Transistores

de efecto de campo (FET)

Sistemas mecnico
ACTUADORES
Solenoides, rels, piezoelctricos Motores de conGnua Motores paso a paso Servomotores DisposiGvos hidrulicos y neumGcos.

SENSORES
Interruptores Pulsadores Potencimetros LDRs Fotoclulas Encoders Galgas extensom Termopares Acelermetros MEMs

ACONDICIONADORES DE SEALES DE ENTRADA E INTERFACES

C. discretos Filtros Amplicadores A/D

VISUALIZADORES
LEDs Displays LCD CRT TFT

ACONDICIONADORES DE SEALES DE SALIDA E INTERFACES

D/A Transistores Amplicadores PWM

SISTEMAS DE CONTROL DIGITAL

Combinacionales Memorias Secuenciales SoC P Comunicaciones C SoTware

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Transistores de efecto de campo (FET)

Introduccin (I)

Los transistores FET frente al BJT Similaridades: Amplicadores. DisposiGvos de conmutacin. Circuitos para control de impedancia. Diferencias: Los FETs son disposiGvos controlados por voltaje mientras que los BJTs son controlados por corriente. Los FETs tambin Genen una impedancia de entrada elevada, pero los BJTs Genen ganancias ms elevadas. Los FETs son menos sensibles a variaciones de temperatura . Los FETs se integran mejor en los CIs. Los FETs son generalmente ms sensibles a la electricidad.

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Transistores de efecto de campo (FET)

Introduccin (II)

Tipos de transistores FET.

JFET JuncGon Field-Eect Transistor. MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field-Eect Transistor. D-MOSFET DepleGon MOSFET MOSFET de Deplexin. E-MOSFET Enhancement MOSFET MOSFET de Acumulacin.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (I)

Estructura.

Hay dos Gpos de JFETs. canal n canal p Los de canal n son los ms usados.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (II)

Principio de funcionamiento. Su funcionamiento se puede comparar a un grifo de agua: La presin de la fuente de agua es la acumulacin de electrones existente en el polo negaGvo de la fuente de tensin drenador- fuente. El drenador de agua es la deciencia de electrones (o huecos) en el polo posiGvo de la fuente de tensin aplicada.. El control del ujo de agua es el voltaje de compuerta que controla el ancho del canal n y de este modo el ujo de cargas entre la fuente y el drenador.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (III)

Modos de funcionamiento. VGS = 0 y se aumenta VDS >0 paulaGnamente Tres cosas ocurren cuando VGS = 0 y VDS se incrementa desde 0 a un valor posiGvo: Aumenta la zona de deplexin y disminuye el ancho del canal n. Por tanto incrementa la resistencia del canal n. Aunque la resistencia del canal n est aumentando, la corriente (ID) desde la fuente al drenador a travs del canal n tambin aumenta. Esto ocurre porque VDS est aumentando. Aumenta la densidad de corriente.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (IV)

Modos de funcionamiento. VGS = 0 y VDS es lo sucientemente grande como para que se alcance el mximo estrechamiento del canal

Si VGS = 0 y VDS se ha aumentado a un valor lo sucientemente alto, la zona de deplexin llega a ser tan grande que se llega al punto de mximo estrechamiento del canal n (Pinch-o). Nos podramos imaginar que la (ID) valdra 0, pero ocurre justamente lo contrario. Como VDS aumenta, tambin lo hace ID. Existe un pequeo canal con una corriente de muy alta densidad.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (V)

Modos de funcionamiento. VGS = 0 y VDS es lo sucientemente grande como para que se alcance el mximo estrechamiento del canal. Curva CaractersGca En el punto de mximo extrechamiento (Vp): Un incremento adicional de VDS no produce un incremento en ID. VDS en el punto de mximo estrechamiento (pinch-o) se conoce como Vp. ID est en saturacin o en su valor mximo. Se conoce como IDSS. A parGr de ese punto el transistor se comporta como una fuente de corriente.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (VI)

