Diodos y Transistores

Resumen de la materia
Profe: José Manuel López Rodríguez

José Francisco Padilla Torres 21061044

Paolo Emilio Rodríguez Galván 21060711
Kenji Minoru Ogata Chávez C20061304

1 de diciembre de 2023
Tema 1

Circuitos de aplicación con diodos

1.1 Polarización y Recta de Carga:

La polarización es un concepto clave en electrónica que se refiere al
establecimiento de condiciones específicas en un componente electrónico para
garantizar su correcto funcionamiento. En el contexto de transistores, por ejemplo,
la polarización adecuada es fundamental para controlar su comportamiento y
permitir su uso como amplificadores. La recta de carga es una herramienta gráfica
que representa la relación entre el voltaje y la corriente en un componente o
circuito. En el caso de un transistor, la recta de carga muestra las combinaciones de
voltaje y corriente en el colector que satisfacen las ecuaciones de sus
características.
Ejemplo:
Supongamos que estamos trabajando con un transistor bipolar NPN en un amplificador.
Para polarizarlo en la región activa, aplicamos una corriente base-emisor (Ib) y un voltaje
colector-emisor (Vce) adecuados. La recta de carga para este transistor en particular
mostrará las diferentes combinaciones de Ib y Vce que garantizan su operación óptima,
evitando la saturación o el corte.
1.2 Circuitos Serie, Paralelo y Serie-Paralelo en DC:

● Circuitos en serie:
En un circuito en serie, los componentes están conectados uno tras otro, lo
que significa que comparten la misma corriente. La ventaja de este tipo de
conexión es que es sencillo de implementar y calcular, ya que la corriente es
constante en todo el circuito.

Ejemplo:
Imagina tres resistencias (R1, R2 y R3) conectadas en serie con una fuente
de voltaje de 12V. La corriente a través de cada resistencia es la misma, y la
suma de las caídas de voltaje en cada resistencia equivale al voltaje de la
fuente (12V).

● Circuitos en paralelo:
En un circuito en paralelo, los componentes están conectados de extremo a
extremo, compartiendo el mismo voltaje. Esto permite que la corriente se
divida entre los componentes conectados en paralelo.

Ejemplo:
Ahora, considera las mismas tres resistencias (R1, R2 y R3) conectadas en
paralelo con la misma fuente de 12V. La tensión en cada resistencia es la
misma (12V), y la corriente se divide entre las resistencias.

● Circuitos Serie-Paralelo: Esta es una combinación de los dos tipos

anteriores. Algunos componentes están en serie y otros en paralelo. Es una
configuración comúnmente utilizada para diseñar circuitos complejos y
lograr un equilibrio entre la simplificación y la funcionalidad.
 Ejemplo:
Podemos combinar estos circuitos conectando varias resistencias en serie y
luego colocando este grupo de resistencias en paralelo con otra resistencia.
Esto nos brinda la flexibilidad de controlar la corriente y el voltaje en
diferentes partes del circuito.

1.3 Circuito de:

1.3.1 Rectificación y Filtrado (Media Onda y Onda Completa):

● Circuito de rectificación: Un circuito de rectificación convierte una señal de

corriente alterna en corriente continua. Este proceso implica el uso de
diodos para eliminar la parte negativa de la señal de entrada, permitiendo
solo el flujo en una dirección.

Ejemplo:
 Supongamos que tenemos un circuito con un diodo que rectifica la mitad
positiva de una señal de AC. Durante la parte positiva del ciclo de la onda, la
corriente fluye a través del diodo, permitiendo solo esta mitad de la señal.

● Rectificación de media onda: En este tipo de rectificación, se utiliza un solo

diodo para retener solo la mitad positiva o negativa de la señal de entrada.
El resultado es una señal rectificada con solo una mitad de los ciclos de la
onda original.
Ejemplo:
Si usamos un solo diodo para permitir solo la mitad positiva de la señal,
estamos realizando rectificación de media onda. Por ejemplo, un diodo
conectado en paralelo a una carga resistiva en un circuito de media onda.

● Rectificación de onda completa: En este caso, se utilizan configuraciones de

diodos (como un puente rectificador) para retener tanto la parte positiva
como la negativa de la señal de entrada, generando así una salida más suave
que representa todos los ciclos de la onda original.
Ejemplo:
Un puente rectificador compuesto por cuatro diodos puede usarse para
rectificar tanto la parte positiva como la negativa de la señal de entrada,
generando así una señal de corriente continua completa.
1.3.2 Recortador

Un Limitador o Recortador es un circuito capaz de suprimir porciones positivas o negativas

de una señal.

LIMITADOR POSITIVO

Un limitador positivo recorta o limita la parte superior de una señal, Esto significa que
recorta porciones de Tensión en los semiciclos positivos.

Fuente: Floyd,T.(2008).Dispositivos Electrónicos. Prentice Hall

La figura 12 muestra un Limitador Positivo y el circuito funciona de la siguiente manera:

El diodo es polarizado en directa durante los semiciclos positivos y en inversa durante los
semiciclos negativos. Cuando el diodo esta polarizado en directa se produce un corto que
ocasiona una caída de tensión en la resistencia RL que se aprecia como un recorte en el
semiciclo positivo, Idealmente dicha caída debería recortar totalmente el semiciclo, en la
practica el diodo no es ideal y el recorte termina en 0.7V.

LIMITADOR NEGATIVO

Un limitador negativo recorta o limita la parte inferior de una señal, Esto significa que
recorta porciones de Tensión en los semiciclos negativos.
 Fuente: Floyd,T.(2008).Dispositivos Electrónicos. Prentice Hall

La figura 13 muestra un limitador Negativo y el circuito funciona de la siguiente manera:

El diodo es polarizado en directa durante los semiciclos negativos y en inversa durante los
semiciclos positivos. Cuando el diodo esta polarizado en directa se produce un corto que
ocasiona una caída de tensión en la resistencia RL que se aprecia como un recorte en el
semiciclo negativo, Idealmente dicha caída debería recortar totalmente el semiciclo, en la
practica el diodo no es ideal y el recorte termina en −0.7V.

LIMITADORES POLARIZADOS

El nivel del voltaje que se limita se puede ajustar añadiendo una fuente de tensión (VCC)
en serie con el diodo.

a)
 b)
Figura 14 a) Limitador Positivo Polarizado b) Limitador Negativo Polarizado

Fuente: Floyd,T.(2008).Dispositivos Electrónicos. Prentice Hall

De esta forma el circuito limitador recorta toda entrada de tensión por encima de:

VCC + 0.7V ----- Limitador Positivo

−VCC – 0.7V ----- Limitador Negativo

Para que un limitador funcione correctamente se debe tener en cuenta la siguiente regla:

100RB < RS <0.01RL

La regla dice que la resistencia en serie debe ser 100 veces mayor que la resistencia
interna del diodo y 100 veces menor que la resistencia de carga.

1.3.3 SUJETADORES

Un circuito sujetador añade un nivel de CC a voltaje de AC.

Como en el caso anterior, de los limitadores, hay dos tipos de sujetadores, los de nivel
positivo y los de nivel negativo.
 Figura. 15 Sujetador o Cambiador de Nivel Positivo

Fuente: Floyd,T.(2008).Dispositivos Electrónicos. Prentice Hall

El circuito sujetador de nivel positivo funciona de la siguiente forma:

Durante los semiciclos negativos el diodo esta polarizado en directa permitiendo que el
capacitor C se cargué aproximadamente a VP (in) – 0.7V donde VP (in) es el voltaje pico de
la señal de entrada. Después del pico negativo el diodo queda polarizado en inversa y esto
es porque la carga positiva adquirida por el condensador bloquea al cátodo del diodo y
busca descargarse a través de R.

La idea es que el capacitor no se descargue totalmente cuando el diodo esta en inversa

para así mantener una corriente continua aproximada a VP (in) – 0.7V que por
superposición cambie el nivel DC de la señal de entrada.

Para calcular la constante de tiempo de carga y descarga del condensador del se emplea la
formula:

T= R∙C

Una regla práctica de diseño es hacer que la constante de tiempo RC sea 10 veces el valor
del periodo de la señal de entrada.

Si invertimos la polaridad del diodo y la del capacitor obtenemos un Sujetador de nivel

negativo.

Figura. 16 Sujetador o Cambiador de Nivel Negativo

 Fuente: Floyd,T.(2008).Dispositivos Electrónicos. Prentice Hall

Los circuitos Sujetadores son frecuentemente utilizados en receptores de televisión como

restauradores del nivel DC de señales de video.

1.3.4 MULTIPLICADORES DE VOLTAJE

Un circuito multiplicador aumenta los valores de voltaje sin necesidad de cambiar el

transformador de la fuente principal. Multiplicando por 2, 3 y 4 el valor de voltaje a su
entrada.

El principio de operación de estos circuitos es la carga sucesiva de condensadores debido

a la habilitación en cascada de diodos.

Estos circuitos se implementan cuando hay cargas que necesitan una tensión muy alta y
que absorben una Corriente pequeña.

Una aplicación común se da en los circuitos que elevan el voltaje para alimentar el Tubo
de rayos catódicos de Televisores, Monitores y Osciloscopios.

