Tema 11 Inversores PDF

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC
io (t ) =
n =1
2VS
2
1 n R 2 + nL nC 1 nL nC n = arctg R
sen (nt n )
E 11.7
donde n = 1,3,5... Si Io1(RMS) es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la potencia a la salida:
Po1( RMS ) = Vo1( RMS ) I o1( RMS ) cos 1 = I o21( RMS ) R
PROBLEMA 11.1
Dado el circuito inversor con batera de toma media de la figura, donde VS = 48 V y la carga es resistiva y de valor R = 2.4. Calcular: a) b) c) d) e) f) g) h) La tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental Vo1(RMS) . Potencia eficaz de salida Po(RMS) . La corriente media y de pico de cada transistor. La tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo cada transistor. La distorsin armnica total THD. El factor de distorsin DF. El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden. Simular este circuito con Pspice y obtener: Tensin e intensidad en la carga. Intensidades instantnea y media en los transistores. Anlisis espectral de Fourier. Listado de componentes de Fourier para la tensin de salida (visualizar el fichero .OUT). Comparar los resultados con los obtenidos tericamente.
Solucin: a) Segn la ecuacin [E 11.6], la tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental es:
Vo1( RMS ) = 0.45 48 = 21.6 V

b) La potencia de salida se calcula como sigue:
Vo ( RMS ) =
c)
VS 48 = = 24 V 2 2
Po ( RMS ) =
Vo2( RMS ) R
24 2 = 240 W 2.4
La corriente de pico de cada transistor es:
Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid
I pQ =
VS 24 = = 10 A R 2 .4
Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente media que circula por cada transistor es:
I Q ( AV ) = 0.5 10 = 5 A
d) La tensin inversa de pico de bloqueo de cada transistor es:
VQ ( BR ) = 2 24 = 48 V
e) La distorsin total es:
THD =
1 Vo1
1 2 Von = Vo2( RMS ) Vo2 ( RMS ) = 1 V o1( RMS ) n =3,5, 7...
1 21.6
(24
21.6 2 = 0.4834 = 48.34%
como Vo(RMS) = 24 V y Vo1(RMS) = 21.6 V, los dems armnicos aportan: 24 21.6 = 2.4 V f) La tensin eficaz de todos los armnicos exceptuando la del fundamental viene representado por VH y es:
V2 VH = on 2 n =3,5,7... n
Como:
V V V = o23 + o25 + o27 + ... 3 5 7

0.45 VS n
Von =
Vo1 n
Vo1 = 0.45 Vs
Von =
La tensin eficaz de todos los armnicos quedar, sustituyendo la igualdad anterior en la expresin de VH, como:
V H = VS
0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 3 + 3 + 3 + 3 + 3 ... 0.01712 VS 3 5 7 9 11

V VH = 0.01712 S = 3.804 % Vo1 Vo1
El factor de distorsin, ser:
DF =
g) El armnico de orden ms bajo es el tercero (armnico que produce mayor distorsin despus del fundamental):
Vo 3 =
Vo1 3
Vo 3( RMS ) =
21.6 = 7.2 V 3
Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):
HF3 =
Vo 3 Vo1
Vo1 3 = 1 = 33.33% = 3 Vo1
Factor de distorsin del tercer armnico:
Vo 3 Vo1 2 3 3 3 1 DF3 = = = 3.704% = 27 Vo1 Vo1

