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Texto de Semiconductores Especiales
Texto de Semiconductores Especiales
1.1 SENSORES
Los sensores son dispositivos que captan variaciones de un parmetro de entrada (Luz;
Temperatura; Flujo de Aire; etc.) y lo expresan (salida) como variaciones de otro parmetro
(Resistencia; Capacidad; etc.) que es til al sistema en que se utiliza.
Sensores de Luz
Sensores de Temperatura
Sensores de Movimiento
SENSOR
PARAMETRO
QUE SE CAPTA
PARAMETRO DE OBSERVACIONES
SALIDA
ENTRADA
FOTOCELULA
LUZ
RESISTENCIA
Tambin denominado
fotorresistencia.
TERMISTOR
TEMPERATURA
RESISTENCIA
Los termistores y posiblemente las fotoclulas se presentan en dos tipos, estos son los
siguientes:
Fig. 2 Circuito con Sensor; (a) Circuito; (b) Circ. en Corte; (c) Circ. en Saturacin.
Vcc = I 2 R + 0.2
0.2 = I 2 R 2
3
Vcc = Ic Rc + 0.3
Ic
Ic
b
Las ecuaciones precedentes son un sistema que debe solucionarse para realizar el diseo del
circuito. Como son seis (6) ecuaciones, entonces se debe tener seis incgnitas, por lo tanto,
se debe conocer cuatro de las diez variables que tiene el circuito.
Vcc
Ic
I1
I2
Ib
Rc
R1 R 2 B
De la Ecuacin:
0.2 = I2 R2
Se obtiene:
I2 = 0.2 / R2
De la Ecuacin:
Vcc = I2 R + 0.2
Se obtiene:
R = (Vcc 0.2) / I2
De la Ecuacin:
0.8 = I1 R1
Se obtiene:
I1 = 0.8 / R1
De la Ecuacin:
Vcc = (I1 + Ib) R + 0.8
Se obtiene:
Ib = (Vcc 0.8) / R - I1
La Inecuacin:
Ib >= Ic / B
Se puede convertir en una ecuacin que cumpla con la condicin de mayor igual, para
este circuito se utiliza el factor 2, es decir, que por mayor se reemplaza el valor de 2. Por
tanto.
De la Ecuacin:
Ib = 2 Ic / B
Se obtiene:
Ic = B * Ib / 2
De la Ecuacin:
Vcc = Ic Rc + 0.3
Se obtiene:
Rc = (Vcc 0.3) / Ic
Ejemplo de Diseo:
Datos:
Vcc = 5 v
B = 100
R1 = 40 K
R2 = 2 K
Solucin (diseo):
De la Ecuacin:
0.2 = I2 R2
Se obtiene:
I2 = 0.2 / R2 = 0.2 / 2
I2 = 0.1 (mA)
De la Ecuacin:
Vcc = I2 R + 0.2
Se obtiene:
R = (Vcc 0.2) / I2 = (5 0.2) / 0.1
R = 48 K
Normalizado:
R = 47 K
De la Ecuacin:
0.8 = I1 R1
Se obtiene:
I1 = 0.8 / R1 = 0.8 / 40
I1 = 0.02 (mA)
De la Ecuacin:
Vcc = (I1 + Ib) R + 0.8
Se obtiene:
Ib = (Vcc 0.8) / R - I1 = (5 0.8) / 47 - 0.02
Ib = 0.07 (mA)
De la Ecuacin:
Ib = 2 Ic / B
Se obtiene:
Ic = B * Ib / 2 = 100 * 0.07 / 2
Ic = 3.5 (mA)
De la Ecuacin:
Vcc = Ic Rc + 0.3
Se obtiene:
Rc = (Vcc 0.3) / Ic = (5 0.3) / 3.5
Rc = 1.34 K
Normalizando:
Rc = 1.2 K
Fig.3 Prueba del Circuito; (a) Con R2; (b) Con R1.
Como se observa en los resultados del simulador, se cumple lo calculado en el diseo del
circuito.
1.3
RELES
Los rels son dispositivos de cuatro o ms terminales, que se utilizan en los circuitos,
donde se requiere aislamiento, entre el circuito de control y el circuito controlado, es decir,
entre lo que se denominara los terminales de alimentacin y los terminales de contacto del
Rel. En la Fig.4 se muestra el smbolo del Rel bsico.
a: Terminal de Alimentacin
b: Terminal de Alimentacin
x
x: Terminal de Contacto
y: Terminal de Contacto
z: Terminal de Contacto
Los terminales de alimentacin (terminales de entrada) son los que se utilizan para
proporcionar corriente al dispositivo, estos dispositivos funcionan con un voltaje
determinado por el fabricante. Estos voltajes suelen ser, segn el caso, 6 9 12 15 18
24 48 voltios.
Los reles, si bien tienen un voltaje nominal de funcionamiento, pueden funcionar dentro de
un rango de valores que tienen como punto medio el voltaje nominal. Ejemplo:
Si el valor de voltaje que se aplique al rele es menor a 4,5, es posible que el dispositivo no
funcione, y si se utiliza un valor mayor a 7,5 voltios, se corre el riesgo de que el rele se
queme.
Los terminales de contacto (terminales de salida), son los que se utilizan para realizar el
contacto de dos terminales que pertenecen a otro circuito, que puede ser el circuito que se
controla mediante el rele.
y - x representan un cortocircuito)
y - z representan un cortocircuito)
Esto significa que en ningn caso el terminal y esta libre, es decir, siempre esta conectado
al terminal x al terminal z.
