ferrita

N es el nmero de espiras que abrazan al ncleo. f es la frecuencia en Hz.

DISEO DE INDUCTORES
Las prdidas en un ncleo de ferrita pueden estimarse (segn los fabricantes):
DISEO DE INDUCTORES.
Tipos de ncleos magnticos mas usados
P = k f a B b
P es la prdida de potencia en mW/cm3.
B es la densidad de flujo mximo AC en gauss.

k, a y b son constantes dadas por los fabricantes para cada tipo de material magntico.
Estas prdidas se limitan tpicamente a unos 10 mW/cm para ncleos de baja potencia. Para los ncleos de mayor potencia:
3
a) POT
b) RM
t = 0.833
P A
c) UU
d) Toroidal
t es el incremento de temperatura respecto de la temperatura ambiente (C).

P es la potencia disipada (mW). A es el rea total de la superficie exterior del ncleo (cm2).
e) EI f) EE
g) EC
h) EPC
DISEO DE INDUCTORES
DISEO DE INDUCTORES
rea de ventana (Aw=lwhw) Espacio para alojar los devanados
Seccin
Carrete lw g
Columna interior Gap Vista Externa del Ncleo POT con Ranuras Laterales y Entrehierro (Gap) rea de ventana (Aw=lwhw)
Conductores Gap (g) N espiras hw Seccin Transversal de los Ncleos POT, Cuadrados y en E
Para la seleccin del ncleo se emplea la frmula que da la caracterstica producto de reas. (se deducir posteriormente)
Aw Ac =
Lmax I p I rms kcu JBmax
lw
hw
Gap (g)
Seccin Transversal de los Ncleos POT, Cuadrados, y en E
Aw rea de ventana. Ac Seccin media transversal del circuito magntico. Lmax Inductancia mxima que puede obtenerse con el ncleo (se deducir posteriormente). Kcu Coeficiente de empaquetamiento del cobre (valores tpicos comprendidos entre 0.6 y 0.8). J Densidad de corriente. Carrete Es la base sobre la que se asienta el solenoide o bobina de cobre. Est caracterizado por el rea de ventana Aw y se define como el producto de la altura de ventana hw por el ancho de ventana lw. Conductores A partir de la corriente eficaz Irms, y una densidad de corriente aceptable (para cobre se suele fijar en 450 A/cm2) puede determinarse la seccin del conductor: Si se define N como el nmero mximo de espiras de cobre de seccin efectiva Acu (incluyendo la superficie de aislante que normalmente es barniz) que pueden ser alojadas en un ncleo de rea de ventana Aw, se cumple: En la prctica: Acu Acu
Acu =
I rms J
' = Aw k cu NAcu
DISEO DE INDUCTORES
El nmero mximo de espiras que puede alojar el ncleo se puede deducir de las dos ecuaciones anteriores: (A) Aplicando la definicin de densidad de flujo para la seccin media del ncleo magntico: La inductancia de una bobina formada por N espiras: Su valor mximo ser:
DISEO DE INDUCTORES
k J N = Aw cu I rms
Entrehierro (gap) Consiste en intercalar una zona de aire en el circuito magntico. Se realiza en la mayora de los inductores para aumentar la corriente mxima por la bobina para una misma densidad de flujo (evitar saturacin). L pero se compensa aumentando N ya que LN2. La distancia de entrehierro puede obtenerse aplicando la ley de Ampere al nuevo circuito magntico, La densidad de flujo en el aire, Bg puede relacionarse con la densidad de flujo en el circuito magntico, Bmax, sin ms que tener en cuenta que el flujo permanece constante a lo largo del circuito magntico:
= BAc
N I NBmax Ac = Ip L=
Lmax =
N max Ip
H dl = NI
Bg Ag = Bmax Ac
Este ser el valor de la inductancia mxima que puede obtenerse para un ncleo dado. Debe ser mayor que el valor de inductancia deseado. En caso contrario se selecciona un ncleo ms grande. Para este nuevo ncleo se determina la nueva inductancia mxima y as sucesivamente hasta que la inductancia mxima supere o iguale el valor deseado. El nmero de espiras necesario para construir una bobina de valor L, ser: (B)
N=
LI p Bmax Ac
Donde Ag es la seccin equivalente del entrehierro (esta seccin es ligeramente superior a la del ncleo). La intensidad del campo magntico en el entrehierro (Hg) viene dada por:
Igualando los valores de N dados por las ecuaciones (A) y (B) resulta la ecuacin del producto de reas del ncleo vista anteriormente:
Hg =
Bg
max 0 Ag
Aw Ac =
L I p I rms kcu JBmax
El producto AwAc depende de las dimensiones de cada ncleo, de forma que una vez evaluada la parte derecha de la expresin anterior, debe elegirse un ncleo con un producto de reas mayor o igual que el valor calculado.
Debido a que la permeabilidad del ncleo magntico () Bg B es mucho mayor que la del aire (o), la intensidad del >> c = H c Hg = campo en el ncleo (Hc) ser mucho menor que en 0 entrehierro (Hg). Despreciando, por tanto, la intensidad de campo en el material magntico frente a la intensidad de campo en el aire, de la ley de Ampere, puede obtenerse:
H g g = NI p
De estas ecuaciones se obtiene la longitud del entrehierro que hay que realizar para una corriente mxima Ip:
g=
NI p Hg
LI p Ip 0 Ag L 2 0 Ag L 2 max = = 2 Ip = 2 2 Ip max Bmax Ac max 0 Ag
Donde g es la longitud del entrehierro.

Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 9 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 10 de 13
DISEO DE TRANSFORMADORES
Para el diseo de los transformadores se puede proceder de forma anloga al diseo de los S inductores. Para ello se deducir una expresin A A = c w anloga para el producto de reas escrita en funcin 2 fBmax Jkcu de la potencia aparente del transformador. (se deducir posteriormente): La relacin entre la tensin aplicada V1 en el primario de un transformador y el flujo que aparece es:
DISEO DE TRANSFORMADORES Acu1 = Acu 2 I 1 max = I 2 max Aw k cu 2 N1 Aw k cu = 2N2

(D)
De la frmula anterior (Awkcu =2N1Acu1=2N2Acu2) se deduce:
d V1 = N1 , que en el caso de ondas dt

2 V1 = N1 max = 4 N1 f max 1 2f
cuadradas es:
De las frmulas anteriores y de I1=Acu1J I2=Acu2J se pueden calcular las corrientes mximas por los devanados:
JAw k cu 2 N1 JAw k cu = 2N 2
max
0
Para demostrar la frmula del producto de reas, se puede despejar V1 de la ecuacin (C) obteniendo: Si la ecuacin anerior se multiplica por el valor de la corriente I1max del primario (D) se obtiene la potencia aparente mxima (para la que hay que dimensionar el transformador): Reorganizando los trminos de la ecuacin anterior se obtiene la ecuacin que da el producto de reas:
V1 = 4 fN1 Ac B S1 = 2 fAc BJAwkcu Ac Aw = S1 2 fBJkcu
El nmero de espiras en el primario es:
-max
1/f
N1 =
V1 V1 = 4 f max 4 fAc B
(C)
Tensin y Flujo en un Transformador Conductores
y en el secundario: N2=N1/a, donde a es la relacin de transformacin.
Suponiendo despreciable la corriente de magnetizacin, la fuerza magnetomotriz primaria es igual a la secundaria: Si J es la densidad de corriente mxima que admiten los conductores, en ambos devanados ser (Acu=Seccin de los conductores): De las expresiones anteriores, si se supone el mismo tipo de conductores en primario y secundario: El rea de ventana se reparte entre los dos devanados:
= N1 I 1 = N 2 I 2
I1=Acu1J I2=Acu2J N1Acu1=N2Acu2
Awkcu= N1Acu1+N2Acu2= 2N1Acu1=2N2Acu2
SELECCIN DE CONDENSADORES
Capacidad. Tensin mxima. Corriente eficaz. Frecuencia. Resistencia Serie Equivalente (ESR). Autoinduccin Serie Equivalente (ESL). Volumen (tamao).
En electrnica de potencia se utilizan fundamentalmente tres tipos: Electrolticos. Alta capacidad. Altas ESR y ERL (Fuertes prdidas I2R). Tensin mxima de unos 450500 V. Necesidad de conexin serie. Tienen polaridad (peligro de explosin si se cambia la polaridad). Plsticos y Cermicos. Muy baja capacidad. Muy bajas ESR y ERL. Tensiones mximas muy elevadas. No tienen polaridad. El uso principal de los condensadores electrolticos es para mantener en determinados nudos una tensin constante. Si se requiere que el condensador suministre altas corrientes con cambios bruscos, es necesario conectar en serie con el condensador electroltico un condensador plstico o cermico que pueda suministrar instantneamente la corriente solicitada, que el electroltico no puede dar debido a su ESL. Los condensadores plsticos y cermicos suelen emplearse adems para realizar circuitos resonantes o amortiguadores, en los que se requieren valores pequeos de las capacidades.
INTRODUCCIN
TEMA 12. RECTIFICADORES NO CONTROLADOS

12.1.INTRODUCCIN 12.2.RECTIFICADOR MONOFSICO 12.2.1. Rectificador Media Onda 12.2.2. Puente Completo 12.2.2.1. Conmutacin Instantnea 12.2.2.2. Conmutacin no Instantnea 12.2.2.3. Carga Tipo Tensin Constante 12.2.3. Conexin en Redes Trifsicas. Corrientes por el Neutro 12.3.RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS 12.3.1. Montajes Simples 12.3.2. Conexin Serie 12.3.2.1. Conexin en Fase 12.3.2.2. Conexin en Oposicin de Fases 12.3.3. Conexin Puente Completo 12.3.4. Conexin Paralelo 12.3.5. Tensiones y Corrientes Rectificadas 12.3.5.1. Valor Medio de la Tensin Rectificada 12.3.5.2. Valor Eficaz VRMS 12.3.5.3. Factor de Ondulacin 12.3.5.4. Desarrollo en Serie 12.3.5.5. Factor de Potencia del Secundario 12.3.5.6. Corriente Para Carga Altamente Inductiva
AC, 1
DC
AC, 1
DC
AC,3
DC
AC, 3
DC
Smbolos de Convertidores AC/DC
Entrada AC, monofsica o polifsica. Salida DC no controlada, su valor depende de: La tensin de entrada La corriente por la carga Topologa del convertidor Flujo de potencia desde la entrada a la salida Aplicaciones: Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes caractersticas: De coste mnimo No sensibles al valor de la tensin de salida No problema con el factor de potencia Algunos ejemplos: Entrada de fuentes de alimentacin Alimentacin de motores DC
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 1 de 32
RECTIFICADOR MONOFSICO
+ +
Carga Carga
RECTIFICADOR MONOFSICO. Rectificador Media Onda
VS
iR
VS
a) b) Rectificador no Controlado con Carga Resistiva
Primer intervalo: VR=VS IR=VS/R VAK=0 Tensin media en la carga:
Segundo intervalo: VR=0 IR=0 VAK= VS
Carga
c)
VR ( AV ) =
1 2
2VS sen(t )dt =
2VS
Diferentes Topologas de Rectificadores: a) Media Onda, b) Onda Completa con Transformador de Toma Media, c) Onda Completa con Puente de Diodos
Tensin eficaz en la carga:
VR ( RMS ) =
VS 2

D iR VS L VL R VR

Area A
VS = V L + V R ; V L = L di =
di ; dt
D iL VS E L VL
1 V L dt L i (t2 ) 1 t2 i (0) di = L 0 VL dt = 0 0 = Area( A) Area( B)
Area B
Area A
Primer Intervalo
Area B
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva
Primer Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza Contraelectromotriz (Cargador de Bateras o Motor DC).

D iR VS L VL R VR

D iL VS E L VL
Area A Area B
Area A Area B
1er Intervalo 1er Intervalo 2o Intervalo
2o Interv
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva y Diodo de Libre Circulacin
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza Contraelectromotriz (Cargador de Bateras o Motor DC) y Diodo de Libre Circulacin.
RECTIFICADOR MONOFSICO. Puente Completo

Inductancia parsita Puente Rectificador LS D1 VS iS D3 id
RECTIFICADOR MONOFSICO. Puente Completo Conmutacin Instantnea

Puente Rectificador id
+
D1 Carga Vd iS VS D2 D4 D3
+
Carga
Vd
D2
D4
Rectificador en Puente Completo Monofsico Se estudiarn los siguientes casos:
Rectificador en Puente Completo Monofsico con conmutacin ideal y carga resistiva: Puente Rectificador D1 id D3
Para LS despreciable. Con carga resistiva Con carga fuertemente inductiva. Teniendo en cuenta el efecto de LS. Con carga fuertemente inductiva.
VS >0 iS
VS
+
Carga
Vd = VS
VS
D2 a) Vs>0
D4
id
Puente Rectificador
Carga D2
iS VS <0
VS
D1
D3
Vd = -VS
VS
a) Vs<0
D4

LS=0; IS es una onda cuadrada
VS iS
t
LS=0; IS no contiene armnicos
VS iS
Id Id t
Vd 0
1 T2 2VS sen(t )dt = = T 0 2 4 2VS 2 2 = VS = 0.9VS T
I S1 =
I Sh
I d = 0. 9 I d ; 0 (h par ) = I S1 (h impar ) h
2 2
Vd 0 =
Los armnicos de la corriente estn en fase con la tensin.
Vd
Vd id
id
Vd 0 = 0.9Vs Id0 = Id
Id 0
t
V V = d 0 = 0.9 S R R
Id t
Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado para Carga Fuertemente Inductiva Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado para Carga Resistiva La distorsin de la corriente ser:
%THD = 100
2 2 IS IS 1
I S1
, como IS=Id , I S 1 =
2 2
Id
1 ( %THD = 100
2 2)2 = 48.43% 2 2
PF =
DPF 1 + THD 2
DPF = 1 PF = 0.875
RECTIFICADOR MONOFSICO. Conmutacin no Instantnea

Inductancia parsita Puente Rectificador LS D1 VS iS D3 id
RECTIFICADOR MONOFSICO. Conmutacin no Instantnea

LS Conducen los cuatro diodos
+
VS
iS
Carga
Vd
Circuito Equivalente Usado para el Estudio de la Conmutacin no Instantnea: La fuente y la bobina forman una malla con los cuatro diodos conduciendo. La ecuacin que rige el funcionamiento de este circuito es:
D2
D4
a) Circuito
VS = 2VS sen(t ) = LS
diS dt
(0 t )
( 0 t )
Id
2V S sen(t ) d (t ) = L S di S
A =
t
2V S sen(t ) d (t ) = L S
Id
di S = 2L S I d
A = 2V S (1 cos ) = 2L S I d ;
El valor medio de la prdida de tensin debida a la conmutacin no instantnea ser: A
luego la tensin en el rectificador ser:
b) Formas de Onda Puente Rectificador Monofsico con Conmutacin no Instantnea
Vd = Vd 0
= 0.9VS
2LS I d
RECTIFICADOR MONOFSICO. Carga Tensin Constante
RECTIFICADOR MONOFSICO. Carga Tensin Constante
Inductancia de Lnea y Transformador LS
VL
Puente Rectificador D1 D3
Id
Carga
VS
iS
Vd D2 D4
Puente Rectificador Monofsico con Carga a Tensin Constante (Carga capacitiva, Motor DC o Batera)
a) Circuito
VL
Vd 1 = ar sen 2V S
; p = 1
La ecuacin que rige el funcionamiento del circuito es:
VL = LS
dI d = 2VS sen(t ) Vd ; dt
i
integrando esta ecuacin, se obtiene:
L S dI S =
0
LS iS (t ) = 2VS (cos(1 ) cos(t ) ) Vd (t 1 )

i S (t ) =
b) Formas de Onda Puente Rectificador Monofsico con Carga a Tensin Constante (Carga capacitiva, Motor DC o Batera)
2V S sen(t ) V d d (t )
2VS2 Vd2
L S
2V S t t1 cos(t ) Vd LS ; L S
El ngulo 2 en el que se anula la corriente, se calcula de:
(
2
1
2VS sen(t ) Vd d (t ) = 0
y el valor medio de la corriente por la carga de:
Id =
1 iS (t ) d (t )
2 1
RECTIFICADOR MONOFSICO. Conexin en redes trifsicas. Corrientes por el neutro.

iR
Rect. 1
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Montajes Simples
UR iN=iR+iS+iT N
N +
Rect. 2
N
Rect. 3
UT
US i S iT
Vd >0
a) Montaje Simple Poliandico
Vd <0 + b) Montaje Simple Policatdico
Conexin de tres rectificadores idnticos en una red trifsica.
Vd
h = 2 k +1
h = 2 k +1
iT = 2 I S 1 sen (t 1 240 ) +
La corriente por el neutro es:
h = 2 k +1
2 I Sh sen (ht h 240 h )
i N = i R + i S + iT
En esta suma todos los armnicos no triples suman cero, luego la corriente por el neutro ser:
h =3( 2 k 1)
IN = 3
2 Sh h =3( 2 k 1)
3I S 3
Policatdico
iN = 3
2 I Sh sen (ht h ),
k = 1, 2, 3 L
Formas de ondas de los montajes
iS = 2 I S 1 sen (t 1 120 ) +
2 I Sh sen (ht h 120 h )
Poliandico
iR = 2 I S 1 sen (t 1 ) +
2 I Sh sen (ht h ),
k = 1, 2, 3 L
Vd
Esta ltima aproximacin se puede hacer si el tercer armnico es mucho mayor que los dems armnicos triples.
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Conexin Serie en fase

u1
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Conexin Serie en oposicin de fases -
Uc=u1+u2 Comparacin con un solo rectificador:

Uc
u1 Uc=u1-u2 + Comparacin con un solo rectificador: Tensin de pico menor que el doble (en trifsica 3 ). Frecuencia de rizado doble. Tensin de rizado menor.
u2
Tensin de pico doble. Frecuencia de rizado igual. Tensin de rizado doble.

