UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO FACULTAD DE INGENIERIA

ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE INGENIERA DE MATERIALES

PROYECTO DE TESIS: Efecto del dopado con Cobalto a Pelculas Semiconductoras de Oxido de Zinc sobre el numero de Portadores y la resistividad Elctrica utilizando el Mtodo del Efecto Hall

AUTORES

: Reyes Olivares Carlos Manuel Sanchez Vereau Cesar Marlon

ASESOR

: ANGELATS SILVA, Luis Manuel

TRUJILLO PERU

I.

GENERALIDADES 1. Ttulo: Efecto de la temperatura de recocido sobre la capacidad del sensor de gas en pelculas de ZnO-NiO dopadas con nanopartculas de Oro por el mtodo sol gel.

II. PLAN DE INVESTIGACIN: 1. Antecedentes y Justificacin del Problema

1.1. Realidad Problemtica Hoy en da la electrnica avanza a pasos agigantados debido a la creacin de nuevos materiales semiconductores con mejores propiedades. Estos materiales puestos en servicio tienen una durabilidad promedio de acuerdo al uso que le den. Pues lo que tratamos de entender es que para pelculas semiconductoras la durabilidad se da de acuerdo al tiempo en que los espines electrnicos se encuentren ordenados. Con el dopado de las pelculas semiconductoras de ZnO con cobalto alargaremos el tiempo de vida en servicio de estos materiales debido a que se aumentara el nmero de portadores de carga y se disminuir la resistividad electica. 1.2. Antecedentes Empricos Sensores qumicos de gas han encontrado amplias aplicaciones en la produccin industrial, vigilancia y proteccin ambiental [7]. Muchos de estos sensores son fabricados por la carga de xido de metal-semiconductor (MOS), materiales como los materiales de deteccin, tales como SnO2, ZnO, NiO y WO3 [8]. La performance de los sensores son fuertemente dependientes de la morfologa y la estructura de MOS, es decir, tamao de grano, la superficie y dimensin, as como el tipo de red grano o porosidad [9]. Wenjie Mai y sus colaboradores sintetizaron matrices de nanocables de xido de Zinc por un mtodo qumico hmedo escalable (a scalable wet chemical method), obteniendo sensores de tensin, concluyeron que reduciendo el tamao, costo y complejidad de fabricacin se logr conservar una alta sensibilidad a la tensin. [10] SHEN RenSheng y sus colaboradores sintetizaron a travs de la tcnica electro spinning nanofibras de un compuesto de NiO y SnO2, que es una tcnica que ofrece un mtodo relativamente sencillo y verstil para la sntesis a gran escala de nanoestructuras, sin
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embargo los resultados muestran que los procesos de fabricacin por calentamiento indirecto de los sensores gaseosos destruyen la morfologa de nanoesttructuras y por lo tanto no es adecuado para la investigacin de nanomateriales. [11] Lpez Gonzlez Francisco desarroll sensores pticos para la medicin de gases oxgeno y dixido de carbono, en conexin con el diseo y fabricacin de un prototipo de un sistema electrnico porttil de medida, basado en medidas de atenuacin de luminiscencia. [51] 1.3. Fundamentacin Terica 1.3.1. TEORIA DE BANDAS En una buena aproximacin en torno a la teora de bandas, podemos decir que cuando un tomo esta completamente aislado no hay interaccin entre las funciones de onda de sus electrones, de tal manera que se conservan los niveles energticos de cada tomo, segn la teora de los orbitales atmicos. Los slidos semiconductores cristalinos estn formados por un arreglo peridico de tomos, en donde los niveles de energa del slido se agrupan en bandas de energa llamadas bandas de estados electrnicos (BEE). Para un sistema de N tomos aislados en un cristal, los niveles atmicos 2s y 2p se amplan a bandas de energa; conforme el espaciamiento interatmico disminuye, estas bandas se hacen ms anchas y terminan en superponerse conformando nuevos niveles de energa permitidos, la divisin en dos bandas, cada una de las cuales cuenta ahora precisamente con 4N estados. Del cumplimiento del principio de exclusin de Pauli (ver Figura 1) se encuentra que cada orbital molecular constituye un nivel de energa dentro de la BEE. La BEE se encuentra esquematizada en la Figura 2. El ancho de las bandas y su separacin depender del tipo de tomos, el tipo de enlace entre ellos y de su estructura cristalina. El valor de la brecha prohibida se da en electronvoltios (eV), En la Tabla 1 se observa la energa de brecha prohibida para ciertos materiales semiconductores.

