Semiconductores fuera del equilibrio.

Indice
II.1 Movimiento de portadores en campos elctricos.
Corrientes de arrastre.
II.2 Movimiento de portadores en campos elctricos y
magnticos. Efecto Hall
II 3 Corrientes de difusin II.3 Corrientes de difusin.
II.4 Procesos de generacin y recombinacin de portadores
II.5 Ecuacin de Continuidad
II.6 Cuasi-niveles de Fermi
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 1
Corriente de arrastre
a
qnv j =
d l d d Agitacin trmica + desplazamiento inducido por
un campo elctrico
Agitacin trmica
= E j o
v
a
velocidad
fuerza

j
E
Debido al efecto de las colisiones (con imperfecciones) los portadores NO son
continuamente acelerados sino que se aceleran durante un corto periodo y
cambian su momento en cada colisin, cediendo energa a la
a
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 2
g
red.(Movimiento en medio viscoso)
Movilidad
Fuerza viscosa
* * ;
an an
d
m q m
dt t
=
v v
E
Tiempo de relajacin
12
0
exp( / ) 10
an an
dt
t s
q
t
t t
t

=
(
=
(
v v
v E

*
an
m
=
(

v E
E v
n an
=
E v
p ap
=
Huecos Electrones
E E j
n n n
n e n e

= = ) ( E j
p p
p e

=
E
j
p j
n
E
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 3
Mecanismos de colisin
Mecanismos de colisin (con imperfecciones en la red)
Colisiones con vibraciones de la red
fon
T
2 / 3

Colisiones con impurezas ionizadas
T

2 / 3

imp
imp
N

imp fon

1 1 1
+ =
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 4
Movilidad
3000
3500
4000

n
Germanio
T =300 K
1500
2000
2500
3000

p



[
c
m
2
/
V
s
]
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
0
500
1000

p
1250
1500

n
Silicio
T =300 K

Concentracin Impurezas N [atms/cm
3
]

500
750
1000

p
T =300 K


[
c
m
2
/
V
s
]
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
0
250
500

Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 5
10 10 10 10 10 10
Concentracin Impurezas N [atms/cm
3
]
Resistividad
( )
1 1
p n
e p n o

= + = j E E
( )
p n
p n e

o
= =
+
Variacin con la temperatura
/2
( )
a Eg KT
e n Kte T e o

= + =
p
a) Intrnseco Extrnseco
0
/ /2
( )
( )
i p n i
g g g
a K Ego KT
i
e n Kte T e
Si E varia con la temperatura E E T
Kte T e e
o
o
o
o

+
=
=
Depende de la variacin de la
i
Kte T e e o
De la representacin del Ln o
i
puede
determinarse el Gap del semiconductor ya
concentracin de portadores con
la temperatura (zona extrnseca,
exhaustiva etc
determinarse el Gap del semiconductor ya
que la dependencia es fundamentalmente la
exponencial
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 6
R, curvatura de bandas
A (sec. trans)
x=l
x=0
I
E
V
E E
E
l A A
E E
p
-eV
E
C
E
E
V El jA I A
V I l

= = =
= Ley de Ohm
E
V
-e(x)
E
i

R
V I l
A
= Ley de Ohm
0 x l
x
E
d
d
=

Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 7

x
dx
Efecto Hall
Un bloque semiconductor con E=E
x
i y B=B
z
k
B L B
E
H
B v F = q
Sobre un portador
w
d
L
y
z
x
E
H
Estado estacionario F
y
=0
w B v V w E V B qv qE
H H H H
= = =
I
V
w B v V w E V B qv qE
z x H H H z x H

Semiconductor tipo P tipo N Semiconductor tipo P tipo N
H
z
H
z z
H
x
ax
edV
IB
n
edV
IB
p
epd
IB
V
wd ep
I
ep
j
v

