Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Electrónica Básica - Volumen II - Semiconductores
Electrónica Básica - Volumen II - Semiconductores
SEMICODUCTORES
Los dispositivos de estado slido son elementos pequeos pero verstiles que pueden
ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos electrnicos. Al igual
que otros dispositivos electrnicos, son capaces de controlar casi instantneamente el
movimiento de cargas elctricas.
Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores, conmutadores,
mezcladores, moduladores, etc.
Su peso y tamao son reducidos, son de construccin slida y muy resistente
mecnicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar de manera
que sean inmunes a severas condiciones ambientales.
Materiales semiconductores
Los dispositivos de estado slido hacen uso de la circulacin de corriente en un cuerpo
slido.
En general todos los materiales pueden clasificarse en tres categoras principales:
conductores
semiconductores
aisladores
01
3er Capa
cleo
1er Capa
Fig.1 Atomo de Aluminio
Nmero atmico
13
Peso atmico = 27
La teora electrnica explica que los tomos de todos los elementos estn constituidos de
forma similar a la del aluminio:
un ncleo formado por protones y neutrones y girando alrededor de l, distribuidos
en capas y cada uno en su rbita, (esta de forma elptica), un nmero de electrones
igual al nmero de protones.
Por ser la carga elctrica de los ELECTROES EGATIVA y la de los PROTOES
POSITIVA y adems contar el tomo con la misma cantidad de cada uno de ellos, estas
cargas se compensan entre s dando como resultado un estado de carga elctrica neutra
en el tomo.
Por estar la materia formada por tomos, tambin es neutra en su estado normal, es
decir est equilibrada elctricamente.
02
Electrones Libres
Si fuera posible observar un grupo de tomos que conforman una molcula de aluminio, se
vera que los electrones situados en la capa ms externa (cantidad = 3) y que estn
dbilmente ligados al ncleo, no permanecen constantemente en el mismo tomo, sino que
errticamente algunos de ellos saltan de tomo a tomo, por esta razn se los denomina
Electrones Libres.
La razn de la dbil ligazn de estos electrones con el ncleo se debe a que la tercera capa a
la que pertenecen no se encuentra completa, es decir tiene un dficit de electrones. Esta es
una caracterstica propia de los materiales coductores.
2da Capa
6P
6
29 P
35
1er Capa
2da Capa
Fig. 2 Atomo de carbono (C)
Peso atmico = 12
mero atmico = 6
1er Capa
4ta Capa
1er Capa
-
03
En las pginas anteriores se vio que los tomos de todos los elementos estn constituidos
por un ncleo (formado por protones y neutrones) y una cantidad de electrones igual a la de
los protones, dispuestos en capas u rbitas.
Cada capa puede contener una mxima cantidad de electrones, este mximo nmero
de electrones puede determinarse utilizando el siguiente clculo:
Mxima cantidad de electrones por capa = 2 n2
Siendo n el nmero de capa, contando a partir del ncleo, para la que se desea
conocer la mxima cantidad de electrones que puede contener.
Capa Designacin Mxima cant. de electrones
1ra
K
2 x 12 = 2
2da
L
2 x 22 = 8
ra
3
M
2 x 32 = 18
4ta
N
2 x 42 = 32
ta
5
O
2 x 52 = 50
6ta
P
No conocida
ma
7
Q
No conocida
Como se ha descripto, los electrones en un tomo se sitan en sucesivas capas a partir del
ncleo:
o puede formarse una nueva capa hasta que la anterior no haya completado la
cantidad de electrones que le corresponde. Un tomo es estable, o sea que no se
combina qumica ni elctricamente con otros tomos cuando su capa exterior se
encuentra completa.
Los electrones de la capa exterior son los que pueden combinarse qumica o
elctricamente con los electrones de otros tomos, estos electrones son denominados
ELECTROES de VALECIA.
Cuando la capa exterior de un tomo contiene 8 electrones, el tomo se mantiene muy
estable y no presenta tendencia a perder ni ganar ningn electrn. Por esta razn ningn
tomo contiene ms de 8 electrones en su capa exterior.