Figura 1. Formacin de Bandas de energa como funcin de la separacin de los tomos. [12].

Tabla 1. Valores de Eg a 25C para varios semiconductores [12]. Para el caso particular del compuesto ZnO tiene un valor de Eg de 3.37 eV, mientras que el diamante (un aislante) tiene un valor de Eg de 5 eV. El relativo bajo valor en los semiconductores permite el salto de electrones desde la banda de energa ms baja (BV) hasta la banda superior (BC) por cantidades razonables de energa trmica u ptica [12]. A temperaturas ms altas, algunos electrones de la BV pueden adquirir la suficiente energa trmica para saltar a travs de la brecha prohibida con el fin de convertirse en electrones de conduccin en la BC que inicialmente estaba vaca (ver Figura 3). Los estados vacos que quedan en la BV contribuyen a la conductividad del material comportndose como huecos positivamente cargados.

Figura 2. Bandas de energa en slidos (Temperatura 0 K) [13]

Figura 3. Bandas de energa en slidos (Temperatura 300 K) [13] 1.3.2. Semiconductores Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Elemento

Grupos

Electrones en la ltima capa 2 e3 e4 e5 e6 e-

Cd

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Al, Ga, B, In

13

Si, C, Ge

14

P, As, Sb

15

Se, Te, (S)

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El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. [14]
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1.3.2.1. Tipos de semiconductores Semiconductores intrnsecos Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,1 eV y 0,7 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

Figura 4. Banda de energa de un Semiconductor intrnseco

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3 ni(Ge) = 2.5 1013cm-3 Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. [14] Semiconductores extrnsecos

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en dia se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material. [14]

Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P),
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arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. [14] Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. [14] 1.3.2.2.Polarizacin Directa E Inversa De La Unin P-N El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P) de esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.

La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa y polarizacin directa. [15] Polarizacin inversa Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total prcticamente nula. La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denomina Corriente inversa de saturacin (Is). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar sta. [15] Polarizacin directa. Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V). Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario. [15] 1.3.3. Semiconductor de ZnO El ZnO esta clasificado como un xido cermico perteneciente a la familia II-VI.

Este posee una diferencia de electronegatividades entre los cationes Zn2+ y aniones O2- lo cual produce una ionicidad en su enlace, propiedad que lo hace uno de los compuestos ms inicos de su clase [16]. Esta propiedad electrosttica provoca fuerte repulsin entre sus nubes de carga, haciendo que su estructura cristalina sea ms estable. El orden cristalino de este material es hexagonal tipo wurtzita. Esta estructura est compuesta por 4 tomos de oxgeno por cada tomo de zinc, y los tomos se encuentran suficientemente alejados para compensar la repulsin electrosttica. El ordenamiento cristalino se muestra en la Figura siguiente:

Figura 5. Estructura cristalina wurtzita correspondiente al ZnO [17].

La estructura cristalina pertenece al grupo espacial P63 mc ( ) y esta compuesta por la combinacin alternada de planos de tomos de oxgeno y de planos de tomos de zinc que se apilan a lo largo del eje c, con un una distancia de separacin entre estos de 0.38c, siendo c el parmetro de red. Los parmetros de red para el ZnO, en condiciones normales de presin y temperatura, son de: a = 3.253 y c = 5.213 [18] [19]

