Revista Colombiana de Fsica, vol. XX, No.XX de 20XX.

Propiedades optoelectrnicas de pelculas delgadas de ZnO:Al crecidas por RF sputtering

Optoelectronics properties of ZnO:Al thin films grown by rf sputtering
Milenis Acosta*, Ins Riech, Alicia Borges, Felipe Keb, Humberto Guillermo, Nidiana R Hau
Laboratorio de Ciencia de Materiales, Facultad de Ingeniera, Universidad ut!noma de "ucat#n, venida Industrias No Contaminantes $%N, .&. '(0, Cordeme), M*rida, M*)ico.
Recibido !!!!" Aceptado !!!!" #ublicado en l$nea !!!!

Resumen
%e depositaron pel$culas delgadas de &'ido de (inc dopadas con aluminio )*n+,Al- sobre .idrio por la tcnica de erosi&n cat&dica, .ariando la presi&n de arg&n )#Ar-, desde /0 hasta 10 m2orr 3a estructura 4 la mor5olog$a super5icial 5ueron estudiadas empleando di5racci&n de ra4os ' 4 microscopia de 5uer(a at&mica 3os di5ractrogramas para todas las muestras presentan picos pertenecientes a la 5ase he'agonal 6urt(ita del *n+ %e obser.a 7ue a medida 7ue aumentamos la presi&n de arg&n usada se 5a.orece la orientaci&n cristalina en el plano )00/- 3a muestras presentaron super5icies lisas con .alores promedio de rugosidad 7ue .an desde los 89 a los :: ; 3as propiedades &pticas 5ueron determinadas a partir de los espectros de transmitancia 2odas las muestras presentaron altas transmitancias &pticas ma4ores al <0= en el rango .isible 4 son transparentes 3os .alores del gap &ptico no .arian con la # Ar, obtenindose un .alor promedio de > >? e@, 7ue coincide con los reportados para capas de *n+ 3os .alores de resisti.idad a >00 K son del orden de 80 A/ cm, altos en comparaci&n con los meBores resultados de la literatura Nosotros relacionamos estos altos .alores de resisti.idad con la mala cristalinidad de la muestra A altas presiones de arg&n como las usadas en nuestro trabaBo, las especies erosionadas se termali(an perdiendo energ$a 4 al llegar al sustrato no tienen su5iciente energ$a para di5undir 4 encontrar sitios id&neos, obtenindose pel$culas con una pobre cristalinidad como se corrobora con los patrones de di5racci&n de estas muestras Palabras claves: r5 sputtering" &'ido semiconductor" propiedades optoelectr&nicas

Abstract
Aluminum doped *inc o'ide thin 5ilms )A*+- 6ere gro6n on glass substrates b4 RF sputtering at room temperature using a (inc o'ide target 5or se.eral .alues o5 the argon pressure )# Ar- 2he structural and morphological properties o5 these 5ilms 6ere studied using !Ara4 di55raction and atomic 5orce microscop4 2he asAdeposited 5ilms sho6ed lo6 intensit4 di55raction peaCs o5 the 6urt(ite he'agonal phase o5 *n+ As the argon pressure increased a pre5erred orientation along )00/- plane is obser.ed %ur5ace o5 asAgro6n 5ilms 6ere smooth 6ith a.erage roughness 5rom 89 to :: ; 2he optical properties 6ere determined 5rom transmittance spectra All 5ilms had transmittance .alues abo.e <0= in the .isible range and 6ere transparent 2he a.erage optical band gap 6as > >? e@ 5or all 5ilms, similar to those reported else6here Resisti.it4 .alues at >00 K 6ere about 80A/ cm, higher than those reported in the literature De suggested that the high resisti.it4 .alues 6ere due to the thermali(ation o5 the sputtered atoms in the bacCground argon gas eywords: r5 sputtering, semiconductor o'ide, optoelectronics properties E /00F Re.ista Golombiana de F$sica 2odos los derechos reser.ados