Modos de funcionamiento. VGS < 0 y VDS>0

Cuando VGS se hace negaGvo, la zona de deplexin se hace mas grande, y el estrechamiento se alcanza a niveles menores de tensin VDS. La anchura del estrechamiento no disminuye, pero la longitud del canal de estrechamiento aumenta.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (VII)

Modos de funcionamiento. VGS <0 y VDS>0. Curva caractersGca Cuando VGS se hace ms negaGva: El JFET experimenta el fenmeno de pinch-o a voltajes inferiores (Vp). ID disminuye (ID < IDSS) an cuando VDS se aumenta. ID se hace 0A. VGS en este punto se llama Vp or VGS(o).. A niveles altos de VDS el JFET alcanza una situacin de ruptura. ID aumenta descontroladamente s VDS > VDSmax.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal n (VIII)

Modos de funcionamiento. VGS <0 y VDS>0. Zona resisGva

La regin de la izquierda del punto de the pinch-o se llama regin hmica. Trabajando en esta zona, el JFET puede ser usado como un resistor variable, donde la VGS controla la resistencia drenador-fuente (rd). Cuando VGS se hace ms negaGva, la resistencia (rd) se incrementa.
rd = ro " V % GS $ $1 V ' ' # P &
2

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal p (I)

El JFET de canal p se comporta como el de canal n, excepto que las polaridades y corrientes se invierten.

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Transistores de efecto de campo (FET)

JFET de canal p (II)

Cuando VGS aumenta posiGvamente: La zona de deplexin aumenta ID disminuye (ID < IDSS) Puede llegarse a ID = 0A

Notar tambin que a altos niveles de VDS el JFET alcanza la ruptura ID aumenta descontroladamente si VDS > VDSmax.

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Transistores de efecto de campo (FET)

Smbolos del JFET

Canal n

Canal p

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Transistores de efecto de campo (FET)

CaractersGca de transferencia (I)

Entre la entrada y la salida de un JFET no existe una relacin lineal. En un BJT, indica la relacin entre IB (entrada) y IC (salida) => IC=.IB En un JFET, la relacin VGS (entrada) y ID (salida) es un poco ms complicada:

ID = I

" %2 $ VGS ' 1 $ V ' ' DSS $ # P&

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Transistores de efecto de campo (FET)

CaractersGca de transferencia (II)

UGlizando los valores de IDSS y Vp, los cuales se pueden encontrar en la hoja de caractersGcas de un JFET, se puede trazar de manera aproximada la curva de transferencia siguiendo los siguientes tres pasos:

" V % GS ' I D = IDSS $ 1 $ VP ' # &

Step 1

Cuando VGS = 0V => ID = IDSS

Step 2

Cuando VGS = Vp => ID = 0

Step 3

Cuando VGS = Vp/2 => ID=IDSS/4

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Transistores de efecto de campo (FET)

CaractersGca de transferencia (III)

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Transistores de efecto de campo (FET)

Hojas de caractersGcas (I)

Valores Mximos

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Transistores de efecto de campo (FET)

Transistores MOSFET(I)

MOSFETs Genen caractersGcas similares a los JFETs y caractersGcas adicionales que los hacen muy Gles. Hay dos Gpos de MOSFETs: Deplexin (canal n y p). Acumulacin (canal n y p).

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de deplexin canal n (I)

Estructura.

El drenador (D) y la fuente (S) se conectan a las zonas Gpo n. Estas zonas estn conectadas va un canal n. Este canal n es conectado a la compuerta (G) va una na capa de material aislante de SiO2. El material n descansa sobre un substrato p que puede tener un terminal adicional llamado substrato (SS).

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de deplexin canal n (II)

Un MOSFET de deplexin puede trabajar en dos modos: deplexin y acumulacin.