Por ejemplo, la capa (cuarta capa) puede contener un mximo de 32 electrones, pero si
esta capa constituye la capa exterior del tomo en cuestin no contendr ms que 8
electrones.
Ejemplos tpicos son algunos gases denominados nobles:
Argn Atmico: 10
1er Capa 2 electrones
2da Capa 8 electrones
04
Kriptn Atmico: 36
1er Capa 2 electrones
2da Capa 8 electrones
3er Capa 8 electrones
en Atmico: 36
1er Capa 2 electrones
2da Capa 8 electrones
3er Capa 18 electrones
4ta Capa - 8 electrones
En los gases descriptos, as como tambin lo son el Radn y el Xenn, sus tomos por su
estabilidad no tienden a combinarse con ningn otro elemento y ni siquiera entre s para
formar molculas.
Formacin de una molcula de un mismo elemento
+9
+9
-
Atomo de Fluor
Atomo de Fluor
+9
+9
Electrones covalentes
Fig. 4 - Al compartir un electrn de su capa exterior dos tomos de Fluor forman una
molcula de Fluor (F2).
2
+11
+9
Atomo de Sodio
(a)
Atomo de Fluor
(F)
+11
+9
06
En la Fig. 5 se muestra como se combinan los tomos de dos elementos diferentes para
formar una molcula de un compuesto, permitiendo comprender la mayor parte de las
reacciones qumicas.
El 1 es un tomo de Sodio, en el centro se muestra el ncleo con 11 cargas positivas
(11 protones) que equilibran sus 11 cargas negativas (11 electrones). Observemos como
estn dispuestos estos electrones en las 3 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa
completa), 8 en la segunda capa (capa completa), 1 en la tercer capa (capa incompleta,
deberan ser 8 por ser la capa externa). Al estar este undcimo electrn solo en la capa
externa, el tomo de Sodio estar muy dispuesto a perderlo.
El 2 es un tomo de Fluor, este muestra 9 cargas positivas en su ncleo (9 protones)
que equilibran sus 9 cargas negativas (9 electrones). Observemos como estn dispuestos
estos electrones en las 2 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 7 en la
segunda capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al faltarle un
electrn para completar esta ltima capa, el tomo de Fluor est muy dispuesto para ganar
un electrn y completarla.
Es evidente que si se colocan juntos un tomo de Sodio y uno de Fluor, el electrn
libre de la capa externa del tomo de Sodio saltar a ocupar el lugar libre de la ltima
capa del tomo de Fluor, dando como resultado esta combinacin un elemento
compuesto denominado Fluoruro de Sodio.
Veamos ahora que los tomos de ambos elementos, 3 y 4, han quedado con una
conformacin muy similar, la gran diferencia es que se han convertido en iones, ion
positivo de Sodio (anin) e ion negativo de Fluor (catin). En ambos ya las cargas
positivas del ncleo no compensan las cargas negativas de los electrones, en el tomo
de Sodio tenemos 11 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo
ya no es neutro elctricamente, presenta una carga positiva. En el tomo de Fluor
tenemos 9 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es
neutro elctricamente, presenta una carga negativa.
Las partculas de cargas distintas se atraen mutuamente y eso explica por qu se
mantienen juntos los dos iones de Sodio y Fluor formando una molcula de Fluoruro
de Sodio.
07
Los tomos de Silicio o de Germanio, ligados entre s de esta forma, conforman una red de
cubos denominados cristales elementales que comparten los cuatro electrones de los
vrtices comunes, dando lugar a la formacin del cristal de Silicio o de Germanio.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
La estructura tal como se observa en Fig. 6 no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo,
por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras
covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, seria
necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material.
Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste
en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura
atmica diferente.
Mediante el agregado de cantidades muy pequeas de otros elementos, llamados
Impurezas, es posible modificar y controlar las propiedades elctricas bsicas de
los materiales semiconductores. La relacin entre Impurezas y material
semiconductor es del orden de una parte en diez millones.