R S T
u2
Uc
Vd
Uc
Uc Conexin en Fase de dos Rectificadores Poliandicos idnticos
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Puente Trifsico

R S T
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Puente Trifsico

1
R S T
Carga
2
TS
+
Uc
u1
Carga
R S
Uc
R S T
Carga
3
R S T u2
Uc
El montaje puente es equivalente al montaje serie en oposicin de fase, pero se ahorran devanados de transformadores.
+
Uc
S T
Carga
4
TS
Uc
S T
Carga
5
Uc
Uc
TS
R S T
Carga
6
Uc
Uc
+
S T
Carga
Uc
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Puente Trifsico. Armnicos

TS
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS + Carga

Conmutacin no instantnea en un puente trifsico
TS/6
R S T
LS
Uc
Armnico
Armn Valor Armn Valor Armn Valor Armn Valor 0 0 5 0.220 10 0 15 0 1 1.102 6 0 11 0.100 16 0 2 0 7 0.157 12 0 17 0.064 3 0 8 0 13 0.084 18 0 4 0 9 0 14 0 19 0.0584 Armnicos de la corriente IR (normalizada con Id)
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 23 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 24 de 32
RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS. Conexin en paralelo

Rectificador A
TENSIN RECTIFICADA. Valor Medio de la Tensin Rectificada en un Montaje Simple
u1 R S T
Uc= u1 = u2
u1
R S T
R S T
R S T
+ Uc=( u1+ u2)/2
Vd
u2
u2
De la figura, puede deducirse que:

+
Rectificador B +
Vm = V M cos
Rectificador Hexafsico
TS
Conexin Paralelo de dos Rectific. Trifsicos en Oposicin de Fase

TS
La tensin de salida estar formada por una serie de arcos que se repiten peridicamente:
u = VM cos t para
El valor medio
- < t < . m m
V0 se obtiene integrando entre los lmites anteriores:

m 1 m m VM [sen t ] = VM cos t d t = m 2 2 m m m = VM sen sen 2 m m
Vo =
Slo conduce un diodo en cada instante
Conducen un diodo de cada rectificador en cada instante
Vo =
m V sen M m
TENSIN RECTIFICADA. Valor Medio de la Tensin Rectificada en un Puente

Vf Vf Vc
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple
/2 /2
Vf2 Vf1
Vf
2/m Vfm
En el tringulo issceles, el lado mayor es la tensin compuesta Vc (tensin fase-fase) y los lados iguales son las tensiones de fase Vf. Al dividirlo por la bisectriz, quedan dos tringulos rectngulos, de dnde se calcula: Vc/2=Vfsen(/2) dnde =(2/m)trunc(m/2)
Para calcular la tensin media en un puente, se puede aplicar la frmula deducida para un montaje simple, pero teniendo en cuenta que la tensin de pico ser la tensin compuesta y que la frecuencia de rizado ser el doble:
m VM = Vc = 2V f sen trunc ( ) 2 m
Vo =
Valor Eficaz (VRMS) . Montaje Simple:

m 1 2 VM cos 2 t d t = 2 m m m 2 1 1 2 2 + sen = VM + + sen = 2 m m 2 m m 4
Vc sen( ) = 2m 2m m sen( ) = = 2 sen trunc V f 2 2m m m m = 4 sen m trunc 2 sen( 2m ) V f

2m
2 VRMS =
m 2 2 1 = VM + sen m 2 4
Montajes: -Puente -Simple
En el caso trifsico: m=3,
VRMS = V M
Vo =
3 3
V f = 1.652V f
1 m 2 + sen m 2 4
Para el caso trifsico: VRMS(m=3)=1.189VS
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de Ondulacin. Desarrollo en Serie. Factor de Potencia del Secundario
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de Potencia del Secundario

Factor de Potencia Secundario: Tambin se le denomina factor de utilizacin del transformador Pd TUF = Ss
A C ,1
C ,1 D C A
D C
A C ,3
D C
A C ,3
D C
La potencia activa suministrada por el rectificador es: Pd = T v d i d dt , o

t
donde
v d e i d son la tensin y la corriente a la salida del rectificador.
Ss
es la potencia aparente total del secundario del transformador.
Factor de Ondulacin. Montaje Simple: El factor de ondulacin se define como la mitad del valor de pico-pico, dividido por el valor medio.
Veamos cuanto vale TUF para el caso de carga altamente inductiva. Si suponemos que i d es constante durante todo el periodo y de valor I d , Pd = V0 I d donde V0 es el valor medio de la tensin rectificada. La corriente que circula por el devanado secundario es igual a la que circula por cada diodo. Esta corriente es igual a durante el resto del perodo T, por tanto:
Km =
1 cos VM VM cos VM Vm m m = = m 2m 2Vo 2 VM sen sen m m Para el caso trifsico: K3=0.302
I d durante el tiempo m y es nula
I s2 =
Luego:
Id 1 2 I = I m d s m
Desarrollo en Serie. Montaje Simple:

2 ( 1) k u(t) = Vo 1 + k 2 m 2 1 cos (k m t ) k =1
m Vs 2 sen I d Pd Vo I d 2m m TUF = = = sen = Id m S s m Vs I s m Vs m

Para el caso trifsico:
dnde V0 es el valor medio de la tensin rectificada.
TUF (m = 3) =
6 sen = 0.675 3
TENSIN RECTIFICADA. Factor de Ondulacin. . Factor de Potencia del Secundario. Desarrollo en Serie
Grficamente:
CORRIENTE PARA CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA. Puente Trifsico
m= Nmero de fases
Corriente por la fase S
Factor de potencia del Secundario (TUF) y Factor de Ondulacin (Km) en funcin del nmero de fases (m) del rectificador.
El valor eficaz de la corriente de una fase es: I S =
0.3
2 Id m
0.25
0.2
0.15
3 6 9 12
0.1
I S = I S1 = Para m=3: I Sh =
2 Id 3 Id 6
I S1 h (h = 5,7,11L)
0.05
0 1 2 3 4
Al estar los armnicos en fase, DPF=1.

5 6 7 8 9 10 11
12
13
14
15
16
El factor de potencia es:

17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 12 9 6 3
PF =
I S 1 DPF 3 = = 0.955 IS
INTRODUCCIN
Problema a resolver: Al circular corrientes por los dispositivos y conmutar entre corte y saturacin se producen unas prdidas de potencia en forma de calor en el dispositivo. Si este calor no es extrado del interior del dispositivo, provocar una subida de la temperatura del semiconductor. La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor mximo, (normalmente Tjmax=125C), ya que: Empeoran las caractersticas funcionales del dispositivo. La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.
TEMA 10. CONTROL TRMICO DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

10.1.INTRODUCCIN 10.2.MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR 10.2.1. Conveccin. 10.2.2. Radiacin. 10.2.3. Conduccin. 10.2.3.1. Modelo Trmico Esttico 10.2.3.2. Modelo Trmico Dinmico 10.2.3.3. Clculo de la Temperatura de la Unin en Situaciones Transitorias 10.3.DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS 10.3.1. Radiadores 10.3.1.1. Conveccin Forzada 10.3.1.2. Clculo de la Resistencia Trmica 10.3.2. Refrigeradores por lquidos
Vida esperada respecto a la vida media a 75C
3 2 1
40 50 60 70 80 90 100 110 120
Tj=75C
TjMax= 125C
Temperatura en la unin Tj C
Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75C durar unas cuatro veces ms que si trabaja a su temperatura mxima, por tanto es muy importante mantener la temperatura del cristal controlada, an en las condiciones ms desfavorables (Mximas disipacin de potencia y temperatura del medio ambiente) ACCIONES A TOMAR:
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 1 de 22
INTRODUCCIN
ACCIONES A TOMAR: Debe limitarse la potencia disipada en el dispositivo (prdidas): Usar dispositivos con menor cada en conduccin. Limitar la corriente mxima por el dispositivo. Usar tcnicas que minimicen las prdidas en conmutacin. O bien facilitar la evacuacin del calor generado hacia el medio ambiente (supuesto como un sumidero de calor infinito) empleando:
MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR. Conveccin

A Superficie a TS d
El mecanismo de conveccin del calor ocurre entre un slido y el fluido con el que est en contacto. Las capas del fluido ms prximas se calientan y crean un flujo (conveccin natural) o mediante un ventilador o bomba se establece un flujo (conveccin forzada)
Cpsulas adecuadas (Fabricante).
Flujo de aire a Ta
La transferencia de calor por Conveccin (natural, en el aire) se puede estimar por:
Ejemplo de Encapsulado: IGCT
Pconv=1.34 A(T)1.25/d0.25
donde:
Radiadores.
Disipador de Aluminio Extrusionado
Pconv es la potencia transferida por el mecanismo de conveccin desde el disipador hacia el ambiente (W). A es el rea de la superficie vertical (m2). d es la altura vertical del rea de la superficie A (m). T es el incremento de temperatura entre el fluido y la superficie (C).
La resistencia trmica equivalente ser por tanto:
Radiadores con ventilacin forzada.
Rsa ,conv
1 d = 1.34 A T
1/ 4
En algunos manuales se suele aproximar por: Disipador de Aluminio con ventilador Refrigeracin por lquidos. (con o sin evaporacin) Dos refrigeradores por agua
Pconv=h A T
h (W m-2 K-1) 2-25 50-1.000 25-250 50-20.000 2.500-100.000
Sistema Empleado Gases Conveccin Natural Lquidos Gases Conveccin Forzada Lquidos Conveccin con Cambio Lquido+Gas (Evaporacin y de Fase Condensacin)
MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR. Radiacin

Superficie a TS A
El mecanismo de radiacin consiste en la emisin por una superficie de energa en forma de radiacin electromagntica (infrarrojos), por tanto no necesita un medio material para producirse.
MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR. Conduccin

En un material conductor del calor, el flujo de calor va desde los puntos ms calientes del material hacia los ms frios. Segn la ley de Fourier, la evacuacin de calor por conduccin se puede aproximar suponiendo que el material que conduce el calor presenta una resistencia trmica independiente de la temperatura y de la cantidad de calor evacuada:
l
A
R =
T Q
ambiente a Ta PD
La transferencia de calor por Radiacin se rige por la ley de Stefan Boltzmann:
T1> T2
T C , PD W
T2
con Q = y
Prad=EA(Ts4-Ta4)
donde: Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el ambiente (W). E es la emisividad de la superficie del disipador. Esta constante depende del tipo de material. Para objetos oscuros, como el aluminio pintado de negro utilizado en radiadores es 0.9. 2 A es el rea de la superficie (m ). Ts es la temperatura de la superficie expresada en grados Kelvin. donde:
Q = PD t
T1
R =
l A
es la resistividad trmica del material (Cm/W). l es la longitud (m). A es el rea (m2). PD es la potencia disipada (W). R es la resistencia trmica del trozo de material (C/W).
Material Diamante Cobre Aluminio Estao Grasa trmica Mica Mylar Aire en calma
=5.6710 W m K
-8
-2
-4
es la constante de Stefan Boltzmann
(C*cm/W)
0.02 - 0.1 0.3 0.5 2.0 130 150 400 3000
La resistencia trmica equivalente ser por tanto:
Rsa ,rad =
T 5.7 10 8 EA(Ts4 Tas )
Al instalar radiadores, se debe tener en cuenta que si se colocan prximos a otros objetos ms calientes absorbern ms energa que la que emitan por radiacin.
Comparacin de la Resistividad Trmica de Algunos Materiales Tpicos

Tema 10. Control Trmico. Transparencia 5 de 22 Tema 10. Control Trmico. Transparencia 6 de 22
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN. Modelo Trmico Esttico

Semiconductor Tj
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN. Modelo Trmico Esttico

Se puede hacer una analoga con los circuitos elctricos: Magnitud Elctrica Diferencia de Potenciales Intensidad Resistencia Elctrica Magnitud Trmica Diferencia de Temperaturas Potencia Resistencia Trmica
Encapsulado Tc Aislamiento Disipador Ts
j + PD Tj
Rjc +
Tc
Rcs +
Ts
Rsa +
Ta
Temperatura Ambiente Ta
Circuito Equivalente Basado en Resistencias Trmicas
Modelo Multicapa de un Semiconductor Montado sobre un Disipador para analizar la Transferencia de Calor desde el Silicio hacia el Ambiente
Tj = PD (Rjc+ Rcs+ Rsa)+ Ta

dnde:
Rja= Rjc+ Rcs+ Rsa

donde:
Rjc es la resistencia trmica debido a
mecanismos de transferencia de calor por conduccin entre el silicio y el encapsulado del dispositivo. de calor por conduccin entre el encapsulado del dispositivo y el disipador.
Tj es la temperatura de la unin del semiconductor. Ta es la temperatura ambiente del medio exterior.
Rcs es la resistencia trmica debido a mecanismos de transferencia Rsa es la resistencia trmica debido a mecanismos de transferencia de calor por conveccin y radiacin entre el disipador y el ambiente. Estos mecanismos, aunque ms complejos, se pueden modelar de forma aproximada mediante una resistencia trmica y sern estudiados posteriormente.
Estos clculos no son exactos, debido a que las resistencias trmicas varan con: La Temperatura. Contacto trmico entre cpsula y radiador (Montaje). Dispersiones de fabricacin. Efectos transitorios.
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN. Modelo Trmico Dinmico

Hasta ahora se ha estudiado el funcionamiento en situaciones estacionarias. Vamos a considerar otros casos: Arranque de un sistema Potencia constante pero temperatura subiendo. Funcionamiento con cargas pulsantes Potencia variable, pero la temperatura puede considerarse constante (o no). La temperatura que alcanza un material al que se aplica una cantidad de calor depende de su calor especfico definido como: La energa requerida para elevar la temperatura de un material un grado centgrado una unidad de masa de dicho material La masa del material hace de almacenamiento de energa, modificando la temperatura con una determinada dinmica. En la analoga con los circuitos elctricos el producto masa x calor especfico sera la capacidad de un condensador, ya que:
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN. Modelo Trmico Dinmico

T1
PD
=C R
C R
T1
Ts
PD
Ts
a) b)
a) Sistema Trmico Simple Consistente en una Masa a Temperatura inicial TS a la cual se le suministra un escaln de potencia PD, estando en contacto con un Disipador a Temperatura TS. La temperatura final alcanzada es T1. b) Modelo equivalente elctrico utilizado para modelar comportamientos transitorios de un sistema trmico. La evolucin en el tiempo de la temperatura cuando se aplica un cambio brusco (escaln) de la potencia disipada ser:
T = ( M C e )Q = C Q T Q V = C = C PD = C IC t t t
donde:
T1 (t ) TS = PD R (1 e t / )
En rgimen permanente coincide con lo estudiado anteriormente para el caso esttico:
Ce M C
es el calor especfico del material (W C-1 Kg-1) es la masa del material (Kg) es la capacidad trmica equivalente (W C-1)
T1 (t = ) TS = PD R
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN. Modelo Trmico Dinmico.