h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de tensin alternas y desfasadas entre s 180. Estas fuentes excitan a los transistores a travs de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figura. Las dems consideraciones para el anlisis se pueden observar en el listado de la simulacin que proporcionamos ms abajo.
Los valores tomados de la simulacin son: R = 2.4 Vg1 = Vg2 = 5 V Rg1 = Rg2 = 100 VS = 48 V f = 50 Hz
Descripcin del circuito:
Problema11_1: CIRCUITO INVERSOR CON BATERIA DE TOMA MEDIA * Resistencias: RG1 6 2 100 ; Resistencia de base del transistor Q1 RG2 4 7 100 ; Resistencia de base del transistor Q2 * Fuentes excitadoras de los transistores: VG1 6 3 PULSE(5 0 0 0 0 10M 20M) VG2 7 5 PULSE(5 0 10M 0 0 10M 20M) * Fuente c.c. de toma media: V1S/2 1 0 24 V2S/2 0 5 24 * Carga: R 3 0 2.4 * Transistores y definicion del modelo QMOD mediante una linea .MODEL: Q1 1 2 3 QMOD Q2 3 4 5 QMOD .MODEL QMOD NPN (IS=6.374F BF=416.4 CJC=3.6P CJE=4.4P) * Parametros para el analisis con PsPice: .OP .PROBE .four 50 V(3,0) ; *ipsp* .tran 1.000u .3 0 0 ; *ipsp* .END
El listado de las componentes de Fourier se encuentra al final del archivo Problema11_1.OUT que crea el programa durante la simulacin. Para este ejemplo tenemos: La comparacin entre los datos tericos y los que nos ofrece Pspice se muestra en la siguiente tabla:
TERICO
Apartado a) b) c) c) e) f) g) Dato Vo1(RMS) = 21.6 V Vo(RMS) = 24 V IpQ = 10 A IQ(AV) = 5 A THD = 48.34% HF3 = 33.33% Vo3(RMS) = 7.2 V
PSPICE
Dato Vo1(RMS) = 21.46 V Vo(RMS) = 23.835 V IpQ = 9.928 A IQ(AV) = 4.8828 A THD = 42.8% HF3 = 33.33% Vo3(RMS) = 7.156 V
La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona Pspice con respecto a la terica se debe a que el programa slo tiene en cuenta, como ya hemos mencionado, los nueve primeros armnicos.
PROBLEMA 11.2
Dado el inversor monofsico de batera de toma media de la figura, donde VS = 600 V, R = 10 , L = 0.05 H y la frecuencia f = 50 Hz. Calcular: a) b) c) d) Intensidad mxima Io en la carga. Tiempo de paso por cero de la intensidad en la carga despus de un semiciclo. Intensidad media IQ(AV) por los transistores. Intensidad media ID(AV) por los diodos.
Solucin: a) Para el primer intervalo, en el que conduce Q1, la ecuacin de su malla ser:
VS di (t ) = vo (t ) = R io (t ) + L o dt 2
y para el segundo intervalo tendremos:
VS di (t ) = vo (t ) = R io (t ) + L o dt 2
Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solucin es:
t V i o (t ) = S 1 e 2R t I e o
donde:
T 1 e 2 V Io = S T 2R 2 1+ e
L 0.05 = = 0.005 seg. 10 R
Como f = 50 Hz, tendremos un perodo T = 0.02 seg., por tanto, la intensidad mxima en la carga es:
0.02 600 1 e 20.005 Io = 0.02 2 10 1 + e 20.005
= 22.85 A
b) El tiempo t1 de paso por cero de la intensidad io(t) lo obtenemos igualando a cero la ecuacin que rige a esta intensidad y sustituyendo en ella la ecuacin de Io. Haciendo esto obtendremos como solucin:
2 t1 = T ln T 1 + e 2
c)
2 = 0.005 ln 0.02 1 + e 20.005
= 2.83 mseg.
Como la carga no es resistiva, el desfase entre tensin e intensidad viene dado por:
= arctg
2 50 0.05 L = arctg = 57.51 10 R
El valor de la intensidad media por los transistores lo vimos en la teora y viene dada por la ecuacin:
I Q ( AV ) =
Io [1 cos( )] = 22.85 [1 cos(180 57.51 )] = 5.6 A 2 2
d) El clculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:
I D ( AV ) =
Io (1 cos ) = 22.85 (1 cos 57.51 ) = 1.68 A 2 2
los diodos D2 y D3 cediendo potencia a la batera; en el instante t4 la tensin en la carga es la contrara que en el instante t2 y por tanto conducen los diodos D1 y D4. En ambos intervalos de tiempo se libera la energa reactiva acumulada en la carga durante los instantes t1 y t3 respectivamente.
[11_3]
La forma de onda en la carga se ha representado suponiendo una impedancia infinita para los armnicos de la tensin de salida, y por tanto tenemos una tensin senoidal pura. El ngulo de retardo de la intensidad de carga con respecto a la onda fundamental de la tensin de salida se ha tomado aproximadamente de 60. Las ecuaciones [E 11.1] y [E 11.2] del apartado anterior siguen siendo vlidas para este caso, pero la intensidad media suministrada por la batera es el doble de la expresada en [E 11.31]. Por otra parte la tensin eficaz de salida viene dada por:
Vo ( RMS ) =
2 2 2 VS dt = VS T 0
E 11.8
La tensin instantnea de salida en serie de Fourier difiere de la que tenamos para un circuito inversor con batera de toma media en que ahora tenemos el doble de tensin en la salida y por tanto:
vo (t ) =
4VS sen (n t ) n =1, 3, 5... n
para n = 1,3,5...
E 11.9
para n = 1 tenemos el valor de la tensin eficaz de la componente fundamental:
Vo1( RMS ) =
4VS
= 0.90 VS
E 11.10
La intensidad instantnea de salida para una carga RLC ser:
io (t ) =
n =1
4 VS 1 n R 2 + nL nC 1 nL nC n = arctg R
2
sen (nt n )
E 11.11
PROBLEMA 11.3
En el circuito de la figura la batera VS = 48 V y la carga R = 2.4 , calcular: a) b) c) d) e) f) g) h) Tensin eficaz del fundamental. Potencia media en la carga. Intensidad de pico y media de cada transistor. Tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo de los transistores. Distorsin armnica total THD. Factor de distorsin DF. Factor armnico y factor de distorsin del armnico de menor orden. Simular el circuito con Pspice y obtener: Las intensidades media e instantnea en Q1. El anlisis de Fourier que proporciona el programa. Comparacin con los datos tericos.
11
Problema11_3.cir
Solucin: a) La tensin eficaz del fundamental viene dada por la ecuacin [E 11.10] y es:
Vo1( RMS ) = 0.90 48 = 43.2 V