!" #ntroduccin
3as energ$as reno.ables son sin duda la Hnica soluci&n para nuestro planeta para satis5acer las demandas energticas de manera sustentable Ientro de las 5uentes de energ$a reno.able la energ$a solar es la de ma4or potencial, sin embargo aHn es cara para la ma4or$a de las aplicaciones a gran escala 3a con.ersi&n directa de la energ$a pro.eniente del %ol en electricidad por los m&dulos 5oto.oltaicos ha crecido del orden del /0 al :0 = por aJo durante la Hltima dcada Actualmente el mercado de los m&dulos

5oto.oltaicos estK dominado por las celdas solares de silicio cristalino, 7ue se basan en obleas de %i con un espesor del orden de los 890 a las >00 Lm %in embargo la producci&n de estas obleas relati.amente gruesas, re7uiere de altas temperaturas 4 de %i con un alto grado de pure(a, limitando la reducci&n de costos de estos m&dulos #or lo 7ue las celdas solares en base a pel$culas delgadas, donde s&lo se re7uieren pel$culas de algunas micras de espesor para absorber la lu( solar, constitu4en una alternati.a para la

* adiaz@uady.mx

RevColFs, +ol.XX , No XX de 20XX.

reducci&n de costos de producci&n con la consiguiente aplicaci&n a gran escala Ientro de la preparaci&n de las celdas solares los contactos conductores transparentes )2G+s- Buegan un importante papel %u 5unci&n en las celdas solares es pro.eer una .entana transparente para la transmisi&n de la lu( 4 un medio de transporte de las corrientes 5otogeneradas desde la capa acti.a a un circuito e'terno 3os 2G+s son responsables de prdidas signi5icati.as en la e5iciencia de las celdas solares relacionadas 5undamentalmente con e5ectos &pticos 4 &hmicos Mntre estos es importante destacar la prdida de la transparencia &ptica debido a de5ectos e inhomogeneidades en la pel$cula crecida 4 la obtenci&n de altas resisti.idades en la inter5ase capa acti.aN2G+ debido a e5ectos de barreras %chottC4 3a ma4or$a de estos e5ectos no deseados pueden ser reducidos durante la etapa de 5abricaci&n del 2G+ Ml control de los parKmetros de crecimiento para obtener 2G+s de alta calidad es un reto cient$5ico 4 tecnol&gico para la ciencia de materiales 3as tecnolog$as aplicadas actualmente o5recen un control limitado sobre estos aspectos #or lo tanto e'iste una demanda creciente de in.estigaci&n en materiales 4 tecnolog$as de baBo costo para la producci&n masi.a de 2G+s de alta calidad para dispositi.os basados en celdas solares, meBorando de una manera competiti.a la relaci&n costoAe5iciencia Actualmente los 2G+s mKs usados son In /+> dopado con %n )I2+-, %n+/ dopado con F )F2+- 4 el *n+ dopado con Al )A*+- O8A>P Ml *n+ cumple plenamente con los re7uisitos bKsicos para esta aplicaci&n, A alta transparencia en las longitudes de onda 7ue .an desde el .isible hasta el in5rarroBo cercano, A posibilidad de preparar pel$culas con altos ni.eles de dopaBe con densidades de electrones libres n Q 80 /0 cmA> 4 baBas resisti.idades )R 80A> cm-, A buenos contactos con la capa semiconductora acti.a )capa absorbente-, A posibilidad de preparar pel$culas en Kreas grandes )Q 8 m/- por tcnicas de crecimiento como sputtering A 4 por Hltimo el *n+ es un material de baBo costo, no t&'ico 4 abundante 3as pel$culas delgadas de A*+ se pueden 5abricar empleando di5erentes tcnicas, solAgel O:,9P, spra4 pir&lisis O1P, e.aporaci&n trmica O?P, ablaci&n lKser O<P, erosi&n cat&dica )sputtering- OF,80P 3a tcnica de RF magnetron sputtering es una tcnica 7ue permite la deposici&n de estos materiales a baBas temperaturas con buenas propiedades &pticas 4 electr&nicas Generalmente las pel$culas de A*+ crecidas por r5 sputtering se reali(an en un rgimen de baBas presiones de arg&n )#ArR9 m2orr- -4 sputtering reacti.o )ArN+/- Mn nuestro trabaBo estudiamos sputtering no reacti.o 4 los reg$menes de altas presiones de arg&n )# Ar/0 m2orr-

