Capitulo 1 Curso de Electronica Industrial

Semiconductores
Rectificadores monofsicos y trifsicos
Transistores
Amplificadores y osciladores
Amplificadores Operacionales
Rectificadores Controlados
Electrnica de Potencia
Tcnicas Digitales
Curso de Electrnica Ing. Alberto Onildo Plasencia
OBJETIVOS DEL LIBRO:

En esta asignatura se introduce al alumno en los principios bsicos
de la electrnica desde todas sus perspectivas. Primero a nivel de
componentes, para seguir con circuitos elementales tanto analgicos
como digitales.
En el libro, se desarrollan algunas aplicaciones de estos
conocimientos. Podramos sintetizar diciendo que los objetivos
buscados en el libro son:
Conocer, aprender y saber utilizar los diferentes elementos

empleados en electrnica analgica y sus aplicaciones en el mbito
de los procesos industriales.
Aprender a analizar y disear circuitos analgicos de aplicacin
industrial.
Saber interpretar y analizar diagramas y esquemas de circuitos y
sistemas electrnicos.
BIBLIOGRAFA BSICA:
Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y Diseo. Mallik,

N.R., ,Prentice-Hall, 2000.
Fundamentos de Electrnica Fisica y Microelectronica, Albella,

J.M. y Martinez-Duart, J.M.. Addison-Wesley/Universidad
Autonoma de Madrid.
Electrnica de Potencia, Daniel W. Hart, Prentice Hall.
Principios de Electrnica . Malvino, Albert Paul:: 6 Ed. Madrid.
Mc. Graw-Hill 2000
Circuitos electrnicos: Discretos e Integrados.. 2 Ed. Barcelona.
Marcombo - Boixareu, 1985
Amplificadores Operacionales y C.I. Lineales. . Coughiln, Robert
F., Driscoll, Frederick F 4 Ed. Mxico. Prentice- Hall
Hispanoamericana S.A:1.991
El amplificador Operacional y sus aplicaciones. Marchais, J.C. 4
Ed. Barcelona: Marcombo- Boixareu, 1986
Fsica Bsica de Semiconductores. Robles viejo, Montserrat,
Romero Colomer, Francisco y cuatro ms. Ed. Paraninfo S.A.
1.993.
Problemas de Electrnica Analgica. Otero Arias, Jos y Velasco
Ballano, Joaquin. Ed. Paraninfo S.A. Madrid 1.993.

Circuitos y dispositivos electrnicos, L. PRAT et al.,, UPC, 1994.
Electrnica: Teora de circuitos, R.L. Boylestad & L. Nashelsky,

Ed. Prentice Hall, 1997
Diseo electrnico,
Iberoamericana, 1992.
Principles of Electronic Circuits. Burns, S.G., Bond, P.R., , PWS

Publising Company, 1997
Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits: Theory and

Applications. Dailey, D.J., , McGraw Hill, 1989.
Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated

Circuits. Franco, S.,. McGraw Hill, 1988.
Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. Gray, P.E.,

Meyer, R.G., , Wiley, 1977.
Principios de Electrnica. Gray, P.E., Searle C.L., , Revert, 1973.
Analog MOS Integrated Circuits for Signal Processing. Gregorian,

R., Temes, G.C., , Wiley, 1986.
Basic Integrated Circuit Engineering. Hamilton, D.J., Howard,

W.G., , McGraw Hill, 1975.
Electrnica. Hambley, A.R., , Prentice Hall, 2001
Microelectronic Circuits and Devices. Horenstein, M.N., , Prentice

Hall International, 1996.
CMOS Analog Circuit Design. Allen, P.E.,Holberg, D.R.,

,McGraw Hill, 1989.
Millman, J.,Microelectrnica, Hispano-Europea, 1981.
Millman, J., Halkias, Ch., Electrnica Integrada, HispanoEuropea, 1976.
Shilling, D.L., Belove C., Circuitos Electrnicos Discretos e

Integrados, Reverte, 1985.
Stanley,
W.D.,
Electronic
Applications,Prentice-Hall, 1989.
Tietze U., Schenk Ch., Circuitos Electrnicos Avanzados,

Marcombo, 1983.
Savant, C.J., Roden, M.S. y Carpenter, G.L., Diseo Electrnico:

Circuitos y Sistemas, Addison-Weley Iberoamericana, S.A., 1992.
Sedra, A.S., Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford

University Press, 1998
Senner, Adolf, Principios de Electronica, Edit. Revert S.A.
SAVANT
et
al.,
Devices:
Addison-Wesley
Circuits
and
Manuales de fabricantes de Motorola, Texas Instruments,

Siliconix, Signetics, Analog Devices, NationalSemiconductor,
Avanced Semiconductor, FairChild Semiconductor Corp., Exar
integrated Systems,Precision Monolitics, Linear Technology,
Burr-Brown.
Introduccin a la Electrnica
Diagramas en bloques.
Sistemas analgicos y digitales
Ruido y seales analgicas y digitales
Caractersticas de las seales elctricas
Materiales Semiconductores
Bandas de energa
Impurezas tipo P y N
Juntura PN
Polarizacin de las junturas. Propiedades
Efectos de la temperatura
Rectificadores en la industria
Tipos de Rectificadores y Caractersticas
Semiconductores Fotosensibles
Simbologa general de semiconductors
OBJETIVOS DEL CAPITULO 1
Comprender las propiedades de los materiales

semiconductores, tanto puros como dopados, utilizados en la
fabricacin de dispositivos electrnicos modernos.
Comprender las caractersticas
y operacin de los
dispositivos electrnicos fundamentales tales como diodos y
otros semiconductores fotosensibles.
Las tendencias actuales en materiales y dispositivos
Conocer los efectos de la polarizacin de las junturas PN
Comprender los efectos de la temperatura en los
semiconductores y los cuidados cuando se trabaja con ellos
Conocer la simbologa utilizada en electrnica.
BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA

Kanann Kano, Semiconductor Devices. Prentice Hall, 1998. W.

Edward Gettys, F. J. Keller y M. J. Skove. Fsica Clsica y
Moderna. Mc. Graw Hill.
Fundamentos de Electrnica Fisica y Microelectronica, Albella,
J.M. y Martinez-Duart, J.M.. Addison-Wesley/Universidad
Autonoma de Madrid.
Robert, Pierret, Fundamentos de Semiconductor, Adison
Wesley, Segunda edicin. 1994.
G.W. Neudeck, El diodo PN de unin, Addison Wesley, 1993.
Bhattacharya Pallab, " Semiconductor Optoelectronics devices"
Prentice Hall, 1994.
Bar, Lev Adir. Semiconductor and electronic devices. Editorial
Prentice Hall.
Streetman, Ben. Solid state electronic devices. Edit Prentice
Hall.
Sze, S. M. Semiconductor Devices, physics and Technology.
Wiley.
Antognetti, Paolo. Semiconductor Device Modeling With
SPICE. Editorial Mac Graw Hill. 1998.
Una pgina muy interesante. "The semiconductor applet service"
http://jas.eng.buffalo.edu/
Sitio web: http://chure.tripod.com/semiconductores2.html
INTRODUCCION A LA ELECTRONICA
La investigacin bsica de los principios fsicos de los materiales y
dispositivos electrnicos es la base de todo el progreso en los sistemas
electrnicos. Sin la comprensin de la fsica relacionada con la conduccin
de la electricidad, no existira la electrnica. El estudio de los principios de
la electrnica fsica no est completo sino que contina y se puede esperar
que se produzcan ms descubrimientos importantes. Por tanto, la
electrnica fsica sigue siendo un rea muy importante de investigacin.
Describiremos algunos de los principios bsicos de la electrnica fsica a
medida que sea necesario, pero el enfoque principal de este libro es la
comprensin de los principios de funcionamiento de los diversos
componentes y circuitos electrnicos utilizados en la industria
electromecnica.
A los descubrimientos cientficos en electrnica fsica, les ha seguido

rpidamente las aplicaciones. La electrnica comenz con la invencin de
un dispositivo de amplificacin y conmutacin conocido como triodo de
vaco, creado por Lee DeForest en 1906. La tecnologa de tubos de vaco
llev a la popularizacin de la radiodifusin en los aos 20, al desarrollo
de la televisin en los aos 30 y a los primeros computadores electrnicos
en los aos 40.
En 1947, un equipo que trabajaba en Bell Laboratories bajo la direccin
de William Shockley, cre el transistor de estado slido. Se reconoci
inmediatamente el tremendo potencial de este dispositivo y, desde entonces,
la electrnica moderna se ha desarrollado de una manera muy rpida. La
investigacin contnua en el campo de la fsica del estado slido permite
que se produzcan los descubrimientos bsicos esenciales para el avance de
los sistemas electrnicos.
DIAGRAMAS EN BLOQUES
Los sistemas electrnicos se componen de varios subsistemas o bloques
funcionales. Estos bloques funcionales, que analizaremos en este libro, se
pueden dividir en varias categoras: rectificadores, filtros, fuentes de
alimentacin, amplificadores, osciladores o fuentes de seales, funciones de
lgica digital, memorias digitales, y controladores de potencia.
En pocas palabras, podemos decir que los amplificadores incrementan la
intensidad de las seales dbiles, los filtros separan las seales deseadas de
las no deseadas y del ruido, las fuentes de seales generan diversas formas
de onda, como senoidales o cuadradas, las funciones de lgica digital
procesan seales digitales, las memorias guardan informacin en formato

digital, las fuentes de alimentacin proporcionan la corriente continua
necesaria a los dems bloques funcionales, y los controladores permiten
regular la potencia entregada a una carga.
En la siguiente figura se muestra el diagrama de bloques de una radio AM.
Como puede observar, se muestran tres amplificadores y dos filtros. El
oscilador local es un ejemplo de una fuente de seal, y el detector de pico
es un tipo especial de circuito conformador de onda. Los circuitos digitales
aparecen en la interfaz de usuario (teclado y pantalla) y en el sintetizador de
frecuencias. Los circuitos digitales controlan la seleccin de canales y otras
funciones, como el volumen. La descripcin completa del sistema incluira
especificaciones detalladas para cada bloque. Por ejemplo, se mostrara la
ganancia, la impedancia de entrada y el ancho de banda de cada
amplificador (se definirn detalladamente estos trminos ms adelante).
Cada bloque funcional consiste en un circuito compuesto por resistencias,
condensadores, bobinas, transistores, circuitos integrados y otros
dispositivos.
El objetivo principal de este libro es proporcionar la base para que,