08
Si
Si
Atomo de impureza
(Arsnico: As)
As
Si
Electrn excedente
Si
Arsnico: 33 electrones
1er capa : 2 electrones
2da capa : 8 electrones
3ra capa : 18 electrones
4ta capa : 5 electrones
Los elementos de impureza ms utilizados que se agregan a los cristales de silicio para
proveer los electrones excedentes incluyen al Fsforo (P), el Arsnico (As) y el
Antimonio (Sb).
Cuando se agregan al silicio estos elementos, el material resultante es denominado
Tipo debido a que los electrones libres excedentes tienen carga negativa. Debe
hacerse notar, sin embargo, que la carga negativa de estos electrones se equilibra con
una carga positiva equivalente situada en el ncleo de los tomos de impureza, por lo
tanto el material sigue siendo neutro elctricamente.
Se produce un efecto diferente cuando en la estructura cristalina del silicio se introduce
impurezas cuyos tomos tienen un electrn de valencia menos en su capa exterior (3
electrones) que el tomo de silicio (4 electrones).
09
Aunque todos los electrones de valencia del tomo de impureza forman ligaduras
covalentes con los electrones de los tomos vecinos del semiconductor, una de las ligaduras
de la estructura cristalina no puede completarse debido a que al tomo de impureza le falta
un electrn de valencia en su capa externa con respecto a los que poseen los tomos del
semiconductor. Como consecuencia de ello aparece en la estructura reticular del cristal un
vaco denominado Laguna (Fig. 8).
Si
Si
Atomo de impureza
(Boro: B)
Si
Si
Boro : 5 electrones
1er capa: 2 electrones
2da capa: 3 electrones
10
Junturas P -
Cuando se unen dos pastillas de materiales semiconductores, una Tipo y otra Tipo P, tal
como se muestra en la Fig. 9, se produce un fenmeno singular pero muy importante en la
zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada Juntura P-.
Material tipo P
Material tipo
Lagunas excedentes
(dficit de electrones)
Material tipo P
Electrones excedentes
(exceso de electrones)
Material tipo
B
Fig. 9
Cuando se forma una juntura P-, algunos de los electrones libres del material Tipo se
difunden a travs de la juntura hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de
este material. Estos electrones al abandonar el material dejan huecos o lagunas en l, de
modo que si observamos la Fig. 9 B se podra interpretar que los electrones se mueven
del material al P y las lagunas del P al . La energa trmica es la que produce esta
llamada Corriente de Difusin.
Como resultado del proceso de difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs
de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de potencial puede representarse, tal
como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a travs de la juntura
P-N.
P
-
+N
Fig. 10
El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos internos de
la juntura, el potencial que representa por supuesto no es mensurable directamente.
Esta diferencia de potencial forma una barrera denominada Barrera de Energa la cual
impide que se sigan difundiendo electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del
material Tipo que tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por
la carga negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material Tipo
P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo . Esta diferencia de
potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin total entre los dos tipos
de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas.
11
--
++
B
Fig. 11
12
Una juntura P- alimentada por una batera externa tal como se muestra en la Fig.
11 B, se dice que est Polarizada Directamente.
Intensidad de corriente
directa(mA)
Polarizacin inversa
Tensin de Zener (avalancha)
Volts
mV
100
600 mV
Polarizacin directa
Intensidad de corriente
inversa (
A)
Fig. 12 - Curva caracterstica Tensin de Polarizacin vs. Corriente de una juntura P-
13
Diodos
El dispositivo de estado slido ms simple es el Diodo, el cual se representa por el smbolo
mostrado en la Fig. 13.
Material tipo
Material tipo P
Sentido de circulacin de la
corriente a travs del diodo
Ctodo (K)
Anodo (A)
Fig. 13 - Diodo
14
Fig. 14
Como se puede apreciar en la Fig. 14, la C.C. rectificada obtenida, es una C.C. pulsante con
un rizado o ripple muy grande. Este puede ser suavizado colocando un condensador en
paralelo con la carga RL. Este condensador es denominado comnmente condensador de
filtro. (Fig. 15)
Fig. 15
15
Fig. 16
16
Fig. 17
17
Fig. 18
La frecuencia de la componente de C.A. de rizado, es el doble de la frecuencia de la
C.A. de alimentacin. Es este caso la frecuencia de la C.A. de alimentacin es de 50
Hz, por lo tanto la frecuencia de la C.A. de rizado es de 100 Hz.
