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Amplificadores de Potencia Clase B
Amplificadores de Potencia Clase B
Clase B
Anlisis y Criterios de Diseo de Amplificadores
Acoplados a Transformador y de
Simetra Complementaria
U.T.N
ING. NESTOR H. MATA
Departamento Electrnica
Facultad Regional Baha Blanca
Amplificadores Clase B
Introduccin
Como se ha visto, los amplificadores clase A son aquellos que, cuando se
encuentran en reposo, es decir, sin seal, drenan una corriente equivalente a la
mitad de la mxima y a una tensin aproximada del 50 % de la tensin
alimentacin. Por esto nos daba un rendimiento terico mximo del 25% para el
caso de acoplamiento directo de la carga, y del 50 % para el de acoplamiento de
carga con transformador, que desde el punto de vista econmico, cuando se
manejan grandes potencias, es totalmente inadecuado.
Funcionamiento cualitativo de los amplificadores clase B
En los amplificadores de Potencia, se puede conseguir un aumento
considerable del rendimiento, si se logra que los elementos activos trabajen en un
semiciclo de la onda cada uno, es decir, conduzcan 180. Esta forma de trabajo se
denomina clase B o tambin Push-Pull, en la cual los elementos activos trabajan en
contrafase como puede apreciarse en la figura 3-1 (a).
I1
I2
I0
Elemento
activo 1
Distorsin
por cruce
Elemento
activo 2
2
Combinacin
sobre la carga
2
(a)
(b)
Figura 3-1: Corriente de los elementos activos en clase B y distorsin por cruce
En los circuitos prcticos, no se usa el verdadero funcionamiento en clase B,
en el que cada uno de los elementos conduce una corriente de salida durante un
semiciclo exactamente, debido a la excesiva distorsin que puede producirse, y a
que los transistores, a lo mismo que sucede con las vlvulas, no son muy lineales
cerca del corte de corriente debido al umbral de tensin que poseen. Si se aplica
una seal muy reducida, todo el funcionamiento del amplificador estar dentro de
esta regin, por lo tanto, se obtendr un porcentaje de distorsin muy elevado. El
mtodo para evitar una gran parte de la distorsin, es hacer funcionar los
elementos activos de modo que las corrientes i1 e i2 no sean nulas dentro de un poco
mas de los 180, o sea un poco ms de un semiciclo. De esta forma evitaremos la
denominada distorsin de cruce, como se observa en la figura 3-1(b), y el
funcionamiento del amplificador se denominar de clase AB. En la figura 3-2
podemos observar un amplificador clase AB con elementos activos acoplados por
transformador, tanto a la entrada como a la salida. Las resistencias R1 y R2
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I1
TE
TS
A1
IL
R1
Vcc
RL
R2
A2
I2
VBB
Ibp
Q1
ICP Excitador
I0
T2
Zb
ZC Excitador
Zb
R2
RE
R1
Cp
Vcc
T1
RL
RE
Q2
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Ic1
VCEQ1
Vcepico
VCE1mx
IC1
Q1
2Vcc
Q1
Linealizacin
de
transconductancia
combinada
clase AB
Vbe2
Vbe1
2Vcc
Q2
VBE
Q2
IC2
Vbe
pico
Ic1mx
1
R E + R 'L
Ic2pico
RE
Ic2mx
VCE2mx
Ic2
VCEQ2
Regin de
saturacin Q1
Regin de
saturacin Q2
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(3.1)
(a)
IC1
Curva de funcionamiento
del elemento
activo 1
Curvas del
elemento
activo 1
Zona de
superposicin
por polarizacin
clase AB
Vcc
Curvas del
elemento
compuesto
2VCC
Curvas del
elemento
activo 2
Curva de funcionamiento
del elemento
activo 2
IC2
Pendiente de la
recta de carga
dinmica
n1/n2RL
Vcc
n1 / n 2
I0T
IL
RL
Ii
(b)
Figura 3-5: Curvas compuestas como un amplificador nico
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(3.2)
(3.3)
sustituyendo en esta ltima iC1 e iC2 por las expresiones dadas en 3.1 y 3.2, y
teniendo en cuenta a que cos(t + n) = (-1)n cost
i 0T = 2 2 ( I C11 cos t + I C13 cos 3t + I15C cos 5t + ... )
(3.4)
Como podemos apreciar en sta expresin todos los trminos pares se han
cancelado, siendo esta una ventaja inherente del circuito en contratase, el cual no
genera armnicas de orden par. Otra ventaja que podemos apreciar en la ecuacin
3.4 es que no existe una componente de continua neta que produzca un flujo
permanente o una saturacin del ncleo del transformador.
Si la relacin de espiras del transformador es 2n1/n2, es decir, cada uno de los
devanados del primario tiene n espiras, ste presentar una resistencia total
efectiva, que se ver en el primario del transformador entre colector y colector,
que ser
2
R CC
n
= 4 1 RL
n2
(3.5)
n
R
R C = CC = 2 1
2
n2
RL
(3.6)
esto sucede porque cuando trabajan ambos dispositivos, cada uno de ellos produce
a travs del transformador una reaccin mutua debido a que la corriente de uno
de los elementos activo crea un flujo que afectar al otro elemento. Si por alguna
razn, el circuito se abriese en uno de los elementos el otro ver solamente las
caractersticas de acoplamiento de un transformador simple, es decir, una relacin
de transformacin dada por el cuadrado de la relacin de espiras.