b) La potencia media entregada a la carga viene dada por la ecuacin genrica:
Po ( AV ) =
c)
VS2 48 2 = = 960 W R 2.4
La intensidad de pico por cada pareja de transistores ser:
I PQ =
48 = 20 A 2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la intensidad media de cada rama es:
I Q ( AV ) =
20 = 10 A 2
d) La tensin de pico de bloqueo, ser igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
V BR = 48 V
e) Para calcular la distorsin armnica total THD de forma exacta necesitamos conocer la tensin aportada por todos los armnicos.
Como Vo(RMS) = 48 V y Vo1(RMS) = 43.2 V, los dems armnicos aportan: 48 - 43.2 = 4.8 V
THD =
1 Vo1
2 on n =3, 5 , 7...
1 Vo1( RMS )
Vo2( RMS ) Vo2 ( RMS ) = 1
=
f)
1 48 2 43.2 2 = 48.43% 43.2
El factor de distorsin aplicando un filtro de segundo orden ser:
1 DF = Vo1
0.3424 V 1 V V V ... non = V 3o23 + 5o25 + ... = 0.9 V S = 3.804% 2 n = 3, 5 o1 S
12
g) El armnico de orden ms bajo es el tercero:
Vo 3 = HF3 =
Vo 3 Vo1 Vo 3 2 3 1 DF3 = = = 3.704% Vo1 27