Como en el caso del rectificador de media onda, la amplitud de la C.A. de rizado es
dependiente de la capacidad del condensador C.
En ambas fuentes de rectificacin de onda completa presentadas (Figs. 17 y 18), el filtrado
realizado por el condensador C es un filtrado muy rudimentario, pero eficaz en muchos
casos, especialmente para alimentar etapas de alto nivel, donde los valores de zumbido (100
Hz) no son importantes para el desempeo global del sistema.
Se puede realizar un clculo simple pero muy aproximado del valor de capacidad del
capacitor C en cada caso.
Se debe tener en cuenta la mxima intensidad de corriente que se demandar a la fuente y
cual es la mxima tensin de rizado que se desea permitir. Con estos datos se calcula el
valor de C con la siguiente ecuacin:
18
19
R1
R1
R2
R2
R1
R2
Fig. 18
20
Existe una muy amplia variedad de Diodos Zener, con tensiones de enclavamiento que van
desde por ejemplo 2,4V; 2,7V; 3,0V; 3,7V; .hasta centenas de Volt y dentro de esas
tensiones los hay para distintas potencias, desde watt hasta 50 watt o ms.
La potencia se determina como primera aproximacin, multiplicando la tensin de
enclavamiento por la mxima intensidad de corriente a circular por el diodo. No olvidemos
que la potencia es:
W=VxI
21
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Smbolo esquemtico
El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo: en cambio el diodo
normal no presenta esa curva en las puntas:
Voltaje zener: el diodo est polarizado en forma inversa, obsrvese que la corriente tiene un
valor casi nulo mientras que el voltaje se incrementa rpidamente, en este ejemplo fue con
17 voltios.
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en
sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de
tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la
corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo,
generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un
amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello,
este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y
como el mostrado en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en
la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la
tensin de entrada VS.
22
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su
valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros
clculos.
Donde:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los generadores de
ruido y puentes de ruido.
23
Recopilado de:
RCA MANUAL PARA PROYECTISTAS
Circuitos de Potencia de Estado Slido
24
Smbolo de diodo
K
K= ctodo
A
A= nodo
A
Banda de identificacin
del ctodo
Ctodo a la carcaza
Anodo a la carcaza
Anodo
Banda de identificacin
del ctodo
Ctodo
Una comprobacin rpida del estado de un diodo puede ser realizada por medio de un
multmetro digital que posea la funcin Medicin de Diodos.
25
. 578
Anodo
Ctodo
1.
Anodo
Ctodo
En las Fig.1 y Fig.2 se puede apreciar como utilizar un multmetro digital que contenga la
funcin medicin de diodos.
Se ha seleccionado por medio de la llave selectora la funcin Medicin de Diodos, luego se
ha conectado la punta positiva del multmetro al ANODO del diodo y la negativa al
CATODO (Fig.1).
Al ser conectadas las puntas de esta forma, el diodo queda polarizado correctamente
para conducir, por tener aplicado el polo positivo de la fuente interna del multmetro
al AODO y el negativo de dicha fuente al CATODO.
o olvidar que para que un diodo conduzca su AODO debe ser ms positivo que el
CATODO. En un diodo de SILICIO (que son los que se estn tratando) la diferencia
de potencial AODO/CATODO para plena conduccin debe ser de 0,6 volts.
26
Todo diodo que al ser comprobado utilizando este sistema arroje un valor de
tensin comprendido entre 0,5 y 0,7 volts, puede ser considerado en buen estado
por lo que hace al estado de su juntura al ser polarizada en el sentido directo o de
conduccin.
Se observa en la Fig.2 que se han invertido las conexiones de las puntas del
multmetro, o sea que la punta positiva se ha conectado al CATODO y la negativa al
AODO. Ahora la juntura del diodo ha sido polarizada inversamente, por lo tanto el
diodo no conduce y en el display no se presenta ninguna lectura vlida.