1.3.3.1. APLICACIONES TECNOLGICAS DEL ZnO La lista de posibles aplicaciones del ZnO es muy inmensa, por ejemplo, este es utilizado como pigmento para la fabricacin de pinturas, lacas y barnices. Tambin tiene aplicacin en la fabricacin de cosmticos, cementos de fraguado rpido y en la industria farmacutica. Es til para la fabricacin de vidrio, ruedas de automviles, cerillas, pegamento blanco y tintas para imprenta. Por otro lado las pelculas semiconductoras de xidos metlicos son consideradas como buenas pelculas conductoras y transparentes, siendo el xido de zinc uno de los semiconductores modificados; como xidos metlicos ms utilizados en dichos dispositivos [20] [21]. Dentro de este grupo se incluye su uso en transductores acsticos [21], en varistores [22], en sensores de gas [23] [24], en foto detectores [25] y como ventana ptica en clulas solares [26] entre otros. Especial atencin merece su aplicacin en
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dispositivos optoelectrnicos con emisin en el rango de longitudes de onda cortas, al poseer una Eg directo de 3.37 eV, a temperatura ambiente, lo que lo convierte en uno de los principales candidatos para utilizarlo como elemento activo en el desarrollo de dispositivos opto electrnicos, a comparacin del GaN, material ms estudiado hasta el momento para estas aplicaciones y uno de los ms costosos en su produccin [27]. El ZnO al poseer una alta energa de enlace excitnico puede permitir la emisin estimulada a temperaturas mayores a los valores ambientales (~ 550 K). Adems, su mdulo de cizalladura hace que sea un material mucho ms estable que los dems compuestos de la familia IIVI, incluso ms que otros semiconductores con tecnologa totalmente establecida como el GaAs [28][29]. Todas estas propiedades han hecho que el estudio de las pelculas de ZnO haya crecido de forma vertiginosa en estos ltimos aos. Por otro lado, pelculas delgadas impurificadas de ZnO han sido ampliamente usadas para incrementar su conductividad elctrica. Los materiales impurificantes por excelencia son los del grupo IIIA, tales como Al, In, Ga [19] [30]. 1.3.4. CARACTERIZACION DE MATERIALES 1.3.4.1. Difraccin de rayos X (XRD) La difraccin de rayos X es una tcnica de caracterizacin utilizada para analizar aspectos relacionados con la estructura de los materiales que van desde la constante de red, estructura cristalina, identificacin de materiales, orientacin de monocristales, orientaciones preferenciales de policristales, partculas cristalinas en fases amorfas hasta epitaxia de pelculas delgadas. Los rayos X en el espectro electromagntico se encuentran con longitudes de onda entre 0.1 y 100 . Cuando los rayos X son dispersados por un cristal, tienen lugar interferencias entre los rayos dispersados, ya que las distancias entre los tomos, que son los centros de dispersin, son del mismo orden de la longitud de onda de los haces dispersados. El resultado que se obtiene de este fenmeno es la difraccin. W. H. Bragg y W. L. Bragg en 1913 explicaron el fenmeno de porque los planos de corte de los cristales aparentemente reflejaban los haces de rayos X a ciertos ngulos de incidencia (). En la figura 5se muestra un diagrama del fenmeno de la difraccin de los rayos X por un objeto para un haz incidente, y en forma especfica su relacin con la ley de Bragg. Las variables que juegan un papel importante en esta ley son la distancia entre los planos del cristal d, la longitud de onda y el ngulo al que se est tomando la difraccin. En la forma general, n es un entero que toma un cierto nmero de capas. Asimismo, k es el vector de onda del haz incidente que est relacionado con la longitud de onda, y k es el vector de
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onda resultante. Si k es fijo, es decir, si el haz incidente es monocromtico y bien definido, entonces se observa un haz difractado en direcciones que satisfagan a los vectores de onda k=k+g, donde g es uno de los vectores de la red recproca del cristal, pero como la longitud de onda del haz difractado es la misma que la del haz incidente, energticamente k y k sern iguales, por lo que los vectores de onda deben tener el mismo valor numrico. Esto va a imponer una condicin sobre el ngulo de dispersin, y dado que 2 es el ngulo entre k y k, se tendr que g=2ksen [44].

Figura 5. Difraccin de rayos X por un objeto y ley de Bragg [44]

1.3.4.2. Microscopa Electrnica de Barrido El microscopio electrnico de barrido (SEM) es de suma utilidad para el estudio de la microestructura de las muestras. La versatilidad del microscopio de barrido para el estudio de slidos proviene de la amplia variedad de seales que se generan cuando el haz de electrones interacciona con la muestra. Este equipo permite la observacin de la morfologa y topografa sobre la superficie de los slidos con muy buena resolucin y gran profundidad de campo. El equipo consiste en un emisor de electrones que pueden ser focalizados con lentes electromagnticas. Este delgado haz de electrones es acelerado por una diferencia de potencial (5-50kV), es enfocado sobre la muestra mediante un sistema de lentes y se deflecta

