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Gua de Laboratorio
2001
Laboratorio 6
Transitores De Efecto De Campo
Objetivos:
El prctico tiene como objetivo presentar al alumno un nuevo dispositivo, familiarizarlo con sus
caractersticas y resaltar sus ventajas y desventajas frente a los transistores bipolares.
Elementos necesarios:
-1 Transistor
-1 Capacitor 2N 5457 (Provedo por la catedra)
-Resistencias Varias segn lo calculado.
Desarrollo:
Vdd
Rd
Rd
Vgs
Fig. 1
Fig. 2
Rg
Rs
Fig. 3
http://lcr.uns.edu.ar/electronica
Electrnica I
Gua de Laboratorio
2001
1.2. Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de polarizacin. Luego mida
experimentalmente los valores del punto de reposo.
1.3. Mida las variaciones de Id y Vds al variar Vcc en 20%.
1.4. Mida las variaciones de Id y Vds al variar la temperatura de operacin del circuito. (Se calienta la capsula del
transistor con el soldador y luego se efectan las medidas). Ponga atencin en no daar la punta del osciloscopio con
el soldador.
1.5. Observe la variacin de Id q y Vdsq al sustituir el transistor por otro del mismo tipo. (Para observar efectivamente
las ventajas se elegirn dos transistores de efecto de campo cuyas curvas sean lo mas dispares posible (eventualmente
se intercambiarn transistores entre las comisiones)).
1.6. Determine, para una seal de entrada de 1KHz:
Ganancia de Tensin
Impedancia de Entrada
Impedancia de Salida
Rd
R2
Rs
Fig. 4
2.2. Repita los incisos 2 al 6 realizados para el transistor con polarizacin fija.
Nota: Las hojas de dato del transistor se encuentran en la pgina de la material y deben ser tradas al laboratorio.
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