1.4 Diodos Zener

El diodo Zener es un dispositivo semiconductor que opera en la región de polarización inversa de

su curva característica, lo que lo distingue de otros diodos convencionales. Esta peculiaridad le
permite mantener una tensión constante a través de sus terminales cuando se encuentra en
polarización inversa. En este resumen extenso, exploraremos en detalle el funcionamiento del
diodo Zener, sus aplicaciones prácticas y algunos circuitos en los que se utiliza.
1. Funcionamiento del Diodo Zener:

El diodo Zener está diseñado para operar en su región de ruptura o zener, donde experimenta un
aumento abrupto en la corriente con un ligero aumento en la tensión inversa aplicada. Esto se
logra mediante la dopación controlada de impurezas en la estructura del semiconductor. La zona
de agotamiento, también llamada región de depleción, se forma entre las regiones p y n del diodo.

Cuando se polariza inversamente por encima de su voltaje de ruptura (llamado voltaje Zener),
comienza a conducir en la región de zenerización, manteniendo una tensión constante a través de
sus terminales. Este comportamiento se aprovecha en diversas aplicaciones.

2. Aplicaciones del Diodo Zener:

Reguladores de Voltaje: El diodo Zener se utiliza en circuitos reguladores de voltaje para mantener
una tensión constante en una carga, protegiéndola de variaciones no deseadas.

Estabilización de Tensión: Se utiliza para estabilizar la tensión en circuitos electrónicos,

asegurando que permanezca dentro de un rango específico.

Protección contra Sobretensiones: Protege otros componentes electrónicos de daños causados

por picos de voltaje al absorber el exceso de energía.
Referencia de Voltaje: Funciona como referencia para establecer una tensión de referencia en
muchos circuitos electrónicos.

3. Circuitos en los que se Utiliza el Diodo Zener:

Regulador de Voltaje con Diodo Zener: Este circuito incluye un diodo Zener en paralelo con la
carga, proporcionando una tensión constante en la carga.

Estabilizador de Tensión con Diodo Zener: Se utiliza para mantener una tensión estable en la
salida, independientemente de las variaciones en la tensión de entrada.

Limitador de Tensión con Diodo Zener: Permite limitar la tensión en una carga al voltaje Zener del
diodo, protegiendo así la carga contra sobretensiones.

Ell diodo Zener es un componente crucial en la electrónica, conocido por su capacidad para
mantener una tensión constante en ciertas condiciones de polarización inversa. Sus aplicaciones
abarcan desde la regulación de voltaje hasta la protección de circuitos, y su comportamiento
estable en la región de ruptura lo convierte en una herramienta valiosa en el diseño de circuitos
electrónicos.

1.4.1 Circuitos Reguladores

Los circuitos reguladores son dispositivos esenciales en la electrónica que se utilizan para
mantener una tensión eléctrica constante en la salida, a pesar de las fluctuaciones en la tensión de
entrada y en la carga. Estos circuitos juegan un papel vital en garantizar que los componentes
electrónicos funcionen dentro de sus límites de voltaje, lo que asegura la estabilidad y el
rendimiento óptimo de los sistemas. En este resumen más extenso, exploraremos a fondo los
diferentes tipos de circuitos reguladores, su funcionamiento y sus aplicaciones en diversas áreas
1. Tipos de Circuitos Reguladores:

Los circuitos reguladores se pueden clasificar principalmente en dos tipos: reguladores de voltaje
lineales y reguladores de voltaje conmutados.

Reguladores de Voltaje Lineales: Estos circuitos controlan la corriente de salida para mantener una
tensión constante. Utilizan dispositivos como transistores en modo lineal para lograr esto,
disipando el exceso de energía en forma de calor.

Reguladores de Voltaje Conmutados: Estos reguladores alteran la relación ciclo de trabajo de un

interruptor para mantener la tensión de salida constante. Logran una mayor eficiencia energética
en comparación con los reguladores lineales al minimizar la disipación de calor.

2. Funcionamiento de los Circuitos Reguladores:

Reguladores de Voltaje Lineales:

Utilizan un diodo Zener o un transistor como dispositivo de control para mantener la tensión de
salida constante.
Monitorean la diferencia de potencial entre la tensión de referencia y la salida, ajustando la
corriente de carga según sea necesario.

Reguladores de Voltaje Conmutados:

Alteran la relación de encendido y apagado del interruptor a una alta frecuencia.

Utilizan inductores y capacitores para almacenar y transferir energía eficientemente y mantener la

salida a una tensión constante.

3. Aplicaciones de los Circuitos Reguladores:

Fuentes de Alimentación para Electrónica: Proporcionan tensiones estables para alimentar

circuitos integrados, microcontroladores y otros componentes electrónicos.

Carga de Baterías: Controlan la carga de baterías en dispositivos como teléfonos móviles, laptops y
vehículos eléctricos, garantizando una carga óptima y segura.

Sistemas de Energía Renovable: En sistemas solares o eólicos, ayudan a estabilizar la tensión de

salida de los generadores y garantizan una alimentación constante a la red eléctrica.

Electrónica de Automoción: En vehículos, se utilizan para mantener una tensión estable para
sistemas críticos como la unidad de control del motor y la electrónica de entretenimiento.

Los circuitos reguladores desempeñan un papel crucial en la estabilización de la tensión en una

variedad de aplicaciones. Ya sea para proporcionar una fuente de alimentación constante en
dispositivos electrónicos cotidianos o para garantizar una carga óptima de baterías, los circuitos
reguladores son esenciales para el funcionamiento confiable de numerosos sistemas electrónicos.
Con su capacidad para mantener la estabilidad del voltaje en condiciones variables, contribuyen
de manera significativa al avance y la eficiencia de la tecnología moderna

1.5 1.5. Otros diodos

Existen varios tipos de diodos especiales con propiedades únicas y aplicaciones específicas en
electrónica. A continuación, se describen algunos de estos diodos junto con sus características y
aplicaciones, así como ejemplos de circuitos en los que se utilizan.
1. Diodo Varactor:

Características:

Es un diodo de capacitancia variable, cuya capacitancia varía con la tensión aplicada.

La capacitancia inversa decrece con el aumento de la tensión directa.

Se utiliza en circuitos de sintonización de frecuencia y osciladores controlados por voltaje.

Aplicaciones:

Osciladores controlados por voltaje.

Sintonización en receptores de radio y televisión.

Dispositivos de ajuste de frecuencia en circuitos de radiofrecuencia.

2. Diodo Schottky:

Características:

Presenta una menor caída de voltaje directo en comparación con los diodos convencionales.

Tiene un tiempo de recuperación más rápido.

Es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta velocidad.

Aplicaciones:

Rectificación de señales de alta frecuencia.

Detección en circuitos de radiofrecuencia.

Circuitos de conmutación rápida.

3. Diodo PIN:
Características:

Es un diodo semiconductor con una estructura de tipo PIN, donde P y N son regiones de
semiconductor intrínseco.

Tiene una alta impedancia en directa y baja en inversa.

Presenta tiempos de conmutación rápidos y baja capacitancia.

Aplicaciones:

Fotodiodos para detección de luz.

Rectificación de señales de alta frecuencia.

Dispositivos de conmutación de alta velocidad.

4. Diodo de Avalancha:

Características:

Puede operar en la región de avalancha, donde experimenta un aumento súbito de corriente.

Este aumento ocurre debido al efecto avalancha en la región de agotamiento.

Aplicaciones:

Fuentes de ruido en electrónica y comunicaciones.

Detectores de radiación.

5. Diodo Gunn:

Características:

Es un dispositivo de semiconductor de cuatro capas que muestra una región de resistencia

negativa en su característica voltaje-corriente.

Puede generar oscilaciones en frecuencias de microondas.

Aplicaciones:

Osciladores de microondas.

Amplificadores de baja potencia en microondas.

6. Diodo Túnel:

Características:

Presenta una región de operación donde la corriente disminuye antes de aumentar, debido al
efecto túnel.

Posee una alta velocidad de conmutación y baja tensión de operación.

Aplicaciones:

Osciladores de alta frecuencia.

Circuitos de alta velocidad.

7. Diodo LASER (Diodo Emisor de Luz Amplificada por Radiación):

Características:

Emite luz altamente coherente por estimulación de la emisión de fotones.

Puede operar en varios rangos de longitud de onda, incluyendo infrarrojos y visibles.

Aplicaciones:

Lectores de CD y DVD.

Comunicaciones ópticas.

Equipos médicos y de medición.

Los diodos especiales tienen propiedades únicas que se utilizan en aplicaciones específicas, desde
detección de luz hasta generación de señales de alta frecuencia y emisión de luz coherente.
Comprender sus características y aplicaciones es fundamental para diseñar circuitos electrónicos
eficientes y avanzados.

Tema 2
Transistor de Unión Bipolar (BJT)

1. Introducción
La evolución de la electrónica ha estado intrínsecamente ligada al desarrollo y
perfeccionamiento de componentes fundamentales, y en este contexto, el
Transistor Bipolar (BJT) emerge como un pilar inmutable. Este informe no solo
busca ofrecer una comprensión profunda del BJT sino también sumergirse en
sus aspectos teóricos y prácticos, desentrañando cada capa de complejidad
para iluminar las aplicaciones y los desafíos en su implementación.

