PSPICE

Breves nociones
PSPICE es un programa para simulacin de circuitos electrnicos. La versin que vamos a usar es la 9.2 para Windows. El programa esta compuesto de varios ejecutables. Los principales son los siguientes: psched.exe, El esquemtico, programa principal de Pspice para Windows. En el se dibuja el circuito que queremos simular. Tambin se puede elegir el tipo de anlisis que queremos realizar y arrancar la simulacin (pspice.exe) y el un programa (probe.exe) para visualizar las seales (tensin, intensidad, ....) en cualquier punto del circuito. El archivo donde se guarda el esquema del circuito tiene la extensin .SCH pspice.exe, programa que realiza los clculos de la simulacin del circuito., a parir de los ficheros .NET, .CIR, .ALS creados con el esquemtico. Los resultados se presentan en los archivos .OUT y .DAT probe.exe, aplicacin para visualizar grficamente los resultados de la simulacin. Los datos los lee del archivo .DAT Los ficheros de programa del PSPICE son los siguientes: Fichero de esquema: .SCH Ficheros de netlist: Fichero de salida: Fichero de datos: .NET, .CIR, .ALS .OUT .DAT

Los smbolos de los distintos elementos del circuito se encuentran en ficheros con extensin .SLB Los modelos del los componentes del circuito se encuentran en distintas libreras, ficheros con extensin .LIB

Manejo del programa Pspice. Ejemplos

1) Calculo de las curvas ID-VD (intensidad de drenador frente a tensin de drenador) de un NMOS. Dibujar en el esquemtico el siguiente circuito.

Para coger los elementos del circuito ir al men DRAW GET NEW PART El MOSFET que vamos a usar es el MbreakN3 (dentro del grupo breakout), las fuentes de tensin continua tienen el nombre VSRC (dentro del grupo source), las tierras que usamos son las GND_ANALOG, (dentro del grupo port). Los cables de conexin se toman en el men DRAW WIRE. Ms rpido con la combinacin de teclas (ctr + w). Vamos a editar el modelo del MOSFET (primero guardamos el archivo del esquemtico). Picamos el mosfet (cambia a color rojo). Nos vamos al men EDIT MODEL edit instant model Escribir el siguiente modelo de level1 .model Mbreakn1 NMOS (LEVEL=1 vto=1 kp=3.15e-5 )

Para elegir el tipo de anlisis que se va a efectuar, en este caso un anlisis DC, nos vamos al men ANALYSIS SEPTUP DC SWEEP Vamos a realizar un barrido de tensin de drenador de 0 a 5V para varias tensiones de Puerta 1, 2, 3, 4 y 5V

acordarse de activar (enabled) el anlisis DC

Para simular el circuito ir al men ANALYSIS SIMULATE. directamente tecla F11. Automticamente simulara el circuito y se abrir el programa PROBE. Vamos a ver la intensidad de drenador frente a la tensin de drenador. Picamos el men TRACE ADD y elegimos ID(M1). De esta forma tendramos que ver las curvas ID-VD 3

CARACTERISTICA ID - VGS Calcular la Curva Id-Vgs para una tensin de drenador fija Vds = 1V para el MOSFET anterior VARIACION DE LA TENSION UMBRAL CON LA TENSION FUENTE SUBSTRATO Calcular las Curva Id-Vgs para una tensin de drenador fija Vds = 1V y una tensin de bulk entre 0 y -5V Tomar para el anlisis el MOSFET MbreakN

Modelo de MOS utilizado

Vamos a comparar ahora las curvas ID-VD de dos MOSFET diferentes. Dibujamos el siguiente circuito.

Los elementos de contacto "O" se llaman "BUBBLE" y las marcas para ver la intensidad en un punto determinado del circuito se toman del men MARKERS MARK CURRENT INTO PIN. Poner un parmetro KP diferente en el modelo Mbreakn2 ej. KP= 2E-5. Y ver como las curvas de salida son diferentes para los dos circuitos. La longitud y anchura del canal del MOS son por defecto son 100micras. Cambiar las dimensiones y ver que efecto tiene en las curvas de corriente. Para esto solo hay que picar dos veces el MOSFET y poner los valores deseados en la pantalla.

2) Anlisis de transitorio de un inversor NMOS con resistencia de carga

Dibujar el siguiente circuito en el esquemtico.

Para definir la fuente de pulsos picar dos veces sobre ella y poner los siguientes valores: V1 = 0 V2 = 5 TD = 1n TR = 1p Valor inicial. Valor final Retardo inicial tiempo de subida TF = 1p PW = 5ns PER = 10ns tiempo de bajada anchura de pulso periodo de la seal

3) Inversor NMOS con carga NMOS en deplexin.

Vdd = 5V

Ldriver =1um

Wdriver = 5um

Lload = Wload = 1um .model Mbreakn-depl1 NMOS( vto=-3 kp=100u )

.model Mbreakn-enriq1 NMOS( vto=1 kp=100u )

V1 = 0 V2 = 5 TD = 0.1n TR = 1p

Valor inicial. Valor final Retardo inicial tiempo de subida

TF = 1p PW = 10ns PER = 20ns

tiempo de bajada anchura de pulso periodo de la seal

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USO DE LOS CURSORES EN EL PROBE

Para utilizar los cursores en PROBE escoger Tools del men principal luego Cursor y marcar display. Se tiene a disposicin dos cursores de referencia uno se maneja con el botn izquierdo del ratn y otro con el derecho. De otra forma: un cursor se controla con las flechas del teclado y el otro igual pero manteniendo la tecla Shift pulsada.

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4) Transitorio de un Inversor CMOS

Vdd = 5V vto=1 kp=30u ) V1 = 0 V2 = 5 TD = 0.1n TR = 1p

LNMOS =LPMOS = 1u

WNMOS =WPMOS = 10u .model Mbreakp-1 PMOS( vto=-1 kp=30u) TF = 1p PW = 10ns PER = 20ns

.model Mbreakn-1 NMOS (

Valor inicial. Valor final Retardo inicial tiempo de subida

tiempo de bajada anchura de pulso periodo de la seal

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