Los dos transistores sern sustituidos por un dispositivo compuesto como el
indicado en la figura 3-5b, que producir la misma corriente de carga IL que el
circuito de contrafase. De la ecuacin 3.3 y la figura 3-3 tendremos
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iL =
n1
(i c1 - i c2 ) = n1 i oT
n2
n2
(3.7)
n
= 1
n2
R L
(3.8)
1
n1
n2
R L
(3.9)
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(3.10)
VCC
A sen t
RL
(3.11)
iC =
V
1
VCC (1 A sen t ) CC A sen t d (t )
2 0
RL
(3.12)
resolviendo la integral
2
V A A
PD = CC 1
R L
4
(3.13)
(3.14)
2
= 0, 636
(3.15)
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2Po(rms)
2
= 0, 203Po(rms)
(3.18)
2Po(rms)
2
= 0, 203
Po(rms)
(3.21)
0,250
Po ( rms ) = 0,3125 Po ( rms )
0,8
(3.22)
Esta disipacin del dispositivo ser la que deberemos usar para las
condiciones de temperatura de operacin. Con esto podemos determinar la
temperatura mxima que podr alcanzar el dispositivo por medio de
T1 =
(3.23)
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1
PD
25C
T1
Tj
(3.24)
(3.25)
donde
(3.26)
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(3.27)
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10
(3.28)
2Po(rms)
(3.29)
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11
(3.30)
I CQ
h FE (mn)
(3.32)
(3.33)
(3.34)
esta corriente nos asegurar los efectos mnimos de la temperatura para lograr
estabilidad del punto Q. Por lo general se utilizan transistores de silicio, por lo
tanto el segundo trmino de la ecuacin 3-34 puede despreciarse
El voltaje VBEQ del punto de reposo Q se obtiene de la curva de
transconductancia en CC, yFE, de la hoja de datos. En general este valor de
tensin es difcil de obtener porque los fabricantes tabulan algunos valores tpicos
de funcionamiento y no queda otro remedio que extrapolarlo o medirlo, aunque
por lo general se agrega un potencimetro en la resistencia R1 para el ajuste
correcto de la corriente de reposo. El valor ICBO o sea el cambio de ICBO con la
temperatura se calcula con
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12
(3.35)
ICQ
IbQ
Q1
IBB
R2
RE
R1
RE
IbQ
Q2
(3.36)
(3.37)
RE =
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13
R1 =
resolviendo para R1
R1 =
(3.40)
5I BB
5VBEQ + VBE
(3.41)
5I BB - I CBO
como por lo general siempre tendremos que IBB >> ICBO , resultar que
5VBEQ + VBE
R1
(3.42)
5I BB
RE
R'CC = 4R' L = 2
[V
CC
Po ( rms )
La resistencia de la red de polarizacin R2 se calcular ahora
R2 =
VCC
- R1
I BB
(3.44)
(3.45)
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14
VR1 = I bp R 1
(3.49)
(3.52)
VBB
Ibp
ICP Excitador
T2
Zb
ZC Excitador
R2
RE
R1
Zb
RE
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15
Gp =
Po(rms )
(3.53)
Pi (rms )
VcepIcp
(3.54)
Si suponemos que Vcep es casi igual a VCC, tendremos como limite en un caso
ideal que
VCC I Cp
Po(rms) =
(3.55)
2
La potencia de entrada se calcula teniendo en cuenta que en cada semiciclo
solamente aporta potencia la mitad del devanado secundario
Pi (rms ) =
Vip I bp
(3.56)
V h
2
= cc fe
Vip I bp
Vip
(3.57)
2
Como podemos observar, la ganancia de potencia para este caso es
directamente proporcional a la ganancia de corriente de los transistores y de la
tensin de fuente.
Normalmente, los requerimientos de potencia para la salida del excitador
son bajos, por lo tanto, esto permitir disear un transformador con alta
impedancia en el primario.
VBB
Ibp
ICP Excitador
VCC(E)
T2
Zb
ZC Excitador
Zb
R2
RE
R1
RE
Q(E)
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16
[V
=
cc ( E )
(3.58)
Vip I bp
Zb
Z C( E )
(3.59)
la corriente de reposo del colector ICQ(E) deber ser mayor que la corriente de pico
dada por la ecuacin 3.59, a los efectos de evitar que la seal incursione en la zona
no lineal de las curvas de colector, donde la transconductancia se hace no lineal, se
toma como norma de diseo que
I CQ( E ) = 1,1 I cp ( E )
(3.60)
VipI bp
+ 3VCE( sat )( E ) + VR E ( E )
(3.61)
I cp ( E )
donde el trmino 3VCE(Sat)(E) contempla la eliminacin de la zona de distorsin.