Para una masa de cierto tamao se tendr una distribucin continua de temperaturas. Para calcular la evolucin de la temperatura se aproxima el material en varios trozos en los que se supone que la temperatura es constante:
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN. Modelo Trmico Dinmico.

Respuesta de la Temperatura de un material ante un escaln de potencia:
PD Po
Tn Tfn
Tn (t ) T0 n = P0 R (1 e t / )
T5 T4
T3 T2 T1
TS
PD
a) Sistema trmico aproximado por cinco trozos.
T0n 0
a) Escaln de Potencia
b) Evolucin de la Temperatura en el trozo n
Respuesta Transitoria de la Temperatura en el Nodo n Frente a un Cambio en escaln en la Potencia Disipada.
T5 R5,4
T4 R4,3 C4
T3 R3,2 C3
T2 R2,1 C2
T1 R1,S C1
Definimos la impedancia transitoria como:
Z Z 0
Z (t ) = Z 0 (1 e t / )
PD
C5
Z (t ) =
T (t ) Tn 0 T (t ) = P0 P0
TS b) Modelo Elctrico Equivalente

La temperatura final en un nodo debe coincidir con la obtenida con el modelo esttico
Clculo de la Temperatura de la Unin en Situaciones Transitorias

Los fabricantes suelen dar curvas en las que se representa la impedancia trmica transitoria para un dispositivo al que se aplica una potencia disipada tipo escaln o ondas cuadradas peridicas, por ejemplo:

En otros casos, los fabricantes dan nicamente una curva que representa la impedancia trmica transitoria para una potencia disipada tipo escaln:
Impedancia Trmica Transitoria Unin-Cpsula ZthJC (C/W)
log(Z(t)/Z(t=))
10
Impedancia Trmica Transitoria Asntotas
D=
0.5
0.2 0.1
Impedancia Trmica Transitoria de un Dispositivo (incluyendo la curva asinttica).
0.1
0.05 0.02 0.01
log(t/ ))
PD
Pulso nico, T=
Notas:
t1
Para formas de ondas diferentes de escalones y ondas cuadradas, se puede aproximar por ondas de duraciones comparables que inyecten la misma energa (rea) que la onda cuadrada, as por ejemplo:
T
0.318T P0 t P0u(t1) P0
0.01
t1 (seg) Curvas de la Impedancia Trmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330 donde la Impedancia Trmica Transitoria est parametrizada en funcin del ciclo de trabajo del MOSFET
Puede observarse que para valores altos de D y bajos de t1 (=altas frecuencias), las curvas se vuelven horizontales, es decir, la inercia trmica hace que la temperatura de la unin no vare y por tanto estas curvas no sirven. En general, para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la caracterstica esttica.
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
10
Potencia
1-D=t1/T 2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
Tj
Tj
t
0.318T
t 0.09T 0.41T T/2
-P0u(t2)
P0 t1=0.09T t2=0.41T
Tj
Se hace equivalente un arco de senoide a una onda cuadrada de la misma amplitud y duracin 0.318T
El pulso se descompone en dos escalones: P(t)=P0u(t1)-P0u(t2)=P0(u(t1)-u(t2)) y la temperatura puede calcularse de: Tj(t)=Tj0+P0(Z(t1)- Z(t2))

Para otros tipos de pulsos se puede generalizar:

Para otras formas de ondas, se puede hacer la siguiente aproximacin:
P6 P3 P4 P5
P(t) P3 P1 t1 Tj(t) t2 t3 t4 t5
P5 Pm t6 tm t
Pulso a aproximar
P7 P8 O
P(t)
P1 t1 t2 P2 t3
t
t5 t6 t7 t8
Aproximacin
Pm t
t j0
t4
... t m
Tj(t)
Temperatura
t j0
tj0
t
Temperatura de la Unin con Pulsos de Potencia Rectangulares Llamando Zn=Z(t=tn) y teniendo en cuenta que P2=P4=P6=...=0, se puede escribir que la temperatura despus del pulso m es:
Aproximacin de un Pulso de Potencia mediante Pulsos Rectangulares
T j (t ) = T j 0 + Z 1 P1 + Z 2 ( P2 P1 ) + Z 3 ( P3 P2 ) + ...... = = T j0 +
n =1, 2....
Z n ( Pn Pn 1 )
T j (t ) = T j 0 + P1 ( Z 1 Z 2 ) + P3 ( Z 3 Z 4 ) + P5 ( Z 5 Z 6 ) + ...... = = TJ 0 +
n n =1, 3, 5....
ya que la secuencia de pulsos Pi se puede descomponer en una secuencia de pulsos de tipo escaln:
Pulso
P (Z
Z n +1 )
P0
P1 t
P0u(t0)
P0 t
(P1-P0)u(t1)
P1-P0 t0 t1
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Radiadores

PD Tj Definida por el fabricante, puede haber varios tipos de cpsula para un mismo dispositivo Depende del encapsulado, disipador y de la forma como se conecten. Elegida (de un catlogo de fabricantes de disipadores) por el diseador del convertidor
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Conveccin Forzada

d
Rjc
Tc
Rcs
Ts
Rsa
Ta
La resistencia Rcs depende mucho de la forma como se conecten la cpsula y el disipador, le afecta especialmente el acabado superficial de ambos: Cpsula Disipador Cpsula Disipador Superficies Rugosas tpico: 1.6m Uso de materiales intermedios blandos que llenen los huecos, por ejemplo: Mica Grasa de Silicona Uso de tornillos que acerquen las superficies por presin
Tipos de Superficies (secciones): Las secciones de tipo corrugadas se usan en aplicaciones de conveccin natural Recta Serrada Corrugada porque son mas delgadas y permiten una separacin mayor entre lminas. Las secciones de tipo serradas se usan en H aplicaciones de conveccin forzada, ya que aumentan la turbulencia del flujo y por tanto el flujo de calor entre el disipador y el fluido. d d d Las secciones rectas no se recomiendan en aplicaciones de gran potencia debido a 100% 102% 107% su menor capacidad de transferencia de reas relativas para calor. tamaos iguales
Superficies Pandeadas tpico: 0.1%
Entrada de aire
Salida
Salida 1
Salida 2
Entrada de aire en el centro Flujo 1 = Flujo 2

En el segundo caso, al ser la superficie atravesada por el flujo de aire el doble, las prdidas de presin son la mitad y por tanto se necesita un esfuerzo menor (ventilador de menos potencia) para conseguir el mismo flujo. O bien con el mismo ventilador se puede conseguir una velocidad del aire mayor, bajando la resistencia trmica equivalente.
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Conveccin Forzada

Curvas dadas por un fabricante:
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Clculo de la Resistencia Trmica
Incremento de Temperatura de la Superficie respecto al ambiente (C)
100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250
Conveccin Natural
a)
A1
b)
A2
(a) Ejemplo de Disipador. b) Definicin de las reas Usadas para Calcular la Resistencia Trmica en el Disipador de la Figura por Conveccin y Radiaccin.
Acon=2 A2 + n A1
Potencia Disipada (W)
donde: A1 es la superficie frontal del disipador. A2 es la superficie lateral del disipador. n es el nmero de superficies laterales generadas por las aletas que componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
1.0 0.9 0.8 0.7
Conveccin Forzada
RSA (C/W)
0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Rsa ,conv =
1 d 1/ 4 134 . Acon Fred T 1/ 4
donde d es el lado vertical de las superficies A1 o A2.
Fred
Velocidad del Aire (ft/min)
Fred en Funcin de la Distancia en mm

entre Aletas del Disipador, para Distancias Menores que 25 mm
Caractersticas de la Resistencia Trmica de dos disipadores comerciales (azul y rojo) con conveccin natural y forzada.
0.1 5 mm 25mm Distancia entre aletas del disipador

DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Clculo de la Resistencia Trmica
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Refrigeradores por lquidos

Superficie de contacto con la cpsula del dispositivo a refrigerar
Mediante estos dispositivos, se puede evacuar una gran cantidad de calor con un tamao de disipador mucho ms reducido si se compara con los refrigerados por aire. Normalmente se emplear un circuito cerrado, y se forzar mediante una bomba la circulacin del lquido.
A1
Arad=2 A1 + 2 A2
donde:
A2
Entrada de Lquido Salida de Lquido
Para calcular la resistencia trmica debida a la radiacin:
Suele utilizarse como lquido refrigerante agua (a veces con aditivos).
A1 es la superficie frontal del disipador. A2 es la superficie lateral del disipador.
El circuito completo ser:
Rsa ,rad =
T 5.7 10 8 EArad (Ts4 Tas )
Refrigerador por lquido
Proteccin por presin baja
La Resistencia Trmica del Disipador ser la resistencia equivalente a conectar en paralelo las dos resistencias trmicas calculadas anteriormente:
Rsa =
Rsa ,rad Rsa ,con Rsa ,rad + Rsa ,con
Proteccin por caudal bajo
Enfriador del lquido por aire forzado
Bomba Depsito
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Refrigeradores por lquidos

Como se vio al estudiar el mecanismo de conveccin, si se utiliza un sistema que incluya un lquido que se evapora y condensa, el coeficiente h que define la cantidad de calor que se evacua por conveccin, alcanza un valor muy alto.
Flujo de calor
Condensacin
Retorno del lquido condensado El vapor sube
Evaporacin
Flujo de calor desde el dispositivo a refrigerar
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
TEMA 9. CIRCUITOS DE DISPARO PARA INTERRUPTORES DE POTENCIA

9.1. INTRODUCCIN 9.2. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO 9.2.1. Circuitos de Control con Acoplamiento DC 9.2.1.1. Salida Unipolar 9.2.1.2. Salida Bipolar 9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Elctrico 9.2.3. Alimentacin en los Circuitos de Disparo 9.2.3.1. Alimentacin con circuitos de Bombeo de Carga por Condensador 9.2.3.2. Alimentacin con circuitos Bootstrap 9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs 9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE 9.4. PROTECCIONES DEL INTERRUPTOR DE POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE CONTROL 9.4.1. Proteccin contra Sobrecorriente 9.4.2. Proteccin contra Cortocircuitos en Montajes Tipo Puente 9.4.3. Conmutacin sin Snubbers
Fuente de Energa Elctrica
Convertidor de Estado Slido
Carga
Objeto de este tema
Aislamiento galvnico de las seales (deseable)
Elementos de clculo
Esquema de un convertidor de potencia. En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers) siguientes caractersticas: con las
Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de potencia. Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser de baja o media potencia. Deben generar seales adecuadas para garantizar: La conmutacin rpida con prdidas mnimas. La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en conduccin mnimas. El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente. Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin del dispositivo que controlan: Sobrecorriente. Tiempos muertos en ramas de puentes.
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 2 de 27
Circuito de Mando
Amplificadores de potencia
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares

Circuito de Disparo
Seal digital
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares
Dispositivo de Potencia
V BB I2 TB
Comparador
VBE (TA )
Circuito de VBB Disparo
Comparador
Vcc
Carga
VBB R1
R1 R2
ts
Circuito de Disparo
Vcc
Carga
I1
TA
I B (TA )
R1 R2 CGS
Comparador
M1
T1 R G T2 CGS
M1
(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de Onda de Tensin y Corriente durante el Corte
R2 =
V BE almacenamiento I Balmacenamiento
a) Bajas Frecuencias de Trabajo

(9-1) (9-2) (9-3)
b) Altas Frecuencias de Trabajo
VBB
R2 = VCE sat (TB ) + R1 I 1 + VBEon (TA )

Diseo del circuito disparo:
I Bon = I 1
VBEon (TA )
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de Potencia En el circuito a): on=(R1+R2)CGS y off= R2CGS ; Problemas: Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas resistencias de valor pequeo. Aparece una disipacin de potencia importante durante toff debido al 2 pequeo valor de R1: Poff(toff/T)(VBB /R1). En el circuito b): on= off= RGCGS. No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los dos transistores a la vez. Puede hacerse RG muy pequea (incluso cero). La carga y descarga de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT). Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.
1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1). 2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con el BJT en estado de conduccin, se determina I1 de la ecuacin 9-2. 3. Se calcula R1 de la ecuacin 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. Un valor pequeo de VBB disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1) en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de VBB aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuacin 9-3).
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares

Para acelerar la conmutacin al corte de transistores con puerta tipo Bipolar MOS puede aplicarse una tensin negativa en la puerta, as: En los BJT, aparece una corriente de base negativa que disminuye drsticamente el tiempo de almacenamiento. En los MOS e IGBT se acelera la descarga de la capacidad de puerta como se observa en la siguiente figura:
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares

Limitacin de corriente en BJTs
Circuito de Disparo
Comparador Tensin de Referencia
VBB + Con
RB
Vcc
Circuito de control
+
Tb + TA Tb
BJT MOS Divisor de tensin capacitivo
Circuito Bipolar de Control de Base de Interruptor de Potencia

Circuito de Disparo
Vcc
VBB
Tb +
A
VBB 2
La tensin Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la tensin VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso Unipolar y a 20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre ambos casos es de unos 35nS.
Tb
IB
VBB 2
TA
Resto del circuito de Potencia
Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).
CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO

Fuentes de alimentacin V0 auxiliares
V1 V2
Fase
CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. OPTOACOPLADORES
Alimentacin DC-aislada Capacidad parsita
VBB
Optoacoplador
Salida hacia el driver
Aislamiento Circuito de la seal de Base Circuito de Control

Neutro Tierra
Seal digital de control
Referencia Digital
Referencia del interruptor de potencia
Aislamiento Circuito de la seal de Base

Tierra
Seal de Control Optoacoplada El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito de control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura. Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas, (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia de los cables largos). No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.
Alimentacin de Potencia
Entradas de control
Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control: Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de proteccin del personal que maneja los equipos de control. Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes niveles de tensin. Existen diferentes mtodos que se estudiarn en los prximos apartados. El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores o transformadores de pulsos.