partiendo de los principios de funcionamiento de los componentes activos
de un bloque, entender el funcionamiento del sistema electrnico completo.
El procesamiento de la informacin y la electrnica de

potencia
Muchos sistemas electrnicos pertenecen a una o ms de las siguientes
categoras: sistemas de procesamiento digital de la seal, sistemas de
comunicacin, electromedicina, instrumentacin, sistemas de control y
sistemas informticos. Un aspecto comn de estas categoras es que todas
incluyen la recopilacin y procesamiento de seales portadoras de
informacin. Por tanto, la funcin principal de muchos sistemas
electrnicos es extraer, almacenar, transportar o procesar la informacin de
una seal.
Muchas veces, tambin es necesario que los sistemas proporcionen energa
a un dispositivo de salida. Esto ocurre, por ejemplo, en un sistema de audio,
en el cual es preciso alimentar a los altavoces para producir el nivel deseado
de sonido. En un sistema de control para el posicionamiento automtico de
un satlite de comunicaciones, se utiliza la informacin extrada de varias
fuentes para controlar los pequeos motores de cohete que mantienen al
satlite en la posicin y orientacin adecuadas. Los marcapasos utilizan la
informacin extrada de las seales elctricas producidas por el corazn
para determinar cundo se deber aplicar un estmulo en forma de un
pequeo pulso elctrico para asegurar el latido adecuado. Aunque la
potencia de salida de un marcapasos es muy pequea, es importante
considerar la eficiencia de sus circuitos para asegurar una vida larga a la
batera.
Algunos sistemas electrnicos se concentran en la potencia de las seales

en vez de en su informacin. Por ejemplo, se podra desear disponer de un
sistema que suministrase corriente alterna (obtenida a partir de la corriente
continua proporcionada por una serie de bateras) a un computador aunque
fallase la fuente de alimentacin de corriente alterna.
SISTEMAS ANALOGICOS Y SISTEMAS DIGITALES

Las seales portadoras de informacin pueden ser analgicas o digitales.
Una seal analgica toma un margen continuo de valores de amplitud. En la
Figura (a) se muestra la amplitud de una seal analgica tpica en funcin
del tiempo. Es preciso observar que, con el transcurso del tiempo, la
amplitud de la seal vara en un margen continuo. Por el contrario, una
seal digital toma un nmero finito de amplitudes. Muchas veces, las
seales digitales son binarias (es decir, slo existen dos amplitudes
posibles), aunque a veces sea til disponer de ms niveles. Con frecuencia,
las seales digitales cambian de amplitud nicamente en instantes de
tiempo espaciados uniformemente.
En la Figura (b), se muestra un ejemplo de una seal digital. Las seales
que presenta un transductor a la entrada de un sistema electrnico suelen
estar en formato analgico. Un transductor es un dispositivo que convierte
cualquier tipo de energa en electricidad, o viceversa como en el caso de los
sonidos convertidos en seales elctricas mediante un micrfono, las
seales de televisin, las vibraciones ssmicas, la salida de un transductor
de temperatura en una turbina de vapor, etc. Otras seales, como la salida
del teclado de una computadora, se originan en formato digital.
RUIDO Y SEALES ANALOGICAS O DIGITALES

El ruido es una perturbacin no deseada aadida a la seal deseada. Puede
surgir por la agitacin trmica de los electrones en una resistencia, por el
acoplamiento inductivo o capacitivo de las seales de otros circuitos, o por
otros motivos. Estas seales de ruido suelen aparecer aleatoriamente, y el
diseador del circuito no puede controlarlas (hasta cierto punto). Una de las
ventajas ms significativas que presentan los sistemas digitales en
comparacin con los sistemas analgicos es la manera en la que el ruido
afecta a las seales.
La Figura muestra seales analgicas y digitales tpicas antes y despus de
la adicin de ruido. Observe que se pueden discernir los niveles originales
(alto y bajo) de la seal digital, aunque se haya aadido el ruido, si la
amplitud de pico del ruido es menor que la mitad de la distancia entre los
niveles de la seal digital. Esto es posible porque la seal digital slo toma
amplitudes especficas, que continuarn siendo reconocibles al aadir ruido.
Por tanto, es posible eliminar completamente el ruido de las seales
digitales si la amplitud del ruido no es demasiado grande.
Por el contrario, cuando se aade ruido a la seal analgica, no es posible
determinar la amplitud original de la seal de manera exacta, porque todos
los valores de amplitud son vlidos. Por ejemplo, un araazo en un disco de
vinilo analgico crea un ruido que no es posible eliminar. Si se transfiere la
seal a una cinta analgica se aadir ms ruido. Por tanto, el ruido tiende a
acumularse en las seales analgicas cada vez que son procesadas.
10
En general, los sistemas analgicos requieren menos componentes de

circuito individuales que los sistemas digitales. En los primeros aos de la
electrnica, se fabricaban los componentes de circuito individuales de
manera separada, y luego se conectaban manualmente. Estos circuitos se
denominan circuitos discretos. La mayora de los sistemas antiguos se
diseaban como sistemas analgicos (para minimizar el nmero de
componentes), porque el coste de un circuito discreto es proporcional al
nmero de elementos de circuito.
La tecnologa moderna ha hecho posible fabricar miles de componentes de
circuito y sus interconexiones al mismo tiempo, mediante unos pocos pasos
de procesamiento. Los circuitos fabricados de esta manera se denominan
circuitos integrados (CI). Ahora es posible fabricar un circuito con 100.000
componentes con casi el mismo coste necesario para fabricar un circuito
con slo 10 componentes similares. Por tanto, el coste de un circuito no
aumentara en proporcin al nmero de componentes, supuesto que todos
los componentes puedan ser utilizados en la fabricacin de circuitos
integrados.
11
Es ms sencillo implementar circuitos digitales que circuitos analgicos

mediante tcnicas de circuitos integrados. Los circuitos analgicos suelen
requerir resistencias, capacidades e inductancias grandes que no es posible
fabricar utilizando dichas tcnicas
Por tanto, aunque los sistemas digitales suelen ser ms complejos que los
analgicos, la aproximacin digital a un diseo suele resultar en un sistema
ms econmico y de mayores prestaciones. Con el desarrollo de la
tecnologa de los circuitos integrados, la tendencia de la industria de la
electrnica se ha inclinado hacia los sistemas digitales de altas prestaciones.
La comparacin de un disco compacto digital con el antiguo disco de vinilo
o cinta analgica muestra esta tendencia, as como la mejora en
prestaciones que puede conseguirse gracias a este mtodo.
Adems, los sistemas digitales son ms adaptables a una gran variedad de
funciones que los sistemas analgicos. Por ejemplo, se pueden utilizar los
computadores digitales para llevar a cabo muchas tareas. Un sistema de
comunicaciones analgico diseado para transportar una serie de seales de
voz no es fcilmente adaptable a una seal de televisin o a datos de
carcter informtico. Por el contrario, cuando se utilizan tcnicas digitales,
es posible obtener un sistema que pueda comunicar seales digitalizadas
procedentes de varias fuentes.
Muchas de las seales de entrada y salida de los sistemas electrnicos son
analgicas. Adems, muchas funciones (en particular las que tratan con
amplitudes de seal bajas o frecuencias muy altas) requieren una
aproximacin analgica. La disponibilidad de circuitos digitales complejos
ha incrementado la cantidad de circuitos electrnicos analgicos porque
muchos sistemas modernos contienen partes digitales y analgicas, pero no
seran factibles como sistemas completamente digitales o completamente
analgicos. Por tanto, cabe esperar que los sistemas del futuro sigan
teniendo tanto elementos analgicos como digitales.
12
CARACTERISTICAS DE LAS SEALES ELECTRICAS
Siendo v(t), i(t) y p(t), funciones genricas de tensin, corriente y potencia.

En las ecuaciones, v, i y p representan los valores instantneos de tensin,
intensidad de corriente y potencia.
13
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Desde el punto de vista elctrico, los materiales suelen dividirse en tres
categoras atendiendo a su conductividad: conductores, semiconductores y
aislantes. En la siguiente figura se han ordenado algunos materiales tpicos
segn el valor de la conductividad. Ntese que la escala de conductividad
tiene un rango muy amplio desde 10-18 ohm-1cm-1 para los mejores aislantes
hasta un valor mayor que 1036 ohm-1cm-1 para los materiales
superconductores a temeperaturas por debajo de la temperatura crtica de
transicin. Los valores indicados en la figura han de tomarse como
aproximados, ya que la conductividad es una magnitud sujeta a la
influencia de muchos factores, tales como el estado de agregacin del
material, su estructura cristalina, temperatura, etc.
Los semiconductores forman un grupo de materiales que presenta un

comportamiento intermedio entre los conductores y los aisladores. Como
veremos, los semiconductores en estado puro y a temperaturas bajas
presentan una conductividad relativamente baja por lo que sus propiedades
se asemejan a las de los aisladores. Sin embargo, la conductividad de estos
materiales es una funcin creciente con la temperatura de forma que a la
temperatura ambiente la mayora de los semiconductores presentan una
conductividad apreciable, aunque siempre es menor que la de un metal.
Incluso a una temperatura dada, es posible variar a voluntad la
conductividad de estos materiales si se les aade una cantidad controlada de
impurezas de determinados elementos qumicos. Es precisamente esta
caracterstica la que ha permitido desarrollar una gran variedad de
componentes y dispositivos electrnicos basados en los materiales
semiconductores.
14
Para explicar mejor la teora de los semiconductores, nos adentraremos en

el campo de la fsica de estado slido y expondremos algunos de los
principales conceptos establecidos.
Empezaremos considerando los electrones y su movimiento en los diversos
materiales. Una corriente elctrica puede ser considerada como un
desplazamiento de cargas elctricas a travs de un material.
A los materiales que permiten la circulacin de la corriente se los llama
conductores, mientras que a los que se oponen a la circulacin de la
corriente elctrica se los denomina aisladores.
En la siguiente tabla se puede observar las resistividades de diferentes
cuerpos:
MATERIAL
RESISTIVIDAD
(Siemens)
TIPO
Cobre
10-6
conductor
Germanio
60
semiconductor
Silicio
1,5 * 105
semiconductor
Cuarzo
1014
aislador
Las resistividades del germanio y del silicio son intermedias entre las de los
aisladores y los conductores, por eso dichos materiales reciben el nombre
de semiconductores, y se fabrican normalmente en un semiconductor
monocristalino.
Todo cuerpo est formado por tomos. Los tomos estn constitudos por
electrones, protones y neutrones.
Cada tomo en s puede considerarse
elctricamente neutro: los protones
del ncleo quedan equilibrados por
igual nmero de electrones girando a
su alrededor con carga opuesta.
El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms
alejados del ncleo son los electrones de valencia que participan en los
enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente.
Las rbitas de los electrones estn distribudas en "capas". En cada capa
hay un nmero mximo de lugares que pueden ser ocupados por electrones
Los electrones de la capa externa determinan las caractersticas qumicas y
elctricas de un elemento y reciben el nombre de electrones de valencia.
15
En la capa de valencia, el mximo nmero de electrones que puede haber es

