UNIVERSIDADTECNOLGICADELPER

VicerrectoradodeInvestigacin

ElectrnicaAnalgicaI

TINSBsicos

FacultaddeIngenieraElectrnicayMecatrnica

TEXTOSDEINSTRUCCINBSICOS(TINS)/UTP

LimaPer

ElectrnicaAnalgicaI
DesarrolloyEdicin:VicerrectoradodeInvestigacin
ElaboracindelTINS:Ing.MoissLeureyrosPrez

Ing.JosAndresSandovalValencia
DiseoyDiagramacin:JuliaSaldaaBalandra
Soporteacadmico:InstitutodeInvestigacin
Produccin:ImprentaGrupoIDAT
Quedaprohibidacualquierformadereproduccin,venta,comunicacinpblicaytransformacinde
estaobra.

El presente material contiene una compilacin de obras de Electrnica

Analgica I, publicadas lcitamente, resmenes de los temas a cargo del
profesor;constituyeunmaterialauxiliardeenseanzaparaserempleadoen
eldesarrollodelasclasesennuestrainstitucin.

stematerialesdeusoexclusivodelosalumnosydocentesdelaUniversidad
Tecnolgica del Per, preparado para fines didcticos en aplicacin del
Artculo41inc.CyelArt.43inc.A.,delDecretoLegislativo822,Leysobre
DerechosdeAutor.

Presentacin

ElpresentetextoelaboradoenelmarcodedesarrollodelaIngeniera,esunmaterialde
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniera Electrnica y Mecatrnica para la
Asignatura de Electrnica Analgica I correspondiente al sexto y quinto ciclo de estudios
respectivamente.

Plasmalainiciativainstitucionaldeinnovacindelaprendizajeeducativouniversitarioque
enaceleradacontinuidadpromuevelaproduccindematerialeseducativos,actualizados
enconcordanciaalasexigenciasdeestostiempos.

Esta edicin apropiadamente recopilada, de diversas fuentes bibliogrficas, de uso

frecuente en la enseanza de la Electrnica Analgica I, est ordenada en funcin del
sillabusdelaasignaturaarribamencionada.

Laconformacindeltextohasidoposiblegraciasalesfuerzoydedicacinacadmicadelos
Profesores:Ing.MoissLeureyrosPrezyJosAndrsSandovalValencia;ellosbasadosen
su reconocida labor profesional acadmica han hecho posible la presente estructura
capitular:

El primer capitulo: Diodos; esboza la teora del diodo semiconductor, caractersticas,

parmetroselctricosyaplicaciones.

Enelsegundocaptulo:Filtros;estudialosfiltrospasivos,losdiferentestiposdefiltrosy
familiasdetalmaneraqueseentiendasuaplicacin.

En el tercer captulo: Transistor de juntura bipolar; se presenta el funcionamiento del

transistor,sucurvacaracterstica,puntodeoperacin,polarizacinyanlisisenpequea
seal.

En el cuarto captulo: Transistor de efecto de campo; se estudia otro tipo de transistor

diferencindolo con el BJT en cuanto a estructura interna y modo de trabajo o
funcionamiento.EnestecaptulotambinseestudiaelMosfet.

Enelquintocaptulo:Amplificadores;seestudialascaractersticasdellosamplificadores,
culminandoconamplificadoresoperacionales.

En el sexto captulo: Reguladores; los reguladores de tensin son importantes porque

suministran adecuadamente la energa al sistema (circuito elctrico/electrnico) a ser
controlado,seestudiandiferentestiposdereguladores.

En el sptimo captulo: Respuesta en frecuencia; se estudia la respuesta en estado

estacionario(rgimenpermanente)deunamplificadoranteunaentradasinusoidal.Parael
estudio del amplificador, se vara la frecuencia de la sinusoide de entrada dentro de un
determinadorangodefrecuenciasyseobtienelarespuestaresultante.

Al cerrar estas lneas de presentacin, el reconocimiento institucional a los Ing. Moiss

LeureyrosPrezyJosAndrsSandovalValenciaporsuconstanciaenlacompilacindel
presentetexto.

Ing.LucioH.HuamnUreta
VicerrectoradodeInvestigacin

ndice

UnidadTemticaNo.I
Diodosemiconductor ........................................................................................................ 11
Diodoconpolarizacininversa ......................................................................................... 12
Caractersticatensincorriente........................................................................................ 12
Dependenciaconlatemperatura ..................................................................................... 13
Resistenciadeldiodo......................................................................................................... 14
Modeloscircuitalesdeldiodo ........................................................................................... 15
Capacidadesinternaseneldiodosemiconductor ............................................................ 16
Diodosespeciales .............................................................................................................. 22
Especificacionesdelosdiodos .......................................................................................... 24
Circuitosenclavadoresdefijacin..................................................................................... 38

UnidadTemticaNo.2
Filtros ............................................................................................................................. 43
Tiposdefiltros................................................................................................................... 43

UnidadTemticaNo.3
Eltransistorbipolar(BJT) .................................................................................................. 59
Representacindeltransistorbipolar............................................................................... 60
Regionesdetrabajoeneltransistorbipolar..................................................................... 61
Tcnicasdecompensacin................................................................................................ 70
ParmetrosK ..................................................................................................................... 83
Parmetrosadmitancia ..................................................................................................... 85
Modelosdeparmetroshibridos.................................................................................. 93
Tecnologadeltransitor .................................................................................................... 94
Formasdeconstruccindeltransitor ............................................................................... 95

UnidadTemticaNo.4
Eltransistorunipolar(FET)................................................................................................. 99
Principiodefuncionamiento ............................................................................................. 99

UnidadTemticaNo.5
Gananciasdelamplificador ............................................................................................... 127
Configuracionesdetransistores........................................................................................ 134

UnidadTemticaNo.6
Reguladores....................................................................................................................... 189
Tiposdereguladores ......................................................................................................... 191
Ejemplosdereguladoreslineales...................................................................................... 193
7

Reguladoresconcircuitosintegrados ............................................................................... 198

UnidadTemticaNo.7
Respuestaenfrecuencia ................................................................................................... 217
Respuestaenfrecuenciadelosamplificadores ................................................................ 218
Puntosdemediapotenciayanchodebanda ................................................................... 219
Respuestaenfrecuenciadeltransistor............................................................................. 221
Mtodosderespuestaenfrecuencia ............................................................................... 223
Respuestaenbajafrecuencia ........................................................................................... 233
CalculodelarespuestaenfrecuenciausandoMATLAB ................................................... 241
Diseodefiltrosactivosmedianteamplificadoresoperacionales ................................... 242
Acoplocontransformadoresenbandaancha .................................................................. 246
Redeslinealesdesegundoorden ..................................................................................... 250
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 256

Bibliografa ........................................................................................................................ 263

DistribucinTemtica

Clase
N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16

Tema
Circuitos con diodos. Estabilidad trmica. Circuitos de
conmutacin,limitadores,enclavadores.
Circuitos equivalentes, curvas VI. Diodos especiales.
Amplificaciones.
Circuitos de rectificacin con diodos Rectificacin de
media onda y onda completa. Factor de rizado.
Aplicaciones.
FILTROS Y REGULADORES. Filtro a condensador. Filtro a
inductancia.FiltroLC.
Filtro de varias etapas. Reguladores con Zener y C.I.
Aplicaciones
EltransistorBipolar.Mtodosdepolarizacin.Comparaci
losdiferentesmtodos.
Factores de estabilidad. Rectas de carga en contnua y
alternaaplicaciones.
El transistor de efecto de campo. Curvas, caractersticas
delFET.Zonaomisayactiva.
MtodosdePolarizacinyestabilidad.Aplicaciones

EXAMENPARCIAL
Anlisis en pequeas seales del amplificador de audio
frecuencia. Modelo de parmetros hbridos. Clculo de
ganancia.
FormadeAcoplodelosAmplificadores.
Amplificador Multietapas y configuraciones notables. El
amplificadorcascodeyamplificadordarlington.
El Amplificador Diferencial. Amplificador Operacional.
Aplicaciones.
Respuesta enfrecuenciadeamplificadoresdeuna o ms
etapas. Funciones de transferencias. Ceros y Polos
diagramadeBode.
Frecuenciasdecorteinferiorysuperior.

Semana

Horas

10

11

12

13

14

15

16

Clase
N
17
18

Tema
Respuesta en frecuencia del transistor bipolar BJT.
Aplicaciones.
Respuestaenfrecuenciadeltransistordeefectodecampo
FET.Aplicaciones.

Semana

Horas

17

18

19

EXAMENFINAL

19

20

EXAMENSUSTITUTORIO

20

10

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.1

DIODOSEMICONDUCTOR:
Es un dispositivo formado por una capa de semiconductor tipo P junto a otra de
tipoN.

Conducecorrienteenunsolosentido,segnlapolaridaddesusterminales.Enlas
siguientesgrficassemuestranlasconcentracionesdecargasdentrodesuscapas
sinpolarizacin,conpolarizacindirectayconpolarizacininversa:

Diodosinpolarizacin
Aqu vemos que las concentraciones de cargas se mantienen constantes en el
cuerpodelmaterial.

Ppo
P
Npo

+
+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+
+

Nno
N
Pno

Donde:
PPO=Concentracindecargaspositivaslibres(mayoritarias)enlazonaP.
NPO=Concentracindecargasnegativaslibres(minoritarias)enlazonaP.
NNO=Concentracindecargasnegativaslibres(mayoritarias)enlazonaN.
PNO=Concentracindecargaspositivaslibres(minoritarias)enlazonaN.

Diodoconpolarizacindirecta
Aquvemosquelasconcentracionesdecargasdelosportadoresminoritarioshan
aumentadoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayun
excesodecargasaambosladosdelazonadetransicin.

En esta situacin, el dispositivo conduce corriente desde la zona P a la zona N.

ObsrvesequelafuenteVtienesupolopositivoenlareginP(llamadaANODO)y
elnegativoenlareginN(llamadaCATODO).

11

ElectrnicaAnalgicaI

Ppo

Nno

N1
N1

Npo

P1

(Vo
+

V)

+
V

Pno

>

Diodoconpolarizacininversa
Aquvemosquelasconcentracionesdecargasdelosportadoresminoritarioshan
disminuidoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayuna
escasezdecargasminoritariasaambosladosdelazonadetransicin.

Enestasituacin,eldispositivonoconducecorriente.

ObsrvesequelafuenteVtienesupolonegativoenlareginPyelpositivoenla
reginN.

PPO

NNO
P

NPO

PNO

+
V

Acontinuacinsemuestraelsmboloqueseusapararepresentarlo:

CARACTERSTICATENSINCORRIENTE:
Laecuacindeldiodosemiconductores:

ID=Io(V/VT1)

12

ElectrnicaAnalgicaI

Donde:

V=tensineneldiodo
ID=corrientedeldiodo

Io=corrienteinversadesaturacin

VT=kT/e=Tensintrmica(25.8mVT=300K)
=Coeficientedeemisin(1paraelgermanioy12paraelsilicio)

k=ConstantedeBoltzman=8.62x105eV/K)

e=Magnituddelacargadelelectrn=1.602x1019C
T=TemperaturaabsolutaenK

Eldiodoempiezaaconducirconpolarizacindirectasilatensinsuperaladecodo
oumbral,V.Estatensinvale:0.10.2Vparaelgermanioy0.6Vparaelsilicio.

Esposiblesimplificarlaecuacindeldiodositenemosencuentaque,porejemplo,
undiododesilicioprcticamentenoconducesisutensindirectaesdelordende
0.5V.

Enestecaso,con=2:

ID=Io(V/VT1)=Io(0.5/2x0.02581)=9.691=16,1541

Lo anterior significa que cuando el diodo conduce corriente directa, podemos

despreciarelnmero:1,debidoaquenointroduceerrorapreciable.

DEPENDENCIACONLATEMPERATURA:
Losdispositivossemiconductoresdependenmuchodelatemperatura.Lacorriente
inversadesaturacindeldiodoesdadaporlaecuacin:

Io=KTmeVGO/VT

Donde:
TeslatemperaturaabsolutaenK.
Kesunaconstante
VGO=EGO/e:Eselequivalenteentensindelanchodelabandaprohibida0K
VT=kT/e:Eslatensintrmica.

Sedemuestraque:
Ioseduplicaporcadaaumentodelatemperaturaen10C

La tensin en el diodo disminuye en 2.5 mV por cada grado de aumento de la

temperatura:
V/T=2.5mV/C
13

ElectrnicaAnalgicaI

Estos datos deben tenerse muy en cuenta cuando el dispositivo eleva su

temperatura

RESISTENCIADELDIODO:
SiundiodotieneaplicadaunatensinVyconduceunacorrienteID,sepresentan
dostiposdeefectosresistivos:

RESISTENCIAESTTICA:
En el grfico siguiente vemos la curva del diodo y las coordenadas del punto de
trabajo,Q,son:(VQ,IDQ)

Laresistenciaestticaesdefinidacomo:
RE=VQ/IDQ

ID

IDQ

VQ

Esteconceptoesaplicablecuandoeldiodoestsometidoatensionesycorrientes
constantes.

RESISTENCIADINMICA:
Esta resistencia se emplea cuando el diodo es sometido a corrientes y tensiones
quevaranconeltiempo.

14

ElectrnicaAnalgicaI

ID

IDQ + id

VQ - vd

VQ

VQ + vd

IDQ
IDQ - id

Enlagrficapuedeversequelasealmontadaenelniveldelpuntodeoperacin
hacevariarlatensinycorrienteenV(=vd)yID(=id),alrededordelpuntode
trabajo, Q. En este caso es ms til el concepto de resistencia dinmica, definida
como:

rd=dV/dID

Lacualesevaluadaenelpuntodetrabajo,Q.

Podemosverquelaresistenciadinmicaeslainversadependientedelatangente
en el punto de trabajo, Q, del diodo. Se obtiene la ecuacin de la resistencia
dinmica partiendo de la ecuacin del diodo. Si derivamos ID respecto de V,
obtenemosinicialmentelaconductanciadinmica:

gd=dID/dV=Io[eV/VT]/VT=IDQ/VT

Luegolaresistenciadinmicaes:
rd=1/gd=VT/IDQ

MODELOSCIRCUITALESDELDIODO:
El concepto de resistencia dinmica nos permite hacer un modelo linealizado del
diodoparasimplificarlosclculosyevitarelempleodelaecuacinexponencial:

15

ElectrnicaAnalgicaI

ID

1/rd

V
V

La tensin de codo o tensin umbral, indica el voltaje directo al cual el diodo

empiezaaconducircorrienteapreciable.

Elgrficomostradosepuederepresentarporelsiguientecircuito:

rd
+

A
DIODO IDEAL

- C

Eldiodoidealesundispositivoquenoexistefsicamente,peroquenossirvepara
hacerelmodelocircuital.Enestedispositivo:rd=0,V=0,Io=0ypuedemanejar
cualquier corriente a cualquier frecuencia y puede soportar cualquier tensin
inversa. Su grfico corresponde a una lnea vertical que, con polarizacin directa,
coincideconelejedecorrientesyconpolarizacininversa,sugrficacoincidecon
elejedetensiones.

Sedebeindicartambinquesisequierelograrmsprecisin,sepuedenemplear
mssegmentos,yelmodelocircuitalsecomplicarms.

CAPACIDADESINTERNASENELDIODOSEMICONDUCTOR
Otra de las caractersticas notables de la unin PN es que en la regin de
transicinsepresentandostiposdeefectocapacitivo.Uno,predominacuandohay
polarizacininversayelotropredominacuandohaypolarizacindirecta.

Empezaremosestudiandoelcasoconpolarizacininversa

Capacidaddetransicin(CT):
Alestablecerselaunin,seproduceunflujoinicialdecargasatravsdeelladebido
a los gradientes de concentracin. Los tomos de impurezas a los costados de la
16

ElectrnicaAnalgicaI

juntura se ionizan, formndose dos regiones con cargas opuestas e inmviles

debido a que los iones estn fijos en la red cristalina. Este comportamiento es
similar al de un condensador de placas planas y paralelas. Sin embargo, la
diferenciaestenqueestasregionespuedenaumentaroreducirsuseparacinen
funcindelvoltajeexternoaplicado,dandoorigenaunefectocapacitivonolineal.
Por ello, y teniendo en cuenta que CT debe ser un valor positivo, se define la
capacidad de transicin en funcin de la magnitud de la derivada de la carga
respectoalvoltajeaplicado: CT=dQ/dV

Uninabrupta:Esaquellaenlaqueelmaterialtipopcambiabruscamenteatipon
oviceversa.

W=anchototaldelaregindetransicin.
Wp=anchodelaregindetransicinenlazonaP.
Wn=anchodelaregindetransicinenlazonaN.
A=Area(oseccin)transversaldeldiodo.

Elprimerpasoeshallarladistribucindecargaspartiendodeladensidaddecarga:
Si la concentracin de impurezas es uniforme, en estado de equilibrio, las cargas
negativasaunladodelaunin,debenserigualesalaspositivasalotrolado.Osea:

AWpeNd=AWneNa

Dedonde:

WpNd=WnNa

V +

W
Wp

Wn

- - - + + +
- - - + + +
P
A

- - - + + +

- - - + + +

- - - + + +
- - - + + +
Vo - V
0

Wp

Utilizandolaspropiedadesdelasproporciones:

Wp=WND/(NA+ND)
17

ElectrnicaAnalgicaI

Wn=WNA/(NA+ND)

El ancho de la regin de transicin se relaciona con el voltaje externo con la

siguienteecuacin:

eNDNAW2
VoV=

2(NA+ND)

Lacapacidaddetransicinseobtieneconlasiguienteecuacin:

A
CT=

DespejandoWyreemplazando:

A[eNAND]1/2
CTo
CT==
[2(NA+ND)]1/2[VoVD]1/2[1V/Vo]1/2

Esteresultadoesvlidoparauninabrupta.

Sepuedededucirenformaanlogaparaotrostiposdeuniones.Enestecaso:

CTo
CT=

[1V/Vo]m

CTo eslacapacidaddetransicincuandonohaypolarizacinexterna.
m es el coeficiente de gradiente de unin y su valor est comprendido entre
0.33y0.5

Capacidaddedifusin(CD):
Estecomportamientosepresentaprincipalmentecuandolapolarizacinesdirecta.
Comoyasehavisto,enestecasolasconcentracionesdeportadoresminoritarios
aumentanaloscostadosdelazonadetransicin.Elaumentodehuecosenunlado
secorrespondeconlareduccinenelotrolado,generndoseunefectocapacitivo
porhuecos,algoanlogosucedeconloselectrones.Estascapacidadestambinson
nolineales,porloquesedefine:

18

ElectrnicaAnalgicaI

CD=CDp+CDn=dQp/dV+dQn/dV

Donde:
Qprepresentaelexcesodecargaspositivas(huecos)
Qnrepresentaelexcesodecargasnegativas(electrones)

Estascargas son proporcionales alacorrienteen eldiodo y podremosexpresarla

como:

Q=QoV/VT

Luegoobtenemos:
CD=gpp+gnn

Donde:
gpeslaconductanciadinmicadehuecosenlazonaP.
gneslaconductanciadinmicadeelectronesenlazonaN.
peseltiempodevidamediodeloshuecosenlazonaP.
neseltiempodevidamediodeloselectronesenlazonaN.

Enelcasoparticularque:
p=n=

Laecuacinsereducea:

CD=g

Donde:geslaconductanciadinmicadeldiodo.

PROBLEMA 1.1: Un diodo de silicio p+ n, con = 1, est polarizado con una

corrientedirectade1mA.Sucapacidaddetransicines100pF.Sieltiempode
vida medio es n = p = 1 s Cul es la admitancia del diodo a temperatura
ambienteaunafrecuenciade1MHz

SOLUCION:
Laconductanciadinmicadeldiodoestdadapor:

g=ID/VT=1mA/26mV=0.04A/V

Lacapacidaddedifusines:CD=g=40nF

Como esta capacidad es mucho mayor que la de transicin, la capacidad

equivalenteserprcticamenteCD
19

ElectrnicaAnalgicaI

Laadmitanciadeldiodoa1MHzes:

Y=g+jwCD=0.04+j0.025

PROBLEMA 1.2: Para qu tensin inversa la corriente de un diodo de germanio

serel90%desuvalordesaturacin(Io)atemperaturaambiente?

SOLUCION:
Lacorrientedeldiodoestdadaporlaecuacin:

ID=Io[V/VT1]

A una tensin de polarizacin inversa, V, el diodo dejar pasar una corriente

inversaiguala0.9Io.

Entonces:
0.9Io=Io[V/VT1]

0.9=V/VT1

exp(V/VT)=0.1

Dedonde:V=(26mV)ln(0.1)=59.87mV

Tiemposdeconmutacindeldiodosemiconductor:
Cuando el diodo trabaja en conmutacin ( o sea, pasando de su estado de
conduccin al de no conduccin y viceversa), demora para pasar de un estado al
otro.

Altiempoquedemoraenpasardelestadodeconduccinaldenoconduccinsele
llama:tiempoderecuperacininversa(trr).

Altiempoquedemoraenpasardelestadodenoconduccinaldeconduccinsele
llamatiempoderecuperacindirecta(trd).

Es importante tener cuidado con estos tiempos debido a que durante los
transitorioslosdiodospuedenverseafectadoseinclusodestruirse,especialmente
cuandotrabajanconcorrientesaltas.

Tiempoderecuperacininversa(trr):
Cuandoeldiodoconduce,hayunexcesodecargasaambosladosdelareginde
transicin. Al invertirse la polaridad este exceso debe ser eliminado para que el
diodo pase a su estado de no conduccin. Por ese motivo, el diodo conducir en
sentidoinversoduranteunosinstantes,comosemuestraenlasiguientefigura:
20

ElectrnicaAnalgicaI

0.7

ID
ta
I

tb
- 0.2 IR

t
t

- IR

ta eseltiempoquepasadesdequelacorrienteescerohastaquellegaasupico
inverso(IR)
tb eseltiempoquepasadesdequelacorrienteestaensupicoinversohastaque
sereduceal20%desuvalor.

Luego:

trr=ta+tb

El rea bajo la curva de corriente inversa representa la carga de recuperacin

inversa,QR,(cargaenexceso).

Delasgrficasvemosquesecumpleaproximadamente:

QR=IRta+IRtb=IRtrr

Luego:

IR=2QR/trr

Alarelacinentretb/taseledaelnombredefactordesuavidad,FS

FS=tb/ta

Tiempoderecuperacindirecta(trd):
Cuandoeldiodonoconduce,hayunaescasezdecargasaambosladosdelaregin
detransicin.Alponersepolarizacindirecta,estaescasezdebepasaraexcesode
cargasydeberlimitarselavelocidaddevariacindelacorriente(dI/dt)porqueel
dispositivo puede daarse, especialmente cuando est trabajando con corrientes
altas.

21

ElectrnicaAnalgicaI

La variacin de la velocidad de la corriente se limita comnmente poniendo una

bobinadepequeovalorenserieconeldiodo.

PROBLEMA 1.3: El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es trr = 5s y la

velocidaddereduccindelacorrienteesdI/dt=80A/s.Sielfactordesuavidad
esFS=0.5,halle:

a) Lacargadealmacenamiento,QR
b) Lacorrientepicoinversa,IR

Solucin:
a) Sabemosque:
trr=ta+tb=ta(1+FS)
Luego:

ta=trr/(1+FS)=5s/(1+0.5)=10/3s

tb=trrta=5/3s

Sabemostambinque: IR/ta=dI/dt
Adems:

QR=IRtrr
Reemplazando: QR=(tadI/dt)trr=(5/3*80)5s=(2000/3)C

DIODOSESPECIALES:
La unin PN es muy importante porque presenta una serie de fenmenos tiles
quedeterminanlaconstruccindediodosespeciales:

Diodos de schottky: Diodo de alta velocidad formado por unin metal

semiconductor.

Smbolo:

Diodozener:Diododiseadoparatrabajarensureginderuptura.Seleemplea
comoreguladordetensinocomolimitador.

Diodo varicap: Diodo usado como capacidad variable con la tensin. Se polariza
inversamente.

Diododeavalancha:Diodousadocomoproteccincontrasobretensiones.Seusa
sureginderuptura.

Fotodiodo:Diodousadoparaconvertirluzenelectricidad.

Diodoemisordeluz:Diodousadoparaemitirluz.
22

ElectrnicaAnalgicaI

Diodotnel:Diodoconaltaconcentracindeimpurezas.Usadocomoosciladorde
altafrecuencia.

TIPOSDEDIODOSDEPOTENCIA:
Sepuedenclasificaren:

Diodosdeusogeneral:Trabajanhasta1KHz,connivelesdetensininversadesde
50Vhasta5KVynivelesdecorrientedesde1Ahastavariosmilesdeamperios.

Diodosderecuperacinrpida:Sutiempoderecuperacininversaesdelordende
5s, con niveles de tensin inversa desde 50V hasta 3KV y niveles de corriente
desde1Ahastavarioscientosdeamperios.

Diodosde schottky:Su tiempode recuperacin inversaesdelorden de losnano

segundos,connivelesdetensininversade100Vynivelesdecorrientedesde10A
hasta300amperios.

RECTIFICADORESDEPOTENCIA:
La historia de la Electrnica de Potencia comenz en 1900 con un dispositivo
denominadorectificadordearcodemercurio.Fueelprecursordelosdispositivos
semiconductores,quediogranimpulsoalaingenieradeconvertidores.Consista
en un tubo de acero en el que se haca el vaco, dotado de un nodo de grafito
aislado y de un ctodo de mercurio que emita electrones a travs de un arco
excitador.Entreelnodoyelctodoseponaunarejilla.Alaplicarunimpulsode
tensin positivo en la rejilla se iniciaba el arco y la conduccin entre nodo y
ctodo.Entresusventajasestaban:Laelevadaresistenciaalassobretensionesya
las variaciones bruscas de corriente. Posteriormente aparecieron los dispositivos
termoinicosyagas,talescomoelfanotrn,eltiratrnyelignitrn.

La primera revolucin electrnica se inici con la invencin del transistor en los

LaboratoriosBellTelephoneporlosseoresBardeen,BrattainySchockley.

En 1956 los mismos laboratorios inventaron el rectificador controlado de silicio

(SCR).

La segunda revolucin electrnica ocurri en 1958 cuando la General Electric

Companydesarrollelprimertiristor(SCR)comercial.

En los ltimos tiempos la Electrnica de Potencia ha logrado un gran desarrollo

debido, especialmente, a la evolucin de los dispositivos semiconductores de
potenciaydelosprogresosenmicroelectrnica.
23

ElectrnicaAnalgicaI

DesdequeseconstruyelprimerSCR,losrectificadorescontroladosdesiliciohan
logrado un gran avance y actualmente pueden llegar a manejar niveles de
corrientes del orden de los 10,000 amperios. Otro tanto ha sucedido con los
transistores bipolares que tambin han logrado un alto nivel de desarrollo y los
conocimientosadquiridosconlhanservidoparacrearnuevosdispositivosqueen
la actualidad pueden ser usados en controles de velocidad, UPS, rels de estado
slido,etc.

PROBLEMA1.4:Losvaloresmedidosenundiodoatemperaturade25Cson:

V=1VconID=50AyV=1.5VconID=600A.Determine:

a) Elcoeficientedeemisin,
b) Lacorrienteinversa,Io.

SOLUCIN:
Laecuacindeldiodoes:
ID=Io(V/VT1)

Luego:
50=Io(1/VT1)=Io1/VT

Adems:
600=Io(1.5/VT1)=Io1.5/VT

Dividiendo:

600 1.5/VT

==0.5/VT

50
1/VT

Despejando:
0.5

==7.8

VTln(12)

ESPECIFICACIONESDELOSDIODOS:
Para poder seleccionar un diodo los fabricantes dan un conjunto de
especificaciones:

Tensin directa (VD): Es la cada de tensin directa para la corriente promedio

especificada.

Tensin inversa de pico repetitiva (VIP PRV): Es el mximo voltaje inverso que
puedesoportareldiodo.
24

ElectrnicaAnalgicaI

Tensin inversa de pico no repetitiva (VNR PNRV): Cuando el diodo soporta

tensiones inversas que varan con el tiempo, puede haber algn instante que
sobrepaseelVIP.Siestetiempoesmuycorto,eldiodopuedesoportarhastaeste
nivelmximo.

Estastensionessonproducidasporcargasdetipoinductivaconectadasaldiodoo
conectadasalareddeAC.

Corriente directa promedio (IDC IF): Es el nivel mximo de corriente continua

directaquepuedeconducir.

Corrientedirectapicorepetitiva(IPmaxIFRM):Cuandoeldiodoconducecorrientes
quevaranconeltiempo,puedenhaberinstantesquealcancevalorespico.Elvalor
mximoqueeldiodopuedesoportareselespecificado.

Corriente directa pico no repetitiva (IPNR IFNR): Cuando el diodo conduce

corrientes directas que varan con el tiempo, puede haber algn instante que
sobrepaseelvalorIPmaxespecificado.Siestetiempoesmuycorto,eldiodopuede
conducirhastaestenivelmximo.

Estas corrientes son producidas comnmente por cargas de tipo capacitivo

conectadasaldiodo.

Tiempo de recuperacin inversa (trr): Este parmetro es til cuando el diodo

trabajacontensionesycorrientesquevaranrpidamente.Esteparmetroindica
el tiempo mximo que demora el diodo en bloquearse al sufrir una sbita
polarizacininversa.Duranteestosinstanteseldiodoactacomouncondensador
quesedescarga.

CIRCUITOS DE RECTIFICACIN MONOFSICA DE MEDIA ONDA Y DE ONDA

COMPLETA:

Haydostiposbsicosderectificadormonofsico:
- Elrectificadordemediaonda,y
- Elrectificadordeondacompleta.

El rectificador de onda completa puede ser, a su vez, con toma central y tipo
puente.

25

ElectrnicaAnalgicaI

RECTIFICADORDEMEDIAONDA:Enelsiguientegrficosemuestraunrectificador
demediaondaconcargaresistiva:

Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada(Vin),
latensinenlacarga(VL)ylacorrienteenlacarga(IL):

LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.

VmVm
2Vmcos(kwt)
VL(t)=+sen(wt)
2

k=2,4,...(k+1)(k1)

Podemosobservarqueelniveldecontinuaqueentregaelrectificadores:

VLDC=Vm/

Yqueelprimerarmnicotienelamismafrecuenciaquelaentrada.

26

ElectrnicaAnalgicaI

Acontinuacinsemuestraunrectificadordemediaondaconcargainductiva:

Los siguientes grficos muestran las formas de onda de la tensin de entrada, la

tensinenlacargaylacorrienteenlacarga:

Seobservaquelainductanciaobligaraldiodoaseguirconduciendoapesarquela
tensindeentradacambiadepolaridad.

RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA:
En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofsicos
deondacompletaconcargaresistiva:

27

ElectrnicaAnalgicaI

Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(VL)ylacorrienteenlacarga(IL):

Podemos observar que si el puente tiene una carga resistiva, la corriente de

entrada(Iin)essinusoidalyestenfaseconlatensin(Vin).Estosignificafactorde
potenciaigual1.

LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.

2Vm 4Vm
cos(kwt)
VL(t)=

k=2,4,...(k+1)(k1)

Podemosobservarqueelniveldecontinuaqueentregaelrectificadoreseldoble
queeldemediaonda:

VLDC=2Vm/

Y que el armnico menor es el segundo y tiene el doble de la frecuencia de la

entrada.

En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofsicos

deondacompleta,concargapuramenteinductiva:

28

ElectrnicaAnalgicaI

IL

D1

D1

IL

LL
AC

VL

D2

VL
LL

AC

+
D3

D4

D2
RECTIFICADOR CON TOMA CENTRAL

RECTIFICADOR TIPO PUENTE

Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(VL)ylacorrienteenlacarga(IL):

Seobservaquelacorrienteenlacargainductivaaumentarcontinuamente;esto
sedebealcontenidodecontinuadelatensindesalida.Tambinlacorrientede
entrada(Iin)aumentar,continuamente,tendrarmnicasynoestarenfasecon
laentrada.EstosignificaqueelcircuitointroducearmnicasalafuentedeACyel
factordepotenciasedeteriora.

ESPECIFICACIONESDELOSRECTIFICADORES
Losrectificadorespuedenserdescritosmedianteunconjuntodeparmetrosque
permitencompararlosyconloscualespodemosdeterminaralmsadecuadopara
laaplicacinquesedesea.

29

ElectrnicaAnalgicaI

Estosparmetrossonlossiguientes:

1)
VOLTAJEPROMEDIOENLACARGA(VLDC)

Es el voltaje continuo que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente

expresin:

2
T
1
1
V LDC = V L (t )dt =
V L ( )d
T 0
2 0

2)

CORRIENTEPROMEDIOENLACARGA(ILDC)
Eslacorrientecontinuaquellegaalacarga.Sehallamediantelasiguiente
expresin:

I LDC =

3)

4)

1
1
I L (t )dt =

T 0
2

( )d

POTENCIADCPROMEDIOENLACARGA(PLDC)
Es la potencia en DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:

PLDC = V LDC I LDC

VOLTAJEEFICAZENLACARGA(VLef)
Eslatensintotalquellegaalacarga,incluyendolosarmnicos.Sehalla
mediantelasiguienteexpresin:

V Lef

5)

1
V L2 (t )dt =
=

T 0

1
2

2
L

( )d

CORRIENTEEFICAZENLACARGA(ILef)
Incluye la corriente DC y los armnicos que llega a la carga. Se halla
mediantelasiguienteexpresin:

I Lef =

1 2
i L (t )dt =
T 0

30

1
2

i
0

2
L

( )d

6)

ElectrnicaAnalgicaI

POTENCIAACPROMEDIOENLACARGA(PLAC)
Eslapotenciaenlacargaproducidaportodaslascorrientesytensiones(DC
yarmnicos.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

PLAC = VLef I Lef

7)

EFICIENCIA()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.