Ad.anced Mnerg4 3a potencia de RF empleada 5ue de 800 D 4 el tiempo de crecimiento de 80 minutos en todos los casos 3as pel$culas 5ueron crecidas a temperatura ambiente, en una con5iguraci&n del sustrato en5rente del blanco manteniendo ste a una distancia de 9 0 cm 3a presi&n base en la cKmara de crecimiento 5ue del orden de 80 A9 2orr %e utili(& un blanco cerKmico de *n+,/= at Al /+> de la marca Kurt T 3esCer Gompan4 )pure(a FF FF = 4 diKmetro de / pulgadas- Ml proceso de crecimiento 5ue reali(ado en una atm&s5era gaseosa compuesta Hnicamente de arg&n )marca #ra'air Inc , con una pure(a de FF FFF=3as propiedades estructurales de las muestras se determinaron usando la tcnica de di5racci&n de ra4os ' con un di5ract&metro %iemens I900 con una 5uente de radiaci&n Gu KU )V0 89: nm- 3a mor5olog$a de las muestras se determin& usando un microscopio de 5uer(a at&mica )AFMNanosur5 7ue utili(a una punta de silicio en modo contacto 3os .alores de la rugosidad promedio se obtu.ieron del so5t6are Mas4A%can de dicho miscroscopio Ml espesor de las pel$culas crecidas se midi& empleando un per5il&metro @eeco IeCtaC < %t4lus 3os espectros de transmisi&n &ptica se obtu.ieron en un espectro5ot&metro Agilent <:9> W@A@is 3as propiedades elctricas se obtu.ieron empleando un sistema de medici&n @an der #au6 Mcopia HM%A9000 a una temperatura de >00 K

'" Resultados y discusin

Intensidad (u.a.)

(100) (002) (101)

20 mTorr 30 mTorr 40 mTorr 50 mTorr 60 mTorr

30

35

40

45

50

55

(110)

60

65

2 Fig 8 Ii5ractrogramas obtenidos para para las muestras crecidas a di5erentes presiones de Ar

$" %etodologa e&perimental

3as pel$culas de *n+,Al se crecieron sobre sustratos de .idrio Gorning /F:?, empleando un sistema de sputtering IN2MRG+@AMM!A@> Mste sistema estK con5ormado por un caJ&n con magnetr&n 3esCerSs 2orus de / pulgadas de diKmetro, conectado a una 5uente de radio5recuencia

Mn la 5igura 8 se muestran los patrones de di5racci&n para las pel$culas crecidas a di5erentes presiones de arg&n 3os patrones obtenidos presentan picos de baBa intensidad pertenecientes a la 5ase he'agonal 6urt(ita del *n+ )TG#Is >1A8:98-O88P %e obser.a 7ue a medida 7ue aumentamos la presi&n de arg&n usada se 5a.orece la orientaci&n cristalina en el plano )00/-, siendo para la muestra crecida a 10 m2orr este pico el de ma4or intensidad

utor ,rinci,al et al.- .tulo

%uestra M8 M/ M> M: M9 PAr (m)orr*
/0 >0 :0 90 10

+spesores (nm*
/:1 /8F 8?8 81< 81/

> >F > >? > >9

Transmitancia (%)

,A (nm* / : : : /

+g (e-*
> >? > ><

100 80 60
PAr

40 20 0

2abla No 8, #ropiedades de pel$culas de A*+ crecidas con RF %puttering .ariando la presi&n de arg&n