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de deplexin canal n (III)

Modo deplexin

" V % GS ID = IDSS $ $1 V ' ' # P &

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El comportamiento es similar a un JFET canal n Cuando VGS = 0V, ID = IDSS Cuando VGS < 0V, ID < IDSS

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de deplexin canal n (IV)

Modo de acumulacin

VGS I D = I DSS 1 VP

Notar que VGS Gene ahora una polaridad posiGva

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VGS > 0V ID aumenta por encima de IDSS

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de deplexin canal p (I)

Estructura y funcionamiento.

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Transistores de efecto de campo (FET)

Simbologa MOSFET de deplexin

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de deplexin Hoja de caractersGcas

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Electrnica Industrial

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET acumulacin canal n (I)

Estructura. El drenador (D) y la fuente (S) se conecta a las regiones de material Gpo n. La compuerta (G) se conecta al substrato Gpo p via una na capa de material aislante de SiO2 No hay canal Las regiones Gpo n descansan sobre un substrato de material Gpo p que puede tener un terminal adicional llamado substrato (SS)

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET acumulacin canal n (II)

El MOSFET de acumulacin solo trabaja en modo de acumulacin. VGS es siempre posiGvo. Cuando VGS aumenta, ID aumenta. Cuando VGS se manGene constante y VDS se aumenta, entonces ID se satura (IDSS)

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET acumulacin canal n (III)

Para obtener ID dado VGS: 2 I = k ( V V ) D GS T Donde: VT = voltaje umbral o voltaje a parGr del cual el MOSFET pasa a on k = constante que se obGene de la hoja de caractrersGcas k tambin puede obtenerse a parGr de la frmula:
k= I D(ON) (VGS(ON) VT) 2
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VDSsat puede ser calculada por:

VDsat = VGS VT

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET acumulacin canal p (I)

El MOSFET Gpo incremental de canal p es similar al de canal n, excepto que las polaridades de voltaje y corriente se invierten.

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Transistores de efecto de campo (FET)

Simbologa MOSFET acumulacin

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Transistores de efecto de campo (FET)

MOSFET de acumulacin Hoja de caractersGcas

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Electrnica Industrial

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Transistores de efecto de campo (FET)

Manipulacin de los MOSFET

Los MOSFETs son muy sensibles a la electricidad estGca. Debido a que la capa de SiO2 es muy na y se puede perforar debido a una pequea descarga elctrica. Proteccin Transportar siempre en bolsas de transporte anG estGcas. Llevar una correa de proteccin estGca cuando se manipulan los MOSFETs Colocar disposiGvos limitadores de tensin entre la compuerta y la fuente, tales como Zeners en oposicin para limitar cualquier transitorio de tensin.

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Transistores de efecto de campo (FET)

Tabla resumen

JFET canal n

MOSFET deplexin, canal n

MOSFET acumulacin, canal p

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Transistores de efecto de campo (FET)

Otros transistores MOSFET (I)

VMOS (VerGcal MOSFET) Aumenta el rea supercial del disposiGvo. Ventajas

VMOS manejan corrientes ms elevadas al disponer de ms supercie para disipar calor. VMOS Genen tambin velocidades de conmutacin mucho ms rpidas.

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Transistores de efecto de campo (FET)

Otros transistores MOSFET (II)

CMOS (Complementary MOSFET) UGliza un MOSFET de canal p y otro de canal n sobre el mismo substrato.

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Gl en el diseo de circuitos lgicos Altas impedancias de entrada Velocidades de conmutacin ms rpidas Niveles de disipacin de potencia bajos

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Dr. Andrs Iborra Universidad Politcnica de Cartagena Campus Muralla del Mar, s/n 30202 Cartagena Tel. Fax. E-mail Twiwer Lista de correo Www +34 968 32 56 54 +34 968 32 53 45 andres.iborra@upct.es @CincubatorHUB @aiborra cloud-incubator@upct.es www.cincubator.com