Una vez calculados estos valores, podemos determinar la potencia que deber
tener el transistor excitador . La potencia de excitacin ser
Po ( rms )( E )
[I
=
cp ( E )
Z c ( E )
(3.62)
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17
R2
ICP
Ibp
Q1
ZB
R1
Icp(E)
ZC(E)
RE
CC
Vcc/2
R2
RL
Ibp
Q2
IL
ZB
RE
R1
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18
(3-65)
IC
gm
Vcep
1
RL + RE
Vbe
VCEsat
Vcc
2
ICP
Vcc
1
RE
Vbep
IC2
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19
(3.66)
siendo vlidas las expresiones de clculo del caso anterior para el resto de los
valores a determinar.
ETAPA CLASE B CON SIMETRIA COMPLEMENTARIA
Debido a que es posible obtener transistores complementarios con
caractersticas casi idnticas, se ha desarrollado un amplificador clase B con
simetra complementaria en el que se usan transistores PNP y NPN.
Primero veremos una etapa rudimentaria de este amplificador, e iremos
paulatinamente avanzando hasta desarrollar la tcnica de diseo de un
amplificador completo.
Ei
V0
Vcc
Distorsin
por cruce
Q1
+
Ei
Cc
+
+ Vcc/2 -
Q2
umbral
VBE = 0,6V
RL
V0
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20
ICQ
R1
C1
I b1
Q1
Ei
Cc
c
R2
IR
V0
+ Vcc/2 RL
Q2
b
Ib2
R3
ICQ
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21
(3.69)
por lo tanto
IB1 + IC1 = IB2 + IC2
(3.70)
Por diseo, las caractersticas de los transistores deben ser idnticas, por lo
tanto, las corrientes de colector y de base sern iguales en ambos transistores. La
corriente de polarizacin IR se elegir, por razones de diseo, de manera que el
divisor de corriente no se vea cargado sustancialmente por la corriente de base,
por lo tanto usando el criterio de un divisor de tensin, sta se elige diez veces la
corriente de base
I 10 Ibl
(3.71)
con esto podemos eliminar en los clculos de las resistencias a la corriente Ib. Con
esta aproximacin no estamos incurriendo en un error considerable, ya que, por lo
general, estamos trabajando normalmente con elementos del 5 al 10% de
tolerancia, adems de la dispersin en las caractersticas de entrada de los
transistores y la variacin de parmetros con la temperatura, como por ejemplo
los 2mV/C de la tensin VBE. Por estas razones, tomamos genricamente VBE =
600 mV para los transistores de silicio, y VBE = 200 mV en el caso de los de
germanio.
Por lo general, como veremos en los ejemplos de diseo, la resistencia R2
ser generalmente sustituida por diodos y un potencimetro de ajuste, que nos
permitir un ajuste ms preciso de la corriente de reposo en los emisores de los
transistores de salida. El hecho del uso de diodos en la red de polarizacin, da una
compensacin en la tensin de polarizacin que atempera la variacin de las
tensiones VBE con la temperatura.
La corriente de reposo, por lo general, se la elige como el 1% de la corriente
de pico en el colector. Este es un valor de diseo que da un mnimo de distorsin de
cruce, sin olvidar la prdida de rendimiento causada por esta corriente de reposo.
EJEMPLO 3-1
Suponiendo una etapa que debe manejar una corriente de pico de 2
Amperes en colector al desarrollar 12 voltios de pico sobre una RL=6, la fuente
de alimentacin es de 30 Voltios, los transistores son de silicio con un hfE(min) de 40
y el circuito a utilizar es el de la figura 3-9, (1) determinar las tensiones en los
puntos a, b, y c con respecto a tierra; (2) calcular la corriente de reposo; (3)
determinar la mnima corriente del divisor de tensin para polarizacin.
Solucin
(1)
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22
2Amp
= 20mA
100
100
(3) La corriente del divisor de tensin para polarizacin ser
I CQ =
I R 10I b = 10
I CQ
hfe(min)
= 10
20
= 5mA
40
(3.71)
por lo tanto
R2 =
VR 2 VBE1 + VBE 2
=
I
I
(3.72)
R3 =
( VCC 2) VBE 1
IR
( VCC 2) VBE 2
IR
(3.73)
(3.74)
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23
Vcc
Ei
R1
C1
I b1
Cc
c
R2
IR
0V
15,4V
14,4V
12,0V
27,4V
25,3V
V0
VR2
15,0V
0V
1,2V
27,0V
12,0V
2,1V
Q1
Ei
V0
+ Vcc/2 RL
Q2
b
Ib2
R3
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24
(E3-2-2)
I3 =
I CP
h fe 2 mn
2,0Amp
= 50mA
40
(E3-2-3)
I cp
hfe 2mn
(E3-2-4)
R3
15 0.6 12
= 43,6
55x10 3
(E3-2-5)
(E3-2-6)
VBE1 + VBE 2
1.20
R3 =
43,6 = 3,63
14.4
VCC / 2 VBE 2
(E3-2-7)
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25
VCC / 2 VBE1
R 3 = R 3 = 43,6
VCC / 2 VBE 2
(E3-2-8)
con estos valores, la red de polarizacin podr manejar las corrientes de pico de las
bases para la excursin de tensin establecida.