En el caso del multmetro utilizado en el ejemplo, el display presenta en este caso la
lectura 1., en otros se presenta OL., etc.
Si alguna tensin es medida, por ejemplo 1,6 volts o 2,5 volts, no cabe ninguna
duda que el diodo testeado tiene fugas muy importantes en el sentido inverso de
27
28
29
Al conectar las puntas del multmetro como se indica, observe que el diodo ha quedado
polarizado inversamente, por lo tanto no deberia conducir. En la prctica no es as, pero
cuanto ms alta sea la resistencia medida, ms seguro se puede estar de las buenas con
diciones del componente bajo prueba.
Los diodos de silicio muestran elevada resistencia de fuga que puede llegar hasta
1000 megohms. Un valor normal en diodos de potencia para alternadores de
automotores en buen estado es de 10 a 20 megohms.
30
El colector, que capta la mayora de los portadores de carga emitidos por el emisor.
TRASISTOR P
TRASISTOR PP
Fig. 19
31
Fig. 20
(Fig.21)
Aplicamos ahora un voltaje E2 (de mayor nivel que E1) entre el emisor y el colector. (Fig.
Las corrientes que fluyen a travs de los tres terminales de transistor son denominados:
IB = Corriente de Base
IE = Corriente de Emisor
IC = Corriente de Colector
32
Para un transistor PNP la polaridad de las fuentes debe ser invertida, pero su
funcionamiento es igual al NPN. (Fig. 22).
Decamos anteriormente que a lo sumo un 5% de los electrones que circulan por el emisor
llegan a circular por la base, la relacin:
La flecha del emisor indica la direccin de circulacin de la corriente cuando el transistor est
funcionando. Tenga en cuenta que esta indicacin obedece a la circulacin de corriente teniendo en
cuenta el sentido convencional (no electrnico), o sea de Positivo a negativo.
33
En la Fig. 24A se plantea un transistor NPN al que se polariza su Base con respecto al
Emisor por medio de una fuente VB-E cuya tensin es ajustable entre 0V y 1,5V. El
Colector se alimenta a travs de una resistencia de 1 Kohm, con una fuente fija VCC de
10V, conectada entre Colector y Emisor.
En la Fig. 24B vemos como vara la corriente de base IB, en funcin de la tensin de
polarizacin directa del diodo B-E.
Veamos como vara la corriente de colector IC, en funcin de la variacin de la corriente de
base IB.
Como se vio en la pgina anterior, para que exista una corriente a travs del colector, debe
estar circulando corriente entre emisor y base, producto esta corriente del nivel de la
tensin de polarizacin B-E. Recordemos como se relacionan ambas corrientes:
34
Asumiendo que:
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la que la corriente de base es de 100A, punto
en el que el transistor est saturado, es de:
VBE = 0,7 V; para IB = 100 A; VC = 0V
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 1A, punto en
que el transistor comienza a salir del corte, es de:
VBE = 0,5V; para IB = 1A; VC = 10V
La tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 50A, punto
en el que la corriente de colector es de 5mA, por lo que la tensin en el nodo VC = 5V, es
de:
VBE = 0,6V; para IB = 50A; VC = 5V
De lo anteriormente desarrollado se desprende que:
Cuando VBE sea menor que 0,6V, VC ser mayor que 5V.
Cuando VBE sea mayor que 0,6V, VC ser menor que 5V.
Cuando VBE vara, VC tambin vara. pero en sentido contrario. (Fig. 26)
35
36
En la prctica, debido a que los transistores no son componentes tan lineales como se los
consider tericamente para la descripcin de su funcionamiento, la polarizacin de base
VBE, y el valor de la resistencia de carga RL, son elegidos tomando en cuenta distintos
parmetros del transistor seleccionado, de modo que este trabaje en su zona ms lineal, con
el fin que la seal de salida sea lo menos distorsionada posible con respecto a la seal de
entrada. Estos parmetros se obtienen de las hojas de datos del transistor.
Hasta ahora se utilizaron dos fuentes de C.C. distintas. Una de ellas para
obtener la tensin de polarizacin base-emisor (VBE) deseada y la otra
para establecer la tensin de alimentacin emisor-colector (VCC).