2. Características, Parámetros y Punto de Operación

2.1 Características Generales del BJT

El BJT, con su arquitectura de tres capas y su capacidad para amplificar

señales, es la esencia misma de la electrónica moderna. Exploraremos cómo
las interacciones en sus regiones emisor, base y colector definen su
comportamiento y su utilidad en una amplia gama de aplicaciones.

1. Estructura y Funcionamiento Básico del BJT El BJT es un dispositivo de tres

capas semiconductor, compuesto por las regiones emisor, base y colector. La
disposición de estas capas y la naturaleza bipolar del dispositivo juegan un
papel esencial en su funcionamiento. En la región emisor, se inyectan
portadores de carga (electrones o huecos) al semiconductor base. La región de
la base controla el flujo de estos portadores, y la región del colector recolecta la
corriente resultante. Esta arquitectura básica establece las bases para su
amplificación y conmutación.

2. Curvas de Características I-V del BJT

Las curvas características I-V, que representan la relación entre la corriente y

el voltaje en los terminales del BJT, son cruciales para comprender su
comportamiento. Las curvas incluyen las zonas de corte, saturación y activa, y
ofrecen una visión detallada de cómo el transistor responde a diferentes
condiciones de operación. El conocimiento de estas curvas es esencial para
diseñar circuitos que aprovechen al máximo las capacidades del BJT.

3 Ganancia de Corriente y Ganancia de Potencia

La ganancia de corriente (β) y la ganancia de potencia (α) son parámetros
fundamentales que definen la capacidad del BJT para amplificar señales. La
ganancia de corriente representa la relación entre la corriente de colector y la
corriente de base, mientras que la ganancia de potencia mide la eficiencia de la
conversión de potencia en el dispositivo. Comprender estos parámetros es
esencial para ajustar el rendimiento del BJT en diferentes aplicaciones.

4. Rango de Frecuencia y Respuesta en Frecuencia

El BJT exhibe un rango de frecuencia en el cual puede operar eficientemente.

La respuesta en frecuencia del BJT se analiza desde bajas hasta altas
frecuencias, destacando cómo las capacidades de amplificación pueden variar
en función de la frecuencia de la señal de entrada. Este conocimiento es
esencial para diseñar circuitos que operen dentro de los límites óptimos del
BJT.

5. Sensibilidad a la Temperatura y Consideraciones Térmicas

La sensibilidad del BJT a la temperatura es un aspecto crítico que puede
afectar significativamente su rendimiento. Se explora cómo las variaciones
térmicas pueden impactar la ganancia y la estabilidad del BJT.

Además, se presentan estrategias para gestionar eficazmente las

consideraciones térmicas, como el uso de disipadores de calor y la
retroalimentación térmica.

6. Aplicaciones Típicas y Casos de Uso El BJT, gracias a sus características

únicas, encuentra aplicaciones en una amplia gama de dispositivos
electrónicos. Se examinan casos de uso comunes, como amplificadores de
audio, osciladores, interruptores y circuitos de radiofrecuencia. Además, se
exploran aplicaciones más avanzadas, como amplificación de señales débiles
en dispositivos de comunicación y tecnologías emergentes donde el BJT sigue
desempeñando un papel relevante.

2.2 Parámetros del BJT

Profundizaremos en los parámetros críticos que caracterizan el

comportamiento del BJT. Desde la corriente de base hasta la ganancia de
potencia, cada parámetro se descompondrá en su relevancia práctica y su
impacto en el rendimiento del dispositivo.

1. Ganancia de Corriente (β): La ganancia de corriente, comúnmente denotada

como β, representa la relación entre la corriente de colector (IC) y la corriente
de base (IB) en un BJT. Se expresa como β = IC/IB. Esta ganancia indica
cuánto se amplifica la corriente en el BJT y es esencial para calcular el
comportamiento amplificador del transistor.

2. Ganancia de Potencia (α): La ganancia de potencia, α, mide la eficiencia del

BJT en la conversión de la potencia de la señal de entrada en la potencia de la
señal de salida. Se calcula como α = ΔIC/ΔIB, donde ΔIC es el cambio en la
corriente de colector y ΔIB es el cambio en la corriente de base. α está
relacionada con β por la ecuación α = β / (1 + β).
3. Corriente de Saturación (ICsat): La corriente de saturación es la corriente de
colector máxima que puede fluir cuando el BJT está completamente encendido
(saturado). En este estado, la resistencia de salida del BJT es mínima, y se
permite que fluya la corriente máxima a través del colector y el emisor.

4. Tensión de Polarización de Base-Elector (VBE): La tensión de polarización

de base-emisor, denotada como VBE, es la diferencia de potencial entre la
base y el emisor del BJT cuando está en funcionamiento. Esta tensión es
esencial para establecer el punto de polarización y activar el transistor.

5. Corriente de Fuga de Base (IBO): La corriente de fuga de base, IBO, es la

corriente que fluye de la base al emisor cuando el BJT está en corte. Esta
corriente es mínima, pero debe ser tenida en cuenta, ya que puede afectar la
estabilidad del punto de operación.

6. Corriente de Colector de Saturación (ICSat): La corriente de colector de

saturación, ICSat, es la corriente de colector cuando el BJT está en estado de
saturación. Es una medida importante para evaluar la capacidad del transistor
para conmutar eficientemente.

7. Tensión Saturación Colector-Emisor (VCEsat): La tensión de saturación

colector-emisor, VCEsat, es la caída de voltaje a través del colector y el emisor
cuando el BJT está saturado. Esta tensión suele ser baja y es crítica para
evaluar la eficiencia del BJT en el modo de conmutación.

8. Tiempo de Subida (tr) y Tiempo de Bajada (tf): Estos parámetros

representan los tiempos que el BJT tarda en cambiar de los estados de corte a
saturación y viceversa. Son críticos en aplicaciones de conmutación para
evaluar la velocidad de respuesta del transistor.

9. Temperatura de Operación (Tj): La temperatura de operación del BJT es

fundamental para su rendimiento. La variación de temperatura puede afectar
los parámetros del BJT, y es necesario considerarla al diseñar circuitos para
garantizar un funcionamiento estable.
2.3 Punto de Operación

El punto de operación, a menudo pasado por alto, se explorará en detalle,

analizando cómo ajustar este punto puede afectar la estabilidad y la linealidad
del BJT en diversos escenarios operativos.

3. Configuraciones de Polarización

3.1 Emisor Común

3.1.1 Polarización Fija

En la configuración de emisor común, la polarización fija se sumerge en un

análisis minucioso. Se detallan los métodos de diseño, los efectos de la
temperatura y las aplicaciones que se benefician de esta técnica de
polarización.

3.1.2 Polarización de Emisor

La polarización de emisor, fundamental para mantener el transistor en su

región activa, se explora desde sus fundamentos hasta su aplicación en
circuitos de alta fidelidad y baja distorsión.

3.1.3 Polarización por Divisor de Voltaje

El método de polarización por divisor de voltaje, conocido por su simplicidad, se
presenta como una opción viable, y se examinan sus implicaciones en términos de
estabilidad y eficiencia.

La polarización por divisor de voltaje es un método utilizado en la

configuración de emisor común para establecer el punto de operación de un
transistor bipolar (BJT).

La fórmula para calcular el voltaje en la base (VBE) es:

VBE= Vcc* R2/R1 + R2

Donde Vcc es la fuente de alimentación, R1 y R2 son las resistencias del

divisor de voltaje.

Para mejorar la estabilidad, se puede incorporar una resistencia de emisor

(RE). En resumen, esta técnica, simple y eficiente, es comúnmente utilizada
para polarizar BJTs en circuitos electrónicos.

3.1.4 Polarización por Realimentación de Colector

En el espectro avanzado, la polarización por realimentación de colector se revela
como una estrategia ingeniosa para mejorar la estabilidad y la respuesta en frecuencia
del BJT.

3.2 Base Común

La configuración de base común, a menudo subestimada, se analiza en profundidad.
Se exploran sus ventajas en términos de ganancia de corriente y su papel en
aplicaciones específicas.

3.3 Colector Común

La configuración de colector común se presenta como una opción valiosa,
especialmente en situaciones que requieren una baja impedancia de salida. Se
examinan sus aplicaciones y sus ventajas en comparación con otras configuraciones.

4. Conmutación

El BJT, como actor principal en la escena electrónica, no solo amplifica, sino

que también conmuta señales. Nos sumergimos en los modos de conmutación,
desentrañando los procesos de corte y saturación y examinando sus
aplicaciones en circuitos lógicos y de potencia.

La conmutación en transistores bipolares implica el cambio controlado entre

dos estados: corte y saturación. Estos estados son cruciales para la operación
eficiente del transistor en aplicaciones de conmutación.

1. Modos de Operación:
Corte: En este estado, el transistor BJT está apagado. No hay corriente
significativa que fluya desde el colector hasta el emisor. La región de unión
base-emisor está polarizada en inversa.

Saturación: En este estado, el transistor BJT está completamente encendido.

La región de unión base-emisor está polarizada en directa, permitiendo que
fluya una corriente máxima desde el colector hasta el emisor.

2. Proceso de Conmutación:
Tiempo de Subida (tr): Es el tiempo que tarda el transistor en pasar del estado
de corte al de saturación. Durante este tiempo, la corriente de base aumenta y
el transistor se activa.

Tiempo de Bajada (tf): Es el tiempo que tarda el transistor en pasar del estado
de saturación al de corte. Durante este tiempo, la corriente de base disminuye
y el transistor se apaga.