ICP
R1
C1
I b1
Q1
RE1
Ei
Cc
c
R2
IR
V0
+ Vcc/2 RE2
RL
Q2
b
Ib2
R3
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26
VR 2 + 0,6V
I CP
(3-75)
(3.76)
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27
Vpp 3
Po( mx ) =
(3.77)
Vcc Vpp
(3.79)
2 R L
La potencia mxima terica, considerando despreciable las cadas en los
transistores y las resistencias RE, ser
V 2 cc
Ps(mx ) =
2 R L
(3.80)
Vpp
4VCC
(3.83)
La mxima eficiencia terica ser cuando Vpp=Vcc, siendo este valor, un mximo
del 78%.
Para obtener la relacin de salida mxima a potencia mxima disipada, sta ser la
obtenida de la relacin de las ecuaciones 3.78 y 3.82
Po (mx)
PD(mx)
2
=
=5
2
(3.84)
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28
Po( mx ) =
(b)
pp
8R L
Vcc / 2 - VBE -
Vcc /2 - VBE
RE
RL + RE
)2
2R L
(c)
VCC Vpp mx
2 ( R L + R E )
30x27,28
= 19,11Watts
6,28x(6 + 0,82)
De la ecuacin 3.81
PD (mx) =
VCC Vpp
VCC Vpp
(R L + R E ) 4(R L + R E )
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29
IC1
50mA
ICQ2
ICQ1
Q
40mA
(b)
30mA
20mA
10 mA
Q
VCE2
VCE1
- 10 mA
- 20mA
- 30mA
- 40mA
- 50mA
IC2
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30
hie
Dbe
R2
Ri1
Ria
Ei
(1+hFE )RE1
c
R3
(1+hFE )RL
V0
R i1 = (h fe + 1)( R E1 + R L )
la resistencia de entrada al amplificador que ver la fuente de seal Ei ser
R ia = (R 2 + R 3 ) // R i1
(3.86)
(3.87)
donde
I bp1 =
Ei
R i1
(3.88)
por lo tanto
A v1 =
V0
RL
=
E i R L + R E1
(3.89)
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31
R2
hie
Dbe
Ibp2
(1+hFE )RE1
Ei
Rin
Ria
Vi
Ri2
R3
(1+hFE )RL
V0
+
(3.91)
donde Ria=R3//Ri2
Partiendo de las ecuaciones 3.90 y 3.91 podremos obtener la ganancia de
tensin
Av2 =
Vo2 Vo2 Vi
=
Ei
Vi Ei
R ia
RL
R 2 + R ia R L + R E2
R 3 // R i 2
RL
R 2 + (R 3 // R i 2 ) R L + R E2
(3.92)
Como podemos apreciar, existir una perdida de ganancia debido a R2, que
para la excursin negativa se encuentra en serie con la fuente de seal. Es
indudable que esto ocasionar una diferente amplificacin para ambos semiciclos,
con lo cual tendremos una distorsin apreciable si R2 es comparable con Ria. Por
lo general, esto se soluciona con el reemplazo de R2 por uno o dos diodos y un
pequea resistencia de ajuste. Con esto ltimo, al tener los diodos una resistencia
de conduccin incremental pequea, disminuir notablemente esta diferencia de
amplificacin.
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32
RL
6
Ei =
12 = 10,56Voltios
R L + R Ei
6 + 0,82
R 3 // R i 2
R L Ei
=
R 2 + R 3 // R i 2 R L + R E
12R L
43,6 // 279,62
= 9,63 Voltios
13,63 + ( 43,6 // 279, 26) R L + R E
Ejemplo 3-6
Partiendo del circuito equivalente dado en la figura 3-13, y continuando el
ejemplo 3-5, (a) calcular la corriente de pico de base y de carga, (b) calcular la
corriente de pico en las resistencias R2 y R3 que se encuentran en paralelo con la
entrada.
Solucin
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33
I bp1 =
(a)
E ip
( h fe + 1)( R L + R E1 )
12V
= 42,9mA
41x6,82
12
= 254 mA
R 2 + R 3 3,63 + 43,6
Como podemos apreciar, la corriente que se pierde en la resistencia paralelo
es aproximadamente el quntuple de la requerida en la base en reposo, por lo
que en la mayor parte de los casos se hace intolerable.
I sp =
(b)
R1
Q1
RE1
R2
IP
Cc
RE2
Q2
RL
V0
R3
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34
R2
hie
hFE Ib
R2+R3
(1+hfe)RE
Ib
Ei
R3
RE1
Ib
Ei
RL
hFE Ib
RL
(a)
(b)
(3.93)
donde
D=
R2 + R3
R 2 + R 3 + ( h fe + 1)R E1
(3.94)
(3.95)
Ei
= [( R 2 + R 3 ) //( h fe + 1)R E1 ] + R L (1 + Dh fe )
I
(3.96)
(3.97)
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35
(3.98)
R2
I
hie
R3
Ib
R3//(1+hFE)RE2
RE1
hFE Ib
RL(1+f hFE)
RL
(a)
(b)
(3.99)
donde
D=
R3
R 3 + ( h fe + 1)R E 2
(3.100)
(3.101)
Ejemplo 3-7
Calcular la resistencia de entrada Ri presentada a Ei, tanto para el semiciclo
positivo como negativo, en el circuito dado en la figura 3-15. Luego, realice una
comparacin con los resultados obtenidos en el ejemplo 3-5 y observe la mejora
producida por la realimentacin. Suponga que los hfe son iguales a 40.