En la prctica una sola fuente es utilizada.
En la Fig. 28 se muestra como esta disposicin es lograda. La tensin de polarizacin baseemisor se obtiene de la fuente por medio de un divisor de tensin formado por las
resistencias RA y RB. Los valores de estas resistencias se eligen de modo que la intensidad
de corriente circulante por el divisor, sea por lo menos 10 veces mayor que la corriente de
base del transistor, de este modo, esta corriente que tambin circula por RA, no influye
sobre la cada de tensin que se produce sobre esta resistencia, puesto que IB es muy
pequea con respecto a la impuesta por el divisor IAB.
37
A esta etapa amplificadora en Clase A, se le aplica ahora una seal de corriente alternada
proveniente de un generador externo. Observe que esta seal es aplicad a travs de un
condensador, denominado de acoplamiento. El condensador evita que la resistencia de
salida del generador (en realidad es impedancia de salida), despolarice la base del transistor
por estar en paralelo con la resistencia de 720 del divisor de tensin de polarizacin de
base (Fig. 30).
38
Fig. 31
39
Fig. 33
40
En la Fig. 34 se tiene la etapa planteada en la Fig. 33, pero a la que se le ha aplicado ahora
una seal de C.A. proveniente de un generador externo. Las Seales de Entrada y Salida
son mostradas tal como se ven en la pantalla de un osciloscopio (Fig. 35).
Fig. 35
41
Observe que la seal amplificada por los circuitos planteados en las Figs. 30 y 34
presenta una distorsin importante del hemiciclo negativo. Esto se debe a que en ambas
etapas se busco la mxima amplificacin de la seal de entrada y la distorsin se produce
por la no linealidad del diodo base-emisor
En la prctica, cuando se disean etapas amplificadoras, se da prioridad a la
deformacin (distorsin) que introduce la etapa en la seal amplificada con respecto a la
seal a amplificar, buscando que esta sea lo mnima posible sacrificando si es necesario,
nivel de amplificacin.
Fig. 36
42
Fig. 37
Observe que las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase, esto es debido a que
al existir dos etapas se produce una doble inversin de la seal de entrada.
43
La Seal de Entrada, en este tipo de circuito, se aplica al Emisor mientras la Seal de Salida
amplificada se obtiene, como en el caso anterior, del Colector.
En la Fig. 38 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 39 vemos las
seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.
Fig. 38
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
20 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
5 Vpp
Ganancia = 5 Vpp / 0,02 Vpp = 250
Fig. 39
La base del transistor est puesta a masa para la corriente alternada de la seal a travs del
condensador de 100F, de ah que esta configuracin reciba el nombre de Base Comn.
44
En la Fig. 40 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 41 vemos las
seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.
Fig. 40
45
Fig. 41
En este ltimo tipo de configuracin, la Seal de Entrada que se desea amplificar se aplica
a la Base del transistor.
La Seal de Salida se obtiene a travs del Emisor.
El Colector se encuentra a masa para la corriente alternada pues est directamente
conectado al positivo de la fuente de alimentacin. De ah que reciba el nombre de Colector
Comn.
Este montaje presenta una Resistencia de Entrada muy alta, comprendida entre 50K y
500K, mientras que la Impedancia de Salida es muy baja, entre 10 y 100.
La amplificacin de corriente es media, entre 10 y 100.
La amplificacin de tensin es menor que la unidad.
Su ganancia en potencia est comprendida entre 10 y 100.
No presenta ningn defasaje entre las seales de Entrada y Salida.
Gracias a las Impedancias de Entrada y Salida de este tipo de etapa, es que es muy utilizado
como Adaptador de Impedancias. Adapta muy bien etapas de Alta Impedancia de Salida
con etapas de Baja Impedancia de Entrada.