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por medio de bobinas de modo de barrer la superficie seleccionada de la muestra.Las emisiones originadas por la interaccin de los electrones incidentes con la materia (electrones secundarios y retrodifundidos, rayos X, fotones de distintas energas, etc.) son detectadas, convertidas en seales electrnicas y amplificadas convenientemente, suministrando informacin que permite la caracterizacin de la muestra. Estas seales se utilizan para modular la intensidad del haz de electrones de un tubo de rayos catdicos, as se obtiene en la pantalla un registro visual de las variaciones de la seal seleccionada. Si se usan los electrones secundarios la variacin de intensidad sobre la pantalla da sensacin de relieve correspondiente a la topografa de la superficie analizada.La gran profundidad de campo y alta resolucin permite obtener informacinsobre tamao de partculas, poros, etc. El rango de aumentos de equiposconvencionales puede llegar hasta 50000x y las mximas resoluciones son de 50. [45][46]

Figura 6.Principio de microscopio electrnico de barrido [45] [46]

1.3.4.3. Espectroscopa de absorcin UV La espectroscopia ptica se basa principalmente en la absorcin o emisin de la radiacin electromagntica generalmente en la regin visible. Las tcnicas espectroscpicas nos permiten analizar cuantitativa o cualitativamente la muestra. Y uno de los parmetros lo constituye la transmitancia y la absorbancia, que se definen como la relacin de la intensidad
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de la luz transmitida con respecto a la intensidad de la luz incidente, y, la absorcin como aquella que mide la energa que absorbe la muestra.De tal forma, que en la interaccin entre un haz de fotones y un material semiconductor puede tener lugar una absorcin total o parcial de la energa del haz por parte del material. En dicho fenmeno un fotn transfiere su energa a un electrn, provocando su excitacin desde un determinado nivel de energa a uno de energa superior. [49]

La absorcin ptica en un semiconductor puede ser debida a varios tipos de transiciones, como por ejemplo transiciones banda a banda, transiciones entre niveles localizados y bandas o la formacin de excitones. De esta manera, si se analiza la grfica de la absorcin en funcin de la energa, obtenidas a partir de la transmitancia ptica; se puede obtener una gran cantidad de informacin sobre las propiedades del semiconductor y sobre su estructura electrnica. La energa a la que ocurre la absorcin indica la separacin existente entre los dos niveles implicados en la transicin.En esta tcnica de absorcin UV, una luz monocromtica a diferentes longitudes de onda se hace incidir sobre las muestras. De la intensidad absorbida se extraen parmetros como el ndice de refraccin y el coeficiente de absorcin ptico [47].

Figura 7.Espectroscopia UV y espectro electromagnetico [48]

La espectroscopia UV se basa en el anlisis de la cantidad de radiacin electromagntica (en el rango de longitudes de onda del ultravioleta y visible) que puede absorber o transmitir una
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muestra en funcin de la cantidad de sustancia presente.Todas las tcnicas de absorcin suponen que cuando una radiacin incide sobre una muestra se produce una absorcin parcial de esta radiacin, lo que hace que se produzca una transicin entre los niveles energticos de la sustancia: tomo, molcula o in, X, pasando esta al estado excitado, X, el resto de radiacin es transmitida. As analizando una u otra podemos relacionar la cantidad de especie activa presente en la muestra[49].

1.3.4.4. Espectroscopa Infra Roja La espectroscopa infrarroja tiene casi 125 aos de existencia. El primer espectro de vibraciones moleculares fue observado en 1881 por Abney y Festing [50], quienes prepararon emulsiones fotogrficas sensibles al infrarrojo cercano y fotografiaron el espectro de absorcin de 48 lquidos orgnicos. Encontraron bandas caractersticas en estos espectros, las cuales asociaron con la presencia de hidrgeno en las molculas estudiadas. En 1892, Julius [50]. Obtuvo el espectro infrarrojo de 20 compuestos orgnicos, encontrando que todos los compuestos que contienen metilo (CH3) exhiben una banda de absorcin de 3.45 m y lleg a la conclusin de que la absorcin de ondas calorficas se debe a movimientos intramoleculares; en otras palabras, la estructura interna de la molcula determina el tipo de absorcin. Tambin encontr que el efecto no es aditivo; es decir, que no se puede predecir el espectro de absorcin de un compuesto a partir del conocimiento de los espectros de los tomos constituyentes. Los espectrmetros infrarrojos son una de las herramientas ms importantes para observar espectros vibracionales. Las caractersticas ms relevantes de esta espectroscopa son las siguientes: Si dos molculas estn constituidas por tomos distintos, o tienen distinta distribucin isotpica, o configuracin, o se encuentran en ambientes distintos, los espectros infrarrojos sern distintos. Una sustancia definida puede identificarse por su espectro infrarrojo. Estos espectros pueden ser considerados como las huellas digitales de dicha sustancia. Los espectros muestran bandas que son tpicas de grupos funcionales particulares y que tienen localizaciones e intensidades especficas dentro de los espectros infrarrojos.