3. Consideraciones Prácticas:
Corrientes y Tensiones: Durante la conmutación, es fundamental tener en
cuenta las corrientes y tensiones para evitar pérdidas de energía y garantizar
una conmutación eficiente. Diodo de

Avalancha: Durante la conmutación, es posible que se genere una

sobretensión transitoria. Para proteger el transistor, se puede utilizar un diodo
de avalancha (o diodo rápido) en paralelo con el transistor.

4. Circuitos de Conmutación:
Amplificadores Digitales: Los transistores BJT se utilizan en circuitos digitales
para la conmutación rápida entre los estados de corte y saturación, siendo
fundamentales en la implementación de lógica digital.

Osciladores: En osciladores, los transistores BJT pueden conmutar entre

estados para generar señales periódicas.

5. Estabilidad
La estabilidad del BJT, a menudo determinante en aplicaciones críticas, se
aborda desde múltiples perspectivas. Factores como la variación de
temperatura y la retroalimentación se desglosan meticulosamente, y se
presentan estrategias para mantener la estabilidad a lo largo del tiempo. La
estabilidad en transistores bipolares es esencial para mantener el punto de
operación, también conocido como punto de polarización, en un rango óptimo a
lo largo del tiempo y frente a variaciones en las condiciones de funcionamiento.

1. Factores que Afectan la Estabilidad:

Variaciones de Temperatura: Las variaciones de temperatura pueden alterar
los parámetros del BJT y afectar su punto de operación. Estrategias como la
compensación térmica y el uso de elementos sensibles a la temperatura
pueden ayudar a mitigar este efecto.

Variaciones de Parámetros del BJT: Tolerancias en los valores de los

componentes y variaciones en los parámetros del propio transistor pueden
influir en la estabilidad. Se busca minimizar estos efectos mediante la selección
cuidadosa de componentes y la utilización de transistores emparejados.

Envejecimiento: Con el tiempo, los componentes pueden experimentar

cambios en sus características eléctricas. Monitorear y compensar estos
cambios contribuye a mantener la estabilidad a lo largo de la vida útil del
dispositivo.

2. Estrategias para Mejorar la Estabilidad: Realimentación:

La retroalimentación negativa puede estabilizar el punto de operación. Se
utiliza en configuraciones como la retroalimentación de emisor y la
retroalimentación de colector para reducir la sensibilidad a las variaciones.

Compensación de Temperatura: La incorporación de elementos, como diodos

de compensación de temperatura, ayuda a contrarrestar los efectos de las
variaciones térmicas, manteniendo la estabilidad a diferentes temperaturas.
Empleo de Transistores de Alta Calidad: La selección de transistores de alta
calidad y emparejados puede minimizar las variaciones intrínsecas y mejorar la
uniformidad en los puntos de polarización.

3. Análisis del Punto de Operación:

El análisis del punto de operación implica evaluar cómo las curvas
características I-V del BJT se intersecan con la carga del circuito. Un correcto
análisis garantiza un funcionamiento estable y lineal.

4. Uso de Modelos Matemáticos:

La utilización de modelos matemáticos, como el modelo Ebers-Moll, facilita la

predicción del comportamiento del BJT y permite diseñar circuitos más
estables.

6. Conclusión
Este informe completo explora el transistor bipolar (BJT) como un concepto
integrado con aplicaciones prácticas. Para quienes trabajan en el diseño de
circuitos electrónicos, este conocimiento detallado no sólo es beneficioso, sino
esencial para afrontar los desafíos del entorno tecnológico actual y futuro. Una
mirada más cercana al interior del BJT revela su verdadero poder y confirma su
lugar como componente insustituible en el mundo de la electrónica. Pueden
trabajar en corte, fuerza y flexibilidad para mejorar las señales y controlar el
flujo de corriente. La curva característica I-V es importante para comprender el
comportamiento y parámetros como β y α describen la función. Las opciones
de configuración, las aplicaciones en circuitos amplificadores y conmutadores y
las consideraciones térmicas demuestran su utilidad. Es importante mantener
un punto de control mediante análisis y estrategias térmicas. Los BJT son muy
importantes, pero los nuevos desafíos ofrecen oportunidades para futuras
innovaciones en la tecnología de transistores, consolidando a los BJT como un
pilar no disruptivo de la electrónica moderna.
 Tema 3
Transistor Unipolar (FET, MOSFET)

El FET
Los Transistores de Efecto de Campo son un tipo de transistor utilizado en
electrónica para amplificar o conmutar señales eléctricas. Hay dos tipos
principales de FETs: el JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión) y el
MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor). Ambos
tipos utilizan el principio del campo eléctrico para controlar el flujo de corriente.

--El JFET es un tipo de FET que utiliza la variación del campo eléctrico creado por
una unión pn para controlar el flujo de corriente entre el drenaje (D) y la fuente (S).
Hay dos tipos de JFETs: de canal N y de canal P. Aquí están sus componentes
principales:

- Compuerta (G): Controla el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente.

- Drenaje (D): Recoge la corriente.

- Fuente (S): Suministra la corriente.

El JFET opera en tres modos: corte, saturación y triodo, dependiendo del voltaje
aplicado a la compuerta.
--El MOSFET es otro tipo de FET y se divide en dos subtipos: el MOSFET de
canal N y el MOSFET de canal P. El MOSFET es ampliamente utilizado debido a
su alta impedancia de entrada y su capacidad para integrarse fácilmente en
circuitos integrados. Sus componentes principales incluyen:

- Compuerta (G): Controla el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente.

- Drenaje (D): Recoge la corriente.

- Fuente (S): Suministra la corriente.

- Óxido (Oxide): Aísla la compuerta eléctricamente de la región de canal.

El MOSFET opera en modos similares al JFET, pero su comportamiento está

determinado por el voltaje aplicado a la compuerta en relación con la fuente.

En ambos casos, JFET y MOSFET, el principio de funcionamiento básico es el

control del flujo de corriente entre la fuente y el drenaje mediante un campo
eléctrico generado por la compuerta. Al aplicar un voltaje a la compuerta, se
modifica la conductividad del canal (en el caso del JFET) o la región de canal (en
el caso del MOSFET), lo que afecta la corriente entre el drenaje y la fuente.

Los FETs son esenciales en la electrónica moderna y se utilizan en una variedad

de aplicaciones, como amplificadores, conmutadores electrónicos, y en circuitos
integrados para la construcción de microprocesadores y otros dispositivos.
3.1 Configuraciones de polarización.

3.1.1 Fija.

La configuración de polarización fija de un FET se refiere a la forma en que se

establecen las corrientes y las tensiones en el circuito para que el FET funcione en
un punto de operación deseado. Hay dos tipos principales de FET: JFET y
MOSFET y cada uno tiene su propia configuración de polarización fija.

--Para el JFET, la configuración de polarización fija comúnmente utilizada es la

polarización de fuente común. En este caso, el JFET se conecta de la siguiente
manera:

- Conecta la fuente de alimentación (Vdd) entre la fuente (S) y el terminal de tierra

(GND).
- Conecta una resistencia (R1) entre la compuerta (G) y la fuente (S).

- Conecta una resistencia (Rc) entre el drenaje (D) y la fuente (S).

- La señal de entrada se aplica entre la compuerta y la fuente.

Esta configuración establece una corriente constante a través de la fuente y la

compuerta, lo que define el punto de operación del JFET. La corriente a través del
JFET se ajusta automáticamente para mantener constante la tensión entre la
compuerta y la fuente.

--Configuración de Polarización Fija para MOSFET (Modo de Fuente Común):

Para el MOSFET en modo de fuente común, la configuración de polarización fija

se realiza de la siguiente manera:

- Conecta la fuente de alimentación (Vdd) entre la fuente (S) y el terminal de tierra

(GND).

- Conecta una resistencia (R1) entre la compuerta (G) y la fuente (S).

- Conecta una resistencia (Rc) entre el drenaje (D) y la fuente (S).

- La señal de entrada se aplica entre la compuerta y la fuente.

Al igual que con el JFET, esta configuración establece una corriente constante a
través de la fuente y la compuerta, definiendo el punto de operación del MOSFET.
La corriente a través del MOSFET se ajusta automáticamente para mantener
constante la tensión entre la compuerta y la fuente.
3.1.2 Autopolarizante.

En el contexto de la polarización de transistores FET, el término "autopolarizante"

se refiere comúnmente a una configuración que permite al dispositivo establecer
automáticamente su punto de operación sin la necesidad de una polarización
externa significativa.

--Para el JFET, la configuración de autopolinización implica conectar la fuente

directamente a la batería o fuente de alimentación, lo que permite que la corriente
fluya desde el drenaje hacia la fuente a través de la unión p-n interna del JFET. No
se utiliza una resistencia de polarización externa en la compuerta. Este es un
ejemplo básico:
- Conecta la fuente de alimentación (Vdd) directamente a la fuente (S).

- La señal de entrada se aplica directamente a la compuerta (G).

- La carga se conecta entre el drenaje (D) y la fuente (S).

--Para el MOSFET, la configuración autopolarizante puede ser de tipo "fuente

seguidora" o "seguidor de emisor" (source follower). Aquí hay un ejemplo básico
de la configuración "fuente seguidora":

- Conecta la fuente de alimentación (Vdd) directamente a la fuente (S).