VBB
Circuito de Potencia

+15 V
DA
Circuito Integrado CMOS
RG
VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta).
Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y as acelerar su conmutacin.
impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y 15Volt.
CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO ELCTRICO. TRANSFORMADORES

Entrada al driver o seal de disparo Circuito de control
Vo
Vd
Referencia del circuito de control Inductancia de Magnetizacin
Referencia del interruptor de potencia
Seal digital de Vc control (baja frecuencia)
Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar. El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores.
Modulador
Demodulador
Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.
Vc Q /Q Vo Vd
Entrada al driver
Q Oscilador de alta frecuencia /Q

V BB
Rp ip
Lm

Demodulador Modulador
Buffer
Circuito de potencia Cp
ic N1
BJTPotencia
Q
Oscilador
ib N2
T2
R2
Buffer
Vcontrol
C2
C1
RG
Buffer Schmitt-trigger
Seal Digital de Control
T1
Circuito de disparo
DB
N3
vi
vo
Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentacin. Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: ipVBB/Rp. Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: ib=icN3/N2. Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que: ib= icN3/N2- ipN1/N2 Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.
Vcontrol Q
Q
vi
vo
Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOS de potencia conduzca. Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se descargue), luego Vo=0. Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener cargado C1 hasta el prximo disparo.
ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO
CIRCUITO DE DISPARO CON BOMBEO DE CARGA POR CONDENSADOR

Circuito de bombeo de carga VCC+VBB VCC
Vcc
Circuito de disparo
Vcc 2
Carga
C2 D2 D1 VBB C1
VBB
VBB1 VBB2
Circuito de disparo
Vcc 2
CD-1
Osc.
VBB
VBB
CD-2
Montaje Semipuente
Vcc
VBB1
CD-1
Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los puentes trifsicos. No se ve afectado por el rgimen de disparo de los interruptores de potencia. Los transistores MOS, y dems componentes auxiliares deben trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas). Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin.
VBB2
CD-3
VBB3
CD-5
VBB
CD-2 CD-4 CD-6
Esquema de un Inversor Trifsico Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentacin para un montaje semipuente y cuatro para un puente trifsico. La complejidad y el costo es elevado, pero no hay restricciones respecto al rgimen de disparo de los interruptores de potencia.
ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO

D D +
CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs
VCC
+
VBB
Driver
VBB
C Driver
VBB
C Driver
VBB
Driver
Fase A Driver
Fase B
Fase C
VBB
Driver
VBB
Tierra de Potencia
VGK + VGGL
Inversor Trifsico con Circuitos Bootstrap El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones requeridas con un diodo y un condensador. Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin. El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que no se descarguen los condensadores. Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.
RG VGGH
D1 15v VGK D2 RG
Vcontrol
VD
Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificacin del Pulso de Corriente
CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE
PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES

VGS=20V (mx. permitido por la tecnologa) VGS=15V (recomendado)
V BB
RBSO
4*iDnom
Seal de Control
Conmutacin
iDnom
log iD
ic
v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0). El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.
vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello debe realizarse la proteccin desde el circuito de disparo, as en los IGBTs: Al aplicar la tensin VGS de 15 voltios (recomendada por los fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 s para quitar la tensin de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125C). Si se aplicase la tensin mxima permitida por el espesor del xido (20V), la corriente de cortocircuito subira mucho ms y el fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo. En un cortocircuito, pueden darse dos casos: a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un cortocircuito b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo est conduciendo.
PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.

a) Cierre del dispositivo sobre un cortocircuito
vDS iD 4*iDnom iD vDScc vDS
PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.

b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo (cont.)
CGD RG VGG
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensin VDS cae ligeramente, pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al dispositivo. b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo
vDS iD 4*iDnom iD iDnom t vDScc vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensin de drenador, se acopla la subida a travs de la capacidad Miller y se polariza la puerta con una tensin mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la tensin de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
CGD RG VGG
Tambin es necesario emplear para cortar el IGBT una tensin de puerta negativa (al menos 5V, mejor 15V), porque: Se acelera el corte disminuyendo las enormes prdidas debidas a las elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito. Se asegura el corte, ya que la tensin umbral de corte disminuye en unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de la unin, de forma que durante un cortocircuito dicha tensin puede valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25C. Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta, aparecen cadas de tensin extra en las inductancias parsitas internas y del cableado externo, la tensin que ve la puerta es menor que la esperada.
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT est conduciendo, la corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la tensin sube hasta prcticamente el valor de corte. Se produce una subida muy rpida de la corriente y de la tensin.
PROTECCIN CONTRA CORTOCIRCUITOS EN MONTAJES TIPO PUENTE

Generacin de retrasos
V1
Control T+
PROTECCIN CONTRA PULSOS DE CORTA DURACIN
VCC
Entrada de Control
Interr. Cerrado
Interr. Abierto
T+
Control
D+
t a)
Control T-
T-
D-
V2
b)
t t
Control
tmin
tmin
tmin
V1 V2 T+ T
a) Eliminacin de pulsos estrechos b) Alargamiento de pulsos estrechos

Si algn pulso generado por el circuito de control (apertura o cierre) es demasiado estrecho, el circuito de disparo deber evitar que dicho pulso llegue a la puerta del dispositivo por las siguientes razones: Un pulso estrecho no conseguir que el interruptor entre en conduccin o se corte totalmente por lo que las prdidas subirn innecesariamente. Muchos circuitos incluirn circuitos auxiliares, p. ej. amortiguadores, que necesitan de un tiempo mnimo para disipar la energa almacenada. Tiene el inconveniente de distorsionar ligeramente las formas de onda generadas.
tc
tc
Circuito de Control con Generacin de Tiempos Muertos Si est circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de cierre a T- para que d tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de almacenamiento de T+. Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo debiendo retrasarse el cierre de T+.
CONMUTACIN SIN SNUBBERS

Los circuitos auxiliares empleados como amortiguadores de encendido o de apagado, suponen una complejidad y un coste aadidos al circuito que deben evitarse si es posible. Es decir, no se usarn si el propio circuito garantiza que no se superarn los lmites de derivadas de la corriente y tensin mximas ni las sobretensiones inducidas en las bobinas. Dispositivos con rea de operacin segura casi cuadrada como el IGBT son buenos candidatos. Dispositivos cuya velocidad de conmutacin pueda controlarse fcilmente como el MOS y el IGBT tambin son buenos candidatos, ya que haciendo que el dispositivo conmute ms lento, se pueden controlar las derivadas de la corriente y tensin mximas y las sobretensiones inducidas en las bobinas. Al hacer que los dispositivos conmuten con tiempos de subida o bajada mayores las prdidas de conmutacin suben. Para compensar estas prdidas es necesario trabajar a frecuencias ms bajas.
INTRODUCCIN
1er tema dedicado a aspectos prcticos en el uso de Dispositivos de Potencia. Prximo tema: Circuitos de Disparo. Siguiente tema: Limitaciones Trmicas. Objetivo de este tema: No superar lmites recomendados por fabricantes (Tensiones, corrientes y sus derivadas) Evitar la destruccin de los dispositivos: Extensin de las caractersticas de los dispositivos por dificultad o imposibilidad de encontrar los dispositivos adecuados en el mercado: Conexin Serie. Conexin Paralelo. Empleo de dispositivos auxiliares para evitar que se superen los lmites de los dispositivos: Sobreintensidades. Empleo de Fusibles Sobretensiones: Redes Amortiguadoras. Limitadores de tensin.
TEMA 8. LIMITACIONES DE CORRIENTE Y TENSION

8.1. INTRODUCCIN 8.2. ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS 8.2.1. Conexin en Serie 8.2.2. Conexin en Paralelo 8.3. PROTECCIONES 8.3.1. Proteccin contra Sobreintensidades 8.3.2. Proteccin contra Sobretensiones 8.3.2.1. Proteccin con Redes RC 8.3.2.2. Proteccin con Semiconductores y Varistores de xido Metlico
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensin. Transparencia 1 de 25
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS. CONEXIN EN SERIE

Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor en el que soporten tensiones mayores que las que soporta un solo dispositivo. Optimo deberan soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos. Problema reparto desigual de las cadas de tensin entre los dos dispositivos (aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie). Ejemplo con SCR Cubre los casos de bloqueo directo e inverso.

Debido a los problemas antes mencionados, se prefiere emplear resistencias iguales que eviten un desequilibrio exagerado entre las tensiones soportadas por los dispositivos, as para el caso de dos dispositivos el efecto de conectar una resistencia igual a cada dispositivo es (slo se considera bloqueo directo, el efecto sobre el bloqueo inverso es anlogo):
IA IA SCR1 VAK2 VT SCR2 VAK1 VAK1 VAK2 VAK2 VAK1 VAK VT= VAK1+VAK2 I= IA1=IA2
Reparto de Tensiones en una Asociacin Serie de Tiristores Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2 tengan la curva caracterstica compuesta muy parecida. Problemas:
IT SCR1 VAK1 R1 VT SCR2 VAK2 R2
IA VAK2 VAK1
VAK1 VAK2 VAK

Reparto de Tensiones en una Asociacin Serie de Tiristores Restricciones: Ninguna de las tensiones andicas deber ser mayor que la mxima soportable por cada dispositivo (Ep). La tensin total mxima ser la suma de las dos tensiones nodo-ctodo, cuando la mayor de las dos alcance su valor mximo (Ep). El mayor valor posible ser cuando las dos tensiones nodo-ctodo sean iguales entre s y al valor mximo (Ep). Cuanto menor sea R ms parecidas sern las dos tensiones nodoctodo. Cuanto menor sea R tendremos ms disipacin de potencia en R, para n resistencias las prdidas totales sern:
IT SCR1 VAK1 R1
VT Si en vez de dos son un nmero SCR2 VAK2 R2
elevado es imposible ajustarlo. Al cambiar la temperatura cambian las curvas. Cada vez que se sustituya un SCR por mantenimiento hay que reajustar todas las resistencias
Pn.(Ep)2/R

I=IAmin SCR1 I=IAmax SCR2 VT=Em I=IAmax SCR3 VAK3 VAK2 VAK1= Ep=I1R I1 R

En las transiciones de cebado a bloqueo y viceversa pueden presentarse problemas debido a la diferencia de velocidad de cada dispositivo: Cebado: Si se retrasa uno de los dispositivos Soportar toda la tensin. En el caso del SCR es menos grave que en otros dispositivos, ya que la tensin cae a unos pocos voltios (Debe evitarse, porque a la larga se daar). La solucin es dar un pulso de puerta adecuado para que todos los dispositivos entren en conduccin a la vez. Debe llegar el pulso a la vez (Uso de fibras pticas, caminos iguales). Debe ser lo ms escarpado posible. Bloqueo: Si se adelanta un dispositivo Soportar toda la tensin entrando en ruptura. En el caso del SCR es ms grave que en otros dispositivos, ya que la tensin cae a unos pocos voltios y no se consigue que se bloquee. Una posible solucin es retrasar todos los SCR aadiendo una capacidad en paralelo:
I2 R
I2 R
M M
I=IAmax SCRn VAKn I2 R
RD C
Ecualizacin Esttica de una asociacin serie de SCRs (Ep ser la mxima tensin que soporta un dispositivo en bloqueo directo o inverso)
I 1 > I 2 V AK > V AK = V AK L = V AK
1 2 3
V AK1 = I1 R = E P ; Em = E p + (n 1) R I 2
Como:
RD C C
I 2 = I 1 I Amax
resulta:
n E p Em (n 1) I Amax
Se ha de repetir para bloqueo directo e inverso y elegir el menor valor que resulte para R.
Esta solucin tiene el problema de que al cebar los SCR hay unas elevadas corrientes andicas y sobre todo una elevada derivada de dicha corriente
M
Esta solucin tiene el problema de no ser capaz de retrasar los SCR el tiempo requerido.

La solucin pasa por tener un circuito con un diodo, que al cebar permita una descarga lenta del condensador a travs de RD pero al bloquear, conecte C directamente a la tensin nodo-ctodo. El circuito completo para la conexin serie de un grupo de SCRs ser por tanto:
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS. CONEXIN EN PARALELO

Al conectar en paralelo dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor en el que soporten corrientes mayores que las que soporta un solo dispositivo. ptimo deberan soportar una corriente el doble de lo que soporta cada uno de ellos. Problema reparto desigual de las corrientes entre los dos dispositivos (aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie). Ejemplo con SCR
RD
D RS C
IA IA IA1 SCR1 IA2 SCR2 VAK IA2 IA1
RD
RS C Ecualizacin Dinmica Ecualizacin Esttica
VAK
Reparto de Corrientes en una Asociacin Paralelo de Tiristores El problema se agrava cuando la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es negativa
Ecualizacin Esttica y Dinmica de un grupo de SCRs conectados en serie.

El problema se agrava cuando la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es negativa:

Si los dispositivos tienen coeficiente negativo es necesario el uso de ecualizacin, por ejemplo empleando resistencias o bobinas acopladas:
IA
IA
SCR1 SCR2 IA1

IA IA
T1 T2
T1 +T1 T2 - T 2
IA R IA1 SCR1 R VAK IA2 SCR2
IA IA1 IA1 IA2 IA2
IA1 IA2
IA1 IA2
IA2
IA1
IA
IA2
VAK
VAK VAK
a)
VAK VAK
VAK
b)
Uso de resistencias ecualizadoras. Problema: La Potencia crece con el cuadrado de la corriente No se puede usar para corrientes elevadas.
Conexin en paralelo de dos dispositivos de potencia: a) Con coeficiente de temperatura negativo y b) Con coeficiente positivo. Si por uno de los dispositivos pasa ms corriente, se calentar ms. Si sube la temperatura se desplaza la curva caracterstica esttica para disminuir su cada de tensin. Si tiene menor cada de tensin que los dems, circular una corriente an mayor. Ese incremento de corriente ocasionar un aumento de la temperatura, haciendo que el desequilibrio de corrientes sea muy grande. Si la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es positiva el efecto es justo el contrario y se equilibran las corrientes.

Conexin de tres dispositivos en paralelo Conexin de dos dispositivos en paralelo

Aunque los dispositivos tengan coeficiente de temperatura negativo, se pueden conectar si te tienen en cuenta las siguientes recomendaciones: Si se puede elegir midiendo las cadas a corriente nominal y a Temperatura constante, se puede definir una banda de voltajes por ejemplo de 50 mVoltios y escoger los que caigan dentro de la banda. Se debe cuidar especialmente el cableado (pletinas) para que sean del mismo tamao y no provoque cadas extra que ocasionen mayores desequilibrios. Se deben montar en una misma aleta, para tratar de igualar las temperaturas de las cpsulas. Se debe cuidar especialmente el circuito de disparo generando un pulso con una pendiente elevada y del valor adecuado al nmero de dispositivos conectados en paralelo. A cada dispositivo le debe llegar el pulso a la vez. Retrasos en el disparo pueden hacer que no lleguen a entrar en conduccin los SCR retrasados (por tensin nodo-ctodo muy baja), sobrecargando a los que se han adelantado. SCR Auxiliar Mdulo de Potencia
nodo
Puerta Ctodo Conexin de 2 y 3 Tiristores en Paralelo con Bobinas Ecualizadoras: Ventaja: No prdida de potencia en resistencias Desventajas: Demasiada complejidad al subir el nmero de dispositivos en paralelo: coste, peso y volumen. Conjunto de Varios Tiristores en Paralelo en un mismo Encapsulado incluyendo un SCR auxiliar para el disparo. En el encapsulado de estos mdulos, los fabricantes tienen en cuenta las recomendaciones anteriores, por lo que pueden usarse sin problemas.
PROTECCIONES.
En este tema se va a estudiar la proteccin de los dispositivos, no la proteccin de mquinas o personas (objeto de otras asignaturas). Los dispositivos debern protegerse contra: Sobreintensidades: Posibles causas: Sobrecargas. Cortocircuitos. Medidas a tomar: Al tratarse ambas causas de un mal funcionamiento, debe detenerse la operacin del dispositivo, hasta que un operador repare la causa. Fusibles. Interruptores. Sobretensiones: Posibles causas: Causas externas al circuito: Perturbaciones atmosfricas Conexiones y desconexiones de equipos en la red. Causas internas al circuito: Variaciones bruscas de corrientes por bobinas. Medidas a tomar: Al ser un funcionamiento normal del circuito, deber evitarse que se superen los lmites de tensin de cada dispositivo y sus derivadas. Por tanto, se limitar el efecto de las sobretensiones dejando el circuito en servicio. Redes RC. Dispositivos auxiliares limitadores de tensin.
PROTECCIN CONTRA SOBREINTENSIDADES

tm : Tiempo de fusin ta : Tiempo de arco tc : Tiempo de limpieza de la falta Corriente sin el fusible
Icc
Imax
Corriente sin el fusible
tm tc
ta
Efecto Limitador de Corriente en un Fusible Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en cuenta lo siguiente: 1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del dispositivo. 2. El valor de la energa permitida del fusible (i tc) debe ser menor que la del dispositivo que se pretende proteger. 3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensin una vez que se haya extinguido el arco. 4. La tensin que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensin de pico del dispositivo.
2