El transistor en conmutacin
46
Fig. 44
47
CHA
CHB
48
Tiempos de conmutacin
Observando la Fig.45, podemos ver como a su vez estos tiempos se subdividen en otros
dos:
tOFF-O = td + tr
tO-OFF = ts + tf
td Delay Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que transcurre desde
que aparece la seal en la base, Vs, hasta que la tensin de colector, VC, cae al 90% de la
tensin de fuente, VCC.
tr Rise Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que tarda en caer la
tensin de colector, VC, desde el 90% al 10% de la tensin de fuente, VCC.
ts Storage Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo transcurrido entre la
49
50
Multivibrador Astable
Es un circuito como el de la Fig. 46, capaz de generar por si mismo una Seal Cuadrada.
Como se puede observar, el circuito es totalmente simtrico y est construido en base a dos
transistores. Recibe el nombre de Astable porque ninguno de los estados del transistor
(corte o saturacin) es estable, es decir, est continuamente cambiando de corte a saturacin
y viceversa.
Fig. 46
Fig. 47
51
Amplificador en Clase B
Si en el circuito bsico de un amplificador en Clase A que se planteo inicialmente, Fig. 28;
Pg. 35, se elimina la resistencia RA que forma parte del divisor de tensin que polariza la
base del transistor, se tiene un Amplificador Polarizado en Clase B. (Fig. 42)
Fig. 42
Fig. 43
52
Fig. 44
Como se puede apreciar en las Figs. 43 y 44 que muestran la pantalla del osciloscopio, el
transistor en estas condiciones, al tener la base al mismo potencial que el emisor, recin
comienza a conducir cuando el nivel de la seal aplicada en base supera la barrera de
potencial del diodo base-emisor, es decir alrededor de los 600 mVp (tensin de pico de la
seal) y solamente logra amplificar parte del hemiciclo positivo.
Fig. 45
53
Fig. 46
TRASISTORES MOSFET
Las siglas MOSFET vienen de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitor, que
significa Transistor Semiconductor de Efecto de Campo con Oxido de Metal.
En la actualidad se ha conseguido abaratar la fabricacin de este tipo de transistores
unipolares, por lo que estn siendo utilizados para sustituir a los tiristores. La razn
fundamental de este cambio es que se controlan por tensin y no hacen falta los circuitos de
bloqueo adicionales que utilizan los tiristores.
SIMBOLOGIA Y TERMINALES (CONEXIONES)
Este tipo de transistores unipolares est fabricado con una barra principal semiconductora
de tipo P o N, y dos zonas transversales de semiconductor de tipo contrario al de la barra
principal. Pero con la diferencia con respecto a los JFET de que la capa superior es de
material dielctrico (aislante) y asla el terminal de compuerta (G) del resto del
componente.
54
Con esta peculiar forma de fabricacin se consigue crear un campo elctrico entre el
terminal de puerta y el material dielctrico; esto, elctricamente, equivale a que haya un
condensador entre estas dos partes, lo que provoca que la corriente por el terminal de puerta
sea cero.
Smbolos electrnicos de los transistores
MOSFET
G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador o drenaje.
S: terminal de surtidor o fuente.
tienen tres terminales: compuerta, drenador y surtidor.
Dependiendo de si la barra central del componente es de un tipo u otro de semiconductor,
existen dos tipos de transistores MOSFET: de canal P o de canal N.
Sus respectivos smbolos se diferencian entre ellos en que la flecha pintada sobre el
terminal del surtidor tiene sentido contrario.
Estos dos tipos se diferencian en que todos los sentidos de corriente y tensin definidos en
un MOSFET de tipo N, son de sentido contrario en uno de tipo P.
Signos de tensiones y corrientes de un MOSFET de canal N
Ig: intensidad por la puerta.
Vgs: tensin puerta-fuente.
Id: intensidad por el drenaje.
Vds: tensin drenador-surtidor.
Is: intensidad por el surtidor o fuente.
El ancho del puente depende del nivel de la tensin aplicada a la compuerta (Vg). La
variacin de esta tensin es la que permite regular la intensidad de corriente circulante a
travs del semiconductor
55
CURVAS CARACTERSTICAS
Se utilizan dos curvas caractersticas: la de entrada y la de salida.
La curva caracterstica de entrada relaciona la corriente que circula por el drenador (Id) con
la tensin entre la puerta y el surtidor (Vgs).
Curva caracterstica de entrada de un transistor
MOSFET.