10
1.3.1
Vcc = I 2 R + 0.2
0.2 = I 2 R 2
Ecuaciones para el Estado de Saturacin:
Vcc = Ic Rc + 0.3
Ic
Ic
b
La solucin del sistema de seis ecuaciones, ahora debe tomar en cuenta que los parmetros
del Rele (Vab y Zab), representan datos, por tanto, se deben aadir dos datos ms, estos
11
sern el B del transistor y uno de los valores del sensor, en la mayora de los casos R2,
debido a que este valor es el que se obtiene a la luz ambiente, donde se instalar el sistema.
1.3.2
Datos:
Vcc = Vab = 5 v
B = 100
Rc = 0,5 K
R2 = 1 K
Solucin (diseo):
De la Ecuacin:
0.2 = I2 R2
Se obtiene:
I2 = 0.2 / R2 = 0.2 / 1
I2 = 0.2 (mA)
De la Ecuacin:
Vcc = I2 R + 0.2
Se obtiene:
R = (Vcc 0.2) / I2 = (5 0.2) / 0.2
R = 24 K
Normalizado:
R = 24 K
De la Ecuacin:
Vcc = Ic Rc + 0.3
Se obtiene:
Ic = (Vcc 0.3) / Rc = (5 0.3) / 0.5
12
Ic = 9.4 (mA)
Ic = 9.4 (mA)
De la Ecuacin:
Ic
Ic
b
Ib = 2 Ic / B
Se obtiene:
Ib = 2 * 9.4 / 100
Ib = 0.188 (mA)
De la Ecuacin:
Vcc = (I1 + Ib) R + 0.8
Se obtiene:
I1 = (Vcc 0.8) / R - Ib = (5 0.8) / 24 - 0.188
I1 = - 0.013 (mA)
De la Ecuacin:
0.8 = I1 R1
Se obtiene:
R1 = 0.8 / I1 = 0.8 / (- 0.013)
R1 = - 61 k
Como este valor de resistencia no existe (por ser negativo), entonces se tiene dos opciones:
a)
b)
13
Ic
Ic
b
donde la relacin
exigencia del circuito, se la puede reducir a 1.5 , sin olvidar que el mnimo valor al cual se
puede reducir es a 1 , para cumplir con la inecuacin.
Con este cambio (de 2 por 1.5) se reinicia el diseo del circuito, y se tiene lo siguiente:
De la Ecuacin:
Vcc = I2 R + 0.2
Se obtiene:
14
R = 24 K
De la Ecuacin:
Vcc = Ic Rc + 0.3
Se obtiene:
Ic = (Vcc 0.3) / Rc = (5 0.3) / 0.5
Ic = 9.4 (mA)
Ic = 9.4 (mA)
Valor que no cambia en relacin al diseo anterior.
De la Ecuacin:
Ic
Ic
b
Ib = 1.5 Ic / B
Se obtiene:
Ib = 1.5 * 9.4 / 100
Ib = 0.141 (mA)
Valor que SI cambia en relacin al diseo anterior, es un valor MENOR al anterior.
De la Ecuacin:
Vcc = (I1 + Ib) R + 0.8
Se obtiene:
I1 = (Vcc 0.8) / R - Ib = (5 0.8) / 24 - 0.188
I1 = 0.034 (mA)
Valor que SI cambia en relacin al diseo anterior, este valor ahora es POSITIVO
15
De la Ecuacin:
0.8 = I1 R1
Se obtiene:
R1 = 0.8 / I1 = 0.8 / (0.034)
R1 = 23 k
Valor que SI cambia en relacin al diseo anterior, este valor ahora es FACTIBLE, y
por tanto, el circuito se puede implementar. No se debe olvidar cumplir que R1 > R2.
Fig.4 Prueba del Circuito; (a) Con R2; (b) Con R1.
16
un cambio en el estado del Rele, es decir, que con R2 el Rele esta en reposo (no activo),
debido a que el transistor esta en corte, y con R1 el Rele se activa, debido a que el transistor
se satura y ,por tanto, se tiene voltaje (Vcc) sobre el Rele.
Fig. 5 Ejemplo de Aplicacin del circuito con Sensor Rele Foco: (a) Circuito con
R2; (b) Circuito con R1.
Una aplicacin del circuito analizado y diseado, es el del control de encendido y apagado
de luminarias en forma automtica, este circuito se puede observar en la Fig. 5. Donde se
cumple las siguientes condiciones.
a)
b)
17
c)
d)
Con R2 (con luz, sobre el sensor) el transistor se corta, por tanto, el rele no funciona
y el foco no se enciende.
e)
Con R1 (sin luz, sobre el sensor) el transistor esta en saturacin, por tanto, el rele
funciona y el foco se enciende.
18
2.1
GENERALIDADES
El Transistor de Unijuntura (UJT), como se enuncia es un transistor que presenta una sola
juntura, a diferencia de los transistores bipolares, que tienen, por ejemplo, dos junturas, ya
sea el caso de NPN PNP.
La funcin principal del UJT, es la de generar seales, estas pueden ser del tipo de onda de
sierra un tren de pulsos, este ltimo caso es el que interesa a los circuitos que se analizan
en el texto.