- La señal de entrada se aplica directamente a la compuerta (G).

- La carga se conecta entre el drenaje (D) y la fuente (S).

Esta configuración es conocida como "fuente seguidora" porque la tensión de la

fuente sigue la señal de entrada, proporcionando una alta impedancia de entrada y
baja impedancia de salida.

Ambos enfoques utilizan la estructura interna del FET para establecer

automáticamente el punto de operación. La corriente fluye a través del dispositivo
sin la necesidad de una resistencia de polarización externa significativa.

3.2 Polarización por divisor de voltaje.

3.2.1 Utilizando la curva de polarización universal.

La polarización por divisor de voltaje implica el uso de resistencias para establecer

los niveles de voltaje en la compuerta o puerta de un transistor FET, basándose en
la curva de transferencia del dispositivo. Aunque no existe una curva de
polarización universal para FETs (como en los transistores bipolares), el concepto
de establecer el punto de polarización sigue siendo similar.

A continuación, se proporciona un ejemplo básico de cómo se podría aplicar la

polarización por divisor de voltaje a un JFET utilizando la curva de transferencia
como guía:

Polarización por Divisor de Voltaje para JFET:

1. Curva de Transferencia del JFET:

Primero, es crucial tener la curva de transferencia del JFET que estás utilizando.
Esta curva te mostrará cómo varía la corriente de drenaje (Id) en función del
voltaje de la compuerta (Vgs) para un voltaje de drenaje constante (Vds).

2. Elección del Punto de Operación:

Decide el punto de operación deseado en la curva de transferencia. Esto podría
ser el punto de saturación o algún otro punto específico dependiendo de tus
requisitos de diseño.

3. Selección de Resistencias:

 Resistencia de Compuerta (R1): Utiliza una resistencia (R1) para

conectar la fuente de voltaje (Vgg) a la compuerta del JFET. La
corriente a través de esta resistencia establecerá el voltaje de la
compuerta.

 Resistencia de Drenaje (Rd): Conecta una resistencia (Rd) entre el

drenaje y la fuente de voltaje. Esto establecerá la corriente de
drenaje deseada y el voltaje de drenaje (Vdd).

4. Cálculos de Resistencias:

Utiliza la ley de Ohm y la curva de transferencia para calcular los valores de

resistencia que te darán el punto de operación deseado.

Vgs=Vgg×R2/(R1+R2)

Id=f(Vgs)

Ajusta los valores de las resistencias hasta que obtengas el punto de operación
deseado.

5. Conexión del JFET:

Conecta la fuente a la tierra, el drenaje a través de la resistencia de drenaje (Rd)
al voltaje de alimentación (Vdd), y la compuerta a través de la resistencia de
compuerta (R1) al voltaje de la compuerta (Vgg).

Este método permite establecer el punto de polarización deseado a través del

divisor de voltaje basado en la curva de transferencia del JFET.

3.3 Configuración en compuerta y drenador común.

La configuración de compuerta común (Common Gate, CG) y drenador común
(Common Drain, CD) son dos de las configuraciones básicas en las que se puede
utilizar un FET) como el JFET o el MOSFET.

--En la configuración de compuerta común, la señal de entrada se aplica en la

compuerta del FET, mientras que la salida se toma en el drenador. Aquí hay
algunas características clave de la configuración de compuerta común:

- La señal de entrada se aplica en la compuerta.

- La salida se toma en el drenador.

- La configuración de compuerta común tiene baja impedancia de entrada, lo que

significa que es fácil alimentar señales de entrada al transistor. Sin embargo, tiene
una alta impedancia de salida, lo que significa que no es una buena fuente de
corriente.

- Aumentar el voltaje de la compuerta disminuirá la corriente de drenador.

--En la configuración de drenador común, la señal de entrada se aplica en la

compuerta y la salida se toma en la fuente. Algunas características clave de la
configuración de drenador común son:

- La señal de entrada se aplica en la compuerta.

- La salida se toma en la fuente.

- La configuración de drenador común tiene alta impedancia de entrada, lo que

significa que no carga la señal de entrada. Tiene baja impedancia de salida, lo que
la hace una buena fuente de corriente.

- Corriente de Drenador (ID) es Básicamente Igual a la Corriente de Compuerta

(IG): La corriente de drenador está influenciada en gran medida por la corriente de
compuerta, pero no hay una ganancia de corriente significativa.

Estas configuraciones tienen sus propias aplicaciones específicas y ventajas

según los requisitos del circuito. La elección entre compuerta común y drenador
común dependerá del diseño y las características deseadas del circuito.

3.4 Polarización del MOSFET.

La polarización de un MOSFET es un paso crítico en su aplicación en circuitos

electrónicos. Hay dos configuraciones principales para polarizar un MOSFET:
polarización de fuente común y polarización de compuerta común.

--La polarización de fuente común es una configuración común para un MOSFET.

Aquí hay una descripción general de cómo se polariza un MOSFET en modo de
fuente común:

- Fuente de Alimentación (Vdd): Conecta la fuente de alimentación entre la fuente

(S) y el terminal de tierra (GND).

- Resistencia de Polarización de Compuerta (R1): Conecta una resistencia (R1)

entre la compuerta (G) y la fuente (S).

- Resistencia de Carga (Rc): Conecta una resistencia (Rc) entre el drenaje (D) y la
fuente (S).

- Conexiones de Señal: La señal de entrada se aplica entre la compuerta y la

fuente.

- Conexión de la Carga: La carga se conecta entre el drenaje y la fuente.

--En la polarización de compuerta común, la señal de entrada se aplica en la
compuerta y la salida se toma en la fuente. Aquí hay una descripción general de
cómo se polariza un MOSFET en modo de compuerta común:

- Fuente de Alimentación (Vdd): Conecta la fuente de alimentación entre la fuente

(S) y el terminal de tierra (GND).

- Resistencia de Polarización de Fuente (R1): Conecta una resistencia (R1) entre

la fuente (S) y la fuente de alimentación.

- Resistencia de Carga (Rc): Conecta una resistencia (Rc) entre el drenaje (D) y la
fuente (S).

- Conexiones de Señal: La señal de entrada se aplica entre la compuerta y la

fuente.

- Conexión de la Carga: La carga se conecta entre el drenaje y la fuente.

En ambas configuraciones, la polarización es crucial para establecer un punto de

operación adecuado para el MOSFET. La resistencia de polarización (R1) ayuda a
establecer la corriente de polarización de la compuerta, y la resistencia de carga
(Rc) influye en la corriente de drenaje y en la tensión de drenaje.

3.5 Redes combinadas.

Con el análisis de cd de varias configuraciones de BJT y FET establecido, se

presenta la oportunidad de analizar redes con ambos tipos de dispositivos.
Fundamentalmente, para el análisis sólo se requiere que primero abordemos el
dispositivo que proporcionará un nivel de corriente o voltaje en las terminales. En
general luego se abre la puerta para calcular otras cantidades y concentrarse en
las incógnitas restantes.

Éstos en general son problemas particularmente interesantes por el reto que

implica encontrar la puerta y luego utilizar los resultados de las secciones pasadas
y el capítulo 4 para determinar las cantidades importantes para cada dispositivo.
Las ecuaciones y relaciones utilizadas son las que se emplearon en más de una
ocasión; no se requiere desarrollar métodos nuevos de análisis.
 Tema 4
Amplificadores con Transistores BJT y FET
La electrónica, en su constante evolución, se adentra en el fascinante mundo de los
amplificadores con transistores BJT y FET. Este informe no solo busca desentrañar las
complejidades teóricas de estos dispositivos, sino también sumergirse en su aplicación
práctica, explorando cada rincón de su funcionamiento y desafiando los límites de la
amplificación de señales.

4.1. Introducción a los Amplificadores en Pequeña Señal:

Antes de sumergirnos en los detalles específicos de los amplificadores con BJT y FET, se
establece una sólida base con una introducción a los amplificadores en pequeña señal. Este
primer vistazo proporciona el contexto necesario para comprender cómo estos dispositivos
transforman y amplifican las señales de entrada de manera eficiente.

En el vasto universo de la electrónica, los amplificadores en pequeña señal emergen como

elementos cruciales que permiten la amplificación eficiente de señales débiles. Esta
introducción busca sentar las bases teóricas necesarias para comprender la funcionalidad y la
importancia de estos dispositivos en el diseño de circuitos electrónicos.

Los amplificadores en pequeña señal desempeñan un papel esencial al magnificar señales de

entrada de baja amplitud, convirtiéndolas en señales de salida más fuertes y adecuadas para
su procesamiento o transmisión. Su aplicación abarca una amplia gama de campos, desde la
electrónica de consumo hasta las comunicaciones y la instrumentación, donde la fidelidad y la
precisión son fundamentales.

Características Fundamentales:

Estos amplificadores operan en el régimen lineal, donde las señales de entrada son lo
suficientemente pequeñas como para no afectar significativamente las propiedades no
lineales del dispositivo amplificador. Esto permite que la respuesta del amplificador sea
proporcional a la señal de entrada, facilitando su análisis y diseño.

Importancia en el Diseño de Circuitos:

Los amplificadores en pequeña señal son elementos fundamentales en el diseño de sistemas

electrónicos complejos. Facilitan la transmisión de información, mejoran la relación señal-
ruido y permiten la recuperación de señales débiles en presencia de ruido y atenuación.