= = = = =
La movilidad
epVwd
IL
enVwd
IL
p n
= =
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 8
p
Constante Hall
1
T [K]
1000 750 500 300
H H x z
H
E R j B
V I
R B
=
1
[

c
m
3
/

C

]
1
H
H z
z
H H
V I
R B
w wd
IB I
R B R
=
= =
10
4

-
R
H

c
m

]

-
1
1
H z H
R B R
epwd wd ep

0.1
o

[
O

c
1
H
si tipo n R
en
si ambos tipos de portadores
=
10
3
1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
1000/T [K
-1
]
2 2
2
1
( )
p n
H
p n
p p
p n
R
e p n

=
+
1000/T [K
1
]
Muy til para caracterizacin de semiconductores
Y para la utilizacin de semiconductores como sensores
p
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 9
Y para la utilizacin de semiconductores como sensores
Corrientes de difusin
Concentracin no uniforme n(x)
Como promedio, los portadores que
atraviesan el plano x=0 son los situados a
una distancia
| |
1
( ) ( )
2
x ter
j e v n n

=
n(x)
una distancia

2
n
x ter ter n
D
n n n
j e v e v e D
x x x
t

c c c
= = =
c c c
j
n
2
* *
n
n ter
n n
KT e KT
D v
m m e
t t
t

= = =
- x=0 x
j
p

n
n n
p
n
D
D KT

v velocidad trmica
p c
p
n
n p
e

= =
v
ter
velocidad trmica
recorrido libre medio
t tiempo medio entre colisiones
x
p
D e j
p x
c
c
=

Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 10
Concentracin NO homognea
n(x)
i N
N
D
(x)
n(x)
x
E
C
E
i
E
F
E
V
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 11
Concentracin NO homognea
E
C
E
i
E
F
E
V
En el equilibrio el nivel de Fermi es constante en todo el material
c
1 ) ( dE x d
i

c = =
En e equ r o e n e de Ferm es constante en todo e mater a
c
) (x e E E
dx e dx
F i

c
=
= =
) (x e
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 12
Relaciones de Einstein
En equilibrio no existe corriente neta:
s i l i t s d dif si st se igualan corrientes de difusin y arrastre
( ) ( )
n n n
dn
j e n x x eD
dx
c = +
1
( )
i
dx
dE
x
e dx
c =
( )
F i
d E E dn n
dx KT dx

=

| |
0
i n i
n
dE D dE
n e
dx KT dx

| |
= +
`
|
\ .
)
0
p
n n
n
n p
D e
e
KT D KT D

= = =
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 13
Generacin-Recombinacin
Generacin intrnseca (banda-banda) Generacin intrnseca (banda banda)
si generacin externa n p > n
i
2
(no nivel Fermi)
Proceso trmico G
ter
n de pares generados /(cm
3
.s)R
R p.n=| p.n
En equilibrio G
ter
=R =| p
0
.n
0
Supongamos que se produce una generacin externa G
ext
por consiguiente un aumento de portadores dn=dp
R =| p.n= |( p
0
+ dp).(n
0
+ dn)
C id l i d i i d l d Consideremos el ritmo de variacin de los portadores
generacininterna
bi i t
ext ter
U
dp
G R G G R
U dt

= = +

Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 14

recombinacin neta
U
U dt

G-R
dp
G R G G R
( )( )
0 0 0 0
ext ter
U
p
G R G G R
dt
U n n p p n p | o o |
= = +
= + +

( )( )
0 0 0 0
0 0
( )
p p p
U n p p p
| |
| o o = + +
0
p p p p
U n p
o o
| o

-Baja inyeccin (si tipo N) dp , p
0
<<n
0
0
0
0
0
1/
p p
U n p
n
p p dp
G
| o
| t t
= = = =

=
ext
p
G
dt t
=
t
p
tiempo de vida
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 15
t
En estado estacionario
est
ext ext
p p
G U G
dt
dp
t
0
0