I(RMS)
Caracterstica del dispositivo
Rectificador
Caracterstica del fusible

F1 Red AC F2
T1
T2 Carga
T4
T3
10-2
10-1
10
t, segundos
Proteccin de un Grupo de Dispositivos Rectificador F1
Proteccin Completa con un Fusible
I(RMS)
dispositivo fusible disyuntor magntico
F2
Red AC T4 T3
disyuntor trmico 10-2 10-1 1 10 t, segundos
F4
F3
Proteccin Individual de los Dispositivos

Carga
T1
T2
PROTECCIN CONTRA DERIVADA MXIMA DE INTENSIDAD
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES
IA
Amortiguador de encendido
IA dIA /dt=VR /LS t ta tb t VAK VR t VP Sobretensin VR Carga almacenada t
LS
Ron Lon Don
IA
VAK
IA
En el encendido del SCR o GTO ser:
I A 1 = V Lon t Lon
a)
b)
c)
Sobretensin Producida al Cortar un Circuito Inductivo.: a) Circuito, b) Conmutacin con un Dispositivo Ideal, c) Conmutacin con un Dispositivo Real
Limitacin de la Derivada Mxima de la Corriente en un Dispositivo
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES. USO DE REDES RC

IA ta LS Amortiguador de apagado IA R C VAK VP VR t tb=0 t
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES. DESCONEXIN DE LA RED
Red AC
S1
Transformador
Amortiguador
Convertidor de Potencia
VAC
Lm
R C
Vo
a) Circuito Equivalente antes de la Desconexin de la Red Uso de un Circuito Amortiguador en la Conmutacin de un Dispositivo
Circuito Resonante
Lm
R C
Vo
b) Circuito Equivalente tras la Desconexin de la Red
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES. DESCONEXIN DE LA CARGA

Convertidor de Potencia Amortiguador S2 LS VS Vo Carga R
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES. SVS

SVS: Silicon Surge Voltage Supressor: Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en conduccin si se supera la tensin Lmite, protegiendo los dispositivos contra sobretensiones.
IL
C
a) Carga Conectada
Estructura, smbolo de circuito y fotografa de SVS Se conectarn en paralelo con el dispositivo o equipo que deba ser protegido, as para proteger a un SCR, se elegir un SVS de forma que teniendo en cuenta las tolerancias de fabricacin del SVS para la corriente mxima prevista por el SVS no se alcance la tensin VDRM o VRRM del SCR.
Circuito Resonante LS VS R C
b) Desconexin de la Carga
Carga
Tensiones y corrientes al conectar un SVS en paralelo con un SCR.
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES. OTROS DISPOSITIVOS: Diodos de Selenio y MOVs

Adems de los SVS, se utilizan Diodos de Selenio y MOV (Metal xido Varistor): Los Diodos de Selenio son Diodos Zener, y por tanto protegen en un solo sentido. Son bastante antiguos y con poca capacidad de disipacin de energa. Los MOV son resistencias no lineales dependientes de la tensin, de forma que a tensiones por debajo del umbral presentan una resistividad muy elevada, pero al superar su umbral tienen una resistividad mucho mas baja comportndose de forma parecida a los SVS (como dos diodos Zener en antiserie). Son dispositivos formados por un aglomerado de microgrnulos de xido de Zinc, y pequeas cantidades de otros xidos metlicos (Bismuto, Cobalto, Manganeso...). Estos grnulos forman uniones p-n en sus bordes, de forma que el conjunto es un numero elevado de uniones p-n en serie. Estos dispositivos pueden conectarse en serie o en paralelo si es necesario. Comparacin entre estos dispositivos: V. DC (V) SVS 400-3.200 MOV 60-1400 Diodo de Selenio 35-700 Carburo de Silicio 6Cpsulas de Arcos 90I. Pico (A) 135-50 350 30 2000 1700 P. Pico (kW) 65-192 200 15 4000 3.4 E. Pico (Julios) 3.5-10 20 1.5 400 0.34 Vp/Vnom
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES COMPARACIN ENTRE SVS Y MOV
<1.2 1.7 2.3 3.2 8.2
PROTECCIN CONTRA SOBRETENSIONES

Dispositivo a Proteger
SVS MOV R C
Uso conjunto de varistores y redes RC para proteger a un dispositivo o equipo.
INTRODUCCIN
El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo). Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80 aparecen los primeros GTOs. Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K) PUERTA (G)
TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR PUERTA

7.1. INTRODUCCIN 7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO 7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO 7.4. CONMUTACIN DEL GTO 7.4.1. Encendido del GTO 7.4.2. Apagado del GTO 7.5. MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE POR CORRIENTE DE PUERTA 7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA PUERTA. 7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT. 7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT 7.7. COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA. 7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA
VGK<0
Unin Catdica n+ n+ Capa Catdica
p
Unin de Control Unin Andica p+
Capa de Control
n-
Capa de Bloqueo Capa Andica NODO (A)
Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente saliente por la puerta. Aparece una focalizacin de la corriente ando-ctodo hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica, manteniendo al SCR en conduccin.
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 1 de 23
ESTRUCTURA DEL GTO

Ctodo
CARACTERSTICA ESTTICA DEL GTO
iA
Puerta
n+ p
Puerta
n+
Puerta
BV2030 V
VAK
np+ n+ p+ n+ p+
nodo
nodo
Seccin de un GTO: Las principales diferencias con el SCR son: Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas, minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y aumentando el permetro de las regiones de puerta. Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las regiones catdicas. Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas: Acelerar el apagado Tensin inversa de ruptura muy baja
nodo
Puerta Ctodo
Puerta Ctodo
Caracterstica esttica y smbolos de GTOs
FUNCIONAMIENTO DEL GTO

A p1 n1 J2 G p2 n2 K J3 G p1 n1 J2 p2 n1 J2 p2 n2 K J3 G IG IB2 A IA = IE1 T1 IC1 T2 IK = -IE2 K A IB1 IC2
FUNCIONAMIENTO DEL GTO

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser
off =
J1
J1
2 1 + 2 1 lo mayor posible, para ello
debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible). 2 1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) est muy dopado. Estas condiciones son las normales en los SCR. 1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera condicin es normal en SCRs de alta tensin, la segunda no, porque ocasiona un aumento de las prdidas en conduccin. Para conseguir una buena ganancia off ser necesario asumir unas prdidas en conduccin algo mayores. Los cortocircuitos andicos evitan estas prdidas extras, al quitar corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que disminuir la vida media. Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo pueden eliminarse por recombinacin al no poder difundirse hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los cortocircuitos andicos aceleran la conmutacin de T1 al poder extraerlos (a costa de no soportar tensin inversa).
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que en el SCR normal. Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una corriente de puerta negativa:
IB2=1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-1) IA

La no saturacin de T2 IB2< IC2 /2 dnde 2= 2 sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos:
/(1-2)
I B2 <
I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 ) = I A; 2 2
< I B2 = 1 I A I G
(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,
luego:
IG >
dnde off es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendr expresada por:
IA off
off =
2 1 +2 1
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

GTO Conduciendo GTO Bloqueado
CIRCUITO DE EXCITACIN DE PUERTA DEL GTO
IG
dIG /dt
IGM IGON
GM
Se necesita una fuente de tensin con toma media. Formas de Onda de la Corriente de Puerta a) Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese que si slo entra en conduccin una parte bajar la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en conduccin. b) Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente. (Tiene menos ganancia que el SCR). c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/off muy grande, ya que off es del orden de 5 a 10. d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que pudiera entrar en conduccin espordicamente.
-
CONMUTACIN DEL GTO

AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:
CONMUTACIN DEL GTO. ENCENDIDO POR CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA
+
Df
Carga + DLC Io
Limita la velocidad de subida de la corriente andica en el encendido, evitando que IA alcance valores muy altos cuando an no puede circular por todo el cristal (podra subir mucho debido a la recuperacin inversa de Df )
IG / t, Limitada por las inductancias parsitas IG IGM I GON t I A : Sin amortiguador de encendido IA td IAmax : Limitada por el amortiguador de encendido t V AK
Turn-on snubber Lon Lon
AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la tensin andica en el apagado, las evitando que al subir VAK corrientes por las capacidades de las uniones lo ceben de nuevo
Don
DS
Turn-off snubber
L LS Inductancia parsita de las conexiones
GTO
CS
Formas de Onda en el Encendido del GTO
Circuito para el Estudio de la Conmutacin del GTO: Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a estudiar la conmutacin del GTO sobre este circuito completo.
CONMUTACIN DEL GTO. APAGADO POR CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA

IG IGON t
MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO Ctodo
+ Puerta n
Puerta
n+
Puerta
IA
ts
tcola
nVAK Resonancia de Cs y L (Prdidas) t

Formas de Onda en el Apagado del GTO
Focalizacin de la IA debido al potencial lateral Aumento de la resistividad
Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos mas alejados de las metalizaciones de puerta. Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin. Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK. Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-Ctodo. Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA: IGCT
FUNCIONAMIENTO DEL IGCT
GTO y Diodo de la misma tensin de ruptura. Para integrarlos en la misma oblea, hay que hacer el diodo ms ancho Ms prdidas
IGCT y Diodo de la misma tensin de ruptura. Se integran sin problemas. Se suprimen los cortocircuitos andicos, se sustituyen por una capa andica transparente a los electrones (emisor del transistor pnp muy poco eficaz 1 muy pequea. Esto permite hacer un dispositivo PT ms estrecho con menores prdidas en conduccin. Se mejora el diseo de la puerta (muy baja inductancia) 4.000 Amp/s (con una tensin Puerta-Ctodo de slo 20V). Apagado muy rpido menores prdidas en conmutacin.
En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catdica a la puerta rpidamente, de forma que la unin catdica queda casi instantneamente polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del transistor npn No es necesario un amortiguador de apagado. La ganancia de puerta ser 1 ya que toda la corriente andica se transfiere a la puerta.
ZONA DE OPERACIN SEGURA DEL IGCT
MODULO CON UN IGCT
4.500V, 3.600Amp. Dimetro Oblea: 120 mm
Ejemplo de zona de operacin Segura de un IGCT. (Anloga a la de un BJT)
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT

Conductor
A
COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA
G Doff n
Soff
+ +
G n+ p n pn+ K K Son p G
off-FET
A Doff Son G Soff Don

on-FET
a)
b)
(a) Seccin Transversal del p-MCT. (b) Circuito Equivalente

A A
Comparacin de la cada de tensin en conduccin.
MOS
G G
IGBT
SCR
GTO
Fcil de controlar Velocidad Bajo coste (V<150V) Salida lineal Alto coste/kVA (V>300V)
rea de silicio rea de silicio Muy alta /kVA tensin /kVA Tensiones y rea de silicio Fcil de corrientes /kVA controlar No Snubber muy altas Cada en conduccin fmax 50kHz No se apaga Circuito de desde la puerta puerta Prdidas en Conmutacin Snubbers
Smbolos del MCT: a) p-MCT
b)
Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para encenderlo y otro para apagarlo) Estructura compleja, con muchos requerimientos contradictorios.
Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de fabricacin mayor costo).
COMPARACIN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS
Evolucin de la mxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB) IMAX (kA) 7 6 5 4 3 2 1 1 2 3 4 5 6 7 VMAX (kV) IGBT Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios). Existen comercialmente (Infineon). GTO
1 log(f) (kHz) 100 50 10 5 20 3
MOS
Mximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS, IGBT y GTO
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 19 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 20 de 23
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT

Injection Enhanced Gate Thyristor: IEGT La razn por la que la cada en conduccin de un SCR o GTO es menor que en el IGBT radica en la doble inyeccin de portadores (desde el ctodo y desde el nodo). En el IGBT la inyeccin desde la fuente es muy limitada. En el IEGT, se consigue que la capa de fuente tenga una eficiencia muy alta (optimizando los perfiles de los dopados)
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT
Seccin de una celdilla elemental
Fuente
Seccin de una celdilla elemental Puerta
Fuente
Puerta
SiO 2
SiO 2
xido de puerta
n
+
xido de puerta
n+ canal n+ p n
+
n+ canal
n+ p
(sustrato)
(sustrato)
n
Regin de arrastre del Drenador
Regin de arrastre del n+
Drenador
n+
Capa de Almacenamiento Capa de Inyeccin
Capa de Almacenamiento Capa de Inyeccin
p+ (oblea)
Drenador
p+ (oblea)
Drenador
a) IGBT
b)HiGT (Hitachi)
La cada en conduccin puede ser comparable a la del GTO para los dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp. En investigacin (Toshiba) Existen variantes (HiGT Hitachi)
El efecto es parecido al obtenido en el IEGT.
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS CONSOLIDADOS
Comparacin de la cada en conduccin de dispositivos nuevos y consolidados
INTRODUCCIN
Seccin de una celdilla elemental Fuente Puerta
TEMA 6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

6.1. INTRODUCCIN 6.2. TECNOLOGAS DE FABRICACIN Y CURVA CARACTERSTICA I-V 6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT 6.3.1. Estado de Bloqueo 6.3.2. Estado de Conduccin 6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) 6.4.1. Efecto del Latch up 6.4.2. Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up 6.5. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN 6.5.1. Encendido 6.5.2. Apagado 6.6. REA DE OPERACIN SEGURA 6.7. CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT
SiO2
xido de puerta
n+ p n+ n+ canal n+ p 1019 cm-3 1016 cm-3
(sustrato)
n-
L
101415 cm-3
RD
WD
iD n+
iD 1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Transistor D-MOS En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS): Para un dopado Nd, la mxima tensin de ruptura es: BVDSS
5 La zona de deplexin tiene un espesor: WD 1 10 BVDSS
1.3 1017 ND
(cm)
La resistividad especfica es: RD A 3 10
BV
2.5 2.7 DSS
( cm 2 )
Grficamente:
log(cm2)
BVDSS
Tema 6. IGBT Transparencia 1 de 20
INTRODUCCIN
TECNOLOGAS DE FABRICACIN
Aparece en dcada de los 80 Entrada como MOS, Salida como BJT Velocidad intermedia (MOS-BJT) Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp) Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n mas ancha y menos dopada) Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT Tiristor parsito no deseado Existen versiones canal n y canal p
SiO2
xido de puerta
n+ p n+ n+ canal n+ p 1019 cm-3 1016 cm-3
(sustrato)
n-
L
101415 cm-3
RD
WD
iD n+
iD 1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Transistor D-MOS En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendr un valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande. La cada en conduccin ser: iDRON Donde RON ser la suma de las resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo la de canal). Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal.
SiO2 xido de puerta
Transistor n-MOS
n+ p
n+
n+ canal
n+ p
(sustrato) L
n
-
Regin de arrastre del Drenador Slo en PT-IGBT
WD
iD n+ p+
RD
iD
1/RON
iD
iD
Capa de almacenamiento Oblea Capa de inyeccin
Drenador
VDS
a) MOS de alta tensin b) MOS de baja tensin
VDS
Transistor IGBT
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. TRANSISTOR EN TRINCHERA (TRENCHED)

S G SiO2 G S
TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLOS

ID
Saturacin Avalancha
n+
n+
n+ p
n+
VGS
Canal n-epitaxial n -epitaxial

+
VRRM, Muy bajo si es un PT-IGBT
Corte VDSon, Menor si es un PT-IGBT Corte BVDSS
VDS
Avalancha
p+-sustrato
Curva Caracterstica Esttica de un Transistor IGBT de Canal n

C iC iD D
Transistores IGBT de potencia modernos: Transistores en Trinchera

G VGE VCE G E VGS S VDS
Microfotografa de una seccin de la puerta de un transistor IGBT tipo Trenched
a)
b)
Representacin Simblica del Transistor IGBT. a) Como BJT, b) Como MOSFET
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

El comportamiento cortado es anlogo al MOS cortado. En conduccin ser:
G S Rarrastre n+ p nn+ p+ n+
G S n+ p Rdispersin Rarrastre n+ p+ nn+
D D
Seccin Vertical de un IGBT. Caminos de Circulacin de la Corriente en Estado de Conduccin Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la Estructura del IGBT
Rarrastre Varrastre G ID Rcanal
D J1
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.