B2
B2
B1
B1
I
(a)
(b)
(c)
Fig. 2.1 Transistor Unijuntura; (a) Smbolo; (b) Circuito Equivalente; (c) Curva
Caracterstica.
19
En la Fig. 2.1a, se observa el smbolo del UJT, donde se presenta los tres terminales del
dispositivo, estos son Emisor ; Base 1 y Base 2, este smbolo ya muestra la diferencia de
este tipo de transistor con los transistores bipolares, puesto que no se tiene el terminal del
colector, es su lugar se presenta otra base.
En la Fig.2.1b, se presenta el circuito equivalente del UJT, este muestra una resistencia
variable entre bases, denominada rbb, esta resistencia suele estar en el siguiente rango de
valores:
4 K rbb 9 K
Este valor depende del punto de trabajo del transistor y de sus caractersticas propias del
mismo. Se debe considerar que la resistencia interbases, es la suma de las resistencias de
cada base, respecto al punto medio, es decir, que se tienen dos resistencias, que son:
Por tanto:
h =
rb 1
rb 1
+ rb
20
En la Fig. 2.1c, se observa la curva caracterstica del UJT, donde se presenta una zona de
trabajo en que la curva tiene una pendiente negativa, esto indica, que a medida que la
corriente aumenta el voltaje disminuye, o viceversa. De este comportamiento es que al UJT,
as como a otros componentes de similar caracterstica, se los denominan dispositivos de
Resistencia Negativa.
Este comportamiento no contradice la Ley de Ohm, donde s aumenta la corriente aumenta
la resistencia, sino que el componente reduce su impedancia, razn por la que en el circuito
equivalente se dibuja un potenciometro entre bases.
Vcc
Ra
Rb
21
Las consideraciones de diseo que se realizan para el anlisis del circuito de la Fig. 2.2, son
las siguientes:
Ra + Rb << rbb
Vcc - Vp
Vcc - Vv
R
Ip
Iv
Donde:
Vcc: Voltaje de Alimentacin del circuito
Vp: Voltaje Pico, se obtiene, de la curva caracterstica del UJT
Vv: Voltaje de Valle, se obtiene, de la curva caracterstica del UJT
Ip: Corriente Pico, se obtiene, de la curva caracterstica del UJT
Iv: Corriente de Valle, se obtiene, de la curva caracterstica del UJT
33 K R 100 K
Este rango de valores para R, permite con un alto grado de seguridad (> 90 %) realizar el
prediseo del circuito, pero, de ninguna manera excluye la posibilidad de utilizar otros
valores que estn fuera del rango, esto significa que, por ejemplo, existen UJT que pueden
funcionar con un valor de R = 5 K, u otros que pueden funcionar con R = 220 K, slo que
como el diseador no conoce la curva caracterstica, entonces corre el riesgo que el UJT
22
que utilice no funcione con esos valores, mientras que si utiliza los valores del rango
propuesto, es prcticamente seguro que el circuito funciona.
En cuanto a los valores de Ra y Rb, estos no representan mayor problema, ya que se puede
utilizar como referencia el mnimo valor de la resistencia interbase, esto significa lo
siguiente:
Ra + Rb << 4 K
Por tanto:
Ra = Rb = 0.2 K
Ra = 0 ; Rb = 0.47 K
Definidas las condiciones bsicas, se procede al anlisis del circuito de la Fig. 2.2.
El transistor de Unijuntura presenta dos opciones de comportamiento, que son las
siguientes:
23
VE - B1 = hVcc + 0.6
En este caso el UJT (funciona), permite el paso de corriente de Emisor a Base 1, adems la
resistencia interbases se reduce notablemente, presentando un valor aproximado a:
Entonces el circuito de la Fig. 2.2 se puede analizar planteando dos circuitos equivalentes,
uno para cada caso del valor de voltaje Emisor Base 1.
Fig. 2.3 Circuitos Equivalentes; (a) Cuando el UJT no funciona; (b) Cuando el UJT
funciona.
24
VE
VB1
T
VB2
NO
SI
NO
SI
NO
SI
La explicacin del como se obtienen las ondas de la Fig. 2.4, se realizar, analizando los
tramos (cuando el UJT no funciona y cuando el UJT funciona), por separado.
25
entonces el anlisis comienza con este estado del transistor, o sea con las seales que la Fig.
2.3a genera.
VOLTAJE EN EMISOR
El circuito de la Fig. 2.3a presenta una red R C alimentada por una tensin de corriente
continua Vcc, por tanto, el voltaje de Emisor, es el mismo que el voltaje sobre el
condensador, que representa la carga del mismo, es por esta razn que en los tramos de NO
funcionamiento del UJT, la seal en Emisor, es la misma que la de la carga del
condensador.
VOLTAJE EN BASE 1
El voltaje en Base 1, se obtiene, por simple divisor de tensin entre las tres resistencias que
se observan en lado derecho de la Fig. 2.3a , es necesario recordar que los valores de las
resistencias Ra y Rb son similares, pero sin embargo la suma de estas es mucho menor que
el valor de la resistencia interbases, rbb. Entonces, por divisor de tensin se establece que
este valor es cercano a cero.