. La tensin de pico inversa de bloqueo de cada transistor y la tensin de salida para inversores con batera de toma media e inversores en puente monofsico son las mismas, sin embargo, para el inversor en puente la potencia de salida es cuatro veces mayor y la componente del fundamental es el doble que en el inversor con batera de toma media. h) Para simular el circuito hemos introducido cuatro fuentes de tensin alterna Vg con sus respectivas resistencias en serie Rg. Los valores tomados para el circuito de la figura son: Vg = 5.8 V; f = 50 Hz y Rg =100 . Los diodos que se introducen en el circuito no son necesarios para este anlisis, puesto que la carga es puramente resistiva y no desfasa la tensin e intensidad de salida. Sin embargo, se ha introducido para que el lector pueda experimentar con otras cargas en este tipo de configuracin
Vo1 3 1 = = 33.33% 3
Como podramos comprobar en el listado las amplitudes obtenido en el .OUT de los armnicos pares es nula, esto se debe a que la tensin de salida es una onda cuadrada en cuya composicin slo intervienen los armnicos impares. La comprobacin entre stos se encuentra reflejada en la siguiente tabla:
TERICO
Apartado a) c) c) e) f) Dato Vo1(RMS) = 43.2 V IpQ = 20 A IQ(AV) = 10 A THD = 48.43% HF3 = 33.33%
PSPICE
Dato Vo1(RMS) = 42.76 V IpQ = 19.792 A IQ(AV) = 10.058 A THD = 42.87% HF3 = 33.33%
13
PROBLEMA 11.4
El puente inversor de la figura tiene una carga RLC de valor R = 10, L = 31.5mH y C = 112F. La frecuencia del inversor es de 60 Hz y la tensin de entrada VS = 220 V. Calcular: a) b) c) d) e) f) g) La corriente instantnea de salida en series de Fourier. El valor eficaz de la intensidad total en la carga y la debida al primer armnico. Distorsin total de la corriente de carga. Potencia activa en la carga y del fundamental. Intensidad media de entrada. Intensidad media y de pico de cada transistor. Simular con Pspice este circuito y obtener: La tensin e intensidad instantneas en la carga. Intensidad instantnea de los diodos. Comparacin de las intensidades de base de los transistores. Intensidad eficaz en la carga. Intensidades media e instantnea de colector de cada transistor. Anlisis espectral de Fourier de la intensidad en la carga y el listado de componentes armnicos de dicha intensidad.
Solucin: a) Para calcular la intensidad instantnea en series de Fourier se calcula primero la impedancia de la carga para cada armnico y se divide la tensin instantnea en series de Fourier por dicha impedancia. Para n = 1:
2 2
1 Z o1 = 10 + 2 60 31.5 10 3 = 15.4 6 2 60 112 10 1 3 2 60 31.5 10 6 2 60 112 10 = 49.7 o1 = arctg 10

La tensin instantnea en series de Fourier viene dada por la ecuacin calculamos la amplitud de cada armnico, por tanto, para n = 1:
[E 11.9]
con la que
Vo1 = I o1 =
4 220
sen (2 60 t ) = 280.1 sen(120 t )
Vo1 280.1 = sen (120 t + 49.7 ) = 18.1 sen(120 t + 49.7 ) Z o1 15.4 Vo 3 = 93.4 sen (3 120 t ) Z o3 = 29.43 o3 = 70.17
Dando valores a n (3, 5 ,7...) se calculan los siguientes armnicos:
14
I o 3 = 3.17 sen(3 120 t 70.17 ) Vo 5 = 56 sen(5 120 t ) Z o5 = 55.5 o5 = 79.63 I o 5 = 1 sen(5 120 t 79.63 )
i (t ) = 18.1sen(120 t + 49.7 ) + 3.17 sen(3 120 t 70.17 ) + o + 1sen(5 120 t 79.63 )
b) Como:
Haciendo el sumatorio obtenemos la intensidad instantnea en series de Fourier:
I ( RMS ) =
para el primer armnico tendremos:
Ip 2
= 12.8 A
I o1( RMS ) =
I o1 2
18.1 2
Considerando hasta el quinto armnico, la corriente de pico en la carga ser:
I o = 18.12 + 3.17 2 + 12 = 18.4 A
I o ( RMS ) =
c)
18.4 2
= 13.01 A
La distorsin armnica total para la intensidad se calcula de la misma forma que para la tensin, resultando:
THD =
1 I o1
n =3,5...
2 on
1 I o1
(I
2 o
2 I o1 =
1 18.4 2 18.12 = 18.28% 18.1
d) Las potencias son:

2 Po = I o ( RMS ) R = 13.012 10 = 1692.6 W 2 Po1 = I o1( RMS ) R = 12.8 2 10 = 1638 W
e)
La intensidad media que suministra la fuente es:
I ( AV ) =
f)
Po 1692 = = 7.69 A VS 220
Segn el apartado b tendremos una intensidad de pico por los transistores:
I pQ = 18.4 A
Como cada rama conduce durante el 50% de cada perodo tenemos:
I Q ( AV ) =
7.69 = 3.845 A 2
15
El circuito que se simular con Pspice es el que se muestra en la figura siguiente:
Los valores tomados para la simulacin son: R = 10, L = 31.5 mH, C = 112 F, f = 60 Hz y las resistencias de base Rg1 = Rg2 = Rg3 = Rg4 = 100. Descripcin del circuito:
Problema11_4.cir
Para el caso de carga RLC, sabemos que la tensin y la intensidad se desfasan un cierto ngulo que corresponde con el argumento que presenta la carga. En este caso al ser de carcter capacitivo, la intensidad se adelanta en fase respecto de la tensin. Esto es apreciable en la figura 11.8, donde adems se puede observar que la intensidad es ahora ms senoidal que en los casos anteriores. Esto se debe a la presencia del condensador y de la bobina en la carga. El desfase mencionado anteriormente se encuentra reflejado en la figura 11.9. En ella se puede comprobar el perodo de conduccin del diodo D3 y las intensidades que recorren a D1 y D3.
Fig. 11. 8 Tensin e intensidad instantnea en la carga.
16
Fig. 11. 9 Anlisis espectral de Fourier para io(t).
El listado de componentes de Fourier para la intensidad en la carga se muestra a continuacin:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(R) DC COMPONENT = 2.355409E-02 HARMONIC NO 1 2 3 4 5 6 7 8 9 FREQUENCY (HZ) 6.000E+01 1.200E+02 1.800E+02 2.400E+02 3.000E+02 3.600E+02 4.200E+02 4.800E+02 5.400E+02 FOURIER COMPONENT 1.802E+01 2.422E-02 2.726E+00 1.123E-02 1.040E+00 8.265E-03 5.559E-01 7.409E-03 3.385E-01 NORMALIZED COMPONENT 1.000E+00 1.344E-03 1.513E-01 6.229E-04 5.768E-02 4.585E-04 3.084E-02 4.110E-04 1.878E-02 PHASE (DEG) 4.742E+01 -1.542E+02 -6.635E+01 2.600E+01 -6.873E+01 5.438E+01 -7.311E+01 6.358E+01 -9.073E+01 NORMALIZED PHASE (DEG) 0.000E+00 -2.016E+02 -1.138E+02 -2.142E+01 -1.162E+02 6.962E+00 -1.205E+02 1.616E+01 -1.381E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.658677E+01 PERCENT
TERICO
Apartado a) b) b) f) a) a) a) c) Dato Vo = 220 V Io = 18.4 A Io(RMS) = 13.01 A IQ(AV) = 3.845 A Io1 = 18.1 A Io3 = 3.17 A Io5 = 1 A THD = 18.28%
PSPICE
Dato Vo = 221.808 V Io = 20.298 A Io(RMS) = 12.92 A IQ(AV) = 4.706 A Io1 = 18.02 A Io3 = 2.726 A Io5 = 1.040 A THD = 16.58%
Ntese que a partir del quinto armnico (en el listado) la amplitud que se presenta para cada uno de ellos es tan pequea que no es significativo introducirla en los clculos tericos.
17
PROBLEMA 11.5
En un inversor monofsico en puente como el de la figura tenemos los siguientes datos: VS = 200 V, R = 30, L = 0.16 H y T = 12.5 mseg. Calcular: a) b) c) d) e) La intensidad de pico en la conmutacin. El tiempo de conduccin de los diodos. El tiempo de conduccin de los transistores. La intensidad media suministrada por la fuente. La potencia media en la carga.
Solucin: a) La constante de tiempo para este circuito es:
L 0.16 = = 5.33 mseg 30 R