Rarrastre Varrastre G ID Rcanal IC 0.1 ID D J1
G S n+ p n+ Rdispersin n n+ p+ D
Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la Estructura del IGBT
-
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
Comparacin VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre Vj1=0.71Volt. Rcanal =Rcanal (MOS) Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS) + Debido a la inyeccin de huecos desde p Esta resistencia es menor an si es PT-IGBT, ya que para soportar la misma tensin puede ser casi la mitad de ancha. (adems en los PT-IGBT la tensin VJ1 es menor al estar ms dopadas las capas que forman la unin) La cada total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V para 1.200 Voltios) En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios
J1 J2
J3 Resistencia de dispersin del sustrato
Circuito Equivalente del IGBT que Contempla el Tiristor Parsito
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
Si VJ3>V el transistor npn entra en conduccin y activa el SCR. Prdida de control desde puerta =latch-up esttico (ID>IDmax). Si se corta muy rpido, el MOS es mucho ms rpido que el BJT y aumenta la fraccin de la corriente que circula por el colector del p-BJT, esto aumenta momentneamente VJ3, haciendo conducir el SCR. latch-up dinmico. Debe evitarse porque se pierde el control del dispositivo desde la puerta
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP). Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up
G S
p, 1016 n+ p+,1019 n+ p, 1016
J1 J2 J3
VJ3<V
nn+ p+
Entrada en conduccin del SCR parsito Mtodos para evitar el Latch-up en IGBTs: A) El usuario: A.1) Limitar ID mxima al valor recomendado por el fabricante. A.2) Limitar la variacin de VGS mxima al valor recomendado por el fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo). B) El fabricante: En general intentar disminuir la resistencia de dispersin de sustrato del dispositivo: B.1) Hacer L lo menor posible B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.
D
Tcnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificacin del Dopado y Profundidad del Sustrato
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) . Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up
G S p+ p nn+ p
+
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:
VGS(t) VT -VGG
n+
iD(t)
td(off)
Corriente de cola trv tfi1 tfi2
VDS(t)
VD
D
Tcnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de bypass de la Corriente de Huecos Es un procedimiento muy eficaz. Disminuye la transconductancia del dispositivo. Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd) La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base (huecos en la regin n-). Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento. La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico. Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. Es necesario un compromiso. En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la ncon una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la corriente.
Tema 6. IGBT Transparencia 13 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 14 de 20
REA DE OPERACIN SEGURA

iD
CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT

IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. La tensin VDS apenas vara con la temperatura Se pueden conectar en paralelo fcilmente Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
10-6s
DC
10-5s 10-4s
a) iD
VDS
1000V/ s 2000V/ s 3000V/s
b)
VDS
rea de Operacin Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA) IDmax , es la mxima corriente que no provoca latch up. VDSmax , es la tensin de ruptura de la unin B-C del transistor bipolar. Limitado trmicamente para corriente continua y pulsos duraderos. La RBSOA se limita por la VDS/t en el momento del corte para evitar el latch-up dinmico

VDS ID creciente Tj constante

Cgd D
Cds
a)
VGS
Cgs S
Las capacidades que aparecen en los catlogos suelen ser: Cre o Cmiller : es la Cgd. Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida manteniendo VDS a tensin constante). Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida manteniendo VGS a tensin constante).
105 pF
ID Tj=25C Tj=125C Anlogo al transistor MOS Anlogo al transistor BJT
VDS/ t=0
VDS/ t>0 VDS/ t<0

b)
Ci
104 pF
VDS
Efecto de la tensin VDS sobre las capacidades medidas en un transistor IGBT.
Co
103 pF
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin (Prdidas en conduccin). Uso de VGS mximo (normalmente=15V). b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en conduccin respecto a la temperatura. Derivadas positivas permiten conexin en paralelo. Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la cada de potencial (suben menos las prdidas). En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del lmite (siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de derivada positiva.
Cre
Puede observarse que cuando est cortado son mucho menores que cuando est conduciendo
102 pF 0.1 V
1V
10 V
100 V
VDS (V)
Mdulo Semipuente 1200V, 400Amp
Mdulo con 7 IGBTs encapsulados.1200V, 75Amp 105x45x18mm
INTRODUCCIN. Estructura Bsica del SCR

nodo
TEMA 5. EL TIRISTOR
5.1. INTRODUCCIN 5.1.1. Estructura Bsica. 5.1.2. Caracterstica Esttica 5.2. FUNCIONAMIENTO DEL SCR. 5.2.1. Polarizacin Inversa 5.2.2. Polarizacin Directa 5.2.3. Mecanismo de Cebado 5.2.4. Mecanismo de Bloqueo. 5.3. RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU CIRCUITO EXTERNO 5.4. CARACTERSTICAS DINMICAS 5.4.1. Encendido del SCR 5.4.2. Bloqueo Dinmico del SCR 5.5. FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR 5.6. TRIAC 5.6.1. Constitucin y Funcionamiento 5.6.2. Caracterstica Esttica
VAK Puerta Ctodo Puerta
VAK>0
VAK<0
Smbolo y circuitos equivalentes del Tiristor SCR

CTODO (K) PUERTA (G)
n+ Unin Catdica
n+ p
n+ Capa Catdica
1019,10 1017 imp/cm3, 30100 101351014, 501000
Capa de Control
BJT
Unin de Control Unin Andica p+ n
-
Capa de Bloqueo
Capa Andica
10171019, 3050
NODO (A)
Seccin Longitudinal de un SCR
Tema 5. SCR Transparencia 1 de 15
INTRODUCCIN. Estructura Bsica del SCR
INTRODUCCIN. Caracterstica Esttica del SCR

IA Conduccin IG2 > IG1
Puerta
Ctodo
IG=0 Bloqueo Directo
n+
n+ nn
+
n+
n+
IH VRWM IB0 VH Bloqueo Inverso VB02 < VB01 < VB0
VAK
p+ nodo
Seccin de un SCR para potencias muy elevadas
Ruptura
Caracterstica Esttica del SCR
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarizacin Inversa

A
+
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarizacin Directa

A
A p
+
Unin Inversamente Polarizada
RC
VAK
G K
VCC
VCC nRC
nodo Puerta Ctodo

VAK
RC + VCC nVCC RC Unin Inversamente Polarizada VCC G p h+ h+ e- e- e-
VCC p G RG n
+
RG VGG
n VGG
SCR polarizado Inversamente
SCR polarizado Directamente
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Mecanismo de Cebado

A p1 n1 J2 G p2 n2 K J3 G p1 n1 J2 p2 n1 J2 p2 n2 K J3 G IG IB2 A IA = IE1 T1 IC1 T2 IK = -IE2 K A IB1 IC2
RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU CIRCUITO EXTERNO

IA VAK VS R
J1
J1
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente Para el transistor pnp: Y para el transistor npn: Como:
I C1 = 1 I E1 I CO1
IH
t
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g)
I C 2 = 2 I E 2 + I CO 2
IK = IE 2 = I A + IG
I A = I E1
Sustituyendo (c) y (d) en (a) y (b) respectivamente, se obtiene:
I C1 = 1 I A I CO1 I C 2 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
VAKon
Teniendo en cuenta que la suma de corrientes en T1 es cero, se obtiene:
I A + I C1 = I C 2
Y, sustituyendo I C1 e I C 2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas expresiones (e) y (f), se obtiene:
Circuito Simple de SCR con Bloqueo Esttico. Frecuencias Bajas
I A 1 I A I CO1 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
(h)
Finalmente, se despeja I A en (h) y se obtiene:
IA =
I G 1 + I CO1 + I CO 2 1 1 2

T1
L1 VS L2 IL T2
Circuito Rectificador con Bloqueo Dinmico
Formas de Onda del Circuito con Bloqueo Dinmico

Tema 5. SCR Transparencia 9 de 15 Tema 5. SCR Transparencia 10 de 15
CARACTERSTICAS DINMICAS
IG
FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR

1. Corriente de Puerta. t 2. Elevada tensin nodo-Ctodo (VAK>VDWM). Ruptura 3. Aplicacin de tensin nodo-Ctodo positiva antes de que el proceso de bloqueo haya terminado (t<tq)
IA1 0.9IF 0.1IF 0.25Irr td VAK1 tr Irr trr t
4. Elevada derivada de la tensin nodo-Ctodo Los fabricantes definen un valor mximo VAK VFRM
dV AK dt max
td >tq
dVF < max dt
t Uso de redes RC (Snubbers) 5. Temperatura elevada Normalmente no ocurre, aunque si se produce una combinacin de varias causas, podra provocarse la entrada en conduccin 6. Radiacin luminosa Slo se ocurre en los dispositivos especialmente construidos para funcionar de esta forma (LASCR)
tps
Curvas de Tensin y Corriente del SCR durante la Conmutacin
TRIAC. Constitucin y Funcionamiento

nodo nodo / T1 Puerta Puerta Ctodo / T2 Ctodo VAK
TRIAC. Caracterstica Esttica

iT
VBD
Combinacin de dos SCR para formar un TRIAC. Smbolo del TRIAC T1 VBD
VT1T2
P1 J1 N1
N4
Caracterstica Esttica del TRIAC

G
iG
J2 P2 G N3 N2
T2
vG
T2 Estructura Interna del TRIAC
Caracterstica de Puerta de un TRIAC Caractersticas generales del TRIAC: Estructura compleja (6 capas). Baja velocidad y poca potencia. Uso como interruptor esttico.
RESUMEN DE LAS CARACTERISTICAS DEL SCR

Caractersticas mas destacadas del SCR: Estructura de cuatro capas p-n alternadas. Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado. Inversamente polarizado estar bloqueado. Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico y dispositivo capaz de soportar I>4000Amp. (Von24Volt.) V>7000Volt. Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo desde la puerta (s GTO tema 7). El circuito de potencia debe bajar la corriente andica por debajo de la de mantenimiento. Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida media de los portadores larga) para conseguir una cada en conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red. La derivada de la corriente andica respecto al tiempo en el momento del cebado debe limitarse para dar tiempo a la expansin del plasma en todo el cristal evitando la focalizacin de la corriente. La derivada de la tensin nodo ctodo al reaplicar tensin positiva debe limitarse para evitar que vuelva cebarse. Tambin se debe esperar un tiempo mnimo para reaplicar tensin positiva.
INTRODUCCIN. Transistor de Efecto de Campo de Seal

Puerta (G) Contacto metlico Drenador (D)
Fuente (S)
TEMA 4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA

4.1. INTRODUCCIN 4.1.1. Transistor de Efecto de Campo de Seal 4.2. TECNOLOGAS DE FABRICACIN 4.2.1. Transistor VMOS 4.2.2. Transistor D-MOS 4.2.3. Transistor Trenched-MOS 4.2.4. Evolucin del Transistor MOS 4.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA 4.4. DIODO EN ANTIPARALELO 4.4.1. Conmutacin en una Rama de un Puente 4.5. CARACTERSTICAS ESTTICAS, DINMICAS Y TRMICAS 4.6. REA DE OPERACIN SEGURA
SiO2 SiO2 n+ Canal inducido n n+ SiO2
Sustrato p
Sustrato (B) Transistor de Seal MOSFET de Enriquecimiento, Canal n
Tema 4. MOS. Transparencia 1 de 18
INTRODUCCIN. Transistor de Efecto de Campo de Seal

iD D iD VGS Ohmica Saturacin Ruptura
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. Transistor VMOS (Siliconix-1976)
S n+ ep
S n+ p
G S
VDS
e-
VGS
Canal
Corte
a) Smbolo
b) Curva Caracterstica Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento
VBV VBD
VDS
Zonas de funcionamiento del transistor MOS: Zona de corte, VGS<VT , iD0 ; el transistor se considera un interruptor abierto. Zona de saturacin, VGS- VT <VDS, iDconstante (independiente de VDS): k W 2 i D = (VGS VT ) , el lmite de esta zona con la siguiente, se obtiene al 2 L k W 2 sustituir VGS- VT =VDS , en la frmula anterior, es decir: i D = (V DS ) , 2 L (=parbola)
2 VDS W , en esta ( ) V V V Zona hmica, VGS- VT >VDS, i D = k GS T DS 2 L zona el transistor se considera un interruptor cerrado, con una resistencia (para valores muy pequeos de VDS): 1 RDS ( ON ) = . W k (VGS VT ) L
n+
D Primeros transistores MOS de potencia: Transistor en V. Deriv rpidamente a U-MOS.
Zona de ruptura, VDS > VBD.
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. Transistor DMOS

TECNOLOGAS DE FABRICACIN. Transistor Trenched-MOS

S G SiO2 S G
n+
n+ p
n+
n+
SiO2 xido de puerta n+ p (sustrato) n

-
n+
n+
canal
n+ p
1019 cm-3 1016 cm-3

Canal
10 1015 cm-3
14
n-epitaxial
n+ (oblea)
iD
iD
1019 cm-3
n+-oblea
Drenador
Seccin de un Transistor DMOS de Enriquecimiento Canal n
Transistores MOS de potencia modernos: Transistores con Trinchera
TECNOLOGAS DE FABRICACIN. Evolucin del Transistor MOS
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS

VGS1 tomos aceptores ionizados electrones libres
n+ lmite de la zona de deplexin
p n
-
a) Para valores bajos de VGS y VDS

VGS2
Evolucin en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir de DMOS hasta los transistores con trinchera.
n+ lmite de la zona de deplexin
p n
-
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)

VGS3

VGS 3
n+ lmite de la zona de inversin lmite de la zona de deplexin p n

-
n+
lmite de la zona de inversin lmite de la zona de deplexin
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
n+ lmite de la zona de inversin lmite de la zona de deplexin

-
p n
d) Para valores mayores de VDS (VGS4 > VT)
DIODO EN ANTIPARALELO
S n+ E G
DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutacin en una Rama de un Puente

T1 D1 IDiodo IL Carga inductiva VDD
B p nC
T2
D
D2 IDrenador VDD
B E S
Transistor Bipolar asociado al Transistor MOS
El transistor MOS con el Diodo en Antiparalelo Conmutando una Carga Inductiva en una rama de un Puente.