Tipos de Dispositivos Amplificadores:

Existen varios tipos de dispositivos que pueden actuar como amplificadores en pequeña señal,
entre los cuales se destacan los transistores bipolares (BJT), los transistores de efecto de
campo (FET) y los amplificadores operacionales. Cada uno de estos dispositivos presenta
características distintivas que los hacen adecuados para diversas aplicaciones.

Consideraciones para el Diseño:

El diseño de amplificadores en pequeña señal implica consideraciones críticas, como la
ganancia de voltaje, la respuesta en frecuencia, la estabilidad y la impedancia de entrada y
salida. Estos parámetros determinan la eficacia y la aplicabilidad del amplificador en un
contexto específico.

Análisis Teórico vs. Simulación Práctica:

El análisis teórico de amplificadores en pequeña señal proporciona una comprensión

fundamental de su comportamiento, pero la simulación práctica mediante herramientas de
software especializado permite evaluar su rendimiento en situaciones del mundo real. Esta
sinergia entre teoría y práctica es esencial para el diseño exitoso de amplificadores.

En resumen, la introducción a los amplificadores en pequeña señal sienta las bases para
explorar de manera más detallada los diferentes dispositivos amplificadores, como los
transistores BJT y FET. Este conocimiento es esencial para los ingenieros y diseñadores
electrónicos, ya que proporciona las herramientas necesarias para crear circuitos eficientes y
avanzar en la innovación tecnológica.

4.2. Amplificador con BJT: Explorando el Mundo de los Transistores

Bipolares:

4.2.1. Modelo Re:

El modelo Re, fundamental en el análisis de amplificadores con BJT, se desglosa

meticulosamente. Se exploran sus componentes y cómo este modelo simplificado facilita la
comprensión y el diseño de circuitos amplificadores.

El modelo Re asume que la corriente de emisor (IE) fluye a través de una resistencia efectiva
(RE), proporcionando una representación simplificada de la relación entre la corriente de
emisor y la tensión de emisor-base (VBE) en un BJT. Este modelo resulta particularmente útil
en situaciones donde se requiere un análisis rápido y una aproximación práctica.

Componentes Clave del Modelo Re:

Resistencia de Emisor (RE): Representa la resistencia efectiva a través de la cual fluye la

corriente de emisor. Este componente es esencial para modelar la caída de voltaje y la relación
con la corriente de emisor.
Fuente de Tensión Controlada por Corriente (VBE): Modela la dependencia de la tensión de
emisor-base (VBE) en la corriente de emisor (IE). Esta fuente de tensión es crucial para
entender cómo la variación de la corriente de emisor afecta la operación del BJT.

Corriente de Emisor (IE): Representa la corriente que fluye desde el emisor al colector. La
relación entre la corriente de emisor y la resistencia de emisor (RE) es una parte clave del
modelo Re.

Aplicaciones Prácticas del Modelo Re:

Análisis Rápido de Punto de Operación: El modelo Re permite un análisis rápido y efectivo del
punto de operación del BJT en un amplificador. Facilita la determinación de las corrientes de
base y colector, así como la tensión de emisor-base (VBE).

Estimación de Ganancia de Voltaje: A través del modelo Re, es posible estimar la ganancia de
voltaje del amplificador. La relación entre la corriente de emisor y la resistencia de emisor (RE)
influye directamente en esta ganancia.

Consideraciones de Estabilidad: El modelo Re es útil para evaluar la estabilidad del punto de

operación frente a variaciones en los parámetros del BJT. Facilita la comprensión de cómo
pequeños cambios afectan la operación del amplificador.

4.2.2. Parámetros de Redes de 2 Puertos:

El estudio se expande hacia los parámetros de redes de 2 puertos, revelando cómo estos
parámetros son esenciales para caracterizar la relación entrada-salida de los amplificadores
con BJT y su impacto en el rendimiento general.

4.2.3. Modelo Híbrido:

El modelo híbrido, un paso más allá en la modelización de amplificadores con BJT, se presenta
como una herramienta poderosa. Se analiza cómo este modelo proporciona una
representación más completa, permitiendo un análisis más preciso y detallado de los circuitos.

El Modelo Híbrido, también conocido como modelo híbrido-pi, se erige como una herramienta
más avanzada y precisa en el análisis de amplificadores con transistores bipolares (BJT). Este
modelo, derivado del análisis de pequeña señal, ofrece una representación más detallada de
las características y comportamientos del BJT en situaciones de amplificación.
Elementos Clave del Modelo Híbrido: Resistencia de Base (rπ):

El modelo híbrido introduce una resistencia de base (r π), que representa la resistencia
dinámica en la región de la base del BJT. Esta resistencia está relacionada con la ganancia de
corriente de la base y la variación de la tensión de base-emisor (VBE).

Fuente de Corriente Controlada por Voltaje (gmVBE): En lugar de una fuente de corriente
controlada por corriente como en el modelo Re, el modelo híbrido incorpora una fuente de
corriente controlada por voltaje (gmVBE). Esta fuente modela la relación entre la variación de
la tensión de base-emisor y la corriente de colector.

Conductancia de Colector (gCE): Representa la conductancia dinámica entre el colector y el

emisor. Es inversamente proporcional a la resistencia de colector (ro), que modela la
resistencia de salida del BJT.

Aplicaciones Avanzadas del Modelo Híbrido:

Análisis Detallado de Ganancias: El modelo híbrido permite un análisis más detallado de las
ganancias de voltaje y corriente, proporcionando una visión más precisa del rendimiento del
amplificador en pequeña señal.

Respuesta en Frecuencia: Al considerar las capacitancias parasitarias, el modelo híbrido facilita

el análisis de la respuesta en frecuencia del amplificador, crucial para aplicaciones de alta
frecuencia.

Análisis de Impedancias de Entrada y Salida: El modelo híbrido es fundamental para

determinar las impedancias de entrada y salida del amplificador, lo que impacta directamente
en la eficiencia y la adaptación de impedancia.

4.2.4. Determinación de Parámetros en Pequeña Señal:

El proceso de determinación de parámetros en pequeña señal para diferentes configuraciones

de amplificadores con BJT se desglosa paso a paso. Se explora cómo ajustar estos parámetros
para optimizar el rendimiento del amplificador en diversas aplicaciones.

La etapa de determinación de parámetros en pequeña señal es esencial en el diseño y análisis

de amplificadores con transistores bipolares (BJT). Este proceso implica identificar y cuantificar
características clave que definen el comportamiento del amplificador en situaciones de
pequeña señal.

Parámetros Clave:

Ganancia de Voltaje en Pequeña Señal (Av): Esta ganancia mide la relación entre la variación
de la señal de salida y la señal de entrada en el amplificador. Es crucial para evaluar la
capacidad del amplificador para amplificar señales débiles.

Ganancia de Corriente en Pequeña Señal (Ai): Esta ganancia cuantifica la relación entre la
variación de la corriente de salida y la corriente de entrada en el amplificador. Ayuda a
entender cómo el amplificador amplifica la señal en términos de corriente.

Impedancia de Entrada (Zin): Representa la resistencia aparente que ofrece el amplificador a la

señal de entrada. Una impedancia de entrada adecuada es esencial para una adaptación
eficiente de la señal de entrada.

Impedancia de Salida (Zout): Refleja la resistencia aparente que presenta el amplificador a la

carga conectada. Una baja impedancia de salida es deseable para una transferencia de
potencia eficiente.

Ganancia de Transconductancia (gm): Cuantifica la relación entre la variación de la corriente

de salida y la variación de la tensión de entrada. Es esencial para evaluar la eficiencia del
amplificador en convertir señales de entrada en corrientes de salida.

Proceso de Determinación:

Circuitos de Polarización en Pequeña Señal: Se establecen condiciones de polarización para

que el BJT opere en su punto de funcionamiento lineal. Esto implica reemplazar los
componentes no lineales por modelos lineales para simplificar el análisis.

Análisis de Ganancias y Respuestas en Frecuencia: Mediante técnicas de análisis en pequeña

señal, como el modelo híbrido-pi, se determinan las ganancias de voltaje y corriente. Además,
se evalúa la respuesta en frecuencia teniendo en cuenta las capacitancias parasitarias.

Medición de Impedancias de Entrada y Salida: Se realiza un análisis de circuito para

determinar las impedancias de entrada y salida del amplificador. Esto implica evaluar cómo las
variaciones en la tensión y la corriente de entrada y salida afectan al circuito.
Cálculo de la Ganancia de Transconductancia (gm): Se utiliza el modelo híbrido-pi para calcular
la ganancia de transconductancia, que es fundamental para entender la eficiencia del BJT en
convertir señales de entrada en corrientes de salida.

4.2.5. Efecto de Rs y RL:

El efecto de la resistencia de fuente (Rs) y de carga (RL) en la operación del amplificador con
BJT se examina detalladamente. Se ilustra cómo estas resistencias afectan la ganancia y la
respuesta en frecuencia del amplificador, destacando la importancia de una consideración
cuidadosa en el diseño.

El efecto de las resistencias de fuente (Rs) y de carga (RL) en amplificadores con transistores
bipolares (BJT) es crucial para diseñar circuitos que maximicen la eficiencia y la fidelidad de la
señal amplificada. Estas resistencias, ubicadas en la fuente de la señal y en la carga conectada
al amplificador, respectivamente, tienen un impacto significativo en el rendimiento global del
sistema.