Mn la 5igura / se muestran las imKgenes t$picas de AFM para las muestras estudiadas en este trabaBo" en particular las crecidas a /0 4 :0 m2orr respecti.amente %e obser.an granos pe7ueJos distribuidos uni5ormente en toda la super5icie Mn la tabla 8 se puede apreciar 7ue las rugosidades promedios .an de los 89 a los :: ; Mn el rango de presiones de >0 a 90 m2orr las pel$culas aumentan su rugosidad, lo 7ue puede estar asociado a un cambio en el mecanismo de transporte de los Ktomos erosionados Resultados similares han sido reportados en la literatura, donde se considera 7ue una rugosidad promedio de /0 ; es su5iciente para aplicaciones en dispositi.os &pticos O8/P

20mTorr 30mTorr 40mTorr 50mTorr 60mTorr

300

450

600 (nm)

750

900

Fig > 2ransmitancia en 5unci&n de la longitud de onda para las muestras crecidas a di5erentes presiones de Ar

Ml ancho de banda prohibida )/g- de las pel$culas crecidas puede determinarse por medio de mtodos de e'trapolaci&n del espectro de absorci&n, el cual estK dado por,

0v = )0v / g -8 N /
)8- donde A es una constante 4 hX es la energ$a de los 5otones O8>P Ml coe5iciente de absorci&n puede ser calculado a partir de la transmitancia utili(ando la siguiente ecuaci&n,

=
)/-

8 ln). ) 0v -d

donde d es el espesor de la pel$cula considerada Mn la 5igura : puede obser.arse el proceso de obtenci&n de los .alores de /g para las muestras estudiadas
Fig / ImKgenes AFM en >I de pel$culas de A*+ Mn un Krea de /Lm ' /Lm

Mn la 5igura > se muestra el espectro de transmitancia en 5unci&n de la longitud de onda a di5erentes presiones de arg&n %e obser.a 7ue todas las muestras presentan transmitancias ma4ores al <0= en el rango .isible Mn este rango de presi&n de arg&n no se aprecia cambio signi5icati.o en el coe5iciente de transmisi&n Gomo se ha reportado para aplicaciones de estas pel$culas como &'idos conductores 4 transparentes es necesaria una alta transmitancia, por lo cual estas muestras cumplen con este criterio

Fig : +btenci&n de los .alores de Mg para muetras crecidas con di5erentes .alores de #Ar

3os .alores calculados de Mg )2abla 8- no cambian signi5icati.amente con la #Ar en el rango de /0m2orr a 10 m2orr Ml .alor promedio obtenido es de > >? e@, 7ue coincide con los reportados para capas de *n+ O8:P %e han reali(ado di.ersos estudios para correlacionar los .alores de Mg con la presi&n utili(ada IeoC 4 col O8:P encontraron 7ue Mg aumenta para #ArR/ m2orr Rahmane 4 col O89P reportaron una disminuci&n gradual de Mg para /R#ArR8/ m2orr, mientras 7ue para 8/R# ArR// 9 m2orr se mantienen prKcticamente constantes

>

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4.0 10 3.0 10 2.0 10 1.0 10
!2

300 "

!2

!2

!2

(cm3#$ sec)

0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 0.00

22

3os autores agradecen al M en G Ianiel Aguilar 2re.iJo, por su apo4o en las caracteri(aciones de Ra4os !, al M G Dilliam Gauich por las mediciones de espesores de las muestras %e agradece el apo4o econ&mico otorgado a tra.s de los pro4ectos Fordec4t 88189?, INFRA8?:0>: 4 F+MI! 81F?>F

( cm)