0.0125 200 1 e 20.00533 = 0.0125 30 20.00533 1+ e
por tanto, la intensidad de pico es:

T VS 1 e 2 Io = T R 2 1+ e
= 3.51 A
b) El tiempo de conduccin de cada diodo ser:
= arctg
2 0.16 L = 69.54 = arctg 0.0125 30 R 69.5412.5 = 2.41 mseg. 360
t D on =
c)
El tiempo de conduccin de cada transistor ser:
t Q on = 6.25 2.41 = 3.84 mseg.

d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los clculos se efectan del siguiente modo:
I D ( AV ) = I Q ( AV ) =
Io (1 cos ) = 3.51 (1 cos 69.54 ) = 0.36 A 2 2
Io [1 cos( )] = 3.51 [1 cos(180 69.54 )] = 0.75 A 2 2
18
La intensidad media que suministra la batera ser igual a la que soportan los transistores menos la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperodo:
I S ( AV ) = 2 I Q ( AV ) I D ( AV ) = 2 (0.75 0.36 ) = 0.78 A

e) La potencia media que consume la carga es igual a la que cede la batera y es:
Po ( AV ) = I S ( AV ) V S = 0.78 220 = 171.6 W
11.2.4 PUENTE TRIFSICO.

El inversor trifsico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan una elevada potencia a la salida. Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros, sin embargo, los secundarios se pueden conectar en tringulo o en estrella, tal como se muestra en la figura 11.10. Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella para de esta forma eliminar los armnicos de orden 3, (n = 3, 6, 9...) de la tensin de salida.
Fig. 11. 10 Formas de conexin.
Este inversor se puede conseguir con una configuracin de seis transistores y seis diodos como se muestra en la figura 11.11.
Fig. 11. 11 Inversor trifsico.
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de seales de control: desfasadas 120 180 entre s.
ngulo de conduccin de 180.

Cada transistor conduce durante 180. Desfasando convenientemente las seales de control de los transistores hacemos que conduzcan en cualquier instante tres de ellos. En la figura 11.11 cuando se dispara Q1 el terminal a queda conectado al extremo positivo de la fuente de continua. Tenemos seis modos de operacin durante un ciclo y la duracin de cada uno de ellos es de 60, siendo la secuencia de disparo de los transistores: 1,2,3 - 2,3,4 - 3,4,5 - 4,5,6 - 5,6,1 - 6,1,2. Las seales aplicadas en puerta a los transistores se muestran en la figura 11.12.
19
con un retraso de 30, de la ecuacin RLC:
[E 11.12]
obtenemos la intensidad de lnea ia(t) para una carga
4 VS n ia (t ) = cos sen(n t n ) 2 6 n =1, 3, 5... 3 n R 2 + j n L 1 n C

donde: 1 n L n C n = arctg R
E 11.19
E 11.20
PROBLEMA 11. 6
El inversor trifsico de la figura tiene una carga conectada en estrella de valor R = 5 y un valor de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es f = 33 Hz y la tensin C.C. de entrada es VS =220 V. a) Expresar la tensin instantnea de lnea vab(t) y la intensidad de lnea ia(t) en series de Fourier. b) Determinar la tensin de lnea eficaz VL(RMS) . c) La tensin de fase VF(RMS) . d) La tensin de lnea eficaz a la frecuencia del fundamental VL1(RMS) . e) La tensin de fase eficaz a la frecuencia del fundamental VF1(RMS) . f) La distorsin armnica total THD. g) El factor de distorsin DF. h) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden. i) La potencia activa en la carga Po(RMS) . j) La corriente media de la fuente IS(AV) . k) PROPUESTO: Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D1. Comparacin de la intensidad de base de los transistores. Tensin eficaz de lnea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Anlisis espectral de la tensin de lnea y componentes de Fourier de sta.
Solucin: f) La tensin instantnea de lnea vab(t) viene dada por la ecuacin [E 11.12]:
= 2 33 = 207 rad / seg.