Con la finalidad de aclarar, este anlisis, se realizar un ejemplo numrico, partiendo de los
siguientes valores:
Ejemplo:
Ra = 0.2 K
Rb = 0.2 K
rbb = 5 K
Vcc = 10 v
VRb =
Rb
0.2
Vcc =
10
Rb + rbb + Ra
0.2 + 5 + 0.2
VOLTAJE EN BASE 2
Considerando los mismos criterios, sobre las resistencias, que en el caso del voltaje de Base
1, se deduce que el voltaje en Base 2, es prcticamente el valor de Vcc, ya que es sobre la
resistencia rbb, donde se tiene la mayor cada de voltaje.
Al igual que en el caso anterior, con la finalidad de aclarar, este anlisis, se realizar un
ejemplo numrico, partiendo de los siguientes valores:
Ejemplo:
Ra = 0.2 K
Rb = 0.2 K
rbb = 5 K
Vcc = 10 v
VB 2 =
rbb + Rb
5 + 0.2
Vcc =
10
Rb + rbb + Ra
0.2 + 5 + 0.2
27
VOLTAJE EN EMISOR
El circuito de la Fig. 2.3b presenta una red R C alimentada por una tensin de corriente
continua Vcc, por tanto, el voltaje de Emisor, es el mismo que el voltaje sobre el
condensador, que representa en este caso la descarga del mismo, es por esta razn que en
los tramos de funcionamiento del UJT, la seal en Emisor, es la misma que la de la
descarga del condensador.
VOLTAJE EN BASE 1
El voltaje en Base 1, se obtiene, por simple divisor de tensin entre las tres resistencias
que se observan en lado derecho de la Fig. 2.3b , es necesario recordar que los valores de
las resistencias Ra y Rb son similares, mientras que el valor de la resistencia interbases, rbb,
ahora se reduce a rbb que es un valor mucho menor que el de rbb. Por tanto, el voltaje en
Base 1, se incrementa notablemente, adems este incremento se debe a que el condensador
se descarga a travs de la resistencia Rb.
Con la finalidad de aclarar, este anlisis, se realizar un ejemplo numrico, partiendo de los
siguientes valores:
Ejemplo:
Ra = 0.2 K
Rb = 0.2 K
Vcc = 10 v
VRb =
Rb
0.2
Vcc =
10
Rb + r 'bb + Ra
0.2 + 0.5 + 0.2
VRb = 2.2 v (que es un valor bastante ms alto que el otro tramo, es decir, cuando el UJT no
funcionaba)
28
VOLTAJE EN BASE 2
Considerando los mismos criterios, sobre las resistencias, que en el caso del voltaje de Base
1, se deduce que el voltaje en Base 2, es prcticamente el valor de Vcc, ya que es sobre la
resistencia rbb, donde se tiene la mayor cada de voltaje.
Al igual que en el caso anterior, con la finalidad de aclarar, este anlisis, se realizar un
ejemplo numrico, partiendo de los siguientes valores:
Ejemplo:
Ra = 0.2 K
Rb = 0.2 K
Vcc = 10 v
VB 2 =
rbb + Rb
0.5 + 0.2
Vcc =
10
Rb + rbb + Ra
0.2 + 0.5 + 0.2
VB2 = 7.7 v (que es un valor menor al que se obtena en el otro tramo, es decir, cuando el
UJT no funcionaba)
29
Donde:
T1 : Tiempo de carga del condensador
T2 : Tiempo de descarga del condensador
Sin embargo, analizando la constante de tiempo de cada uno de los casos, es decir, de
cuando no funciona cuando funciona el UJT, se puede establecer los siguientes aspectos:
t = Rx * Cx
donde:
Rx = R
Cx = C
t = Ry * Cy
donde:
Ry = Rb // (rbb + Ra) // R (valor aproximado)
Cy = C
Entonces, como:
Rx >> Ry
T T1
30
Vc = (1 - e
T1
RC
)Vcc
Como el voltaje Vc, es prcticamente el voltaje de Emisor Base 1, del UJT, entonces se
puede igualar esta expresin de Vc a la expresin del voltaje de disparo del UJT, por tanto,
se obtiene la siguiente ecuacin:
hVcc + 0.6 = (1 - e
T1
RC
)Vcc
Vcc
T = RC * ln
Vcc (1 - h ) - 0.6
En muchos circuitos de este tipo, se puede cumplir con:
T RC
1
RC
31
Sin mucho error, y siempre con la posibilidad de realizar ajuste, se puede utilizar estas dos
ecuaciones para el diseo de los circuitos con el transistor de unijuntura.
Vcc = 15 (v);
Ra = Rb = 0.22 K;
R = 50 K
Diseo:
Como T = 1, entonces de la ecuacin de T se despeja C, por tanto, se tiene:
C = T / R = 1 / (50 * 103 )
C = 20 * 10-6
C = 20 (uF)
Ra = Rb = 0.22 K;
R = 50 K
Diseo:
Como F = 103 , entonces de la ecuacin de F se despeja C, por tanto, se tiene:
C = 1 / ( F * R ) = 1 / (103 * 50 *103 )
C = 20 * 10-9
C = 20 (nF)
32
15 v
50 K
0.22 K
0.22 K
20 (nF)
20 (uF)
Vcc = 15 v
Ra = Rb = 0.22 K
R = 33 K
Rpot = 50 K
Se considera que:
33
R = R + Rpot
C = 100 * 10-6 = 100 (uF)
a) Cuando Rpot = 0
El valor del periodo es:
T = R * C = R * C = 33 *103 * 100 * 10-6
T = 3.3 (seg)
b) Cuando Rpot = 50 K
El valor del periodo es:
T = R * C = (R+ Rpot) * C = (33 + 50) *103 * 100 * 10-6
T = 8.3 (seg)
Vcc
Ra
Rpot
Rb
34
Por los resultados obtenidos de los clculos previos, se observa, que la variacin del
periodo supera en ms del 100 %, el valor mnimo obtenido.