de OCHO.
Debe tenerse en cuenta que aunque en un trozo de material semiconductor
hay muchos electrones, la mayora de ellos estn fuertemente ligados a sus
tomos afines y no son libres para moverse ni conducir corriente.
Solamente muy pocos estn relativamente libres, los electrones ms
exteriores del tomo y que ordinariamente determinan su valencia qumica.
Por esta razn a estos electrones libres se les denomina electrones de
valencia.
Estructura cristalina
Los tomos semiconductores estn dispuestos
en una configuracin geomtrica denominada
RED CRISTALINA. En el germanio y en el
silicio, esta estructura es cbica, similar a la
del diamante.
El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un monocristal cuya
estructura cristalina se denomina de diamante
Enlaces covalentes
Cada tomo de silicio est unido
a otros cuatro mediante enlaces
covalentes. Un enlace covalente
se forma entre dos tomos que
comparten dos electrones. Cada
uno de los electrones del enlace
es aportado por un tomo diferente.
Pese a que cada tomo semiconductor es neutro, existe una tendencia en la red
cristalina de admitir electrones en los cuatro lugares vacos.
Como resultado, cada tomo comparte mutuamente sus electrones de valencia
con cuatro tomos adyacentes. A esta unin se la llama enlace covalente.
Resulta muy engorroso trabajar con la representacin cristalina
tridimensional que se ha descrito. Por ello suele recurrirse a un esquema
bidimensional, denominado modelo de enlaces, en el que se representa la
caracterstica esencial de la estructura cristalina: cada tomo est unido a
16
cuatro tomos vecinos mediante enlaces covalentes. En este modelo cada

tomo dedica sus cuatro electrones de valencia a constituir cuatro enlaces
covalentes.
Ionizacin
Si calentamos un semiconductor, se energizan sus tomos, pudiendo
"escaparse" algn electrn de su rbita de valencia. Se dice enton-ces que el
tomo queda ionizado, constituyendo un "in positivo" (tambin llamado
"hueco"). El electrn liberado se mueve en la red cristalina, recibiendo el
nombre de "electrn libre".
En el silicio o el germanio absolutamente puros (intrnsecos) se generan
electrones y huecos (ausencia de electrones) por agitacin trmica
En el material intrnseco, estos portadores de carga pueden moverse
libremente dentro de la red cristalina, de modo que permiten el paso de
corriente a travs del cristal cuando se aplica una tensin.
Puesto que en equilibrio trmico la concentracin de portadores de carga
intrnsecos es muy baja, la resistividad del material puro es de varios miles
de cm, lo cual motiva que el semiconductor intrnseco, como tal, sea
inadecuado para cualquier aplicacin prctica.
Como es natural, el material

intrnseco no presenta propiedades rectificadoras.
de
los
La
concentracin
portadores de carga generados
trmicamente aumenta con la
temperatura, dentro del margen
normal de funcionamiento, y lo
mismo
sucede
con
la
conductividad
del
material
intrnseco.
Produccin y recombinacin
El proceso por el cual se generan un electrn libre y un hueco, recibe el
nombre de produccin.
Por el contrario, el proceso de recombinacin tiene lugar cuando un
electrn libre ocupa un hueco, restablecindose nuevamente el equilibrio
elctrico del tomo, desapareciendo el par electrn-hueco.
17
Normalmente un hueco es ocupado por

un electrn de valencia de un tomo
vecino, creando as un hueco en el tomo
vecino. Decimos, el hueco se ha
"desplazado".
Los electrones libres y los huecos
mviles, ambos, contribuyen en la
circulacin de la corriente elctrica,
siendo los electrones "portadores
negativos" y los huecos "portadores
positivos".
El nmero de electrones libres y huecos presentes en un semiconductor
puro, depende fundamentalmente de la temperatura.
A temperatura ambiente los semiconductores puros ("intrnsecos"), tienen
millones de electrones libres y huecos mviles, donde los procesos de
produccin y recombinacin se suceden simultneamente.
La corriente elctrica suele ser considerada como un flujo de electrones.
Uno de los conceptos ms importantes en la teora del semiconductor es
que la corriente elctrica puede ser considerada no slo como un flujo de
electrones, sino tambin como un flujo de huecos (iones) cargados
positivamente.
Un hueco positivo, o ms sencillamente un hueco, se puede considerar
como ausencia de un electrn del puesto en que normalmente est situado.
En muchos casos es ms cmodo describir una situacin por medio de
huecos y su movimiento; en otros casos es ms cmodo el movimiento de
electrones, y en otros el movimiento de ambos.
Para hacerse una idea del concepto de huecos y
su movimiento, consideremos el siguiente
ejemplo: un garaje lleno en el que slo hubiese
un espacio de aparcamiento vacante, situado en
el fondo del mismo (fig.A).
Supongamos ahora que llega un coche a la
entrada del garaje. El encargado del
aparcamiento desplazar algunos de los coches
hacia el fondo para acomodar al nuevo coche.
En esencia lo que habr hecho el empleado ser desplazar el espacio

vacante hacia delante, o sea, hacia la entrada del garaje (fig.B). Por lo tanto
ha sido desplazado el hueco en direccin opuesta al flujo de coches.
18
Aplicando la analoga de la figura al semiconductor, los automviles seran

los electrones y los espacios seran los huecos. Como en este caso hay
electrones en exceso, stos son los portadores mayoritarios y los huecos
son los portadores minoritarios. Un semiconductor de este tipo seria
denominado de tipo N a causa de que la mayor parte de la corriente es
transportada por electrones (cargas negativas).
Cuando prevalece la situacin contraria y son los huecos los que estn en
exceso, al semiconductor se le denomina tipo P, a causa de que la mayor
parte de la corriente es transportada por cargas positivas (huecos). En este
caso los electrones son los portadores minoritarios.
El desplazamiento de electrones libres y huecos puede ser debido a dos
causas:
Un campo elctrico
Difusin
Desplazamiento por campo elctrico (corriente de deriva)

Si se aplica una tensin entre dos puntos de un
trozo de germanio ( o de silicio), se crear un
campo elctrico en el interior del material, que
actuar sobre los portadores obligndoles a
desplazarse:
Los huecos en el sentido del campo elctrico, y

Los electrones en sentido opuesto.
Desplazamiento por difusin (corriente de difusin)

Si dejamos caer una gota de tinta en un recipiente de agua, dicha gota se
mezclar con el agua hasta quedar uniformemente distribuda. Este proceso
se llama difusin. En forma similar, si "inyectamos" algunos portadores en
un semiconductor, stos tratarn de difundirse hasta lograr una distribucin
uniforme de cargas. La difusin ser tanto ms intensa cuanto mayor sea el
cambio de concentracin (gradiente de densidad).
Esta difusin de portadores es un movimiento de cargas, siendo por tanto
una corriente elctrica. Este fenmeno puede producirse por agitacin
trmica de las cargas, por excitacin luminosa.
La conductividad intrnseca de un semiconductor puede mejorarse
notablemente, introduciendo cantidades precisas de impurezas
seleccionadas, es decir, aadiendo elementos qumicos similares a los que
forman la red cristalina. Una concentracin de impurezas de slo 1:108
resulta suficiente para reducir de modo apreciable la resistividad del
material.
19
UN ENFOQUE ENERGTICO...
Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica
mejor que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan
poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores.
Anlogamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son
llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco
el conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que,
como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores
son, generalmente, metales esto se debe a que dichos elementos poseen
pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a
perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal
se acercan, los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan
desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad
de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica.
Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos
electrones en sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que tienen tendencia
a no perderlos fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De
ah su alta resistencia.
Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que combina en mayor o
menor medida la caracterstica de los anteriores: los semiconductores. Su
caracterstica principal es la de conducir la corriente slo bajo determinadas
circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de
estado slido est basada. La estructura atmica de dichos materiales
presenta una caracterstica comn: est formada por tomos tetravalentes
(es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es lo
mismo ganar cuatro o perder cuatro.
Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con
otros tomos vecinos para as formar un cristal; que es la forma en que se
los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una
temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendr tan poca
energa que no ser posible la conduccin elctrica. Al aumentar la
temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones
adquieren suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y
"saltar" a la siguiente orbita.
Esto provoca la formacin de un espacio vaco que, por carencia de
electrones, posee carga positiva. A este espacio se lo denomina hueco.
20
Al nivel de energa donde se halla el

electrn excitado se lo denomina
banda de conduccin mientras que al
nivel donde se encuentran el hueco y
el resto de los electrones se lo
denomina banda de valencia.
El espacio entre estas dos bandas es
conocido como banda prohibida.
Este proceso no es realizado por un slo electrn, sino que se produce
simultneamente con miles y miles de electrones a temperatura ambiente.
Es decir, continuamente se estn formando pares electrn-hueco (as
llamados porque siempre que se desprende un electrn se genera el hueco
correspondiente), pero tambin continuamente se estn recombinando, es
decir los electrones vuelven a ocupar su lugar, desapareciendo de esta
forma el par electrn-hueco.
Se llega as a un equilibrio dinmico en el que el nmero de electrones y
huecos es igual y fijo (siempre y cuando la temperatura no se modifique).
Si en estas condiciones se conecta a dicho cristal a una fuente externa de
tensin, los electrones irn hacia el polo positivo de la pila, mientras que los
huecos fluirn hacia el otro polo de la misma.
De esta forma se establecer una