v ab (t ) = 4VS n cos 6 n =1,3, 5... n
sen n t + 6
23
v ab (t ) = 242.58 sen(207 t + 30 ) 48.52 sen 5(207 t + 30 ) 34.66 sen 7(207 t + 30 ) + + 22.05 sen 11(207 t + 30 ) + 16.66 sen 13(207 t + 30 ) 14.27 sen 17(207 t + 30 )...
Z L = R 2 + (n L ) = 5 2 + (8.67n )
2
arg = arctg
(n L ) = 8.67 n
R 5
Usando la siguiente ecuacin podemos obtener la intensidad instantnea de lnea ia(t):
i a (t ) =
donde:
4 VS n sen(n t n ) cos 6 3 n R 2 + (n L )2 n =1, 3, 5...
n = arctg
por lo que nos queda:
n L R
i a (t ) = 14 sen(207 t 43.6 ) 0.64 sen (5 207 t 78.1 ) 0.33 sen (7 207 t 81.4 ) +
+ 0.13 sen (11 207 t 84.5 ) + 0.10 sen (13 207 t 87.5 ) 0.06 sen (17 207 t 86.4 )...
g) De la ecuacin [E 11.14] obtenemos que:
V L ( RMS ) = 0.8165 220 = 179.63 V

h) Aplicando la ecuacin [E 11.17] tenemos que:
V F ( RMS ) =
i)
179.63 3
= 103.7 V
De la ecuacin [E 11.16] obtenemos:
V L1( RMS ) =
j)
4 220 cos 30 2
[E 11.17]
= 171.53 V
obtendremos la tensin eficaz de fase
Aplicando nuevamente la ecuacin del fundamental:
V F 1( RMS ) =
171.53 3
= 99.03 V
k) De la ecuacin [E 11.14] obtenemos:
V L1( RMS ) = 0.8165 VS
2 Ln n =5, 7 ,11...
= V L2 V L21 = 0.2423 VS
THD =
l)
2
0.2423 VS = 29.65% 0.8165 VS

DF1 = 0.00667 VS = 0.81% 0.8165 VS
V LH =
V Ln 2 = 0.00667 V S n =5, 7 ,11... n
24
m) El armnico de orden ms bajo es el quinto, puesto que en la configuracin trifsica se eliminan los armnicos de orden triple:
V L 5( RMS ) =
V L1( RMS ) 5
171.53 = 34.306 V 5
HF5 = DF5 =
VL5 1 = = 20% V L1 5
2
VL5 V L1 5
1 = 0.8% 125
n) Para calcular la potencia necesitamos calcular primero la intensidad de lnea eficaz IL(RMS):
I L = 14 2 + 0.64 2 + 0.33 2 + 0.13 2 + 0.10 2 + 0.06 2 = 14.01 A I L ( RMS ) = IL 2 = 9.91 A
2 Po ( RMS ) = 3 I L ( RMS ) R = 3 9.912 5 = 1473 W
o) La intensidad media de la fuente la obtenemos a partir de la potencia:
I S ( AV ) =
Po ( RMS ) VS
1473 = 6 .7 A 220
p) A continuacin mostramos el circuito para la simulacin con Pspice:
Problema11_6.cir
A partir del circuito y de su listado correspondiente: Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D1. Comparacin de la intensidad de base de los transistores. Tensin eficaz de lnea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Anlisis espectral de la tensin de lnea y componentes de Fourier de sta.
25
ngulo de conduccin de 120.
Fig. 11. 18 Tensiones de puerta y de lnea.
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120, hacindolo dos transistores al mismo tiempo. Siendo, por tanto, las seales de puente y la de salida las mostradas en la figura 11.18.
Cuestin didctica 11.1
Qu ventajas puede tener el hecho de que conduzcan 2 titistores? Observar que tiristores conducen en cada instante
De la grfica se deduce que la secuencia de conduccin de los transistores es: 6,1 1,2 2,3 3,4 4,5 5,6 6,1. Luego existen tres modos de operacin por semiciclo, siendo el circuito equivalente para una carga conectada en estrella el mostrado en la figura 11.19.
Fig. 11. 19 Circuito equivalente para la conexin de una carga resistiva en estrella.
Durante el modo 1, para 0 < /3, conducen los transistores Q1 y Q6. Siendo: V VS vcn (t ) = 0 v an (t ) = S vbn (t ) = 2 2 Durante el modo 2, para /3 < 2/3, conducen los transistores Q1 y Q2. Siendo: V VS v an (t ) = S vcn (t ) = vbn (t ) = 0 2 2 Durante el modo 3, para 2/3 < , conducen los transistores Q2 y Q3. Siendo: V VS vbn (t ) = S v cn (t ) = v an (t ) = 0 2 2
26