2.4
35
3.1 GENERALIDADES
En el campo de la Electrnica Industrial, existe todo grupo de dispositivos especiales, que
se denominan Tiristores, el dispositivo que se analizar en este captulo es uno de estos
denominados Tiristores.
Anodo
Compuerta
Ctodo
(a)
(b)
Fig. 3.1 El SCR; (a) Smbolo del SCR; (b) Curva Caracterstica.
36
En la Fig. 3.1a se observa que el SCR, tiene tres terminales, dos de los cuales representan al
diodo, y un tercero que es el terminal de control (compuerta = gate).
En la Fig. 3.1b, se presenta la curva caracterstica del SCR, que muestra, al igual que en un
diodo comn, la necesidad de un cierto valor de voltaje para su disparo, sin embargo,
mientras que en un diodo comn, casi se mantiene constante el voltaje Anodo Ctodo, en
este caso el voltaje es variable en funcin de la corriente que circula por estos terminales.
3.2 FUNCIONAMIENTO
Con la finalidad de estudiar el funcionamiento del SCR, previamente se presenta un circuito
equivalente simulado.
El SCR se puede representar bajo el siguiente circuito equivalente simulado, este circuito
sirve para el anlisis del comportamiento del SCR, en tres tiempos, estos son: ANTES,
DURANTE y DESPUES del Pulso de Disparo
Vz = 0
Vi
+
Anodo
Compuerta
Ctodo
(a)
37
Vz = Vi
Vi
+
Anodo
Compuerta
Ctodo
(b)
Vz = Vi
Vi
+
Anodo
Compuerta
Ctodo
(c)
Fig. 3.2 Circuito Equivalente Simulado del SCR; (a) ANTES del Pulso de Disparo; (b)
DURANTE el Pulso de Disparo; (c) DESPUES del Pulso de Disparo.
38
Con estas precisiones, es que ahora se analizar el comportamiento del SCR, en tres
tiempos, Antes, Durante y Despus del Pulso de Disparo.
Como se observa en la Fig. 3.2 el SCR:
ANTES del pulso de disparo (Fig. 3.2a) se presenta como un circuito abierto, debido a que
el Pulsador esta abierto, y por tanto, no se tiene un lazo para que circule la corriente,
entonces, el voltaje sobre la carga es nulo.
39
una vez disparado, se mantiene en ese estado indefinidamente, hasta que se lo bloquee.
Concepto (bloqueo del SCR) que se desarrollar mas adelante.
3.2.1
Cuando el SCR no conduce, se comporta como un circuito abierto, de manera muy similar
al diodo inversamente polarizado. Adems es necesario recordar que el SCR, es
bsicamente un diodo. Este estado de no conduccin, tambin se denomina estado de
Bloqueo, por tanto, cuando el SCR no conduce, se dice que esta bloqueado.
Fig. 3.3 Circuito con SCR; (a) Circuito; (b) Circuito cuando el SCR no conduce.
40
Fig. 3.4 Disparo por Voltaje de Anodo Ctodo; (a) Voltaje normal de Alimentacin,
el SCR no conduce; (b) Alto Voltaje de Alimentacin, el SCR conduce.
En la Fig. 3.4, se observa el caso analizado, es decir, el disparo del SCR por voltaje de
Anodo- Ctodo. El circuito de la Fig. 3.4a muestra un voltaje sobre la carga ( Z ) casi nulo,
esto significa que el SCR no conduce, mientras que el circuito de la Fig. 3.4b, si presenta
un voltaje sobre la carga ( Z ) similar al voltaje de alimentacin, lo cual implica que el SCR
esta en estado de conduccin.
41
42
Fig. 3.5 Circuito de Disparo por Divisor de Tensin; (a) Sin Disparo del SCR; (b) Con
Disparo del SCR.
En la Fig.3.5 se observa el caso de disparo por divisor de tensin, es decir, que se aplica un
voltaje (nivel) a la compuerta del SCR El circuito de la Fig. 3.5a muestra un voltaje sobre
la carga ( Z ) casi nulo, esto significa que el SCR no conduce, esto debido a que no existe
una conexin entre el Divisor de Tensin y la Compuerta del SCR, mientras que el circuito
de la Fig. 3.5b, si presenta un voltaje sobre la carga ( Z ) similar al voltaje de alimentacin,
lo cual implica que el SCR esta en estado de conduccin, por que, se conect el punto
medio del Divisor de Tensin al terminal de la Compuerta del SCR.
43
Fig. 3.6 Circuito de Disparo por Circuito con Sensor - Transistor; (a) Sin Disparo del
SCR, Transistor en Saturacin; (b) Con Disparo del SCR, Transistor en Corte.