DA
DB
Diodos Rpidos Aadidos al Transistor
La velocidad de subida o bajada de la tensin VGS se controla fcilmente con el valor de la resistencia de la fuente de excitacin de puerta.
Efecto de las Capacidades Parsitas en la Tensin de Puerta

Carga CGD D Transistor MOS Vcom
Efecto de las Capacidades Parsitas en la Tensin de Puerta
RG VG =0V
G CGS S
CDS
Cambio de tensin debido a la conmutacin de otro dispositivo
Transistor cortado
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta con distintos valores de RG .
RG =200
El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar variaciones importantes en la tensin de puerta debido al acoplamiento capacitivo CGD CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas: a) Se supere la tensin mxima que el xido puede soportar. b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca. Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitir a la puerta, con lo que si se supera la tensin umbral, el MOS entra en conduccin.
En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos se notar este efecto. Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta, porque cualquier inductancia parsita presente dar una impedancia equivalente muy alta ante cambios bruscos.
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta con distintos valores de RG .
VGS
VDS
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitir igualmente a la puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con peligro de superar la tensin mxima del xido.
Vcom
ID
RG =2000
Esto tiene el efecto de que baje la tensin VDS con lo que el efecto se compensa, cortndose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes prdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
RG =20
CARACTERSTICAS ESTTICAS, DINMICAS Y TRMICAS

RD =10 D Ro =50 G Vi =10V V1 V CGS GS S iD VDD =100V
REA DE OPERACIN SEGURA

T, para ondas cuadradas con D=1% Lmite debido a RDS IDM=10A ID=5A 10s 0.1ms 1ms 10ms
SOA (DC)
Lmite de potencia a Tc=25C 0.1A 10V
100ms
a) Circuito Empleado V1
10V 0 Velocidades de subida y bajada reguladas por RG t Umbral de conduccin Umbral de corte
ID
DC
BVDSS=500V
VDS
VGS
10V 0
Zona de Operacin Segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logartmica)
ID es funcin del rea del transistor IC depende de min
iD
9.85A 90% 0 10% tr tf
IC
SOA (DC)
VDS
100V 1.5V 0
Lmite de potencia a Tc=25C
Avalancha secundaria del BJT
Comparacin entre las Zonas de Operacin Segura de dos transistores MOSFET y BJT de Potencia construidos para las mismas tensiones mximas y de secciones anlogas.
BVDSS o BVCE
VDS
1000A
P=iDVDS
0 t
b) Formas de Onda Resultantes Caractersticas Dinmicas del Transistor MOSFET
Ntese que los lmites de corrientes y tensiones de dispositivos de mayores potencias que pueden encontrarse en el mercado son aproximadamente:
100A
SOA BJT SOA MOS
1000V 1500V
INTRODUCCIN. Caractersticas Generales del BJT

El inters actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia con caractersticas muy superiores. Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en la actualidad.
TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

3.1. 3.2. 3.3. INTRODUCCIN CONSTITUCIN DEL BJT FUNCIONAMIENTO DEL BJT
Saturacin
Cuasi-Saturacin 1/Rd Ruptura Secundaria Ruptura Primaria Activa Corte B IB IE
C IC
IC(A)
3.3.1. Zona Activa 3.3.2. Zona de Cuasi-Saturacin 3.3.3. Zona de Saturacin 3.3.4. Ganancia 3.4. 3.5. 3.6. 3.7. 3.8. 3.9. TRANSISTOR DARLINGTON EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN EXCITACIN DEL BJT CONSIDERACIONES TRMICAS AVALANCHA SECUNDARIA
b)
E 0 BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN. Valores mximos de VCE : BVCB0>BVCE0>BVSUS BVSUS : Continua. BVCE0 : Para IB=0 BVCB0 : Para IE=0 Definicin de Corte: de IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ; se deduce:
IC =
1 IB + IC0 1 1
1 I C 0 10 I C 0 1
Posibles definiciones de corte: a) I B = 0 I C =
I E = 0I C = I C 0
ZONA DE OPERACIN SEGURA (SOA)
Por tanto se considera el transistor cortado cuando se aplica una tensin VBE ligeramente negativa IB = -IC = -IC0
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 2 de 17
CONSTITUCIN DEL BJT

E n+ B p n+ C Transistor Tipo Meseta (en desuso) La anchura de la base y su dopado sern lo menores posibles para conseguir una ganancia lo mayor posible (baja recombinacin de los electrones que atraviesan la base). Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un dopado pequeo. El problema surge cuando el dopado es pequeo, pues para alojar la zona de deplexin la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso. Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia tpica de corriente entre 5 y 10. (muy baja). B
CONSTITUCIN DEL BJT
B WE=10m WB=520m Zona de expansin 50200m

WC=250m
E
+ 1019 cm-3 n
1016 cm-3 1014 cm-3
p n-
1019 cm-3
n+
C
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Tpico Ventajas de la estructura vertical: Maximiza el rea atravesada por la corriente: Minimiza resistividad de las capas Minimiza prdidas en conduccin Minimiza la resistencia trmica. En la prctica, los transistores bipolares de potencia no se construyen como se ve en esta figura, sino que se construyen en forma de pequeas celdillas como la representada, conectadas en paralelo.
Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen empleando una estructura vertical y en forma de pequeas celdillas en paralelo.
CONSTITUCIN DEL BJT

Base Emisor
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa R nCarga (Exceso de electrones en la Base) Unin Colector-Base (inversamente polarizada) C
Vbb B E
p
Vcc p
n+
nn+ Colector
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo NPN Ventajas de la estructura multiemisor: Reduce la focalizacin de la corriente debida al potencial de la base causante de la avalancha secundaria. Reduce el valor de RB (disminuye prdidas y aumenta la frecuencia fT ).
Distribucin de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia tpico en activa.
Activa Zona Activa: VCE Elevada
n+
n+
n+
n+
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturacin
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturacin
Vbb B E n
+
Vcc p
R nCarga (Exceso de electrones en la Base) n+ C

E n
+
Vbb B p
Vcc
R nn+ Carga en exceso Q2 C
CuasiSaturacin
Saturacin
Q1 Base Virtual
Base Virtual
Distribucin de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia tpico, en Cuasi-Saturacin. Cuasi-Saturacin: En activa al subir IB, IC VCE (=VCC - ICR ). Simultneamente: VjCB (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa de expansin. El lmite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ). Si VjCB>0 (Unin directamente polarizada): Habr inyeccin de huecos desde p a n- (Recombinacin con electrones procedentes del emisor en n-) Desplaz. a la derecha de la unin efectiva: Rd Disminuye Aumento del ancho efectivo de la base. Disminuye
Distribucin de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia tpico, en saturacin.
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia
TRANSISTOR DARLINGTON
log( )
max min garantizada por el fabricante

VCE-Saturacin
Base
n+
IeTA
Emisor
n+
TB Ib
TA Ib
SiO2
IcTA
nn+ Colector
IcTB
ICmax /10
ICmax
log(IC)
Variacin de en Funcin de IC
Colector Base
TA D1 Emisor TB
D2
=BA+B+A
Estructura de un Par Darlington Monoltico Montaje Darlington para Grandes Corrientes.
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
Colector Vcc
ZL IC
Colector Vcc
ZL
Interruptor BJT conmutando una Carga Inductiva
IC
Base IB
VBE
VCE
Base IB
VBE
IC
Interruptor BJT conmutando una Carga Inductiva
VCE
IL IC IB IBon
dI B dt
IBon IB IBoff t
IBoff VBE
t
VCE VBE t t=0 tdon tri tfv1 tfv2
VCE t=0 ts trv1 trv2 tfi
Proceso de conmutacin: Saturacin
Proceso de conmutacin: Corte
EXCITACIN DEL BJT

Aislamiento galvnico entre circuitos de control y potencia
IC
1 2 3
4 Potencia disipada muy baja
Potencia disipada muy alta
VCC
Amplificador Acoplamiento Cb BJT de potencia
Fotoacoplador
Seal digital de control Tierra digital
VCE
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutacin
IC IB IBon 1
dI B dt
Tierra de potencia -VCC
IL 3 4 5 6 IB IBoff IBoff t VCE VBE
IC 6 5
Circuito Tpico de Excitacin de Base para BJTs de Potencia

IBon 4 1 t
VBE
VCE t=0 ts trv1 trv2 tfi
t t=0 tdon tri tfv1 tfv2
CONSIDERACIONES TRMICAS
VBE Vcc Vcontrol VBE t IC VCE td tr tf 90% 10% ts t IB VBE Pd t RC IC VCE
AVALANCHA SECUNDARIA
Cada de tensin Concentracin de corriente B B Cada de tensin E B + ee-
Vcc
Las prdidas en corte suelen despreciarse al ser la corriente muy baja. Las prdidas conduccin pueden aproximadas por: en ser
B +
p
e-
n+
e-
e-
p
e-
n+
+
T Pon = I c VCEsat ON T
n
T=1/f t
n
C C
Las prdidas en conmutacin pueden estimarse suponiendo que la corriente y la tensin siguen una lnea recta durante la conmutacin:
a) b) Concentracin o Focalizacin de Corriente en un BJT. a) En la Conmutacin a Saturacin (IB >0) y b) en la Conmutacin a Corte (IB <0)
dWr = VCE I c dt + VBE I B dt VCE I c dt = (Vcc Rc I cmax
Rc Icmax = Vcc VCEsat Vcc (VCE Saturacion

Wr = Vcc Icmax (1
0 tr
t t ) I cmax dt tr tr t t 0 ) dWr = Vcc Icmax (1 ) dt tr tr
t t 1 ) dt = Vcc Icmax tr ; tr tr 6
1 Vcc Icmax (t r + t f ) ; 6
anlogamente se hace para Wf : Wcom = Wr + Wf =
La potencia media disipada en el perodo T ser por tanto:
Pcom =
Wcom 1 = Vcc I c max f (tr + t f ) T 6
ZONA DE OPERACIN SEGURA
IC ICM f1 dc f3 f2
Lmite trmico
Avalancha Secundaria
VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC ICM
VBEoff <0 VBEoff =0
VCE0 VCB0 VCE

b) RBSOA (Trancisiones de menos de 1 s) Zonas de Operacin Segura del Transistor Bipolar
TEMA 2. DIODO DE POTENCIA.

2.1. INTRODUCCIN. 2.1.1. Fsica de semiconductores. 2.1.2. Unin p-n. 2.2. ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA. 2.3. POLARIZACIN INVERSA. 2.3.1. Tcnicas para elevar la tensin VRRM 2.3.1.1. Biselado 2.3.1.2. Anillos de guarda 2.3.2. Caractersticas de Catalogo 2.4. POLARIZACIN DIRECTA. 2.5. CARACTERSTICAS DINMICAS. 2.6. PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS. 2.7. DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA.
INTRODUCCIN. Fsica de Semiconductores

ni
qE G 0 kT
Concentracin Intrnseca:
n = A0 T e
2 i 3
Para T=300K, ni=1.5 1010 elect./cm3
Concentracin de Portadores Minoritarios:
p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a
En un cristal tipo p: Material n Material p
Minoritarios Mayoritarios
p0 n0
ni2 Nd ni2 Na
n0 N d p0 N a
n0
ni2 p Na Na y 0
Recombinacin de Portadores Minoritarios:
El valor de es muy importante para conocer la velocidad de conmutacin de un dispositivo bipolar y sus prdidas en conduccin. sube con la Temperatura y con las concentraciones de portadores muy altas (n>nb 1017, Recombinacin de Auger). Control de centros de recombinacin: a) Impurezas de oro b) Radiacin con electrones (varios MeV)
d (n) n = dt
Tiempo (s)
Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 1 de 14
INTRODUCCIN. Unin p-n

D Ron La anchura de la capa de deplexin es: 2 c (N A + N D ) W0 = qN A N D Donde c es el potencial de contacto de la unin p-n: kT N A N D c = ln 2 q ni Grficamente:
ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO DE TRES CAPAS

Dimetro=60150mm Espesor= 0.31 mm
Tamaos aproximados de un diodo tpico de alta tensin y alta corriente
NA p
ND n
W0 El campo elctrico mximo que soporta el Silicio es tericamente 300.000 V/cm, pero debido a impurezas e imperfecciones de la estructura cristalina, en la prctica es de 200.000 V/cm.
W0 : Anchura de la zona de deplexin
nodo 10m NA=1019imp/cm3
p+
nFuertemente Dopado Ligeramente dopado Diodo Ideal iD 1/Ron 1/Ron

+
dRD ND=1014imp/cm3
250m ND=1019imp/cm3 Ctodo
VBD
VBD V V vD
dRD : Es funcin de la tensin inversa a soportar A : rea de la seccin perpendicular al plano del dibujo, es funcin de la corriente mxima
Seccin de un diodo de potencia tpico mostrando su estructura de tres capas.
Efecto de la concentracin de impurezas en la tensin inversa y en la cada en conduccin
ESTRUCTURA BSICA. CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO DE TRES CAPAS

Area La estructura de tres capas permite: a) En polarizacin inversa: la unin formada por las capas p n al estar poco dopada soporta una tensin muy elevada. b) En polarizacin directa: la circulacin de electrones desde la capa n+ inunda de electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la cada en conduccin es equivalente a un diodo muy dopado. iD 1/Ron VBD V 1V vD n
+ -
POLARIZACIN INVERSA.
= Potencial Externo Aplicado =-Edx = Extensin de la zona de deplexin = Conexin metlica (nodo y ctodo)
Area Area
p+
E
-
p+
E
n-
Emax x
n+
Emax x
Curva caracterstica esttica del diodo de potencia. Mxima Velocidad Mxima Cada en tensin de de Aplicaciones corriente conduccin ruptura conmutacin Circuitos de 30kV ~500mA ~10V ~100nS alta tensin Rectificadores ~5kV ~10kA 0.7 - 2.5 V ~25S 50 Hz Circuitos ~3kV ~2kA 0.7 - 1.5 V <5S conmutados Rectificadores ~100V ~300A 0.2 - 0.9 V ~30nS de BT y AF ~300 V Referencias y (funciona fijacin de ~75 W en tensiones ruptura)
a) Diodo sin perforar b) Diodo perforado Lmites de la zona de deplexin y distribucin del campo elctrico en diodos. El valor Emax es la mxima intensidad de campo elctrico que puede soportar el silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm. Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b (perforado), el rea bajo la curva de la distribucin del campo elctrico es casi el doble que en el caso a. Por tanto, la tensin inversa que se puede aplicar es prcticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos, sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.
Tipo de Diodo Rectificadores de alta tensin Propsito general Rpidos (fast recovery) Diodos Schottky Diodos Zener de potencia
Principales caractersticas de los diodos de potencia
POLARIZACIN INVERSA. Tcnicas para Mejorar VBD . Biselado

NODO
POLARIZACIN INVERSA. Tcnicas para Mejorar VBD. Anillos de Guarda

Difusin de Impurezas SiO2
p+
SiO2
SiO2
Regin de deplexin
Experimentalmente se comprueba que no se produce acumulacin de lneas de campo para R6*Wdep Para un diodo de 1000V, es aprox. Wdep=100, luego R=600. Como Wdiff R, el tiempo de fabricacin es excesivamente alto y por tanto no resulta rentable.
p+
Wdiff
n
n+
CTODO
Wdep : Anchura de la zona de deplexin n-
Unin pn. Proceso de difusin Anillo de guarda a potencial flotante
da
db
V1 V2
(V1 V2 ) > (V1 V2 )

da db
SiO2
p+
SiO2 p+
p+
biselado de los bordes de un diodo de tres capas. Ventajas del biselado: Eliminacin por ataque qumico de zonas con posibles defectos en la estructura cristalina (zona del corte mecnico). Disminucin de la intensidad del campo elctrico en las zonas ms frgiles (superficie), al hacer d2 >d1 .
n-
n+
Unin p-n empleando anillos de guarda.
POLARIZACIN INVERSA. Caractersticas de Catalogo

Primer subndice
T=Dir. Polarizado y conduce D=Dir. Polarizado y no conduce R=Inversamente Polarizado F=Directamente Polarizado Subndices empleados por los fabricantes de semiconductores.
POLARIZACIN DIRECTA
Caractersticas de catlogo en Polarizacin Directa: Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la mxima corriente de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (tpicamente 100 C). Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente mxima que puede ser soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms. Corriente de pico nico, IFSM : Corriente mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la duracin del pico sea inferior a 10ms.
Segundo subndice
W=De trabajo R=Repetitivo S=No Repetitivo
Tercer subndice
M=Valor Mximo (AV)=Valor Medio (RMS)=Valor Eficaz
Caractersticas de Catlogo en Polarizacin Inversa: Tensin inversa de trabajo, VRWM : Mxima tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo, VRRM : Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz. Tensin inversa de pico nico, VRSM : Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Tensin de ruptura, VBD : Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms.
iD IF 0.9IF 0.1IF 0.25Irr tr vD Vfr VON 1.1VON t VR tON Encendido del diodo Apagado del diodo
VON
El tiempo de recuperacin inversa es el mayor de los dos tiempos de conmutacin y el responsable de la mayor parte de las prdidas de conmutacin.
iD IF diD/dt ta tb 0.25Irr vD Irr t Qrr (Carga Almacenada)
Qrr Carga Almacenada
La carga almacenada que se elimina por arrastre es:
Qrr = i f dt
0
t rr
Irr trr
trr
Aproximando el rea bajo la corriente a un tringulo ser:
I rr t rr 2 Qrr Qrr t rr 2 I rr
t VR
Pico de tensin debido a L diD/dt L=bobina en serie con D. (tb<<ta)
La derivada de la corriente durante ta depende del circuito externo, y normalmente ser: ta>> tb es decir: ta trr . Si se resuelve el circuito y se conoce el valor de la derivada de iD:
Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin. Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal. Tensin de recuperacin directa, Vfr. Tensin mxima durante el encendido. Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON. Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo (inductivo). Tiempo de recuperacin inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor mximo. (Tip. 10s para los diodos normales y 1s para los diodos rpidos (corrientes muy altas).
Prdidas muy elevadas al ser la corriente y la tensin muy altas
diD I rr I rr se obtiene: = dt ta trr
I rr 2 Qrr
diD dt
El valor de Qrr puede obtenerse del catlogo del fabricante.
Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin a corte. Los factores que influyen en el tiempo de recuperacin inversa son: IF; cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se debe a que la carga almacenada ser mayor. VR; cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados. diF/dt; cuanto mayor sea, menor ser trr. No obstante, el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir mayores prdidas. T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarn tanto Q como trr.
PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS

Bloqueo: Se suelen despreciar. En Conmutacin. Son funcin de la frecuencia de trabajo. (Adems de las corrientes, tensiones y la forma como evolucionan). En Conduccin: Uso de catlogos:
PD
SiO2
p+
DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA

NODO Zona de deplexin Unin Rectificadora: Zona deplexin muy estrecha situada en la soldadura: VBD muy baja Unin hmica: Efecto Tnel. SiO2
p+
=60 =120 =180

180
PD
n-
n+ CTODO
IAV
25C
Curvas tpicas suministradas por un fabricante para el clculo de las prdidas en conduccin de un diodo Las prdidas aumentan con: La intensidad directa. La pendiente de la intensidad. La frecuencia de conmutacin. La tensin inversa aplicada. La temperatura de la unin.
125C
Tc
Diodo Schottky de potencia iD Diodo Schottky Diodo Normal

1/RON 1/RON VBD
VBD V V vD
Caracterstica I-V de un diodo Schottky Uso en circuitos donde se precise: Alta velocidad Bajas tensiones Potencias bajas Por ej. Fuentes de alimentacin conmutadas.