Solucin
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36
3,63 + 37,6
= 0,55
3,63 + 37,6 + 41x0,82
37,6
= 0,534
37,6 + 41x0,82
Si comparamos estos valores con los del ejemplo 3-5, veremos que
habremos obtenido notable mejora en cuanto a la relacin de las resistencias de
entrada para entradas de seal positiva y negativa. Esta mejora se har mas
notable para valores de resistencias mas pequeas en el divisor, en relacin a RL.
Esto tambin ser cierto para hfe mayores. En los diseos rigurosos se recurre a
etapas Darlington, a los efectos de reducir la corriente del divisor, o bien se suele
reemplazar a la resistencia R3, o a la R1, por una fuente de corriente.
(3.102)
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37
Vcc
R4
I = Ib3 x hFE3
Q3
Ei
Ri3
Ib3
Ib1
15,6V
R2 +R3 +RL
(3.103)
(3.104)
h fe 3mn + 1
por lo tanto
R4 =
(3.105)
hie3
Ri3
(hFE3+1)Ri1
Figura 3-19
R i 3 = h ie3 + (hfe3 + 1)R i1
(3.106)
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38
EJEMPLO 3-8
Dado el circuito de la figura 3-18 calcular (a) la corriente de base de Q3, (b)
la resistencia R4 necesario para polarizar Q3, y (c) la impedancia a la base de Q3.
Supngase que hfemin=100 y hie=1K.
Solucin
(a)
De la ecuacin 3.104
Ib3 =
(b)
de la ecuacin 3.105
R4 =
(c)
I
378, 36 mA
=
= 3,75 mA
1 + h fe 3 mn
1 + 100
15 - 0,6 - 0,6
100 = 3,647K
378, 36
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39
Recta de carga
en continua
ICQ
Recta de carga
terica mxima
con
realimentacin
Q
Recta de carga de
AC
sin realimentacin
Vcc
1.5Vcc
VCE
FIGURA 3-20
Segn puede verse, en el caso de no tener realimentacin, la resistencia
dinmica nos limitar la excursin de seal, ya que se alcanzar el corte del
transistor Q3 antes de alcanzar la tensin de fuente. Esto no ocurre con
realimentacin, ya que el efecto de la carga del capacitor de paso a la carga
extiende el rango de tensin ms all de VCC, al crear una fuente negativa virtual
para el divisor resistivo de polarizacin. Lo ideal sera que se seleccione una
resistencia (R3 + RL) de manera que con la corriente de pico produzcan una cada
de tensin tal que coincidan las rectas dinmica y esttica.
(3.107)
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40
(3.108)
Las tensiones VBE y VRE son las cadas en los respectivos transistores y su
resistencia de emisor. El trmino de 2 voltios agregado, es el resguardo que se debe
tomar para que la excursin de tensin colector a emisor de los transistores no
entre en una zona de alta distorsin y saturacin. Por supuesto, esto har que el
rendimiento del amplificador disminuya.
Otra de las condiciones de contorno es el generador de excitacin. Este
tendr un nivel mximo de tensin a entregar y una impedancia de salida. En
funcin a esto, y considerando la mxima transferencia de potencia, tendremos lo
siguiente
Rg = Rin
Vi =
Eg
R g + R in
Vi =
(3.109)
(3.110)
R in
Eg
(3.111)
2
Rg
+
Vi
Eg
Rin
Figura 3.21
Con esto tendremos definido Rin y Vi. Ahora ya estamos en condicin de
determinar la ganancia que debe tener la etapa
Ao =
Vp
Vi
Vpp
Eg
(3.112)
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41
(3.113)
R3
R 3 // [R E (h fe + 1] + R L Dh fe
(3.114)
(3.115)
VBE1 + VBE2
I
(3.117)
Vcc
ICQ
Ei
Q3
Q1
D1
RE1
Cc
IR
R' 2
RE2
RL
Q2
R3
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42
(3.118)
R i3
= (1 + h fe3 ) R il-2 + h ie 3
(3.121)
EJEMPLO 3-9
Se desea disear un amplificador de audio que deber desarrollar una
potencia de 15 watts sobre una carga de 8. El elemento de excitacin del
amplificador ser una cpsula de micrfono que entrega un mximo de 10 mV
pico, con una impedancia interna de 30K. Se posee una fuente de alimentacin
simple de 36 VDC y que es capaz de entregar una corriente de 3.0 Amp.
Temperatura ambiente mxima 60C. El rango de frecuencia debe ser fL=30 HZ y
fH= 40 KHz. Con estos datos, calcular inicialmente la etapa de salida con el
transistor de excitacin Q3. Utilizaremos un circuito bsico de realimentacin por
boostrapping como el de la figura 3-22 para la etapa de salida.