Efecto de Rs (Resistencia de Fuente):

Adaptación de Impedancia: La resistencia de fuente, Rs, se encuentra en serie con la fuente de

la señal de entrada. Su valor afecta la adaptación de impedancia entre la fuente y el
amplificador. Un valor óptimo de Rs garantiza la máxima transferencia de potencia desde la
fuente al amplificador, evitando la pérdida de señal.

Atenuación de la Señal: Un valor demasiado alto de Rs puede causar atenuación de la señal de

entrada. Esto se debe a que una porción significativa de la señal caerá en la resistencia de
fuente antes de llegar al amplificador. Es esencial seleccionar Rs cuidadosamente para evitar
pérdidas innecesarias de señal.

Estabilidad del Punto de Polarización: Rs también impacta la estabilidad del punto de

polarización del BJT. Variaciones en Rs pueden alterar el punto de operación del transistor,
afectando la linealidad y la respuesta en frecuencia del amplificador. Estrategias como la
realimentación pueden mitigar estos efectos.

Efecto de RL (Resistencia de Carga):

Ganancia de Voltaje: La resistencia de carga, RL, está conectada en paralelo al transistor BJT y
determina la ganancia de voltaje del amplificador. Una RL más grande tiende a aumentar la
ganancia de voltaje, pero existe un punto óptimo para evitar la distorsión y garantizar una
respuesta lineal.

Corriente de Colector Máxima: La elección de RL afecta directamente la corriente de colector

máxima que puede manejar el BJT. Una RL demasiado baja puede resultar en corrientes
excesivas y afectar la eficiencia del amplificador. Por otro lado, una RL demasiado alta puede
limitar la corriente de colector, reduciendo la eficacia del amplificador.

Ancho de Banda y Respuesta en Frecuencia: La resistencia de carga influye en el ancho de

banda y la respuesta en frecuencia del amplificador. Valores inadecuados de RL pueden
provocar una respuesta en frecuencia no lineal y distorsión armónica. Un diseño cuidadoso de
RL es esencial para lograr un rendimiento óptimo en diversas frecuencias.

Interacción con Parámetros del BJT: RL interactúa con los parámetros internos del BJT, como la
resistencia de salida y las capacitancias parasitarias. Considerar estas interacciones es
fundamental para prevenir problemas de estabilidad y distorsión.

4.2.6. Análisis por Computadora:

El informe no solo se sumerge en la teoría, sino que también abraza la era digital. Se explora
cómo el análisis por computadora, mediante herramientas de simulación, se ha convertido en
una herramienta invaluable para el diseño y la optimización eficiente de amplificadores con
BJT.

El análisis por computadora se ha convertido en una herramienta fundamental en el diseño y

optimización de amplificadores con transistores bipolares (BJT). A través de simulaciones y
modelado computacional, los ingenieros pueden explorar una variedad de escenarios, ajustar
parámetros clave y anticipar el comportamiento del amplificador antes de la implementación
física. Este enfoque ofrece ventajas significativas en términos de eficiencia y precisión en
comparación con métodos tradicionales.

Simulaciones de Circuitos:

Simulación de Respuesta en Frecuencia: Las herramientas de simulación permiten analizar la

respuesta en frecuencia del amplificador, identificando picos, valles y posibles zonas de
distorsión. Esto es crucial para ajustar componentes y lograr una respuesta en frecuencia
deseada.

Exploración de Sensibilidades: Mediante simulaciones de sensibilidad, los ingenieros pueden

evaluar cómo pequeñas variaciones en parámetros clave afectan el rendimiento del
amplificador. Esto facilita la identificación de componentes críticos y áreas de mejora.

Análisis de Estabilidad: Las simulaciones computacionales permiten evaluar la estabilidad del

amplificador ante variaciones en la carga, la fuente de señal y otros parámetros. Esto es
esencial para prevenir oscilaciones indeseadas y garantizar la confiabilidad del diseño.

4.3. Amplificador con JFET:

Navegando en las Aguas de los Transistores de Efecto de Campo:

4.3.1. Modelo del JFET en Pequeña Señal:

El JFET, un componente de Efecto de Campo se presenta como una alternativa poderosa. Se

analiza el modelo del JFET en pequeña señal, revelando cómo este dispositivo maneja las
señales de entrada con eficacia y precisión.

El Modelo del JFET (Transistor de Efecto de Campo de unión) en pequeña señal es esencial
para entender y diseñar amplificadores que utilizan este tipo de transistor. Este modelo
simplificado permite realizar análisis detallados sin abrumar con la complejidad inherente al
funcionamiento completo del dispositivo.

Características Fundamentales del JFET: Estructura del JFET: El JFET consta de una unión pn
con una región de tipo p (fuente) y una región de tipo n (drenador), separadas por una región
de tipo n o p (canal). La variación del voltaje aplicado en la puerta controla la conductividad
del canal, regulando así el flujo de corriente entre la fuente y el drenador.

Conducción de Corriente: En ausencia de voltaje en la puerta (VG = 0), el canal del JFET está
completamente abierto, permitiendo un flujo máximo de corriente entre la fuente y el
drenador. Al aplicar un voltaje negativo en la puerta, se reduce la anchura del canal y, por
ende, la corriente entre la fuente y el drenador.

Modelo en Pequeña Señal del JFET:

El modelo en pequeña señal del JFET se centra en cambios pequeños alrededor de un punto
de operación establecido. Este modelo se compone de elementos clave que describen el
comportamiento lineal del JFET ante pequeñas variaciones en las señales de entrada y salida.

Transconductancia (gm): La transconductancia, representada por "gm", es la relación entre el

cambio en la corriente de drenador (ID) y el cambio en el voltaje de la puerta (VG) en pequeña
señal. Se expresa como gm = ΔID / ΔVG y es esencial para cuantificar la capacidad del JFET
para amplificar señales de entrada.

Resistencia de Drenador (rd): La resistencia de drenador, rd, modela la resistencia que percibe
una señal de pequeña señal en el drenador del JFET. Se relaciona inversamente con la
transconductancia, ya que rd = 1/gm.

Capacitancias Parasitarias: Aunque el modelo en pequeña señal se enfoca en componentes

lineales, las capacitancias parasitarias, como la capacitancia entre puerta y drenador (Cgd),
pueden afectar la respuesta en frecuencia del JFET en aplicaciones de alta frecuencia.

Resistencia de Fuente (rs): En algunos modelos, se introduce la resistencia de fuente, rs, para
considerar la resistencia interna del JFET en pequeña señal.

4.3.2. Determinación de Parámetros en Pequeña Señal:

Al igual que con los BJT, se explora el proceso detallado de determinación de parámetros en
pequeña señal para amplificadores con JFET. Se destacan las diferencias clave en la
polarización y el comportamiento, permitiendo una comprensión completa de las capacidades
del JFET.

La determinación de parámetros en pequeña señal es esencial para diseñar amplificadores con

transistores de efecto de campo (JFET) y transistores bipolares (BJT). Este enfoque
proporciona una comprensión detallada de cómo estos dispositivos responden a variaciones
mínimas en las señales de entrada y salida, permitiendo un diseño preciso y eficiente.

Parámetros en Pequeña Señal del BJT: Ganancia de Corriente (β): La ganancia de corriente, β,
representa la relación entre la corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB) en un BJT.
Se determina experimentalmente mediante mediciones de corriente en los terminales del
transistor.
Ganancia de Voltaje (α): La ganancia de voltaje, α, se relaciona con β por la ecuación α = β / (1
+ β). Este parámetro cuantifica la eficiencia del BJT en la conversión de la corriente de base a la
corriente de colector.

Resistencias de Pequeña Señal: La resistencia de entrada (ri) y la resistencia de salida (ro) en

pequeña señal son parámetros importantes para entender cómo el BJT afecta las señales de
entrada y salida, respectivamente.

Parámetros en Pequeña Señal del JFET: Transconductancia (gm): La transconductancia, gm,

representa la capacidad del JFET para amplificar señales de pequeña señal. Se determina
midiendo el cambio en la corriente de drenador (ID) en respuesta a un cambio en el voltaje de
la puerta (VG).

Resistencia de Drenador (rd): La resistencia de drenador, rd, está relacionada inversamente

con la transconductancia (gm) y se expresa como rd = 1/gm. Esta resistencia modela cómo la
señal de salida se ve afectada por variaciones en la señal de entrada.

Capacitancias Parasitarias: Las capacitancias entre puerta y drenador (Cgd) y entre puerta y
fuente (Cgs) son parámetros importantes en aplicaciones de alta frecuencia y se determinan
mediante medidas experimentales.

4.3.3. Análisis de Circuitos Amplificadores con MOSFET:

El viaje culmina con una exploración de amplificadores que emplean MOSFET. Se analizan los
circuitos, se desglosa su comportamiento en pequeña señal, y se examinan las aplicaciones
prácticas que aprovechan las características únicas de estos dispositivos de Efecto de Campo.

El análisis de circuitos amplificadores con MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-

Óxido-Semiconductor) ofrece una perspectiva fascinante sobre la amplificación de señales en
la electrónica moderna. Los MOSFET, con sus características únicas, brindan una versatilidad
significativa en el diseño de amplificadores para diversas aplicaciones.