En la Fig.3.6 se observa el caso de disparo por Circuito con Sensor Transistor (diseado y
utilizado en el Captulo 1), es decir, que se aplica un voltaje (nivel) a la compuerta del SCR,
que se obtiene del Colector del Transistor. El circuito de la Fig. 3.6a muestra un voltaje
sobre la carga ( Z ) casi nulo, esto significa que el SCR no conduce, esto debido a que el
Transistor se encuentra en estado de Saturacin, por tanto, el voltaje de Colector Tierra,
que es el voltaje sobre la Compuerta del SCR es prcticamente nulo, mientras que el
circuito de la Fig. 3.6b, si presenta un voltaje sobre la carga ( Z ) similar al voltaje de
alimentacin, lo cual implica que el SCR esta en estado de conduccin, debido a que el
44
Fig. 3.7 Disparo por Circuito Digital (Inversor); (a) Sin Disparo del SCR, salida del
Inversor 0 Lgico; (b) Con Disparo del SCR, salida del Inversor 1 Lgico.
En la Fig.3.7 se observa el caso de disparo por Circuito Digital (Inversor) , es decir, que se
aplica un voltaje (nivel) a la compuerta del SCR, que se obtiene de la salida del Inversor.
El circuito de la Fig. 3.7a muestra un voltaje sobre la carga ( Z ) casi nulo, esto significa
45
que el SCR no conduce, esto debido a que su entrada es 1 lgico, 5 (v), y por tanto, su
salida es 0 (v), que es el voltaje, que se aplica sobre la Compuerta del SCR, mientras que el
circuito de la Fig. 3.7b, s presenta un voltaje sobre la carga ( Z ) similar al voltaje de
alimentacin, lo cual implica que el SCR esta en estado de conduccin, debido a que la
entrada al Inversor es 0 lgico, y por tanto, su salida es 5 (v), voltaje que se aplica a la
compuerta del SCR razn por la que el SCR conduce.
3.3
DIAGRAMAS DE ONDAS
Ejemplo 1:
Vi
t
Vd
t
Vz
t
En este ejemplo, se tiene un voltaje de alimentacin constante, por tanto, la salida (voltaje
de salida) es cero, mientras no exista el Pulso de disparo en la compuesta, sin embargo, a
partir de este pulso la salida se mantiene constante.
Ejemplo 2:
Vi
t
Vd
t1
t2
Vz
t
47
En este ejemplo, se tiene un voltaje de alimentacin constante, por tanto, la salida (voltaje
de salida) es cero, mientras no exista el Pulso de disparo en la compuesta, sin embargo, a
partir de este pulso, en t1 , la salida se mantiene constante., el segundo pulso en t2 , no tiene
influencia en el circuito, puesto que, el SCR ya estaba en funcionamiento desde t1 .
Ejemplo 3:
Vi
t
Vd
t1
t2
t3
Vz
t
3.4
CIRCUITOS DE BLOQUEO
Como se observ en el anlisis de los circuitos anteriores, el SCR una vez que se dispara, se
mantiene funcionando. Por tanto, es muy necesario desarrollar circuitos que permitan el
48
Bloqueo del SCR, es decir, su desactivacin. Por definicin un SCR (tiristor en general)
se Bloquea cuando su voltaje Anodo Ctodo es Menor a 0.6 voltios.
Por supuesto que si se anula el voltaje de alimentacin principal del circuito Vi, el SCR se
Bloquea, debido a que no existe corriente por Anodo Ctodo, y por tanto, no existe
voltaje, cumpliendo con la definicin anteriormente citada.
Fig. 3.9 Circuito de Bloqueo con Transistor; (a) Circuito; (b) Con Vi = 0 => Vo = 5 v ;
(c) Con Vi = 5 v => Vo = 0 v.
transistor entra en saturacin, por tanto, el voltaje Colector Emisor, es nulo, en realidad,
es 0.3 v. Entonces, s este circuito se acopla al circuito bsico del SCR, se tiene, que el
Colector del Transistor esta acoplado al Anodo del SCR, y el Emisor del Transistor esta
conectado al Ctodo del SCR, que en realidad es el punto de Tierra. Esto se observa en la
Fig. 3.10.
Fig. 3.10 Circuito de Bloqueo del SCR con Transistor; (a) Cuando el SCR esta
Activado; (b) Cuando el SCR esta Bloqueado.
50
Sin embargo, an cuando el SCR este Bloqueado, el sistema sigue permitiendo que se tenga
voltaje sobre la carga (Z), como se ve en la Fig. 3.11a, es decir, la carga (Foco, Motor,
Calefactor, etc.) sigue funcionando, y es que la corriente de la carga, ahora circula por el
transistor (que esta en saturacin), por tanto, para Bloquear el sistema se debe tambin
anular el transistor, esto significa que el transistor debe volver al estado de Corte, esto se
logra anulando el voltaje de entrada del circuito bloqueador, tal como se ve en la Fig. 3.11b.
Resumiendo, para Bloquear el sistema, con el circuito con Transistor, se debe utilizar un
Pulso en la entrada del circuito bloqueador, para de esta manera, prixmero bloquear al SCR
(a partir del pulso) y luego bloquear (estado de corte) al transistor, despus del Pulso de
Bloqueo.
51
Fig. 3.11 Bloqueo del SCR y el Transistor; (a) Bloqueo del SCR; (b) Bloqueo del
Transistor y SCR.
52
El diseo del Circuito de Bloqueo, debe tomar en cuenta que se esta acoplando a un circuito
de potencia (el del SCR), por tanto, es necesario que exista un alto grado de saturacin del
transistor, esto significa, lo que se denomina la Supersaturacin, que en trminos de diseo
representa lo siguiente:
Ib >> Ic / B
Ic = Ib
Con lo que las ecuaciones de diseo (del Circuito Inversor) son las siguientes:
Vcc = Ic Rc + 0.3
Vi = Ic Rb + 0.8
En los circuitos presentados anteriormente se igual los voltajes de Vcc y Vi, por tanto, las
resistencias Rc y Rb prcticamente tambin son iguales, estas resistencias generalmente son
del orden de Kilohmios.