Solucin
Primero de todo debemos obtener, a partir de la potencia y el valor de la
carga, la tensin pico a pico que se debe desarrollar. De la ecuacin 3.107
Vpp = 2 2x15x8 = 30.98 Voltios
con este valor, estamos en condiciones de determinar si la tensin de fuente
disponible es suficiente. De la ecuacin 3.108 y tomando la cada en RE de
0,9Voltios para asegurar el corte
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43
I CQ =
I CP 2.0625
=
Amp = 20.62 mA 20 mA
100
100
I CQ
h FE mn
= 10
20
= 5 mA
40
18V-0,6-0,9
= 291, 8
51, 56 + 5
VCC / 2 VBE
RL
I
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44
18 0,6
8 = 3472
5mA
de donde
'
VR2
= 34.1
(3.122)
1.2
= 2.18
18.6
'
VR2 = VR2
VR2 = 2.18 - 1.2 = 0.98
R' 2
R2
por lo tanto
VR' 2 = VR 2 =
12
0,98 = 0,588
20
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45
D=
= 0.925
A 3 = h fe3
R i1 2
= 0.99
R i3
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46
Ao
A1 2 A 3
(3.124)
Vcc
R1
RC5
R8
C2
RC4
ICQ
IC4
Ri5
Rg
IC5
Q1
Q3
Ri4
IB3
C1
RE1
D1
Q5
Q4
Eg
RE2
R'2
R2
RE5
R4
Cc
RE4
RL
Q2
R3
FIGURA 3-23
Esta etapa de dos transistores Q5 y Q4 deber poseer una ganancia como la
dada por la ecuacin 3.124, y adems debe presentar una impedancia de entrada
igual a Rg.
Comenzaremos el anlisis con la resistencia RC4. Esta resistencia estar
fijada por Ib3 y la cada de tensin en la base de Q3 que viene, por arrastre del
diseo de la etapa de salida. La corriente que circular por RC4 deber ser, por
criterio de diseo, diez veces mayor que Ib3. Por lo tanto, RC4 ser
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47
R C4
(3.125)
Esto nos est fijando la corriente Ic4, lo que nos fijar la corriente Ib4
I b4
10 I b3
h fe4mn
(3.126)
La cada de tensin en RE4 no puede ser muy grande, ya que esto limitara la
excursin de seal de la salida ya que sta es un seguidor emisor y deber seguir la
excursin del colector de Q4. En reposo, se selecciona esta cada de tensin 0,5V
que da una estabilidad de polarizacin razonable. Con esto, el valor de RE3 queda
fijado por
R E4
0.5 V
I C4
(3.127)
= h fe4
donde Ri4 es
R i4
R c4 // R i3
R i4
= h ie 4 + (1 + h fe4 ) R E4 // (R 8 // R 4 )
(3.128)
(3.129)
A Q5
A Q5
= h fe5
(3.130)
(3.131)
Pero Ri5 est fijado por las condiciones de contorno y debe ser igual a Rg, por lo
tanto, como
R i5 = h ie 5 + (1 + h fe5 ) R E5 // (R 1 // R 2 )
(3.132)
el valor de RE5 est condicionado a lo que seleccionemos en el paralelo R1 con R2.
De esto se tendr que encontrar un valor de compromiso para no afectar la
estabilidad de Q5. Volviendo a la ganancia de Q5, el nico valor que no se
encuentra acotado es RC5, por lo tanto
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48
A Q5
h fe5
R i5
(3.133)
de donde
(A Q5 R i5 / h fe5 ) R i4
R C5
R i4
(A Q5 R i5 / h fe5 )
(3.134)
C3
donde
Ro1
= RE1
1
L
Ro 1 2 + RL
[(R c4 + h ie 3 ) / h fe3 ] // [R 2 + R 3 + R L (1 + h fe 1 2 )]
h fe 1
(3.135)
(3.136)
A las capacidades restantes, que por lo general son pequeas comparadas con C3,
se las calcula para que corten una dcada por debajo de L, a los efectos de que no
exista coincidencia de ceros de la funcin transferencia total en baja frecuencia y
con esto evitar posibles oscilaciones
1
C1 =
L 10
=
R g +R i
L 10
2R g
(3.137)
L 10
R c5 +R i4
(3.138)
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49
30.89 Voltios
10 mV
= 3.089 x 10 3
= 3.089
A4
= 3443
Como sta es una ganancia muy grande, necesitaremos un amplificador de, por lo
menos, dos etapas. Tomaremos inicialmente la etapa que observamos en la figura
3-22 ahora iniciamos el clculo de RC4, tomando la ecuacin 3.125
(18 06 0.6)V
10x1.47mA
R C4
= 1142.8
= I C4 x VCEQ
Con este dato podemos elegir el tipo de transistor a usar, con lo cual, de las curvas
tomaremos el hfe4mn. Para este caso, supondremos que el hfemn=100.
Con esto calculamos Ib4
14.7 mA
= 0.147 mA
100
por lo establecido en la ecuacin 3.127 tendremos
I b4
0.5 V
= 34
14.7 mA
tomando como dato del manual un hie= 2K, podemos calcular la Ri a la entrada
de Q4, pero primero debemos calcular el paralelo R8//R4
R8
R E4
VCC - VB4
10I B4
(36 - 1.1) V
1.47 mA
VB4
10I b4
R4
R 8 //R 4
34.9 V
1.47 mA
1.1 V
1.47 mA
23.7K x 0.748K
23.7K + 0.748K
= 23.7 K
= 748
= 725
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50
= h fe5
RL
R i5
= h fe5
R i4
R i5
200
640
30000
= 4.27
para esto an no hemos considerado la carga de RC5 que disminuir esta ganancia.