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A partir de los espectros se pueden inferir las estructuras moleculares. Para ello se requiere un modelo en el cual basar los clculos. Las intensidades en las bandas del espectro de una mezcla, son generalmente proporcionales a las concentraciones de las componentes individuales. Por lo tanto, es posible determinar la concentracin de una sustancia y realizar anlisis de muestras con varias componentes.

Es posible, mediante el uso de dispositivos experimentales adecuados, obtener espectros infrarrojos sin alteracin de la muestra, lo que constituye a esta espectroscopa como una herramienta de anlisis no destructiva.

El tiempo necesario para obtener y almacenar un espectro infrarrojo es del orden de minutos [50].

1.4. Justificacin Cientfica: Se desarrollara el mtodo del Efecto Hall para determinar el numero de portadores. Medioambiental: Estas pelculas sirven para reducir la cantidad de materiales empleados en equipos electrnicos. Tecnolgica: se pondr en prctica metodologas estandarizadas para evaluar el efecto del cobalto sobre las pelculas de ZnCo. Industrial: Despus de ensayar las pelculas dopadas y obtener resultados ptimos podrn ser puestos en funcionamiento en equipos electrnicos.

2.

Problema

Cul es el efecto de dopar partculas de cobalto en pelculas de ZnO sobre el numero portadores de carga y la resistividad elctrica utilizando el mtodo de Efecto Hall?
Dopado con Cobalto

Pelculas de ZnO

Numero de Portadores y Resistividad Electrica

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Efecto Hall

Figura 8. Diagrama esquemtico del problema de Investigacin 3. Hiptesis Al dopar con cobalto las pelculas de ZnO aumenta el numero de portadores de carga y disminuye la resistividad elctrica.

4. Objetivos 5.1. Objetivo general Determinar la efecto de dopar con cobalto a pelculas de Oxido de Zinc sobre el numero de portadores y la resistividad elctrica utilizando el mtodo del Efecto Hall 5.2. Objetivos especficos Determinar las caractersticas electronicas del ZnO dopado con Co Determinar los picos de difraccin y tamaos de las nanopartculas a travs de un anlisis por difractometra de rayos X. Realizar ensayos de ferromagneticidad en las pelculas dopadas.

5. Referencias Bibliogrficas: [1]. Spengler, John D. and Sexton, Ken (1983) "Indoor Air Pollution: A Public Health Perspective"Science (New Series) 221(4605 ): pp. 9-17, page 9. H. Gomez, M.L. Olvera, Mater. Sci. Eng. B 134 (2006) 20 Nylander, B. Liedberg, T. Lind, Sensors and Actuators. 3 (1982) 7988. S.Y. Wang, W. Wang, W.Z. Wang, Y.W. Du, Preparation and characterization of highly oriented NiO (200) films by a pulse ultrasonic spray pyrolysis method, Mater. Sci. Eng. B 90 (2002) 133 137. Z.W. Pan, Z.R. Dai, Z.L. Wang, Science 291 (2001) 1947. X.Y. Kong, Z.L. Wang, Nano Lett. 3 (2003) 1625. Janata J, Josowicz M, Devaney D M. Chemical sensors. Anal Chem, 1994, 66: 207228 Plashnitsa V V, Ueda T, Elumalai P, et al. Zirconia-based planar NO2 sensor using ultrathin NiO or laminated NiO-Au sensing electrode. Ionics, 2008, 14: 1525

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