= = + =
Si la fuente de generacin externa cesa en t=0
p
dt t
p p
U
dt
dp
t
0

=
10
15
n~n
0
p
t
p
G t
dt
t
t
/
) (

+
10
10
p
est
p(t)
p
ext p
e G p t p t
0
) ( + =
10
5
p
0
p(t)
t=0
p
0
Solo variacin apreciable en minoritarios
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 16
Solo variacin apreciable en minoritarios
Ecuacin de continuidad
dx
j
n
(x+dx)
j
n
(x)
Variacin del nmero de portadores en un volumen Adx
( ) ( ) j A j d A c
(
( ) ( )
( )
n n
n n
j x A j x dx A n
Adx G R Adx
t e e
+ c
(
= +
(
c

c
( ) ( ) ....
1
n
n n
j
j x dx j x dx
x
j
c
+ = + +
c
c c 1
( )
n
n n
j n
G R
t e x
c c
= +
c c
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 17
Ecuacin de continuidad
1 j n dn c c 1
( ) ( ) ( )
n
n n n n n
j n dn
G R j e n x x eD
t e x dx
c
c c
= + = +
c c
2
n n n n n c c c c c
0
2
n n n ext
n
n n n n n
n D G
t x x x

t
c
c
c c c c
= + + +
c c c c
2
0
2
p p p ext
p p p p p
p D G
c
c
c c c c
= + +
c c c c
2
p p p ext
p
p
t x x x

t c c c c
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 18
Ecuacin de continuidad
Ejemplo: Inyeccin desde un lado. Estado estacionario
N
p
n n n
p
n
p p
x
p
D
t
p
0
2
2
0

c
c
= =
c
c
t
p
n
(x)
n n
n n
p x p
p x p c c
0
) (
) 0 ( ) 0 ( . .
=
= =
p
n
( )
p
n
(0)
( )
p
L x
n n
e p p p x p
p p
/
0
) 0 ( ) (
) (

+
p
n0
p p p
D L t =
( )
p
n n n n
e p p p x p
0 0
) 0 ( ) ( + =
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 19
p p p
Cuasi-niveles de Fermi
En situaciones de no-equilibrio E
F
no tiene sentido, sin embargo se pueden
estudiar las concentraciones en funcin de cuasiniveles F
n
F
p n p
0
exp
F i
i
E E
n n

| |
= +
|
\ .
Ej: Generacin superficial de portadores
en semiconductor N (baja inyeccin)
0
e p
exp
i
n i
i
n n
KT
F E
n n
KT
|
\ .

| |
= +
|
\ .
p
n
(x)
p
n
(0)
0
exp
F i
i
KT
E E
p n
KT
\ .

| |
=
|
\ .
p
n0
exp
p i
i
F E
p n
KT

| |
=
|
\ .
E
C
E
F
E
F
F
n
E
i
F
p
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 20
E
V
Cuasi Niveles
dn
D j c ) ( ) (
dE
dx
dn
eD x x n e j
i
n n n

c
c + =
1
) (
) ( ) (
E F d n dn
dx e
x
i n
i
c

=
=
) (
) (
dE dF D
e
dE
n j
dx KT dx
i n n i

|
|

|
+ =
=
dF dF
n j
dx dx KT
e
dx
n j
n n n
n n
o

)
`

|
.

\
+ =
dx e dx
n j
n n n
n n
= =
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 21
Aplicaciones
Sensores: Variacin en propiedades facilmente medibles Sensores: Variacin en propiedades facilmente medibles
debida a cambios externos como:
Gases, Radiacin, Campo Magntico, Temperatura.
Dispositivos:
Unin PN : Rectificadores, LEDs, Lseres: , ,
Transistores: Amplificadores, memorias
Puertas lgicas
Generadores de microondas Generadores de m croondas
Circuitos integrados
Microprocesadores
Electrnica I II - Semiconductores fuera del Equilibrio 22