8)

PLDC

PLAC

TENSINEFICAZDELRIZADOENLACARGA(VLR)
Es la tensin eficaz de todos los armnicos que llegan a la carga. No
incluyenalatensincontinua.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

2
2
VLR = VLef
VLDC

9)

FACTORDEFORMA(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:

FF =

10)

VLef
VLDC

FACTORDERIZADO(r)
Es la relacin de la tensin eficaz del rizado, sin incluir la DC y la tensin
continuaenlacarga.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

2
2
V Lef
V LDC
V LR
r=
=
= ( FF ) 2 1
V LDC
V LDC

11)

FACTORDEUTILIZACINDELTRANSFORMADOR(TUF)
Eslarelacindelapotenciacontinuaenlacargaylapotenciadisponibleen
eltransformador.Sehallamediantelasiguienteexpresin:

31

ElectrnicaAnalgicaI

TUF =

PLDC

VS I S

12)

VS=Tensineficazenelsecundario.
IS=Corrienteeficazenelsecundario.
DISTORSIONARMONICA(THD):
Ladistorsinnosrelacionaelvaloreficazo(laamplitud)deunaarmnica
respecto al valor eficaz (o amplitud) de la fundamental, expresada en
porcentaje.
TomandocomoejemplolaseriedeFourierdelrectificadordemediaonda
concargaresistiva:

V L (t ) =

Vm

Vm
2V
2V
2V
sen(t ) m cos(2t ) m cos(4t ) m cos(6t )....
2
3
15
35

Vemos que la distorsin de segunda armnica referida a la armnica

fundamentales:

D2a=(4Vm/3)/Vm=4/3=42.44%

Ladistorsindecuartaarmnicareferidaalaarmnicafundamentales:

D4a=(4Vm/15)/Vm=4/15=8.49%

Comnmenteseemplealadistorsinarmnicatotal(THD)como:

THD=[V2m2+V3m2+V4m2+....]1/2/Vm]x100%

Donde:
Vm=Amplituddelaprimeraarmnica
V2m=Amplituddelasegundaarmnica
V3m=Amplituddelaterceraarmnica
V4m=Amplituddelacuartaarmnica
....

32

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA 1.5: Halle los parmetros del rectificador de media onda con carga
resistiva.

+
RL
220 V , 60Hz

VLdc
-

SOLUCIN:
1)
Voltajepromedioenlacarga(VLDC)

Vm=tensinpicodeentrada
VLDC=(1/T)VL(t)dt=Vm/
0

2)
Corrientepromedioenlacarga(ILDC)

T
ILDC=(1/T)iL(t)dt=Vm/(RL)

0
3)
Potenciadcpromedioenlacarga(PLDC)

PLDC=VLDCILDCPLDC=V2m/(2RL)

4)
Voltajeeficazenlacarga(VLef)

VLef=(1/T)V2L(t)dt=Vm/2

5)
Corrienteeficazenlacarga(ILef)

Incluye la corriente DC y los armnicos. Se halla mediante la siguiente

expresin:

2
ILef=[(1/T)i L(t)dt]1/2=Vm/(2RL)

33

ElectrnicaAnalgicaI

6)

7)

PotenciaACpromedioenlacarga(PLAC)

PLAC=VLefILef=V2m/(4RL)

Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.

8)

9)

PLDC V2m/2RL4
====40.53%

PLAC V2m/4RL 2

Tensineficazdelrizadoenlacarga(VLR)
VLR=V2LefV2LDC=0.3856Vm
Factordeforma(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:

VLef
Vm/2
FF====1.57

VLDCVm/2

10)

Factorderizado(r)

VLR [V2LefV2LDC]1/2
r===[(1.57)21]1/2=1.21

VLDC
VLDC

11)

Factordeutilizacindeltransformador(TUF)

PLDC V2m/2RL
TUF===28.66%

VSIS (Vm/2)(Vm/2RL)

34

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA1.6:Hallelosparmetrosdelrectificadordeondacompletaconcarga
resistiva.
IL

D1

D2

VL
RL

AC

D3

D4

SOLUCIN:
1)
Voltajepromedioenlacarga(VLDC)

VLDC=(1/T)VL(t)dt=2Vm/

Vm=tensinpicodeentrada
0

2)
Corrientepromedioenlacarga(ILDC)

T
ILDC=(1/T)iL(t)dt=(2Vm)/(RL)

3)
Potenciadcpromedioenlacarga(PLDC)

Es la corriente DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente

expresin:

PLDC=VLDCILDCPLDC=(4V2m)/(2RL)

4)
Voltajeeficazenlacarga(VLef)

Es la tensin DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente

expresin:

T
VLef=(1/T)V2L(t)dt=(Vm)/(2)

5)
Corrienteeficazenlacarga(ILef)

Incluye la corriente DC y los armnicos. Se halla mediante la siguiente

expresin:

35

ElectrnicaAnalgicaI

6)

7)

T
ILef=(1/T)i2L(t)dt=Vm/(2RL)

PotenciaACpromedioenlacarga(PLAC)

PLAC=VLefILef=(V2m)/(2RL)

Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.

PLDC 4V2m/2RL8
===
=81.06%
2
2

PLAC V m/2RL

8)

9)

10)

Tensineficazdelrizadoenlacarga(VLR)
VLR=[V2LefV2LDC]1/2=[V2m/24V2m/2]1/2=0.095Vm
Factordeforma(FF)
Eslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinenlacarga.Se
hallamediantelasiguienteexpresin:

Vm/2

VLef
FF====1.11

VLDC2Vm/22
Factorderizado(r)

[V2LefV2LDC]1/2
r=VLR/VLDC==[(1.11)21]1/2=0.234

VLDC

11)

Factordeutilizacindeltransformador(TUF)

PLDC 4V2m/2RL 8
TUF====81.06%

VSIS (Vm/2)(Vm/2RL)2

36

ElectrnicaAnalgicaI

CURVADEREGULACIN:
Cuando la resistencia de carga es menor, la tensin DC disminuye debido a la
resistenciaquetieneneldevanadodeltransformadorylosdiodosrectificadores.Si
se hace un grfico de la tensin DC en la carga vs. la corriente DC en la carga,
tendrlaformasiguiente:

VLDC

ILmax

IL

Por ejemplo, la ecuacin de la curva de regulacin de un rectificador de media

ondaes:

Vm
VLDC=ILDCRf

Rf es la suma de la resistencia del devanado del transformador y la resistencia

dinmicadeldiodo.

Paraunrectificadordeondacompleta,laecuacindelacurvaderegulacin:

2Vm
VLDC=ILDCRf

PROBLEMA1.7:Serequiereunrectificadordeondacompletaparaalimentaruna
cargacon400VDCy40A,apartirdelaredde220VAC.Determine:

a)
Lasespecificacionesdelosdiodos
b)
Lasespecificacionesdeltransformador

SOLUCIN:
La tensin pico del secundario del transformador la hallamos con la
a)
ecuacindelatensinpromedioparaelrectificadordeondacompleta:

37

ElectrnicaAnalgicaI

2Vm
VLDC= =400

b)

Luego:Vm=400/2=628.32V

Comoenelrectificadordeondacompletacadaparejadediodosconduce
enformaalternadaconlosotrosdos,cadaparejaentregarlamitaddela
corrienteDCalacarga.
Luego:IDC=20A

Especificacindelosdiodos:

Tensininversadepicorepetitivo>628.32V

Corrientepromedio>20A

Corrientedirectadepicorepetitivo>628.32/10=62.8A
Podemospartirdelfactordeutilizacindeltransformadorenelrectificador
deondacompleta:

400*40
PLDC

TUF===0.8106

VSIS (Vm/2)(Vm/2RL)

Luego:Vs*Is=400*40/0.8106=19378,47W
Latensineficazdelsecundarioes: Vs=Vm/2=444.29V
Lacorrienteeficazdelsecundarioes: Is=19378,47/444.29=43.62A
Lapotenciadeltransformadores: Ps=19378,47W

CIRCUITOSENCLAVADORESODEFIJACIN:
Son circuitos cuyo objetivo es desplazar una onda alterna en un nivel positivo o
negativodetensincontinua.

Enlasiguientefigurasemuestraunejemplo:

38

ElectrnicaAnalgicaI

C1

Vg
D1

+
Vo
-

Duranteelsemiciclonegativodelaentrada,Vg,C1secarga,prcticamente,alvalor
picodelaalternadeentrada.

Si la constante de tiempo (RC1) es mucho mayor que el perodo de la onda, el

condensadornosedescargarapreciablementeduranteelsemiciclopositivodeVg
y, en la salida, la alterna se presentar desplazada en un nivel DC prcticamente
igualalvalorpicodelatensinVg.

DOBLADORDETENSIN:
Esuncircuitoquerecibeunatensinalternayentregaunatensincontinuacuyo
voltajeeseldobledelvalorpicodelaalterna.

Estformadoporuncircuitofijadoryundetectordepicos.

Puedenser:

De media onda: Podemos observar, en la siguiente figura, que est

formado por un fijador de tensin y un detector de pico. Durante el
semiciclopositivoconduceD1yelcondensadorC1secargaalvoltajepico
dela alterna. Duranteel semiciclo negativo conduce D2 yel condensador
C2secargaaldobledelvoltajepicodelaalterna.

De onda completa: Podemos observar, en la siguiente figura, que el de

ondacompletaestformadopor2detectorespico.Eneldobladordeonda
completa,enelsemiciclopositivoconduceD1yelcondensadorC1secarga
alpicodelaalterna.EnelsemiciclonegativoconduceD2yelcondensador
C2secargaalvoltajepicodelaalterna.AlsumarlastensionesenC1yC2
elvoltajesehaduplicado.

39

ElectrnicaAnalgicaI

C1

Vp

D1

D2
C2

Vs
D1

+
RL Vo
-

C1

Vs

RL
C2

D2

+
Vo
-

DOBLADOR DE MEDIA ONDA

DOBLADOR DE ONDA COMPLETA

El voltaje de salida no llega instantneamente al doble del valor pico, sino que
subirsuvalorgradualmenteyalcanzareldobledespusdeunoscuantosciclos.
Elvoltajedesalidaesunatensincontinua.

Es posible obtener voltajes mayores empleando varios circuitos de este tipo en

cascada.

Invirtiendoambosdiodosseobtienenvoltajesconpolaridadopuesta.

PROBLEMA1.8:Enelcircuitodelafigura,losdiodossonideales.Halle:

a)
LagrficadelaformadeondadeVL.
b)
ElvoltajepicodelrizadoenVL.
c)
ElvoltajepromediodeVL.

40 uF

50K
40 uF

220V 60Hz

+
VL
-

40

ElectrnicaAnalgicaI

Solucin:
a)
LagrficadelaformadeondadeVL.

A: c2_2

700.0 V

500.0 V

300.0 V

100.0 V

-100.0 V
0.000ms

b)

c)

50.00ms

100.0ms

150.0ms

ElvoltajepicodelrizadoenVL.
Elvoltajemximoenlasalidaes:
Vm=2(220)2=622.25
Elperododelaondadeentradaes:
T=1/60=16.67ms

Despreciando el tiempo de carga y asumiendo que el tiempo de carga es

prcticamente igual al perodo, hallamos el voltaje al que se descarga el
condensador:

V1=622.2516.67/2000=617V
Elvoltajepicopicodelrizadoes:
Vr=622.25617=5.25V
Vr/2=2.625V
Elvoltajepicoderizadoes:

ElvoltajepromediodeVL.
Elvoltajepromedioenlacargaes:
VLDC=619.6V

VLDC=622.25Vr/2

LIMITADORES: Son circuitos cuyo objetivo es evitar que una seal sobrepase el
niveldetensindeseado.

Puedelimitarseunpicodelasealoambos.

Enlasiguientefigurasemuestranalgunostiposdelimitadores:

41

ElectrnicaAnalgicaI

R
D
D

Vi

D
RL

Vi
RL
VCC

VCC

LIMITADOR DE PICO POSITIVO

VCC

LIMITADOR DE PICO POSITIVO Y NEGATIVO

Las fuentes de tensin DC pueden ser reemplazadas por diodos zener o por
resistencias.

42

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.2

FILTROS:
Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango.Fueradeesterango,atenanlassealesosusarmnicas.

TIPOSDEFILTROS:
Podemos clasificarlos segn el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:

Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(fL)

Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(fH)

Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangodevalores
(fLyfH)

Filtroderechazodebanda(Notch):Rechazanlasfrecuenciasqueestnentreun
rangodevalores(fLyfH)

Filtropasatodo(odesfasador):Dejanpasartodaslasfrecuencias,peroproducen
desfasaje.Seleempleacomodesfasador.

FAMILIASDEFILTROS:
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:

H(s)=N(s)/D(s)

N(s)yD(s)sonpolinomiosens

Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una funcin de
transferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosdelafuncin
detransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.Lamayorpartedelos
requisitos que debe cumplir un filtro se satisfacen eligiendo cualquiera de las
siguientesfamilias:

43

ElectrnicaAnalgicaI

1)

2)

3)

4)

Butterworth:Suspoloscaendentrodeunacircunferenciaderadio1dentro
delplanocomplejo.Elfiltropasabajonotieneceros.Poseencaractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tieneceros. La mayor amplitud del rizo hacequela atenuacinsea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.
Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.
Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto
permitequesupendientedeatenuacinseainclusomsagudaqueladela
familiaChebyshev,peropresentarizadotantoenlabandapasantecomoen
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.

Para construir una fuente de alimentacin necesitamos quedarnos slo con la

componente DC que produce el rectificador y debemos eliminar todos los
armnicos.

Porestarazn,estasfuentesrequierenfiltrospasabajo.Lafrecuenciadecortede
estosfiltrosdebesermenorqueladelarmnicomsbajo.

FILTROSPASABAJO:
Losfiltrospasabajomsusadosenlasfuentesdealimentacinson:

44

FILTROPORCONDENSADOR
Eselmsusadoparacorrientespequeasomedianasdebidoasusencillezybajo
costo.Sufuncionamientosebasaenqueelcondensadoralmacenaenergacuando
el diodo conduce y luego la entrega a la carga cuando el diodo no conduce. Si la
capacidad es grande, no se descarga demasiado y tiende a mantener la tensin
constanteenlasalida.Unodesusprincipalesinconvenientesesquehaceconducir
corrientesmuyintensasalosdiodosdurantepequeosintervalosdetiempo.Sila
capacidad aumenta o la resistencia de carga disminuye, el diodo conduce una
corrientepicomsalta.Lascorrientesdeentradatipoimpulsoquegenera,pasana
la red AC haciendo aumentar su contenido de armnicos y afectan al factor de
potencia.

Enelcasodeunrectificadordeondacompleta:

D2

D1
VAC

RL

+
C

60 Hz
D3

D4

EnlasiguientegrficasevelaformadeondadecorrientequeentregalafuenteAC
(de17voltiospico),paraunacapacidadde2200Fyunacargade100:

45

ElectrnicaAnalgicaI

Puede observarse que la corriente de entrada no es sinusoidal y posee un alto

contenidodearmnicas.

Anlisisaproximadodelfiltroporcondensador:
Comoelcondensadorentregaenergaalacargacuandolosdiodosnoconducen,
una forma prctica de hacer que la tensin en la carga sea ms constante y
disminuyaelrizadoeshacer: RLC >> T/2 para el rectificador de onda completa
RLC>>Tparaelrectificadordemediaonda

Enelgrficoanteriorsemuestralaformadevariacindelrizadoenlacargayseve
quepodemosrepresentarelrizadocomosegmentosdebidoaquelaconstantede
tiempo es grande. El flanco de subida corresponde a los instantes que el
condensador carga y los diodos conducen; el flanco de bajada corresponde a los
instantesenqueelcondensadorsedescargaylosdiodosnoconducen.:

VL
T1

T2

Vm
Vr
Vldc

LosdiodosconducenyelcondensadorsecargaduranteeltiempoT1ylosdiodos
noconducenyelcondensadorsedescargaduranteeltiempoT2.

Hallaremosinicialmenteelfactorderizadoyluegolacurvaderegulacin:
Comoelcircuitoesunrectificadordeondacompleta,Secumple:
46

T/2=T1+T2

Vreselvoltajepicopicodelrizado.
Vmeselvoltajepicodelatensindeentrada.

LatensinDCenlacargasepuedeexpresarcomo:
VLDC=VmVr/2

Elvoltajeeficazdelaondatriangulardelrizadoesdadopor:VLr=Vr/(23)

DuranteeltiempoT2,elcondensadorsedescargaenformaprcticamentelineal:

Usandolaecuacindelcondensador:Q=CV=CVr

Entonces:
Q/T2=CVr/T2=ILDC
ILDCeslacorrientecontinuaenlacarga.

PodemosdespejarVrdeestaecuacin:
Vr=ILDCT2/C
Reemplazandoenelvoltajeeficaz:
VLr=ILDCT2/(23)C
Comnmentesecumple:
T2>>T1
Entonces:
T2=T/2

Adems:
VLDC=ILDCRL

Reemplazando:

r=

(43)fCRL

Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:

VLDC=VmILDC/(4fC)

Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.

PROBLEMA 2.1: Se quiere disear un rectificador con filtro por capacidad para
alimentarunacargacon12Vdcy1Aconrizadonomayordel5%,empleandoun
rectificadordeondacompletacontomacentral.Determinelacapacidadnecesaria,
laespecificacindelrectificadorylatensindeentradaAC.

SOLUCIN:
Comonosindicanelrizado:

0.05=

(43)fCRL
47

ElectrnicaAnalgicaI

LafrecuenciaACes60Hz

RL=12V/1A=12

1
HallamosC:
C==4009F

(43)(0.05)fRL

Elvalorcomercialmscercanoes4700F.Tambinpodemosponer2capacidades
de2200Fenparalelo.Adoptaremosestaltimasolucin.

DelacurvaderegulacinhallamoslatensinpicoACnecesaria:
VLDC=VmILDC/(4fC)
Vm=VLDC+ILDC/(4fC)=12+(1)/(4)(60)(4400*106)=12.95V

Elvaloreficazdelatensindeentradaes: Vs=12.95/2=9.16V

El diodo rectificador necesario deber ser capaz de conducir la mitad de la

corrientepromediodelacarga:0.5A.Sutensininversaeseldobledelvoltajepico
deentrada:26V

La capacidad debe soportar una tensin mxima igual al voltaje pico de entrada:
12.95V

Los componentes elegidos debern soportar ms que los valores calculados para
quepuedantenerunmayortiempodevidatil.

FILTROPORINDUCTANCIA
Estetipodefiltroseusamuchoenequiposcargadoresdebaterasparacorrientes
mediasyaltas.

PartimosdelaseriedeFourierdelasalidadelrectificadordeondacompleta:

2Vm 4Vm

4Vm
4Vm
VL(t)=cos(2wt)
cos(4wt)cos(6wt)..........

15
35

48

D1

D2

VAC
RL
D5
60 Hz

D3

D4

Enestecaso,observamosqueelarmnicodefrecuenciamsbajaeselsegundo.
Losarmnicossuperiorestienenmenoramplitud.

Lacorrienteenlacargasepuedeexpresarcomo:

2Vm 4Vm

4Vm
4Vm
iL(t)=cos(2wt)cos(4wt)cos(6wt).....

Z(0) 3Z(2w)
15Z(4w)

35Z(6w)

Z(0)eslaimpedanciadecargadelrectificadorenDC=RL
Z(2w)eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia2w=RL+j2wL
Z(4w)eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia4w=RL+j4wL
Z(8w)eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia6w=RL+j6wL

Vemosquelabobinaaumentasureactanciaconformeaumentalafrecuenciadel
armnico. Adems el armnico disminuye su amplitud conforme aumenta su
frecuencia.

Porello,podemostomarslolosdosprimerostrminosdelaserieydespreciarlos
demsparahacerunanlisisaproximado.

UncriterioprcticoeselegirLdemaneraquecumpla:
L>>RL/2w

Podemoshallar,acontinuacin,elfactorderizado:

49

ElectrnicaAnalgicaI

D5
(4Vm/3) cos(2wt)

RL

+
2Vm/
-

Elvoltajeeficazdelrizadoenlacargasepuedehallarconlaexpresin:

4Vm

2VLDC
VLr==

(32)(1+(2wL/RL)2)
(32)(1+(2wL/RL)2)

Luego,elfactorderizadoes:

2
r=
(32)(1+(2wL/RL)2)

Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:

2Vm

VLDC=ILDCRf

Rfeslaresistenciatotalformadaporlaresistenciadeltransformador,delosdiodos
ydelabobina.

Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.

El diodo D5 es un diodo volante. Se emplea para proteccin del rectificador.

Cuandohayunavariacinbruscadelacorrienteenlabobina,seproduceenellaun
picodetensinquepuedeserexcesivoparalosdiodosdelrectificadorydaarlos.
Eldiodovolanteevitaestepicodetensin.Sutensininversaeslatensinpicodel
voltajeACysucorrientepromediosepuedeespecificarcomo1/3delacorriente
promediodesalida.

50

FILTROLC
Es otro filtro muy usado para corrientes medias y altas, especialmente en
reguladores de tensin con SCR. La inductancia evita el paso de los armnicos y
dejapasarlacontinua.Elcondensadorevitaquelosarmnicoslleguenalacarga,
actuandoanteelloscomounareactanciapequeaycomocircuitoabiertoparala
continua..

Acontinuacinsemuestrauncircuitodeestosconrectificadordeondacompleta
contomacentral.

D1

n:1
D3

Vs
VAC

RD

Vs

RL

+
VL
-

D2

AnlisisaproximadodelfiltroLC
AligualqueenelfiltroporinductanciapodemosconsiderarslolaDCyelsegundo
armnico,despreciandolosdems.Deestamanera,llegamosalsiguientecircuito
equivalente:

L
(4Vm / 3pi)cos(2wt)

D3

RD

RL

+
2Vm / pi
-

Uncriterioprcticoparadisearelfiltroeshacer:

51

XC<<RL//RDy

XL>>XC

ElectrnicaAnalgicaI

LacurvaderegulacinpuedeobtenerseparaDCcomo:

2Vm

VLDC=ILDCRf

Rfrepresentalaresistenciadeltransformador(RT)mslaresistenciadinmicade
losdiodos(rd)ylaresistenciaDCdelabobina(rL): Rf=RT+nrd+rL

n=1,paraelrectificadordeondacompletacontomacentral.
n=2,paraelrectificadordeondacompletatipopuente.

Parahallarunaexpresindelfactorderizado,primerohallamoslatensineficaz
delrizadoenlacargayluegolatensinDCenlacarga.

4Vm
XC

(2)VLDCXC
VLr==

(32)(XL+XC)

3XL

Luego:

2
r=
(3)(2wL)(2wC)

Para:f=60Hz
0.83x106
r=
LenHenrys y CenFaradios
LC

Inductanciacrtica(LC)
Sinohayinductancia,elfiltroactacomoporentradaacondensadorylosdiodos
conducirn corrientes pulsantes slo unos instantes y el resto del tiempo no
conducirn.

Si se pone una inductancia pequea, los diodos conducirn un tiempo un poco

mayor, pero an habrn instantes en que la corriente sea cero en los diodos. Si
seguimos aumentando la inductancia, llegar el momento en que la corriente en
los diodos no ser cero en ningn instante y el filtro actuar como un verdadero
filtro LC. Al valor de inductancia que hace que la corriente en los diodos no sea
cero, se le llama inductancia crtica. Esta condicin se cumple aproximadamente
cuando:
52

VLDC 2Vm
4Vm
=
RL//RD(RL//RD)3XL

Luego:
2(RL//RD)
XL
3

Paraelsegundoarmnico:RL//RD

LC
3w

Para:f=60Hz:

RL//RD
LC=
1131

Debemoselegirunainductanciaquecumpla:

RL//RD
L>
1131

Resistenciadedrenaje
Vemos que la inductancia crtica depende del valor de RL, de manera que si RL
aumenta, la inductancia crtica tambin; lo que significa que si la carga vara, la
inductanciaquehabremospuestopuedellegaranosersuficiente.Paraevitareste
inconveniente, se emplea la resistencia de drenaje RD. Esta resistencia queda
conectadayenningnmomentosedesconectaovara.Deestamanera,aunquese
desconecte la carga, no hay riesgo que la inductancia crtica aumente. La
resistenciadedrenajedebeelegirsedemaneraquenodisipedemasiadapotencia
y,alavez,impidalaelevacindelainductanciacrtica

PROBLEMA2.2:DiseeunrectificadortipopuenteconfiltroLCparaobteneruna
tensin de 65VDC y 10 A, con factor de rizado de 0.1%. Especifique todos los
componentesylatensindeentradaalrectificador.

Culeselvoltajepicoderizadoenlacarga?
Asuma:Rt=0.1,Rb=0.1

53

ElectrnicaAnalgicaI

SOLUCIN:
Esquemadelcircuito:
L

D1

220V +/- 10%

D2

D5

Vs

D3

RD RL

+
65 V
-

D4

Hallamoslaresistenciadecarga:RL=65V/10A=6.5

ElegimosRD=10RL=65

Hallamoslainductanciacrtica:Lc=RD/1131=57.5mH

Hemosasumidoelpeorcaso,cuandoRLesdesconectada.

ElegimosL>Lc

L=60mH

HallamosCdelaecuacindelfactorderizado:

0.001=0.83x106/LC

6
C=13,800F
C=0.01=0.83x10 /(60mH)(0.001)=13,800F

Tensindeentradaalrectificador:

65=(2Vm/)(10)(0.1+0.1)

DespejandoVm: Vm=(652)()/2=98.96V

Leaumentamoslacadadirectaen2diodos: Vp=100.36V

54

Elvoltajeeficazdelsecundarioser: Vs=Vp/(2)1/2=71V Vs=71V

Especificaciones:
Condensador:
13,800F/65V

Bobina:

60mH/10A

Diodos:
5A/10.36V

Diodovolante:
4A/65V

Resistenciadedrenaje:
65/65W

Transformador:
220V71V/750W

Voltajepicodelrizadoenlacarga:
Reactanciadelabobinaalsegundoarmnico:XL=(2)()(120)(60mH)=45.24

Reactanciadelcondensadoralsegundoarmnico:XC=1/(2)()(120)(0.0138)=
0.1

ElvoltajepicodelsegundoarmnicoalasalidadelrectificadoresV2=4Vm/3El

Luego:V2=42V

Latensinpicodelrizadoenlacargaes:Luego:V2L=42(0.1)/(45.14)=0.09V

V2L=0.09V

FILTRODELCDEVARIASSECCIONES
Cuandosequieremejorarmselfiltrado,sepuedenempleardosomssecciones
defiltroLCencascada.Enelsiguientegrficoseveunodedossecciones:

L1

D1
T1

L2

C1

Vs
D2

C2

RD

RL

220Vac
Vs
D2

ParaelanlisispodemosseguirlosmismoscriteriosqueparaelfiltroLCyhallar
unaexpresinaproximadaparaelfactorderizado:

55

ElectrnicaAnalgicaI

2XC1XC2
2

r==
3XL1XL2 3(4w2)2L1C1L2C2

ConlasmismasaproximacionesdelfiltroLCsepuedeextenderparaunfiltroden
seccionesiguales:

r=
(3)(4w2)n(LC)n

ParalainductanciacrticabastasloconsiderarlabobinaL1

FILTRO
Estefiltropermiteobtenerunrizadomuypequeo.Comoempleacondensadorde
entrada, tiene los mismos inconvenientes que el filtro por capacidad. Se usa
cuandosequiere,conelmismotransformador,tenermstensindesalidaquela
quepuedeobtenerseconunfiltroLCydisminuirelrizado.

Acontinuacinsemuestrauncircuito:

L1
D1

D2

T1
C1

Vs

C2

Vac
RL
D3

D4

El anlisis se puede comenzar a partir de la serie de Fourier del rizado diente de

sierradelcondensadorC1:

56



Vr

sen(4wt)
sen(6wt)
VC1=VDC[sen(2wt)+....]

2
3

Adems:

Vr=ILDCT2/C1=ILDC/2fC1

Despreciandolosarmnicossuperiores,latensineficazdelsegundoarmnicoes:
Vref=Vr/(2)=2ILDCXC1

Utilizando los mismos criterios que para el filtro LC podemos hallar el factor de
rizado:

XC1XC2
r=2
RLXL1

57

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.3

ELTRANSISTORBIPOLAR(BJT)
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de
semiconductores N y P se les llama genricamente transistores (de: Transfer
Resistor).

Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora de los

transistores,laverificexperimentalmenteyfueronconstruidosdiodosytriodos.

Enelaode1956Bardeen,ShockleyyBrattainrecibieronelPremioNobeldeFsica
porelbrillantetrabajoquedesembocenlainvencindeltransistor.

Hemos de mencionar que Bardeen recibi en 1972 nuevamente el Premio Nobel

de Fsica, ahora en compaa de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por haber
desarrolladolateoradelasuperconductividad.

Lostransistorestienenvariasventajassobrelostubosalvaco:

En primer lugar, para que funcione un tubo al vaco su ctodo debe

calentarse,yestoselograpasandounacorrienteporunfilamentocercano
al.

El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez
conectadoestevoltajesenecesitaesperardeterminadotiempohastaque
secalienteelctodo.

Por tanto, cualquier aparato que use tubos al vaco no funciona

inmediatamentedespusdehaberseconectado.

El transistor no requiere este calentamiento, por lo que empieza a

funcionar inmediatamente despus de su conexin. En consecuencia, el
usodeuntransistorenlugardetubosalvacoahorramuchaenerga,ypor
tanto,resultamseconmico.

Ensegundolugar,larespuestadeltransistorasealesdefrecuenciasmuy
altasesmuyefectiva,locualnoocurreconlostubosalvaco.

59

ElectrnicaAnalgicaI

Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al

vaco,conlseinicilaminiaturizacindelosaparatoselectrnicos.
Elinventodeltransistorabriunanuevaeraenlacivilizacinmoderna,ya
que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de
aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios,
computadoraselectrnicas,aparatosdecontrolindustrial,etc.,quegracias
a los transistores adquirieron un tamao relativamente pequeo,
porttiles,connecesidadesdeenergamuyreducidosydelargavida.

Engranmedida,enlasdcadasmencionadaslostransistoressustituyerona
los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas
lostuboshantenidoventajassobrelostransistores.As,seempleanpara
transmisoresderadiodepotenciaaltaymediana,paraamplificadoresde
microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se
usan en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en
equiposprofesionalesdeaudio,etctera.

REPRESENTACINDELTRANSISTORBIPOLAR
Lossiguientesesquemasmuestranlarepresentacindeltransistorensuformade
construccin y smbolo circuital. El transistor PNP se puede interpretar como dos
diodos unidos por su ctodo. El transistor NPN se puede interpretar como dos
diodos unidos por su nodo. Estas representaciones permiten idear la forma de
probarelbuenestadodeltransistormidiendolasunionesconunmultmetro.

Susterminalessondenominados:

E=Emisor(ingresalascargasaldispositivo)
C=Colector(recibelascargasqueprovienendelemisor)
B=base(controlaelflujodecargasalcolector)

Paraobtenerelefectoamplificadordeltransistorsehacequelabaseseaangosta
en comparacin con las regiones de colector y emisor. Adicionalmente, la
concentracin de impurezas es menor en la base para lograr que las regiones de
transicin sean mayores en ella, lo cual permite reducir su ancho efectivo y
aumentarlaganancia.

60

ElectrnicaAnalgicaI

N
C

PNP

NPN

Esquemasdeltransistorbipolar

REGIONESDETRABAJOENELTRANSISTORBIPOLAR:
ComoelBJTposeedosunionesPNysabemosqueellaspuedenserpolarizadasen
forma directa o inversa, surgen 4 formas posibles de polarizacin, las cuales se
indicanenlasiguientetabla:
Je=Junturadeemisor
Jc=Junturadecolector

TENSION

Je

VEB>0,VCB
PD
>0

PD=Polarizacindirecta
PI=Polarizacininversa

TRANSISTORPNP
Jc
ZONA
PD

SATURACIN

CARACTERISTICA
Se comporta como
interruptorcerrado

PI

PI

CORTE

Se comporta como
interruptorabierto

VEB>0,VCB
PD
<0

PI

ACTIVA

Se comporta como
amplificador

VEB<0,VCB
>0

PD

ACTIVA
INVERSA

VEB<0,VCB
<0

PI

61

Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia

ElectrnicaAnalgicaI

TENSION
Je
VBE>0,VBC
PD
>0
VBE<0,VBC
PI
<0
VBE>0,VBC
PD
<0
VBE<0,VBC
>0

PI

TRANSISTORNPN
Jc
ZONA
PD

SATURACIN

PI

CORTE

PI

ACTIVA

PD

ACTIVA
INVERSA

CARACTERISTICA
Se comporta como
interruptorcerrado
Se comporta como
interruptorabierto
Se comporta como
amplificador
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia

Las zonas de corte y saturacin son empleadas comnmente en los

circuitosdigitales.
Lazonaactivaseempleacomnmenteencircuitosanalgicosdebidoaque
aheltransistorpuedeamplificarseales.
La zona activa inversa se emplea tambin en algunos tipos de circuitos
digitales,talescomolascompuertaslgicasTTL

Modelomatemticodeltransistorbipolar:
UnodelosmodelosmuyusadosenelanlisisdecircuitoseseldeEbersMoll.

ComoeltransistoresformadopordosunionesPN,lasecuacionestienenlaforma
deladeldiodo,tantoparalaunindeemisorcomoladecolector:

IE=[IEBO/(1NI)](VBE/VT1)+[IICBO/(1NI)](VBC/VT1)
IC=[NIEBO/(1NI)](VBE/VT1)[ICBO/(1NI)](VBC/VT1)

Adems,setienemediantelasleyesdeKirchhoff:
IE=IB+IC

VCE=VCB+VBE

EnlazonaactivalasecuacionesdeEbersMollsereducena:
IE=[IEBO/(1NI)]VBE/VT[IICBO/(1NI)]
IC=[NIEBO/(1NI)]VBE/VT+[ICBO/(1NI)]

Definiendo:
=N/(1N)

62

ElectrnicaAnalgicaI

SellegaalasiguienteecuacinparaIC:
IC=IB+(1+)ICBO

Curvasdeltransistorbipolar:
El transistor posee un conjunto de curvas que representan la relacin entre sus
corrientesytensionesexternas.

Curvadetransferencia:
Se emplea como entrada la juntura baseemisor. Por ello, las curvas de entrada
tendrn mucha similitud con la curva del diodo. En realidad son una familia de
curvas que dependen de la tensin colectoremisor, pero se considera una sola
porquetiendenaestarmuyjuntas.

Enlasiguientegrficaselemuestra:

CURVA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR

0.09
0.08
0.07
0.06

IE

0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0

10

15
VBE / VT

20

25

CURVASDESALIDA:
Las curvas ms usadas son la que relacionan IC vs VCE usando como parmetro la
corrientedebase(IB)

63

ElectrnicaAnalgicaI

Vemosqueposeevariaszonasdeoperacin:
En la zona de saturacin, acta como interruptor cerrado (tensin pequea,
corrientealta)

En la zona de corte, acta como interruptor abierto (tensin alta, corriente

pequea)

En la zona activa acta como amplificador, Para seales de entrada pequea se

comportalinealmente.

Enlazonaderupturamanejatensionesycorrientesaltas,conunagrandisipacin
depotencia.Comnmenteseevitatrabajarenestazonaparaevitarladestruccin
deltransistor.

Elpuntodeoperacin:
DadoqueelBJTposeevariaszonasdetrabajo,esnecesariodarleunacoordenada
enbaseatensionesycorrientesconstantesparaubicarloenunadeellas.Aesta
coordenadaseledenominapuntodeoperacin(Q).

Ennuestrocursoestudiamossuusocomoamplificador.Porello,debemosponerlo
en la zona activa. Sabemos que, en este caso, debe tener su unin baseemisor
polarizadadirectamenteysuuninbasecolectorpolarizadainversamente.

Aesteproceso,dedarleunpuntodeoperacin,selellamapolarizacin.

Mtodosdepolarizacin.Comparacinentrelosdiferentesmtodos:
Acontinuacinveremosdiferentesformasdepolarizaraltransistor.
64

VBC

RC

ElectrnicaAnalgicaI

VCB

RB

RC

RB
NPN

PNP

VBE

VEB

POLARIZACIN BASICA

RBYRClimitanlascorrientesquecirculanen eltransistor.Este mtodo requiere

dosfuentesyporellonoesprctico.

Losmtodosprcticossonlossiguientes:

Polarizacinfija:
Estemtodoessencillo,fcildedisearyutilizaslounafuente.Suinconveniente
est en que el punto de operacin vara mucho con la temperatura, es decir, no
tieneestabilidad.Estosedebealagransensibilidaddelossemiconductoresalos
cambiosdetemperatura.

Parapoderhacerbuenosamplificadores,unrequisitoesqueelpuntodeoperacin
tengaestabilidadtrmica.

RB

RC

RB

RC

VCC
NPN

VCC
PNP

POLARIZACIN FIJA

PolarizacinColectorBase:
Este mtodo es un poco ms complejo que el anterior, pero posee mejor
estabilidad.Tambinutilizaunasolafuente.

65

ElectrnicaAnalgicaI

RB

RC

RC

RB
VCC

VCC

NPN

PNP

POLARIZACIN COLECTOR-BASE

Autopolarizado:
Estemtodoesmuyusadoporqueposeemuybuenaestabilidadtrmica,aunque
sudiseoesmscomplejo.

R1

RC

RC

VCC

NPN

R2

R1

PNP

RE

R2

AUTOPOLARIZADO

VCC

RE

Obsrvese que en el caso de transistores PNP, la fuente de alimentacin y las

corrientesestninvertidasrespectoalNPN.

Los mtodos anteriores permiten otras formas basadas en combinaciones entre

ellos:

66

RB

RC

NPN

RB

RC

ElectrnicaAnalgicaI

RC

RB

VCC

RB

RC

VCC
PNP

RE

VCC

NPN

RE

PNP

RE

VCC

RE

METODOS ALTERENATIVOS

Polarizacinmediantefuentesdecorriente:
Estos mtodos son muy usados, especialmente en circuitos integrados, porque
permiten economizar espacio, muy buena estabilidad y lograr la mxima
amplificacin.

RC

RC

RB

NPN

IC
PNP

VCC

VCC

NPN

IE

RE

IE

IE

RB

VCC

PNP

VCC

RE

POLARIZACION CON FUENTE DE CORRIENTE

Estabilizacindelpuntodeoperacin:
Comoyasehamencionado,esnecesarioqueelpuntodeoperacinseaconstante
y no vare por efectos de la temperatura, rizado de la fuente de alimentacin,
cambiodelosparmetrosdeltransistor,etc.

Lastcnicasquepermitenestabilizarelpuntodeoperacinpuedenclasificarseen
doscategoras:

1) Tcnicas de estabilizacin: Utilizan circuitos de polarizacin resistivos que

mantienenICrelativamenteconstanteantevariacionesdeICBO,VBEy.

2) Tcnicas de compensacin: Utilizan dispositivos sensibles a la temperatura

como termistores, transistores, diodos, etc. que entregan corrientes y
tensiones de compensacin que mantienen al punto de operacin
prcticamenteconstante.
67

ElectrnicaAnalgicaI

Tcnicasdeestabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la
tensin BaseEmisor (VBE), la ganancia (), variaciones de la fuente de
alimentacin,loscomponentesdelcircuito.

La variacin de la corriente de colector debido a estos parmetros podemos

expresarlaaproximadamentepor:

IC=SIICBO+SVVBE+S+SVCCVCC+SR1R1+....

SI= Factordeestabilidaddecorriente.
SV= Factordeestabilidaddetensin.
S= Factordeestabilidaddeganancia.
SVCC= Factordeestabilidaddelafuente.
SR1= FactordeestabilidaddelaresistenciaR1.
IC= Variacintotaldelacorrientedecolector.
ICBO=VariacintotaldelacorrienteICBO
VBE=VariacintotaldelatensinBaseEmisor
= Variacintotaldegananciadecorriente
VCC=Variacintotaldefuentedealimentacin.
R1= VariacintotalderesistenciaR1

Cadafactordeestabilidadpuededeterminarseasumiendoquelasdemsvariables
Semantienenconstantes.

ElfactordeestabilidadSIseobtieneconlasiguienteecuacin:
SI=IC/ICBO,
cuando:VBE=0y=0

MientrasmsgrandeesSI,elpuntodeoperacinesmsinestable.Elmnimovalor
posibledeSIes1.

LoscircuitosqueestabilizanelpuntodeoperacinrespectoavariacionesdeICBO,
tambinsecomportansatisfactoriamenteantevariacionesdeVBE,,etc.Porello,
bastaobtenerunbuenfactordeestabilidadSI.

Laecuacingeneralquegobiernalacorrientedecolectordeltransistores:

IC=IB+(1+)ICBO

68

ElectrnicaAnalgicaI

DerivandorespectoaICobtenemos:

SI=(1+)/(1dIB/dIC)

De esta ecuacin concluimos que para valores grandes de , SI se aproxima a la

unidad.

EltrminodIB/dICseobtieneapartirdelcircuitoqueutilicemos.Paraelclculo
deSIseconsideraqueVBE,,etc.novaran.

Tomemoscomoejemploelcircuitoautopolarizado,cuyoequivalentedethevenin
seencuentraacontinuacin:

R1

RC

NPN
R2

RC
RBB

VCC

NPN
VBB

RE

VCC

RE

RBB = R1//R2
VBB = VCC R2/(R1 + R2) = VCC RBB/R1

EnlamallaBaseEmisorpodemosplantearlasiguienteecuacin:
VBB=IBRB+VBE+(IC+IB)RE

DerivandoestaecuacinrespectoaIC:
dIB/dIC=(Re/(Re+RBB))

ReemplazandoenlaecuacindeSIobtenemos:
SI=(1+RBB/Re)/(1+(RBB/(1+)Re))

Sihacemos:RBB=(1+)Re/10,tendremos:SI=(11+)/11

Paraunvalorde=50,setiene:SI=5.55;elcualesunbuenfactor,siendo3el
valorptimo.Tambinobservamosquesiesmsgrande,elfactordeestabilidad
empeora.Porejemplo,si:=100,SI=10.1.Enestecasoelfactordeestabilidadha
aumentadoytendremosqueelegirotrarelacindeRBBconREparamantenerSI
pequeo.

69

ElectrnicaAnalgicaI

Tcnicasdecompensacin:
Paraobtenermejorregulacinycompensacindetemperaturaconlaredresistiva,
se puede conectar un diodo entre las base y referencia de los transistores. Estos
diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta cada de voltaje
necesaria.Pero,siestapolarizacincambiaconlaedaddelequipo,lapolarizacin
tambinsufrircambios.

Si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente, calentamiento del

transistor,etc.)latemperaturadeltransistorvara,estocausaunavariacindela
tensinbaseemisor(aproximadamente2.5mV/C).

Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensin de

polarizacin vare de manera similar a la variacin de VBE con la temperatura, lo
cual se logra colocando, en paralelo con R2, un termistor NTC (Negative
TemperatureCoefficient)desimilarcoeficientedetemperaturaqueeldiodobase
emisor.Deestaformalatensineneltermistordisminuirdelmismomodocomo
VBE disminuye manteniendo siempre la corriente de colector (proporcional a la
corrientedebase)enunvalorcasiconstante.

A continuacin se muestran formas tpicas de polarizacin con compensacin de

temperatura.Enla figuraasecoloca unaresistencia enparaleloconeltermistor
con el fin de aproximar el coeficiente de temperatura equivalente al del diodo
baseemisor.

Enlafigurabesmostradalapolarizacinpordiodo,estostrabajanpolarizadosen
sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondientealdiodobaseemisordeltransistor.

Se aumenta mucho ms la estabilidad contra variaciones de temperatura

colocandounresistorenelemisordeltransistor(figurasa,byc).

70

R1

RC

NPN

R1

RC

VCC

NPN

R2

R2

RE

ElectrnicaAnalgicaI

R1

RC

VCC

NPN

RE

Q2

VCC

RE

(a)

(b)

(c)

La compensacin puede hacerse ms efectiva cuando se emplea un transistor

regulador.Dadoqueelpuntodeoperacinesdifcildemantener,podemosusar
un transistor regulador de voltaje y lograr controlar fcilmente al punto de
operacinajustndolomedianteunpotencimetro.

EnlafiguraceltransistorQ2seencargadecontrolarenformaprecisaelpuntode
operacin del transistor principal, actuando como regulador. Tambin compensa
automticamentecontravariacionesdetemperatura.

Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.

Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:

R1

RC

VCC

Vg

R2
RE

CE

Lacorrientedecolectorestformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla
corrientedeseal: IC=ICQ+ic

Enformaanlogaparalatensin: VCE=VCEQ+vce
71

ElectrnicaAnalgicaI

PlanteandolaleydeKirchhoffenlamallacolectoremisor:
VCC+0=ICQRC+VCEQ+IEQRE+icRC+vce

Aqusehanconsideradomuypequeaslasreactanciasdeloscondensadoresala
frecuenciadelaseal.

Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:
VCC=ICQ(RC+(1+1/)RE)+VCEQ

YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)

Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:
0=+icRC+vce

YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)

LoanteriorindicaquepodemosestudiaralamplificadorsloenDCyluegoslo
enAC.

Estasecuacionespuedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.

Configuracionesdeltransistor:Emisorcomn,colectorcomnybasecomn.
El transistor posee 3 terminales y podemos considerarlo como un cuadripolo,
siempre que tomemos un terminal comn a la entrada y a la salida, como se
observaenlassiguientesfiguras.

ic
ib
B

ie
C

+
vce
-

+
vbe
-

ie
ib

C
+
vcb
-

+
veb
E

EMISOR COMUN

ic

BASE COMUN

E
+
vec
-

+
vbc
-

COLECTOR COMUN

En cada una de ellas el transistor posee diferentes propiedades, por lo que es

necesarioestudiarlas.

Enemisorcomn(EC):
Laentradaeslauninbaseemisorylacorrientedebase.
Lasalidaesentrecolectoremisorylacorrientedecolector.

72

ElectrnicaAnalgicaI

Enbasecomn(BC):
Laentradaeslauninemisorbaseylacorrientedeemisor.
Lasalidaesenlaunincolectorbaseylacorrientedecolector.

Encolectorcomn(CC):
Laentradaeslauninbasecolectorylacorrientedebase.
Lasalidaesentreemisorcolectorylacorrientedeemisor.

Modelosdebajafrecuenciaypequeasealdeltransistor:
Cuando trabaja en la zona activa, con seales pequeas, el transistor puede ser
representado por un modelo de cuadripolo lineal. Esto podemos explicarlo en la
siguienteforma:

IE=[IEBO/(1NI)]VBE/VT=IESVBE/VT
IC=IEsVBE/VT

Si:
VBE=VBEQ+vbe

VBEQ=TensinDCdelpuntodeoperacin
vbe=Tensindeseal

ReemplazandoenIc: Ic=Iese(VBEQ+vbe)/VT=IeseVBEQ/VTevbe/VT

Sivbeespequeaseal:
Ic=IEQevbe/VT

Eldesarrollodelaexponencialenseriesdepotenciaes:
x=1+x/1!+x2/2!+x3/3!+.....

Sisecumple: x=vbe/VT <<1,laexponencialsepuederepresentarporunarecta

yeltransistortendruncomportamientolineal:
evbe/VT=1+vbe/VT
Reemplazando:
Ic=IEQ(1+vbe/VT)=IEQ+IEQvbe/VT=ICQ+gmvbe

Donde:gm=transconductanciaparapequeaseal=IEQ/VT
ICQ=IEQ

Entonces, para seales pequeas el transistor se comporta en forma lineal y

podemosusarlateoradecuadripoloslinealespararepresentarlo.

73

ElectrnicaAnalgicaI

Parateneroperacinconpequeaseal,debecumplirsequelaamplitudmxima
delasealseamuchomenorqueVT:
vbe<<VT

Atemperaturaambiente:
vbe<<25.8mV

Tomandounarelacinde101:

vbe2.6mV

Cuando trabajemos con seales pico menores o iguales a 2.6 mV, estaremos
trabajandoconsealespequeas.Cuandosepuedaaceptarunniveldedistorsin
mayor, podremos utilizar ms tensin de seal, pero sin sobrepasar los 26 mV a
temperaturaambiente.

Los modelos de cuadripolos ms usados para representar al transistor son los de

parmetroshbridos(H),losparmetrosadmitancia(Y),losparmetrosimpedancia
(Z)ylosparmetrosK.Deestos4,losmsusadossonlosparmetroshbridosylos
parmetrosadmitancia.

MODELOT:
ElmodeloTsecaracterizaporqueestbasadoenlaestructurafsicadeltransistor
ypermiteexpandirsealmodelohbrido(odeGiacoletto).Elmodelosemuestra
acontinuacin,paraelcasodeuntransistorNPN:
C

N
B Ib
B

Ib

Ib

B Ib
B

Ib

E
(A)

re

(B)

(C)

En la figura (A) se muestra la forma de construccin del transistor. Cuando el

transistoractacomoamplificador,debeserpolarizadoenlazonaactiva.Paraello,
la juntura baseemisor debe polarizarse directamente y la juntura basecolector
inversamente.
74

ElectrnicaAnalgicaI

La figura (B) muestra el comportamiento del transistor en El caso indicado

anteriormente. La juntura base emisor acta como un diodo y presenta
comportamiento no lineal. La juntura basecolector acta como una fuente de
corrientecontroladaporIb,lacorrientedebase.

Si el transistor trabaja con pequea seal, al diodo base emisor podemos

reemplazarloporsuresistenciadinmica,talcomosemuestraenlafigura(C).Esta
resistenciasepuedehallarfcilmenteenlamismaformaqueladeldiodo:

re=VT/IEQ

Donde:
VT=Tensintrmica(25.8mVatemperaturaambiente).

IEQ=Corrientedeemisorenelpuntodeoperacin.

Modelo de parmetros admitancia del transistor. Frmulas de conversin de los

parmetrosdelastresconfiguracionesdeltransistor.

Modelodeparmetroshbridos:
Estemodeloseusabastanteenbajafrecuencia

Lasvariablesindependientesson:Lacorrientedeentradaylatensindesalida.

Modelodeemisorcomn:

ib

ic

+
vbe

vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce

notacinmatricial:

+
vce

vbe

hie

hre

ib

ic

hfe

hoe

vce

75

ElectrnicaAnalgicaI

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en emisor

comnes:Dhe=hiehoehfehre

Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:

ib
B

+
vbe
-

ic

hie

1 / hoe
hre vce
-

Modelodebasecomn:

hfe ib

ic

+
veb

ie

notacinmatricial:

+
vce
-

+
vcb

veb=hibie+hrbvcb
ic=hfbie+hobvcb

veb

hib

hrb

ie

ic

hfb

hob

vcb

El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en base

comnes:Dhb=hibhobhfbhrb

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

76

ElectrnicaAnalgicaI

ie
E

+
veb
-

ic

hib

1 / hob

hrb vcb
-

hfb ie

+
vcb
-

Modelodecolectorcomn:

ib

ie

+
vbc

notacinmatricial:

+
vec
-

vbc=hicib+hrcvec
ie=hfcib+hocvec

vbc

hic
h
hfc
h

ie

hrc

ib

hoc

vec

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroshbridosencolector
comnes:Dhc=hichochfchrc

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ib
B

+
vbc
-

ie

hic

+
1 / hoc
hrc vec
-

hfc ib

77

+
vec
-

ElectrnicaAnalgicaI

Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripolo es lineal, sus parmetros no dependen de las variables y podremos
hacerunadelasvariablesceroparacalcularlos.

Problema3.1:HalleLosparmetroshbridosenemisorcomnenfuncindelosde
basecomn.

Modeloenbasecomn:

ie
E

ic

+
veb
-

hib

1 / hob

hrb vcb
-

+
vcb
-

hfb ie

Lodibujamosenemisorcomn:
hfb ie

ib
B

vbe
E

ic
C

+
hrb vcb
+

1 / hob
hib

vce
-

ie

Lasecuacionesparaemisorcomnson:
vbe=hieib+hrevce

ic=hfeib+hoevce
Haciendovce=0podemoshallar:
hie=vbe/ib
y

hfe=ic/ib

78

ElectrnicaAnalgicaI

Efectuando:
hfb ie

ib
B

+
vbe
E

ic

+
hrb vcb
+

1 / hob
hib

vce = 0
-

ie

Enelcircuitoresultanteobservamos:vbe=veb, vcb=vbe, ib=ieic

Adems:
vbe=hibie+hrbvcb=hib(ibic)hrbvbe

vbe=hib(ib+ic)+hrbvbe

(1hrb)vbe=hibib+hibic ........(1)

Tambin:
ic=hfbie+hobveb=hfb(ibic)hobvbe

(1+hfb)ic=hfbibhobvbe........(2)

Reemplazando2en1:
(1hrb)vbe=hibib+hib[(hfb/(1+hfb))ib(hob/(1+hfb))vbe
[(1hrb)(hibhob/(1+hfb)]vbe=[hib/(1+hfb)]ib

hib
hib
hie==

1+hfbhrb+DhbHb

Donde:
Hb=1+hfbhrb+Dhb yDhb=hibhobhrbhfb

Acontinuacin:
De2: vbe=((1+hfb)/hob)ic(hfb/hob)ib................(3)

Reemplazando3en1:
[((1hrb)(1+hfb)/hob]ic(1hrb)hibic=[hfb/hob+hib]ib

79

ElectrnicaAnalgicaI

(hfb+Dhb)
hfe=
1+hfbhrb+Dhb

Haciendoib=0podemoshallar:

hre=vbe/vce

Efectuando:

hoe=ic/vce

1 / hob

ib = 0

ic

V3
hrb vcb

+
vbe

hfb ie

+
vce

hib

ie

Delcircuitoobtenemos:
ie=icvbe=iehibhrbvcb

vce=ic/hobhfbie/hob+vbe)

Luego:
vbe=ichibhrb(vcevbe)........(4)

(1+hfb)ic=hob(vcevbe)/(1+hfb)..........(5)

Reemplazando5en4:
vbe=hrbvce+hibhob(vcevbe)....................................(6)

De6:

Dhbhrb
hre=
Hb

Finalmente,
De4y6:

80

vcb=vcevbe

ElectrnicaAnalgicaI

hob
hoe=
Hb

PROBLEMA3.2:Enelcircuitomostradodetermine:

a)Elvalordehi

b)Elvalordehf

c)Elvalordehr

d)Elvalordeho

V1=hiI1+hrV2
I2=hfI1+hoV2

I1
+
V1
-

I2

100K

10K

gmV1

+
V2
-

100K

gm=2mS

Solucin:
a) Elvalordehi:
Modeloparahallarhiyhf:
I1
+
V1
-

I2

100K

10K

gmV1

100K

Planteamosecuaciones:
I1=V1/10K+V1/100K
hi=V1/I1=10K//100K=9.09Khi=9.09K

81

ElectrnicaAnalgicaI

b) Elvalordehf:
Enelcircuitoanterior: I2=gmV1V1/100K=gm(hiI1)(hiI1)/100K

hf=I2/I1=gm(9.09K)(9.09K)/100K=9.09K(2mS)0.091
hf=18.09

c) Elvalordehr:

Modeloparahallarhryho:

I1 = 0
+
V1
-

I2

100K

10K

gmV1

100K

+
V2
-

Planteamosecuaciones:
V1=V2(10K)/(10K+100K)
hr=V1/V2=10K/(10K+100K)=0.091
hr=0.091

d) Elvalordeho:
I2=V2/100K+gmV1+V2/(100K+10K)=V2(1/100K+1/110K)+gmhrV2
ho=I2/V2=1/100K+1/110K+0.091(2mS)
ho=0.20mS

Valorestpicosdelosparmetroshbridos:

BASECOMUN
EMISORCOMUN
COLECTORCOMUN
hib=21.6
hie=1100
hic=1100
4
4
hrb=2.9x10
hre=2.5x10
hrc=1
hfb=0.98
hfe=50
hfc=51
6
6
Hob=0.49x10 S
hoe=25x10 S
hoc=25x106S

Enlasiguientetablasemuestranlasfrmulasdeconversindelosparmetros
hbridos,deunaconfiguracinaotra:

82

ElectrnicaAnalgicaI

BASECOMUN

EMISORCOMUN

COLECTORCOMUN

hib
hib=hie/He
hib=hic/Hc

hie=hib/Hb
hie
hie=hic

hic=hib/Hb
hic=hie
hic

hrb
hrb=(Dhehre)/He
hrb=(1+hfc)/Hc

hre=(Dhbhrb)/Hb
hre
hre=1hrc

hrc=(1+hfb)/Hb
hrc=1hre
hrc

hfb
hfb=(hfe+Dhe)/He
hfb=(hrc1)/Hc

hfe=(hfb+Dhb)/Hb
hfe
hfe=(1+hfc)

hfc=(hrb1)/Hb
hfc=(1+hfe)
hfc

hob
hob=hoe/He
hob=hoc/Hc

hoe=hob/Hb
hoe
hoe=hoc

hoc=hob/Hb
hoc=hoe
hoc

Dhb=hibhobhrbhfb

Dhe=hiehoehrehfe

Dhc=hichochrchfc

Hb=1+hfbhrb+Dhb
He=1+hfehre+Dhe
Hc=1+hfchrc+Dhc

Lademostracindetodasestasecuacionesesunbuenejercicioparapracticarlas
leyesdeKirchhoff,laleydeOhmyelfuncionamientodelasfuentesdependientes.

PARAMETROSK:
Estemodelotambinseusapararepresentaraltransistor.Lasvariablessedefinen
enformaopuestaqueenparmetroshbridos.Estilcuandolaexcitacinescon
fuentedecorrienteylasalidaesunaconexinserie.

Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylacorrientedesalida.

Modelodeemisorcomn:

ib=kievbe+kreic

vce=kfevbe+koeic
notacinmatricial:

ib
vce

kie

kre

kfe

koe

vbe
ic

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenemisorcomnes:

83

ElectrnicaAnalgicaI

Dke=kiekoekfekre

Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:

ib

+
vbe
-

koe
+
1 / kie

kre ic

ic
C
+
vce
-

kfe vbe
-

Modelodebasecomn:

notacinmatricial:

ie=kibveb+krbic
vcb=kfbveb+kobic

ie

kib

krb

veb

vcb

kfb

kob

ic

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenbasecomnes:
Dkb=kibkobkfbkrb

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
E

ie

+
veb
-

kob
+
1 / kib

krb ic

kfb veb
-

ic

+
vcb
B

Modelodecolectorcomn:

ib=kicvbc+krcie

vec=kfcvbc+kocie

84

ElectrnicaAnalgicaI

notacinmatricial:
ib
vec

kic
h
kfc
h

krc

vbc

koc

ie

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskencolectorcomn
es:

Dkc=kickockfckrc

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

ib

+
vbc
-

koc
+
1 / kic

krc ie

ie

+
vec
-

kfc vbc
-

Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripoloeslineal,susparmetrosnodependendelasvariablesysepuedehacer
unadelasvariablesindependientesceroparacalcularlos.

PARAMETROSADMITANCIA:
Estemodelotambinseusabastanteenaltafrecuencia.

Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylatensindesalida.

Modelodeemisorcomn:

ib=yievbe+yrevce

ic=yfevbe+yoevce
notacinmatricial:
ib

yie

ic

yfe

yre
yoe

vbe
vce

85

ElectrnicaAnalgicaI

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaenemisor
comnes:Dye=yieyoeyfeyre

Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:

ib

ic
C

B
+
vbe
-

yoe

yie
yre vce

yfe vbe

+
vce
-

Modelodebasecomn:

notacinmatricial:

ib=yibveb+yrbvcb
ic=yfbveb+yobvcb

ib

yib

yrb

veb

ic

yfb

yob

vcb

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaenbase
comnes:Dyb=yibyobyfbyrb

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

ie

ic
C

E
+
veb
-

yob

yib
yrb vcb

yfb veb

+
vcb
B

86

ElectrnicaAnalgicaI

Modelodecolectorcomn:

ib=yicvbc+yrcvec

ie=yfcvbc+yocvec
notacinmatricial:

ib

vbc
yic
yrc
h
ie
vec
yfc
yoc
h

Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaencolector
comnes:

Dyc=yicyocyfcyrc

Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:

ib

ie
E

B
+
vbc
-

yoc

yic
yrc vec

yfc vec

+
vec
-

Talcomoenlosparmetroshbridos,puedenhacerseconversionesdeparmetros
admitancia de una configuracin a otra. Podemos hacer una de las variables
independientesceroparapodercalcularlosparmetros.

Problema3.3:Hallelosparmetrosadmitanciaenbasecomnenfuncindelosde
emisorcomn.

Modeloenemisorcomn:
B

+
ib
Vbe
E

ic

yie
yre Vce

yfe Vbe

yoe

+
Vce
E

87

ElectrnicaAnalgicaI

Lodibujamosenbasecomn:
yoe
E

ic

ie
+
Veb
-

yfe Vbe
yie

+
Vcb
-

yre Vce

ib

Lasecuacionesparabasecomnson:

ie=yibVeb+yrbVcb

ic=yfbVeb+yobVcb

HaciendoVcb=0podemoshallar:
yib=ie/Veb
y

yfb=ic/Veb

Efectuando:

yoe
E

ic

ie
+
Veb
-

yfe Vbe
yie

yre Vce

+
Vcb = 0
-

ib

Vemosque: Vbe=Veb
Vce=Veb
ie+ic+ib=0

Luego:
ib=yieVebyreVeb

Adems:
ic=yoeVebyfeVeb

Reemplazando:
ie=ibic=yieVeb+yreVeb+yoeVeb+yfeVeb

88

Dedonde:

yib=yie+yre+yoe+yfe

Delaecuacindeic: yfb=(yfe+yoe)

HaciendoVeb=0podemoshallar:

yrb=ie/Vcb
y

Efectuando:

ElectrnicaAnalgicaI

yob=ic/Vcb

yoe

ie

ic

yfe vbe

+
vcb
-

yie
yre vce

ib

Vemosque:

Vbe=Veb=0Vce=Vcb
yfevbe=0

ie+ic+ib=0

Luego:
ie=yoeVcbyreVce

Adems:

ic=yoeVcb

Delaecuacindeie: yrb=(yre+yoe)
Delaecuacindeic: yob=(yoe+yfe)

En la siguiente tabla se muestran las frmulas de conversin de los parmetros

admitancia,deunaconfiguracinaotra:

89

ElectrnicaAnalgicaI

BASECOMUN

EMISORCOMUN

COLECTORCOMUN

yib
yib=ye
yib=yoc

yie=yb
yie
yie=yic

yic=yb
yic=yie
yic

yrb
yrb=(yre+yoe)
yrb=(yfc+yoc)

yre=(yrb+yob)
Yre
yre=(yic+yrc)

yrc=(yib+yfb)
yrc=(yie+yre)
yrc

yfb
yfb=(yfe+yoe)
yfb=(yrc+yoc)

yfe=(yfb+yob)
yfe
yfe=(yic+yfc)

yfc=(yib+yrb)
yfc=(yie+yfe)
yfc

yob
yob=yoe
yob=yc

yoe=yob
yoe
yoe=yc

yoc=yib
yoc=ye
yoc

Dyb=yibyobyrbyfb

Dye=yieyoeyreyfe

Dyc=yicyocyrcyfc

yb=yib+yrb+yfb+yob ye=yie+yre+yfe+yoe yc=yic+yrc+yfc+yoc

Matrizdeadmitanciaindefinida:
Parahacerlaconversindeparmetrosadmitanciadeunaconfiguracinaotra,es
convenienteelempleodelamatrizdeadmitanciaindefinida.Estamatrizsedefine
teniendoencuentaqueeltransistornotieneningnterminaldereferenciayque
funcionaconpequeaseal,comosemuestraacontinuacin:

I1

C
B

E
V1

I3

V3

I2
V2

90

ElectrnicaAnalgicaI

Las ecuaciones de parmetros admitancia se pueden resumir con notacin

matricial:
B

I1

y11

y12

y13

V1

I2

y21

y22

y23

V2

I3

y31

y32

y33

V3

Como:I1+I2+I3=0yvbe+vec+vcb=0

Secumple:y11+y21+y31=0

y12+y22+y32=0
y13+y23+y33=0
y11+y12+y13=0
y21+y22+y23=0
y31+y32+y33=0

Conociendo4deestas9admitanciassepuedenhallarlas5restantes,siempreque
nocaigan3delas4,enlamismacolumnaofila.

Problema 3.4: Si se tienen los parmetros admitancia en emisor comn de un

transistor,hallelosparmetrosadmitanciaenbasecomnycolectorcomn.

yie=(2+j2)*103

yre=(2j20)*106

yoe=(20+j60)*106
yfe=(20j3)*103
Solucin:

Estos parmetros los ubicamos en la matriz de admitancia indefinida, en las

ubicacionesquequedanaleliminarlacolumnaylafiladeemisor:

91

ElectrnicaAnalgicaI

I1

yie

y12

yre

V1

I2

y21

y22

y23

V2

I3

yfe

y32

yoe

V3

Calculamoslasotrasadmitanciasdelamatriz:

y12=(yie+yre)=(1.998j1.98)*103
y32=(yfe+yoe)=(20.02+j2.94)*103
y22=(y12+y32)=(22.018j0.96)*103
y21=(yie+yfe)=(22+j)*103
y23=(yre+yoe)=(18j40)*106

Lamatrizresultantees:

(2 + j2)ms

(-1.998 - j1.98)ms

(-2 - j20)us

(-22 + j)ms

(22.018 - j0.96)ms

(-18 - j40)us

(20 - j3)ms

(-20.02 + j2.94)ms

(20 + j60)us

Parahallarlosparmetrosadmitanciaenbasecomnseeliminanlafilaycolumna
debaseylosquequedansonlosbuscados:

yib=y22=(22.018j0.96)*103

yrb=y23=(18j40)*106

yob=yoe=(20+j60)*106
yfb=y32=(20.02+j2.94)*103

92

ElectrnicaAnalgicaI

Para hallar los parmetros admitancia en colector comn se eliminan la fila y

columnadecolectorylosquequedansonlosbuscados:

yrc=(1.998j1.98)*103
yic=yie=(2+j2)*103
3
yfc=y21=(22+j)*10

yoc=y22=(22.018j0.96)*103

En la siguiente tabla se muestra la ecuaciones de conversin entre parmetros

hbridos,admitanciaeimpedancia:

TABLADECONVERSINENTREMODELOSDEPARMETROS
Z

zi
zr
zf
zo

yo/Dy
yr/Dy
yf/Dy
yi/Dy

Dh/ho
hr/ho
hf/ho
1/ho

zo/Dz
zr/Dz
zf/Dz
zi/Dz

yi
yr
yf
yo

1/hi
hr/hi
hf/hi
Dh/hi

Dz/zo
zr/zo
zf/zo
1/zo

1/yi
yr/yi
yf/yi
Dy/yi

hi
hr
hf
ho

Dzb=zibzobzrbzfb

Dyb=yibyobyrbyfb

Dhb=hibhobhrbhfb

Dzc=ziczoczrczfc

Dyc=yicyocyrcyfc

Dhc=hichochrchfc

Dze=ziezoezrezfe
Dye=yieyoeyreyfe
Dhe=hiehoehrehfe

Elempleodeunmodelouotrodependedelcircuito,suimpedanciadeentrada(Zi),
su impedancia de salida (Zo), la impedancia de salida del generador (RG) y de la
impedanciadecarga(RL).

MODELODEPARMETROSHIBRIDOS:
Elmodelodeparmetroshbridos(odeGiacoletto)esunaextensindelmodelo
T.Secaracterizaporquesusvalorespermanecenprcticamenteconstantesconla
frecuencia.Esunmodelofsicodeltransistorqueincluyelosfenmenoscapacitivos
internosdeltransistorysemuestraacontinuacin:

93

ElectrnicaAnalgicaI

C
rx
B

C
+
V
-

r
r

gm V

rc
E

rx=Eslaresistenciadedispersindebase.Suvalorespequeo,delordendelas
decenasdeohmios.

V=Tensindesealdeentrada
r=Resistenciadeentrada=hfeVT/IEQ
C=Capacidaddelaunindeemisor
r=Resistenciaderealimentacininterna
C=Capacidadderealimentacininterna
rc=Resistenciadesalida
gm=Transconductanciadeltransistor=IEQ/VT

TECNOLOGADELTRANSISTOR:
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, despus que Mendeleiev
predijerasuexistenciaymuchasdesuspropiedadesgraciasalsistemaperidicode
loselementos,en1869.Mendeleievledioelnombredeelkasiliciumdebidoasu
analogaconelsilicio.

Elgermanioprocededelmineralllamadogermanita,enelqueseencuentraenuna
proporcin aproximada de 7%. Tambin se le encuentra en los desperdicios
procedentesdelaextraccindezincydelascenizasdelahulla.

Los semiconductores a emplear deben tener una gran pureza debido a que una
pequea cantidad de impurezas cambia completamente sus propiedades
elctricas.Adems,suestructuracristalinadebesersimtrica(monocristal).

Lasimpurezaspuedenincluirseenelsemiconductordediferentesformas:

a) Por fundicin: Tiene la ventaja de poderse combinar con la extraccin del

monocristal.Lasimpurezasseaadenencantidadesprecisas.

94

b)

c)

d)

ElectrnicaAnalgicaI

Por aleacin: Consiste en poner una gota de impureza a cada lado de un

disco fino de semiconductor y luego calentarlo para que los tomos de
impurezapenetrenenelsemiconductor,cambindoloatipoPoN
Pordifusin:Elsemiconductorsecolocaenunrecipientedondelasustancia
queactuardeimpurezasehallaenestadogaseosoyaaltatemperatura.Los
tomosdeimpurezasedifundenenelsemiconductorformandounadelgada
capadematerialtipoPoN.
Estosmtodosseaplicantantoalgermaniocomoalsilicio,conladiferencia
queesteltimoesmuchomsactivoypuedeseratacadoporelmaterialdel
crisol, generndose impurezas en forma incontrolable; por ello, requiere el
usodecrisolesespeciales.
Epitaxial:Seoriginaelcrecimientodelmaterialsemiconductorenestadode
cristalsobreotromaterialsemiconductortambinenestadocristalino.

FORMASDECONSTRUCCINDELTRANSISTOR:

Transistordepuntasdecontacto:ConstandeunaplaquitadematerialbasetipoN
oPsobrelaqueestnaplicadasdospuntasmetlicas.Elmaterialdelcolectorydel
emisorseobtienealsoldarlaspuntasconelmaterialbasemedianteunimpulsode
corriente,haciendoqueseintroduzcanimpurezasdetipoopuestoaladelabase.
Estemtodofueunodelosprimerosenrealizarseyactualmenteestendesuso.

Transistor de unin: Son formados por capas superpuestas de material

semiconductor.Seaplicandosbolitasdeimpurezasaambosladosparaformarel
colector y el emisor. La penetracin de las impurezas se regula en forma precisa
Debido al grueso de la unin, las capacidades inter.electrdicas resultan
relativamente elevadas por lo que limita su empleo a frecuencias menores de 20
MHz.

Transistor planar: Se construye mediante una plaqueta de silicio tipo N o P que

constituirelcolector.Unodesusladosserevisteconunacapadexidodesilicio.
Acontinuacinsehaceunaventanapordondesedifundenimpurezasparaformar
la base. Se vuelve a cubrir con una capa de xido de silicio y se practica otra
ventanasobrelabaseparadifundirelemisor.Sevuelveacubrirtodoconunacapa
dexidodesilicioysepracticanotrasventanasparaponerlosterminalesdebase,
colectoryemisor.Conestatcnicapuedenconstruirselosdostiposdetransistores
ypuedensoportartensionesdelordende100Vycorrientesdelordende10A.

95

ElectrnicaAnalgicaI

Transistor homotaxial o de difusin nica: Se fabrica a partir de una placa de

materialtipoPy,alcontrariodelplanar,noseformacapadeoxido.Laimpureza
penetra,duranteelprocesodedifusin,porambosladosdelaplacaformandoel
colector y el emisor. El material tipo P constituye la base. Estos transistores son
muyrobustosyadecuadosparatrabajarconaltascorrientes,porlosqueselesusa
muchoenetapasdepotenciadebajafrecuencia.Debidoalespesordelabase,su
frecuenciadetransicinnoesmuyelevada(1MHz)yadmitentensionesdelorden
de100V.SlosefabricandetipoNPN.

Transistormesa:Esfabricadoconelprocesoepitaxial.Sehacecrecerunadelgada
capa de silicio poco dopado (que constituir la base) sobre un sustrato de silicio
fuertementedopado(queconstituirelcolector).Labasesecubreconunacapade
xidodesilicioyluegosepracticaunaventanadondesedifundeelemisor.Debido
a que el proceso de formacin de la base es muy lento, puede controlarse su
espesor con mucha exactitud, por lo que se pueden lograr espesores muy
reducidos, permitiendo su empleo en frecuencias altas. Pueden trabajar con
corrientes altas y tensiones del orden de 200 V. Se fabrican en versiones PNP y
NPN.

Transistor mesa semiplanar: La unin basecolector se obtiene mediante

tecnologa mesa y la unin baseemisor mediante tecnologa planar. Se parte de
unaplaquitadesilicionooxidadoqueseexponeaunprocesodedifusin(parecido
almtodohomotaxial,conladiferenciaqueelmaterialintermedionoconstituyela
basesinoelcolector);acontinuacinserecubretodalaplacaconxidodesilicioy
se elimina toda la capa difundida inferior. A continuacin se difunde en la capa
superior el emisor mediante la tcnica planar. Estos transistores son menos
robustos que los mesa, pero poseen una frecuencia de transicin muy elevada y
pueden manejar tensiones muy altas, del orden de 1500 V. Slo se fabrican en
versinNPN.

Nomenclaturadelostransistoresparabajafrecuencia:

Nomenclaturaamericana:Lostransistores,seacualseasuaplicacin,sedesignan
conelprefijo2N(dosuniones)seguidoporunnmerodadoporelfabricante.

Nomenclaturaeuropeaantigua:Seutilizaban23letrasseguidasdeunnmero.
LaprimeraletraesunaO,queindicaqueesunsemiconductor.Lasegundaletraes
unaAparalostransistores.

Nomenclatura europea moderna: Esta nomenclatura es ms acertada que las

anteriores debido a que se puede identificar el tipo de semiconductor y deducir

96

ElectrnicaAnalgicaI

parte de sus caractersticas. La nomenclatura est compuesta de dos letras

seguidas de un nmero de serie compuesto de tres cifras, para los dispositivos
semiconductoresdiseadosparaemplearseenaparatosdomsticos,ounaletray
doscifras,sisonparausoindustrial.

Laprimeraletrapuedeser:

A
paralosdispositivosdegermanio
B
paralosdispositivosdesilicio

Lasegundaletrapuedeser:
C
paralostransistoresdebajafrecuenciaybajapotencia
D
paralostransistoresdebajafrecuenciaypotencia

97

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.4

ELTRANSISTORUNIPOLAR(FET)
Sontransistoresquefuncionancontrolandolacorrientequecirculaporelcuerpo
delsemiconductor,medianteuncampoelctricodistribuidoentodasuextensin.
Lamagnituddelcampoelctricoesdeterminadaporelvoltajeexternodecontrol
aplicadoaldispositivo.

Lacorrientequeconducenesfundamentalmentedeunsolotipodecarga,porlo
queselesconocecomodispositivosunipolares

PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar (BJT) y un transistor unipolar (FET) es el
modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar se debe
inyectarunacorrientedebasepararegularlacorrientedecolector,mientrasque
enelFETelcontrolsehacemediantelaaplicacindeunatensinentrecompuerta
y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos,quesonsustancialmentedistintas.

Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que

consumeelterminaldecontrol(baseocompuerta)essiempremspequeaquela
potenciamanejadaenlosotrosdosterminales.

Enresumen,destacamostrescosasfundamentales:

EnuntransistorbipolarIBcontrolalamagnituddelacorrienteIC.
EnunFET,latensinVGScontrolalamagnituddelacorrienteID.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.

TIPOSDEFET
Porsuformadeconstruccin,existen:

FETdejuntura(JFET):PuedensercanalNP
FETmetaloxidosemiconductor(MOSFET):PuedensercanalNP

99

ElectrnicaAnalgicaI

Estosasuvezsedividenen:
MOSFETdeacumulacin(oenriquecimientooincremental)

MOSFETdereduccin(odeestrangulamiento)
FETmetalsemiconductor(MESFET):PuedensercanalNP

MOSFET
Esuntransistordeefectodecampodemetalxidosemiconductor.

El control de la corriente lo realiza mediante el campo elctrico. Poseen

impedanciadeentradamuyelevadaysuconstruccinessuperficial.

MOSFETDEACUMULACIN:
Eseltipomssencillodetodosy,enlaactualidad,elmsusado.

Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):

W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
tox=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)
G
S

tox
N+

N+
L
P

x
B

100

ElectrnicaAnalgicaI

Enlosdispositivosdiscretos,lafuente(S)estcomnmenteunidaconelsustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.

La capa de xido (cuyo espesor se indica con tox) est hecha de xido de silicio
(SiO2) posee una permitividad elctrica indicada con ox y la carga elctrica que
contiene,indicadaconQox,influyemuchoenlascaractersticasdeldispositivo.Qox
esenrealidadunadensidaddecargasuperficialformadaporionesdeimpurezas,
tomosdesilicioionizados,ambosdentrodelacapadexidoytambinporcargas
enlosbordesdelaunindelxidoconelsemiconductordebidoalafinalizacinde
laestructuracristalinadelsilicio.Estascargasnosemuevenyestnmuycercade
lasuperficiedelsemiconductor.Qox nodependedeltipodesustrato,perosdesu
orientacincristalogrfica.Cuandoelxidoesformadopormediostrmicos,Qoxes
formadaporcargapositiva.

ElMOSFETpresentatrestiposdecondicinelctricaenlasregionescercanasala
superficiedeuninconlacapadexido:

ACUMULACIN:Sienelesquemamostradoaplicamosunatensinnegativaentre
la compuerta y sustrato (VGS), se atraern ms cargas positivas a las regiones
cercanas a la superficie de unin con la capa de xido. Por ello, la densidad de
cargasuperficialaumentarenestazonaenunacantidadquepodemosindicarcon
QA.

DEPLEXIN: Si en el esquema mostrado aplicamos una tensin positiva,

relativamentepequea,estatensinrechazarlascargaspositivasmvilesdelas
regiones cercanas a la superficie de unin con la capa de xido. Por ello, la
densidaddecargasuperficialdisminuirenunacantidadquepodemosindicarcon
NAS,queesformadaporionesnegativos,generndoseenestareginunazonade
deplexin(otransicin).Aligualqueeneldiodo,sepuedehacerlaaproximacin
dequeenestaregin,deespesorxd,nohaycargalibreyslohayionesinmviles
cuyadensidadsuperficialsepuedeexpresarcomo:

NAS=NAxd

NAeslaconcentracindetomosaceptadoresenelsustrato

Si,mediantelaaproximacinindicada,consideramosqueestdistribuidade
manerauniformeenlazonadedeplexin,entonces,elcampoelctricoenesta
reginpodemosexpresarlopor:
Eo=eNAS/ox=eNAxd/ox

101

ElectrnicaAnalgicaI

INVERSIN:Sienelesquemamostradohacemosquelatensinpositivarespecto
alsustratoseamsalta,aparecertambinunadensidadsuperficialdeelectrones
libres, ns, que formar un canal de unin entre las regiones n+ del drenador y la
fuente.ParaellosenecesitarquelatensinVGSalcanceunvalorumbral(VTH).El
campoelctricoproducidoatravsdelxidoserahora:

Eo=e(NAS+ns)/ox

Despejandons:ns=(oxEo/e)NAS

ECUACIONESDELMOSFET
Paraelloconsideraremostrescasos:

1.
Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)espequeocomparadocon(VGS
VTH).

Enestecaso,lascargaslibresestarndistribuidasuniformementeentodo
elcanalypodemoshablardeunadensidaddecorrientelinealalolargodel
canal,dadaporlaexpresin:
Js=ID/W

Enestaregin,lacorrientededrenadortienelasiguienteecuacin:

ID=2K1[VGSVTH]VDS

Sedefinen:

Tensinumbral:
VTH=eNAStox/ox=eNAS/Cox

K=(W/L)(ox/tox)(n/2)

Bajoestascondiciones,sedicequeelMOSFETactaenlareginhmicay
selepuedeusarcomoresistenciacontroladaporvoltaje.Laresistenciadel
canalesdadapor:

Rds=VDS/ID=1/[2K(VGSVTH)]

2.
Cuando el voltaje drenadorfuente (VDS) no es despreciable respecto a
(VGSVTH)

Enestecaso,elcampoelctricoalolargodelcanalyanoesuniformeyel
potencial VDS ya no es lineal a lo largo del canal. Esto obligar a que el
campoelctricoenelxidotampocoseauniformeyvareconladistancia.

Enestecasolacorrientededrenadoresdadaporlaecuacin:
102

ElectrnicaAnalgicaI

ID=2K[(VGSVTH)VDSVDS2/2]

3.

Estaecuacinesvlidaparavaloresde:VDS<(VGSVTH)
ObservamosqueyanohaydependencialinealconVDS
Aestareginselesiguellamandozonahmica,aunquetambinrecibeel
nombrederegintriodo.

Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)esmayorque(VGSVTH)
Enestecasoapareceenelcanalunazonadeagotamiento,delongitud,
quereduceellargodelcanal,yhacequeIDsehagaindependientedeVDS
Estecomportamientosecumpleapartirde: VDS=VGSVTH
ReemplazandoestaecuacinenlaanteriordeID,llegamosa:
ID=[W/(L)](n/2)(ox/tox)](VGSVTH)2

AquvemosqueIDsehaceindependientedeVDS
EnlasgeometrasusadasparaelMOSFET,generalmentesecumpleque:
<<L,porloquesepuedehacerlasiguienteaproximacin:

ID=K(VGSVT)2=IDSS(1VGS/VTH)2

A la regin que empieza cuando se cumple VDS = VGS VTH se le conoce

comozonadesaturacinodecorrienteconstante.Estareginequivaleala
zonaactivadeltransistorbipolar

SmbolosdelosMosfetdeacumulacin:
EnlasfigurassonmostradoslosmodelosdelosMosfetdeacumulacincanalNy
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.

103

ElectrnicaAnalgicaI

ID

ID

+
VDS
ID

VDS
+
ID

+
VGS
-

VGS
+
CANAL N

CANAL P

PROBLEMA 4.1. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de VDS. Suponga: VT = 1V, tox = 500, ox =
3.5x1013 F/cm, n = 1500 cm2/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VVGS11V.

Solucin:
Enlazonahmicasecumple:

Rds=VDS/ID=1/[2K(VGSVTH)]

K=(W/L)(ox/tox)(n/2)

Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(31)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(111)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas

CurvascaractersticasdelMosfetdeacumulacin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.

104

ElectrnicaAnalgicaI

Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de

salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.

- ID

ID

VTH

VGS

- VTH
- VGS

CANAL N

CANAL P

Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debesuperarladelatensinumbral(VTH).Encasocontrario,nohabrcorriente
desalida.

Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).

Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.

LasiguientefiguramuestraestasgrficasparacanalN.ParacanalPsonsimilares,
soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.

105

ElectrnicaAnalgicaI

ID
VDS = VGS - VTH
VGS4
OHMICA

VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2

VGS1
CORTE
VDS

MOSFETDEREDUCCIN:
Este Mosfet tiene una construccin parecida a la del de acumulacin, con la
diferenciaqueelcanalyahasidohechoduranteelprocesodefabricacin.

Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):

G
D
S

tox
N
N+

N+
L

B
x

106

ElectrnicaAnalgicaI

W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
tox=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)

Enlosdispositivosdiscretos,lafuente(S)estcomnmenteunidaconelsustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.

La capa de xido (cuyo espesor se indica con tox) est hecha de xido de silicio
(SiO2)poseeunapermitividadelctricaindicadaconox

Elcontroldelacorrienteentredrenadoryfuentesehaceahorahaciendoreducirel
canalyaexistente.Paraello,seaplicaunatensinentrecompuertayfuenteque
induzca cargas de signo opuesto a las que abundan en el canal. Estas, al
recombinarse con las inducidas, hacen disminuir las cargas netas libres y en
consecuencia,tambinalacorriente.

LasecuacionesdelMOSFETdereduccinsonlasmismasquelasdelJFET,quese
estudiamsadelante.

SmbolosdelosMosfetdereduccin:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de reduccin canal N y
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.

107

ElectrnicaAnalgicaI

ID
+
VDS
ID

VGS
+

+
VGS
-

ID
VDS
+

ID
CANAL P

CANAL N

CurvascaractersticasdelMosfetdereduccin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.

Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de

salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.

ID
-ID
IDSS
IDSS

VP

VGS

VP
VGS

CANAL N

CANAL P

Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.

108

ElectrnicaAnalgicaI

Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.

IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0

VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.

Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).

Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.

LasiguientefiguramuestraestasgrficasparacanalN.ParacanalPsonsimilares,
soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.

ID
VDS = VGS - VP
VGS4
OHMICA

VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2

VGS1
CORTE
VDS

JFET
EstetipodeFETseconstruyemedianteunmaterialsemiconductortipoPNya
susladosseformanunionesconmaterialopuestoydemuchomayordopajeque
enelcuerpo.EnelsiguientegrficosemuestraunJFETconcanalN.
109

ElectrnicaAnalgicaI

VemosqueelcuerpoestipoNyaloscostadoshay2regionestipoPcondopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN

Elprincipiodefuncionamientosebasaenhaceraumentarodisminuirlasregiones
detransicinparacontrolarelflujodecorrienteentredrenadoryfuente(ID).Las
regiones de transicin (indicadas con lneas punteadas) se controlan mediante la
tensinVGS.;paraello,esnecesarioquepolarizarinversamentelasunionesPN.

P+

Id

+
VGS
G

P+

- VDS +

VemosqueelcuerpoestipoNyaloscostadoshay2regionestipoPcondopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN

ECUACIONESDELJFET
AligualqueenelMOSFETdeacumulacin,seconsiderarnloscasos

1.
Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)espequeocomparadoconVGS:

Como VDS es pequeo, podemos aproximar y decir que la regin de

transicin tendr una distribucin constante a lo largo del canal. Con el
siguienteesquemamostramosestecaso:
P+

a
b

+
VGS
G

P+

- VDS +

110

Id

ElectrnicaAnalgicaI

Enestecaso,lascargaslibresestarndistribuidasuniformementeentodo
elcanalypodremosdecir:

Jn=ennEDS

No consideramos la difusin porque la distribucin es uniforme, ni la

densidad de huecos por ser portadores minoritarios. EDS es el campo
elctricoentredrenadoryfuente.
Sisecumpleenelmaterialtipon:ND>>2ni,entoncessepuedeaproximar:
n=ND
SielanchodelFETesA,entonceslaseccintransversaldelcuerpoes2bAy
podemoshallarlaexpresindelacorrientededrenador:

ID=2bAeNDnEDS
ComoVDSespequeo,podemoshacerlasiguienteaproximacin:
EDS=VDS/L
Donde:L=longituddelcanal.
Entonces:

ID=2bAeNDnVDS/L

EnlauninPNabrupta,elpotencialenlajunturaesdadopor:
VoVGS=[eNDNA/(2(NA+ND)]W2
ComoNA>>ND,
DespejandoW:

entonces:
VoVGS=[eND/2]W2
1/2
W=[2/eND] (VoVGS)1/2

Delgrficovemostambinqueelanchodelaregindetransicin(W)se
W=ab
puedeexpresarcomo:
ReemplazandoydespejandoVoVGS:
VoVGS=[ea2AND/2](1b/a)2
Entonces:

Sisecumple: VGS>>Vo,
2
VGS=[ea A ND/2](1b/a)2
CuandoVGSsehacetannegativoqueelcanalsecierra:b=0

111

ElectrnicaAnalgicaI

Enestecaso,lamximatensinVGSquecierraelcanales:
Vp=[ea2AND/2]
Estevoltajerecibeelnombredetensindecontraccin(odePinchOff)y
es un parmetro dado por el fabricante en los manuales tcnicos. Este
voltajeesnegativoparalosJFETdecanalNypositivoparalosdecanalP.

Acontinuacin:VGS=Vp(1b/a)2
Despejandob:
b=a[1(VGS/Vp)1/2]

ReemplazandoenlaecuacindeID:
ID=[2AaeNDn/L][1(VGS/Vp)1/2]VDS

VemosquehayunarelacinlinealentreIDyVDS.Luego,podemoshallarla
resistenciadelcanalparatensionesVDSpequeas:

RDS=VDS/ID=1/[2AaeNDn/L][1(VGS/Vp)1/2]

Definimos:
ron=1/[2AaeNDn/L]

EstaresistenciaeslamnimaqueofreceelcanalcuandoVGS=0

Entonces:

RDS=ron/[1(VGS/Vp)1/2]

EstaesunaresistenciacuyovalorpuedesercontroladoconlatensinVGS
(tambinllamadaVDR).Estacaractersticaestilparacontrolarlaganancia
delosamplificadores.

2.

Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)esmayorque(VGSVp):
Cuando:VDS=VGSVp

setiene:

ID=KpVDS2

Laecuacin: VDS=VGSVpcorrespondealareginumbralentrelazona
hmicaydesaturacin.
ParavaloresVDS>VGSVp,elJFETllegaalazonadesaturacinysehace
prcticamenteindependientedeVDS.Entonces:

ID=Kp[(VGSVp)2

112

FactorizandoVp:

ElectrnicaAnalgicaI

ID=IDSS[(1VGS/Vp)2

QueeslaecuacintpicadelJFETenlaregindesaturacin.
SmbolosdelosJfet:
EnlasfigurassonmostradoslosmodelosdelosjfetcanalNycanalP.Tambinse
indicanlaspolaridadesdelosvoltajesylossentidosdecirculacindecorriente.

ID
+
VDS
ID

VGS
+

+
VGS
-

ID
VDS
+

ID
CANAL N

CANAL P

Curvascaractersticasdeljfet:
Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del FET son las de
transferenciaylasdesalida.SonanlogasalasdelMosfetdereduccin.

Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de

salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.

ID
-ID
IDSS
IDSS

VP

VGS

VP
VGS

CANAL N

CANAL P

113

ElectrnicaAnalgicaI

Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.

Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.

IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0

VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.

Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).

Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.

LasiguientefiguramuestraestasgrficasparacanalN.ParacanalPsonsimilares,
soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.
ID
VDS = VGS - VP
VGS4
OHMICA

VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2

VGS1
CORTE
VDS

Regionesdeoperacindeltransistor:
Enlascurvasdesalidaseobservanlasregionescomunesdeoperacin:

Zona hmica: En esta zona el transistor acta como interruptor cerrado. Aqu
tambin,enlaszonascercanasalorigen(VDSpequea)eldispositivosecomporta
114

ElectrnicaAnalgicaI

como resistencialinealcontrolada porla tensinVGS. Esta zonaes muy til para

hacer controles automticos de ganancia e interruptores analgicos pues acepta
voltajesVDSdelasdospolaridades.

Zonadecorte:Enestaregineldispositivoactacomointerruptorabierto.

Junto con la zona hmica permiten hacer circuitos digitales y tambin ser usado
comointerruptorparacircuitosdepotencia.

Zona de saturacin o de corriente constante: Esta regin permite amplificar al

dispositivo y se le emplea para amplificar seales analgicas. Aqu ID es
prcticamenteindependientedeVDS.

Polarizacin:
ParaqueelFETamplifiqueesnecesarioubicarsupuntodeoperacinenlazonade
corriente constate. Para ello, necesitamos establecer una tensin y corriente
constantequeloubiquendichazona.

AcontinuacinsonmostradaslasformastpicasdepolarizaralFET:

115

ElectrnicaAnalgicaI

JFET:

VDD

VDD

RD

VDD

RD

RD

RF

R1

- VDD

- VDD

RD

- VDD

RD

RG

RD

RF

R1

RG
RS

R2

RG

RS

RS

CANAL N

R2

RG

RS

CANAL N

RS

CANAL N

CANAL P

CANAL P

- VDD

- VDD

RS

CANAL P

MOSFETDEREDUCCIN:

VDD

VDD

RD

VDD

RD

RF

R1

RD

RD

RD

RF

R1

RG

RD

RG
RS

RS
R2

CANAL N

- VDD

RS

CANAL N

RG

R2

RG

RS

CANAL N

RS

CANAL P

116

CANAL P

RS

CANAL P

ElectrnicaAnalgicaI

MOSFETDEACUMULACIN:
VDD

VDD

RD
R1

R2

- VDD

RD

RD

RF

RS

CANAL N

- VDD

RG

RD

R1

RS

RF

R2

CANAL N

RS

RG

CANAL P

CANAL P

Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.
Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:

VDD

RD
R1

C2

C1

+
vg
-

RL
R2

RS

CS

117

RS

ElectrnicaAnalgicaI

Lacorrientededrenadorestformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla
corrientedeseal: ID=IDQ+id

Enformaanlogaparalatensin: VDS=VDSQ+vds

PlanteandolaleydeKirchhoffenlamalladrenadorfuente:

VDD+0=IDQRD+VDSQ+IDQRS+id(RD//RL)+vds

Aqusehanconsideradomuypequeaslasreactanciasdeloscondensadoresala
frecuenciadelaseal.

Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:

VDD=IDQ(RD+RS)+VDSQ

YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)

Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:

0=+id(RD//RL)+vds

YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)

LoanteriorindicaquepodemosestudiaralamplificadorsloenDCyluegoslo
enAC,enformaanlogaalBJT.

Estasecuacionespuedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.

PROBLEMA4.2.HallelosvaloresdeRD,RS,R1,R2yR3parapolarizarunMOSFETde
acumulacinconVTH=1V,enelpuntodeoperacin:

VDSQ=15V,IDQ=4.5mA,VGSQ=2V.Adems:Zi=10M.

Asumaque:
Rs=(VGSQ+VTH)/IDQ

Paraminimizarlasvariacionesportemperatura.

118

ElectrnicaAnalgicaI

0.1 mA
+ 24 V

RD
R1

R3
C1

+
vg
-

R2

RS

CS

Solucin:
RectaDC:
24=ID(RD+RS)+VDS

Reemplazandovalores:
24=(4.5)(RD+RS)+15

Obtenemos:
(RD+RS)=2K

Enlareddepolarizacindecompuerta:

24=(0.1mA)(R1+R2)

Obtenemos:
(R1+R2)=240K

HallamosRS:
Rs=(VGSQ+VTH)/IDQ

Reemplazandovalores:
Rs=(2+1)V/4.5mA=667
Rs=667

ObtenemosRD:
RD=2KRS=1.33K

RD=1.33K

ElvoltajeenR2es:
VR2=VGSQ+IDQRs

Reemplazandovalores:
VR2=2+(4.5mA)(667)=5V

ObtenemosR2.
R2=5V/0.1mA=50K

R2=50K
119

ElectrnicaAnalgicaI

ObtenemosR1.
R1=240K50K=190K
R1=190K

Laimpedanciadeentradaparasealqueofreceelamplificadores:
Zi=R3+R1//R2=1M

DespejandoR3:
R3=1MR1//R2=1M39.58K=960.42K
R3=960.42K

ConfiguracionesdelosFET:
Cuando trabaja con seales pequeas, el Fet puede ser considerado como un
cuadripolo. Como el dispositivo tiene slo 3 terminales, deber considerarse uno
comnalaentradaysalida,comosemuestraacontinuacinparaelJfet.

Fuentecomn:
Esta configuracin usa el terminal de fuente comn a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar tensin y corriente. La seal de salida est desfasada
180respectoalaentrada.

Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:

id
D
ig = 0
+
vds
-

G
+
vgs
S

S
FUENTE COMUN

Drenadorcomn:
Esta configuracin usa el terminal de drenador comn a la entrada y salida. Se
caracterizaporamplificarcorriente.Lasealdesalidaestenfaseconrespectoa
laentrada.

120

ElectrnicaAnalgicaI

Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:

is
S
ig = 0
+
vsd
-

G
+
vgd
D

D
DRENADOR COMUN

Compuertacomn.
Estaconfiguracinusaelterminaldecompuertacomnalaentradaysalida.Se
caracterizaporamplificartensin.Lasealdesalidaestenfaseconrespectoala
entrada.

Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:

Is
id
S
+
vsg
-

D
+
vdg
-

G
COMPUERTA COMUN

ModelosdebajafrecuenciaypequeasealdelFET:
El FET presenta efectos capacitivos internos, los cuales deben ser considerados
cuando trabaja con frecuencias altas. Cuando las frecuencias son bajas estas
capacidades tienen reactancias muy elevadas y se les puede considerar circuitos
abiertos.

121

ElectrnicaAnalgicaI

Hay dos modelos tpicos que se usan para todos los FET: El modelo Norton y el
modeloThevenin.Elusodecadaunodeellosdependerdeltipodecircuitousado.
Seempleaelquefacilitemselanlisis.

AmbosmodelosseempleanparacualquierconfiguracinycualquiertipodeFET.

ModelotipoNortonparapequeasealyaltafrecuencia:
Un modelo muy empleado para pequea seal en todos los FETs es el siguiente,
expresandoelcircuitodesalidaporunequivalenteNorton:

Cgd
G

+
Vgs
-

gm Vgs
Cgs

rds
Cds
S

Cgs,CgdyCdsseempleanslocuandosetrabajaconfrecuenciasaltas
Cgseslacapacidaddeentrada,entrecompuertayfuente
Cgdeslacapacidadderealimentacin,entredrenadoryfuente
Cdseslacapacidaddesalida,entredrenadoryfuente
gm=transconductanciadelFETparapequeaseal.
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.

ModelotipoNortonparabajafrecuencia:
Enestecaso,noseconsideranlascapacidadesylaentradadelFETesuncircuito
abierto.Aqu:

ElFETsecomportacomofuentedecorrientecontroladaportensin.

ig = 0
id
G

D
+
vgs
-

rds
gm vgs

122

+
vds
S

ElectrnicaAnalgicaI

ModelotipoTheveninparapequeasealyaltafrecuencia:
OtromodelomuyempleadoparapequeasealentodoslosFETseselexpresando
consucircuitodesalidaporunequivalenteThevenin:

Cgd

ig

rds

id

D
+
vgs
-

u vgs
+

Cgs

Cds

+
vds
S

ModelotipoTheveninparapequeasealybajafrecuencia:Enestecaso,nose
consideranlascapacidadesylaentradadelfetesuncircuitoabierto.Aqu:

=Factordeamplificacindelfetparapequeaseal=gmrds
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.

ig = 0

rds

id
D

+
vgs
-

u vgs
+

+
vds
S

PROBLEMA4.3.EnelsiguientecircuitoconMOSFET,hallelagananciadetensin,
laimpedanciadeentradaylaimpedanciadesalida.

Datos: gm=2mS,rds=15K

123

ElectrnicaAnalgicaI

100K

Zo

+
Vo
-

Zi
5K

RL

10K

Vi

VDD
C es muy grande

Solucin:
Hacemoselmodeloparapequeasealybajafrecuencia:
100K

ig
+
vi
-

5K
gm vgs

+
vgs
-

15K

Gananciadetensin: Av=Vo/Vi

Usndolemtododenodos: (VgsVi)/5K=(VgsVo)/100K

NudoVgs:
(ViVgs)/5K=(VgsVo)/100K

DespejandoVgs:
Vgs(1/5K+1/100K)=Vi/5K+Vo/100K
Vgs=(20/21)Vi+Vo/21

NudoVo:
(VoVi)/105K+Vo/10K+Vo/15K+gmVgs=0
124

RL = 10K

+
vo

ElectrnicaAnalgicaI

Ordenando: Vo(1/105K+1/10K+1/15K)Vi/105K+gmVgs=0

ReemplazandoVgs:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]

DespejandoAv:

Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]

Av=(1/21200/21)/[1/21+1/2+1/3+10/21]=1.905/1.357

Efectuando: Av=9.476/1.357=6.976

Av=6.976

Impedanciadeentrada(sinincluirlos5K):Zi=Vgs/Ig

Sabemosque:Ig=(VgsVo)/100K

Adems:
Vgs=(20/21)Vi+Vo/21=Vi(20/21+Av/21)=0.15Vi

DividiendoporIg:
Zi=0.62(5K+Zi)

DespejandoZi:Zi=0.62(5K)/(10.62)=8.16K

Zi=8.16K

125

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.5

GANANCIASDELAMPLIFICADOR:

Tiposdeamplificadores
Antesdeiniciarelanlisisdecircuitos,indicaremoslostiposycaractersticasdelos
amplificadores.

a)
AmplificadordeTensin:Esunamplificadorquerecibetensinyentrega
tensin. Su impedancia de entrada debe ser elevada y su impedancia de
salida pequea. Su circuito de salida es mejor representado por un
equivalentedeThevenin.Lasalidaesunafuentedetensincontroladapor
tensin.

Rg
+
Vg
-

Zo << RL
+
Vi
-

Zi

Zo

Av Vi
-

RL

+
VL
-

Zi >> Rg

b)

Av=VL/Vi=Gananciadetensin.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros z

debidoaquestosrecibentensinyentregantensin.
Amplificador de Corriente: Es un amplificador que recibe corriente y
entrega corriente. Su impedancia de entrada debe ser pequea y su
impedanciadesalidaelevada.Sucircuitodesalidaesmejorrepresentado
por un equivalente de Norton. La salida es una fuente de corriente
controladaporcorriente.
127

ElectrnicaAnalgicaI

Ii

Zo >> RL
IL
Ai Ii

Ig

Rg

Zi

Zo

RL

Zi << Rg
Ai=IL/Ii=Gananciadecorriente.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros h

debidoaquestosrecibencorrienteyentregancorriente.

c)

Amplificador de Transconductancia (o transadmitancia): Es un

amplificador que recibe tensin y entrega corriente. Su impedancia de
entrada debe ser elevada y su impedancia de salida tambin elevada. Su
circuitodesalidaesmejorrepresentadoporunequivalentedeNorton.La
salidaesunafuentedecorrientecontroladaportensin.

Rg

Zo >> RL
IL

+
Vg
-

+
Vi
-

Gm Vi

Zi

Zo

RL

Zi >> Rg

128

ElectrnicaAnalgicaI

Gm=IL/Vi=Transconductanciaotransadmitancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros y

debidoaquestosrecibentensinyentregancorriente.

d)

AmplificadordeTransresistencia(o transimpedancia): Es un amplificador

querecibecorrienteyentregatensin.Suimpedanciadeentradadebeser
pequeaysuimpedanciadesalidatambinpequea.Sucircuitodesalida
es mejor representado por un equivalente de Thevenin. La salida es una
fuentedetensincontroladaporcorriente.

Ii

Zo << RL

Ig

Rg

Zi

Zo

Rm Ii
-

RL

+
VL
-

Zi << Rg

Rm=VL/Ii=Transrresistenciaotransimpedancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parmetros k

debidoaquestosrecibencorrienteyentregantensin.

El tipo de amplificador se identifica comparando las impedancias de

entradaconladelgeneradorylaimpedanciadesalidaconladecarga.De
esta manera podemos identificar el modelo de parmetros ms
convenienteparaelanlisis.

129

ElectrnicaAnalgicaI

Impedanciadeentrada,Zi:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificadorensuentrada.Esimportanteconocerla
parapoderacoplarlasealdeentradaeimpedirquedisminuyalaamplificacin.
Delgrficovemosquesepuedehallarcomo:Zi=Vg/Ig

Ig

+
Vg

RL

Impedanciadesalida,Zo:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificador,ensusalida,alacarga.Esimportante
conocerla para poder acoplarlacarga al amplificadoreimpedir que disminuyala
amplificacin.

LasalidasepuedemodelarcomouncircuitoTheveninouncircuitoNorton,como
semuestraenelgrfico:

Zo

Ig

+
Vg
-

Zi

+
Av Vg
-

UnaformadehallarZoes,viendoelgrfico:
1)HacerVg=0
2)Sacarlacargay,ensulugar,ponerunafuenteV
3)Seobtiene: Zo=V/I

130

RL

+
VL
-

ElectrnicaAnalgicaI

Ig = 0

Zo
V

Zi
-

OtraformadehallarZoes,viendoelgrfico:

1)
Sacarlacargaymedirlatensindesalidaenvaco:VL1=AvVg.

Ig
Zo
Zi

+
Vg
-

2)

+
Av Vg
-

+
VL1 = Av Vg
-

Ponerlacargaymedirnuevamenteelvoltajedesalida:
Ig

IL
Zo

+
Vg
-

Zi

+
Av Vg
-

RL

+
VL2 = IL RL
-

131

ElectrnicaAnalgicaI

3)

Seobtiene:

Zo=(VL1VL2)/IL=(VL1/VL21)RL

Anlisisdeunamplificadorusandoparmetroshbridos:
Haremos el anlisis, mediante un problema, representando al transistor
consumodelo:

Problema5.1:Enelsiguienteesquemasimplificadodeunamplificadordepequea
seal,conparmetroshbridos,hallelasexpresionesde:

a)Lagananciadetensin(Av)
b)Laimpedanciadeentrada(Zi)
c)Laimpedanciadesalida(Zo)

Rg

hi
+

+
Vg

+
RL
hr VL

hf i

1 / ho

VL
-

Solucin:
a)
Obtencindelagananciadetensin:Av=VL/Vg

Delcircuitodeentrada:
VghrVL

i=

Rg+hi

Delcircuitodesalida:

VL=hfi(RL//(1/ho))

Reemplazando:
VghrVL
VL=hf()(RL//(1/ho))
Rg+hi

Simplificando: VL
hfRL

Av==

Vg
Rg(1+hoRL)+hi+RL(Dh)
Donde:Dh=hihohfhr

132

b)

c)

ElectrnicaAnalgicaI

Obtencindelaimpedanciadeentrada:Zi=Vg/i
Delcircuitodeentrada:
VghrVL

i=
Rg+hi
Luego:

i(Rg+hi)=VghrVL

ReemplazandoVL:
i(Rg+hi)=Vghr(hfi(RL//(1/ho))

Finalmente:
Vg

hi+Rg(1+hoRL)+RLDh
Zi==Rg+hihrhf(RL//(1/ho)=
I

1+hoRL

hi+Rg(1+hoRL)+RLDh
Zi=

1+hoRL
Obtencindelaimpedanciadesalida:Zo=V/IcuandoVg=0
EsquemaparahallarZo:
Rg

hi

+
i

+
hr V

hf i

1 / ho

V
-

Tenemos:
I=hoV+hfi
Adems,enlaentrada:
hrV
i=
Rg+hi
Reemplazandoi:

hrV
I=hoV+hf()

Rg+hi
133

ElectrnicaAnalgicaI

hrhf
hoRg+Dh
Yo==ho=

Zo

hi+Rg hi+Rg

hi+Rg
Zo=

hoRg+Dh

Estasexpresionessonvlidasparacualquierconfiguracindeltransistor.

Configuracionesdetransistores:
Hay ocasiones en las que es necesario hacer combinaciones de transistores para
modificarlaganancia,lacapacidaddecorriente,detensin,etc.

Acontinuacinsemuestranlasmscomunes:

Darlington:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

Q1

Q1
Q2

Q2
Q3

DARLINGTON
CON 2 TRANSISTORES

DARLINGTON CON
TRES TRANSISTORES

Puedeobservarsequeloscolectoresestnunidosyelemisordeunovaalabase
delsiguiente.

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesmselevada.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
Estaempeoracuandoconstademsdedostransistores.

134

Q1

R1

ElectrnicaAnalgicaI

R3

Q2

R2

Darlington con modificaciones

para mejorar la estabilidad trmica.

PNPsimulado:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

IE
IB
Q1
PNP

Q2
NPN

IC

Observamosquehaydoscorrientesquesalenyunaqueingresa,loqueestpico
deltransistorPNP.

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciaequivalentedeentradaesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayor inestabilidad trmica, por lo que debe tenerse cuidado de
estabilizarlo.
5) Muy usado en amplificadores de potencia de audio porque evita el empleo
detransistoresPNPdealtapotenciaenlaetapadesalida.

NPNsimulado.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

135

ElectrnicaAnalgicaI

IC
Q2
PNP

IB
Q1
NPN

IE

Observamosquehaydoscorrientesqueingresanyunaquesale,loqueestpico
deltransistorNPN.

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.

Transistoresenparalelo.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

Q1

Q2

Q1

PARALELO CON
2 TRANSISTORES

Q2

Q3

PARALELO CON
3 TRANSISTORES

Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesigualaladeunsolotransistor.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesbaja.
3) Lacorrientetotaldesalidaeselevada(ofrecemenorcarga).
4) Lacorrientetotaldeentradaesmsalta(ofrecemayorcarga).
5) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
6) Debeasegurarsequeserepartanlacorrienteequitativamente.
7) Respuestaenfrecuenciamenorqueladeunsolotransistor.

136

R1

ElectrnicaAnalgicaI

Q1
R1

Q2

R2

R2

Modificaciones para igualar las

corrientes y las resistencias de entrada.

Transistoresenserie.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.

Q1

Q2

Caractersticas:
1) Muyusadaparaconstruirelamplificadorcascode.
2) La ganancia de corriente del transistor equivalente es igual a la de un solo
transistor.
3) Laresistenciadeentradaequivalenteesrelativamentebaja.
4) Lacorrientetotaldesalidaeslamismaquedeunsolotransistor.
5) Serepartenelvoltajedelafuente.
6) Debetenersecuidadoconlareddepolarizacin.
7) Debeasegurarsequeserepartanlatensinequitativamente.
8) Mejorrespuestaenfrecuencia.

Formasdeacoplodelosamplificadores:
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor comn, que es el ms utilizado, son del
orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
137

ElectrnicaAnalgicaI

amplificadoras produce prdidas considerables de potencia. Para evitarlo,

debemosadaptarlasimpedancias.

Paraadaptarlasimpedanciasdeentradaysalidadedosetapasamplificadorasse
utilizandiversostiposdeacoplamiento:

Acoploportransformador:
Semuestraenelsiguienteesquema.Eselqueofrecemayorgananciadepotencia,
peronoesmuyutilizadoporquesurespuestaenfrecuencianoesmuyamplia.

C1

Q1

TR

Q2
C2

R1
R2

VCC

Acoploportransformador

Si la impedancia de salida de Q1 es 20 K y la de entrada de Q2 es de 1 K, la

relacindetransformacin(n)deberser:

n=(20000/1000)0.5=4.47

Acoploporautotransformador:
Emplea un autotransformador en lugar de transformador. A continuacin se
muestrandosformasdeusodeestemtodo:

C1

R3

Q1
C3
Q2
R1

R2

R4

C2

C4

VCC

138

ElectrnicaAnalgicaI

C1
Q1

C3
Q2
R1

R2

C2

R3

R4
C4

VCC

Acoploporautotransformador

Acoploporresistenciacapacidad(RC):
Este es uno de los ms usados y, aunque no permite acoplar perfectamente las
impedanciasylagananciaesmenor,suprecioyespacioocupadoesmsreducido.
Permite tambin una buena respuesta en frecuencia si C1 es lo suficientemente
elevado.

C1
Q2
Q1

R1

R2

VCC

Acoploporresistenciacapacidad(RC)

Acoplodirecto:
Este es tambin muy usado, especialmente en circuitos integrados. Debe tenerse
cuidadoconlaestabilidaddelospuntosdeoperacindebidoaqueinfluyendeuna
etapaaotra.Permiteunabuenarespuestaenbajafrecuencia(desdeDC).

VCC

R1

R4
Q1
Q2

R2

R3
R5

C1

139

ElectrnicaAnalgicaI

VCC

R1

R2

R6

R5

Q1

Q2

R4
R7

C1

R3

Acoplodirecto

Acoplodirectocomplementario:
Estaesotraformadeacoplomuydifundidaquepermitemuybuenarespuestaen
bajafrecuencia(desdeDC)ysecaracterizaporempleartransistoresNPNyPNP.

Cuandoseempleaacoplodirectoconunsolotipodetransistor,latensincontinua
desalidatiendeaacercarsealvalordelafuentedealimentacin,restringiendoel
nivelmximodeamplificacin.Esteproblemaseevitaempleandolosdostiposde
transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestraacontinuacin:

VCC

R1

R2

R6

R5

Q2
Q1

R4
R7

C1

R3

Acoplodirectocomplementario

140

ElectrnicaAnalgicaI

Controlesdevolumenydetono
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro
queregulaelvolumensonoroproporcionadoporelamplificadordesdecerohasta
sumximapotencia.

Debesercolocadoenunaposicintalquenoafectelascorrientesdepolarizacin
nilasimpedanciasdecargadelostransistores.Tampocodebensercausaderuido,
lo cual puede suceder cuando es colocado a la entrada, porque el ruido ser
amplificadoysedeteriorarlarelacinseal/ruido.Siselecolocaenunaetapa
intermediapuedeserquenoajustelasalidaaunnivelsuficientementebajo.Por
ello, su ubicacin deber elegirse con cuidado para evitar estos efectos
desfavorables. Estos controles son hechos mediante potencimetros logartmicos
debidoalascaractersticasdefuncionamientodelodohumano.

Configuracionesdeamplificadorescontransistoresy/oFET.
VeremosaqulaformadeanlisisdelasconfiguracionesdeamplificadoresconBJT
yFET.

Amplificadorenemisorcomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

VCC

R1

RC

C2
+

C1

1kHz

RL
R2

Vg

RE

CE

R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.

141

ElectrnicaAnalgicaI

C1 y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al

conectarlasealdeentradaylacarga,respectivamente.Adems,susreactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.

CEeslacapacidaddebypassodesacoplodeemisor.Sumisinesconectar,para
seal,elemisoralareferenciaparaevitarquedisminuyalaamplificacin.

Problema5.2:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:

a) Elpuntodeoperacindeltransistor.
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=Io/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

+ 25 V

100K

7K

150K

C3

Zo

Zi
C2
C1

Ii

Q
5K

+
Vi
-

1K

C4

Transistor:Silicio,VBE=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0

Solucin:
a) Puntodeoperacindeltransistor:

142

+
Vo
-

ElectrnicaAnalgicaI

25 V

7K
250K

1K

b)

RectaDC:
25=8KIE+VCE=8KIC+VCE >>1
Adems:
VCE=250KIEB+VBE=2.5KIC+0.6
Resolviendo: ICQ=2.32mA
VCEQ=6.4V
Gananciadecorrienteparapequeaseal:
Modeloparaseal:Usamoselmodelosimplificadoenemisorcomn.
ib

1K

Io

Ii
Vi

100K

150 ib

150K

7K

Delcircuitodeentrada:
ib=Ii(100K)/(100K+1K)
Delcircuitodesalida:
Io=150ib(150K//7K)/[5K+(150K//7K)]
Reemplazandoyefectuando:
AI=85.04

143

5K

ElectrnicaAnalgicaI

c)
Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).

Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=100K//1K
Zi=0.99K

d)
Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

Delcircuitodesalidaobtenemos:
Zo=150K//7K
Zo=6.7K

Amplificadorencolectorcomn(oseguidordeemisor):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

VCC

R1

C1
Vg

1kHz

+
R2

RE

CE
RL

R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.

C1 y CE son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al

conectarlasealdeentradaylacarga,respectivamente.Adems,susreactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.

Enelesquemanohayresistenciaenelcolector,aunquehaycasosenquetambin
existe.

144

ElectrnicaAnalgicaI

Problema5.3:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
b) Lagananciadecorriente,AI
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo

91K
Zi
C
100K
2N2222
2N3904

B
+
Vg

10uF
+
Vin
-

Zo

12V

E
15K

100uF

1K

+
VL
-

RL
100

Solucin:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
Modeloparaseal:

100K

+
Vi
-

12.88K
1K 100

+
Vg
-

+
VL
-

120 ib

ib

100K

3.5K

+
Vi
-

12.88K
1K

100

+
VL
-

Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:

hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x104,hie=3.5K

Despreciamoslosparmetroshreyhoeporserpequeos.

Aplicandoreflexindeimpedanciasysustitucin:

145

ElectrnicaAnalgicaI

ib

3.5K

+
Vi
-

12.88K
(121)1K (121)100

b)

+
VL
-

Luego: VL=121(1K//100)Vi/[3.5K+121(1K//100)]=0.76Vi
Dedonde:

AV=0.76

Lagananciadecorriente,AI=iL/ig

ig

121 ib

ib
3.5K

+
Vi
-

12.88K
1K

c)

d)

iL

100

+
VL
-

Delgrfico:iL=121ib(1K)/(1K+0.1K)=110ib
Adems: ib=ig(12.88K)/[12.88K+3.5K+121(1K//0.1K)]

Reemplazandoenlaecuacinanterioryefectuando:
iL=47.04ig
Dedonde:

Laimpedanciadeentrada,
Delgrficovemos:

Efectuando:

AI=47.04

Zi=Vi/ig
Zi=12.88K//[3.5K+121(1K//0.1K)]
Zi=6.82K

Laimpedanciadesalida,Zo
CircuitoequivalenteparahallarZo:

146

ElectrnicaAnalgicaI

120 ib

ib
3.5K

12.88K

100K

+
V
-

1K

Aplicandoelmtododenodos:

Iib120ib+V/1K=0

Adems:
ib=V/[100K//12.88K+3.5K]

Reemplazando:
I=121V[1/1K+1/14.91K]

Dedonde:

Zo=7.75

Problema5.4:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,AV
b) Lagananciadecorriente,AI
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo
+ 15V
12K
Ig

+
Vg

220K

IL
C

2K

2K

+
VL
-

147

ElectrnicaAnalgicaI

Transistor:Silicio,VBE=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0

Asumaquetodosloscondensadoressonmuygrandes.

Solucin:

a) Lagananciadetensin,AV:Modeloparaseal
Ig

150 ib

ib
1K

+
12K

Vg

220K

IL

2K

2K

+
VL
-

Aplicandovoltajedenudosenelemisor:
VL/2K+VL/2K+(VL+Vg)/(12K//220K)+ib=ib+hfeib=151ib

Adems:

ib=Vg/1K

Reemplazando:

VL[1/2K+1/2K+1/11.38K]=Vg[150/1K1/11.38K]

Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=137.8
b) Gananciadecorriente,AI
AI=AVZI/RL=137.8(Zi)/2K
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)
Zi=Vg/Ig=0.076K
AI=5.22

148

ElectrnicaAnalgicaI

c) Laimpedanciadeentrada,Zi
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)

Zi=Vg/Ig=0.076K
Zi=76

d) Laimpedanciadesalida,Zo
ModeloparahallarZo.

150 ib

ib
1K

12K

220K
I

+
V

2K

Vemosque: Ib=0
hfeib=0
Luego:

Zo=2K//12K//220K=1.70K

Zo=1.70K

Amplificadorenbasecomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

149

ElectrnicaAnalgicaI

VCC

R1

RC

C2
+

CE

RL

Vg

+
C1

R2

RE
1kHz

R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.

CE y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al

conectarlasealdeentradaylacarga,respectivamente.Adems,susreactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.

C1 es la capacidad de bypass o desacoplo de base. Su misin es conectar, para

seal,labasealareferenciaparaevitarquedisminuyalaamplificacin.

Problema5.5:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vi)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(AI=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)

2N2222
2N3904

1K
E

100uF

+
Vg

1K

5.6K
+
Vin
-

RL
10K

15K
-

10uF

91K

10uF

+
VL
-

12V
-

150

ElectrnicaAnalgicaI

Solucin:
a) Gananciadetensin,AV=VL/Vi

Modeloparaseal:
ig

+
Vg
-

ig

1K

ie

1K

+
Vi
-

1K

10K
5.6K

+
Vg
-

+
VL
-

hfb ib

1K

10K
hib

5.6K

+
VL
-

Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:
hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x104,hie=3.5K
Delatabladeconversindeparmetros:
hib=hie/He,hrb=(Dhehre)/He,hfb=(hfe+Dhe)/He,hob=hoe/He
Donde:

He=1+hfehre+Dhe

Efectuando:

Dhe=hiehoehrehfe

Dhe=31.5x10315.6x103=15.9x103
He=1+1201.3x104+15.9x103=121

Luego:hib=hie/He=29

hrb=(Dhehre)/He=1.58x104
hfb=(hfe+Dhe)/He=0.99
hob=hoe/He=0.074uS

Despreciamoslosparmetroshrbyhobporserpequeos.

Entonces: VL=hfb(5.6K//10K)ie=3.55Kie
Adems: ie=Vi/(hib)=Vi/29

Reemplazando: VL=3.55K(Vi/29)=122.4Vi
AV=122.4
Dedonde:

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delgrfico:
iL=hfbie(5.6K)/(5.6K+10K)=0.355ie
Adems: ie=ig(1K)/(1K+hib)=0.97ig

Reemplazando: iL=(0.355)(0.97ig)=0.345ig
Dedonde:

AI=0.345

151

ElectrnicaAnalgicaI

c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ig).
Delgrfico:
Zi=1K//hib=28.2
Zi=28.2

d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

ig

I
ie

1K
1K

hfb ib
hib

5.6K

hfbie=0
Zo=5.6K

+
V
-

Delgrfico:
ie=0
Luego:

CaractersticasdelasconfiguracionesdelBJT:

Configuracin Desfasaje
Av
Ai
Zi
Zo
BaseComn
0
Alta
Cerca1
Baja
Alta
EmisorComn
180
Alta
Alta
Mediana
Alta
Colector
0
Cerca1
Alta
Alta
Baja
Comn

EmpleodelFETcomoresistorcontroladoporvoltaje.
Esta es una aplicacin del Fet que permite su uso en controles automticos de
gananciayeninterruptoresanalgicos.

PROBLEMA 5.6. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de VDS. Suponga: VT = 1V, tox = 500, ox =
3.5x1013 F/cm, n = 1500 cm2/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VVGS11V.

Solucin:
Enlazonahmicasecumple:
152

ElectrnicaAnalgicaI

Rds=VDS/ID=1/[2K(VGSVTH)]
K=(W/L)(ox/tox)(n/2)

Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(31)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

VerificandoparaRds=200

200=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(111)]

Despejando: W/L=100/21=4.762

ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas

Amplificadorenfuentecomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

VDD

RD

iL
ig
C
+
Vg

RL
Rg

Rs

+
VL
-

153

ElectrnicaAnalgicaI

Problema5.7:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

24 V

8K

iL
ig
C
C
10K

+
Vg

500K

1K

+
VL
-

Transistor:Silicio,gm=5mS,rds=10K

Solucin:
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)

Modeloparaseal:UsamoselmodeloNorton.
iL
ig

ig

+
Vg

500K
-

8K 10K

+
VL
-

iL

+
Vg

500K
-

+
Vgs
-

gm Vgs
10K

Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida:
VL=gmVgs(10K//8K//10K)
Reemplazandoyefectuando:

AV=15.38

b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)

Delcircuitodeentrada: Vgs=500Kig
Delcircuitodesalida:
iL=gmVgs(10K//8K)/(8K//10K+10K)
Reemplazandoyefectuando:

AI=769.2

154

8K 10K

+
VL
-

c)

d)

ElectrnicaAnalgicaI

Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=500K
Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos:

Zo=4.44K

Amplificadorendrenadorcomn(oseguidordefuente):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

VDD

ig
iL
C
+
Vg

Rg

Rs

RL

+
VL
-

Problema5.8:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
24 V

ig
iL
C
+
Vg

500K

2K

2K

+
VL
-

155

ElectrnicaAnalgicaI

Transistor:Silicio,=50,rds=10K

Solucin:
Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
a)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.

ig

10K

ig
G

+
500K

2K

2K

Vg

+
VL
-

iL

+
Vgs
-

iL
Vg

50 Vgs

500K

2K

2K

+
VL
-

Delcircuitodeentrada:
Vgs=VgVs VL=Vs

Delcircuitodesalida: VL=50Vgs(2K//2K)/(2K//2K+10K)=4.545Vgs

Reemplazandoyefectuando:
VL=4.545(VgVL)
AV=0.82

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/500K iL=VL/2K

Dividiendo:
(Ai=IL/Ig)=(VL/2K)/(Vg/500K)=AV(500K/2K)
Luego:
Ai=(0.82)(500K/2K)=204.92
Ai=204.92
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Zi=500K
Delcircuitodeentradaobtenemos:

d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
-

50 Vgs
10K

ig
G

+
Vgs
-

I
S

500K
2K

V
-

156

ElectrnicaAnalgicaI

Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=V
Delcircuitodesalidaobtenemos:
I=V/2K+(V+50V)/10K
Despejandoyefectuando:
Zo=178.6

Amplificadorencompuertacomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.

Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:

VDD

RD

C2

IL

+
Ce

Ig

RL

VL

+
C1

RG

RS

Vg
-

Problema5.9:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)

24 V

8K

iL
C

500K

ig
10K
+

2K

+
VL
-

Vg
-

Transistor:Silicio,=50,rds=10K
Solucin:
157

ElectrnicaAnalgicaI

a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)

Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
iL

50 Vgs
S

ig
10K
+
500K

iL

ig

2K

Vg

+
VL
-

+
Vg
-

8K

2K

Vgs
+

10K
10K
8K

+
VL
-

Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida:
VL=(Vgs+50Vgs)(8K//10K)/(10K+8K//10K)

Reemplazandoyefectuando:
VL=(51Vg)(8K//10K)/(10K+8K//10K)=15.7Vg
AV=15.7

b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)

ReemplazandoVgs:
Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=Vg/248.1
Delcircuitodesalidaobtenemos:
iL=(51Vg/14.44K)(8K)/(10K+8K)=(22.67)Vg/14.44K

ReemplazandoVg:
iL=(22.67)(0.2481K)ig/14.44K
Dedonde:

AI=0.39

c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)
Vgs=Vg

Reemplazando: Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=Vg/4.03K
Luego:

Zi=4.03K

158

ElectrnicaAnalgicaI

d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)

50 Vgs
S

2K

Vgs
+

10K
+
V

8K
G

Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=0y
50Vgs=0
Delcircuitodesalidaobtenemos:

Zo=8K//10K
Efectuando:
Zo=4.44K

CaractersticasdelasconfiguracionesdelFET:

Configuracin
Desfasaje
Av
Ai
Zi
Zo
Compuerta
0
Alta
Menorque1
Baja
Alta
Comn
FuenteComn
180
Alta
Alta
Alta
Alta
DrenadorComn
0
Menorque1
Alta
Alta
Baja

Amplificadoresencascada.
Cuandolaamplificacindeunasolaetapanoessuficiente,sepuedenconectardos
omsetapas,unadespusdelaotra.

AestadisposicinseleconocecomoAmplificadoresencascada.Laformadeacolo
puedesercualquieradelasqueyahemosvisto.

EnlafigurasiguientesemuestrauncasoconetapasconacoploRC:

159

ElectrnicaAnalgicaI

VDD

RD

Ce

Ig

R3
R1

C2

Q1

R7

R5

C5

C3

Q3

Q2

RL

+
RS

Vg
-

RG

R8

R2

R4

+
VL
-

C4

C1

R6

R9

C6

Problema5.10:Enelsiguienteamplificadorencascada,halle:
a)Av
b)AI
c)AP
d)Zi
e)Zo

+ 9V
2.2K

1.3K

IL
Ig

C2

C1

Q2
Q1

200

1.8K

Vg
-

600

Q1yQ2:
hfe1=hfe2=100, hie1=1K,
Loscondensadoressonmuygrandes.

Solucin:

160

2K

+
VL
-

C3

hie2=2K,hre=0,hoe=0

ElectrnicaAnalgicaI

a)Av=VL/Vg
ModeloenAC:

IL
Ig

Q2
Q1
200

+
Vg
-

600

1.3K

2.2K

1.8K

2K

+
VL
-

Reemplazandolostransistoresporsumodelodecuadripolo:

ib2
Ig

IL

ib1
+
Vg
-

200
600

2.2K
1.8K

1K

100 ib1

2K

100 ib2

1.3K

2K

+
VL
-

Delcircuitodesalida: VL=100ib2(1.3K//2K)
Delcircuitocentral:
ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))
Delcircuitodeentrada:
ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))

Ig=Vg/(0.2K+0.6K//1.8K//1K)
Finalmenteobtenemos:
Av=(VL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)(Ig/Vg)

Reemplazando:
Av=[78.79K][52.38][0.273)][1/0.51K]=2209.17
Av=2209.17

b)AI=IL/Ig
Delcircuitodeentrada:
ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))=0.273Ig
Delcircuitocentral:
ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))=52.38ib1
Delcircuitodesalida: IL=100ib2(1.3K/(1.3K+2K)=39.4ib2

161

ElectrnicaAnalgicaI

Finalmenteobtenemos:
AI=(IL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)=(39.4)(52.38)(0.273)=563.4
AI=563.4

c) AP=PL/Pg=(VLIL)/(VgIg)=AVAI=(2209.17)(563.4)=1244646.38
AP=1244646.38

d) Zi
Delcircuitodeentrada: Zi=Vg/Ig=0.2K+0.6K//1.8K//1K=510
Zi=510

e) Zo
Zo=1.3K
Delcircuitodesalida:

AmplficadorDarlington.
Cuando la amplificacin de una sola etapa no es suficiente, se pueden conectar
tambin una configuracin Darlington para aumentar la ganancia y elevar la
impedanciadeentrada.Estosamplificadorestienenelinconvenientedeteneruna
respuestaenfrecuenciamsreducidaypuedenoscilar,porloquedebentomarse
las precauciones adecuadas. En la figura siguiente se muestra uno de estos
circuitosenlaconfiguracindeemisorcomn.

+ VCC
RC

R1

Ig

IL
C2

Q1
+

C1

Q2

Vg
R2

R3

RE

RL

+
VL
-

C3

162

ElectrnicaAnalgicaI

Problema5.11:EnelsiguienteamplificadorDarlington,halle:
a)Av
b)AI
c)Zi
d)Zo
Q1:hie1=3K,1=hfe1=50,hre1=0,hoe1=0.
Q2:hie2=1K,2=hfe2=100,hre2=0,hoe2=0.

+ 30V
10K

282K

Ig

IL
C2

Q1
+

C1

Q2

Vg
18K

10K

0.3K

10K

+
VL
-

C3

Solucin:
a)
Av:
Modeloparaseal:

Ig

IL
Q1
+
Vg
-

Q2
282K

10K
10K

18K

+
VL
-

10K

163

ElectrnicaAnalgicaI

Reemplazandocadatransistorporsucuadripolo:

ib1

50 ib1

Ig

Vg
-

IL

3K

+
282K

ib2
18K

10K

100 ib2

1K

Enelcircuitodesalida:
VL=(50ib1+100ib2)5K
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1

Reemplazando:
VL=50(1+1020/11)(ib1)5K
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=[3K+51(10K//1K)]ib1

Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadetensin:
Av=[50(5)(1+1020/11)]/[3+51(10//1)]=474.7
Av=474.7
b)

c)

AI:
Enelcircuitodesalida:
IL=(50ib1+100ib2)(10K/(10K+10K))=25(ib1+2ib2)
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1
Reemplazando:

IL=25(1+1020/11)(ib1)

Enelcircuitodeentrada:
Ib1=Ig(18K//282K)/[18K//282K+3K+51(10K//1K)]
Ib1=0.2553Ig
Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadecorriente:
AI=25(1+1020/11)(0.2553)=598.2
AI=598.2
Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=49.364Kib1
164

10K
10K

+
VL
-

d)

ElectrnicaAnalgicaI

Ig=Vg/18K+Vg/282K+ib1
Reemplazandoib1:
Ig=Vg(1/18K+1/282K+1/49.364K)
Zi=18K//282K//49.364K=12.6K
Zi=12.6K
Zo:
ModeloparahallarZo:
ib1

50 ib1
I

3K
282K

ib2
18K

10K

100 ib2

1K

V
10K

Aplicandoreflexindeimpedancias:
ib1
I
3K

ib2/51

282K

50 ib1
18K

(51)10K

(51)1K

100 ib2
10K

Observamos: ib1=ib2=0
Entonces:

Zo=10K

Amplificadorcascode.
Estetipodeamplificadoresmuyusada,inclusoencircuitosintegrados.

Estbasadoenlaconexindetransistoresenserie.

Se caracteriza por presentar ganancias de tensin y corriente altas. Muy buena

respuestaenfrecuenciayestabilidad.Seempleatambinenaltafrecuencia.Enla
figurasiguientesemuestraunodeestoscircuitos,ensuversinconMOSFET:

165

ElectrnicaAnalgicaI

VDD

RL

+
VL
-

Q2
+
VGG2
-

Q1
+
Vg
+
VGG1
-

Problema5.12:EnelsiguienteamplificadorCascode:
Q1=Q2:hfe=150,hie=3.5K,hre=0,hoe=0.Halle:
12V

12K

100uF

3K
100uF

Q1

8K
100uF

Vg

a)Av

Q2

10K

VL
-

2.4K

1K

100uF

b)AI

c)Zi

d)Zo
166

ElectrnicaAnalgicaI

Solucin:
a) Av:

Modeloparaseal:

Ig

ib

ie

IL
+

Vg

b)

c)

d)

8K

2.4K

3.5K

150 ib

hib

- 0.99 ie

3K

10K

VL
-

Enelcircuitodesalida: VL=0.99ie(3K//10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3.5Kib
Deestastresecuaciones:
Av=[0.99(3K//10K)][150][1/3.5K]
Av=97.9
AI:

Enelcircuitodesalida: IL=0.99ie(3K)/(3K+10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada:
ib=Ig(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]
Deestastresecuaciones:
AI
=
[0.99
(3)
/
13][
150][(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]]
AI=11.83
Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Zi=8K//2.4K//3.5K=1.21K
Zi=1.21K
Zo:
ModeloparahallarZo:

167

ElectrnicaAnalgicaI

Ig

ib

ie

I
+

8K

2.4K

3.5K

150 ib

hib

- 0.99 ie

3K

V
-

Podemosobservar:

Ig=0,ib=0,150ib=0,ie=0,0.99ie=0

Entonces:

Zo=3K

Amplficadorbootstrap:
Esteamplificadoractaenformasimilaralseguidoremisivo,conladiferenciaque
evita reducir la impedancia de entrada debido a la red de polarizacin. Puede
lograrseconl,unaimpedanciadeentradamuyelevada

+ VCC
R1

Ig
C1

R3

+
Vg

R2

C2

RE

+
VL
-

168

ElectrnicaAnalgicaI

Problema5.13:EnelsiguienteamplificadorBootstrap,halle:
a)Av b)Zi

Transistor:hie=2K,hfe=100,hre=0,hoe=0.

+ 12V
4K

Ig
C1

10K

+
Vg

4K

C2

2K

+
VL
-

Solucin:

a) Av:

Modeloparaseal:
4K

Ig

Ig

ib

10K

10K

+
Vg

2K

4K

2K

+
VL
-

100 ib

Vg

2K

2K

+
VL
-

Enelnudodesalidaaplicamoslaleydecorrientes:
VL/2K+VL/2K=101ib+(VgVL)/10K
169

ElectrnicaAnalgicaI

Adems:ib=(VgVL)/2K
Reemplazando: VL/2K+VL/2K=101(VgVL)/2K+(VgVL)/10K
Separandotrminos:
VL[1/2K+1/2K+101/2K+1/10K]=Vg[101/2K+1/10K]
Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=0.98

b) Zi:

Enelcircuitodeentrada:

Ig=(VgVL)/10K+ib=(VgVL)/10K+(VgVL)/2K

Ig=(VgVL)[1/10K+1/2K]=Vg(1Av)[1/10K+1/2K]

DespejandoZi=Vg/Ig:

Zi=83.33K

Amplificadordiferencial.
Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador
diferencial.

Comnmente recibe dos seales de entrada y su salida puede ser balanceada o

desbalanceada.

Se le denomina amplificador diferencial porque su salida es proporcional a la

diferenciadelassealesdeentrada.

EspartefundamentaldelAmplificadorOperacional.

Acontinuacinsemuestraunesquemabsicoempleandotransistoresbipolares:

170

ElectrnicaAnalgicaI

VCC

Rc
Vs1

Rc
Vs2

C
Q1.

V1

Q2

Rb

Io

Rb

V2

Ioesunafuentedecorrienteconstantequedebeofrecerunaaltaimpedanciaala
seal.

Salidabalanceadaysalidadesbalanceada.
Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.

SilasalidasetomaentreVs1yVs2,sedicequelasalidaesbalanceada.

V1yV2sonlassealesdeentrada.

Lasalidadebeserproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada,esdecir:

Vs=Ad(V1V2)

Adeslagananciaenmododiferencial

La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D.realespresentanunasalidadadaporlaecuacinsiguiente:

Vs=Ad(V1V2)+Ac(V1+V2)/2

Mododiferencialymodocomn.AdeslagananciaenmododiferencialYAcesla
gananciaenmodocomn.

171

ElectrnicaAnalgicaI

GeneralmentesebuscaqueAcsealomspequeaposible.Idealmentedeberaser
cero.

Sedefine:

Mododiferencial=Vd=V1V2
Modocomn=Vc=(V1+V2)/2

Debeindicarsequeelmodocomnnoestformadosolamenteporelpromediode
las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificadortenderaeliminarlasdesusalida.

Porloanterior,podemosdecirqueestetipodeamplificadortiendeaeliminarlas
sealesnodeseadasquesepresentenensusentradas.

Paraefectuarelanlisisdelcircuitoseexpresanlassealesdeentradamedianteel
modocomnyelmododiferencial.

V1=Vc+Vd/2
V2=VcVd/2

Cuandoseanalizaconpequeasealpodemosutilizarlosmodelosdecuadripolo
linealdeltransistor.

Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la caracterstica no lineal del
transistor(porejemplo,lasecuacionesdeEbersMoll).

FactordeRechazoalModoComn(CMRR):
EsteesunparmetromuytilparasaberlacalidaddelA.D.Seledefinecomo:

CMRR=|Ad|/|Ac|
Tambinseacostumbraexpresarloendecibeles:

CMRRdb=20log(|Ad|/|Ac|)
IdealmenteelCMRResinfinito.

EnunA.D.realconvienequesealomsaltoposible.

172

ElectrnicaAnalgicaI

La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para conseguir una

gananciaenmodocomnmuypequeay,portanto,unaltofactorderechazoal
modocomn.

Problema5.14:Enelcircuitomostrado,determine:
a)Lospuntosdeoperacin.
b)Lagananciaenmododiferencial.
c)Lagananciaenmodocomn.
d)ElCMRR.
+ 15V

2K

Q1

4K

Q2

C
C

V1

12K
V2

50K

4mA

+
VL
-

50K

Q1=Q2:=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0,VBE=0.7V,Z=2M

SOLUCION:
a) Lospuntosdeoperacin.

Comolostransistoressonigualesysusredesdepolarizacintambin,elA.D.
estbalanceadoysecumple: IEQ1=IEQ2=2mA

Comoesgrandesecumple:ICQ1=ICQ2=2mA

ElvoltajeDCenlosemisoreses:

VE=0.750K(2mA/100)=1.7V

Acontinuacin:

VCE1=15(2mA)(2K)VE=15(2mA)(2K)(1.7)=12.7V

VCE2=15(2mA)(4K)VE=15(2mA)(4K)(1.7)=8.7V

VCE1=12.7V
VCE2=8.7V

b) Lagananciaenmododiferencial.

Modeloequivalenteparaseal:

173

ElectrnicaAnalgicaI

ib1

ib2
1K

1K

V1
50K

c)

d)

V2
302M

50K

150 ib2

12K
4K

+
VL
-

RepresentamosV1yV2enfuncindelmododiferencialyelmodocomn:
V1=Vc+Vd/2
V2=VcVd/2

Mododiferencial:Hacemos
Vc=0

Entonces:

Enlaentradayaplicandosimetra:
Ib2=Vd/2K
Enlasalida:
VL=150ib2(4K//12K)

Reemplazandoib2:
VL=150(Vd/2K)(4K//12K)
Finalmente:
Avd=VL/Vd=150(1/2K)(4K//12K)=150(1/2K)(3K)
Avd=225
Lagananciaenmodocomn.
Modocomn:Hacemos

Vd=0

Entonces:

Enlaentradayaplicandosimetra:
Ib2=Vc/(1K+604M)
Enlasalida:
VL=150ib2(4K//12K)
Reemplazandoib2: VL=150Vc/(1K+604M)(4K//12K)
Finalmente:

Avc=VL/Vc=150(1/(1K+604000K))(4K//12K)=150(1/604001K)(3K)
Avc=0.0007
ElCMRR.
CMRR=Ad/Ac=225/0.0007=321428.6
Endb:

CMRRdb=20log[321428.6]=110.1db

174

ElectrnicaAnalgicaI

Amplificadoroperacional(OPAMP).
La designacin OPAMP originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analgicas. Estos
amplificadoresfuerondiseadospararealizaroperacionesmatemticasaplicables
acomputacinanalgica(sumatoria,escalamiento,sustraccin,integracin,etc.)

En la actualidad, la disponibilidad de amplificadores operacionales en circuitos

integradoslohacentilcomoreemplazodecualquieramplificador,especialmente
enbajafrecuencia.Incluso,selesusaformandopartedecircuitosintegradosms
complejos.

SIMBOLODEUNOPAMP
Elsmboloaceptadoparaunopampesuntringuloylasalida,Vo,estrelacionada
conlasentradasV+yVcomosemuestraenlafigurasiguiente
Vo

+ SATURACION

V+

V-

Voffset
Vo

V+ - V-

- SATURACION

+
V seaplicaalaentradanoinversorayValaentradainversora.

EJEMPLODELOPAMPLM741

Fuentes de corriente
de polarizacin

Entrada inversora
Salida
+
Entrada no inversora

A = 200

A = 1000

175

A = 1

ElectrnicaAnalgicaI

Como se puede ver, un ICOPAMP usa varias etapas en cascada, generalmente

amplificadores diferenciales, para suministrar un alto rechazo al modo comn y
granganancia.

Amplificadorinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradainversora.
If
R2
R1
VAv
ideal

+
I1
Ve

V+

+
Vs

R3
-

If=(VVs)/R2

Tenemos:
I1=(VeV)/R1
Adems:
Vs=Av(V+V)

Comonohaysealaplicadaalaentradanoinversoraylaimpedanciadeentrada
deloperacionalesmuyalta: V+=0

Entonces:
Vs=AvV
Dedonde: V=Vs/Av

Comolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av

Sededuce: V0

Ylaentradainversorasecomportaenestecasocomotierravirtual.

Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe

cumplirse:I1=If

Entonces:
(Ve)/R1=(Vs)/R2

Finalmente:

Avf=R2/R1
176

ElectrnicaAnalgicaI

Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:

Zinf=Ve/I1=R1

NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):

Avf=Z2/Z1

Zinf=Z1

Problema5.15:Enelsiguientecircuito,halle:
a)ElvoltajeV.
b)Elvoltajedesalida.
4K

6K

8K

2K
1V

+
VL
-

SOLUCION:

a) ElvoltajeV.

Comoestrealimentadonegativamente,elamplificadoractalinealmente

Ysecumple:V+=V

Lacorrientequeentregaelgeneradores:
I=Vg/2K=0.5mA

Estacorrientecirculaporlaresistenciade4Kysecumple:

V=4KI=4K(0.5mA)=2V

V=2V

b) Elvoltajedesalida.

AplicandolaleydecorrientesenelnudoV:

0.5mA=V/6K+(VVL)/8K
177

ElectrnicaAnalgicaI

ReemplazandoVydespejandoVL:

12V=4(2V)+3(2VL)

VL=(26/3)V=8.67V

Amplificadornoinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradanoinversora.

R2

If
R1
V-

Av
ideal

I1
V+

+
Vs

R3
-

Ve
-

I1=(V )/R1 If=(VsV )/R2

Ve=V+y
Vs=Av(V+V)
V+V=Vs/Av

Tenemos:
Adems:
Dedonde:

Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:
Av
Sededuce:

V+V0
Ysecumple:

V+=V

Laentradadiferencialsecomportaenestecasocomocortocircuitovirtual.

Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe

cumplirse:

I1=If
Entonces:
(Ve)/R1=(VsVe)/R2
Avf=1+R2/R1
Finalmente:

Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:

Zinf=R3

178

ElectrnicaAnalgicaI

Problema5.16:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halleelvoltajedesalida,VL,si;
V1=0.2V,V2=0.1VyV3=0.15V.AsumaqueelOPAMPesideal.

3K

6K
-

V1

1K
V2
1K

100

+
VL
-

V3
1K

SOLUCION:
Latensindeentradaingresaporeltertminalnoinversoryladenominamos:V+
HallamosV+enfuncindelastensionesdeentrada,aplivcandosuperposicin:

V+=[V1(1K//1K//0.1K)+V2(1K//1K//0.1K)+V3(1K//1K//0.1K)]/(1K+1K//1K//0.1K)
V+=[V1+V2+V3]]1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)

Reemplazandovalores:
V+=[0.2+0.10.15][1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)
V+=[0.15][83.3]/(1083.3)=11.5mV

La tensin de salida se puede hallar mediante la ecuacin del amplificador no

inversor:

VL=(1+6K/3K)V+=3V+=34.6mV
VL=34.6mV

Anlisiscongransealconlaecuacindetransferenciadeltransistor.
CuandoelBJTestenlazonaactiva,sucorrientedecolectorpuedeexpresarsecon
laecuacin:

I C (t ) = I ES

VBE
VT

Sienlaentradadeltransistoraplicamoslatensin:

VBE = VBEQ + Vbe

Reemplazando:

179

ElectrnicaAnalgicaI

I C (t ) = I ES

VBEQ

Vbe

VT

Vbe = Vm cos(wo t )

Si:

y x =

Vm

VT

Desarrollandolaexponencial,conseal,enseriedeFourier:

Vbe
VT

Vm cos ( wo t )
VT

= x cos (wot ) = I o ( x ) + 2 I n ( x ) cos(nwo t )

1

In(x) son las funciones modificadas de Bessel de primera clase, orden n y

argumentox.

Estasfuncionespuedenhallarse,paracadavalorden,resolviendolaintegral:

1
I n (x ) =
z cos ( ) cos(n )d

ReemplazandoenIc(t):

VBEQ

I c (t ) = I ES VT I 0 ( x ) + 2 I n ( x ) cos(nwo t )

VBEQ
Secumple:
I CQ = I ES VT

Reemplazando:

I c (t ) = I CQ I 0 ( x ) + 2 I n ( x ) cos(nwo t )
1

FactorizandoIo(x):

I (x )
I c (t ) = I CQ I 0 (x )1 + 2 n cos(nwo t )
1 I 0 (x )

Llamando: I DC = I CQ I 0 ( x )

180

ElectrnicaAnalgicaI

ICQ=Corrientedebias(polarizacin)deltransistor.

IDC = Corriente promedio del transistor. Para seales pequeas, IDC es

prcticamenteigualaICQ.Parasealesgrandes,IDCesmayorqueICQ.

Desarrollandoic(t):
I (x )
I (x )
I (x )
I C (t ) = I DC + 2 I DC 1 cos(wo t ) + 2 I DC 2 cos(2 wo t ) + 2 I DC 3 cos(3wo t ) + K
I 0 (x )
I 0 (x )
I 0 (x )

Para seales grandes vemos que, adems de la armnica fundamental, aparecen

2da.Armnica,3ra.Armnica,4ta.Armnica,etc.

Silaentradaesunasealsinusoidal,debidoalasarmnicas,lasealdesalidano
sersinusoidalytendrdistorsin

Acontinuacinsemuestrantablasconvaloresdelasfuncionesdebessel:

x
Io(x)
I1(x)
I2(x)
I3(x)
0.0
1.0000
0.00000
0.00000
0.00000
0.5
1.0635
0.25789
0.03191
0.00265
1.0
1.2661
0.56516
0.13575
0.02217
1.5
1.6467
0.98167
0.33783
0.08077
2.0
2.2796
1.59060
0.68895
0.21274
2.5
3.2898
2.51670
1.27650
0.47437
3.0
4.8808
3.9534
2.2452
0.95975
3.5
7.3782
6.2058
3.8320
1.82640
4.0
11.3020
9.7595
6.4222
3.33730
4.5
17.4810
15.3890
10.6420
5.93010
5.0
27.2400
24.3360
17.5060
10.33100
5.5
42.695
38.588
28.663
17.743
6.0
67.234
61.342
46.787
30.150
6.5
106.290
97.735
76.220
50.830
7.0
168.590
156.040
124.010
85.175
7.5
268.16
249.580
201.610
142.060
8.0
427.56
399.87
327.59
236.07
8.5
683.16
641.62
532.19
391.17
9.0
1093.6
1030.9
864.49
646.69
9.5
1753.5
1658.4
1404.30
1067.20
10.0
2815.7
2671.0
2281.50
1758.40

181

ElectrnicaAnalgicaI

Silacarga(RL)estenelcolector,latensindesalidaser:
VL (t ) = I c (t )RL = I DC RL + 2 I DC RL

I (x )
I (x )
I1 (x )
cos(wo t ) + 2 I DC 2 cos(2wo t ) + 2 I DC 2 cos(3wo (t )) + K
I 0 (x )
I 0 (x )
I 0 (x )

Laarmnicafundamentalser:
V L1 (t ) = I c1 (t )R L = 2 I DC R L

I 1 (x )
cos(wo t )
I 0 (x )

Definimoslatransconductanciaparagransealcomo:
I c1 pico
2 I (x )
Gm (x ) =
= I DC 1

Vm
Vm I 0 ( x )

DividiendonumeradorydenominadorporVTobtenemos:
Gm (x ) 2 I1 (x )
=

gm
xI 0 ( x )

TablaconvaloresdeGm(x)/gm:

Gm (x )
Gm (x )

x
x
gm
gm
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9

1.0000
0.9987
0.9950
0.9888
0.9804
0.9699
0.9574
0.9432
0.9275
0.9106

1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9

0.8926
0.8738
0.8544
0.8347
0.8147
0.7946
0.7747
0.7549
0.7354
0.7163

Gm (x )

gm

Gm (x )
gm

Gm (x )

gm

2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9

0.6976
0.6794
0.6617
0.6445
0.6279
0.6118
0.5963
0.5814
0.5670
0.5532

3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9

0.5399
0.5270
0.5147
0.5029
0.4915
0.4805
0.4700
0.4598
0.4501
0.4407

4.0
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9

0.4317
0.4230
0.4146
0.4065
0.3987
0.3912
0.3839
0.3769
0.3702
0.3636

182

Gm (x )

gm

Gm (x )

gm

Gm ( x )

gm

ElectrnicaAnalgicaI

Gm ( x )

gm

Gm (x )
gm

5.0 0.3573 6.0 0.3041 7.0 0.2644

8.0 0.2338
9.0 0.2095
5.1 0.3512 6.1 0.2996 7.1 0.2610
8.1 0.2311
9.1 0.2073
5.2 0.3453 6.2 0.2952 7.2 0.2577
8.2 0.2285
9.2 0.2052
5.3 0.3395 6.3 0.2910 7.3 0.2544
8.3 0.2259
9.3 0.2031
5.4 0.3340 6.4 0.2869 7.4 0.2513
8.4 0.2234
9.4 0.2011
5.5 0.3286 6.5 0.2829 7.5 0.2482
8.5 0.2210
9.5 0.1991
5.6 0.3286 6.6 0.2790 7.6 0.2451
8.6 0.2186
9.6 0.1971
5.7 0.3183 6.7 0.2752 7.7 0.2422
8.7 0.2162
9.7 0.1952
5.8 0.3134 6.8 0.2715 7.8 0.2393
8.8 0.2139
9.8 0.1934
5.9 0.3087 6.9 0.2679 7.9 0.2365
8.9 0.2117
9.9 0.1915

Problema 5.17: Si un transistor recibe una seal de entrada de 26 mV, halle la

distorsindesegundoarmnicoenlasalida.Asuma:VT=26Mv

SOLUCION:
La distorsin de segundo armnico se define como el valor eficaz del segundo
armnicodivididoporelvaloreficazdelaarmnicafundamental.Estadivisinse
expresaenporcentaje:

D2=[2IDC[I2(x)/Io(x)]/2]/2IDC[I1(x)/Io(x)]/2]=[I2(x)]/[I1(x)]

Reemplazandovaloresyefectuandoparax=26mV/26mV=1:
D2=I2(1)/I1(1)=0.13575/0.56516=0.24=24%
D2=24%

Estosignificaquelaamplituddelasegundaarmnicaesel24%delaamplituddela
fundamental

TeoremadeMiller.
Este teorema es til para simplificar circuitos y en clculos de respuesta en alta
frecuencia.

SeaelcasodeunaimpedanciaZcolocadaentrelosnudosAyBdeunared:

LacorrientequesaledelnudoAhaciaBes:
IA=(VAVB)/Z=VA(1K)/Z

183

ElectrnicaAnalgicaI

Donde:K=VB/VA

Esdecir,quesiconocemoselvalordeKpodemosponerunaimpedanciaentreel
nudoAytierraconvalor:ZA=Z/(1K)ylacorrientequesalgadelnudoAserla
mismaIA.

Enformasimilar,lacorrientequesaledelnudoBhaciaAes:
IB=(VBVA)/Z=VB(11/K)/Z
Donde:K=VB/VA

Esdecir,quesiconocemoselvalordeKpodemosponerunaimpedanciaentreel
nudoBytierraconvalor:ZB=ZK/(K1)ylacorrientequesalgadelnudoBserla
mismaIB.

B
A

B
A
RED

(1-K)

(K-1)

ParapoderusarelTeoremadeMillerdebemosconocerpreviamentelarelacinde
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es til para determinar el polo
dominanteencircuitosconrealimentacincapacitiva.

Problema5.18:Enelcircuitomostrado,halleelcircuitoequivalenteMiller

1pF

0.5K
+
Vg

2K
+ ib
Vb
-

150 ib

40K

4K

+
VL

184

ElectrnicaAnalgicaI

SOLUCION:
Sisecumplequela reactancia de1pFes mucho mayor que: 40K//4K,podemos
hallarfcilmenteK: K=VL/Vb

VL=150ib(40K//4K)
ib=Vb/2K

Luego: VL=150(Vb/2K)(40K//4K)=75Vb(40//4)

Finalmente: K=VL/Vb=272.7

Entonces:
ZA=Z/(1K)=1/jwC(273.7)=1/jw(273.7pF)

ZB=ZK/(K1)=1/jw(1pF)

ModeloequivalentedeMiller:
0.5K
+
Vg

+
Vb
-

2K
ib

150 ib

273.7pF

1pF

40K

4K

+
VL
-

Teoremadesustitucin.
Este teorema es muy til para hacer modelos simplificados de los circuitos
electrnicos.Esteteoremaestablecelosiguiente:

Un voltaje conocido en un circuito puede ser reemplazado por una fuente de

voltajeideal.

Unacorrienteconocidaenuncircuitopuedeserreemplazadaporunafuentede
corrienteideal.

Problema5.19:Enelcircuitomostrado:
a) Calculelastensionesycorrientesencadacomponente
b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente
c) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedecorrienteidealconlacorriente
I3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente

185

ElectrnicaAnalgicaI

I1

12V

R1 = 2K
+ V1 - +
V2 R2 = 6K
I2

+
V3
-

R3 = 3K

I3

a) Tensionesycorrientesencadacomponente
HallamosI1:

I1=12V/(2K+6K//3K)=3mA
Luego:
V1=(3mA)(2K)=6V
Entonces: V2=V3=12V6V=6V
Finalmente:
I2=V2/6K=1mA
I3=V3/3K=2mA

b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente

I1

12V

R1 = 2K
+ V1 - +
V2 R2 = 6K
I2

+
V3=6V
I3

HallamosI1:

I1=(12V6V)/2K=3mA
Delcircuito:
V2=V3=6V
Finalmente:
I2=V2/6K=1mA
I3=I1I2=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir V3 por una
fuentedetensinideal.

186

c)

ElectrnicaAnalgicaI

Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la

corrienteI3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente

I1

12V

R1 = 2K
+ V1 - +
+
R2
=
6K
V2
V3
I2

I3=2mA

I3

Empleandoelmtododenodos:
(12V2)2K=V2/6K+2mA
Resolviendo:
V2=6V=V3
Luego:V1=12V6V=6V
Finalmente: I1=6V/2K=3mA
I2=6V/6K=1mA

I3=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir I3 por una
fuentedecorrienteideal.

187

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.6

REGULADORES

REFERENCIASDEVOLTAJE:Hay2tiposdereferenciadevoltajecomnmenteusada
enlosreguladores.

1) La referencia bandgap o VBE: Este mtodo consiste en el hecho que dos

transistorestrabajandoadosdensidadesdecorrientediferentes,desarrollan
una diferencia de voltaje base. emisor predecible. Es usado en los
reguladoresintegradosdemayorcorriente(0.5A3A).

Uncircuitobsicosemuestraacontinuacin:

I
+ Vref
I2
R3
I1

+
R2 V2
Q3
Q2

+
VBE
-

Q1
R1

Sedemuestraque:

+
V1
-

V1=VBE=VTln(I1/I2)

189

ElectrnicaAnalgicaI

2)

Adems:

V2=(R2/R1)VBE
Luego:
Vref=VBE3+(R2/R1)VBE

Si se elige adecuadamente la ganancia, (R2/R1), el coeficiente negativo de

temperaturadeVBE3sepuedecompensarconelpositivodeVBE,haciendo
queelcoeficientetotalestcercanoacero.

Ventajas:
Bajoruido
Mejorestabilidadalargoplazo.

Desventajas:
Dificultadparacontrolarlatoleranciainicialdevoltajedebidoaqueelvoltaje
baseemisorvaraconelanchodelabase.
Mayorderivatrmica
Losefectosdelosgradientestrmicossonmsseveros.
La referencia con diodo zener: Este mtodo consiste en un diodo zener
trabajandoensuzonaderuptura.Esusadoenlosreguladoresintegradosde
bajacorriente(0.1A0.25A).
Ventajas:
Pocoscomponentes.
Buencontroldevoltajeinicial.

Desventajas:
Malaestabilidadalargoplazo.
Altoruido.
Puede ser mejorado si se hace un implante inico de una regin altamente
contaminadapordebajodelasuperficie.

REGULADORESDETENSIN.
Soncircuitosqueseconectanentrelafuenteprimariaylacarga.Debeadaptarsea
lascaractersticasdelafuenteprimariayalacarga.

Es un circuito activo que reacciona ante cualquier cambio de la entrada o de la

cargaparaquelasalidasemantengaestable.

190

ElectrnicaAnalgicaI

TIPOSDEREGULADORESDETENSIN:
Podemosclasificarlos,porsuformadeoperacin,en:

1.
Reguladoreslineales.
Reguladoresnolinealesodeconmutacin.
2.

REGULADORESLINEALES:
Operansiempreconunniveldetensindeentradasuperioraldesalida.Equivalen
a una resistencia cuyo valor se ajusta automticamente para que la salida se
mantengaconstante.

Disipanenergaynotienenmuybuenaeficiencia.

ProducenmenosruidoenlacargayenlaredAC.

Asuvez,sepuedenclasificarcomo:

1.
Reguladorparalelo:Cuandoeldispositivoderegulacinestenparalelocon
la carga. Un ejemplo de ello es el regulador con diodo zener. Es el menos
eficienteycomnmentesele emplea paracorrientes bajas ocomocircuito
dereferenciadetensin.

R
Reg.

RL

VCC

Regulador con diodo zener: Es un tipo de regulador paralelo muy usado

comnmenteparacorrientesbajas.Acontinuacinsemuestraunejemplo.

Problema6.1:Enelcircuitomostradosetiene:
20mAILDC200mAy20VVCC30V
Halle:

191

ElectrnicaAnalgicaI

a)

ElvalormsadecuadoylapotenciamximadeR.

ILDC

15V
VCC
Izk = 5mA

Lapotenciamximaquedisiparelzener.

+
RL VDC
-

b)

Solucin:
a)
ValormsadecuadoylapotenciamximadeR:
R=(VCC15)/(5+ILDC)

El peor caso se presenta cuando VCC es mnima e ILDC es mxima.

Entonces:

R=(2015)/(5+200)=24.39

R=24.39

Lapotenciaser,mximaenRcuandoVCCseamxima:

Pmx=9.23W
Pmx=(3015)2/(24.39)=9.23W

b)
Potenciamximaquedisiparelzener:
El zener disipar mxima potencia cuando la tensin de entrada sea
mximaylacorrienteenlacarga,mnima:.

Pzmx=(15V)[(15/24.39)20mA]=8.93W

Pzmx=8.93W

Regulador serie: Cuando el dispositivo de regulacin est en serie con la

2.
carga.Sonlosmsusadosytienenmseficienciaqueelreguladorparalelo.

192

ElectrnicaAnalgicaI

Reg.
RL
VCC

Tiposdereguladoresserie:
Hay diversos tipos de reguladores serie y que pueden tener protecciones
paraevitarexcesodecorrientey/otensinenlacargaodedisipacinde
potencia de los dispositivos de regulacin. Un diagramas de bloque tpico
eselsiguiente:

Dispositivo
Regulador
Idc

I
RL

Comparador

FUENTE NO REGULADA

Referencia
de Voltaje
Salida

EJEMPLOSDEREGULADORESLINEALES:
Acontinuacinsonmostradosalgunosejemplosdereguladoresdiscretos.

Fuentereguladaconproteccincontracortocircuito:
Este regulador incluye proteccin contra cortocircuito. Q2 hace el papel de
comparador. Vz produce la tensin de referencia. El potencimetro sirve para
ajustarelvoltajedesalida.R1sirveparadarelarranqueinicialalafuente.

193

ElectrnicaAnalgicaI

R1

Q1
R3
VZ

POT

RL

Q2
FUENTE NO REGULADA

Salida
R2

R4

FuentereguladaconBJT:
En este regulador la fuente de corriente es representada por Q1. Q2 es el
dispositivoregulador.Obsrvesequeestenlaconfiguracindeseguidoremisivo
para reducir la impedancia de salida. Vz1 produce la tensin de referencia. El
potencimetrosirveparaajustarelvoltajedesalida.

Q2
R2

R3

R4

VZ1
Q1
VCC

RL
POT.
Q3
R1

R5
VZ2

SALIDA

REGULADORESNOLINEALESODECONMUTACIN(SWITCHING).
Sufuncionamientoescompletamentediferentealreguladorlineal,conelobjetivo
denodesperdiciarenergaenformadecalor.

Debidoaqueevitaneldesperdiciodeenerga,sueficienciapuedesercercanaala
unidad.

194

ElectrnicaAnalgicaI

Asuvez,sepuedenclasificarcomo:

1.

Reguladorconmutadoafrecuenciadelared:Empleainterruptoresquese
bloquean cuando la tensin de la red AC cambia de polaridad.
ComnmentelosinterruptoressonrealizadosmedianteSCR.Requierenun
circuitodecontrolquedetectelospasosporcerodelatensinAC.

T1

T2

D1
C

RD

RL

220Vac
CONTROL
D1

D1

SALIDA

2.

Regulador conmutado a frecuencia propia: Emplea interruptores que se

bloquean cuando el control lo dispone. El control incluye un oscilador
internocuyafrecuenciaesfijadaenelordendelosKHzyeslaquedefinela
velocidadconlaquelosinterruptoresabrirnycerrarn.Eltiempoqueel
interruptorestabiertoocerradosecontrolacontcnicasdemodulacin,
entrelascualesseusamslaPWM(modulacindeanchodepulsos).

La siguiente figura muestra el esquema simplificado de un regulador

reductor(Buck).Q1haceelpapeldeinterruptor.D1esundiodovolante.El
filtroLCeliminalosarmnicosydejapasarlacontinuaalacarga.Elcontrol
detecta el voltaje de salida y controla el tiempo de encendido del
interruptor,ademsdedefinirlafrecuenciadeconmutacin.

Q1

D1
VCC

RD

RL

CONTROL

SALIDA

195

ElectrnicaAnalgicaI

Diseodeunreguladordiscreto:
Acontinuacin,semuestraeldiseodeunreguladortpicoenelqueseempleaun
transistorcomocomprador.Ensulugartambinsepuedeemplearunamplificador
diferencialounoperacional.

Problema6.2:Diseeelsiguientereguladordiscretoparaobtenerunatensinde
salidade12Vdcy1A.

Q2
R2

R3

R4

VZ1
Q1
VCC

RL
POT.
Q3
R1

R5
VZ2

SALIDA

Solucin:
ElegimosuntransistorQ2conganancia=50

Paraqueeldiodozener,Z2,estensuzonaderupturalopolarizaremoscon10mA.
Porlareddemuestreodelvoltajedesalida,haremospasarunacorrientemucho
mayorqueladebasedeQ2.Elegimos:IR4=5mA

LacorrientedeemisordeQ2ser: IE2=1A+10mA+5mA=1.015A
LacorrientedebasedeQ2ser:
IB2=1.015A/51=19.9mA

LacorrientedecolectordeQ1debesermayorqueIB2paraqueQ3semantenga
enlazonaactiva.Lafijamosen:
IC1=25mA

Paralograrestabilidadtrmica,elegimosZ1yZ2de6.2V.estonospermitehallar
R2

R2=(6.20.7)/25mA=220

R2=220
Z1=Z2=Zenerde6.2V

196

ElectrnicaAnalgicaI

Luego: R3=(126.2)/10mA=560

R3=560

Adems:
R4+Pot+R5=12V/5mA=2.4K

Tambindebecumplirse:
(5mA)R5<6.2V+0.7V=6.9V
R5<6.9V/5mA=1.38K

R5=1K

Entonces:
R4+Pot=1.4K

Adems:
(5mA)(R5+Pot)>6.9V
(R5+Pot)>1.38K
Pot>380

Pot=500

Finalmente, R4=2.4K1K0.5K=0.9K
R4=910

Para que Q2 siempre est en la zona activa, haremos que el voltaje colector
emisordeQ2noseamenorque12V.EstoaseguraqueQ1tambinestenlazona
activa.

Entonces,latensindeentradadeberser:
VCC=12V+12V=24V

VCC=24V

HaremosquelacorrienteenZ1sea10mA
Deaqu:
R1=(246.2)/10mA=1.78K
R1=1.8K

Acontinuacinsemuestraelcircuitoconsusvalores:
Q2
2N3055
R2
220

Z1

R4
910

6V2

R3
560

Q1
2N2905
+ VCC
24V

Pot
500 86%

Q3
2N2222
R1
1.8k

Z2
6V2

RL
12

R5
1k

197

ElectrnicaAnalgicaI

Tensindesalidaenvaco=12.07V
Tensinaplenacarga=11.84V
Regulacin=1.9%

REGULADORESCONCIRCUITOSINTEGRADOS:
Acontinuacinveremoslosreguladoresmscomunesascomosuscaractersticas
yaplicaciones:

ReguladorparaleloprogramableTL431:
Actaenformasimilaraundiodozener,conladiferenciaquesuvoltajepuedeser
ajustadoenunrangode2.5V36V.Puederecibircorrientesentre1y100mA.Su
resistenciadinmicaesde0.2.

Enlagrficasiguientesemuestransustiposdeencapsuladosyterminales.

Topview=VistasuperiorBottomview=VistainferiorFrontview=Vistafrontal
Cathode=Ctodo
Anode=Anodo REF=Referencia

Diagramadebloquesysmbolo:

CATODO
REF.

CATODO

REF.
2.5 Vref.
ANODO
ANODO

198

ElectrnicaAnalgicaI

CIRCUITOEQUIVALENTEDELTL431:

CATODO
800

800
20pF

REF.

150

3.28K

10K
4K

2.4K

7.2K
20pF

1K
900

ANODO

Caractersticasdeoperacinrecomendadas:

CARACTERISTICA
MINIMO
Voltajedectodo
Vref=2.5V
Corrientedectodo
1mA

199

MAXIMO
36V
100mA

ElectrnicaAnalgicaI

Aplicaciones:
1. Reguladorparalelo:
R

+
R1

Vz = Vref(1+ R1/R2)
VCC
R2

+
Vref
-

LaresistenciaRdefinelamximacorrientedelregulador.
LacorrientequecirculaporR2es: I=Vref/R2
LatensinenR1esprcticamente: V=IR2=Vref(R1/R2)
Finalmente:

Vz=V+Vref=Vref(1+R1/R2)

2.

Reguladorparalelodealtacorriente:
R

R3

VCC
R2

R1

Vz = Vref(1+ R1/R2)

+
Vref
-

LaresistenciaR3definelamximacorrienteporeltransistor.

200

ElectrnicaAnalgicaI

Problema6.3:Enelreguladormostradosequiereobtener:VL=15VIL=0.5A.
a) CalculelosvaloresdeR1yR2.
b) CalculeelvalordeRsiVCC=30V.
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
d) QuvalordebetenerR3?

R3

R1

Vz = Vref(1+ R1/R2)
RL
VCC
R2

+
Vref
-

TL 431

Datos:
TL431:Vz=2.5(1+R1/R2) corrientemnima:Izmn=2mA
Asuma:IR1=1mA
Transistor:VEB=0.7V,=50Icmn=10mA

SOLUCION:
a) ValoresdeR1yR2.

Elvoltajeenlacargaes15V.Entonces:15=2.5(1+R1/R2)

Dedonde: R1/R2=(15/2.5)1=5

Elegimos: R2=1.5K
luego: R1=7.5K

R2=1.5KR1=7.5K

b) ValordeRsiVCC=30V.

Considerandolamximacorrienteenlacarga:

30=R(500mA+30V/(7.5K+1.5K)+2mA+10mA/50+10mA)+15

DespejandoR: R=15/(515.53mA)=29.1

R=29.1

201

ElectrnicaAnalgicaI

c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?

Segndatos,debemanejarIcmn=10mA

Icmn=10mA

d) QuvalordebetenerR3?

ParaasegurarIzmn=2mAenelregulador: R3=0.7V/2mA=350

R3=350

ReguladorvariableLM317:
Es un circuito cuyo voltaje puede ser variado entre 1.2V y 37V, con corriente
mxima de 1.5 Amperios. Posee tambin limitacin de corriente y proteccin
trmica.

Estos reguladores forman una familia y as, el LM337 es la versin de tensin

negativade1.5A,elLM338eslaversinde5A,

AcontinuacinsemuestraelencapsuladoTO220delLM417yterminales:

LM317T

Pin1=Adj.=Ajuste Pin2=Out=Salida Pin3=In.=Entrada

202

ElectrnicaAnalgicaI

Diagramadebloques:

3 = Input

+
Circuito de
Proteccin

1.25 Vref.

R lim.

2 = Out
1 = Adj.

CIRCUITOEQUIVALENTEDELLM338:

3 Vin
R1
330

R2
330

R3
190

R4
82

R5
5.6K

Q22

R19
370

Q10
Q23
R16
6.7K

Q18
Q2

Q4

Q8

Q1

Q16

R18
130

Q20
R27
47K

5pF

C3

R23
18K

R21
400

Q13

200K

D2
6.3V
Q26

Q27
R6

Q25

R17
12K

Q14

R22
160

R8
12.4K

Q15

Q19

R7
130

Q21

D3
R20
13K

Q17

Q24
6.3V

Q9
Q6

Q11
Q7

Q12

R15
2.4K

C1
Q3

Q5
R10
4.1K

6.3V

R24
160

C2

D1

R11
5.8K

R12
72

R13
5.1K

30pF
30pF
R14
12K
R26
0.03

R7
130

6V

R25
3

R27
50

D4

2 Vout
1 Adj

Caractersticasdeoperacin:

CARACTERISTICA
Iadj
VinVout
Vref
Iout

MINIMO

3V
1.2V
12mA

203

MAXIMO
100mA
40V
1.3V
1.5A

ElectrnicaAnalgicaI

Aplicaciones:
1. Reguladorvariable:

VIN

LM317

VOUT

Salida

ADJ

Entrada

R1

0.1uF
1uF
R2

Vsalida=1.25V(1+R2/R1)
Reguladorvariableconproteccincontradescargacapacitiva:
D1
1N4002

Entrada

Salida
VIN

LM317

VOUT

ADJ

2.

R1
C > 25uF

0.1uF

R2

D2
1N4002

1uF

204

3.

ElectrnicaAnalgicaI

Reguladorvariableconsalidade030V:
D1
1N4002

Entrada

Salida
VIN

LM317

VOUT

ADJ

R1

0.1uF

C > 25uF
10uF
R2

D2
1N4002

1uF

-12 a -18V
470
LM329C

205

ElectrnicaAnalgicaI

4.

Cargadordebaterade12VconLM317:
500

Vin > 18V

0.5

Salida
VIN

LM317

VOUT

3
LED

ADJ

15

1K

230

0.1uF

LM741

15K
1N4148
1uF

BATERIA
12V

U9

3
2

2N2905
4

3K

ReguladorvariableLM723:
Es un circuito muy verstil, con el cual se pueden hacer reguladores fijos y
variables,positivosonegativoseinclusodealtovoltajeyaltacorriente.

Su tensin de entrada mxima es 40V y su corriente mxima con salida en

cortocircuitoes65mA

En el siguiente esquema se muestra su encapsulado DIL 14 y terminales de

conexin:

LM723
1
2
3
4
5
6
7

NC

NC

CL

FC

CS

V+

IN-

VC

IN+

Vout

Vref

VZ

V-

NC

14
13
12
11
10
9
8

206

Pin1:NC=Noconectado

Pin2:CL=Lmitedecorriente
Pin3:CS=Sensadodecorriente
Pin4:IN=Entradainversora
Pin5:IN+=Entradanoinversora
Pin6:Vref=Tensindereferencia
Pin7:V=Tierra

Diagramadebloques:

ElectrnicaAnalgicaI

Pin8:NC=Noconectado
Pin9:Vz=Zener
Pin10:Vout=Salida
Pin11:Vc=Tensindecontrol
Pin12:V+=Tensindealimentacin
Pin13:FC=Compensacindefrecuencia
Pin14NC=Noconectado

12
V+

11
Vc
7

13
FC
VZ2
6

Vref

13

Vout-10

VZ - 9

V7

CL - 2
CS - 3

207

ElectrnicaAnalgicaI

REGULADORDE35V20ACONLM723:

D1
6A / 600V

R13

2N3055
+VDC

Q1

+ 35 VDC

0.47 / 5W

R7
47
R1
470

R14
2N3055
Q2

R8
47

0.47 / 5W

R2
470
R15
2N3055
Q3

0.47 / 5W

R9
47
R3
470

R16
2N3055
Q4

R10
47

0.47 / 5W

R4
470
R17
2N3055
Q5

0.47 / 5W

R11
47
R5
470

R18
2N3055
Q6

R12
47
R6
470

0.47 / 5W

R19
100

R20
5.6K
GND

- VDC

TIP31C
R21
470

C1
0.1uF
R23

Q7

R22

470

P1
100K

3K3

17 VAC

14

U1

OUT

VC

18

D3
1N4004

VCC+

D2
1N4004

16

Z1
3V 9

D6
3

CL
LM723

1N4148

VCC-

CS

10

VREF

IN+
8

FC

C3

D5
1N4004

19

D4
1N4004

IN-

C2
2200uF / 25V

R28

R29
100K

680pF
100K
R25
3K3
C4

R30
3K3

R27
680

100uF / 16V
R24
1K

R26
3K3

D7
1N4148

P2
100K
C5
10uF / 63V

208

REGULADOR DE 35 V / 20 A

ElectrnicaAnalgicaI

REGULADORDE5V/1.5A
1N4005
LM317
1

VIN

VOUT

3
+ 5 VDC / 1.5A

ADJ

121
1N4005

0.1uF/50V
1000uF/50V

100uF/25V
365
-

100uF/50V

REGULADORDE20V/5A
1N4005
LM338K
1

VIN

VOUT

+ 20 VDC / 5A

ADJ

+
0.1uF/50V

0.1uF/50V
121

22000uF/50V

100uF/25V

0.1uF/50V

22uF/50V
1.82K
-

100uF/50V

REGULADORDE20V/1.5A
1N4005
LM337
1

VOUT

3
- 20 VDC / 1.5A

ADJ

VIN

1N4005
121

0.1uF/50V

1000uF/50V
100uF/25V
100uF/50V
1.82K
+

209

ElectrnicaAnalgicaI

REGULADORDE25V/6A

0.1uF

MJ3000
0.1uF

0.2/5W

220
9
VZ

11

10
OUT

VC

VCC+

0.2/5W
10K
MJ3000

0.2/5W
-

GND

10

1K

VREF

0.2/5W

IN+

IN-

27V

LM723

CL

1nF

FRQCOMP

2.2/10W

CS

47K

VARISTOR

12

8A
13

30V
390pF

50pF

+ 20V

5.1K

1K

47K
Q3
SCR

1N4148

3.3V

3.3V

390pF

390pF
5K

1K

1uF/50V
33K
1K

1nF

560

100

Limitacindecorriente:
Unaproteccinmuycomnenlosreguladoresesellmitedecorriente.

Allimitarlacorrienteenlacarga podemosevitarqueelreguladorsedestruyaal
excedersucapacidaddecorrienteydeconsumodepotencia.

EneldiagramadebloquesdelLM723setieneesetipodeproteccin:

210

ElectrnicaAnalgicaI

12
V+

11
Vc
7

13
FC
VZ2
6

Vref

13

Vout-10

VZ - 9

V7

CL - 2
CS - 3

LosterminalesCLyCSpermitenactivarestaproteccinenelregulador.Cuandoel
voltajeVCLCSesiguala0.6V,eltransistorcomienzaaconduciryquitacorriente
de base al transistor de salida, impidiendo que su corriente exceda un lmite
prefijado.EntreCLyCSseponeunaresistenciashuntdebajovalor,lacualdetecta
lacorrientedecarga.

En los esquemas anteriores de las fuentes de 24V 20 A y 25V 6 A mostrados

anteriormente,seveelusodeestaproteccin.

Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicaenunregulador:

VL

IL
ILmx Icc
211

ElectrnicaAnalgicaI

Icceslacorrientedecortocirciuito(conRL=0).

Vemosquealactivarselaproteccin,latensindesalidaempiezaareducirsepara
evitarquelacorrientesubaexcesivamente.

Eltransistorreguladordebedisearseparasoportarlapotenciaquedisiparconla
corrienteIcc.

Limitacintipofoldback:
Esta proteccin es una versin mejorada del lmite de corriente. Hace que la
corriente de cortocircuito sea menor que ILmx. Esto permite que ante un
cortocircuitoeltransistorreguladornodisipeunapotenciamuyelevada.

Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicadeunreguladorconeste
tipodeproteccin:

VL

IL
Icc ILmx

Proteccincontracortocircuito:
Esotrotipodeproteccinenlosreguladoresqueimpidelacirculacindecorriente
cuandosepresentauncortocircuitoenlasalida.

212

ElectrnicaAnalgicaI

Unejemploeselsiguiente:
R1

Q1
R3
VZ

POT

RL

Q2
FUENTE NO REGULADA

Salida
R2

R4

EltransistorQ2entregacorrientealtransistorreguladorQ1.Anteuncortocircuito
enlasalida,Q2pasaalazonadecorteydejadedarlecorrienteaQ1,conloquel
tambinpasaalazonadecorteyyanohaycorrientedesalida.

Limitacindepotencia:
Esta proteccin consiste en detectar tanto la tensin como la corriente del
transistor de potencia y conectarlas a un circuito multiplicador para obtener una
seal proporcional a la potencia que disipa. Esta se compara con el nivel de
referenciaqueestablecelamximapotenciaquedebedisipar.Cuandoseproduce
unexceso,elcontrolloobligaradisminuirsuconsumodepotencia.

Esunaproteccincostosaporquerequiereelusodecomponentesespecialespara
laproteccin.

Proteccincrowbar:
Estetipodeproteccinesusadoparaevitarqueseprduzcaunasobretensinenla
salida que pueda daar la carga. Esto puede producirse cuando se cruzan los
transistoresdepotenciadesalida.

Unejemploeselsiguiente:Reguladorde25V/6A

213

ElectrnicaAnalgicaI

0.1uF

MJ3000
0.1uF

0.2/5W

220
9
VZ

11

10
OUT

VC

VCC+

0.2/5W
10K
MJ3000

0.2/5W
-

GND

10

1K

VREF

0.2/5W

IN+

IN-

27V

LM723

CL

1nF

FRQCOMP

2.2/10W

CS

47K

VARISTOR

12

8A
13

30V
390pF

50pF

+ 20V

5.1K

1K

47K
Q3
SCR

1N4148

3.3V

3.3V

390pF

390pF
5K

1K

1uF/50V
33K
1K

1nF

560

100

AnteunafalladelostransistoresMJ3000,aparecerunatensinmayorde25Ven
lasalida.Alsuperarlos30V,elzenerde30VconduciryhardispararalSCRQ3,el
cualharuncortocircuitoalaentradaobligandoaquemarseelfusiblede8A,con
ocuallafuentequedardesconectada.LaresistenciaenserieconelSCRseemplea
paraevitarqueestedispositivoconduzcademasiadacorrienteysedestruya.

Reguladoresfijosconcircuitointegrado:
Sonreguladoreslinealescuyasalidanopuedevariarse.Sonmuypopularesporque
facilitanmuchoeldiseodefuentesdealimentacin.

Haymodelosqueentregantensinpositivayotrosqueentregantensinnegativa.
Setienen2familiasmuyconocidas:

La serie LM78xx es una familia de reguladores positivos. El nmero xx indica la

tensin.Ejemplo:LM7812=Reguladorpositivode12voltios.

Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:

214

ElectrnicaAnalgicaI

Vemos que los terminales se numeran de izquierda a derecha. El encapsulado

mostrado corresponde al cdigo TO220. El terminal 1 (Input) es la entrada
proveniente de la tensin rectificada y filtrada. El terminal 2 (Ground) es el de
referencia(Tierra)elterminal3(Output)eslasalidadelvoltajeregulado,respecto
aldereferencia.Elterminal2esttambinconectadoalalminametlica,lacual
seempleaparamontajeenundisipador.

LaserieLM79xxesunafamiliadereguladoresnegativos.Igualmente,elnmeroxx
indicalatensin.Ejemplo:LM7905=Reguladornegativode12voltios.

Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:

En este caso vemos que los terminales se numeran empezando del pin marcado
con el crculo, el cual indica al terminal 1. El encapsulado mostrado corresponde
tambin al cdigo TO220. El terminal 1 (Ground) es el de referencia (Tierra). El
terminal2(Input)eslaentradaprovenientedelatensinrectificadayfiltrada.El
terminal 3 (Output) es la salida del voltaje regulado, respecto al de referencia. El
terminal 2 est tambin conectado a la lmina metlica, la cual se emplea para
montajeenundisipador.

215

ElectrnicaAnalgicaI

UNIDADTEMTICA
No.7

RESPUESTAENFRECUENCIA
Hasta ahora hemos considerado que los parmetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la prctica, esto no es cierto. Dichos parmetros
dependendelospuntosdeoperacin,delatemperatura,delafrecuencia,etc.

A la respuesta en frecuencia se le entiende como la respuesta en estado

estacionario (rgimen permanente) de un amplificador ante una entrada
sinusoidal.Paraelestudiodelamplificador,sevaralafrecuenciadelasinusoidede
entradadentrodeundeterminadorangodefrecuenciasyseobtienelarespuesta
resultante.Estemtodonospermitehacerelanlisisydiseodelcircuito.Adems
esmuysencilloderealizarenellaboratorio,dondelosinstrumentosbsicosquese
necesitansonungeneradorsinusoidaldefrecuenciavariableyunosciloscopio.
La teora de control, junto con los modelos del transistor nos dan todas las
herramientasnecesariasparaestudiarelcomportamientodeloscircuitosalvariar
lafrecuencia.

Actualmente,paraunestudiomsdetallado,contamosconprogramasdeclculo
(como MATLAB y MATHEMATICA) y de simulacin (como SPICE, EMTP, CIRCUIT
MAKER,WORKBENCH,SIMCAD,MULTISIM,etc.).

MATLABesunprogramadeclculo,muypopular,basadoenmatrices,queadems
permiteefectuarprogramacionesycuentaconpaquetesespecializados.

En el campo de los programas de descripcin de hardware analgico y de

simulacin, los ms populares son SPICE (Simulation Program with Integrated
Circuits Emphasis), que es un programa de uso general orientado a circuitos y
EMTP (Electro Magnetic Transients Program), desarrollado para la industria de
ElectrnicadePotencia.

Losprogramasdesimulacinsonmuytilesparaanalizarelcomportamientodeun
circuitoypermitentenerunlaboratoriovirtualconelcualpodemoshacerrpidos
ajusteshastalograrlarespuestadeseada,paraluegopasaralapruebadelcircuito
enellaboratorio.Tambinnossirvencomoherramientadeestudiopuespodemos
verificar nuestros clculos tericos y explorar lo que podra suceder sI se varan
determinadosparmetros.
217

ElectrnicaAnalgicaI

Unodelosmtodosmsutilizadosparaestudiarlarespuestaenfrecuenciadeun
amplificadorsonlosDiagramasdeBode(diagramaslogartmicosdelagananciayla
faseenfuncindelafrecuencia).Lafrecuenciaserepresentaenescalalogartmica
ylafaseygananciaenescaladecimal(engradosydecibeles,respectivamente).

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 2f1

recibe el nombre de octava de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rangoseexpresanendb/octava.

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 10f1

recibe el nombre de dcada de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rangoseexpresanendb/dcada.

Unapendientede20db/dcadaesprcticamenteequivalenteaunapendientede
6db/octava.

5.1. RESPUESTAENFRECUENCIADELOSAMPLIFICADORES:
Larespuestaenfrecuenciaserefierealcomportamientodelosdispositivos
yamplificadoresalcambiarlafrecuencia.

En lneas generales, el estudio de los amplificadores en el dominio de la

frecuencia(alexcitaralamplificadorconsealessinusoidales)sedivideen
trespartes:

1) RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA: Un amplificador puede variar su

ganancia en frecuencias bajas (desde frecuencia 0 ( DC) hasta una
frecuencia fL) debido principalmente a las reactancias externas del
circuito(porejemplo,capacidadesdeacoploybypass).Lafrecuencia
fL(wL)recibeelnombredefrecuenciadecorteinferior.Aqu,para
realizar el anlisis, se utilizan los modelos de baja frecuencia del
transistorjuntoconlasreactanciasexternasdeacoploybypassque,
enestecaso,nodebendespreciarse.

Una excepcin es el amplificador operacional, que puede responder

consumximagananciadesdeDC.

2) RESPUESTAENFRECUENCIASMEDIAS:Enestareginelamplificador
actaconsumximagananciaysusparmetrospuedenconsiderarse
comonmerosreales.Aquseutilizanlosmodelosdebajafrecuencia
del transistor. Las reactancias externas pequeas pueden ser
218

ElectrnicaAnalgicaI

consideradas como cortocircuitos y las reactancias grandes como

circuitosabiertos.

3)

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA: En esta regin el amplificador

disminuyesugananciaalaumentarlafrecuencia(desdeelvalorfH).
La frecuencia fH ( wH) recibe el nombre de frecuencia de corte
superior. Este fenmeno se debe a las reactancias internas de los
transistores. En general, el amplificador no puede aumentar o
mantener constante su ganancia indefinidamente al aumentar la
frecuencia.Siemprehabralgunafrecuenciaaltaalacuallaganancia
empieza a disminuir. Esto nos indica que siempre habrn ms polos
quecerosensufuncindetransferencia

PUNTOSDEMEDIAPOTENCIAYANCHODEBANDA:
Comnmente las frecuencias fL ( wL) y fH ( wH), anteriormente
mencionadas,sedeterminanenlospuntosenquelasealdesalidaposee
la mitad de la potencia que tiene en frecuencias medias. Cuando la
ganancia se expresa en decibeles, los puntos de media potencia se
determinanrestando3dbalagananciaenfrecuenciasmedias.

Elanchodebandadeunamplificadorsedefinecomoladiferenciaentrelas
frecuenciasdecortesuperiorydecorteinferior:

BW=fHfL(usandolafrecuenciacclica)

BW(rad/s)=wHwL(usandolafrecuenciaangular)

Haycasosenloscualeselanchodebandasedefinecondiferentecriterio,
como es el caso de los amplificadores de vdeo, donde se determina
restandoslo1dbalagananciaenlaregindefrecuenciasmediasdebido
a que la vista puede detectar variaciones ms pequeas en los niveles de
iluminacin

Actividad.Pasividad.
Un transistor es pasivo cuando la potencia promedio total en pequea
seal que ingresa por todos sus puertos es cero o positiva. (Si es cero, el
circuitonotieneprdidas.Siespositivo,elcircuitotieneprdidas).

Enelcasocontrario,eltransistoresactivo.

219

ElectrnicaAnalgicaI

Modelodeparmetroshbridosdeltransistor
Estemodelodealtafrecuenciaypequeasealdeltransistoresmuyusado
porque sus parmetros se mantienen casi constantes con la frecuencia.
Puedenserusadoshastalafrecuenciadecortealfa(f)deltransistor.

Acontinuacinsemuestraelmodelo:

C
ib

ic

rx

C
+
vbe
-

+
V
-

ro
gm V

+
vce
E

rx=resistenciadedispersindebase
r=resistenciadeentrada
r=resistenciaderealimentacin
ro=resistenciadesalida
C=capacidaddecentrada
C=capacidadderealimentacin

Estemodelopuedesersimplificadosegnlafrecuenciadeoperacin,
teniendoencuentalasredesenparalelo:rCyrC
1
rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia: f1 =

2r C

Afrecuenciasmuchomenoresquef1sepuededespreciarCysloqueda
r

Afrecuenciasmuchomayoresquef1sepuededespreciarrysloqueda
C

rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia: f 2 =
2r C

220

ElectrnicaAnalgicaI

Afrecuenciasmuchomenoresquef2sepuededespreciarCysloqueda
r

Afrecuenciasmuchomayoresquef2sepuededespreciarrysloqueda
C

Comnmentesecumpleque:C>>Cyr>>r>>rx

Segnlosvaloresdeestosparmetros,podremossimplificarmsalcircuito
equivalente.

Afrecuenciasdeaudio,elmodelopuedereducirsea:

B
+
V
-

C
r

gm V

Medianteestosparmetrospodemoshallarlamximafrecuenciahastala
cualeltransistorsecomportacomodispositivoactivo:

1
gm

f max =

2 4rx C C

A frecuencias mayores que fmx, el transistor se comporta como

dispositivopasivo.

RESPUESTAENFRECUENCIADELTRANSISTOR.
Losparmetrosdeltransistortambinvaranconlafrecuencia.

Respuestaenfrecuenciaenemisorcomn:Aqugraficamoslamagnitudasinttica
delaganancia,hfe,endbvsfrecuencia:

221

ElectrnicaAnalgicaI

h fe

db

h feo

fT

f=Frecuenciadecorte.Eslafrecuenciadelpuntodemediapotenciadehfe.

fT=Frecuenciadetransicin.Eslafrecuenciaaacuallamagnituddehfesehace
igual1.Tambinselellamaproductogananciaanchodebanda.

Productogananciaanchodebanda.
Lafrecuenciadetransicin(fT)esdadapor:
g

fT = m
2C

Estafrecuenciatambinrecibeelnombredeproductogananciaanchodebanda
Lagananciadecorrienteenbajafrecuenciaes: h fe = g m r

Frecuenciasdecorte.
Lafrecuenciadecorte(f)esdadapor:

f =

fT
1
=

h fe 2r C

Respuesta en frecuencia en base comn: Aqu graficamos la magnitud asinttica

delaganancia,hfe,endbvsfrecuencia:

db

222

ElectrnicaAnalgicaI

f=Frecuenciadecorte.Eslafrecuenciadelpuntodemediapotenciade.Su
valoresmuycercanoafT.

METODOSDERESPUESTAENFRECUENCIA
Haytresmtodosderepresentacindefuncionesdetransferenciasinusoidales,los
cualesson:

DiagramasdeBode(diagramaslogartmicos)
DiagramapolarodeNyquist
Diagramadellogaritmodelaamplitudenfuncindelafase.

DIAGRAMASDEBODE:
Son diagramas logartmicos que representan la funcin de transferencia en el
estado estacionario con excitacin sinusoidal. Debido a que la funcin de
transferenciaeneldominiodelafrecuenciayenestadoestacionarioconpequea
seal, es un nmero complejo, tendr magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientesdelafrecuencia.

La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la dcima parte del Bel, una
unidaddepotenciasonora),lafaseengradossexagesimales;ambassegraficanen
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logartmico. El uso de los
decibelesparalagananciafacilitalaobtencindelosdiagramasdesistemasms
complejos debido a que losproductosseconvierten ensumasylasdivisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representacin de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las grficas de sistemas ms
complejos.

Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores bsicos que pueden
intervenirenlafuncindetransferencia:

Factorganancia(Ao):Elfactorgananciaesunnmeroreal.Cuandoesexpresado
endb,serpositivosiAoesmayorque1ysernegativocuandoAoesmenorque
1.LasecuacionesparasudiagramadeBodeson:

Lamagnitudendbes:Ao(db)=20log(Ao)

Sitienesignopositivo,lafaseser0y,siesnegativo,lafaseser180.

Tantolamagnitudcomolafasesonconstantesconlafrecuencia.

223

ElectrnicaAnalgicaI

F a c t o r G a n a n c ia
30

25

Ao(db)

20

15

10

0
10

-1

10
f (H z )

10

Factoresintegralesyderivativos:Sondelaforma:G(jw)=1/jwG(jw)=jw

1) Paraelfactorintegral:

Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(1/w)=20log(w)

Lafaseesconstante: (jw)=90

F a c t o r In t e g r a l
20

10
p e n d ie n t e = -2 0 d b / d e c

|G(jw)|db

-1 0

-2 0

-3 0

-4 0
-1
10

10

10
w ( fr e c u e n c i a a n g u l a r )

224

10

ElectrnicaAnalgicaI

F a s e d e l F a c t o r In t e g r a l
-8 9
-8 9 .2
-8 9 .4
-8 9 .6
-8 9 .8
F a s e c o n s ta n te =

-9 0

- 9 0 g ra d o s

-9 0 .2
-9 0 .4
-9 0 .6
-9 0 .8
-9 1
1 0

-1

1 0

1 0
w

1 0

( fr e c u e n c i a a n g u l a r )

F a c t o r D e riva t ivo
4 0

3 0
p e n d ie n t e

2 0
|G(jw)|db

Paraelfactorderivativo:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(w)=20log(w)

Lafaseesconstante: (jw)=90

+ 2 0 d b /d e c

1 0

-1 0

-2 0
1 0

-1

1 0

1 0
w

( fr e c u e n c ia

1 0

a n g u la r)

F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
91
9 0 .8
9 0 .6
9 0 .4
9 0 .2
Fase

2)

F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g ra d o s

90
8 9 .8
8 9 .6
8 9 .4
8 9 .2
89
10

-1

10

10
w ( fr e c u e n c i a a n g u l a r )

225

10

ElectrnicaAnalgicaI

Factoresdeprimerorden:Sondelaforma:
G(jw).=(1+jwT)G(jw)=1/(1+jwT)

1) Cerodeprimerorden:G(jw)=1+jwT

Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=10log(1+(wT)2)

Lafasees:

(jw)=arctan(wT)

Estas grficas se representan muchas veces por sus asntotas, las que la
describen en forma bastante aproximada, pudindose llegar con bastante
precisin a la grfica real haciendo algunas correcciones. Estas asntotas se
obtienenparawT<<1yparawT>>1:

Para: wT << 1, la magnitud se aproxima a 0db; por lo tanto, la primera

asntotaestrepresentadaporunarectahorizontalen0db.

Para:wT>>1,lamagnitudseaproximaa20log(wT);porlotanto,lasegunda
asntota ser una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al factor
derivativo).

Ambas asntotas se encuentran en el punto wT = 1, completando la

representacinasinttica.

Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT=1.Enestecasoelerroresde:3.03db.
Estepuntoequivalealpuntodemediapotencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db

226

C e ro

d e

P rim

e r

ElectrnicaAnalgicaI

r d e n

4 5
4 0
3 5

p e n d ie n t e

+ 2 0 d b / d e c

|G(jw)|db

3 0
2 5
2 0
1 5
1 0
5

C u r v a

re a l
G

0
1 0

- 1

1 0

r a fic a

a s in t o t ic a

1 0
w ( fr e c u e n c ia

a n g u la r )

2)

Polodeprimerorden:G(jw)=1/(1+jwT)
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log(1+(wT)2)
Lafasees:

(jw)=arctan(wT)

Estasgrficastambinserepresentansusasntotas.
EstasasntotasseobtienenparawT<<1yparawT>>1:

1 0

Para: wT << 1, la magnitud se aproxima a 0db; por lo tanto, la primera

asntotaestrepresentadaporunarectahorizontalen0db.
Para: wT >> 1, la magnitud se aproxima a 20log(wT); por lo tanto, la
segunda asntota ser una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al
factorintegral).
Ambas asntotas se encuentran en el punto wT = 1, completando la
representacinasinttica.

227

ElectrnicaAnalgicaI

Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT=1.Enestecaso,elerroresde:3.03db.Estepuntoequivalealpunto
demediapotencia.

Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db

P o lo d e P rim e r O rd e n
0
G r fi c a a s i n t t i c a
C u rva re a l

-5
-1 0

|G(jw)|db

-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
-3 5
-4 0
10

-2

10

-1

10
( fr e c u e n c i a a n g u l a r )

10

10

228

ElectrnicaAnalgicaI

Acontinuacindamoslatablaconlosfactoresdecorreccinparamagnitudyfase:

wT
0.1
0.5
1
2
10
|G(jw)|db +/0.0432
+/0.97
+/3.03
+/0.97
+/0.0432
Fase
+/5.7
+/26.6
+/45
+/63.4
+/84.3

Factorescuadrticos:
Sondelaforma:
G(jw).=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]

wnrecibeelnombredefrecuencianatural
recibeelnombredefactordeamortiguamiento

Estosfactorestienen3tiposderespuesta:

Cuando>1,larespuestaessobreamortiguadaylasracessonreales.

Cuando = 1, la respuesta es crticamente amortiguada y las races son reales e

iguales.

Cuando 0 < > 1, la respuesta es sub amortiguada y las races son complejas y
conjugadas.

La respuesta con que acte depende de los valores de y wn; stos a su vez
dependendelosvaloresdeloscomponentesdelamplificador.

1)
Cerosdesegundoorden:G(jw)=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]

Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)2]2+(2w/wn)2)}

(jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)2]}
Lafasees:

B o d e

D ia g ra m

M a g n it u d
4 0

P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c

F a c t o r

d e

a m

o r t ig u a c i n

0 . 1

- 2 0

w / w n

2 0 0

( fr e c u e n c ia

a n g u la r

n o rm

a liz a d a )

( fr e c u e n c ia a n g u la r n o r m
F r e q u e n c y
(r a d / s e c )

a liz a d a )

1 5 0
Fase

Phase (deg); Magnitude (dB)

2 0

F a c t o r

1 0 0

d e

a m

o rt ig u a c i n

0 . 1

5 0
0
1 0

-1

1 0

w / w n

229

1 0

ElectrnicaAnalgicaI

B o d e D ia g ra m s
M a g n itu d
50

P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c

40

20
10

F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1

0
200

w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )

150
Fase

Phase (deg); Magnitude (dB)

30

100

F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1

50
0
1 0 -1

100

101

w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
F re q u e n c y (ra d / s e c )

B o d e D ia g ra m s
M a g n itu d
100

P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c

80

40

F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5

20
0
200

w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )

150
Fase

Phase (deg); Magnitude (dB)

60

100

F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5

50
0
1 0 -2

1 0 -1

100

101

102

w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
F re q u e n c y (ra d / s e c )

Observandolasgrficasdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia disminuye, la pendiente en esa regin es ms pronunciada (ms
selectiva),llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

230

ElectrnicaAnalgicaI

Cuando elsistema escrticamente amortiguado,ya no haypicode resonancia,la

pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a una pendiente de
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Cuando el sistema es sobre amortiguado, tampoco hay pico de resonancia, la

pendienteinicialeslamsbaja(lamenosselectiva),subiendoa40db/dcadapara
frecuenciasaltas.

Podemos observar tambin que los ceros aumentan la magnitud (o ganancia) al

elevarlafrecuencia.

2)
Para:G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]

Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)2]2+(2w/wn)2)}
(jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)2]}
Lafasees:

Observandolasgrficassiguientesdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenel
cuallagananciaaumenta,lapendienteenesareginesmsinclinada(ms
selectiva), llegando a una pendiente de 40db/dcada para frecuencias
altas.

El pico de resonancia se presenta a la frecuencia de resonancia

r = n 1 2 2

Podemosobservarquerexistesloparavaloresde:0<<0.707

1
Elvalordelpicoderesonanciaesdadopor: M r =

2 1 2
vlidoparavaloresdelarelacindeamortiguacin():0<<0.707

Paravaloresde:>0.707entonces:Mr=1
Paravaloresdequeseacercanacero:Mr=tiendeainfinito

Cuando el sistema es crticamente amortiguado, ya no hay pico de

resonancia, la pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a
unapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

231

ElectrnicaAnalgicaI

Cuandoelsistemaessobreamortiguado,tampocohaypicoderesonancia,
la pendiente inicial es la ms baja (la menos selectiva), cayendo a
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.

Podemos observar tambin que los polos disminuyen la magnitud (o

ganancia)alelevarlafrecuencia.

B o d e
P o lo s

D ia g ra m s

d e S e g u n d o O rd e n

2 0

F a c to r d e

a t e e n u a c i n = 0 . 1

-2 0

P e n d ie n t e

-4 0

w /w n

( fr e c u e n c i a

-4 0

d b /d e c

a n g u la r n o rm a liz a d a )

-5 0
Fase

Phase (deg); Magnitude (dB)

F a c to r d e

-1 0 0

a t e e n u a c i n = 0 . 1

-1 5 0
-2 0 0
1 0

-1

1 0

w /w n

1 0

( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F re q u e n c y (ra d /s e c )

B o d e
P o lo s

D ia g ra m

d e

S e g u n d o

O r d e n

F a c t o r

d e

a t e n u a c i n

- 2 0
- 3 0

P e n d ie n t e

- 4 0

w / w n

( fr e c u e n c ia

a n g u la r

-4 0

n o rm

a liz a d a )

( fr e c u e n c ia a n g u la r n o r m
F re q u e n c y (ra d / s e c )

a liz a d a )

d b / d e c

- 5 0
Fase

Phase (deg); Magnitude (dB)

- 1 0

F a c t o r

- 1 0 0

d e

a t e n u a c i n

- 1 5 0
- 2 0 0
1 0

-1

1 0

w / w n

232

1 0

ElectrnicaAnalgicaI

B o d e D ia g ra m s
P o lo s d e S e g u n d o O r d e n
0
-20

F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5

-60
-80

P e n d ie n t e = -4 0 d b / d e c

-100

w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )

0
-50
Fase

Phase (deg); Magnitude (dB)

-40

-100

F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5

-150
-200
1 0 -2

1 0 -1

100

101

102

w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F re q u e n c y (ra d / s e c )

RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor comn como el mostrado a
continuacin:

+VCC
R1

RC
C2

C1
Q
RL
Vg

R2

RE

+
Vo
-

CE

Para estudiar la respuesta en baja frecuencia hallaremos la funcin de

transferencia (ganancia de tensin) considerando slo las capacidades externas y
asumiremos que las capacidades internas del transistor son circuitos abiertos a
estasfrecuencias.

Acontinuacinrepresentamosalcircuitoconsumodeloparaseal:

233

ElectrnicaAnalgicaI

C2
C1
Q

Rb

Vg

RC
RE

RL

+
Vo
-

CE

Rb=R1//R2

A continuacin reemplazamos al transistor por su modelo simplificado para

pequea seal y baja frecuencia. Vemos que en este caso las capacidades de
desacoploybypassnosedesprecian.

C2
C1

ib
hie

Vg

hfe ib

Rb

RC
RE

RL

CE

PlanteamoslasecuacionesdeKirchoffparaobtenerlafuncindetransferencia:
Enelcircuitodesalida:

(h fe RC RL C2 s )(ib )

Vo =
1 + (RC + RL )C 2 s

Enelcircuitodeentrada:

(Rb C1 s )(1 + RE C E s )
ib

=
V g (1 + h fe RE )(1 + Rb C1 s ) + (1 + RE C E s )(1 + Rb C1 s )hie + (1 + RE C E s )Rb

234

+
Vo
-

ElectrnicaAnalgicaI

Finalmente:
h fe RC RLC2 2
s (1 + RE CE s)

h
R
C
Vo (s)
ie E E
Av (s) =
=
Vg (s)
2 1
1 + h fe Rb + hie + (1 + h fe )RE
1
1
+
[1 + (RL + RC )s]s + s
+
+
+

RE CE hieC1 RbC1 hieCE hie Rb R E C1C2

( )

Hacer el clculo manual de una funcin como la mostrada (o de otras ms

complejas)esuntrabajolargoytedioso.Sinembargo,podemosobservarlafuncin
detransferenciaysacaralgunasconclusionesquenospermitanobtenerunaideade
la forma de la respuesta en baja frecuencia con clculos ms sencillos aunque
aproximados.

Observamosqueestafuncindetransferenciatiene3ceros:

Dosenelorigen:s=0
y

Unoen:s=1/RECE

Podemos decir que el cero producido por CE se obtiene multiplicndolo por la

resistencia que tiene en paralelo. Este producto es la constante de tiempo en el
emisor.

Observamos tambin que la funcin de transferencia en baja frecuencia tiene 3

polos:

- Unoen:s=1/(RC+RL)C2

Enestecasopodemosdecirqueelpolodesalidaseobtieneconlaresistenciaque
``veC2cuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitosyno
haysealdeentrada.

- Los otros dos polos corresponden a un factor de segundo orden. Sin

embargo, si queremos que estos polos sean reales, podemos aplicar el
criterioanteriorparadeterminaraproximadamentelosotrosdospolos:

Podemos hallar aproximadamente el polo introducido por C1 determinando la

resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se comportan como
cortocircuito(ocircuitoabierto,segnlafrecuenciaempleada)ynohaysealde
entrada:

235

ElectrnicaAnalgicaI

Segnesto,laresistenciaque``veC1es:Rb//hie

Luego,elpoloaproximadoproducidoporC1es: s =

C1 (Rb // hie )

Al polo introducido por CE tambin podemos determinarlo aproximadamente

mediante la resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se
comportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada:

h
Segnesto,laresistenciaque``veCEes: R E // ie = RE // hib
1+ h
fe

1
Luego,elpoloaproximadoproducidoporCEes: s =

hie

C E RE //
1+ h
fe

Dondehibeslaresistenciadeentradadeltransistorenbasecomn.

Supongamosahoraquealafuncindetransferenciaanteriorpodemosfactorizarla
yexpresarlaenlaformasiguiente:

s
Ao (s 2 )1 +
zE
V (s )

Av (s ) = o
=
Vi (s )

s
s
s
1 + 1 +
1 +

p1
p E
p 2

p p p
Multiplicandoelnumeradoryeldenominadorpor: 1 E3 2 ydesarrollando
s
Obtenemosenelestadoestacionario:

Av (s ) =

Vo (s )
=
Vi (s )

1 +

1
1
Ao
+
jw
z
E

1
1
( p1 + p2 + p E ) + 2 ( p1 p2
jw
jw

p1 p 2 p E

1
+ p1 p E + p 2 p E ) + 3 p1 p 2 p E
jw

Si queremos determinar la frecuencia de corte inferior (wL), debemos notar que,

porlogeneral,p1,p2ypEsernmenoresquewL;entonces,afrecuenciascercanas
awLlostrminoscuadrticosycbicossernmschicosqueeltrminocon1/jw.

236

ElectrnicaAnalgicaI

Cumplindose lo anterior, podremos afirmar que la frecuencia de corte inferior

puedeserhalladaaproximadamenteporlaexpresin:

L = p1 + p 2 + p E

Asuvez,p1,p2,ypEsepuedenhallarbajoelcriterioanterior,determinandola
resistencia que ``ve cada condensador cuando los dems se comportan como
cortocircuitoylasealdeentradasehacecero.

PROBLEMA 7.1: En el circuito mostrado, determine el polo y el cero introducido

porC1cuandoC2yCEsecomportancomocortocircuito

+VCC
R1
RC
C2
C1
Q
RL
Vg

R2

+
Vo
-

RE
CE

Elmodeloparaseal,conlascondicionesdadas,eselsiguiente

C1

ib
hie

Rb

Vg

hfe ib

RC

Vo = h fe (RC // RL )ib

ib =

Finalmente:

Av (s ) =

(C1 s )(Rb // hie )Vg

hie (1 + (Rb // hie )C1 s )

Vo (s ) ( h fe )(RC // RL )(Rb // hie )(C1 s )

=

V g (s )
hie (1 + (Rb // hie )C1 s )
237

RL

+
Vo
-

ElectrnicaAnalgicaI

Podemosverqueapareceunceroenelorigenyunpoloen: s =

(Rb // hie )C1

Rb//hieesjustamentelaresistenciaque``veC1cuandolosdemscondensadores
secomportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada.

PROBLEMA7.2:Repitaelproblemaanteriorhallandoelpoloyelcerointroducido
porCEcuandoC1yC2secomportancomocortocircuito

Elmodeloparasealenestecasoeselmostradoenelsiguientegrfico.
Igualmente:
Vo = h fe (RC // RL )ib

Adems:

ib =

Vg

hie + (1 + h fe ) RE

1

//

CE s

(1 + RE C E s )Vg

hie + (1 + h fe )RE + hie RE C E s

Finalmente:
ib
hie

hfe ib

Rb

Vg

RC
RE

238

+
Vo
-

CE

Vo (s ) ( h fe )(RC // RL )(1 + R E C E s )
=

V g (s ) hie + (1 + h fe )RE + hie RE C E s

1
Vemosquehayunceroen: s =

RE C E

(hie + (1 + h fe )RE )
1
s=

Yunpoloen:

=
(hib // RE )C E
hie RE C E
Av (s ) =

RL

ElectrnicaAnalgicaI

Igualmente,podemosdecirqueelpoloseobtienepormediodelaresistenciaque
``veCEcuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitoyno
hay seal de entrada. Podemos darnos cuenta fcilmente de ello si usamos el
modelodebasecomnparaeltransistor.

Lo anteriortambin nos daun mtodo de diseoparaobtenerlos valoresdelos

condensadoresdeacoploybypass.

PROBLEMA 7.3: En el circuito mostrado, determine C1, C2 y CE si se quiere una

ganancia igual a 100 en frecuencias medias y una frecuencia de corte inferior de
100Hz.

RC
2K

Rg
1K

R1
10K

C2

C1
Q
2N2222

12Vdc
Vg

R2
3k

RE
820

CE

RL
10K

ComoCEeselcapacitorquevelamenorresistencia,haremosquesealelque
determinelafrecuenciadecorteinferior(100Hz).Paraquelosotrosdospolosno
afectenapreciablemente,haremosqueactenunadcadaantes(10Hz).

Bajoestascondiciones,cuandoactanC1yC2,CEannoactaypodemoshacerel
siguientemodeloparapequeaseal:

239

ElectrnicaAnalgicaI

C2
Rg
1K

Vg

C1
Q
2N2222
Rb
2.3k

RE
820

RC
2K

RL
10K

LaresistenciaqueveC1es: RC1= Rg+Rb//[hie+(1+hfe)RE]

Considerando para el transistor: hfe = 80 y hie = 1.3K, empleando el modelo

simplificado:

Reemplazandovalores:
RC1=2.22K

Entonces:C1=1/2(10)(2.22K)=7.15uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C1=10uF

LaresistenciaqueveC2es: RC2= RC+RL=12K

Entonces:C2=1/2(10)(12K)=1.33uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C2=2.2uF

AlafrecuenciaqueactaCE,C1yC2yahanactuadoypodemosconsiderarquese
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguientemodeloparapequeaseal:

240

Rg
1K

ElectrnicaAnalgicaI

Q
2N2222
Rb
2.3k

Vg

RC
2K

RE
820

RL
10K

CE

LaresistenciaqueveCEes: RCE= RE//[hib+(Rb//Rg)/(1+hfe)]

Reemplazandovaloresyefectuando:RCE= 820//[49.3]=46.5

Entonces:CE=1/2(100)(46.5)=34.2uF

Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:CE=39uF

Conestosvalorespodemoshacerunasimulacindelarespuestaenfrecuencia:

CALCULODELARESPUESTAENFRECUENCIAUSANDOMATLAB:
Usaremoscomoejemploelcasodeunfiltroactivopasabajocomoelsiguiente:

R
10K

+ 12 V

LM741
6
+
Vs
-

10K

R1
5.6K
Vi

C
0.1uF
C
0.1uF

241

- 12 V
R1
5.6K

ElectrnicaAnalgicaI

La funcin de transferencia, obtenida considerando caractersticas ideales del

OPAMPparasimplificarlaexpresineslasiguiente:

AV(s)=[2(1+2R1Cs)]/[1+R1Cs+R1Cs2]

Reemplazandolosvaloresdeloscomponentesobtenemos:
AV(s)=[2+0.00224s)]/[1+0.00056s+0.0000003136s2]

Conlafuncindetransferenciayadeterminada,ingresamosalprogramaMATLAB

Cuandoapareceelprompt(>>)deMATLABescribimos:

>>num=[00.002242]
<enter>

>>den=[0.00000031360.000561] <enter>

>>bode(num,den)

<enter>

>>title(RespuestaenFrecuenciadelFiltroActivoPasabajo) <enter>

Larespuestaenfrecuenciaempleandounsimuladornosdalagrficasiguiente:

A: u1_6

4.500 V
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
-0.500 V
0.000 Hz

200.0 Hz

400.0 Hz

600.0 Hz

800.0 Hz

DISEODEFILTROSACTIVOSMEDIANTEAMPLIFICADORESOPERACIONALES
Entrelostiposdefiltrostenemos:

- Filtropasabajo:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnpordebajodeun
determinadovalor(fL)
- Filtropasaalto:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnporencimadeun
determinadovalor(fH)
- Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangode
valores(fLyfH)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn
entreunrangodevalores(fLyfH)

242

ElectrnicaAnalgicaI

Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Selesempleacomodesfasador.

Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:

H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens

Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
funcindetransferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosde
lafuncindetransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.Lamayor
partedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendocualquiera
delassiguientesfamilias:

1) Butterworth:Suspoloscaendentrodeunacircunferenciaderadio1dentro
delplanocomplejo.Elfiltropasabajonotieneceros.Poseencaractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tieneceros. La mayor amplitud del rizo hacequela atenuacinsea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.
3) Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.
4) Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto
permitequesupendientedeatenuacinseainclusomsagudaqueladela
familiaChebyshev,peropresentarizadotantoenlabandapasantecomoen
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.

Parafacilitareldiseoseempleanfiltrosnormalizados.

Porejemplo,paraunfiltronormalizadoButterworthdesegundoorden(n=2)es:

2
H(s)=1/[s +1.414s+1]

243

ElectrnicaAnalgicaI

Lospolosson: s1=0.707+j(0.707) y
s2=0.707j(0.707)

La atenuacin es siempre 3 db 1 rad/s, excepto en los elpticos en los que la

atenuacina1rad/sesigualalrizadodelabandapasante.

Cuando se conoce la respuesta en frecuencia que debe tener el filtro, se le debe

normalizarparacompararloconlascurvasderespuestanormalizadasdelosfiltros,
para seleccionar el tipo. Los valores del filtro escogido debern desnormalizarse
para el intervalo de frecuencias de operacin. Este proceso puede requerir
transformacionessielrequisitocentralnoessloelfiltropasabajo.

Para el diseo se tienen grficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permitencalcularloscomponentesparalatopologaseleccionada

PROBLEMA7.4:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaunitariayfrecuenciadecortede100Hz.

C1

+
R
+
Vi
-

V1
C2

+
VL
-

Solucin:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerandoeloperacionalideal:

(ViV1)/R=(V1VL)C1s+(V1VL)/R

Luego:
Vi=V1(2+RC1s)(1+RC1s)VL
Adems:
(VLV1)/R+VLC2s=0
Luego:
VL(1+RC2s)=V1

Medianteestasecuacioneshallamoslafuncindetransferencia:

244

ElectrnicaAnalgicaI

1
H(s)=

R2C1C2s2+2RC2s+1

DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:

Polos: 1.1030j0.6368

Lascapacidadesnormalizadasson: C1=0.9060 C2=0.68

Lafrecuenciaangulardecortees: wc=2fc=628rad/s

ElegimosunvalorarbitrariodeR:
R=43K

HallamoslosvaloresrealesdeC1yC2,demaneraqueseaproximenavalores
comerciales:

0.9060

0.68
C1==33.55nFC2==25.18nF

(628)(43K)

(628)(43K)

Laatenuacina500Hzser20.4db

PROBLEMA7.5:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaiguala2yfrecuenciadecortede100Hz.

R
R

R1
+
Vi
-

R2

V1
C

+
VL
-

Solucin:
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:

245

ElectrnicaAnalgicaI

Polos: j=1.1030j0.6368

Elegimosunvalorarbitrariodelacapacidad,devalorcomercial: C=27nF

Lafrecuenciadecortees:
fc=100Hz

Luego:
1

R1==26.67K R2==80.16K

4fcC

fcC(2+2)

ACOPLOCONTRANSFORMADORESENBANDAANCHA:
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaPlaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.

V1 = sL p I 1 + sMI 2

V2 = sMI 1 + sLs I 2

Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes.

Ademssecumpleque:

M = k L p Ls

k=Factordeacoplo

En forma anloga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos

que cumplan con las ecuaciones mostradas y todos ellos sern modelos del
transformador

Unodesusmodelosmsutilizadossemuestraenlafigurasiguiente:

246

rp

Ldp

ElectrnicaAnalgicaI

rs

n:1
Lm

IDEAL
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin

Puedeexpresarse:

Ldp=(1k2)Lp
;
Lm=k2Lp

y
n=k(Lp/Ls)1/2

Cuandoelfactordeacoploseacercaalaunidad,sepuedehacerlasiguiente
aproximacin:
n=(Lp/Ls)1/2

Consideremoselcasosiguiente,enelcualnotomaremosencuentaotrosefectos
de segundo orden que se presentan en el transformador, tales como las no
linealidadesdelncleoylacapacidaddelosarrollamientos,comosemuestraenla
figurasiguiente:

Rg

rp

Ldp

rs
n:1

Vg

Lm
RL

+
Vo
-

ideal

Rg=resistenciadelafuentedesealdeentrada
RL=resistenciadecarga

247

ElectrnicaAnalgicaI

Podemosobtenerlafuncindetransferencia:

nRL

L
V o (s )
dp

=
H (s ) =
Vi (s )
R p Rs
R p Rs
R
2
s
+
+
+
s + s
L
L L
L
L
m
dp
dp m
dp

Donde:
Rp=Rg+rp
y
Rs=n2(RL+rs)

Observamosque:

Albajarlafrecuencia,lafuncindetransferenciadisminuyedebidoaque
LdpyLmtiendenacomportarsecomocortocircuitos.

Al elevar la frecuencia, la funcin de transferencia tambin disminuye

debidoaqueLdpyLmtiendenacomportarsecomocircuitoabierto.

La funcin de transferencia tendr un valor alto slo en la regin de

frecuenciasmedias;enella,Ldptenderacomportarsecomocortocircuito
yLmcomocircuitoabierto.

Enlaregindefrecuenciasmedias,lafuncindetransferenciaseconvierteen:

R g + rp (nR L )
V (s )
=

H (s ) = o
Vi (s ) R g + rp + n 2 (R L + rs )

DerivandoH(s)respectoden,eigualandoacero,podemosobtenerelvalorden
R g + rp
quehacemximaaH(s):

nm =
RL + rs

ReemplazandoenH(s)obtenemos:

Hm =

RL

2 (R g + rp )(RL + rs )

Loanteriorquieredecirquesiqueremosquelatensindesalidaseamximaenla
carga,debemoshacerquelarelacindetransformacinseadadaporlaecuacin
denm.

248

ElectrnicaAnalgicaI

Las resistencias rp y rs de los devanados disminuyen la eficiencia del

transformador.Elcasoidealsetienecuandorpyrsvalenceroypodemosdefinir
unaeficienciadeltransformador(T)comparndoloconelcasoideal:

T =

PL
PLideal

Donde:

V g2

RL2

PL =
2 RL 4(R g + rp )(R L + rs )

V g2
PLideal =
8Rg

Reemplazando:

T =

PL Rg RL

=
PLideal Rg + rp RL + rs

Delaexpresinanteriorconcluimosque:

Paraelevarlaeficienciadebecumplirse:Rg>>rp y
RL>>rs

Comnmente,losfabricantesdetransformadoresdeaudioindicanlos valoresde
Rg y RL necesarios para que se cumpla esta condicin y, con la ecuacin anterior
podemoshallarlarelacindetransformacin.

LaecuacindeH(s)nosmuestraquehayunceroenelorigenydospolos.

Dependiendodelosvaloresdelosparmetros,estospolospuedenserrealeso
complejos:

p1=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]+0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)24
RpRs/LdpLm]1/2

p2=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)24
RpRs/LdpLm]1/2

Sinembargo,enlostransformadoresdebandaanchasecumple:Lm>>Ldp

249

ElectrnicaAnalgicaI

Debidoaello,lospolosestarnmuyalejadosunodelotroypodremosobtener
expresionesaproximadasparaellos:

(R p + Rs )
p1 =
Ldp

(R p // Rs )
p2 =
Lm

Sisecumple: Rp=Rsy
Lm>10Ldp

Entonceslosvaloresaproximadosdelospolostienenunerrordentrodel5%

SisecumpleLm>100Ldp,elerrorbajaal1%paracualquierrelacinentreRpyRs

REDESLINEALESDESEGUNDOORDEN
Este tipo de redes poseen dos elementos reactivos y responden a la siguiente
ecuacindiferencial:

d2y/dt2+2dy/dt+o2y=f(t)

Lasolucinparat>0esdelaforma:

p1t
y(t)=A1e +A2ep2t+yss(t)

Los trminos: A1 ep1t + A2 ep2t constituyen la solucin homognea, llamada

tambin respuesta natural o estado transitorio. Si los coeficientes p1 y p2 de los
exponentes (denominados polos) son negativos, las exponenciales sern
decrecientesydespusdeuntiempohabrndesaparecido,quedandosloyss(t).
Todo sistema estable debe tener un estado transitorio que desaparezca con el
tiempo. En caso contrario, si p1 y p2 son positivos, el estado transitorio nunca
desaparecersinoqueseincrementarpermanentementeconelpasodeltiempo
yelsistemaserinestable

El trmino: yss(t) constituye la solucin particular, llamada tambin solucin

forzadaoestado estacionario.Estetrminosiempretiende aser del mismo tipo
quef(t).Sif(t)esdeformasinusoidal,yss(t)tambintenderasersinusoidal;Sif(t)
esdeformatriangular,yss(t)tambintenderasertriangular,etc.

Todo sistema estable debe siempre llegar al estado estacionario despus de un

determinadotiempo.

250

ElectrnicaAnalgicaI

La estado transitorio puede llegar a tener, en este caso, varias formas,

dependiendodelosvaloresdeyo.

Sedenomina:
=factordeamortiguacin

o=frecuencianatural

Sedefinen:
Q=factordecalidad=o/2

=relacindeamortiguacin=/o

BW=anchodebanda=2

p1=+(2o2)
Adems:

p2=(2o2)

Cuando:

1.
>osetieneestadotransitoriosobreamortiguado

Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucin
tomalaforma:
y(t)=A1ep1t+A2ep2t

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:

y(t)=A1ep1t+A2ep2t+B

2.
=osetieneestadotransitoriocrticamenteamortiguado

Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucin
tomalaforma:
y(t)=et(A1+A2t)

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:

y(t)=et(A1+A2t)+B

3.
<osetieneestadotransitoriosubamortiguado

Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucin
tomalaforma:
y(t)=Aetcos(dt+)

Donde:d=(o22)
deslafrecuenciaamortiguada

Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:

y(t)=Aetcos(dt+)+B

251

ElectrnicaAnalgicaI

CIRCUITORLCPARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anterioresparaentenderelcircuito:

I(t)

+
Vo
-

Aplicandoelmtododetensionesdenodopodemoshallarlaecuacindiferencial
paraelvoltajeVo:

d2Vo/dt2+(1/RC)dVo/dt+(1/LC)Vo=(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de

segundoordenyobtenemos:

=1/2RC
o=(1/LC)1/2
Q=oRC=R(C/L)1/2

Lospolosresultanteseneldominiodelafrecuenciaresultanser:

p1=+[22o]1/2=+j[4Q21]1/2
p2=[22o]1/2=j[4Q21]1/2

PodemosverqueparaunvalordeQde5ms,lospolossepuedenaproximar
conlasexpresiones:

p1=+jo
p2=jo

CIRCUITOLCYBOBINACONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.30.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,r,enserieconella:

252

ElectrnicaAnalgicaI

I(t)

C
r

+
Vo
-

Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtododetensionesdenodopodemoshallarlaecuacindiferencial
paraelvoltajeVo:

d2Vo/dt2(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt

Estaecuacinsecomparaconlacorrespondientealossistemaslinealesde
segundoordenyobtenemos:

=r/2L
o=(1/LC)1/2
Q=oL/r=(1/r)(L/C)1/2

La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en

paralelositomamosencuentaquelaimpedanciadelabobinaalafrecuenciao
es:

ZL=r+joL
Suadmitanciaser: YL=1/(r+joL)=r/(r2+(oL)2)joL/(r2+(oL)2)

Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r2+(oL)2)/r=(1+Q2)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q2r

Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:

253

ElectrnicaAnalgicaI

I(t)

I(t)
C

+
Vo
-

Req

+
Vo
-

CIRCUITOLCYCONDENSADORCONPERDIDAS
Este circuito se muestra en la figura siguiente. Las prdidas de la bobina se
representanmedianteunaresistencia,rc,enserieconella:

+
C

I(t)

Vo

L
r

Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtododetensionesdenodopodemoshallarlaecuacindiferencial
paraelvoltajeVo:

d2Vo/dt2(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt

Esta ecuacin se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de

segundoordenyobtenemos:

=r/2L
o=(1/LC)1/2
Q=oL/r=(1/r)(L/C)1/2

254

ElectrnicaAnalgicaI

La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en

paralelositomamosencuentaquelaimpedanciadelabobinaalafrecuenciao
es:
ZL=r+joL

Suadmitanciaser: YL=1/(r+joL)=r/(r2+(oL)2)joL/(r2+(oL)2)

Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r2+(oL)2)/r=(1+Q2)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q2r

Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:

I(t)

I(t)
+
Vo
-

C
r

Req

+
Vo
-

CONTROLDEGRAVESYAGUDOS
Acontinuacinsemuestrauncircuitodecontroldetonosparaaudio.Estecontrol
detonostienedospotencimetrosquepermitenajustarlapresenciadegravesy
agudosenunasealdeaudio.

100K

10K

NE5532
22K

1K5
20K

100K
56nF

10K
56nF
10nF

10nF

100pF

22K

10K

2K2
6
5

2K2

10uF / 16v / NP

4K7

2K2

7
NE5532

50K

2.2uF
10K

255

ElectrnicaAnalgicaI

Seutilizauncircuitointegradodealtasprestacionesparaaudioquecontieneensu
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con+/15V.Elpotencimetrode50Kalaentradaestableceelniveldeentradao
sensibilidaddelsistema.Elpresetde20Kprimeramentedebesituarsealcentrode
sucursor.Sisepresentasendistorsinodeformacionesenelaudiodisminuirste
hastalograrunareproduccinfiel.Elpotencimetrode100Kajustalacantidadde
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.

Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
debeira+15V.Lamasadebecablearsea0V,queenintegradonoseconectamas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).

SERIEDEPROBLEMAS

PROBLEMA1:UncircuitoparaleloRLC,comoelmostrado,seusacomofiltro
pasabanda.

Z(jw)

L
1

256

a)
b)
c)

ElectrnicaAnalgicaI

Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
Si:R=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250KHz
Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.

PROBLEMA2:UncircuitoserieRLC,comoelmostrado,seusacomofiltropasa
banda.
2
R
Z(jw)

a)
b)
c)

C
L

Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
SiR=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250khz
Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.

PROBLEMA3:Eneltransformadormostradoenlafigura5.28,halle:
a) El valor de Ls necesario para acoplar una carga de 8 a una cuente con
3200enelrangodefrecuenciasmedias...
b) DetermineLyHparaestecaso
c) Laeficienciadeltransformador

PROBLEMA 4: Se van a transmitir 24 canales telefnicos con anchos de banda

individualesde300a3500hz.

a) Si estos canales se transmiten como banda lateral nica en multiplex por

distribucindefrecuencia,culeselanchodebandarequeridosiseasigna
4khzacadacanal?
b) CulseriaelanchodebandasisetransmitieraenAMnormal?

PROBLEMA5:Enelcircuitodelproblema4,halleelvoltajetotaldesalidaenel
drenadordelFET

Asuma:L=4H,C=2500pF,R=2K,o=10**(7)ym=10**(5)

LosparmetrosdelFETsonlosmismos.

257

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA6:Unamplificadortienelasiguientegananciadevoltaje:
Av(s)=(100s)/[(1+s/100)(1+s/1000)]
a) TracelasgrficasdeBodedemagnitudyfaseenfuncindelafrecuencia.
b) Determineelmargendeganancia,elmargendefaseylafrecuenciade
transicincuandolagananciasehaceiguala1.

PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelacorrientetotaldedrenador.
Elcircuitotanqueestsintonizadoalafrecuenciawo.

Cualdebeserlafrecuenciawmparaqueeltanqueslodejepasarelrangode
frecuenciaswo+/wm?

2
R
2K

+10V
L
2uH

2.5nF
1

C2
+

Q1
JF1033B

10 uF

Idss = 4 mA
Vp = -4V

1M

cos(wo t)

2V

+
cos(wm t)

PROBLEMA8:Enelsiguientecircuito,,medianteelanlisiseneldominiodela
frecuencia,determine:
a) Lafrecuenciadecorteinferior(fL)
b) Lafrecuenciadecortesuperior(fH)
c) Elanchodebanda
d) Lagananciaenfrecuenciasmedias

+
Vs
-

Rs

C1

1K

20 pF
+
Vi
-

Ri
25K

Ci

gm Vi

20 pF
gm = 15 mA/V

258

Ro
10K

Co
10 pF

RL
10 K

+
Vo
-

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA 9: Determine los Diagramas de Bode de la ganancia de bucle de un

amplificadorrealimentado,siesdadapor:

T(jw)=2/(1+jw)3

Determinetambinelmargendefaseyelmargendeganancia.

PROBLEMA 10: Dibuje los Diagramas de Bode asintticos para la funcin de

transferencia:

10

H (s ) =
s
s
s

1 + 1 +
1 +

25 2500 200000

PROBLEMA11:Diseeunamplificadorenemisorcomn,comoelmostrado,con
gananciaenfrecuenciasmediascomprendidaentre:
40|Ao|50

Frecuenciadecorteinferior:fL1KHz

VCC
R1

Rs

RC

C2

C1

Q
2N2222

Vs

R2

RE1

RE2

RL
2K

+
Vo
-

CE

Utiliceeltransistor2N2222(silicio,=100,VT=26mV,ICQ=2mA,VCEQ=5V)
VCC=12Vdc

259

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA12:Diseeunamplificadordedrenajecomn,comoelmostrado,para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi 1 M, una
frecuenciadecorteinferior:fL1KHzyunafrecuenciadecortesuperior:fH=50
KHz

DatosdelMOSFET:Cds=1pF,Cgs=10pF,Cgd=10pF,ro=50K,gm=20mA/V,
Paraelpuntodeoperacin:IDQ=2mA,VGSQ=6VyVDSQ=10V

15 V

R1

C4

Rg

Q
C2

1K

CAP NP
R2

Vg

RL
1K

Rs

PROBLEMA13:Determinelarespuestaenfrecuenciadelsiguientecircuito.Asuma
queelOPAMPsecomportaenformaideal

56.44K

U7
7

56.44 K

+ 15V

1 Vpico

C1
47 nF

C2
47 nF

uA741

R3
28.22K

OS2
OUT
OS1

5
6
1

Vs

V+

R2

V-

R1

C3
CAP NP

RL
100K

- 15 V

260

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA 14: En el circuito mostrado halle las frecuencias de corte superior e

inferior.

gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
Cgd = 0

VCC

10K
1uF
1uF
+
1M
Vi

1k

RL

10K

Vo
-

100uF

PROBLEMA 15: Calcule los condensadores de acoplo y by pass en el siguiente

circuito,empleandolatcnicadelpolodominante.Serequiereunafrecuenciade
corteinferiorde100Hz.

Dadas las capacidades internas del MOSFET, determine la frecuencia de corte

superiorusandoelteoremadeMiller.

+ 12 V

10 M
1M

3K

Co

C3

+
Q1

10 K

+
Vi

Vo
-

5M

1K

gm = 0.002 s
rds = 100K
Cgs = 2 pF
Cgd = 3 pF

Cs

261

ElectrnicaAnalgicaI

PROBLEMA 16: Un cristal, empleado en un oscilador sinusoidal tiene un circuito

equivalentetalcomosemuestraacontinuacin:

Ls

2 MHz
A

Cs

Rs

CRISTAL

Co

Sisusparmetrosson:Rs=100, Cs=0.014pF Ls=0.45H

Co=4Pf

a) HallelaimpedanciaqueofreceentrelosterminalesAyB,emplendola
transformadadeLaplace
b) HallelagrficaasintticadeamplituddeBode.
c) Quanchodebandatieneelcristal?.

262

ElectrnicaAnalgicaI

BIBLIOGRAFIA

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263