corriente elctrica a travs del cristal.
Dado que la cantidad de portadores
(huecos y electrones) aumenta con la
temperatura, tambin lo hace la
corriente por el cristal.
Estas corrientes que se desarrollan en
un cristal de este tipo -llamado
intrnseco por que no fueron agregados
elementos exteriores- son del orden de
los micro o nano Amperios, por lo que
no son tiles. Un semiconductor
intrnseco puede ser considerado como
un aislador.
Ahora, bien para aumentar la
conduccin
de
cualquier
semiconductor se recurre a un proceso
denominado
"dopado"
o
"envenenamiento".
21
El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de

portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad
del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores)
El dopado del cristal es realizado con tomos trivalentes (con tres
electrones en su ltima rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin no
es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de tomo
aumentar a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador.
Cmo es esto? El silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en
su ltima rbita, los cuales se combinan a su vez con otros tomos para
formar un cristal. Al introducir un tomo penta o trivalente en dicho cristal,

se provocar un aumento o un defecto de electrones que har aumentar la
cantidad de portadores.
Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro
de sus electrones se unirn a cuatro electrones de los tomos de silicio
vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna unin, por
lo que est dbilmente ligado al tomo. Este electrn libre, requerir muy
poca energa para "saltar" a la banda de conduccin. La energa trmica del
ambiente basta para provocar este salto. De esta forma al agregar tomos
pentavalentes agregamos electrones en la banda de conduccin, es decir,
agregamos portadores.
Cabe mencionar que los mencionados tomos pentavalentes se ubican en un
nivel de energa mucho ms cercano a la banda de conduccin que la banda
de valencia, denominado "nivel donor". Este nivel se ubica a una distancia,
energticamente hablando, de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia
entre las bandas de un semiconductor es de 0,7 eV.
De la misma forma, podemos dopar al cristal con tomos trivalentes (como
el boro, el Aluminio, el Galio,etc). Esto provocar un defecto de electrones
en el cristal, ya que tres de los cuatro electrones de la ltima rbita del
Silicio se combinan con los tres electrones del anterior tomo.
22
Esto trae como consecuencia la generacin de un espacio sin electrones,

que tendr carga positiva, es decir, esto generar un hueco.
De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a travs del
dopado, la cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este
tipo de cristal se le denomina extrnseco, ya que fue modificado por
elementos exteriores.
Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le conectamos una
fuente externa de tensin. Al existir mayor cantidad de portadores (no
importa de qu tipo), circular por el cristal una corriente mucho mayor que
en el no dopado. El valor de esta corriente depender de que tan
contaminado est el material.
Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deber casi en su totalidad a los
electrones en la banda de conduccin, aunque siempre existe una pequea
corriente producida por los huecos generados trmicamente. Anlogamente,
si el cristal es del tipo 'p' la corriente estar regida por huecos mayormente,
existiendo, sin embargo, una pequea corriente de electrones.
IMPUREZAS. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

En los semiconductores intrnsecos el nmero de electrones libres por
centmetro cbico (n) es igual al nmero de huecos (p) por centmetro
cbico .
n=p
Mediante mtodos especiales, a partir de semiconductores intrnsecos se
puede producir semiconductores en los que la densidad de electrones libres
sea distinta de la de huecos, es decir,
n p
23
Si el nmero de huecos es mayor que el de electrones libres, se dice que el

semiconductor pertenece al tipo P (p >> n).
Por el contrario, si el nmero de electrones libres es muy superior al de
huecos, el semiconductor pertenece al tipo N (n>>p).
Ambos tipos de materiales se llaman
semiconductores extrnsecos, y el proceso de
su formacin se llama impurificacin.
Por este proceso se le agregan pequeas
cantidades de tomos de otros elementos (un
tomo por cada cien millones del
semiconductor intrnseco). Los tomos
adquiridos se llaman "impurezas".
Existen dos tipos de impurezas:
Donadoras: las que producen semiconductores extrnsecos con

ms electrones libres que huecos.
Aceptoras: las que producen semiconductores extrnsecos con ms
huecos mviles que electrones libres.
Los donadores son elementos que tienen cinco electrones en su rbita de

valencia, tales como el arsnico y el fsforo.
Los aceptores tienen tres electrones en su rbita de valencia, tales como el
indio, el boro y el aluminio.
Materiales Tipo N
El fsforo, por ejemplo, es un elemento pentavalente que, difundido en el
germanio o silicio, perturba la red cristalina original formada por tomos
tetravalentes. Cada tomo de fsforo introducido presenta un electrn que
no puede acomodarse en el seno de la red, por lo que resulta un portador de
carga mvil. El electrn extra tiene tendencia a escapar de su tomo en
cuanto su energa aumenta ligeramente. A temperatura ambiente, este
electrn posee suficiente energa como para moverse en la estructura
cristalina. Casi todos los tomos donadores que contiene la estructura se
hallan ionizados a temperatura normal.
Puesto que se proporcionan portadores de carga negativos al material
intrnseco, se dice que el fsforo es una impureza de donador o impureza de
tipo N. El arsnico y el antimonio son tambin donadores. Al perder un
electrn adquieren una carga positiva que se mantiene fija dentro de la red
cristalina.
El silicio o el germanio con una impureza de tipo donador reciben el
nombre de material tipo N. Cuando esto sucede, el tomo de impureza
queda ionizado. El hueco producido en este tomo NO ES un hueco mvil,
ya que la configuracin alrededor de este tomo es muy estable. Decimos
24
entonces que es un hueco fijo. Debido a que los huecos creados por
impurezas en semiconductores tipo N son fijos, habr ms electrones libres
que huecos mviles. Los electrones libres reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que los huecos mviles, son los "portadores
minoritarios".
El germanio tiene un ncleo y 32 Atomos; 4 de estos Atomos, llamados de
valencia, son los que forman las uniones con los dems Atomos de otros
elementos; los 28 restantes estn fuertemente ligados y no pueden
representar ningn papel en la combinacin elctrica.
Cuando se le aaden pequeas impurezas determinadas en proporcin de 1
por 1 milln, conduce la electricidad. La adicin de estas impurezas tan
pequeas de modo que queden bien repartidas es una operacin
extremadamente difcil. Mezclar una parte de arsnico en un milln de
partes de germanio puro, seria lo mismo que aadir una cucharada de sal en
un recipiente de sopa equivalente a 6 grandes camiones tanques y garantizar
que est bien repartida en todo el recipiente.
Supongamos que introducimos una
impureza, por ejemplo el arsnico,
que tiene 5 tomos de valencia
Como solo se precisan 4 para
enlazar con los del germanio, sobra
uno, que puede moverse libremente,
y como es portador de una carga
negativa, este germanio ser
denominado de tipo N y tiene la
mxima conductibilidad para las
cargas negativas.
Al arsnico se le denomina <donador> as como al fsforo y al antimonio,
tambin empleados para ello.
Si al SILICIO, que tiene 4
electrones
de
valencia,
le
adicionamos antimonio, que tiene 5
electrones de valencia, el que
quedar libre ser 1 de antimonio
que, como es donador; Por tanto,
ser negativo (-) y se le denominar
silicio N.
Materiales Tipo P
Si en vez de arsnico introducimos boro o aluminio que slo tienen 3
electrones de valencia, el que quedar libre ser uno de germanio, o sea, de
25
los llamados <huecos> que son de signo positivo, denominndose entonces

germanio tipo P y a este tipo de impurezas se les llama <aceptadores>.
Este tipo de germanio tiene la mxima conductibilidad para las cargas
positivas. Entre los aceptadores o impurezas de tipo P estn el boro, el
aluminio, el indio y el galio, los cuales son trivalentes.
Al introducir en un material intrnseco un tomo del tipo P, no se acomoda
a la red cristalina, a menos que capture un electrn, lo cual origina una falta
de electrn o hueco.Por agitacin trmica, los electrones capturados son
arrojados de sus enlaces, pero. inmediatamente resultan aceptados por otros
ncleos faltos del electrn correspondiente.
El electrn libre capturado queda fijado en
el tomo de indio. Debido a ello, los
huecos se comportan como portadores
mviles con carga positiva y se trasladan
en sentido opuesto al de los electrones
desplazados.
A temperatura normal, casi todos los
tomos aceptadores se hallan ionizados. Al
ganar un electrn, adquieren una carga
negativa que se une a la red cristalina.
El silicio o germanio con una impureza del tipo aceptador reciben el
nombre de material tipo P debido a los portadores de carga positiva que
contiene. En los materiales tipo P hay ms huecos mviles que electrones
libres. Los huecos son aqu los portadores mayoritarios y los electrones
libres, los portadores minoritarios. Cuando las impurezas se distribuyen
uniformemente en el material intrnseco, se obtiene un semiconductor
homogneo con mejores propiedades de conduccin de corriente. No
obstante, este material no posee propiedades rectificadoras. Es importante
destacar que la neutralidad elctrica se mantiene en cualquier lugar del
material semiconductor debido a que la carga de los portadores mviles
queda totalmente compensada por la carga de espacio inmvil de los
tomos de impureza ionizados.
El SILICIO tiene 4 electrones de valencia, y adicionando una pequea
parte de boro, que tiene 3 electrones de valencia, quedar 1 libre de silicio,
o sea, un hueco; Por tanto, ser positivo (+) y se le denominar silicio P.
JUNTURA PN
Casi todos los dispositivos semiconductores estn basados en la unin de
un material P con un material N. Normalmente los semiconductores estn
formados por el mismo material, en el que se introducen, mediante procesos
de difusin, impurezas de uno y otro signo en dos regiones del
26
semiconductor adyacentes entre s. En la figura siguiente se muestra un

esquema de la seccin transversal de una oblea de silicio en la que se ha
preparado una unin PN para formar un diodo. Para conseguir esta unin,
se parte de una oblea del material semiconductor, tipo N por ejemplo, y en
una regin de la oblea se aade un dopaje con impurezas de tipo opuesto,
tipo P en este caso, en concentracin suficiente para invertir el signo de los
portadores en esa regin. Finalmente, sobre la regin dopada y en la parte
inferior de la oblea se deposita una capa conductora con objeto de hacer los
contactos elctricos hacia el exterior.
Comportamiento de la unin PN sin polarizacin externa

