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TIRISTORES
Osciladores de Relajación
Dispositivos UJT, PUT, SUS/SBS y DIAC
Antonio Nachez
A-4-32-2 ELECTRONICA IV
A-4.32.2 Electrónica IV
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Osciladores de Relajación
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INDICE
1.- Introducción
Osciladores de Relajación
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Osciladores de Relajación
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OSCILADORES DE RELAJACIÓN
1.- Introducción.
Elemento con
R1 Resistencia Negativa
+ + +
C R2
Vi = Vcc V VR2
- - -
Figura 2-1
IP 2
3
IH
1
IS
4
Q
VH VS V
Figura 2.2
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Del funcionamiento descrito se observa que el primer pulso, a partir del momento que
se aplica tensión al circuito, se produce al cabo de un intervalo de tiempo mayor que
los restantes. En el primer caso el condensador C se carga desde cero a la tensión
que lleva al dispositivo al punto 1, en cambio todos los pulsos posteriores se producen
luego de transcurrido el tiempo necesario para hacer pasar el dispositivo del punto 4 al
punto 1.
R1max = Vi – VS / IS R1min = Vi – VH / IH
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la máxima amplitud de salida. Para constantes de tiempo R2C menores, hay que
prever la degradación del pulso de salida debido a las consideraciones anteriores.
El UJT es un dispositivo de tres terminales denominados emisor (E), Base Uno (B1) y
Base Dos (B2). Su símbolo, característica, tensiones y corrientes se indican en la
figura 3.1
IB2
E
B2
VB2B1
IE
B1
VE
Figura 3.1
Como indica su nombre, el UJT tiene solo una juntura PN, por lo que presenta una
característica completamente diferente a un transistor convencional.
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B2
E Estructura de Silicio
P
Tipo N
B1
rB2
B2
VD +
E A VB2B1
.
B1
rB1
rB2
B2
VD +
E A VB2B1
rB1
.
B1
rS rN
rB2
B2
VD +
E A VB2B1
.
B1
rS
Al aplicarse una tensión VB2B1 circula una corriente en la barra de silicio entre los dos
terminales de base. Como la barra es una resistencia de valor rBB, la corriente
interbase resulta
I B2 = VB2B1 / rBB
Vp = VD + ηVB2B1
En la figura 3.2 (c), se grafica esta situación. Para corrientes de emisor iguales o
inferiores a su valor de pico, la resistencia rBB puede considerarse dividida en dos
partes rB1 y rB2 de acuerdo a las siguientes expresiones:
rB1 = η rBB
En la curva característica del UJT de la figura 3.1 pueden diferenciarse las tres zonas;
de corte, de resistencia negativa y de saturación. La primera de ellas no está dibujada
a escala para poder visualizar el punto de pico, ya que mientras Ip es del orden de los
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nA/uA, la Iv es del orden de los mA. A la izquierda del punto de pico se encuentra la
región de corte, donde la juntura PN se encuentra inversamente polarizada a
excepción de las cercanías del punto de pico, y solo circula la pequeña corriente de
pérdidas. A la derecha de este punto, y hasta el punto de valle, se encuentra la zona
de modulación de conductividad que da origen al comportamiento de resistencia
negativa del UJT. A la derecha del punto de valle se encuentra la zona de saturación
donde la corriente de emisor está limitada por rs. La característica de emisor para
corriente nula de base dos es esencialmente igual a la de un diodo de silicio.
RE R2
RE = 10 K
CE = 0,01 uF
R2 = 270 ohm
R1 = 27 ohm
Vcc = 12 V
CE R1
Figura 3.3
A esta tensión, la juntura PN entre emisor y base uno, se polariza en forma directa y la
característica de emisor entra en la zona de resistencia negativa. El capacitor CE se
descarga al circular una corriente de emisor, produciendo un pulso positivo en el
terminal B1. Este pulso se produce sobre la resistencia R1, que puede existir
físicamente o bien representar la impedancia de entrada de la compuerta del tiristor
que se desea disparar mediante el oscilador de relajación.
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Antes de dispararse, una corriente IB2 se encuentra circulando entre las dos bases.
Cuando el UJT entra en la zona de resistencia negativa, la IB2 se incrementa, dado que
rB2 disminuye al valor de rs, dando origen a un pulso negativo en el terminal de B2.
Cuando la tensión en el emisor decrece al valor de valle por la descarga del capacitor,
el UJT se corta, el capacitor CE vuelve a cargarse y el ciclo se repite, si se satisface
que el valor de R1 se encuentra entre los máximos y mínimos permitidos.
VCE = Vp = VD + η VB1B2
T = RE CE ln 1 / (1- η) = τ ln 1 / (1- η)
Vp = VD + η VB1B2
R2 = 15 % rBB
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RE = 10 ohm
R2 = 1 Kohm
R1 = 27 ohm
Figura 3.4
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Figura 4.1
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Figura 4.2
En este circuito, la curva característica que vincula la tensión ánodo cátodo con la
corriente de ánodo del PUT es como se indica en la figura 4.3. Pueden observarse los
puntos estables de pico y de valle en ambos extremos de la zona de resistencia
negativa.
Figura 4.3
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Vs = V1 R1 / (R1 + R2)
La mayoría de los parámetros de un PUT son función de los valores de Vs y RG, como
de hecho lo es la curva de la figura 4.3. Disminuir RG produce un aumento en los
valores de las corrientes de pico y de valle, dado que por encontrarse RG en paralelo
con el PUT, la disminución de RG torna al PUT mas insensible.
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para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT
debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de RG.
El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un
divisor resistivo como el de la figura 4.2.
Vp = VT + Vs
VT = 0,5 V
VCT = Vp = VT + Vs
T = RT CT ln (1 + R1 / R2)
Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de
conmutación, especialmente para capacidades inferiores a 0,01 uF.
Estos dispositivos, conocidos por sus siglas SBS y SUS de sus denominaciones en
inglés Silicon Unilateral Switch y Silicon Bilateral Switch, también pertenecen a la
familia de los tiristores, integrando PUT y diodos zener para fijar el valor de la tensión
de referencia.
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Figura 5.1
Figura 5.2
De las figuras precedentes puede observarse que son dispositivos de tres terminales
con una característica equivalente a la de los PUT, por lo que su utilización en circuitos
osciladores de relajación es similar al de la figura 4.2, pero con la tensión de referencia
de compuerta fijada por el diodozener interno en lugar de serlo por el circuito exterior.
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Los SBS, como por ejemplo el D13E1, son esencialmente dos SUS idénticos en anti
paralelo. Como puede operar con polaridades opuestas de la tensión de alimentación,
su principal uso se encuentra en el disparo de tiristores bidireccionales como los
TRIAC. Esta operación se logra excitando el circuito del oscilador con tensiones
alternas en vez de continuas.
Los DIAC son dispositivos de solo dos terminales, cuyo símbolo y características se
indican en la figura 6.1.
Figura 6.1
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El valor de ep se mide en un circuito con los mismos valores que los utilizados para la
determinación del pulso de disparo de los SUS.
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