Ahora calculamos AQ4
A Q4 = h fe
R i3 // R c4
R i4
12.95 K // 1142.8
= 164
640
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51
30K x 201K
=
(201 30K)
35.26K
Vcc
R5
RC5
R8
C2
RC4
ICQ
IC4
IC5
Rg
IB3
Q6
C1
RE1
D1
Q5
Eg
Q1
Q3
Ri4
Q4
Ria
RE2
R'2
R6
RE6
RE5
R4
Cc
RE4
Q2
R3
FIGURA 3-24
Ahora debemos calcular los puntos de trabajo de Q5 y Q6 y las resistencias que nos
dar la ganancia buscada. Como AQ4 tiene una ganancia de 164, la ganancia de AQ5
deber ser
A4
3443
A Q5 =
=
= 21
A Q4
164
Como sta es la primera etapa de ganancia, la excursin de tensin deber ser
Vin A Q5 = 10mV x 21 = 0.21 V
as que la cada de tensin que debemos dar a Q5, de VCE, deber ser un voltio
mayor para evitar que el transistor entre en la zona de saturacin, por lo tanto
VCEQ5= 1,21V.
Para calcular RC5 partimos de que
A Q5 = 21 =
h fe5
R c5 // R i4
R i5
donde
R i5
= h ie5 + R E5 (1 + h fe5 )
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52
RL
R C5 // R i4
h ie5
R E5 +
h fe5 + 1
A Q5 =
R E5 =
R C5 // R i 4
21
h ie
h fe 5 + 1
10.26
21
201
R i5
= h fe 5
R C5 // R i4
R i5
200
320
750
= 85
Vcc - VC E5 36 - 1.21
=
= 53.72
R C5 + R E5 640 + 10
C3
( R o 1 2
1
+ R L ) L
1
(1.2 + 8) 6.28 x 30
= 576 f
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53
C1
C2
2R g L
10
1
(R c5
1
60K x 6.28 x 3
+ R i4 ) L
10
= 0.88 f
1
640 x 2 x 6.28 x 3
= 41.5 f
R1
b
1,2V
Cc
Q1
Q2
R2
e
Re1
Ei
0,6V
R3
b
Re2
RL
Q3
Q4
R4
c
-Vcc
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54
V + CC = VCC-
para
(3.139)
Ei
Ri
R2
R3
+
Vi
-
b b1
R1
C1
hie1
C2
e1
Ib1
R4
Ib1 hfe1
hie2
e2
Ib2 hfe2
e
IL = Ib1 + Ib1 hfe1 + hfe2 (Ib1 + Ib1 hie1)
IL
RL
+
V0
-
Figura 3-26
I b1 =
Ei
R 2 + R 1 // R i
R 1 // R i
Ri
(3.140)
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55
(3.141)
de donde
R i = h ie1 + (hfe1 + 1)h ie 2 + hfe 2 (hfe1 + 1)R L
(3.142)
(3.143)
Io
= (1 + h fe1 ) + h fe1 (1 + h fe 2 ) hfe1hfe2
I b1
(3.144)
R1
I2
Ciclo positivo
I1
Ri
I b1
R4
I[( R 2 + R i // R 1 ) //( R 3 + R 4 )] R 1 // R i
R 2 + R i // R 1
Ri
(3.145)
(3.146)
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56
Ai =
I o R 1 // R i ( R 2 + R i // R 1 ) //( R 3 + R i )
=
(1 + h fe 1 ) + h fe1 (1 + h fe 2 )
I Ri
R 2 + R i // R 1
(3.147)
Como R1 es mucho menor que Ri, la ganancia de corriente del Darlington se ver
disminuda por este factor.
La ganancia de voltaje ser
V
R
Av 1-2 = o = A i L 1
(3.148
Ei
R in
Para las seales negativas el estudio es similar. En este caso, los transistores Q1 y
Q2 estarn cortados, y Q3 y Q4 conducirn en su zona activa. El modelo
incremental para la entrada de seal negativa lo observamos en la figura 3-28.
Rin
I
Ei
Ri
R3
R2
+
V
i
-
C3 b4
b b3
hie4
hie3
R4
e3
Ib3
Ib3hfe3
e4
Ciclo Negativo
hie2
R1
C4
Ib4 hfe4
e
IL
RL
+
V0
-
Figura 3-28
La impedancia de entrada a la base de Q3 ser
R i 3-4 = h ie3 + [(1 + h fe3 ) + h fe4 h fe3 ]R L
(3.149)
(3.150)
(3.151)
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57
R3
I
R2
R4
I4
Ciclo negativo
I3
Ri
I b3
R1
Figura 3-29
Ib3 =
I( R 2 + R 1 ) //( R 3 + R 4 // R i ) R 4 // R i
R 3 + R 4 // R i
Ri
(3.152)
I o I b 3 [(h fe 3 + 1) + h fe 4 h fe 3 ]
=
I
I
(3.153)
I o ( R 2 + R 1 ) //( R 3 + R 4 // R i ) R 4 // R i
=
[( h fe 3 + 1) + h fe 4 h fe 3 ]
I
R 3 + R 4 // Ri
Ri
RL
1
R in
(3.155)
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58
+Vcc
R1
R4
R8
I1
Icp
c
Q1
Q2
D1
1,2V
D2
Re1
Re2
0,6V
R2
R5
b
Q3
RL
c
Q4
c
R6
R3
I3
-Vcc
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59
R5
R7
I5
Icp
c
Q5
R8
Q1
Q2
D1
1,2V
I7
C1
D2
Re1 Cc
Rfcc
Ifcc
R9
0,6V
Rg
Ei
C2
Re2
R2
I8
Q6
RL
Q3
c
Q4
c
R10
R6
I6
Rf
If
1, 2I Cp
hfe1mn hfe2mn
(3.156)
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60
0,5V
I c5
(3.157)
(3.158)
I cp
h fe 3 mn h fe 4 mn
2I 5
(3.159)
0,25
I C5
(3.160)
(3.162)
(3.163)
Para el clculo de R9, R10 y Rfcc partimos de la definicin el punto 1, que deber
situarse a una tensin intermedia de la tensin que el punto 2 en reposo, de manera
que exista circulacin adecuada de corriente de polarizacin y no cargue
demasiado la salida.
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61
I8 = 10
R10 =
I6
h femn
VBE 6 + 0,25 v
I8
(3.164)
(3.165)
(3.166)
Vcc / 4
(3.167)
I8
El capacitor C1 se debe calcular para que la constante de tiempo de una
frecuencia de corte de la realimentacin de continua, sea por lo menos tres dcadas
por debajo de la frecuencia de corte inferior a la del amplificador. Por lo tanto
R fcc =
1000
(3.168)
2f L [R fcc //( R 9 + R 10 )]
si bien esto da una respuesta en continua muy baja, es suficiente para responder a
los cambios trmicos.
Concluido el clculo de las resistencias, estamos en condiciones de calcular
la ganancia y la impedancia de entrada. La impedancia presentada por la fuente
de corriente est definida por la resistencia que presenta el colector
C1 =
R o = rc
R E + R G (1 - )
RE + RG
R 5 + ( R 7 // R 8 ) / h fe
R 5 + ( R 7 // R 8 )
(3.169)
(3.170)
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62
R in = R 10 // R 9 //[h ie + R 6 (1 + h fe 6 )]
(3.173)
(3.174)
R
Vo
= f
Ei
Rg
(3.175)
10
2 f L ( R o + R L )
(3.176)
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63
PD1 = I 0 V + - I 0 (R L + R E1 )
(3.177)
Vcc
Ib1
D1
Rg
Q1
RE1
c
R2
Ei
I0
V0
RE2
RL
Q2
b
Ib2
-Vcc
2P
V+
=
= D1+mx
2( R L + R E )
V
(3.178)
R L (mn)
V2
=
- R E1
4PD1(mx)
(3.179)
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64
PD1(mx)
(3.180)
V+
Ib1
Q1
D1
D2
Rg
RE1
c
D4
Ei
I0
V0
RE2
RL
D3
Q2
b
Ib2
-Vcc
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65
(3.182)
Por lo tanto, para una corriente lmite dada para el caso de un corto a tierra
R E1 =
(3.183)
Si bien esto funciona correctamente, tiene la desventaja que no tiene un corte neto
debido a la curva del diodo.
Otro aspecto negativo es que el lmite de corriente es dependiente de la
temperatura, ya que el umbral viene dado por la cada de tensin en el diodo D2.
Esto ltimo, si bien nos da un umbral variable, produce un cambio de manera
negativa con la temperatura, as que reducir el valor de corriente lmite cuando la
temperaturas se incrementa, que puede ser beneficioso en el caso de sobre
temperatura. No obstante la limitacin de corriente que produce este circuito debe
considerarse que los transistores debern disipar toda la potencia que implica esta
corriente y la cada de tensin de fuente. Esta disipacin la podemos despejar de la
Ec. 3.183
El circuito de la figura 3-34 trabaja de manera similar al circuito anterior,
con la diferencia que cuando alcance la tensin umbral, el transistor Q3 aumentar
la variacin de cambio de corriente, lo que hace que el codo de limitacin sea ms
pronunciado. Otro tanto ocurre para Q4, en el semiciclo negativo.
En este caso al igual que en el circuito a diodo, se producir una
disminucin del umbral de corriente, debido a las variaciones de la tensin base a
emisor de los transistores del circuito de limitacin. Esta variacin, se puede
calcular en funcin a tomar como base una cada tpica en RE de 600mV, para la
mxima corriente en la carga. Si tomamos el valor tpico de variacin de -2mV/C
en la cada de tensin base a emisor, el decremento de corriente en el valor lmite
viene dado por
I 0 =
( 2mV / C)t I
600mV
(3.184)
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66
Vcc
Ib1
a
D1
Q1
Q3
RE1
Rg
I0
V0
RE2
Ei
RL
Q4
D2
Q2
b
Ib2
-Vcc
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67