Características Fundamentales del MOSFET:

Estructura del MOSFET:

El MOSFET consta de una puerta aislada eléctricamente de un sustrato semiconductor por una
fina capa de óxido. Este diseño permite controlar el flujo de corriente entre la fuente y el
drenador mediante el voltaje aplicado a la puerta.

Tipos de MOSFET: Se clasifican en dos tipos principales: el MOSFET de Canal N (NMOS) y el

MOSFET de Canal P (PMOS), dependiendo de si el sustrato es de tipo n o p.

Análisis de Amplificadores con MOSFET: Modelo en Pequeña Señal: Para realizar un análisis en
pequeña señal, se consideran variaciones lineales alrededor de un punto de operación
establecido.

El modelo en pequeña señal del MOSFET incluye la transconductancia (gm) y la resistencia de

drenador (rd). Transconductancia (gm): La transconductancia, gm, cuantifica la sensibilidad del
MOSFET ante cambios en el voltaje de la puerta. Se calcula como la derivada de la corriente de
drenador con respecto al voltaje de la puerta en el punto de operación.

Resistencia de Drenador (rd): La resistencia de drenador, rd, modela la resistencia que

experimenta la señal de salida en pequeña señal. Se relaciona inversamente con la
transconductancia, siendo rd = 1/gm.

Análisis de Puntos de Operación: Similar al BJT y al JFET, se busca establecer un punto de

operación óptimo ajustando el voltaje de la puerta para obtener la corriente de drenador
deseada.

Sensibilidad a la Fuente: La ganancia de voltaje del MOSFET se ve afectada por la resistencia

de la fuente (rs), y su inclusión en el análisis permite ajustar y optimizar la ganancia del
amplificador.

Conclusiones: El análisis detallado de amplificadores con transistores BJT's y FET's revela la

diversidad de enfoques y posibilidades que ofrecen estos dispositivos en el diseño de circuitos
electrónicos. Ambos tipos de transistores, con sus características únicas, proporcionan
soluciones fundamentales para una amplia gama de aplicaciones, desde amplificación de
señales hasta conmutación eficiente.

Transistores BJT:

Los BJT's con su estructura bipolar, permiten una amplificación robusta de corriente y son
fundamentales en aplicaciones que requieren un rendimiento lineal y eficiente. Su capacidad
para operar en diferentes estados, como corte, activa y saturación, brinda flexibilidad en el
diseño de circuitos, destacando su utilidad en amplificadores de audio, osciladores y sistemas
de conmutación.

La comprensión de parámetros críticos como la ganancia de corriente (β), la ganancia de

potencia (α) y la estabilidad del punto de operación es esencial para aprovechar al máximo las
capacidades de los BJT's. Las configuraciones de polarización, como emisor común, base
común y colector común, ofrecen opciones versátiles para adaptarse a diferentes requisitos de
diseño.

Transistores FET:

Por otro lado, los FET's introducen una perspectiva diferente con su funcionamiento basado en
campos eléctricos. La transconductancia (gm) y la resistencia de drenador (rd) son parámetros
clave en el análisis de amplificadores con FET's. Su sensibilidad a la fuente y su aplicación
eficiente en circuitos de baja frecuencia y conmutación de alta velocidad los hacen ideales
para una variedad de aplicaciones, desde amplificación de audio hasta circuitos de
radiofrecuencia.

La versatilidad de los FET's se refleja en la variedad de configuraciones de amplificadores que

pueden implementarse, permitiendo adaptarse a las necesidades específicas de cada
aplicación. El análisis de puntos de operación y consideraciones térmicas son esenciales para
garantizar un rendimiento estable a lo largo del tiempo y en diferentes condiciones de
funcionamiento.

Integración de Potencia y Sensibilidad:

En conjunto, la combinación de transistores BJT's y FET's en el diseño de amplificadores ofrece

un equilibrio entre la capacidad de manejar potencia y la sensibilidad para amplificar señales
débiles. Desde aplicaciones de audio de alta fidelidad hasta circuitos de conmutación
eficientes, la elección entre BJT's y FET's dependerá de los requisitos específicos de cada
aplicación.

La clave para un diseño exitoso radica en la comprensión profunda de las características y

capacidades de cada tipo de transistor, así como en la aplicación hábil de configuraciones y
técnicas de polarización. A medida que la tecnología avanza, la combinación estratégica de
 transistores BJT's y FET's seguirá desempeñando un papel crucial en la innovación y evolución
de la electrónica moderna.

Tema 5

Diseño de fuentes de alimentación

5.1- Diseño de una fuente de alimentación
Diseñar una fuente de alimentación puede ser un proceso complejo y específico
dependiendo de los requisitos particulares de tu aplicación.
5.1.1.- Utilizando un regulador transistorizado

Conectar el transformador a los diodos rectificadores para rectificar la corriente

alterna.

Conectar un condensador de filtro de 2200µF a la salida del puente de diodos para

suavizar la señal rectificada.

Conectar un transistor NPN 2N3055 para actuar como regulador de voltaje. Utiliza
resistencias para establecer la polarización del transistor y un diodo Zener.

Colocar un potenciómetro de 10kΩ para ajustar la salida del regulador

transistorizado.

Agregar otro condensador de 100µF después del regulador para filtrar y estabilizar
aún más la señal.
Conectar la salida de la fuente de alimentación regulada a la carga.

5.1.2 Utilizando un regulador de circuito integrado

Rectificación: Conecta el transformador a los diodos rectificadores para rectificar la

corriente alterna.

Filtrado: Conecta un condensador de filtro a la salida del puente de diodos para

suavizar la señal rectificada.

Regulador LM317: Conecta el LM317. Normalmente, esto implicará la conexión de

resistencias y un potenciómetro para ajustar la tensión de salida.

Potenciómetro: Coloca un potenciómetro para ajustar la salida del regulador.

Filtrado adicional: Agrega otro condensador después del regulador para filtrar y
estabilizar aún más la señal.

Disipador de calor: Asegúrate de que el LM317 tenga un disipador de calor

adecuado.

Conexiones: Conecta la salida de la fuente de alimentación regulada a la carga.

Conclusiones.
Trabajar con diodos y transistores es fundamental en la electrónica y la ingeniería
eléctrica. Aquí hay algunas conclusiones clave:

Diodos:

1. Rectificación de Corriente: Los diodos son esenciales para convertir la corriente

alterna (AC) en corriente continua (DC) mediante rectificación.

2. Protección: Los diodos se utilizan para proteger circuitos contra polaridades

inversas y picos de voltaje.

3. Semiconductor Simple: Los diodos son dispositivos de semiconductor

relativamente simples, pero su aplicación es crítica para la funcionalidad de
muchos circuitos.

Transistores:

1. Amplificación y Conmutación: Los transistores se utilizan tanto para amplificar

señales como para conmutar corrientes, lo que es esencial en la electrónica
moderna.

2. Tipos Principales: Hay dos tipos principales de transistores, bipolares (BJT) y de

efecto de campo (FET). Cada uno tiene sus propias aplicaciones y ventajas.

3. Regulación de Voltaje: Los transistores se utilizan en reguladores de voltaje

para mantener constantes las salidas de las fuentes de alimentación.

4. Circuitos Integrados: Los transistores se utilizan extensivamente en circuitos

integrados, como microprocesadores y otros dispositivos digitales.

5. Diseño de Circuitos: Trabajar con transistores implica el diseño cuidadoso de

circuitos para garantizar el rendimiento deseado.

Conclusiones Generales:
1. Fundamentales para la Electrónica: Diodos y transistores son componentes
fundamentales para la mayoría de los dispositivos electrónicos y circuitos.

2. Control de Corriente y Voltaje: Ambos componentes permiten el control de

corriente y voltaje en circuitos, lo que es crucial para el funcionamiento de
sistemas electrónicos.

3. Flexibilidad en Diseño: La combinación de diodos y transistores ofrece

flexibilidad en el diseño de circuitos, desde fuentes de alimentación hasta
amplificadores y dispositivos lógicos.

4. Entender y Aplicar: Trabajar con diodos y transistores requiere una comprensión

profunda de sus características y aplicaciones. Un diseño eficaz implica
seleccionar los componentes adecuados y entender su comportamiento en el
circuito.

5. Evolución Tecnológica: A medida que la tecnología avanza, la miniaturización y

la integración de diodos y transistores en circuitos más complejos sigue siendo
una tendencia importante.

En resumen, diodos y transistores son bloques de construcción esenciales en

electrónica, permitiendo el desarrollo de dispositivos y sistemas cada vez más
avanzados y sofisticados. La habilidad para trabajar con estos componentes es
crucial para los ingenieros y diseñadores en el campo de la electrónica.
Bibliografía.

1.- Boylestad Robert L., Nashelsky Louis (2009) Electrónica Teoría de

Circuitos y dispositivos Electrónicos, México, Décima edición, Editorial
Prentice Hall.

2.- Savant Clement J, Martin S Roden, Gordon L., Carpenter. (1998) Diseño
Electrónico, Circuitos y Sistemas. Editorial Prentice Hall.

3.- Millman Jacob, Halkias Cristos C., (1991) Electrónica Integrada, Circuitos
y Sistemas Analógicos y Digitales, 9a Edición Editorial Hispano Europea, S.
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