Circuito Espejo

Bsicodeycorriente
Mejoradotipo Wilson

Resumen Implementacin y caracterizacin a gran y pequea seal de un circuito espejo de corriente

utilizando los transistores MOSFET tipo N.
Palabras clave; MOSFET; espejo de corriente; impedancia; modelo en pequea seal.

Introduccion
Los diseos de fuentes de corriente en circuitos analgicos estn basados en copiar
reflejar la corriente desde una referencia constante. En esta prctica se analizar la configuracin
del espejo de corriente tipo Wilson mejorado y bsico, como se ilustran en los circuitos
esquemticos de las figuras 1 y 3, utilizando transistores MOSFET N cuyo modelo se muestra en
Fig. 7.

Fig. 1 Circuito esquematico de espejo de corriente.

Analizando el circuito a gran seal de la figura 1, se observa que la resistencia R, establece una
corriente de referencia para en funcin de la fuente de alimentacin , adems de la cada de tensin
en . Los transistores T1 y T2 estan conectados como un diodo inversamente polarizado debido a la
estructura MOSFET con ello la resistencia que refleja es la resistencia entre las terminales drenaje
y fuente el que estn conectadas las terminales de drenaje y compuerta implica que bajo ciertas
condiciones los trasistores se encuentren en la regin de saturacin, mientras supere el voltaje de
umbral ().
Conisderando que los cuatros trasistores estn en la regin de saturacin se tiene que:
(1)
(2)
(3)
(4)
Suponiendo tambin que y como , al igualar las ecuaciones 3 y 4 tenemos que:
(5)
(6)
Al igualar las ecuaciones anteriores se tiene la dependencia de las corrientes y .
(7)
Tambin se observa que por consiguiente:
(8)
(9)
Como tambin:
(10)
Resolviendo para ecuaciones 9 y 10, considerando que los transistores son iguales esto es k=1,

se tiene:
(11)
Tambin se observa que por estar en cascada entonces igualando las ecuaciones 2 y 4 y
tomando en cuenta que y con la condicin de que los transistores son iguales:
(12)
Fig. 2 Modelo a pequea seal del circuito de Fig. 1.

Y la impedancia reflejada en Vi del circuito de la figura 1 puede calcularse al considerar el

modelo a pequea seal como se muestra en la Fig. 2, considerando que todos los transistores son
iguales la impedancia de salida es:
(13)

A continuacin se darn las condiciones para que los trasistores del circuito de la Fig. 1, se
encuentren en la regin de saturacin.
Para M1, que exista un:
(14)

Para M2:
(15)

Para M3:
(16)

Para M4, que exista un:

(17)

A continuacin se presenta el analisis del circuito espejo de corriente tipo Wilson basico.

Fig. 3 Circuito esquematico de espejo de corriente bsico.

Las condiciones para que los trasistores del circuito de la Fig. 4 , se encuentren en la regin de saturacin se
enumeran a continuacin.

Para M1:
(18)

Para M2:
(19)

Para M3:
(20)

El anlisis a gran seal del circuito de la figura 3 se hace considerando a los tres transistores en
la regin de saturacin por ello las corrientes estn daddos por:

(21)
(22)
(23)
(24)

Suponiendo tambin que y , al igualar las ecuaciones 23 y 24, se tiene que:

(25)
(26)

Al igualar las ecuaciones anteriores se tiene la dependencia de las corrientes y .

(27)

Fig. 5 Modelo a pequea seal del circuito de la figura 3.

La impedancia de salida del circuito de la figura 5:

(28)

DESARROLLO EXPERIMENTAL

PROCEDIMIENTO
Para realizar el anlisis del circuito se utiliz MATLAB con SIMULINK. Se utilizaron cuatro
transistores tipo N con la configuracin mostrada en la Fig. 3. En el cul se puede observar las
mediciones realizadas tanto a la entrada, como a los voltajes de compuerta, y de drenaje de los
transistores con el fin de monitorear las distintas respuestas al realizar un barrido en voltaje para
determinar sus zonas de operacin y as poder identificar cuando entran a saturacin.

Fig. 6 Diagrama a bloques del circuito de la figura 1, utilizando Simulink.

Fig. 7 Parametros del transistor MOSFET N utilizado en Simulink.

Fig. 8 Diagrama a bloques del circuito espejo de corriente bsico implementado en Simulink.

RESULTADOS
La graficas de la figura 6, muestran el comportamiento cuando los trasistores entran en
saturacin del circuito espejo de corriente mejorado, por ejemplo para voltajes menores que 2
voltios el voltaje Vy va creciendo por ello entra en conduccin el trasistor T4 hasta llegar a
saturacin superando los 2 voltios. Con ello tambin se observa como el voltaje Vds3 al inicio es
mayor por que no se supera el Vth para voltajes menores que 2 voltios en consecuencia se
encuantra apagado T3, una vez superado este voltaje pasa a conduccin y posteriormente a
saturacin T3. Esta misma situacin ocurre para el trasistor T1, una vez superado el voltaje Vth
menos el voltaje de Vy entrara en saturacin asi obligando a T2 a conducir y posteriormente entrar
a saturacin.

Fig. 9 Ciurva de voltajes en los puntos Vx, Vy vs Vi del circuito Wilson mejorado.
Fig. 10 Graficas de voltajes en drenaje a fuente de los transistores contra el voltaje de entrada del circuito Wilson mejorado.

Fig. 11 Grafica de la corriente reflejada contra el voltaje Vi del circuito mejorado.

Fig. 12 Graficas de corrientes de referencia contra el voltaje de entrada del circuito mejorado.
Fig. 13 Graficas de VGS1 y VDS1 contra el voltaje de entrada del circuito basico.

Fig. 14 Graficas voltaje VGS2 y VDS2 contra el voltaje de entrada del circuito bsico.

Fig. 15 Graficas voltaje VGS2 y VDS2 contra el voltaje de entrada del circuito bsico.

Fig. 16 Graficas de corrientes de referencia contra el voltaje de entrada del circuito bsico.

References
1.

L. N. Robert L. Boylestad, electronic devices and circuit theory, de Field-Effect Transistors, PEARSON, pp. 396-409

2.

Fairchild Semiconductor Corporation, BS170 / MMBF170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Fairchild
Semiconductor Corporation, 2010

3.

Vishay Intertechnology, P-Channel 60-V (D-S) MOSFET, Vishay Intertechnology, 2008

4.

B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits., Singapore: McGRAW-HILL , 2001

5.