3.4.2
Este circuito funciona como una Balanza, es decir, que mientras un SCR funciona el otro
esta Bloqueado. Se tiene, por tanto, dos SCR, uno que es el principal (conectado a la carga)
y que debe ser el que soporte la potencia necesaria para el funcionamiento de la carga,
mientras que el otro debe ser de menor potencia debido a que no circular una corriente
muy alta por el mismo. El circuito se muestra en la Fig. 3.12, donde el SCR principal esta
denominado como Tp y el otro SCR como Tb, significando esto el tiristor principal y el
tiristor de bloqueo.
53
Fig. 3.12 Circuito de Bloqueo con otro SCR; (a) Voltaje en la Carga mxima Tp
funcionando; (b) Voltaje en la carga casi cero, Tb funcionando.
Como se observa en la Fig. 3.12, se tiene dos estados de voltaje sobre la carga, el primero
Fig. 3.12a, cuando el SCR principal (Tp) funciona y el segundo Fig. 3.12b cuando el SCR
de bloqueo (Tb) funciona. En el primer caso el voltaje sobre la carga es mximo, y en el
segundo es prcticamente nulo, es decir, el sistema esta bloqueado.
54
3.5
Los circuitos de control pueden utilizar varios SCR, estos se conectan en Serie, en Paralelo
en forma de Serie Paralelo, segn las necesidades del usuario.
55
Fig. 3.13 Circuito con SCR en Serie; (a) Sin Pulso de disparo en los dos SCR; (b) Pulso
de disparo slo para el primer SCR; (c) Pulso de disparo solo para el segundo SCR;
(d) Pulso de disparo para los dos SCR
56
Como concepto, entonces, se tiene que para que los SCR en serie funcionen se deben
disparar TODOS al mismo tiempo. (analoga con un circuito AND).
3.5.2
SCR EN PARALELO
En la Fig. 3.14 se observa circuitos con SCR en paralelo. Este caso es diferente al anterior,
ya que ahora es suficiente que uno de los SCR este disparado para que el sistema
funcione (analoga con un circuito OR), esto se observa en las Fig. 3.14b y Fig. 3.14c.
Por supuesto, que s los dos SCR estn funcionando el sistema tambin funciona, esto se
muestra en la Fig. 3.14d, slo en el caso en que los dos SCR no estn funcionando el
sistema tampoco funcionar, ver Fig. 3.14a.
57
58
Fig. 3.14 Circuito con SCR en Paralelo; (a) Sin Pulso de disparo en los dos SCR; (b)
Pulso de disparo slo para el primer SCR; (c) Pulso de disparo solo para el segundo
SCR; (d) Pulso de disparo para los dos SCR
59
4.1 DIAC
En el grupo de dispositivos especiales, que se denominan Tiristores, los dispositivos que se
analizaran en este captulo son el DIAC y el TRIAC
En la Fig. 4.1a, se muestra el smbolo del Diac, y en la Fig. 4.1b lo que representara su
circuito equivalente, esto significa que el diac, es prcticamente la combinacin de dos
diodos zener en antiparalelo. Por tanto, el dispositivo necesita para funcionar un voltaje de
disparo, esto es vlido para ambos sentidos de corriente, entonces el diac funciona
adecuadamente en sistemas de corriente alterna.
60
4.2 TRIAC
El triac funciona como un SCR, pero para ambos sentidos de corriente, por tanto, al igual
que el SCR, necesita un pulso nivel de disparo en compuerta para funcionar y una vez
que dispara se queda funcionando, hasta que se lo bloquee.
Debido a que el triac, permite el paso de la corriente en ambos sentidos, tiene como
complemento que permite tambin pulsos niveles de disparo negativos.
(a)
(b)
En la fig. 4.2a, se observa el smbolo del Triac, donde se muestra dos diodos en
antiparalelo, que son los dos terminales principales, (ahora ya no existen, el nodo y el
ctodo, como en el SCR) y el terminal de compuerta. La curva caracterstica que se muestra
en la Fig. 4.2b, significa que el Triac funciona en ambos sentidos de corriente.
En los siguientes puntos de ste captulo se aplicaran estos dispositivos, para el control de
potencia se sistemas de corriente alterna.
61
Vi
Vz
Vd
(a)
(b)
62
Vi
Vd
Vz
Vi
Vd
Vz
(d)
Fig. 4.3 Control por Posicin del Pulso de Disparo; (a) Circuito Referencial; (b) Mxima
Potencia; (c) Media Potencia; (d) Mnima Potencia.
63
En la Fig. 4.3 se muestra el control por posicin del pulso de disparo, el anlisis es el
siguiente:
En la Fig. 4.3b, se observa el caso de obtencin de mxima potencia sobre la carga, esto es
posible, porque, los pulsos de disparo estn ubicados al principio de cada semiciclo, y por
tanto, el Triac, funciona prcticamente durante todo el semiciclo, cuando la seal de
alimentacin pasa por cero, el Triac se bloquea, ya que la tensin, entre los principales
terminales es en este momento cero voltios, luego, se dispara otra vez, al inicio del
siguiente semiciclo, entonces, la seal sobre la carga Vz, es prcticamente la seal de
entrada, y por tanto, se tiene mxima potencia sobre la carga.