Si t>t1 en el circuito anterior resulta i(t1)<0 y el diodo debera conducir una corriente negativa. A partir de ese instante, el circuito anterior no es vlido ya que el diodo se corta. El nuevo circuito equivalente es:
Diodo no Conduce
di V = E sen t = R i + L dt
cuya solucin para i(0) = 0 es:
Rt E L ( ) + i(t ) = sen e sen t R 2 + L2 2
Carga LR
L
V = E sen t
i(t)
Grficamente:
Circuito equivalente en el segundo intervalo Este circuito es vlido hasta que la tensin de la fuente se hace positiva en t=2/. A partir de este instante, vuelve a ser vlido el circuito del intervalo 1.
El funcionamiento en rgimen permanente es una sucesin de intervalos en rgimen transitorio.
REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Resumen

Los circuitos de potencia son circuitos no lineales dado que tienen componentes no lineales. No obstante, considerando sus componentes como elementos de conmutacin ideales, el anlisis en rgimen permanente de los circuitos de potencia puede realizarse mediante la resolucin de una sucesin de circuitos lineales en rgimen transitorio, cada uno de los cuales tiene validez durante periodos de tiempo denominados intervalos. Los limites de estos intervalos vienen fijados por los denominados parmetros de control. Estos parmetros de control tienen, principalmente, dos causas: 1. Excitaciones externas, tales como fuentes que varan su valor, disparo de tiristores o variaciones en la polarizacin de base de los transistores y 2. Condiciones umbrales de los dispositivos de potencia, las cuales, si se alcanzan, provocan un cambio de estado del dispositivo. Consideremos, por ejemplo, una tensin nodo-ctodo negativa en un diodo en conduccin o una tensin superior a la de ruptura en dispositivos de avalancha. En todo circuito se puede escoger un conjunto de variables (normalmente tensin en condensadores y corriente o flujo en bobinas) representativas de una energa almacenada, cuyo valor no puede alterarse bruscamente. Estas variables, cuyo conjunto recibe el nombre de condiciones de contorno, nos permiten relacionar cada intervalo con el siguiente. El valor de estas condiciones de contorno al finalizar un intervalo constituyen, precisamente, las condiciones iniciales para el clculo del intervalo siguiente. Estas condiciones de contorno se complementan con la condicin de periodicidad caracterstica del funcionamiento en rgimen permanente. Los valores finales en el ltimo intervalo de las variables de contorno deben corresponderse con sus valores iniciales del primer intervalo.
REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Resumen

En el circuito no lineal del ejemplo, puede representarse por el circuito lineal de la figura (intervalo 1) durante el intervalo (0,t1 ) y por el circuito lineal de la figura (intervalo2) durante el intervalo (t1 ,2/). El paso de un intervalo a otro es debido a la conmutacin del diodo al pasar por cero su corriente. La condicin de contorno que liga ambos intervalos es el valor de la corriente en la bobina. Ntese que si, en el ejemplo anterior, t1 >2/, el diodo nunca se cortara y el circuito de la figura (intervalo 1) sera una adecuada representacin del circuito original en todos los instantes de su funcionamiento en rgimen permanente.
no podemos saber a priori cuantos intervalos habr y cual ser su duracin, ya que depender de los parmetros del circuito e
Por ello, incluso, en algunos casos, de sus condiciones iniciales de funcionamiento.
DESARROLLO EN SERIE. Clculo de Armnicos

Es usual que en la resolucin de un circuito de potencia se obtengan expresiones muy complejas para las variables de inters, con trminos exponenciales y trminos senoidales de distinta fase y frecuencia. En la mayor parte de los casos nuestro inters se centrar exclusivamente en una determinada componente de frecuencia de la seal (tpicamente su valor medio y su primer armnico) o en su valor eficaz (a efectos trmicos). En muchos casos, incluso, el resto de las componentes sern indeseables, debindose estimar su magnitud a efectos de diseo de filtros que eliminen su presencia. En general, dada una seal peridica, de periodo T, se definen los siguientes parmetros que caracterizan la seal:

Dado que es conveniente en muchos casos conocer las componentes armnicas de una forma de onda, vamos a recordar en que consiste el desarrollo en serie de Fourier. Toda funcin peridica que cumple ciertas propiedades puede ser descompuesta en una suma de senos y cosenos denominada desarrollo en serie de Fourier de la funcin:
i (t ) =
donde:
A0 + A cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t ) 2 k =1 k
0 =
Ak = Bk =
2 T
2 t0 + T i (t ) cos( k 0 t ) dt , T t0 2 T
k = 0,1,2K
k = 1,2,3K
I p = max i (t ) , 0 t T - Valor de pico Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y negativo) para considerar los casos de polarizacin directa e inversa.
- Valor Medio
t0 + T
Im =
1 T i (t ) dt , T 0
t0
i (t ) sen( k 0 t ) dt ,
Tambin se le representa como
I AV
Para el clculo de la corriente media empleada para dimensionar un dispositivo, se calcula el valor medio del valor absoluto de la seal.
El
A0 2 es el valor medio de la funcin. Al trmino Ak cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t ) se le denomina armnico de orden k. Al

trmino
- Valor eficaz
I=
f =
1 T 2 i (t )dt , Tambin se le representa como I RMS T 0

I I = RMS Im I AV
armnico de orden 1 se le denomina tambin componente fundamental. El mdulo del armnico de orden k viene dado por:
I kp =
Ak2 + Bk2
- Factor de forma
y su valor eficaz:
Ik =
I kp 2
- Factor de pico
I = max f = I I RMS
Ip
Empleando esta nomenclatura, el desarrollo en serie de Fourier se puede reescribir como:
i (t ) = I m + 2 I k sen( k 0 t k )
k =1
Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 15 de 21 Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 16 de 21

En determinados casos el desarrollo en serie de la funcin se puede simplificar:
DESARROLLO EN SERIE. Potencia

La potencia media se define como:
para el caso en que la funcin sea par, f ( t ) = f ( t ) los trminos en seno desaparecen, por tanto Bk = 0 . para el caso en que la funcin sea impar, f (t ) = f ( t ) los trminos en coseno desaparecen, por tanto Ak = 0 . para el caso de funcin alternada, f (t ) = f (t + T 2 ) los armnicos de orden par desaparecen, por tanto, A2 k = B2 k = 0 .
El valor eficaz de la seal vendr dado por:
P=
1 T v (t ) i (t ) dt T 0
Si se sustituye i(t) por su desarrollo en serie de Fourier y la tensin por
2 V sen( 0 t ) , (tensin rgida) y teniendo en cuenta que las integrales en
un perodo de un seno, o de los productos cruzados de senos y cosenos o productos de razones trigonomtricas de diferente frecuencia son nulas, quedar:
P=
1 T 2 V sen(0 t ) 2 I 1 sen(0 t 1 ) dt = V I 1 cos 1 T 0
I=
2 + Im
(A
2 1
+B 2
2 1
) (A
+
2 2
+B 2
2 2
donde 1 es el ngulo de desfase entre v ( t ) y el primer armnico de i(t ) .
+L =
2 + I 12 + I 22 +L Im
(A)
los armnicos no contribuyen a la potencia media (real o activa).

La potencia aparente, se define como el producto de los valores eficaces de la tensin y la corriente (cuyo valor como se ha visto depende de los armnicos presentes).
Se define la distorsin del armnico k como la relacin Dk = valor eficaz del k-simo armnico.
Ik I I 1 donde k es el
S =V I
= D22 + D32 +L I1 Al parmetro Dt se le llama tambin THD (Distorsin Armnica Total).

De la definicin anterior y de (A), se deduce: I =
2 + I 12 (1 + Dt2 ) Im
Se define la distorsin total como: Dt =
I + I +L
2 2 2 3
El factor de potencia (PF) se define como:
PF =
I P V I 1 cos 1 I 1 = cos 1 = 1 DPF = S V I I I
De la misma forma, pueden definirse magnitudes anlogas para las tensiones, con la salvedad de que en el caso de la red elctrica los armnicos en tensin no suelen ser significativos.
donde DPF es el factor de potencia debido al desfase, la ecuacin anterior puede reescribirse (para ondas cuyo valor medio sea cero, como es habitual en sistemas de alimentacin alterna):
PF =
1 1+ D
2 t
DPF
la existencia de armnicos hace que disminuya el factor de potencia
DESARROLLO EN SERIE. Clculo de valores eficaces

La expresin que permite calcular el valor eficaz de una seal puede obligar a realizar complejos clculos, por lo que en algunos casos conviene simplificarla, de forma que en un perodo, la seal se descompone en N intervalos de tiempo consecutivos, con tal de que no coincidan en un instante dos o ms con valor no nulo. En general, si se conocen los valores eficaces de cada intervalo, puede aplicarse la frmula: Se puede hacer por ejemplo:
Pulso a aproximar i(t) I1 I2
t1
DESARROLLO EN SERIE. Clculo de valores eficaces

Algunas formas de onda usuales y sus valores eficaces son:
Ip
I=
1 T 2 i (t )dt T 0
Onda completa senoidal:
I=
T= t
Ip
Ip 2
2 I = I12 + I 22 + I 32 + L I N
Onda senoidal recortada por nivel:
I = Ip
D , con D = 2 T
I3
I4
I5 I6
t
I7 I8
Aproximacin I9 I10
t10 t i = t N=10 t
Si se aproxima por N intervalos cuadrados de igual duracin, el valor eficaz es:
Onda senoidal recortada por ngulo de fase:

Ip
I=
2 I 12 + I 22 + I 32 + L + I N N
I = Ip
D sen( (1 D ))cos( (1 D )) + 2 2 D = 1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
En general se podra hacer una aproximacin como la siguiente:

i1(t)
Ip
(, en radianes)
Onda rectangular:
T t
T=t1+t2+t3+t4 i(t)
i2(t)
Ib
I = Ip D
con
D=
T D=
i3(t) t1 t2 t3 t4 t i4(t)
Ia
T Ip
I = D(I + I a I b + I a2 )
2 b
Onda trapezoidal:
3
con
Onda triangular:
T t
t1
t2
t3
t4
I = Ip
D 3
con
D=
En este caso son de utilidad las frmulas siguientes:
El comportamiento de cualquier sistema dinmico puede representarse por un conjunto de ecuaciones diferenciales de la forma:
FORMULACIN SISTEMTICA UTILIZANDO VARIABLES DE ESTADO
dx1 = f 1 ( x1 ( t ) ,L x n ( t ) , u1 ( t ) ,L um ( t ) ) dt
dx 2 = f 2 ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t )) dt
M
dx n = f n ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t )) dt
donde
xi son las variables de estado del sistema y ui las entradas.
Cuando las funciones f i no dependen del tiempo, el sistema se denomina invariante en el tiempo. Si f i son lineales, entonces el sistema se dice lineal. Un sistema lineal e invariante en el tiempo, se denomina LTI. Para estos ltimos:
x = A x + B u ; y = C x + D u ; donde A, B, C y D son matrices constantes e y es el vector de salidas del sistema.

Los circuitos de potencia no son circuitos LTI, pero ya hemos visto que, asumiendo sus componentes como dispositivos de conmutacin ideales, su anlisis se reduce a una secuencia de circuitos LTI . Para cada intervalo resulta un sistema de ecuaciones x = A x + B u ; y = C x + D u ; con un vector de entradas u(t) conocido y un valor inicial de las variables de estado x(0) (estas ltimas pueden no ser conocidas). La solucin del sistema es de la forma:
x (t ) = e At x (0) + e A( t ) ) B u( ) d siendo e At una integral matricial. 0

Al no conocer los valores iniciales de los intervalos, normalmente ser necesario iterar.

Curso Completo de Electronica de Potencia

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GENERALIDADES

Aos 50: SCR. Aos 70: Microprocesadores. Aos 90:

TEMA 1. INTRODUCCIN AL MODELADO Y ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA

Mayores prestaciones, Menor coste, Posibilidad de emplearlos en nuevas

Modificar, utilizando dispositivos de estado slido, la forma de presentacin de la energa elctrica

Roff=, VBD= , Ton=0

Ron=0, Ion= , Toff=0

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 1 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 2 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA

IR=10A E=500V VCE

Ejemplo simple con un solo interruptor.

Real: Cortado Saturado

IC 1mA 9.96 Amp

VRes 50mV 498V

% de error sobre el valor mximo.

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 3 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 4 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Elementos Bsicos

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Elementos Bsicos

Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin constante

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 5 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 6 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Elementos Bsicos

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Elementos Bsicos

1 t v(t ) = v(t0 ) + i (t )dt C t0

Funcionamiento de un Condensador al aplicar una corriente constante

Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y negativa

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 7 de 21

Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 8 de 21

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Elementos Bsicos

REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. Ejemplo

Circuito equivalente en el primer intervalo

TEMA 17. CONVERTIDORES CC/CA CON SALIDA SINUSOIDAL

Tema 16. Inversores II. 1 de 28

Tema 16. Inversores II. 2 de 28

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Modulacin Senoidal PWM

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Modulacin Senoidal PWM

Rama de un Puente Inversor

cont : Mximo de la seal de control. V tri : Mximo de la seal triangular (constante). V

1 si Vcontrol > Vtri TA + (on) V AO = + Vd 2 1 si Vcontrol < Vtri TA (on) V AO = Vd 2

cont ma = : ndice de modulacin (podra ser >1) Vtri

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Modulacin Senoidal PWM

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Armnicos

ma < 1 , La amplitud de la componente fundamental de V AO se puede obtener de:

Los armnicos aparecen en forma de bandas laterales, alrededor de:

+V ton V 2t t Va,cont tri a,cont = on s = ts ts 2Vtri V tri

mf f1, 2 mf f1, 3 mf f1 ...

V ton ts ton Vd 2ton ts = VAO = d 2 ts ts 2 ts

) (si Vcontrol V tri

Vcontrol = V control sen ( 1 t ) sen( 1 t )

Amplitudes de los Armnicos

Tema 16. Inversores II. 5 de 28

Tema 16. Inversores II. 6 de 28

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Armnicos

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Armnicos

1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0

1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0

101 105 99 107 103

Armnicos para mf=25

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Armnicos

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Sobremodulacin

Si m f es un nmero entero impar, entonces ser:

1 ) (Funcin impar: Simetra f (t ) = f (t ) y tambin f (t ) = f (t + 2

El valor mximo alcanzable es 1.156Vd/2 y fmax3/2