Supongamos que tenemos una lmina de silicio, en la que, a la izquierda de
la seccin AB se han aadido impurezas donadoras (arsnico) y a la
derecha, impurezas aceptoras (indio). El resultado es la unin de dos
semiconductores: a la izquierda de AB, del tipo N, y a la derecha, del tipo
P. Esto recibe el nombre de unin recibe el nombre de unin o juntura PN.
El dispositivo constitudo por una juntura PN recibe el nombre de DIODO
SEMICONDUCTOR.
27
El comportamiento de los electrones y de los huecos en las proximidades de

la unin es lo que da a los diodos y a los restantes semiconductores sus
particulares propiedades.
El silicio de tipo P puede ser visto como un material neutro, compuesto por
iones receptores fijos cargados negativamente y por huecos mviles
positivos. Del mismo modo, el silicio tipo N, estar compuesto por iones
dadores fijos cargados positivamente y electrones negativos mviles.
Cuando se unen ambos materiales en una estructura cristalina nica, en la
regin P hay una elevada concentracin de huecos, miemtras que en la
regin N esa concentracin es baja. Por consiguiente, habr una difusin de
huecos de la regin P a la regin N. Observemos que en la regin P los
huecos son portadores mayoritarios mientras que en la regin N son
minoritarios (los electrones libres son los portadores mayoritarios en la
regin N).
Por tanto, apenas los huecos se internan en la regin N, se recombinan con

los portadores mayoritarios (electrones libres) y desaparecen.
Lo mismo suceder en el caso de los electrones en la regin N. Se producir
por difusin, un gran movimiento de electrones libres de la regin N a la P,
por existir en sta una menor concentracin de electrones libres. Al entrar
en la regin P, los electrones libres pasan a ser portadores minoritarios en
exceso y desaparecen por recombinacin con los huecos (portadores
mayoritarios en la regin P). Solamente pasarn la juntura los portadores
mayoritarios prximos a la unin, pues cuando los huecos mviles pasan de
la regin P a la N dejan tras de s los iones receptores negativos fijos. De
este modo, la regin P deja de ser elctricamente neutra, quedando cargada
negativamente.
De igual modo, la regin N prxima a la unin se carga positivamente al
perder cargas negativas.
Asi pues, el paso de portadores mayoritarios de una regin a otra produce
como resultado la aparicin de una carga que obstaculiza nuevos translados.
Esta carga genera una fuerza que limita el paso de los portadores
mayoritarios.
28
Barrera de potencial
Esta oposicin al movimiento de los portadores mayoritarios, que se
produce dentro de la regin espacial en una juntura PN, se denomina
barrera de potencial. A travs de la unin circula adems de la corriente
debida a los portadores mayoritarios, una segunda corriente debida a los
portadores minoritarios. La energa trmica produce la formacin de pares
electrn-hueco dentro de los materiales semiconductores.
Supongamos que en un material tipo P, en las proximidades de la regin de
carga espacial, se crea un electrn libre. Este electrn ser arrastrado hacia
la juntura por la atraccin que ejerce la carga espacial positiva presente en
el material N. Del mismo modo ocurrir con un hueco generado en las
proximidades de la regin de carga espacial, la que ser atrada hacia la
regin P. Observemos que los portadores minoritarios son impulsados a
atravesar la juntura por la barrera de potencial. Este movimiento de los
portadores minoritarios a traves de la unin en direcciones opuestas,
provoca una corriente que se opone a la de los portadores mayoritarios.
Dado que la corriente total a travs de la unin PN no polarizada debe ser
igual a cero, las corrientes de los portadores mayoritarios y las de los
portadores minoritarios deben ser iguales y opuestas. Tenemos un sistema
de autorregulacin, en el que la barrera de potencial se regula
automticamente. La unin PN permanecer en equilibrio en tanto no se
aplique una fuente exterior de energa, es decir en tanto no se polarice.
POLARIZACION DE LAS JUNTURAS. PROPIEDADES

CORRIENTES DE ELECTRONES Y HUECOS
Cuando se aplica una tensin a travs de un trozo homogneo de silicio o
germanio habr deslizamiento de los electrones hacia el electrodo positivo
y de los huecos hacia el electrodo negativo, pues cargas opuestas se atraen.
Si se ponen en contacto dos trozos de germanio de los anteriormente
mencionados, o sea, uno positivo y uno negativo, y hacemos circular la
corriente de una pila, pueden suceder dos cosas:
a) Polarizacin Directa
Si aplicamos el polo positivo (+) de la pila al germanio P y el negativo (-) al
germanio N, las cargas positivas de las pilas repelern a los electrones
positivos y libres del germanio y las cargas negativas a los electrones
negativos, respectivamente (pues cargas del mismo nombre se repelen),
obligndolas a concentrarse en la zona del contacto de los dos germanios.
Entonces, como los electrones negativos son atrados por los positivos P
(pues las cargas contrarias se atraen), una pequea tensin aplicada ser
29
suficiente para que circulen por la superficie de contacto, corrientes

relativamente intensas, y a este sentido de conduccin se le llama
polarizacin directa.
Tambin podemos pensar que esta tensin tiende a descargar la capa de
carga espacial y por consiguiente, a disminuir la barrera de potencial.
La tensin aplicada obliga a los huecos
mviles de la zona P y los electrones
libres de la zona N a desplazarse hacia
la unin. Esto provoca una mayor
recombinacin y desaparicin de pares
electrn-hueco, siendo reemplazados
por otros pares proporcionados por la
fuente de alimentacin externa.
Esta corriente recibe el nombre de corriente directa. La corriente directa
no sigue la ley de Ohm (ley lineal) sino que sigue una ley exponencial,
debido a que el nmero de portadores producidos vara exponencialmente.
b) Polarizacin Inversa
Si por el contrario, aplicamos al germanio P el polo negativo(-) y al N el
polo positivo(+), los electrones se alejarn de la superficie de contacto,
aumentando sta su resistencia hasta convertirse casi en aislante.
30
Decimos que la juntura queda polarizada inversamente, siendo los

portadores mayoritarios alejados de la misma, atrados por la tensin
externa aplicada.
La corriente elctrica que circula en sentido inverso es por tanto casi nula.
Circula una pequea corriente debido a la recombinacin de los portadores
minoritarios en la zona de la juntura.
Existe una tensin inversa, llamada

tensin de Zener, en la cual la
corriente aumenta bruscamente, y si
no se la limita, puede producir la
destruccin del dispositivo
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA
El nmero de portadores mayoritarios se ve poco afectado por pequeas
variaciones de temperatura ambiente. Sin embargo, el nmero de portadores
minoritarios depende altamente de la temperatura. Al aumentar sta,
aumenta el nmero de tomos ionizados. A pesar de que el nmero de
portadores minoritarios, a temperatura ambiente, es muy inferior al de los
mayoritarios, variaciones de temperatura pueden producir gran cantidad de
portadores minoritarios, lo cual llevara a que se reduzca la diferencia de
densidades, acercando el material a comportarse como un material
intrnseco. Por esto, los fabricantes de semiconductores insisten tanto en las
caractersticas de temperatura de trabajo de sus dispositivos.
Todos los dispositivos semiconductores son sensibles a la temperatura.
Algunos en mayor medida que otros. En consecuencia, la temperatura de un
dispositivo o su disipacin de potencia, deben mantenerse dentro de un
rgimen mximo especificado, de lo contrario puede llegarse a la
destruccin del mismo.
El rea de la juntura de un rectificador de silicio es pequea y por ello opera
con alta densidad de corriente, siendo esta la razn por la cual la capacidad
trmica del dispositivo es pequea..
Para utilizar los rectificadores a altas potencias, es necesario aplicar algn
tipo de enfriamiento para evacuar el calor de la juntura, y asegurar que no
sea excedido el rgimen de mxima temperatura de la base de montaje.
31
Normalmente, esto se logra atornillando uno de los terminales del

dispositivo a un disipador enfriado por conveccin; aunque en equipos ms
grandes algunas veces se emplea enfriamiento forzado.
En cualquier caso, el sistema de enfriamiento debe ser diseado de tal
forma que permita operar el rectificador a la mxima potencia requerida y a
la temperatura ambiente de operacin deseada, sin exceder por ello el
rgimen de mxima temperatura de la base de montaje.
CARACTERISTICAS GENERALES de los DIODOS

Son de gran robustez, no afectndoles los golpes mecnicos, vibraciones,
etc. Tienen gran estabilidad elctrica y elevadas caractersticas.
Su capacidad muy pequea (0,8 pf y ms) les permite trabajar con
frecuencias de 100 MHz y ms altas.
Su vida til es larga, pues se calcula en unas 10.000 horas.
Por su construccin hermtica estn completamente protegidos contra las
influencias atmosfricas y polvos e incluso pueden ser sumergidos en agua.
Recuperan sus caractersticas despus de variaciones de temperaturas de 40 a +70 C, tienen un tamao muy reducido y son de fcil montaje.
Permiten corrientes medias de hasta 50 mA y pueden soportar sin peligro
sobrecargas transitorias importantes.
Tienen elevadas tensiones inversas (de 50 -120 V), las ltimas
investigaciones han permitido ya modelos con tensiones inversas superiores
a 350 V Peak.
Los diodos se representan de la manera que se observa en la siguiente
figura.
Hemos visto las caractersticas de un diodo semiconductor. Vimos que

cuando la juntura se polariza en forma directa circula una corriente intensa,
limitada solamente por la carga externa conectada en serie con el diodo,
comportndose ste como una llave cerrada. Mientras que cuando se
polariza en sentido inverso, no circula prcticamente ninguna corriente,
equivaliendo el comportamiento del diodo al de una llave abierta.
32
Si la tensin llegara a alcanzar un valor denominado "tensin inversa de

ruptura" (breakdown), la corriente inversa aumentara fuertemente con un
pequeo aumento de la tensin.
La tensin inversa obliga a los portadores minoritarios a atravesar la unin
a una velocidad que depende de la tensin total de la unin y de la
movilidad de los portadores.
Si la tensin aplicada es lo
suficientemente
grande,
los
portadores se movern con tal
velocidad que, al encontrarse con los
tomos del cristal, rompern las
uniones
covalentes,
creando
portadores de cargas suplementarios.
A su vez, estos nuevos portadores
pueden alcanzar la suficiente
velocidad como para romper las
uniones de otros tomos, y as
sucesivamente. Como resultado, la corriente crece notablemente con un
pequeo aumento de la tensin. Cuando se alcanza la tensin de ruptura, la
corriente inversa puede ser lo suficientemente grande como para daar el
dispositivo, a menos que sea limitada por una resistencia adecuada.
Diodos Zener
Un segundo mecanismo de ruptura, es el de tipo Zener. Este se debe, no a
colisiones entre portadores e iones fijos, sino a una ruptura directa de las
uniones a causa de la fuerza producida por la existencia de intensos campos
elctricos en la unin. Este mecanismo entra en funcionamiento con
tensiones inferiores a los 6 V en diodos dopados intensamente.
Los fabricantes de diodos han aprovechado esta limitacin para fabricar
diodos especiales que trabajan en esta zona de ruptura, denominndolos
DIODOS ZENER. Se ha intentado optimizarlos para obtener una curva
caracterstica prcticamente vertical en la regin de ruptura
El smbolo modificado del diodo que se muestra en la siguiente figura es el
que se usa para los diodos zner. Hay disponibles diodos zner discretos
con tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de 5%.
En la prctica, existen dos mecanismos que
pueden causar la ruptura inversa. Para diodos
con una tensin de ruptura superior a 6 V, el
responsable es un efecto conocido como
avalancha. Por ello, los diodos con tensiones
de disrupcin ms elevadas se llaman,
consecuentemente, diodos de avalancha.
Por debajo de los 6 V, un fenmeno de la
33
mecnica cuntica, conocido como efecto tnel, es el responsable de la

ruptura.
Hablando estrictamente, los diodos zner son aqullos que se encuentran en
el margen inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la prctica, ambos
trminos se utilizan de manera indistinta para todos los diodos de ruptura.
RECTIFICADORES en la INDUSTRIA
Los diodos semiconductores desempean un importante papel en el control
de potencia. Para obtener de ellos el mayor rendimiento, es preciso
conocer bien su funcionamiento y los problemas que plantea su aplicacin.
En el ao 1947 un grupo de cientficos de los Laboratorios BELL, John
Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, descubrieron uno de los
primeros Semiconductores que podra reemplazar al TUBO, y ese sera el
DIODO hecho de GERMANIO (ubicado en la tabla peridica dentro del
grupo de los Metaloides), que teniendo una cierta cantidad de impurezas
podra trabajar como rectificador.
La energa elctrica se transporta ms fcilmente en forma de corriente
alterna. No obstante, existen numerosas aplicaciones de la electricidad
(recubrimientos electrolticos, otros procesos qumicos, traccin, etc.) que
requieren corriente continua. Entonces resulta de gran importancia una
conversin adecuada y eficaz de la c.a. en c.c. La primera solucin del
problema la constituy el convertidor rotativo, y hacia principios de este
siglo eran de uso habitual los rectificadores de vapor de mercurio. Los
dispositivos de estado slido aparecieron ms tarde, en forma de
rectificadores de xido de cobre (hacia 1920) y de diodos de selenio (hacia
1930).
Las deficiencias de tales dispositivos consistan en que su corriente directa
era relativamente baja y su tensin inversa ms bien reducida. Despus de
la segunda guerra mundial se obtuvieron los diodos PN de germanio y de
silicio con estructura en dos capas. Estos dispositivos permitan el paso de
ms corriente, pero presentaban limitaciones en la tensin inversa. Estas
limitaciones fueron eliminadas con los diodos de silicio con estructura en
tres capas, las cuales se fabricaban a medida para las exigencias de la
conversin de altas potencias de c.a. en c.c. La introduccin de una tercera
capa poco impurificada, casi intrnseca, aumenta las posibilidades de
manejo de elevadas tensiones inversas, sin que por ello sufran detrimento
las propiedades de conduccin de corriente que ofrecen las capas exteriores
P y N, con gran proporcin de impurezas. Estos diodos de tres capas
pueden conducir centenares de amperios y bloquear centenares de voltios,
como conviene a los actuales sistemas de conversin de c.a. en c.c. de
elevada potencia.
34
En los ltimos aos las investigaciones realizadas sobre el comportamiento

al paso de la corriente elctrica en los materiales llamados semiconductores,
han producido notables aplicaciones que hace solo algunos aos eran
impensadas. Desde que apareci la primera aplicacin en 1915 con el
detector de galena, hasta 1939-40, se puede decir que fue un periodo de
incertidumbre, luego en 1948, apareci el transistor de puntas; en 1950 el
transistor de Shockley; en 1953 el diodo de tnel; en 1958 el tecnetrn, y en
1960 los circuitos integrados, etc. Quiz ninguna tcnica ha hecho tan
rpidos progresos como la de los semiconductores.
El ms conocido de estos elementos es el transistor que, sin embargo, no es
ms que un brillante representante de un amplio grupo de dispositivos. En
gran parte, estos progresos han sido posibles por las pacientes
investigaciones para encontrar nuevos mtodos de purificacin de los
materiales, llegando a purezas jams logradas, del orden de diez mil
millones de tomos del cuerpo investigado, por un tomo solamente de
impureza.
Por medio de los mtodos qumicos y fsicos habituales es imposible
descubrir estos residuos tan nimios de impurezas. Ha sido necesario idear
nuevos procedimientos de anlisis basados en los fenmenos elctricomagnticos, fotomagneto-elctricos, etc Antes de 1940, los fenmenos que
se desarrollaban en los semiconductores eran, desde muchos puntos de
vista, bastante misteriosos. La conductibilidad elctrica de estos cuerpos,
siendo notablemente inferior a la de los metales, no era suficientemente alta
para considerarlos como aislantes; adems, en muchos casos aumentaba
rpidamente la conductibilidad con la temperatura, lo que constitua un
fenmeno desconocido en los metales.
Actualmente, en el vasto campo de los semiconductores se emplean
mezclas de xidos de metales: cobre, uranio, manganeso, nquel, cobalto,
hierro, etc., segn sea su aplicacin y el fenmeno que se desee utilizar,
pues en unos su resistencia elctrica varia con el calor, en otros con el
potencial elctrico empleado, en otros an con la luz o con la cantidad de
flujo magntico a que estn sometidos. Tambin son muy empleados el
selenio, el silicio, el germanio, etc., asi como combinaciones, tales como
antimoniouro de indio, seleniuro de cadmio, sulfuro de plomo, etc.
Igualmente se utilizan mezclas de xidos tales como el xido ferrosofrrico o magnetita y combinaciones oxigenadas de titanio, Magnesio,
Cromo, Circonio, etc. El Titanato de cinc y el Aluminato de Magnesio, etc.
, se emplean principalmente para la fabricacin de los llamados termistores,
cuyo nombre deriva de la contraccin del trmino ingls thermal-resistor
(resistencia trmica) o resistencias NTC ( Negative Temperature
Coefficient ).
35
TIPOS DE RECTIFICADORES
Los rectificadores tienen valores muy diferentes de resistencia segn sea la
polaridad de la corriente. Se usan materiales tales como el xido de cobre,
el selenio, el silicio, el germanio, etc. Dentro de este grupo hay que citar los
que, adems, varan con la tensin que se les aplica (diodos de Zener,
protectores de contactos y sobretensiones) El funcionamiento de los
rectificadores slidos, o sea, de semiconductores, se basa, como ya hemos
dicho, en la gran resistencia que presentan al paso de la corriente en un
sentido, con diferencias de 5.000 a 25.000 veces ms que en sentido
opuesto, segn los materiales.
Existen varias clases de rectificadores, a saber:
Rectificadores de xido de cobre

Estos rectificadores estn constituidos por una capa de xido cuproso
formado sobre una placa de cobre limpiado qumicamente y oxidado en
atmsfera de aire a temperatura de 1.000 C. durante diez o veinte minutos
para formar una capa de xido cuproso de aproximadamente 0,1 m/m,
sometida despus durante algunos minutos a 550 C. y enfriada
bruscamente en agua. En esta segunda fase se ha formado una capa de
xido negro que debe ser eliminado por accin qumica. Para establecer el
contacto sobre la superficie del xido, se les recubre con una capa metlica
depositada por proyeccin a pistola, evaporacin o deposicin
galvanoplstica.
La corriente circular fcilmente de la capa de contacto al cobre, pero no en
sentido contrario Este tipo es muy empleado para rectificadores en los
aparatos de medidas elctricas por su gran estabilidad y baja resistencia,
pero no puede soportar tensiones inversas superiores a 2 o 3 voltios por
placa; tambin se recomienda no sobrepasar la temperatura de 50 C. si se
quiere lograr larga duracin.
Rectificadores de sulfuro de cobre

Tambin existen rectificadores de sulfuro de cobre al magnesio, que se
montan en la fabricacin sobre placas de magnesio. Son mucho ms
livianos que los de xido de cobre y pueden soportar algo ms de
temperatura, pero son menos eficaces.
Rectificadores de xido de plomo

En este tipo llamado Ploxid, el disco o placa de cobre oxidado ha sido
sustituido por plomo tambin oxidado. Cuando la corriente pasa en sentido
xido-plomo encuentra una resistencia de unos 40 ohmios, mientras en
sentido contrario la resistencia es de unos 200.000 ohmios (200 K OHM).
36
Rectificadores de selenio
Su composicin y formacin es distinta a la de los rectificadores de cobre,
pues requieren la accin de la corriente elctrica para formar la pelcula
rectificadora, y estn compuestos por una placa de hierro recubierta por una
cara con una fina capa de selenio el cual, despus de un tratamiento
trmico, es recubierto por una capa de un metal blando que, forma el otro
electrodo. La corriente circular fcilmente del hierro al selenio, pero en
sentido contrario encontrar una gran resistencia. La temperatura mxima
de trabajo es de 75 C., la carga continua aproximada que pueden soportar
sin refrigeracin es de unos 50 mA por centmetro cuadrado. Las tensiones
inversas que pueden soportar oscilan de 14 a 24 voltios, aunque
ltimamente y con nuevas tcnicas de fabricacin han aparecido tipos con
tensiones inversas bastante mayores. Modernamente, para reducir el peso y
evitar algunos otros inconvenientes, ha sido sustituido el hierro de las
placas sustentadoras por aluminio con unas capas de plata y nquel.
Para lograr la deposicin homognea y sin impurezas de la fina capa de
selenio, se utiliza el procedimiento llamado de mentalizacin por alto vaco.
Nunca se debe hacer trabajar prolongadamente a estos rectificadores a una
corriente continua inversa mxima, pues sta tiende a incrementar
lentamente las corrientes inversas llegando a alcanzar valores peligrosos.
Por esto hay que tomar siempre valores inferiores a los indicados como
mximos en las tablas de los fabricantes. En corriente alterna no se presenta
este efecto y por tanto pueden soportar indefinidamente las corrientes
mximas.
Si estn destinados a cargadores de bateras es conveniente colocar un

interruptor en el circuito de salida; de lo contrario se descargara la batera
cuando se produjera un fallo de corriente en la red, o en caso de paro del
rectificador sin desconexin de las bateras. Es importante sealar que en
esta clase de rectificadores, una dbil variacin de la tensin alterna
provoca una variacin mucho ms importante de la intensidad rectificada,
37
que puede constituir una sobrecarga peligrosa. Se puede indicar a ttulo de

orientacin que una elevacin del 5% de la tensin alterna puede llegar a
aumentar la intensidad rectificada en un 30% o ms, segn el montaje. Al
proyectar un rectificador es necesario consultar con el fabricante las cargas
mximas de seguridad admisibles y contrastarlas en la prctica, teniendo en
cuenta que la temperatura de las placas nunca debe llegar a los 70 C. o
ms; de lo contrario su destruccin ser rpida. Hay que procurar la
mxima refrigeracin, pues cuanto ms fras trabajen dichas placas mejor
ser su rendimiento y duracin. El gran nmero de publicaciones
aparecidas sobre los rectificadores de Germanio y Silicio ha podido hacer
pensar que estos nuevos rectificadores pueden considerarse perfectos y que
quedaran eliminados rpidamente los de selenio. Sin embargo, los
conocimientos adquiridos estos ltimos aos en la fsica de los slidos y la
necesidad de enfrentarse con la competencia, han conducido a mejoras muy
importantes en los rendimientos del Selenio, pudindoseles comparar
ventajosamente en algunos aspectos con los de Germanio y Silicio.
Rectificadores de germanio
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, quien le dio el nombre
en homenaje a su patria. El germanio tiene especial inters histrico porque
su existencia fue prevista 15 aos antes por Mendeleieff (1871) en su
famosa escala de clasificacin peridica de los elementos existentes en la
naturaleza, con el nombre de (Ekasilisium).
Ese cuerpo, cuyas propiedades fsicas y qumicas apenas eran conocidas
hace unos aos, puede considerarse en la actualidad como la substancia
slida cuyas propiedades han sido estudiadas ms detalladamente.
Fig.4 Rectificadores de Germanio para grandes intensidades con Refrigeracin

por lquidos y por aire.
Aparece como una impureza del c arbn en una proporcin de 0,002% y al

quemarse el cok se aumenta su concentracin, llegando al 1% en el polvo
que queda en las grandes chimeneas de las grandes instalaciones
siderrgicas. Su aspecto es parecido al estao, pero su precio es tan elevado
38
como el oro. En estado puro es aislante, para su empleo en los transistores,

que requiere una gran pureza, se ha llegado a la proporcin de 1 por
10.000.000 siendo uno de los materiales de mayor pureza conseguidos. Al
adicionarle pequeas cantidades de otras sustancias sus propiedades
qumicas y elctricas varan totalmente. Estas propiedades hacen que se
empleen para la rectificacin, o deteccin, habindose llegado a construir
rectificadores de germanio de grandes intensidades y con rendimientos de
un 99 %, mientras que con las vlvulas slo se ha llegado a un mximo de
un 80 %.
Existen tipos de alta conductibilidad para grandes intensidades y bajas
tensiones, y tipos de alta resistencia inversa para pequeas intensidades y
ms altas tensiones. El rectificador de germanio tiene la gran ventaja de su
elevado rendimiento y reducido espacio. Podra calificrsele de ideal si no
fuera por su gran sensibilidad a las temperaturas un poco altas de ambiente.
Diodos de germanio para baja potencia

Esta clase de rectificadores consta de un trocito o cristal de germanio y una
punta de contacto de hilo de tungsteno, encerrados ambos en una cpsula
hermtica o botella de vidrio.
El hecho de que un cristal de germanio, con una reducida rea en la punta

de contacto sobre su superficie, acte como rectificador, puede explicarse
suponiendo la existencia de una capa barrera natural, formada en el
momento de hacerse la unin fsica en la superficie de contacto del cristal,
la cual desaparece cuando se aplica tensin positiva (+) al hilo de tungsteno
y una tensin negativa (-) al cristal germanio de tipo N, y en cambio
presenta una gran resistencia si se le aplican tensiones inversas.
39
Fig.2 Curva caracterstica de un detector de Germanio.

En la figura puede apreciarse la curva caracterstica del funcionamiento de
estos diodos; cuando la tensin inversa excede de un cierto valor, la
resistencia decrece repentinamente. El potencial a que se produce este
fenmeno se denomina de inversin.
Los diodos de germanio se dividen en dos grupos:
Los de tipo de alta tensin inversa, fabricados con germanio de

gran pureza.
Los de baja resistencia que contienen germanio provisto de

impurezas apropiadas.
Sus aplicaciones son ilimitadas en radio, televisin, instrumentos de

medida, etc.
Rectificadores de silicio
En los ltimos aos los rectificadores de gran potencia han pasado de
elementos de laboratorio al servicio de la industria con grandes ventajas, en
precio, volumen y conservacin. Se han construido ya rectificadores de
silicio de 50 kW, lo que permite reemplazar a los antiguos rectificadores de
vapor de mercurio de descarga gaseosa.
Aunque las propiedades del silicio eran conocidas desde muchos aos,
hasta 1957, en que fue conseguido el silicio extrapuro, no fue posible su
40
Fig.5 - Rectificadores de silicio para tensiones elevadas.
adopcin para grandes potencies. La pureza es la clave del xito de dichos

rectificadores, pues con ellos se han realizado uniones cuya punta de
Corriente inversa se aproxima a los 2.000 V. Dichos rectificadores
funcionan por el mismo principio que los de Germanio, pero como ya
hemos dicho, poseen mayores resistencias a la corriente inversa, lo que
permite utilizarlos a muy altas tensiones
El SILICIO no se encuentra libre en la naturaleza. El hombre emple ya la
slice en tiempos prehistricos (pedernal), abundantsimo compuesto de
silicio, pero ste no fue reconocido como elemento hasta el siglo pasado y
en el ao 1823 fue aislado por primera vez por Berzelius. Se sabe desde
hace mucho tiempo que el silicio serva para rectificadores pero resultaba
difcil conseguir una elevada pureza, por ser un material que fcilmente
reacciona con otros componentes, como son los crisoles de grafito o de
cuarzo, etc. Con recursos fsicos y tecnolgicos se han podido vencer las
dificultades principales, obtenindose ya silicio de gran pureza, si bien con
adiciones de otros materiales para determinar la conductibilidad, en forma
anloga a como se hace en el germanio.
Fig.6 Curva caracterstica de un rectificador de silicio.

Las ventajas principales del silicio son que puede soportar temperaturas
mas altas, normalmente 100 C y en algunos casos 200 C. Pueden tambin
soportar corrientes inversas de varios cientos de voltios por elemento,
(2.000 PIV (Peak Inverse Voltage) y 800 Vef(Voltage efective)). Es ms
insensible a las atmsferas dainas, pero tambin presenta mayor
41
resistencia al paso de la corriente, pues la tensin de difusin en el silicio es

de 0,6 a 0,7 V, mientras que en el Germanio slo es de 0,2 a 0,3 V y, en
consecuencia, el rendimiento para bajas tensiones tambin es inferior.
Para la misma densidad de corriente, su temperatura ser ms elevada, lo
que es una desventaja en contrapartida a sus grandes ventajas. No es
conveniente trabajar con temperaturas altas, porque las prdidas con
Corrientes inversas aumentan considerablemente y porque es necesario
dejar un margen de seguridad para las sobrecargas. Su resistencia a los
cortocircuitos es menor que en los de Germanio, como consecuencia de su
mayor resistencia. Tambin son peligrosos los cambios alternativos de
temperatura, pues las dilataciones que originan pueden producir grietas en
los cristales de silicio muy frgiles y quebradizos; en los de germanio este
riesgo no es tan grande, y en los de selenio es mucho menor.
En muchos aspectos el rectificador de Silicio es mejor que el de Germanio.
Se le construye con placas de pocos milmetros cuadrados, montadas de
forma que pueden disipar el calor generado en su interior, siendo sta la
principal limitacin de su carga, pues, por lo dems, este material admite
grandes intensidades. El material de recubrimiento o contacto normalmente
usado es el Indio con una capa de Molibdeno, que tiene una dilatacin muy
similar a la del Silicio, para compensar las tensiones mecnicas producidas
por las temperaturas.
Caractersticas de Potencia de los Diodos

Un diodo de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
No ofrecer prcticamente resistencia al paso de la corriente en sentido
directo, es decir, presentar una pequea cada de tensin directa;
Comportarse prcticamente como un circuito abierto para la corriente que
circule en sentido inverso, es decir, presentar poca corriente de fuga;
Permitir una elevada densidad de corriente, y
Soportar una elevada tensin inversa y de este modo evitar la necesidad
de disponer varios elementos en serie y circuitos complicados en
aplicaciones de alta tensin.
Adems, los diodos de potencia de estado slido han de tolerar elevadas
temperaturas de la unin, de lo cual depende la carga imponible al diodo.
En la tabla siguiente se muestran los valores correspondientes a los diversos
tipos de rectificadores, y puede observarse como los dispositivos de tres
capas son los que ms se aproximan al rectificador ideal. El diodo de silicio
en tres capas soporta mayores temperaturas ambiente de trabajo y, por
tanto, permite la utilizacin de mayores cargas que el correspondiente
dispositivo de germanio.
42
Las particularidades de los diodos de potencia en tres capas pueden

resumirse del modo siguiente:
Mnima prdida de potencia, pues la cada de tensin directa y la corriente
de fuga inversa presentan valores irrisorios en condiciones normales de
funcionamiento. Adems no se necesita potencia de caldeo para el
funcionamiento del diodo.
Notable compacidad, ya que la densidad de corriente permisible y la
tensin inversa son elevadas.
Gran seguridad de uso, que permite esperar una duracin ilimitada dentro
de los lmites de utilizacin recomendados. No puede decirse lo mismo de
los rectificadores termoinicos, pues la duracin del ctodo es de por s
limitada.
Dispositivo
rectificador
Cada Dens. de Tensin Temp. Rendim

tensin corriente
inv.
mx. de
.
mx.
trabajo aproxi
directa (A/cm2)
(V)
(V)
(C)
m. (%)
Convertidor rotativo
90
Rectificador mecnico
97
Rect.vapor de mercurio 15 a 20
Rect. xido de cobre
20.000
~ 45
95
~ 0,6
30
70
90
Diodo de selenio
~1
50
150
90
Diodo de Ge (3 capas)
0,5
100
~ 800
120
99
Diodo de Si (3 capas)
100
~ 4.000
200
99
SEMICONDUCTORES FOTOSENSIBLES
La interaccin de la radiacin electromagntica con los tomos de un
material semiconductor produce una gran variedad de fenmenos que a su
vez han sido aprovechados ventajosamente en la fabricacin de diversos
dispositivos denominados optoelectrnicos, entre ellos los diodos
detectores de radiacin, clulas solares, diodos emisores de luz (LEDs),
lseres, etc.
Un semiconductor fotosensible o "dispositivo optoelectrnico" es un
mecanismo que puede ejercer una de las siguientes acciones:
43
Detectar la luz, o en todo caso, ser sensible a su accin.