En la Fig. 4.3c, se observa el caso de obtencin de media potencia sobre la carga, esto es
posible, porque, los pulsos de disparo estn ubicados al centro de cada semiciclo, y por
tanto, el Triac, funciona solamente durante la mitad se cada semiciclo, cuando la seal de
alimentacin pasa por cero, el Triac se bloquea, ya que la tensin, entre los principales
terminales es en este momento cero voltios, luego, se dispara otra vez, a mitad del siguiente
semiciclo, entonces, la seal sobre la carga Vz, es solamente la mitad de la seal de
entrada, y por tanto, se tiene media potencia sobre la carga.
64
semiciclo, cuando la seal de alimentacin pasa por cero, el Triac se bloquea, ya que la
tensin, entre los principales terminales es en este momento cero voltios, luego, se dispara
otra vez, al final del siguiente semiciclo, entonces, la seal sobre la carga Vz, es
prcticamente nula, y por tanto, se tiene mnima potencia sobre la carga.
El circuito que realiza este control esta conformado por los siguientes dispositivos:
Triac
o Diac
Resistencia Variable
Condensador
Carga (dispositivo que funciona con corriente alterna)
Este circuito se lo muestra en la Fig. 4.4, donde, el control de la posicin del pulso de
disparo se logra mediante el voltaje de carga en el condensador, es decir, cuando este
voltaje llega al voltaje de disparo del Diac, entonces este deja pasar corriente hacia el Triac,
y por tanto, lo hace funcionar, permitiendo de esta manera que se tenga circulacin de
corriente por la carga. El voltaje sobre la carga depende del tiempo de funcionamiento del
Triac, entonces, este voltaje es variable y depende del tiempo que el condensador tarda en
cargarse al voltaje de disparo del Diac. Este tiempo, depende de la Red conformada por la
Resistencia y el Condensador, alimentados por la seal de entrada (seal alterna). Esto
sucede para cada semiciclo, es decir, que el condensador se carga a voltajes positivos
(semiciclo positivo) y voltajes negativos (semiciclo negativo), esto es lo que produce los
pulsos de disparo positivos y negativos que se observan en la Fig. 4.3.
Si se considera que la alimentacin ser de 220 voltios y 50 Hertz, entonces, se tiene que el
periodo de la seal de entrada es de 20 milisegundos, esto significa, que cada semiperiodo
tendr una duracin de 10 milisegundos.
De lo anterior, se establece que, s se desea obtener un pulso al principio del semiciclo, tal
como se ve en la Fig. 4.3b, el tiempo de carga del condensador debe ser menor a 1.5
65
milisegundos, para que el pulso este en la mitad del semiciclo (como el de la Fig. 4.3c) el
tiempo deber ser de 5 milisegundos y finalmente para que este al final del semiciclo (como
la Fig. 4.3d) el tiempo ser de 9 a 10 milisegundos.
(a)
(b)
66
Fig. 4.4 Circuito de Control por Posicin del Pulso de Disparo; (a) Mxima Potencia;
(b) Media Potencia; (c) Mnima Potencia.
Como se observa en la Fig. 4.4, el circuito funciona como se haba establecido en al anlisis
previo, es decir, cuando el valor del tau de la Red R C, es pequeo (mnimo valor,
comparativo, de R), el pulso de disparo es inmediato, por tanto, el voltaje sobre la carga es
alto y la potencia es mxima (Fig. 4.4a). A medida que el valor de R crece el tiempo de
carga del circuito R C es ms lento y por tanto el voltaje sobre la carga disminuya, lo que
significa que la potencia disminuya, hasta llegar al mnimo, (Fig. 4.4c).
No debe olvidarse que la relacin del tiempo de carga del condensador, no es lineal
respecto al valor de R, adems, y esto es muy importante, el voltaje de alimentacin a la
Red R C es variable en el tiempo.
Este circuito es conocido comercialmente con el nombre de DIMER, y existe variantes del
mismo, que se muestran a continuacin.
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(a)
(b)
Fig. 4.5 Circ. Control; (a) Mxima Potencia;(b) Media Potencia; (c) Mnima Potencia.
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En la Fig. 4.5 se observa una variante del control por posicin de pulso de disparo, donde la
carga esta colocada externamente al circuito de la Red R C. El funcionamiento es
bsicamente el mismo, como se puede apreciar en los tres casos presentados, de mxima
(Fig. 4.5a) potencia, de media potencia (Fig. 4.5b) y de mnima potencia (Fig. 4.5c).
Otra variante mejorada de este circuito, es el que utiliza un circuito pi, en lugar del
condensador, esto se muestra en la Fig. 4.6.
(a)
(b)
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Fig. 4.6 Circuito de Control; (a) Mxima Potencia;(b) Media Potencia; (c) Mnima
Potencia.
En la Fig. 4.6 se observa una variante del control por posicin de pulso de disparo, donde la
carga esta colocada externamente al circuito, y adems se utiliza un circuito pi en la Red
R C. El funcionamiento es bsicamente el mismo, como se puede apreciar en los tres
casos presentados, de mxima (Fig. 4.6a) potencia, de media potencia (Fig. 4.6b) y de
mnima potencia (Fig. 4.6c).
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