Id: intensidad por el drenador.
Vgs: tensin compuerta-surtidor.
Vt: tensin umbral.
En este caso el valor de tensin que identifica el lmite en el cual se pasa de conduccin a
corte se llama tensin umbral (Vt). Si Vgs es mayor que este valor, el transistor MOSFET
est conduciendo; mientras que si es menor no conduce.
La curva caracterstica de salida relaciona la intensidad por el drenador (Id) con la tensin
existente entre los terminales del drenador y el surtidor (Vds).
Curva caracterstica de salida de un transistor
MOSFET
Id: intensidad de drenador.
Vds: tensin drenador-surtidor.
Idss: intensidad de drenador mxima
aprovechable.
Vgs: tensin compuerta-surtidor.
Vt: tensin umbral.
BVds: tensin drenador-surtidor mxima
aprovechable
En esta curva, cada lnea continua referencia un valor de tensin entre la puerta y el surtidor
(Vgs) distinto. (Vgs1 < Vgs2 < Vgs3 < Vgs4)
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Los transistores MOSFET tienen cuatro zonas de funcionamiento.
56
ZONA DE CORTE
El transistor MOSFET equivale elctricamente a un circuito abierto entre los terminales del
drenador y el surtidor. Se comporta como un interruptor desconectado, situado entre los dos
terminales.
ZONA OHMICA
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y el surtidor.
El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la puerta
y el surtidor (Vgs).
ZONA DE SATURACION
El transistor entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre el drenador y el
surtidor (Vds) supera un valor fijo denominado tensin drenador-surtidor de saturacin
(Vdssat); este valor viene determinado en las hojas caractersticas proporcionadas por el
fabricante.
En esta zona el MOSFET mantiene constante su corriente por el drenador (Id),
independientemente del valor de tensin que halla entre el drenador y el surtidor (Vds).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor Id.
ZONA DE RUPTURA
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra ruptura hace
referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del terminal del drenador.
EJEMPLO DE POLARIZACIN DE UN MOSFET
57
Todos estos valores que marcan los lmites de ruptura del transistor unipolar vienen
referenciados en las hojas de caractersticas (DATA-BOOK) proporcionadas por el
fabricante.
Transistores IGBT
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo de compuerta
aislada.
Tiene una estructura interna similar a la de un MOSFET, pero en el lado del drenador
(colector) tiene una juntura P-N, la cual inyecta portadores minoritarios (lagunas) en el
canal cuando el IGBT est en conduccin. De esta manera se reduce significativamente
la disipacin de potencia.
58
Los IGBT constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un hbrido entre los
transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los
ltimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en
conduccin de los primeros.
Con el Mosfet
Compuerta controlada por tensin
La capacidad de entrada debe ser cargada y descargada durante el encendido y
el apagado del transistor.
Peligro de daos en el debido a cargas electroestticas.
Con el bipolar
Tensin de saturacin poco dependiente de la corriente de colector por tener una
resistencia en estado de conduccin (emisor colector) baja, del orden de algunos
miliohm.
Dicha resistencia no se incrementa con la temperatura, por lo tanto tiene bajas
prdidas.
Luego del apagado los portadores minoritarios necesitan un tiempo para la
recombinacin, lo que da como resultado una corriente inversa.
No tiene diodo parsito.
Debido a la capa adicional tipo P, el IGBT tiene en la zona entre el colector y el emisor una
estructura de cuatro capas.
La adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el NPN
inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de
ser activado puede destruir al IGBT, este fenmeno se elimina constructivamente.
Las dos estructuras que existen son:
1) De perforacin (PT punch through)
2) NPT (non punch through)
59
Un solo IGBT puede llegar a manejar hasta 1200V y 400A a una frecuencia de
conmutacin de hasta 20KHz.
Su aplicacin est creciendo rpidamente en potencias intermedias como propulsores de
motores de Corriente Continua y Corriente Alternada, UPS, relay de estado slido, etc.
En automocin se utilizan por ejemplo en PCM, como drivers de bobinas de encendido y
drivers de inyectores. Tambin como drivers de motores de enfriamiento de radiadores.
60