Referencias
8A H 3 Hartnagel, A 3 Ia6ar, A K Tain, G Tagadish, %emiconducting 2ransparent 2hin Films )Institute o5 #h4sics #ublishing, Bristol, )8FF9/A I % Ginle4, G Bright, MR% Bull /9)Aug- )/000- 89 >A 2 Minami, %emicond %ci 2echnol /0 )/009- %>9 :A B T 3oChande, M I Wplane, Appl %ur5 %ci 81? )/000/:> 9A D D Denes, A Yamada, K 2aCahashi, M Yoshino, M Konagai, T Appl #h4s ?0 )8FF8- ?88F 1A Y Natsume, H %aCata, 2 Hira4ama, T Appl #h4s ?/ )8FF/- :/0> ?A % Ha4ami(u, H 2amaCa, 2 Ka6ai, T Appl #h4s <0 )8FF1- ?<? <A K 3 Narasimhar, % # #ai, @ R #alCar, # #into, 2hin %olid Films /99 )8FF?- 80: FA # Dang, NuoFu Ghen, and * G Yin, Appl #h4s 3ett << )/001- 89/80/ 80A M Y Han, T H Tou, 2hin %olid Films /10 )8FF:- 9< 88A #o6der Ii55raction File, Toint Gommittee on #o6der Ii55raction %tandards, A%2M, #hiladelphia, #A, /00>, Gard >1Z8:98 8/A K4u Kim, IeoC, Kim Bae, Hong Tournal o5 Allo4s and Gompounds /01, /088, p :// 8>A 2auc T , Amorphous and 3i7uid %emiconductors, #lenum #ress, Ne6 YorC, 8F?: 8:A IeoC K K , Hong B K Tournal o5 Allo4s and Gompounds /01, /088, p 9/8A9/9 89A Rahmane % , IBouadi M % , Barreau N , Abdallah B , HadB *oubir N 2hin %olid Films /!1, /080, p 9A80 81A NagaraBa K K , %anthosh A , NagaraBa H % 1,tics#henomena, Materials, Ie.ices and Gharacteri(ations, !'1!, /088, p ?:>A?:9 8?A G(ternasteC H , +ptoAelectronics Re.ie6,8/)8-, /00:,p :FA9/

1.2 10 8.0 10 4.0 10

n(cm!3)

21

21

0.0 10 20 30 40 50 60 70

Fig 9 Resisti.idad, concentraci&n de portadores 4 mo.ilidad a >00 K para las pel$culas de *n+,Al crecidas a di5erentes #Ar

PAr (mTorr)

Mn la 5igura 9 se muestran las propiedades elctricas de las pel$culas de *n+,Al Gomo se puede obser.ar los .alores de resisti.idad a >00 K son del orden de 80 A/ cm, lo cual di5iere de las resisti.idades reportadas en trabaBos anteriores para baBas # Ar, 7ue son un orden de magnitud mKs pe7ueJas O81P #or lo 7ue podemos concluir 7ue estas no son &ptimas para usarse como 2G+ 3a mo.ilidad decrece con el aumento de presi&n 7uedando por debaBo de las reportadas por G(ternasteC O81P 3a concentraci&n de portadores es del orden de 80/8, un orden de magnitud ma4or 7ue las reportadas para altas temperaturas O81,8?P 3os altos .alores de resisti.idad obtenidos pueden ser debido a la mala cristalinidad de la muestras, como se puede obser.ar en la Fig 8 A altas presiones de arg&n como las usadas en nuestro trabaBo, las especies erosionadas se termali(an perdiendo energ$a 4 al llegar al sustrato no tienen su5iciente energ$a para di5undir 4 encontrar sitios id&neos, obtenindose pel$culas con una pobre cristalinidad

.onclusiones
%e obtu.ieron pel$culas delgadas de *n+,Al, empleando la tcnica de r5 magnetr&n sputtering 3as pel$culas presentan picos de di5racci&n de baBa intensidad asociados a la 5ase he'agonal del *n+ A medida 7ue aumenta la #Ar la orientaci&n cristalina en el plano )00/se 5a.orece 3a rugosidad promedio de la super5icie de las muestras .a de los 89 a los :: ;, 4 estK 5ormada por granos pe7ueJos distribuidos homogneamente 2odas las muestras presentan transmitancias ma4ores al <0= en el rango .isible 3os .alores de Mg no cambian signi5icati.amente con la # Ar, obtenindose un .alor promedio de > >? e@, 7ue coincide con los reportados para capas de *n+ 3os .alores de resisti.idad a >00 K son del orden de 80A/ cm

Agradecimientos :

utor ,rinci,al et al.- .tulo