Tema 11 Inversores PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tema 11 Inversores PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

Po1( RMS ) = Vo1( RMS ) I o1( RMS ) cos 1 = I o21( RMS ) R

Vo1( RMS ) = 0.45 48 = 21.6 V

La corriente de pico de cada transistor es:

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

1 2 Von = Vo2( RMS ) Vo2 ( RMS ) = 1 V o1( RMS ) n =3,5, 7...

21.6 2 = 0.4834 = 48.34%

V V V = o23 + o25 + o27 + ... 3 5 7

0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 3 + 3 + 3 + 3 + 3 ... 0.01712 VS 3 5 7 9 11

El factor de distorsin, ser:

Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

Vo1 3 = 1 = 33.33% = 3 Vo1

Factor de distorsin del tercer armnico:

Vo 3 Vo1 2 3 3 3 1 DF3 = = = 3.704% = 27 Vo1 Vo1

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

L 0.05 = = 0.005 seg. 10 R

2 = 0.005 ln 0.02 1 + e 20.005

2 50 0.05 L = arctg = 57.51 10 R

Io [1 cos( )] = 22.85 [1 cos(180 57.51 )] = 5.6 A 2 2

d) El clculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:

Io (1 cos ) = 22.85 (1 cos 57.51 ) = 1.68 A 2 2

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

4VS sen (n t ) n =1, 3, 5... n

para n = 1 tenemos el valor de la tensin eficaz de la componente fundamental:

La intensidad instantnea de salida para una carga RLC ser:

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

Vo1( RMS ) = 0.90 48 = 43.2 V

VS2 48 2 = = 960 W R 2.4

La intensidad de pico por cada pareja de transistores ser:

Vo2( RMS ) Vo2 ( RMS ) = 1

1 48 2 43.2 2 = 48.43% 43.2

El factor de distorsin aplicando un filtro de segundo orden ser:

0.3424 V 1 V V V ... non = V 3o23 + 5o25 + ... = 0.9 V S = 3.804% 2 n = 3, 5 o1 S

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

g) El armnico de orden ms bajo es el tercero:

Vo 3 Vo1 Vo 3 2 3 1 DF3 = = = 3.704% Vo1 27

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

1 Z o1 = 10 + 2 60 31.5 10 3 = 15.4 6 2 60 112 10 1 3 2 60 31.5 10 6 2 60 112 10 = 49.7 o1 = arctg 10

sen (2 60 t ) = 280.1 sen(120 t )

Dando valores a n (3, 5 ,7...) se calculan los siguientes armnicos:

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

Haciendo el sumatorio obtenemos la intensidad instantnea en series de Fourier:

Considerando hasta el quinto armnico, la corriente de pico en la carga ser:

I o = 18.12 + 3.17 2 + 12 = 18.4 A

1 18.4 2 18.12 = 18.28% 18.1

d) Las potencias son:

La intensidad media que suministra la fuente es:

Po 1692 = = 7.69 A VS 220

Segn el apartado b tendremos una intensidad de pico por los transistores:

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC

El circuito que se simular con Pspice es el que se muestra en la figura siguiente: