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Amplificador de Audio de Potencia
Amplificador de Audio de Potencia
ELECTRNICA II
17 DE NOVIEMBRE DE 2015
INTRODUCCIN
Con lo visto en el curso se disea un amplificador de potencia orientado a la
aplicacin de audio, as mismo con lo visto en todo el curso y con las distintas
clases de amplificadores de potencia, se disear el amplificador clase AB, con
sus respectivas etapas.
MARCO TERICO
Amplificador de potencia (audio): La funcin del amplificador es aumentar
el nivel de una seal, incrementando para ello la amplitud de la seal de entrada
mediante corrientes de polarizacin (voltaje negativo, voltaje positivo) en
el transistor de salida.
Sonido: El odo humano es sensible nicamente a aquellas ondas sonoras cuya
frecuencia est comprendida entre los 20 Hz y los 20 KHz, lo que se denomina
espectro audible. Los sonidos inferiores a 20 Hz se llaman infrasonidos y a los
que estn por encima de 20 KHz se les llama ultrasonidos. Este espectro vara
segn cada persona y se altera con la edad. Los sonidos graves van desde 20 a
300 Hz, los medios de 300 a 2 KHz y los agudos de 2 hasta 20 KHz.
Estructura de una etapa amplificadora
La etapa de potencia es la encargada de suministrar la potencia a los altavoces al
ritmo de la seal de entrada. Los altavoces son los que transforman la potencia
elctrica en potencia acstica. La estructura global de una etapa de potencia es la
siguiente (Por amplificador o etapa de potencia se entiende todo el conjunto
exceptuando el altavoz de la derecha):
= ( )
Donde:
Tj= Temperatura mxima de la unin del elemento semiconductor.
Ta=temperatura del ambiente.
P= potencia consumida por el componente.
Rth t = resistencia trmica total entre el elemento y el ambiente.
( + )
Por regla general, Rth c-d se puede tomar entre 0.5 y 1C/W siempre y cuando la
unin que se haga entre el componente y el disipador sea directa (sin mica
aislante) y con silicona termo-conductora. Si esta unin se efecta con mica y sin
silicona estaremos hablando de resistencias trmicas de contacto entre 1 y
2C/W. Si necesitamos usar mica para aislar tambin podemos aplicar silicona
termo-conductora, en cuyo caso la resistencia estara comprendida entre 1 y
1.5C/W.
VL
VL2
Resulta que PL
IL
RL
RL
VL representa valor eficaz. Al estar el amplificador con alimentacin
simtrica, la Vmx en la carga es Vcc. Entonces:
VL
V max Vcc
2
Vcc 2
y despejando Vcc se
2RL
Vcc 2 30 8 23v
La fuente de alimentacin a usar es de (+/- 23v).
La corriente mxima que suministra cada fuente es: Ic
Vcc 22
2.75A
RL 8
2. Transistores de potencia:
Los transistores Q5 y Q6
datasheet)
PR 9 R I 2 0.47(2.75)2 3.55w
Entonces R9 y R11 son resistencias de 0.47 y con capacidad de
disipacin superior a 3.55w.
4. Transistores Q3 y Q4
Q4 transistor (NPN) configurado en Darlington junto a Q6. Donde Q3 es
un transistor PNP en configuracin Darlington complementario junto con
Q5.
Entonces Q4 y Q5 equivaldran a un transistor NPN de: 1 2 y de
igual manera Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de 1 2 . En
donde los transistores de potencia tiene un de 40 (Tip 41c), mientras
que para los otros transistores se elige un transistor de aproximadamente
R8
4120
I
5mA
6. Calculo de C4
Este condensador est garantizando la unin de los transistores en la
transmisin de la seal alterna. El clculo se hace aproximado, ya que no
es crtico su clculo exacto. Donde rd
C4
25mv
25mV
5 . Entonces:
5mA
1
1
530uF
2 fl (3 rd ) 2 20hz (3 5)
7. Diodos D1, D2 y D3
Para este caso como la corriente que circula es pequea 5mA. Se usa
cualquier referencia de Diodos de velocidad rpida 1N4148
8. Transistores Q1, Q2
Como la corriente es muy pequea se puede usar transistores de tensin y
corriente reducida, transistor escogido NPN 2N2222 (con 100 )
9. R5, R6 y R7
R5: Se calcula para una corriente superior a la de la base de Q2
Ib 2
Ic 2 5mA
0.05mA
2 100
R5
2.9k
Ic
1mA
R6
41.1v
41100
1mA
R7
Vcc 2.2v
440
Ic 5mA
10. R3 y R4
Se toma una corriente de colector de 10mA, un punto de funcionamiento
para la clase A y una tensin de 1.2v, con estos datos se proceden a calcular
las resistencias
R3
Ve 1.2v
220
Ic 10mA
44
R l'
Re
Rl'=Rc=880
Entonces re
880
20
44
Vc Ve Vce Ve
Vcc
2
1.2
23
13.2v
2
R3
880
Ic
10mA
R1
2.9
Vcc Vb1 22v 2.9v
2900 Y R 2
19100
1mA
Io
1mA
1
2 fl Ze
1
8uF 10uF
2 20hz (1092)
1
1
2.3uF 10uF
2 fl (R 4 Ze 2) 2 20hz (880 2553)
C9: Como es de desacople se escoge un valor muy grande para este caso
100uF, en este caso solo se toma el criterio de realimentacin
14. Clculo de disipadores
Para el caso del TIP 31 a 30W y con temperatura ambiente de 25C.
Entonces:
T T 150 C 75 C
RTHJ C = j C
2.5 C /W
PD
30W
Donde se toma: RTHC D 1 C /W . Ahora en la frmula para saber si
tenemos que usar disipador reemplazamos.
RTH d amb
RTH d amb
Tj Ta
RTH J C RTH C d
p
100 c 25 c
2.5 c / W 1 c / W 1 c / W
30w
Se puede ver que la frecuencia inferior de corte est por debajo de los 20Hz, lo
cual es bueno para un amplificador de audio.
Se puede ver que la frecuencia superior de corte est por encima de 1MHz, lo cual
es bueno para un amplificador de audio y el FT mayor a 10MHz.
ANLISIS ESPECTRAL
ANALISIS
En el diseo de este amplificador se pens en uno de los factores ms importantes
como el intentar abarcar el espectro audible (20Hz 20kHz), as mismo, los
requisitos que debe cumplir es poder dar una potencia mayor o igual a 20W, es
importante a la hora de realizar un diseo, calcular un incremento de esta
potencia, como bien se sabe, la potencia se disminuye por efectos de prdidas en
materiales, sin embargo al conocer esto se us la potencia de 30w, en el diseo,
www.learnabout-electronics.org/Amplifiers/amplifiers55.php
Apuntes de Clase