Emitir o modificar luz coherente o no coherente.
Utilizar la luz para el propio funcionamiento interno.
En otras palabras, son dispositivos para cuyo funcionamiento deben

concurrir fenmenos pticos y fenmenos electrnicos.
La radiacin luminosa
La luz es un tipo de energa llamada energa radiante, que se desplaza en el
espacio en forma de onda electromagntica, igual que las ondas que se
producen en un estanque cuando se tira una piedra al agua. Las ondas se
mueven en todas direcciones a partir del punto de origen.
Las diversas fuentes de radiacin electromagntica (ondas de radio,
microondas, radiacin infrarroja, luz visible, radiacin ultravioleta, rayos X,
etc) se diferencian por su frecuencia y su longitud de onda.
La luz es producida por la emisin de energa que realiza el tomo de un
material cuando se le excita suministrndole energa trmica, qumica u
otro tipo de energa. Las partculas emitidas reciben el nombre de fotones, y
la luz consiste en un flujo de estos fotones.
Cuando la energa interacciona con algn material, tiene lugar un proceso
de conversin de energa. Cuando un material convierte una fraccin de
energa en luz, se tiene una "fuente luminosa". Analizaremos solo las
fuentes de luz a semiconductores.
De ellas el elemento que ms se utiliza es el diodo semiconductor LED
(diodo de emisin de luz).
Diodos Fotoemisores (LED)

Elctricamente, es un dispositivo de dos terminales que conduce, como
todos los diodos, en una sola direccin. La mayora de las junturas PN
emiten una cierta cantidad de radiacin en condiciones de polarizacin
directa. Sin embargo, el rendimiento de la salida de radiacin frente a la
potencia elctrica de entrada es normalmente baja, siendo difcil detectar la
radiacin.
44
Un diodo fotoemisor es un dispositivo con una juntura PN que se ha

diseado especficamente para emitir radiacin en una cierta porcin del
espectro cuando se le aplica tensin de polarizacin directa. El LED es un
diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta
2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta
los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y
electrones (al paso de la corriente).
Esta recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre no
ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta
energa se convierte en calor y otro tanto en fotones.
En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida
es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para
fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro
de Galio (GaP).
La radiacin se produce como resultado de la recombinacin de electrones
y huecos dentro de la pequea regin de carga espacial alrededor de la
juntura.
Esta recombinacin es similar a lo que sucede cuando un electrn de nivel
energtico alto pasa a un nivel energtico inferior. La longitud de onda de
la radiacin emitida depende del salto de energa del material sustrato y de
los niveles de energa de los materiales de impurezas.
45
Existen diodos que emiten radiacin

en la zona infrarroja del espectro,
mientras que otros cubren la zona del
espectro visible (LEDs).
Los diodos emisores de luz se pueden
conseguir en colores: verde, rojo,
amarillo, mbar, azul y algunos
otros.
Las aplicaciones de los LEDs van
desde
dispositivos
electroluminiscentes, indicadores de encendido, de potencia de salida, lecturas de
tarjetas, conmutacin electro-ptica, ilumincin, comunicaciones, alarmas,
circuitos de control, etc.
Cristales Lquidos
Es importante considerar que se puede controlar no slo la fuente y el
detector de energa luminosa, sino tambin el medio por el que sta se
transmite. Los cristales lquidos (LCD), ms que fuentes de luz, son filtros
de luz, no emite ningn tipo de radiacin. Simplemente controla el medio a
travs del cual se propaga la luz. Esto se obtiene utilizando dos placas
polarizantes entre las que hay un estrato de cristal lquido.
Cuando se aplica una tensin entre las placas polarizantes, la direccin de
polarizacin del cristal lquido vara de tal forma que la luz puede ser
reflejada por el cristal o pasar a travs de l.
Cuando no se aplica
ninguna
tensin,
las
molculas del cristal
lquido, representadas en
forma ovalada en la figura
siguiente, se orientan de
tal forma que la luz
atraviesa el material.
Cuando se aplica una
tensin, los cristales entre
los planos conductores se
desorientan de tal forma
que la luz se refracta,
como se ve en la figura
(b).
El resultado es que la regin del display a la que se aplica la polarizacin
aparece opaca.
46
Si uno de los planos se pone detras del display, absorbe la luz que lo
atraviesa y, por eso, el rea sin polarizacin le parece negra al observador.
Se puede notar un contraste producido por la diferente reflectividad de la
zona de la derecha y de la izquierda. Estructurando de forma adecuada los
planos de polarizacin, se pueden obtener nmeros, letras o smbolos
especiales, segn la disposicin de los electrodos, dirigidos por circuitos de
control.
La mayor ventaja de estos displays LCD es que la potencia que consumen
es muy pequea (pocos microvatios), ya que no producen luz y las
tensiones de funcionamiento son bajsimas. Por lo tanto, pueden ser
controlados directamente por cualquier circuito lgico de baja tensin, por
circuitos integrados multifuncin o por microprocesadores. El mayor
inconveniente es que tiene que haber luz ambiente para poder determinar el
contraste. Adems, los resultados empeoran con la temperatura. Las bajas
temperaturas hacen ms lento el tiempo de respuesta y las altas
temperaturas pueden causar prdidas en la difusin que produce la
polarizacin. Los displays de cristal lquido se utilizan en calculadoras de
mesa y en relojes, porque absorben muy poca potencia elctrica.
47
Lser
Los lser se incluyen en el grupo de fuentes de luz de semiconductores,
porque tambin emplean materiales monocristalinos. La principal
caracterstica de la luz que produce un laser es que los rayos luminosos
estn en fase (coherentes), viajan en el espacio en la misma direccin y son
esencialmente de la misma longitud de onda o color (monocromticos).
Como consecuencia, un rayo lser no diverge de modo significativo durante
su propagacin, e incluso, en el aire, mantiene una elevada densidad de
energa. En sntesis, el lser produce una luz coherente a una sola
frecuencia, con un haz muy fino, y tiene muchas aplicaciones en las
comunicaciones, en los procesos industriales, en las tcnicas mdicas y
quirrgicas y en la investigacin. Ultimamente se han introducido en el
mercado videodiscos que se pueden leer solamente con el lser. Como no
existen contactos entre el disco y el aparato lser, el disco se puede
escuchar muchas veces sin que se produzcan las distorsiones que a la larga
causa la utilizacin de la aguja en los surcos de los discos tradicionales.
Celdas Fotoconductivas
Son diodos en los cuales la resistencia disminuye a medida que aumenta la

cantidad de luz incidente sobre la superficie del material. El material
fotosensible, sulfuro de cadmio o sulfoseleniuro de cadmio, se deposita
normalmente en forma de serpentina sobre un sustrato cermico,
conectndose en cada extremo a un electrodo. Se protege el rea
fotosensible, de la humedad mediante una ventana de vidrio y una caja
metlica.
En funcionamiento normal la celda fotoconductiva se conecta en serie con
la fuente de alimentacin. Si el flujo luminoso incidente aumenta, entonces
aumentar la corriente en el circuito. Una de las caractersticas ms
importantes de una fotocelda es su resistencia en funcin del flujo lumnico.
48
SIMBOLOGIA GENERAL
NOMBRE
SIMBOLO
NOMBRE
Diodo
Rectificador
Diodo Zener
Diodo Led
Fotodiodo
Diodo Tunel
Diodo Schottky
Transistor BJT
Transistor BJT
Transistor JFET
Transistor
JFET
Transistor
MOSFET
DEPLEXION
Transistor
MOSFET
DEPLEXION
SIMBOLO
49
Transistor
MOSFET
Transistor
MOSFET
ACUMULACION
ACUMULACION
Transistor
MOSFET
DOBLE
PUERTA
Rectificador
Controlado
de Silicio (SCR)
(TIRISTOR)
Triodo
Alternativo
de Corriente
(TRIAC)
Diodo
Alternativo
de Corriente
(DIAC)
Transistor
Uniunin
(UJT)
Transistor
Unionin
Programable
(PUT)
Conmutador
Unilateral
de Silicio (SUS)
Conmutador
Bilateral
de Silicio (SBS)
Optoacoplador
(Optotriac)
Regulador
Integrado
50

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OBJETIVOS DEL LIBRO:

Conocer, aprender y saber utilizar los diferentes elementos

Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y Diseo. Mallik,

Fundamentos de Electrnica Fisica y Microelectronica, Albella,

Circuitos y dispositivos electrnicos, L. PRAT et al.,, UPC, 1994.

Electrnica: Teora de circuitos, R.L. Boylestad & L. Nashelsky,

Principles of Electronic Circuits. Burns, S.G., Bond, P.R., , PWS

Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits: Theory and

Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated

Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. Gray, P.E.,

Principios de Electrnica. Gray, P.E., Searle C.L., , Revert, 1973.

Analog MOS Integrated Circuits for Signal Processing. Gregorian,

Basic Integrated Circuit Engineering. Hamilton, D.J., Howard,

Electrnica. Hambley, A.R., , Prentice Hall, 2001

Microelectronic Circuits and Devices. Horenstein, M.N., , Prentice

CMOS Analog Circuit Design. Allen, P.E.,Holberg, D.R.,

Millman, J.,Microelectrnica, Hispano-Europea, 1981.

Millman, J., Halkias, Ch., Electrnica Integrada, HispanoEuropea, 1976.

Shilling, D.L., Belove C., Circuitos Electrnicos Discretos e

Tietze U., Schenk Ch., Circuitos Electrnicos Avanzados,

Savant, C.J., Roden, M.S. y Carpenter, G.L., Diseo Electrnico:

Sedra, A.S., Smith K.C., Microelectronic Circuits, Oxford

Senner, Adolf, Principios de Electronica, Edit. Revert S.A.

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